JP4745221B2 - ペルオキシモノ硫酸水素カリウム溶液 - Google Patents

ペルオキシモノ硫酸水素カリウム溶液 Download PDF

Info

Publication number
JP4745221B2
JP4745221B2 JP2006509586A JP2006509586A JP4745221B2 JP 4745221 B2 JP4745221 B2 JP 4745221B2 JP 2006509586 A JP2006509586 A JP 2006509586A JP 2006509586 A JP2006509586 A JP 2006509586A JP 4745221 B2 JP4745221 B2 JP 4745221B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solution
copper
potassium
water
active oxygen
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2006509586A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006522003A5 (ja
JP2006522003A (ja
Inventor
ピーター トゥファノ トーマス
ブライアン コクシー マイケル
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
EIDP Inc
Original Assignee
EI Du Pont de Nemours and Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by EI Du Pont de Nemours and Co filed Critical EI Du Pont de Nemours and Co
Publication of JP2006522003A publication Critical patent/JP2006522003A/ja
Publication of JP2006522003A5 publication Critical patent/JP2006522003A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4745221B2 publication Critical patent/JP4745221B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B15/00Peroxides; Peroxyhydrates; Peroxyacids or salts thereof; Superoxides; Ozonides
    • C01B15/055Peroxyhydrates; Peroxyacids or salts thereof
    • C01B15/06Peroxyhydrates; Peroxyacids or salts thereof containing sulfur
    • C01B15/08Peroxysulfates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10Etching compositions
    • C23F1/14Aqueous compositions
    • C23F1/16Acidic compositions
    • C23F1/18Acidic compositions for etching copper or alloys thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321After treatment
    • H01L21/3213Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/382Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
    • H05K3/383Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal by microetching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321After treatment
    • H01L21/32115Planarisation
    • H01L21/3212Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0779Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing characterised by the specific liquids involved
    • H05K2203/0786Using an aqueous solution, e.g. for cleaning or during drilling of holes
    • H05K2203/0796Oxidant in aqueous solution, e.g. permanganate

Description

本発明は、不活性塩含量の少ないペルオキシモノ硫酸水素カリウムの高強度溶液、その調製方法、および印刷配線基板および半導体の製造におけるその使用に関する。
以降において、登録商標は大文字で示してある。
「モノ過硫酸カリウム」という用語は、業界で一般的に用いられており、本明細書においては、混合三重塩2KHSO5・KHSO4・K2SO4のことを指すのに用いる。モノ過硫酸カリウムの理論活性酸素含量は5.2%である。本明細書において、モノ過硫酸カリウムと言及されるものはすべて、一般的に活性酸素含量が約4.7%の市販の混合三重塩のことを指す。市販のモノ過硫酸カリウムの純度は、微量の不純物の存在、微量の添加剤(固結防止剤等)および製造プロセスの変化により、約95%〜約98%であると認識されている。
三重塩中の活性成分の式「KHSO5」は、本明細書においては、ペルオキシモノ硫酸水素カリウム自身を示している。
所望の導電性パターンを銅ホイルでクラッディングしたプラスチックまたはその他基板上に現像する、印刷回路基板としても知られている最新の印刷配線基板の製造は、複雑なプロセスである。このプロセスにおいて、電気相互接続は、望ましくない銅ホイルを選択的に除去する、または追加の銅を基板に添加することによりなされる。このプロセスでは、過剰の銅、銅付着物からの残りの試薬、粉末、ダスト、酸化物およびその他異物または各構築工程後の残渣を慎重に除去する必要がある。電気回路構成が複雑であるため、100以上の別個の工程を必要とするプロセスは珍しくない。
残渣銅の除去は、動作の制御性を強調するために、「マイクロエッチング」と呼ばれている。場合によっては、温度、pHおよび/または適用モードの極端な条件下での高活性化学薬品の使用による銅の強力な大量の除去とは対照的に、慎重かつ穏やかな除去が必要である。マイクロエッチングは、効率的かつ経済的な処理のためにはクリーニング動作と組み合わせなければならない。銅のマイクロエッチングは、めっきまたはレジスト層を適用の度に基板に確実に接合させるため、印刷配線基板における重要な工程である。マイクロエッチング液の適用による残渣銅の除去レートは「エッチレート」と呼ばれる。
マイクロエッチングプロセスには、印刷配線基板を、モノ過硫酸水素カリウム(一般的に浴として)と接触させ、銅でクラッディングされた印刷配線基板をマイクロエッチングおよびクリーニングし、望ましくない残渣と共に溶液を除去することが含まれる。マイクロエッチング浴を用いると、銅をエッチングし、KHSO5活性成分が消費される。同時に、KHSO5は、活性酸素が消費されるにつれて、硫酸塩を形成し、モノ過硫酸カリウムに存在する硫酸カリウムから形成された硫酸塩の濃度を増すことになる。従って、浴中の硫酸銅濃度が増大し、最終的には、浴を交換しなければならず、そうしないと、基板のステイニングが生じ、品質が下がる。追加のモノ過硫酸カリウムを添加して、活性酸素の減少を補っても、硫酸塩が増加して浴の耐用年数が限られてしまう。
不活性硫酸塩の濃度を下げ、活性酸素の重量パーセントを高くするマイクロエッチング溶液を用いることにより、マイクロエッチングプロセスを改善するのが望ましい。本発明はかかる溶液を提供するものである。
本発明は、SO5対SO4の最低重量比が1.0:1を超えるペルオキシモノ硫酸水素カリウムの溶液を含む組成物を含む。
本発明はさらに、2KHSO5・KHSO4・K2SO4が完全に溶解したときに、2KHSO5・KHSO4・K2SO4の活性酸素含量の約1.5〜約5.5倍に等しい最低活性酸素含量を等価温度で有するペルオキシモノ硫酸水素カリウムの溶液を含む組成物を含む。
本発明はさらに、a)固体2KHSO5・KHSO4・K2SO4を、その固体を完全に溶解するには不十分な量の水と混合する工程と、b)混合してスラリーを形成する工程と、c)未溶解の固体を分離して溶液を得る工程とを含む上記ペルオキシモノ硫酸水素カリウム溶液の調製方法を含む。
本発明はさらに改良された表面マイクロエッチング方法を含み、その改良点は、エッチされる表面を、1.0:1を超えるSO5対SO4の最低重量比を有するペルオキシモノ硫酸水素カリウムの溶液と接触させる工程を含む。
本発明は、KHSO5成分をより多く、ある程度のKHSO4および比較的の少量のK2SO4と共に選択的に溶解しながら、モノ過硫酸カリウムを水に部分的に溶解することにより調製されたKHSO5の高強度または濃縮水溶液を含む。このように、本発明の溶液は、従来技術のモノ過硫酸カリウム溶液よりも高濃度のKHSO5を有している。
市販の従来技術のモノ過硫酸カリウム製品は、一般的に、約4.7%の活性酸素を含有している。市販のモノ過硫酸カリウムは、通常、炭酸マグネシウムおよび少量のプロセス不純物のような固結防止剤を含有している。三重塩モノ過硫酸カリウムは、本願特許出願人より入手可能なオキソン(OXONE)モノ過硫酸化合物中の活性成分として市販されている。オキソン(OXONE)は、多数の用途のある安定な固体の水溶性非塩素含有酸化剤である。モノ過硫酸カリウムは、一般的に、水に完全に溶解しており、新たに調製された溶液として用いられたり、あるいは元の顆粒形態で用いられる。
以降、溶解度および濃度は、水100gに溶解した固体のグラムで示されており、濃度は全て重量パーセントまたはg/溶液100gである。近似的な相互変換の一例を挙げると、溶質10g/水100gは、水の比重は室温またはその近傍で1.0に近いため、100×10/(10+100)または9.1重量パーセントに対応する。20℃での水へのモノ過硫酸カリウム三重塩の溶解度は約30g/水100g(異なる温度での詳細は下記の表1に示してある)であり、活性酸素濃度は1.0〜1.1%である。本明細書で使用される「完全溶液」とは、塩が完全に(100%)溶解している従来技術のモノ過硫酸カリウム溶液を意味している。完全溶液は、顆粒形態の無水三重塩よりも安定性が制限されており、固体モノ過硫酸カリウムについては約1%未満の活性水素/月が失われるのに比べて、約3%の活性酸素/月が失われる。モノ過硫酸カリウム溶液のこの安定性は、保管温度によるが、溶液を数週間用いるのに十分なものである。
Figure 0004745221
本明細書において「高強度」または「濃縮」と呼ばれる本発明のペルオキシモノ硫酸水素カリウム溶液は、従来技術の完全溶液に比べて高レベルのKHSO5を含んでいる。この溶液は、従来技術の完全溶液の活性酸素含量の約1.5〜約5.5倍の活性酸素含量と、従来技術の完全溶液よりも高いSO5/SO4重量比とを有している。完全溶液と呼ぶここで用いた従来技術の溶液は、オキソン(OXONE)商標の市販の三重塩2KHSO5・KHSO4・K2SO4から調製した。
本発明の高強度溶液は、固体モノ過硫酸カリウム(例えば、オキソン(OXONEモノ過硫酸化合物))を、限られた量の水でスラリー化することにより調製される。用いる水の量は、固体を完全に溶解するには不十分である。得られたスラリーを攪拌し、最大濃度のKHSO5活性成分を溶解するのに十分な時間の長さにわたって選択した温度で平衡させる。KHSO5成分は最も可溶である(表1参照)ため、大半の硫酸カリウムおよび多少の硫酸水素カリウム(モノ過硫酸カリウム中の不活性安定化硫酸塩)は溶けないままである。溶けない固体は、これらに限られるものではないが、ろ過、遠心分離、沈降等をはじめとする数多くある好適な手段によりスラリーから分離される。透明なろ液または上澄み液は、本発明の高強度ペルオキシモノ硫酸水素カリウム溶液であり、好適な酸−および酸化−防止容器、例えば、高密度ポリ(エチレン)、高密度ポリ(プロピレン)およびステンレス鋼にいずれ使用するときのために保管される。
スラリーの調製において、金属イオンが低濃度で、酸化性有機および無機汚染物質が低レベルの高品質の水が必要である。ある金属イオンは、水溶液中でKHSO5の分解を触媒する。実質的に他の汚染物質を含まない脱イオン水が好ましく、強く推奨される。
水100g当たりに用いるモノ過硫酸カリウムの量は、溶けない残渣がスラリーおよび用いたろ液から分離される温度により異なる。モノ過硫酸カリウムの最大量は、溶けない沈殿物を除去した後、モノ過硫酸カリウムの少なくとも99%の活性酸素含量が溶液に保持されるものである。水100g当たり用いるモノ過硫酸カリウムの最低量は、同じ温度で完全溶液にある活性酸素の1.5倍を含有するろ液を与えるモノ過硫酸カリウムの量より少ない。モノ過硫酸カリウム対水の比率のこの範囲だと、活性酸素レベルが、下記の表3に示す0℃〜約40℃の温度範囲にわたってモノ過硫酸カリウムの完全溶液の活性酸素含量の約1.5倍(1:5:1)から5.5倍(5:5:1)の溶液が得られる。0℃以下および40℃を超える温度での本発明の高強度溶液の調製は、商用には実際的ではないと考えられる。表のデータには、本発明の組成物を得るために水100gと共に用いられる最低および最大量のモノ過硫酸カリウムについての情報がある。最低量は、特定の温度で、モノ過硫酸カリウムの完全溶液の活性酸素含量の1.5倍の組成物を与えるのに、水100gと共に用いられるモノ過硫酸カリウムのグラムを表している。最大量は、特定の温度で、モノ過硫酸カリウムの完全溶液の活性酸素含量の5.5倍までの組成物を与えるのに、水100gと共に用いられるモノ過硫酸カリウムのグラムを表している。
この範囲より高い活性酸素含量が好ましい。最低活性水素含量は、完全溶液の活性酸素含量の約1.5〜約2.5、好ましくは約2.7まで、より好ましくは約3.4倍までである。モノ過硫酸カリウム対水の最大比を特定の温度について表3に挙げた上限を超えて増大させると、活性酸素濃度が増大することなく、残渣のKHSO5が失われ望ましくない。モノ過硫酸カリウム対水の最小比を特定の温度について表3に挙げた下限よりも減少させると、完全溶液に勝る利点が得られない。
水100グラム当たりのモノ過硫酸カリウムの重量が与えられた温度で望ましいレベルよりも増大すると、未溶解のKHSO5が除去された固体においてなくなる。モノ過硫酸カリウムの重量が与えられた温度で望ましいレベルより減少すると、ろ過した溶液中の重量パーセント活性酸素が減少する。完全溶液に比べて、本発明の高強度または濃縮溶液は、KHSO5濃度が高いため、活性酸素濃度も高い。活性酸素基準で、本発明の高強度または濃縮溶液の不活性硫酸塩濃度は低い。
本発明の高強度ペルオキシモノ硫酸水素カリウム溶液は、従来技術の完全溶液に匹敵する安定性を有している。下記の表2に、実施例1のろ液の活性酸素対周囲温度および35℃での時間の安定性を示す。硫酸塩が除去された本発明の濃縮溶液は、従来技術の完全溶液と同じ程度安定である。
本発明の高強度溶液は、従来技術の完全溶液よりも高濃度のSO5/SO4重量比を有している。この比率は、未溶解硫酸塩が除去された後、補助剤を添加する前に測定または計算される。希釈はこの比率には影響しない。固体のモノ過硫酸カリウム従来技術の市販のモノ過硫酸カリウムから調製された全完全溶液のSO5/SO4重量比は約0.9:1.0である。これは、不純物および添加物の存在および製造プロセスの変化のために、計算された理論値よりも僅かに低い。本発明の高強度溶液においては、未溶解硫酸塩が除去されるため、SO5/SO4重量比は、0℃での最低モノ過硫酸カリウムレベル約1.0:1から、40℃での最大モノ過硫酸カリウムレベル約1.6:1まで大幅に増大する。SO5/SO4重量比を表4に示す。
追加の補助剤を、未溶解の固体からの上記の分離の後、または特定の最終生成物の要件に適合するのに用いる点で本発明の溶液に溶解してもよい。高酸性および酸化溶液において適切な溶解度および安定性を備えた、当業者に周知の補助剤を選択する。マイクロエッチ溶液として用いるときに、本発明の溶液に用いるのに好適な補助剤の種類および例としては、これらに限られるものではないが、硫酸、リン酸および硝酸(有害な塩素の発生する可能性があるため塩酸は含まれない)のような鉱酸;C1〜C4の有機酸;濡れ性を改善する界面活性剤(例えば非イオン性、アニオン性、カチオン性および両性界面活性剤);フェノールスルホン酸ナトリウムのような安定剤;およびアゾール化合物、例えば、ベンゾトリアゾールのような窒素含有複素環式化合物のようなエッチレート修正剤が挙げられる。
本発明の濃縮KHSO5溶液は、いくつかの最終用途において有利である。一例を挙げると、印刷配線基板の製造に用いるマイクロエッチ濃縮液の調製である。この使用に際しては、高強度濃縮液をそのまま、または適宜希釈して用いることができる。高強度濃縮物は、高活性酸素濃度および低硫酸塩レベルの望ましい組み合わせを提供する。
本発明はさらに改良された表面マイクロエッチング方法を含み、その改良点は、1.0:1を超えるSO5対SO4の最低比を有する本発明のペルオキシモノ硫酸水素カリウムの溶液と表面を接触させる工程を含む。この改良された方法は、例えば、印刷配線基板や半導体をエッチするプロセスにおいて、金属表面をエッチングするのに有用である。本発明の溶液の高活性酸素濃度により、マイクロエッチング溶液として用いるときのプロセスのような高金属充填容量が得られる。同様に、マイクロエッチング浴として用いる時の溶液の耐用年数は、溶液の初期SO4含量が低いため、期間が延びる。特に、この改良された方法は、銅または銅合金でクラッディングされた印刷配線基板または半導体をエッチングするのに有用である。この場合、エッチング溶液を用いて、望ましくない銅を選択的に除去したり、表面トポグラフィーを修正する。本発明の溶液の銅充填容量は、溶液1kg当たり少なくとも15g、好ましくは溶液1kg当たり少なくとも17g、より好ましくは溶液1kg当たり20gである。実施例12および13に示すように、硫酸塩濃度が実質的に減少するため、浴活性および処理量は増大し、浴寿命が延びる。本発明の溶液を従来技術の完全溶液に比べると、浴寿命は1.5倍長い、好ましくは2倍長い、より好ましくは2.5倍長い。
KHSO5溶液は、印刷配線基板製造においてマイクロエッチ液およびクリーナーとして用いると、優れた銅トポグラフィーを与える。トポグラフィーは、粗面化された金属表面により特徴付けられるものであるため、十分な数のキーイング部位が与えられ、めっきおよびレジストラミネーションの良好な接着を確実なものとする。KHSO5のpHは下げることができ、表面テクスチャーは、鉱酸を溶液に添加することにより変化させることができる。リン酸は、比較的平滑なトポグラフィーを生成するが、硫酸は粗さを増大する。一般的に、KHSO5溶液の容積の約1〜5パーセントの鉱酸を用いる。KHSO5はまた、他のマイクロエッチ液よりも低温で有効である。例えば、KHSO5は、約24°〜32℃で有効であるが、過酸化水素/硫酸溶液は、約46°〜54℃の温度を必要とする。
マイクロエッチングがなされる銅または銅合金でクラッディングされた基板は、銅ホイルが接合された、または銅が無電解または電解付着したプラスチック、ファイバーガラスまたはその他材料を重ねたもので構成されている。基板は、単一、または、ラミネートおよびその他材料のような複合体または層状構造の形態にある複数重ねたものとすることができる。かかる銅でクラッディングされた基板およびラミネートは印刷配線基板業界において通常のものである。基材は、電気接続のために銅を付着した壁にスルーホールを含んでいてもよい。単一ラミネートまたは多層板を、印刷配線基板製造中に通常は何回もマイクロエッチし清浄にしなければならない。マイクロエッチングおよび洗浄溶液の適用は、通常、エッチング溶液で形成した浴中で、銅でクラッディングされた基板にスプレーまたは浸漬することによりなされる。溶液は他の従来の方式で適用することができる。
本発明の高強度ペルオキシモノ硫酸水素カリウム溶液はまた、化学機械研磨スラリーの成分としても有用である。かかるスラリーは、半導体製造に関連した金属層および薄膜を研磨するのに用いられる。
一般的な半導体集積回路は、シリコン基板に形成された多数の能動素子で出来ている。はじめは互いに分離された能動素子は一体化して、機能回路およびコンポーネントを形成する。素子は、周知のマルチレベル相互接続の使用により相互接続される。相互接続構造は、通常、第1のメタライゼーション層、相互接続層、第2のレベルのメタライゼーション、および場合によってはさらに第3のレベルのメタライゼーションとを有している。ドープおよび未ドープ二酸化ケイ素(SiO2)のような層間誘電体を用いて、シリコン基板またはウェルにおける異なるレベルのメタライゼーションを電気的に分離する。異なる層間レベル間の電気接続は、メタライズビアの使用によりなされる。金属接触を用いて、相互接続レベルとウェルに形成された素子の間の電気接続を形成する。
一般的な化学機械研磨プロセスにおいて、回転する研磨パッドと直接接触させて基板を配置する。キャリアが基板の裏側に圧力を印加する。研磨プロセス中、基板裏側に対して下方の力を維持しながら、パッドおよびテーブルを回転させる。一般的に「スラリー」と呼ばれる研磨および化学反応溶液を、研磨中パッドに付着させる。スラリーは、研磨しているフィルムと化学反応させることにより、研磨プロセスを開始する。研磨プロセスは、スラリーがウェハ/パッド界面に与えられる際に、基板に対してパッドを回転させて動かすことにより促進される。絶縁体上の所望のフィルムが除去されるまで、研磨をこのやり方で続ける。
スラリー組成物は、化学機械研磨工程において重要な因子である。酸化剤、研磨剤およびその他有用な添加剤の選択に応じて、表面の欠陥、瑕疵、摩耗および腐食を最小にしながら、所望の研磨レートで金属層を効率的に研磨するよう研磨スラリーを適合させることができる。さらに、研磨スラリーを用いて、チタン、窒化チタン等のような現在の集積回路技術に用いるその他の薄膜材料に対して制御された研磨選択性を与えてもよい。本発明の濃縮溶液は、かかるスラリーにおいて優れた酸化剤である。
本発明の溶液はまた、プール、スパおよびその他レクリエーションおよび噴水、反射池、観賞用池等をはじめとする観賞用水の補助酸化剤または水衝撃処理にも有用である。これを用いて、非微生物廃水含量を減じ、かかる水本体の発泡および透明度を回復する。次亜塩素酸カルシウムのような塩素化生成物に関連した刺激性の悪臭クロラミンを形成することはない。本発明の溶液は、EPA登録殺菌剤と組み合わせて用いられる。次亜塩素酸カルシウムのような塩素漂白剤とは対照的に、本発明の溶液は、ビニルライナ、塗装面や水着の布地を漂白したり色褪せさせるといった望ましくない副作用なしに酸化を行う。その他の用途としては、その他のクリーニング組成物における活性漂白成分、湿潤紙力増強用樹脂の破壊防止用紙リパルプ助剤、および抗菌性組成物における酸化剤が挙げられる。
モノ過硫酸カリウム化合物は、最も安定した固体形態で輸送し、使用場所への配送に「ジャストインタイム」で本発明の高強度溶液へと変換すればよい。
(装置および材料)
実施例で用いるオキソン(OXONE)モノ過硫酸化合物は、本願特許出願人より入手可能である。
(試験方法)
(活性酸素測定)
全ての実施例において、活性酸素濃度は重量%で表してあり、「オキソン(OXONE)モノ過硫酸化合物技術情報」会報(No.H−42434−5、2000年4月、本願特許出願人により発行)に記載された標準ヨウ素滴定により求めてある。簡単に述べると、分析する溶液の秤量した一定分量を、冷脱イオン水で希釈し、酸性化し、ヨウ化カリウムで処理し、澱粉指示薬により目視される終点まで標準0.1Nチオ硫酸ナトリウム試薬で滴定する。活性酸素(AO)含量は、次式により計算する。
%AO=0.8(滴定液の容積、mL)(滴定液の規定濃度)/(試料重量、g)。
同様に、%KHSO5濃度を、次のようにして計算する。
%KHSO5=%AO/0.105。
以下の実施例は、本発明を説明するためのものであって、これに限定されるものではない。
(実施例1)
オキソン(OXONE)商標のモノ過硫酸カリウム(104g、固体として4.52%の活性酸素)を、52gの脱イオン水(水100g当たり200gのオキソン(OXONE)と等価)でスラリー化した。スラリーを周囲室温(22℃+/−2℃)で一晩攪拌し、粗ガラスフィルタ漏斗を通してろ過して、未溶解の硫酸カリウムおよび重硫酸塩を除去した。透明なろ液を次のようにして分析した。
Figure 0004745221
KHSO5活性成分の回収率は、本実施例においては99.0%完全であった。得られた溶液は、表2に示すように、従来技術の完全溶液に比べて、活性酸素含量が僅かに失われただけで何週間も安定に保管された。
Figure 0004745221
表2のデータによれば、従来の完全溶液および本発明の高強度溶液は、室温および高温35℃で略同程度安定性を有していたことが分かった。10%以上の活性酸素の損失は望ましくないため、室温でモノ過硫酸カリウム溶液全ての保管についての実質的な限界である2ヶ月までの期間について安定性のデータを測定した。
(実施例2〜11)
これらの実施例では、様々な有用な濃度および広い温度範囲にわたる本発明の高強度ペルオキシモノ硫酸水素カリウム溶液の調製を例証した。表3に示した秤量した量のオキソン(OXONE)商標のモノ過硫酸カリウム(固体として4.52%活性酸素)を脱イオン水100グラムでスラリー化した。スラリーは、表3に示した恒温(水浴)でスラリー化した。各スラリーを所定の温度で少なくとも3時間、24時間未満平衡させた。各スラリーを実施例1に記載したようにしてろ過したところ、いずれの場合も透明なろ液が得られた。このようにして得られた高強度溶液を表3に示すようにして分析した。
(比較例A−E)
これらの例では、従来技術の完全溶液の調製を例証した。表3に示した秤量した量のオキソン(OXONE)商標のモノ過硫酸カリウム(固体として4.52%活性酸素)を所定の温度で脱イオン水100グラムで溶解した。いずれの場合も過剰の固体が溶解しないまま残ることはなかった。表3に示す値は、モノ過硫酸カリウムの水中での最大の従来の溶解度を表している。各溶液についての%活性酸素含量を表3に示す。いずれの場合も、SO5対合計SO4の重量比は、固体状態のモノ過硫酸カリウムの場合と同じであり、0.9に等しい。
Figure 0004745221
表3に、温度についての代表となる実施例2、4、6、8および10に、本発明の組成物におけるモノ過硫酸カリウム対水(水100gに対するモノ過硫酸カリウムのグラム)の最低比を挙げた。最低比は、比較例A〜Eに代表される従来技術の完全溶液よりも同じ温度で約1.5倍活性酸素の多いろ液を与えた。比較例A対実施例2、比較例B対実施例4、比較例C対実施例6、比較例D対実施例8および比較例E対実施例10のマルチプルは1.5であった。
表3に、温度についての代表となる実施例3、5、7、9および11に、本発明の組成物におけるモノ過硫酸カリウム対水の最大比を挙げた。これは、ろ液中の未溶解KHSO5の喪失が0%となるような比(水100g当たりのモノ過硫酸カリウムのグラム)であった。追加のモノ過硫酸カリウムを用いると、分離工程においてKHSO5の喪失となった。モノ過硫酸カリウム対水のこれらの比を用いると、比較例A〜Eにおけるよりも約2.5倍から約5.5倍活性酸素の多い溶液が得られた(表3のマルチプルに示されるように)。
表3によれば、0℃〜40℃の温度範囲内で、本発明の溶液の活性酸素濃度が、従来の完全溶液よりも2.5〜5.5倍高いことが分かる。さらに、完全溶液と比べて、本発明の溶液の不活性硫酸塩濃度は、ろ過により除去された混合硫酸塩に対応して低い。商慣習では、0℃および40℃での操作は予測されない。実施例のSO5/SO4重量比を表4に示す。
Figure 0004745221
(実施例12)
本実施例では、本発明の高強度溶液を用いて、不活性硫酸塩含量が低く、銅充填容量の高い銅マイクロエッチ浴を作成するやり方を例証した。高強度ペルオキシモノ硫酸水素カリウム溶液は実施例1に記載した通りに調製した。15.3gの高強度溶液を34.7gの脱イオン水で希釈して、0.91%の活性酸素と4.1%の硫酸塩(SO4として)を有する溶液を生成することにより、50グラムのマイクロエッチ浴を作成した。マイクロエッチ溶液を攪拌しながら30℃まで平衡させた。予め秤量しておいた2.5インチ平方(40.3cm3)の銅でクラッディングされた基板を、この浴に入れ、硫酸銅の沈殿が最初に観察されるまで、合計で40分間マイクロエッチした。この時点で基板を取り出し、濯いで乾燥し、再秤量した。合計で1.216gのCuが除去された。これは、銅充填容量が出発マイクロエッチ溶液1000g当たり24.3gであることを示している。全実験にわたる平均エッチレートは、34.8マイクロインチ/分(0.88マイクロメートル/分)であった。初期エッチレートは45.3マイクロインチ/分(1.15マイクロメートル/分)であった。得られた硫酸銅は、粗さが向上しており、特徴的な「マットピンク」の概観を呈した。これらの結果を比較例Fの結果と共に表5にまとめてある。本発明の高強度ペルオキシモノ硫酸水素カリウムの溶液を用いて銅マイクロエッチ浴を作成することにより、硫酸塩の充填が少ないため、2倍長い浴寿命および64%多い銅充填容量が得られた。
(比較例F)
この例では、ペルオキシモノ硫酸水素カリウム溶液の従来の完全溶液のマイクロエッチ浴による比較を例証した。10.1gのオキソン(OXONE)商標のモノ過硫酸カリウム溶液(固体として4.52%活性酸素)を脱イオン水39.9gに溶解して、0.91%の活性酸素と6.4%の硫酸塩(SO4として)を有する溶液を生成することにより、50グラムのマイクロエッチ浴を作成した。マイクロエッチ溶液を攪拌しながら30℃まで平衡させた。予め秤量しておいた2.5インチ平方(40.3cm2)の銅でクラッディングされた基板を、この浴に入れ、硫酸銅の沈殿が最初に観察されるまで、合計で20分間マイクロエッチした。この時点で基板を取り出し、濯いで乾燥し、再秤量した。合計で0.74gのCuが除去された。これは、銅充填容量が出発マイクロエッチ溶液1000g当たり14.8gであることを示している。全実験にわたる平均エッチレートは、42.4マイクロインチ/分(1.08マイクロメートル/分)であった。初期エッチレートは32.3マイクロインチ/分(0.82マイクロメートル/分)であった。得られた硫酸銅は、粗さが向上しており、特徴的な「マットピンク」の概観を呈した。これらの結果を表5にまとめてある。
Figure 0004745221
表5では、実施例12を比較例Fと比べている。この比較によれば、実施例12の本発明の高強度溶液を用いることにより、2倍長い浴寿命および銅充填容量が64%多い銅マイクロエッチ浴が作成されたということが分かる。これらの差は、実施例12における高SO5/SO4重量比によるものであり、浴容量が大幅に改善された。

Claims (18)

  1. SO5対SO4の最低重量比が1.0:1を超えるペルオキシモノ硫酸水素カリウムの溶液を含むことを特徴とする組成物。
  2. SO5対SO4の最低比が1.2:1を超えることを特徴とする請求項1に記載の組成物。
  3. SO5対SO4の最低比が1.3:1を超えることを特徴とする請求項1に記載の組成物。
  4. 前記ペルオキシモノ硫酸水素カリウムの溶液が、20℃から40℃の温度で、1.55から3.36に等しい活性酸素含量を有することを特徴とする請求項1に記載の組成物。
  5. 前記活性酸素含量が、20から40℃の温度で、1.73から3.11に等しいことを特徴とする請求項4に記載の組成物。
  6. 塩酸以外の鉱酸、C1〜C4有機酸、界面活性剤、前記組成物を安定化する安定剤としてのフェノールスルホン酸ナトリウム、およびエッチレート修正剤としての窒素含有複素環式アゾールよりなる群から選択される補助剤をさらに含むことを特徴とする請求項1または4に記載の組成物。
  7. 印刷配線基板の製造に用いるマイクロエッチ濃縮液の調製のための請求項1または4に記載の組成物の使用
  8. 化学機械研磨スラリーの成分としての請求項1または4に記載の組成物の使用
  9. a)固体2KHSO5・KHSO4・K2SO4を、その固体を完全に溶解するには不十分な量の水と混合する工程と、b)混合して平衡化したスラリーを形成する工程と、c)未溶解の固体を分離して溶液を得る工程とを含むことを特徴とする請求項1または4に記載のペルオキシモノ硫酸水素カリウム溶液の調製方法。
  10. 少なくとも52gの塩を100gの水と20℃で混合することを特徴とする請求項9に記載の方法。
  11. 前記水が脱イオン水であることを特徴とする請求項9に記載の方法。
  12. 未溶解固体の分離後、塩酸以外の鉱酸、C1〜C4有機酸、界面活性剤、前記組成物を安定化する安定剤としてのフェノールスルホン酸ナトリウム、およびエッチレート修正剤としての窒素含有複素環式アゾールよりなる群から選択される補助剤を添加する工程をさらに含むことを特徴とする請求項9に記載の方法。
  13. 改良された表面マイクロエッチング方法であって、前記改良点が、エッチされる表面を、1.0:1を超えるSO5対SO4の最低重量比を有するペルオキシモノ硫酸水素カリウムの溶液と接触させる工程を含むことを特徴とする方法。
  14. 前記溶液が、1.5:1を超えるSO5対SO4の最低重量比を有することを特徴とする請求項13に記載の方法。
  15. エッチングされる前記表面が金属であることを特徴とする請求項13に記載の方法。
  16. エッチングされる前記表面が金属コートされた半導体または印刷配線基板であることを特徴とする請求項13に記載の方法。
  17. エッチングされる前記表面が銅または銅合金によりクラッディングされていることを特徴とする請求項13に記載の方法。
  18. 前記溶液の銅充填容量が溶液1kg当たり少なくとも銅15gであることを特徴とする請求項13に記載の方法。
JP2006509586A 2003-03-31 2004-03-31 ペルオキシモノ硫酸水素カリウム溶液 Expired - Lifetime JP4745221B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/404,200 US6818142B2 (en) 2003-03-31 2003-03-31 Potassium hydrogen peroxymonosulfate solutions
US10/404,200 2003-03-31
PCT/US2004/010043 WO2004089817A1 (en) 2003-03-31 2004-03-31 Potassium hydrogen peroxymonosulfate solutions

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2006522003A JP2006522003A (ja) 2006-09-28
JP2006522003A5 JP2006522003A5 (ja) 2010-09-02
JP4745221B2 true JP4745221B2 (ja) 2011-08-10

Family

ID=33096896

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006509586A Expired - Lifetime JP4745221B2 (ja) 2003-03-31 2004-03-31 ペルオキシモノ硫酸水素カリウム溶液

Country Status (9)

Country Link
US (1) US6818142B2 (ja)
EP (1) EP1608591A1 (ja)
JP (1) JP4745221B2 (ja)
KR (1) KR101069113B1 (ja)
CN (1) CN1331736C (ja)
CA (1) CA2517511A1 (ja)
MY (1) MY138355A (ja)
TW (1) TWI348993B (ja)
WO (1) WO2004089817A1 (ja)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7329365B2 (en) * 2004-08-25 2008-02-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Etchant composition for indium oxide layer and etching method using the same
KR101191405B1 (ko) * 2005-07-13 2012-10-16 삼성디스플레이 주식회사 식각액 및 이를 이용한 액정 표시 장치의 제조 방법
US20070023364A1 (en) * 2005-07-28 2007-02-01 Felkner I C Tetrasilver Tetraoxide as Disinfective Agent for Cryptosporidium
US20070138109A1 (en) * 2005-12-21 2007-06-21 Tufano Thomas P Oxidizing composition for salt water
US7442323B2 (en) * 2006-06-02 2008-10-28 E. I. Du Pont De Nemours And Company Potassium monopersulfate solutions
JP2010541192A (ja) * 2007-08-20 2010-12-24 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド イオン注入フォトレジストを除去するための組成物および方法
EP2288965A4 (en) * 2008-05-01 2011-08-10 Advanced Tech Materials LOW PH MIXTURES FOR REMOVAL OF HIGH DENSITY IMPLANTED RESERVE
TWI480360B (zh) * 2009-04-03 2015-04-11 Du Pont 蝕刻劑組成物及方法
US20100252530A1 (en) * 2009-04-03 2010-10-07 E. I. Du Pont De Nemours And Company Etchant composition and method
JP5340071B2 (ja) * 2009-08-03 2013-11-13 株式会社Adeka 安定剤を含むペルオキシ一硫酸水溶液の製造方法
CN102260871A (zh) * 2011-06-24 2011-11-30 李沛泓 印刷线路板微蚀刻剂
EP2572776A1 (en) * 2011-09-21 2013-03-27 Evonik Degussa GmbH Device for mixing and cooling two reactive liquids and method of making peroxomonosulphuric acid with the device
EP2572781A1 (en) 2011-09-21 2013-03-27 Evonik Degussa GmbH Device and method for making a dilute aqueous solution of peroxomonosulphuric acid
CN110172349B (zh) * 2019-05-08 2020-11-20 厦门大学 一种氮化镓半导体光电化学刻蚀液及加工方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60161311A (ja) * 1983-12-30 1985-08-23 イ−・アイ・デユポン・ドウ・ヌム−ル・アンド・カンパニ− 一過硫酸カリウム組成物及びその製造法
JPS6136106A (ja) * 1984-07-23 1986-02-20 ペロツクシト‐ヒエミー・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング モノ硫酸カリウム‐三重塩の製造法
US5855805A (en) * 1996-08-08 1999-01-05 Fmc Corporation Microetching and cleaning of printed wiring boards
JPH11172467A (ja) * 1997-12-10 1999-06-29 Ebara Densan Ltd エッチング液
JP2000064067A (ja) * 1998-06-09 2000-02-29 Ebara Densan Ltd エッチング液および銅表面の粗化処理方法
JP2001059191A (ja) * 1999-06-18 2001-03-06 Furontekku:Kk エッチング剤及びこれを用いた電子機器用基板の製造方法と電子機器

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE106331C (ja)
US2500881A (en) * 1949-05-10 1950-03-14 Stader William Hanger support
BE579110A (ja) 1958-05-29
US3048546A (en) 1959-02-24 1962-08-07 Du Pont Bleaching compositions
US3041139A (en) * 1960-06-24 1962-06-26 Du Pont Method of preparing monopersulfate composition containing the triple salt khso4?k2so4?2khso5
US4579725A (en) 1983-12-30 1986-04-01 E. I. Du Pont De Nemours And Company Potassium monopersulfate compositions and process for preparing them
DE3914827C2 (de) 1989-05-05 1995-06-14 Schuelke & Mayr Gmbh Flüssiges Desinfektionsmittelkonzentrat
US5139763A (en) * 1991-03-06 1992-08-18 E. I. Du Pont De Nemours And Company Class of stable potassium monopersulfate compositions
DE19503900C1 (de) 1995-02-07 1995-11-23 Degussa Verfahren zur Herstellung des Kaliumperoxomonosulfat-Tripelsalzes 2 KHSO¶5¶ . KHSO¶4¶ . K¶2¶SO¶4¶
EP0852615B1 (en) * 1996-07-25 2005-12-14 DuPont Air Products NanoMaterials L.L.C. Chemical mechanical polishing composition and process
US6200454B1 (en) 1997-12-24 2001-03-13 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Process for producing sodium persulfate
US6255117B1 (en) 1999-06-04 2001-07-03 Lamotte Company Method and device for determining monopersulfate

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60161311A (ja) * 1983-12-30 1985-08-23 イ−・アイ・デユポン・ドウ・ヌム−ル・アンド・カンパニ− 一過硫酸カリウム組成物及びその製造法
JPS6136106A (ja) * 1984-07-23 1986-02-20 ペロツクシト‐ヒエミー・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング モノ硫酸カリウム‐三重塩の製造法
US5855805A (en) * 1996-08-08 1999-01-05 Fmc Corporation Microetching and cleaning of printed wiring boards
JPH11172467A (ja) * 1997-12-10 1999-06-29 Ebara Densan Ltd エッチング液
JP2000064067A (ja) * 1998-06-09 2000-02-29 Ebara Densan Ltd エッチング液および銅表面の粗化処理方法
JP2001059191A (ja) * 1999-06-18 2001-03-06 Furontekku:Kk エッチング剤及びこれを用いた電子機器用基板の製造方法と電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
TW200502159A (en) 2005-01-16
TWI348993B (en) 2011-09-21
KR20060013493A (ko) 2006-02-10
KR101069113B1 (ko) 2011-09-30
US20040197261A1 (en) 2004-10-07
CN1768005A (zh) 2006-05-03
WO2004089817A1 (en) 2004-10-21
US6818142B2 (en) 2004-11-16
CA2517511A1 (en) 2004-10-21
CN1331736C (zh) 2007-08-15
EP1608591A1 (en) 2005-12-28
MY138355A (en) 2009-05-29
JP2006522003A (ja) 2006-09-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5292285B2 (ja) 一過硫酸カリウム溶液
JP4745221B2 (ja) ペルオキシモノ硫酸水素カリウム溶液
EP1500719B1 (en) Method for producing copper wiring
JP2006111953A (ja) 銅又は銅合金のエッチング剤、その製造法、補給液及び配線基板の製造法
WO2006030595A1 (ja) Cmp用研磨スラリー
TWI353201B (en) Etching removal method and etching liquid used in
US6372055B1 (en) Method for replenishing baths
JP2006522003A5 (ja)
CN104120427B (zh) 配线基板的处理方法以及使用该方法制造的配线基板
JP2011038124A (ja) 金属表面処理剤
JP2010269374A (ja) 安定化過硫酸アンモニウム水溶液、化学機械研磨用組成物および化学機械研磨方法
CN112055759B (zh) 铜箔用蚀刻液和使用其的印刷电路板的制造方法以及电解铜层用蚀刻液和使用其的铜柱的制造方法
WO2023163003A1 (ja) エッチング用組成物およびそれを用いた配線基板の製造方法
KR102336675B1 (ko) 구리 또는 구리 합금소재 미세회로 형성용 에칭산화제 조성물 및 이를 이용한 배선 제조방법
CN114375283A (zh) 含过硫酸成分的硫酸溶液中的氧化剂浓度降低的抑制方法
JP2011080131A (ja) 金属表面処理方法および配線基板の製造方法
JP2005029852A (ja) 銅および銅合金のエッチング液

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070130

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070130

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100416

A524 Written submission of copy of amendment under article 19 pct

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524

Effective date: 20100714

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110428

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110511

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140520

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4745221

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250