JP4749605B2 - 半導体試験装置 - Google Patents
半導体試験装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4749605B2 JP4749605B2 JP2001181432A JP2001181432A JP4749605B2 JP 4749605 B2 JP4749605 B2 JP 4749605B2 JP 2001181432 A JP2001181432 A JP 2001181432A JP 2001181432 A JP2001181432 A JP 2001181432A JP 4749605 B2 JP4749605 B2 JP 4749605B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- relay
- output
- amplifier
- driver
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、試験電圧を1倍と2倍とに切り換えて被試験デバイスに電圧印加するドライバ回路を高密度実装できる半導体試験装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来技術の例について、図4〜図7を参照して構成と動作について説明する。
最初に、半導体試験装置の構成の概要について説明する。
図4に示すように、半導体試験装置の構成は、メインフレーム20と、テストヘッド30で構成している。
但し、入出力装置のワークステーションは省略している。
そして、半導体試験装置は、パフォーマンスボード33に設けたICソケット90に被試験デバイスであるDUT91を搭載して試験する。
【0003】
メインフレーム20は、半導体試験装置の電源部と、コンピュータと、試験信号の生成部と、論理比較器等を内蔵している。
【0004】
テストヘッド30は、被試験デバイスと試験信号の受け渡しをするドライバやコンパレータを試験チャンネル数に対応して多数内蔵している。
【0005】
次に、半導体試験装置の論理動作の概要について説明する。
但し、図4は図を簡明とするため、ドライバとコンパレータとは、それぞれ1個の場合としている。
また、図4は、ソフトウェアにより制御されるコンピュータについても省略している。
【0006】
パターン発生器5において、タイミング発生器4から出力された基本クロック信号に同期して論理データを発生する。
【0007】
波形整形器6において、パターン発生器からの論理データと、タイミング発生器4からのクロック信号とで各種論理パターンを生成する。
試験パターンは、被試験デバイスに印加する試験レートにおけるアドレス信号、クロック、読み出し書き込みなどの制御信号となる。
【0008】
波形整形器6から出力するECLレベルの論理パターンは、ドライバ43により所望の電圧レベルに増幅され、DUT91の入力ピンに出力する。
【0009】
DUT91の出力ピンからの出力信号は、コンパレータ44によりストローブ(STRB)のタイミングで電圧比較して論理信号として出力する。
【0010】
論理比較器7において、タイミング発生器4からのストローブ信号のタイミングで、DUT91の論理出力信号と、パターン発生器5からの期待値と、論理比較されてパス/フェイル判定をおこなう。
【0011】
次に、ドライバ出力電圧を1倍と2倍とに切り換えてDUT91に印加するドライバ回路の構成と動作について説明する。
図5に示すように、ドライバ回路の要部は、DAコンバータ61と、ドライバ43と、2倍アンプ50と、リレーL1、L2とで構成している。
【0012】
2倍アンプ50は、オペアンプAと2つの抵抗Rにより2倍のゲインを有するアンプであり、リレーL4はOFF(ブレーク)のとき2倍アンプとなり、ON(メーク)のとき1倍アンプとなる。
抵抗rは、動作の安定化のために設けた低抵抗値(ex.10〜100Ω)の抵抗である。
また、リレーL4を設けて1倍アンプとしているのは、リレーL1、L2が切り換える場合にともにOFFとなったとき、DUT91の試験ピンが高インピーダンスとなってスパイクが発生するのを避けるため、電圧切り換え時においてリレーL1、L2がともにONとなる状態を設けるためである。
【0013】
リレーL1、L2、L4は、制御信号によりON/OFF(メーク/ブレーク)する切り換え手段であり、例えば、リードリレーを使用する。
従って、ON/OFF切り換えに要する時間は、使用するリレーの動作時間により制限される。
なお、リレーL1、L2、L4としてフォトMOSなどの半導体リレーを使用すれば実装密度を高められるが、耐圧が低いため出力電圧を高くできないので高電圧出力が必要な場合使用できない。
【0014】
DUT91に1倍電圧を出力(スルー出力)する場合は、デジタル設定電圧データをDAコンバータ61に与えて、アナログのハイ(high)側電圧VIHとロー(low)側電圧VILに変換し、ドライバ43において、ECLレベルのパターン信号をVIH−VILのレベルに増幅し、リレーL1を介してDUT91に印加している。
【0015】
DUT91に2倍電圧を出力する場合は、デジタル設定電圧データをDAコンバータ61に与えて、アナログのハイ(high)側電圧VIHとロー(low)側電圧VILに変換し、ドライバ43において、ECLレベルのパターン信号をVIH−VILのレベルに増幅し、さらにリレーL4をOFFとして2倍アンプ50により(VIH−VIL)の2倍のレベルに増幅し、リレーL2を介してDUT91に印加している。
【0016】
次に、ドライバ出力電圧VIHの3Vを1倍から2倍に切り換えてDUT91に印加する場合における、DUT91の印加電圧V1、2倍アンプ50の出力電圧V2と、リレーのON/OFF動作について図6の(a)、(b)を参照して以下箇条書きで説明する。
【0017】
(1)時間aにおいて、リレーL1がON、リレーL2がOFF、リレーL4がOFFのとき、ドライバ43の出力電圧は3VなのでDUT91の印加電圧V1=3Vとなり、2倍アンプ50の出力電圧V2=6Vとなる。
【0018】
(2)時間bにおいて、リレーL1がON、リレーL2がOFF、リレーL4がONのとき、ドライバ43の出力電圧は3VなのでDUT91の印加電圧V1=3Vとなり、2倍アンプ50は1倍アンプとして動作するので出力電圧V2=3Vとなる。
【0019】
(3)時間cにおいて、リレーL1、リレーL2、リレーL4がすべてONのとき、ドライバ43の出力電圧は3Vであり、また2倍アンプ50は1倍アンプとして動作するので出力電圧V2も3Vとなり、DUT91の印加電圧V1=V2=3Vとなる。
【0020】
(4)時間dにおいて、リレーL1がOFF、リレーL2がON、リレーL4がONのとき、ドライバ43の出力電圧は3VなのでDUT91の印加電圧V1=3Vとなり、2倍アンプ50は1倍アンプとして動作するので出力電圧V2=3Vとなる。
【0021】
(5)時間eにおいて、リレーL1がOFF、リレーL2がON、リレーL4がOFFのとき、ドライバ43の出力電圧は3Vであるが、2倍アンプ50の2倍の出力電圧V2=6VがDUT91の印加電圧V1となり、印加電圧V1=6Vとなる。
【0022】
次に、ドライバ出力電圧VIHの3Vを2倍から1倍に切り換えてDUT91に印加する場合における、DUT91の印加電圧V1、2倍アンプ50の出力電圧V2と、リレーのON/OFF動作について図7の(a)、(b)を参照して以下箇条書きで説明する。
(1)時間aにおいて、リレーL1がOFF、リレーL2がON、リレーL4がOFFのとき、ドライバ43の出力電圧は3Vであるが、2倍アンプ50の2倍の出力電圧V2=6VがDUT91の印加電圧V1となり、印加電圧V1=V2=6Vとなる。
【0023】
(2)時間bにおいて、リレーL1がOFF、リレーL2がON、リレーL4がONのとき、ドライバ43の出力電圧は3VなのでDUT91の印加電圧V1=3Vとなり、2倍アンプ50は1倍アンプとして動作するので出力電圧V2=3Vとなる。
【0024】
(3)時間cにおいて、リレーL1、リレーL2、リレーL4がすべてONのとき、ドライバ43の出力電圧は3Vであり、また2倍アンプ50は1倍アンプとして動作するので出力電圧V2も3Vとなり、DUT91の印加電圧V1=V2=3Vとなる。
【0025】
(4)時間dにおいて、リレーL1がON、リレーL2がOFF、リレーL4がONのとき、ドライバ43の出力電圧は3VなのでDUT91の印加電圧V1=3Vとなり、2倍アンプ50は1倍アンプとして動作するので出力電圧V2=3Vとなる。
【0026】
(5)時間eにおいて、リレーL1がON、リレーL2がOFF、リレーL4がOFFのとき、ドライバ43の出力電圧は3VなのでDUT91の印加電圧V1=3Vとなり、2倍アンプ50の出力電圧V2=6Vとなる。
【0027】
次に、ドライバ出力電圧を1倍と2倍とに切り換えてDUT91に印加するドライバ回路の構成の問題点について説明する。
半導体試験装置は被試験デバイスであるDUT91の多ピン化によりドライバ回路を多数実装する必要があり、また、試験信号の高速化によりドライバ出力からDUT91までの距離を短くする必要がある。
しかし、2倍アンプ50のスパイク防止のために設けたリレーL4による実装面積の制限もあり、高密度実装が困難となっていた。
【0028】
【発明が解決しようとする課題】
上記説明のように、ドライバ出力電圧を1倍と2倍とに切り換えて被試験デバイスに印加するドライバ回路の半導体試験装置は、被試験デバイスの多ピン化によりドライバ回路を多数実装する必要があり、また、試験信号の高速化によりドライバ出力から被試験デバイスまでの距離を短くする必要がある。
しかし、2倍アンプのスパイク防止のために設けたリレによる実装面積の制限もあり、高密度実装が困難という実用上の問題があった。
そこで、本発明は、こうした問題に鑑みなされたもので、その目的は、試験電圧を1倍と2倍とに切り換えて被試験デバイスに電圧印加するドライバ回路を高密度実装できる半導体試験装置を提供することにある。
【0029】
【課題を解決するための手段】
即ち、上記目的を達成するためになされた本発明の第1は、試験電圧を1倍と2倍とに切り換えて被試験デバイスに印加する半導体試験装置において、設定電圧データを受けて所定のハイレベルとローレベルのアナログ電圧に変換する第1のDAコンバータと、該第1のDAコンバータの出力を受けて試験パターンを所定のハイレベルとローレベルの試験電圧に増幅して出力するドライバと、該ドライバの出力を受けて被試験デバイスへの印加をON/OFFする第1の切り換え手段と、設定電圧データを受けてアナログ電圧に変換する第2のDAコンバータと、該第2のDAコンバータのハイレベル出力を受けて2倍の電圧に増幅するアンプ手段と、該アンプ手段の出力を受けて被試験デバイスへの印加をON/OFFする第2の切り換え手段と、前記第2のDAコンバータのハイレベル出力電圧が1/2となるように前記第2のDAコンバータに入力する前記設定電圧データを演算して出力する1/2演算手段と、前記1/2演算手段により演算された前記設定電圧データまたは前記第1のDAコンバータに入力した前記設定電圧データのいずれを前記第2のDAコンバータに供給するかを制御信号により切り換える第3の切り換え手段と、を具備していることを特徴とした半導体試験装置を要旨としている。
【0030】
即ち、上記目的を達成するためになされた本発明の第2は、
前記1/2演算手段と、前記第3の切り換え手段とをソフトウェアを用いてコンピュータ手段で制御する本発明第1に記載の半導体試験装置を要旨としている。
【0031】
即ち、上記目的を達成するためになされた本発明の第3は、前記アンプ手段がn倍アンプであり、前記1/2演算手段は1/n演算手段である本発明第1記載の半導体試験装置を要旨としている。
【0032】
即ち、上記目的を達成するためになされた本発明の第4は、試験電圧を1倍から2倍または2倍から1倍に切り換える際に、前記ドライバが出力する試験電圧の1倍電圧を前記アンプ手段から出力し、かつ前記第1の切り換え手段と前記第2の切り換え手段を共にONとし、前記第3の切り換え手段を前記1/2演算手段側に切り換えることを特徴とした前記本発明第1または2記載の半導体試験装置を要旨としている。
【0033】
【発明の実施の形態】
本発明の実施例について、図1〜図3を参照して構成と動作について説明する。
半導体試験装置の構成の概要と論理動作については従来と同様であり、従来の技術において説明したので説明を省略する。
本発明の半導体試験装置は、被試験デバイスに印加するドライバ回路に主要な特徴がある。
【0034】
従って、本発明の半導体試験装置におけるドライバ出力電圧を1倍と2倍とに切り換えてDUT91に印加するドライバ回路の構成と動作について説明する。
図1に示すように、ドライバ回路の要部は、DAコンバータ61、62と、ドライバ43と、2倍アンプ51と、リレーL1、L2、L3と、1/2倍演算部70とで構成している。
【0035】
2倍アンプ51は、オペアンプAと2つの抵抗Rにより2倍のゲインを有するアンプ手段である。
抵抗rは、動作の安定化のために設けた低抵抗値(ex.10〜100Ω)の抵抗である。
従って、本2倍アンプ51は、従来(図5)の2倍アンプ50に設けた1倍アンプへ切り換えるリレーL4は不要であるので小型高密度にできる。
また、2倍アンプ51は、2つの抵抗Rの抵抗値の比率を変えることでn倍アンプとすることもできる。
【0036】
リレーL1、L2は、従来同様に制御信号によりON/OFF(メーク/ブレーク)する切り換え手段であり、例えば、リードリレーを使用する。
従って、ON/OFF切り換えに要する時間は、使用するリレーの動作時間により制限される。
なお、リレーL1、L2としてフォトMOSなどの半導体リレーを使用すれば実装密度を高められるが、耐圧が低いため出力電圧を高くできないので高電圧出力が必要な場合使用できない。
【0037】
リレーL3と1/2倍演算部70とは、2倍アンプ51の出力電圧がドライバ43のハイ(high)レベル側出力電圧VIHの1倍と2倍となるように、つまりDAコンバータ62の出力電圧を1/2倍と1倍とになるように設定電圧データを演算し、制御信号により1/2倍と1倍とに切り換える動作をする。
従って、リレーL3と1/2倍演算部70は、必ずしもハードウェアで構成する必要はなく、DAコンバータ62の出力電圧を1/2倍と1倍とになるようにする設定電圧データを1/2倍と1倍との演算と切り換えをソフトウェアを用いてコンピュータ手段で行ってもよい。
【0038】
また、リレーL3と1/2倍演算部70とは、2倍アンプ51をn倍アンプとして、出力電圧がドライバ43のハイ(high)レベル側出力電圧VIHの1倍とn倍となるように、つまりDAコンバータ62の出力電圧を1/n倍と1倍とになるように設定電圧データを演算し、制御信号により1/n倍と1倍とに切り換える動作をさせることもできる。
【0039】
DUT91に1倍電圧を出力(スルー出力)する場合は、従来同様にデジタル設定電圧データをDAコンバータ61に与えて、アナログのハイ(high)側電圧VIHとロー(low)側電圧VILに変換し、ドライバ43において、ECLレベルのパターン信号をVIH−VILのレベルに増幅し、リレーL1を介してDUT91に印加している。
【0040】
DUT91に2倍電圧を出力する場合は、デジタル設定電圧データのハイ(high)側データをリレーL3をb側に切り換えてDAコンバータ62に与え、アナログのハイ(high)側電圧VIHに変換し、2倍アンプ51によりVIHの2倍のレベルに増幅し、リレーL2を介してDUT91に印加している。
【0041】
次に、ドライバ出力電圧VIHの3Vを1倍から2倍に切り換えてDUT91に印加する場合における、DUT91の印加電圧V1、2倍アンプ51の出力電圧V2と、リレーのON/OFF動作について図2の(a)、(b)を参照して以下箇条書きで説明する。
【0042】
(1)時間aにおいて、リレーL1がON、リレーL2がOFF、リレーL3がb側のとき、ドライバ43の出力電圧は3VなのでDUT91の印加電圧V1=3Vとなり、2倍アンプ51の出力電圧V2=6Vとなる。
【0043】
(2)時間bにおいて、リレーL1がON、リレーL2がOFF、リレーL3がa側のとき、ドライバ43の出力電圧は3VなのでDUT91の印加電圧V1=3Vとなり、2倍アンプ51は1倍アンプとして動作するので出力電圧V2=3Vとなる。
【0044】
(3)時間cにおいて、リレーL1、リレーL2、リレーL3がすべてONのとき、ドライバ43の出力電圧は3Vであり、また2倍アンプ51は1倍アンプとして動作するので出力電圧V2も3Vとなり、DUT91の印加電圧V1=V2=3Vとなる。
【0045】
(4)時間dにおいて、リレーL1がOFF、リレーL2がON、リレーL3がa側のとき、ドライバ43の出力電圧は3VなのでDUT91の印加電圧V1=3Vとなり、2倍アンプ51は1倍アンプとして動作するので出力電圧V2=3Vとなる。
【0046】
(5)時間eにおいて、リレーL1がOFF、リレーL2がON、リレーL3がb側のとき、ドライバ43の出力電圧は3Vであるが、2倍アンプ51の2倍の出力電圧V2=6VがDUT91の印加電圧V1となり、印加電圧V1=V2=6Vとなる。
【0047】
次に、ドライバ出力電圧VIHの3Vを2倍から1倍に切り換えてDUT91に印加する場合における、DUT91の印加電圧V1、2倍アンプ51の出力電圧V2と、リレーのON/OFF動作について図3の(a)、(b)を参照して以下箇条書きで説明する。
(1)時間aにおいて、リレーL1がOFF、リレーL2がON、リレーL3がb側のとき、ドライバ43の出力電圧は3Vであるが、2倍アンプ51の2倍の出力電圧V2=6VがDUT91の印加電圧V1となり、印加電圧V1=6Vとなる。
【0048】
(2)時間bにおいて、リレーL1がOFF、リレーL2がON、リレーL3がa側のとき、ドライバ43の出力電圧は3VなのでDUT91の印加電圧V1=3Vとなり、2倍アンプ51は1倍アンプとして動作するので出力電圧V2=3Vとなる。
【0049】
(3)時間cにおいて、リレーL1、リレーL2、リレーL3がすべてONのとき、ドライバ43の出力電圧は3Vであり、また2倍アンプ51は1倍アンプとして動作するので出力電圧V2も3Vとなり、DUT91の印加電圧V1=V2=3Vとなる。
【0050】
(4)時間dにおいて、リレーL1がON、リレーL2がOFF、リレーL3がa側のとき、ドライバ43の出力電圧は3VなのでDUT91の印加電圧V1=3Vとなり、2倍アンプ51は1倍アンプとして動作するので出力電圧V2=3Vとなる。
【0051】
(5)時間eにおいて、リレーL1がON、リレーL2がOFF、リレーL3がb側のとき、ドライバ43の出力電圧は3VなのでDUT91の印加電圧V1=3Vとなり、2倍アンプ51の出力電圧V2=6Vとなる。
【0052】
従って、本発明の半導体試験装置のドライバ回路は2倍アンプ51において、従来使用していた1倍とするためのリレーを使用していないので、ドライバ回路の出力部のスペースを削減することができ、ドライバ回路を高密度実装することができる。
また、本発明の半導体試験装置は、ドライバ43の出力が2倍アンプ51に接続されていないので、ドライバ出力からリレーL1を介してDUT91までの長さを短くでき、しかもドライバ43の出力に影響をあたえないので2倍アンプを介さない(スルー出力)場合の試験信号の高速化が実現できる。
【0053】
ところで、本実施例では、ドライバ出力を1倍と2倍とに切り換えて被試験デバイスに印加する例で説明したが、ドライバ出力を1倍とn倍とに切り換えて被試験デバイスに印加する場合でも、1/2演算部を1/n演算手段とし、2倍アンプをn倍アンプとすることで同様に実現できる。
【0054】
【発明の効果】
本発明は、以上説明したような形態で実施され、以下に記載されるような効果を奏する。
即ち、本発明の半導体試験装置のドライバ回路は2倍アンプ51において1倍とするためのリレーを使用していないので、パターン信号のドライバ出力からリレーL1を介してDUT91までのスペースを削減することができ、ドライバ回路を高密度実装できる効果がある。
また、2倍アンプ51はパターン信号のドライバ43の出力を受けていないので、ドライバ43の出力に影響をあたえないので2倍アンプを介さない(スルー出力)場合の試験信号の高速化が実現できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体試験装置の要部回路図である。
【図2】本発明の半導体試験装置の1倍から2倍電圧にする出力波形図である。
【図3】本発明の半導体試験装置の2倍から1倍電圧にする出力波形図である。
【図4】半導体試験装置のブロック図である。
【図5】従来の半導体試験装置の要部回路図である。
【図6】従来の半導体試験装置の1倍から2倍電圧にする出力波形図である。
【図7】従来の半導体試験装置の2倍から1倍電圧にする出力波形図である。
【符号の説明】
4 タイミング発生器
5 パターン発生器
6 波形整形器
7 論理比較器
20 メインフレーム
30 テストヘッド
33 パフォーマンスボード
43 ドライバ
44 コンパレータ
50、51 2倍アンプ
61、62 DAコンバータ
70 1/2演算部
90 ICソケット
91 DUT
Claims (4)
- 試験電圧を1倍と2倍とに切り換えて被試験デバイスに印加する半導体試験装置において、
設定電圧データを受けて所定のハイレベルとローレベルのアナログ電圧に変換する第1のDAコンバータと、
該第1のDAコンバータの出力を受けて試験パターンを所定のハイレベルとローレベルの試験電圧に増幅して出力するドライバと、
該ドライバの出力を受けて被試験デバイスへの印加をON/OFFする第1の切り換え手段と、
前記設定電圧データを受けてアナログ電圧に変換する第2のDAコンバータと、
該第2のDAコンバータのハイレベル出力を受けて2倍の電圧に増幅するアンプ手段と、
該アンプ手段の出力を受けて被試験デバイスへの印加をON/OFFする第2の切り換え手段と、
前記第2のDAコンバータのハイレベル出力電圧が1/2となるように前記第2のDAコンバータに入力する前記設定電圧データを演算して出力する1/2演算手段と、
前記1/2演算手段により演算された前記設定電圧データまたは前記第1のDAコンバータに入力した前記設定電圧データのいずれを前記第2のDAコンバータに供給するかを制御信号により切り換える第3の切り換え手段と、
を具備していることを特徴とした半導体試験装置。 - 前記1/2演算手段と、前記第3の切り換え手段とをソフトウェアを用いてコンピュータ手段で制御する請求項1に記載の半導体試験装置。
- 前記アンプ手段はn倍アンプであり、前記1/2演算手段は1/n演算手段である請求項1記載の半導体試験装置。
- 試験電圧を1倍から2倍または2倍から1倍に切り換える際に、前記ドライバが出力する試験電圧の1倍電圧を前記アンプ手段から出力し、かつ前記第1の切り換え手段と前記第2の切り換え手段を共にONとし、前記第3の切り換え手段を前記1/2演算手段側に切り換えることを特徴とした前記請求項1または2記載の半導体試験装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001181432A JP4749605B2 (ja) | 2001-06-15 | 2001-06-15 | 半導体試験装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001181432A JP4749605B2 (ja) | 2001-06-15 | 2001-06-15 | 半導体試験装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002372571A JP2002372571A (ja) | 2002-12-26 |
JP4749605B2 true JP4749605B2 (ja) | 2011-08-17 |
Family
ID=19021705
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001181432A Expired - Fee Related JP4749605B2 (ja) | 2001-06-15 | 2001-06-15 | 半導体試験装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4749605B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4670783B2 (ja) | 2006-09-28 | 2011-04-13 | 横河電機株式会社 | 半導体試験装置 |
JP4895117B2 (ja) * | 2007-03-14 | 2012-03-14 | 横河電機株式会社 | 半導体試験装置 |
JP2010002194A (ja) * | 2008-06-18 | 2010-01-07 | Shibasoku:Kk | 試験装置及び試験方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01219682A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-01 | Yokogawa Electric Corp | 信号発生装置 |
JPH11326458A (ja) * | 1998-05-21 | 1999-11-26 | Advantest Corp | 半導体試験装置 |
-
2001
- 2001-06-15 JP JP2001181432A patent/JP4749605B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01219682A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-01 | Yokogawa Electric Corp | 信号発生装置 |
JPH11326458A (ja) * | 1998-05-21 | 1999-11-26 | Advantest Corp | 半導体試験装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002372571A (ja) | 2002-12-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20030045939A (ko) | 반도체 집적 회로를 위한 테스트 장치 | |
KR100676192B1 (ko) | 자동 테스트 장비에서 파라미터 측정 유닛을 모니터링 및 제어하기 위한 저비용 구성 방법 | |
US6856158B2 (en) | Comparator circuit for semiconductor test system | |
US20040051518A1 (en) | High speed tester with narrow output pulses | |
JP4749605B2 (ja) | 半導体試験装置 | |
JP2002340985A (ja) | 負荷電流出力回路一体形ドライバ回路及、それを備えたピンエレクトロニクスic及びicテスタ | |
US6958617B1 (en) | Electromechanical module, for holding IC-chips in a chip testing system, that synchronizes and translates test signals to the IC-chips | |
JP2008157769A (ja) | 任意波形発生器 | |
KR100544223B1 (ko) | 반도체 디바이스 시험 장치 | |
JP2002022804A (ja) | 半導体試験装置 | |
US7208977B2 (en) | Tristate startup operating mode setting device | |
JP4729212B2 (ja) | 半導体試験装置 | |
JP2598580Y2 (ja) | Ic試験装置 | |
JP3053012B2 (ja) | 半導体装置の試験回路および試験方法 | |
JP2004257771A (ja) | バーンイン装置 | |
JP3628492B2 (ja) | 半導体装置およびそのテスト方法 | |
JP3025551B2 (ja) | 直流特性試験回路 | |
JP3559116B2 (ja) | 半導体デバイスにおける入力増幅器の感度テスト装置 | |
JPH11125660A (ja) | 半導体試験装置用タイミング発生器 | |
KR100311012B1 (ko) | 인쇄회로기판 검사 시스템 | |
JP3001017B2 (ja) | Ic試験装置 | |
JP3189808B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
JP2013238461A (ja) | 試験装置、試験方法、及び装置 | |
JP2000338188A (ja) | 半導体集積回路の試験回路 | |
JP3540247B2 (ja) | 半導体装置のテスト回路および同テスト回路を用いたテスト方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080415 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101105 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101130 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110125 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20110125 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110222 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110411 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110426 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110518 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140527 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140527 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |