JP4741413B2 - 感光体、画像形成装置及びプロセスカートリッジ - Google Patents

感光体、画像形成装置及びプロセスカートリッジ Download PDF

Info

Publication number
JP4741413B2
JP4741413B2 JP2006129486A JP2006129486A JP4741413B2 JP 4741413 B2 JP4741413 B2 JP 4741413B2 JP 2006129486 A JP2006129486 A JP 2006129486A JP 2006129486 A JP2006129486 A JP 2006129486A JP 4741413 B2 JP4741413 B2 JP 4741413B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
substituted
unsubstituted
layer
photoconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2006129486A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007108651A (ja
Inventor
宜輝 梁川
啓介 下山
鋭司 栗本
慎一 河村
達也 新美
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Co Ltd filed Critical Ricoh Co Ltd
Priority to JP2006129486A priority Critical patent/JP4741413B2/ja
Publication of JP2007108651A publication Critical patent/JP2007108651A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4741413B2 publication Critical patent/JP4741413B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Description

本発明は、感光体、画像形成装置及びプロセスカートリッジに関する。
近年、電子写真方式を用いた情報処理システム機の発展は、目覚ましいものがある。特に、情報をデジタル信号に変換して光によって情報記録を行う光プリンターは、そのプリント品質、信頼性において向上が著しい。このデジタル記録技術は、プリンターのみならず、通常の複写機にも応用され所謂デジタル複写機が開発されている。また、従来からあるアナログ複写機に、このデジタル記録技術を搭載した複写機は、種々様々な情報処理機能が付加されるため、今後その需要性が益々高まっていくと予想される。
このようなデジタル複写機、デジタルプリンタにおいては、原稿における画像面積率が通常、10%以下程度であるため、光源の劣化、感光体の光疲労を考慮して画像部に書き込みを行い、感光体の電位減衰した部分にトナー像を現像する反転現像(ネガ・ポジ現像)方式が主流である。この反転現像方式は、感光体への光照射量が少なくて済み、繰り返し使用における光疲労を勘案すると、感光体にとって有利な現像方式であるが、感光体に微少な欠陥が存在し、電位のリークのような現象が起こると、地肌部(白地)に、地肌汚れ、黒ポチ等の点欠陥が発生する。この欠陥は、図面における点、英文原稿におけるピリオド、カンマ等と見間違えられることがあり、画像としては致命的な欠陥であると言える。
このような欠陥は、主に感光体の局部的な電位リークに基づく現象であることがほとんどであり、感光体の耐圧性の向上、帯電均一性の向上、電位保持均一性の向上が主な課題になっている。このため、導電性支持体と感光層の間に、中間層(下引き層)を設ける試みがなされている。この結果、感光体の耐圧性が向上し、地肌汚れ等の画像欠陥が減少する。
一方、感光体を繰り返し使用すると、通常、感光体の表面層(一般的には、電荷輸送層)の摩耗が進む。このとき、一般の画像形成装置は、感光体の帯電電位(未露光部)を一定にして使用されるため、表面層の摩耗が進むと、感光体に印加される電界強度が上昇する。上述のように、地肌汚れ等の画像欠陥は、電荷リーク現象に基づくものであるから、電界強度依存性を有し、電界強度が大きい程、電荷リークの確率が大きくなる。
このような観点から、感光体の表面に保護層を設ける試みがなされている。感光層の耐摩耗性を改良する技術としては、(i)硬化性バインダーを用いた架橋型電荷輸送層(例えば、特許文献1参照)、(ii)高分子型電荷輸送物質を用いた架橋型電荷輸送層(例えば、特許文献2参照)、(iii)無機フィラーを分散させた架橋型電荷輸送層(例えば、特許文献3参照)等が知られている。さらに、(i)の耐摩耗性と耐傷性を改良するために、多官能のアクリレートモノマーの硬化物を含有する表面層を有する感光体も知られている(特許文献4参照)。また、炭素−炭素二重結合を有するモノマーと、炭素−炭素二重結合を有する電荷輸送材料及びバインダー樹脂からなる塗工液を用いて、電荷輸送層を形成する方法が知られている(例えば、特許文献5参照)。さらに、同一分子内に二つ以上の連鎖重合性官能基を有する正孔輸送性化合物を硬化した化合物を含有する感光層も知られている(例えば、特許文献6参照)。
このような保護層の技術から、感光体の繰り返し使用における耐摩耗性が向上し、電界強度の上昇割合が小さくなり、電荷リーク現象に基づく画像欠陥の発生が緩和される。
しかしながら、保護層固有の問題が発生する。例えば、摩耗量が小さくなったため、感光体の繰り返し使用時に、表面に堆積する物質が増加し、その結果、画像ボケ等の異常画像が発生する。この点に関しては、保護層の改良や感光体の使用方法(例えば、ドラムヒーターの採用等)により解決される。
このように、さらなる保護層の改良、感光体の使いこなし技術の開発により、感光体の耐摩耗性がさらに向上し、感光体の寿命が延びている。この結果、保護層を用いない状況下では考えられないような長期間に亘って、感光体が使用されるようになり、感光体の摩耗、電荷リークに基づく画像欠陥等の範疇では予測できない感光体の静電疲労が寿命の律速になっている。
特開昭56−48637号公報 特開昭64−1728号公報 特開平4−281461号公報 特許第3262488号公報 特許第3194392号公報 特開2000−66425号公報 特開平6−293769号公報
本発明は、上記の従来技術が有する問題に鑑み、静電特性の変動が少なく、異常画像の発生の少ない感光体並びに該感光体を有する画像形成装置及びプロセスカートリッジを提供することを目的とする。
画像形成装置の進歩に伴い、小型化・高速化・カラー化・高画質化(高精細化)が進められてきたが、このようなコンセプトは、安定した状態で、長期間維持されるものである必要がある。この状態を達成するためには、画像形成装置内に用いられる感光体の静電特性が安定に動作し、かつ高耐久であることが求められる。
感光体の静電特性とは、画像形成装置内では、未露光部電位と露光部電位であり、これらが如何に安定して推移するかが重要になる。前者は、感光体の帯電性及び帯電保持性により決まり、後者は、感光体の光感度及び残留電位によって決まる。本発明者らは、適切な保護層を設けることにより、感光体の静電容量の変化が小さくなり、変化量が小さくなることを見いだした。但し、その一方で新たな課題(例えば、感光体の1周目の未露光部帯電電位が低下する)が発生し、これが感光体の寿命を律する新たな課題になり得ることが分かった。そこで、本発明者らは、感光層に特定の電子輸送材料を含有させることにより、これらを安定に維持できることを見いだした。
一方、高耐久化に関しては、耐久性の律速を決める過程(原因)によって決定される感光体の寿命を如何に延ばすかが重要である。現行の画像形成装置は、ネガ・ポジ現像が主流であり、この現像方式で最も大きな課題は、地肌汚れ(地汚れ)である。これは、導電性支持体と感光層の間の電荷ブロッキング性の問題であり、メイン帯電と逆極性の電荷がリークすることにより起こる現象であると考えられる。この点に関しても、適切な保護層を設けることにより、感光体に印加される電界強度の上昇を抑制することができ、電荷リーク現象を抑制することができる。一方、保護層を設けることにより、残像現象のような従来あまり認められていなかった異常画像の発生が増加するようになる。本発明者らは、感光層に特定の電子輸送材料を含有させることにより、この現象を抑制できることを見いだした。
本発明は、上記の知見に基づくものであり、前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
(1)導電性支持体上に、少なくとも感光層と保護層を有する感光体であって、該感光層は、一般式
Figure 0004741413
(式中、R及びRは、それぞれ独立に、水素原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基及び置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選択される官能基を表し、R、R、R、R、R、R、R、R10、R11、R12、R13及びR14は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、水酸基、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基及び置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選択される官能基を表し、nは、0以上100以下の整数を表す。)
で表される電子輸送材料を含有し、
保護層は、少なくとも電荷輸送性構造を有さない3官能以上のラジカル重合性モノマーと、電荷輸送性構造を有する1官能のラジカル重合性モノマーを硬化することにより形成されていることを特徴とする感光体。
(2)前記電子輸送材料は、一般式
Figure 0004741413
で表されることを特徴とする前記第(1)項に記載の感光体。
(3)前記感光層は、一般式
Figure 0004741413
(式中、R15及びR16は、それぞれ独立に、水素原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基及び置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選択される官能基を表し、R17、R18、R19及びR20は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、水酸基、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基及び置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選択される官能基を表す。)
で表される電子輸送材料をさらに含有することを特徴とする前記第(1)項又は第(2)項に記載の感光体。
(4)前記電荷輸送性構造を有する1官能のラジカル重合性モノマーは、一般式
Figure 0004741413
及び
Figure 0004741413
(式中、R21及びR22は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン基、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアラルキル基、置換若しくは無置換のアリール基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、−COOR23(R23は、水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアラルキル基又は置換若しくは無置換のアリール基)、ハロゲン化カルボニル基又は−CONR2425(R24及びR25は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン基、置換若しくは無置換アルキル基、置換若しくは無置換アラルキル基又は置換若しくは無置換アリール基)を表し、Ar、Ar及びArは、それぞれ独立に、置換又は無置換のアリーレン基を表す。Ar、Ar、Ar及びArは、それぞれ独立に、置換又は無置換のアリール基を表す。Xは、単結合、置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換のオキシアルキレン基、オキシ基、チオ基、ビニレン基を表す。Z及びZは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のオキシアルキレン基、アルキレンオキシカルボニル基を表す。m及びnは、それぞれ独立に、0以上3以下の整数を表す。)
で表される化合物の少なくとも一方を含有することを特徴とする前記第(1)項乃至第(3)項のいずれか一項に記載の感光体。
(5)前記電荷輸送性構造を有する1官能のラジカル重合性モノマーは、一般式
Figure 0004741413
(式中、R26は、水素原子又はメチル基を表し、R27及びR28は、それぞれ独立に、炭素数が1以上6以下のアルキル基を表す。Zは、単結合、メチレン基、エチレン基、
Figure 0004741413
を表す。o、p及びqは、それぞれ独立に、0又は1を表し、s及びtは、それぞれ独立に、0以上3以下の整数を表す。)
で表される化合物を含有することを特徴とする前記第(4)項に記載の感光体。
(6)前記保護層を形成する際に、熱又は光を用いて硬化することを特徴とする前記第(1)項乃至第(5)項のいずれか一項に記載の感光体。
(7)前記感光層は、CuKαの特性X線に対するブラッグ角2θの回折ピーク(±0.2゜)として、少なくとも27.2゜に最大回折ピークを有するチタニルフタロシアニンをさらに含有することを特徴とする前記第(1)項乃至第(6)項のいずれか一項に記載の感光体。
(8)前記チタニルフタロシアニンは、CuKαの特性X線に対するブラッグ角2θの回折ピーク(±0.2゜)として、9.4゜、9.6゜及び24.0゜にピークを有すると共に、7.3゜に最も低角側のピークを有し、該7.3°と9.4゜の間にピークを有さないと共に、26.3°にピークを有さないことを特徴とする前記第(7)項に記載の感光体。
(9)前記チタニルフタロシアニンの平均粒子サイズは、0.25μm以下であることを特徴とする前記第(7)項又は第(8)項に記載の感光体。
(10)前記第(1)項乃至第(9)項のいずれか一項に記載の感光体を有することを特徴とする画像成形装置。
(11)前記感光体と、前記感光体を帯電する帯電装置と、該帯電された感光体に露光を行い、静電潜像を形成する露光装置と、該静電潜像を現像する現像装置を少なくとも有する画像形成要素が複数配列されていることを特徴とする前記第(10)項に記載の画像形成装置。
(12)前記第(1)項乃至第(9)項のいずれか一項に記載の感光体と、該感光体に形成された静電潜像を現像する現像装置と、該感光体をクリーニングするクリーニング装置を少なくとも有し、画像形成装置本体に着脱可能であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
(13)前記第(12)項に記載のプロセスカートリッジを有することを特徴とする画像成形装置。
本発明によれば、静電特性の変動が少なく、異常画像の発生の少ない感光体並びに該感光体を有する画像形成装置及びプロセスカートリッジを提供することができる。
次に、本発明を実施するための最良の形態を説明する。
以下、本発明の感光体の構成を図面に沿って説明する。
図1は、本発明の感光体の一例を示す断面図であり、導電性支持体11上に、感光層12と保護層13が設けられている。
図2は、本発明の感光体の他の例を示す断面図であり、導電性支持体11上に、電荷発生層12a、電荷輸送層12b、保護層13が設けられている。
図3は、本発明の感光体の他の例を示す断面図であり、導電性支持体11上に、中間層14、電荷発生層12a、電荷輸送層12b、保護層13が設けられている。
導電性支持体としては、体積抵抗1010Ω・cm以下の導電性を示すもの、例えば、アルミニウム、ニッケル、クロム、ニクロム、銅、金、銀、白金等の金属、酸化スズ、酸化インジウム等の金属酸化物を、蒸着又はスパッタリングにより、フィルム状又は円筒状のプラスチック、紙に被覆したもの、アルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレス等の板及びそれらを押し出し、引き抜き等の工法で素管化した後、切削、超仕上げ、研摩等の表面処理した管等を使用することができる。また、エンドレスニッケルベルト、エンドレスステンレスベルトも導電性支持体として用いることができる。
この他、上記導電性支持体上に、導電性粉体を結着樹脂に分散した導電性層を塗工したものも、導電性支持体として用いることができる。導電性粉体としては、カーボンブラック、アセチレンブラック、アルミニウム、ニッケル、鉄、ニクロム、銅、亜鉛、銀等の金属粉体、導電性酸化スズ、ITO等の金属酸化物粉体等が挙げられる。また、結着樹脂としては、ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアリレート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、ポリ(N−ビニルカルバゾール)、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂等の熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂又は光硬化性樹脂が挙げられる。導電性層は、導電性粉体と結着樹脂を、テトラヒドロフラン、ジクロロメタン、メチルエチルケトン、トルエン等の溶媒に分散して塗布することにより設けることができる。
さらに、円筒基体上に、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリスチレン、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレン、塩化ゴム、テフロン(登録商標)等の素材に導電性粉体を含有させた熱収縮チューブを用いて導電性層を設けたものも、導電性支持体として用いることができる。
これらの中でも、陽極酸化皮膜処理を簡便に行うことのできるアルミニウムからなる円筒状支持体を用いることが好ましい。ここでいうアルミニウムとは、純アルミニウム系及びアルミニウム合金のいずれをも含むものである。具体的には、JIS 1000番台、3000番台、6000番台のアルミニウム及びアルミニウム合金が最も適している。陽極酸化皮膜は、各種金属、各種合金を電解質溶液中において陽極酸化処理したものであるが、中でも、アルミニウム又はアルミニウム合金に電解質溶液中で陽極酸化処理を行ったアルマイトと呼ばれる被膜が本発明の感光体には最も適している。特に、反転現像(ネガ及びポジ現像)に用いた際に発生する点欠陥(黒ポチ、地汚れ)を抑制することができる点で優れている。
陽極酸化処理は、クロム酸、硫酸、シュウ酸、リン酸、ホウ酸、スルファミン酸等の酸性浴中において行われる。このうち、硫酸浴による処理が最も適している。一例を挙げると、硫酸濃度:10〜20%、浴温:5〜25℃、電流密度:1〜4A/dm、電解電圧:5〜30V、処理時間:5〜60分の範囲で処理が行われるが、これに限定するものではない。このように作製される陽極酸化皮膜は、多孔質であり、また、絶縁性が高いため、表面が非常に不安定な状態である。このため、作製後の経時変化が存在し、陽極酸化皮膜の物性値が変化しやすい。これを回避するため、陽極酸化皮膜を、さらに封孔処理することが好ましい。封孔処理には、フッ化ニッケルや酢酸ニッケルを含有する水溶液に陽極酸化皮膜を浸漬する方法、陽極酸化皮膜を沸騰水に浸漬する方法、加圧水蒸気により処理する方法等が挙げられる。このうち、酢酸ニッケルを含有する水溶液に浸漬する方法が最も好ましい。封孔処理に引き続き、陽極酸化皮膜の洗浄処理が行われる。これは、封孔処理により付着した金属塩等の過剰なものを除去することが主な目的である。これが支持体(陽極酸化皮膜)の表面に過剰に残存すると、この上に形成する塗膜の品質に悪影響を与えるだけでなく、一般的に低抵抗成分が残ってしまうため、地汚れの発生原因にもなる。洗浄は、純水1回の洗浄でも構わないが、通常は、多段階の洗浄を行う。この際、最終の洗浄液が可能な限り、脱イオンされていることが好ましい。また、多段階の洗浄工程の1工程において、接触部材による物理的なこすり洗浄を施すことが好ましい。以上のようにして形成される陽極酸化皮膜の膜厚は、5〜15μmが好ましい。膜厚が5μmより薄い場合には、陽極酸化皮膜としてのバリア性の効果が不十分になることがあり、15μmより厚い場合には、電極としての時定数が大きくなりすぎて、残留電位の発生や感光体のレスポンスが低下することがある。
本発明においては、導電性支持体と感光層(電荷発生層)の間に中間層を設けることができる。中間層は、一般には、バインダー樹脂を主成分とするが、バインダー樹脂は、その上に感光層を溶媒で塗布することを考えると、一般の有機溶剤に対して耐溶剤性の高い樹脂であることが好ましい。このような樹脂としては、ポリビニルアルコール、カゼイン、ポリアクリル酸ナトリウム等の水溶性樹脂、共重合ナイロン、メトキシメチル化ナイロン等のアルコール可溶性樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド−メラミン樹脂、エポキシ樹脂等の三次元網目構造を形成する硬化型樹脂等が挙げられる。また、中間層には、モアレ防止、残留電位の低減等のために、酸化チタン、シリカ、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化インジウム等の金属酸化物の微粉末顔料を加えてもよい。
これらの中間層は、導電性層と同様の溶媒、塗工法を用いて形成することができる。さらに、中間層には、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、クロムカップリング剤等を使用することもできる。この他に、中間層としては、Alを陽極酸化で設けたものや、ポリパラキシリレン(パリレン)等の有機物、SiO、SnO、TiO、ITO、CeO等の無機物を真空薄膜作成法で設けたもの等の公知のものも使用することができる。なお、中間層の膜厚は、通常、0〜5μmである。
中間層は、感光体の帯電時に電極側に誘起される逆極性の電荷の感光層への注入を抑制する機能と、レーザー光のようなコヒーレント光による書き込み時に生じるモアレを防止する機能の少なくとも2つの機能を有する。この機能を2つ以上の層に機能分離した機能分離型中間層は、本発明の感光体には有効である。以下に、電荷ブロッキング層とモアレ防止層の機能分離型中間層について説明する。
電荷ブロッキング層は、感光体の帯電時に、電極(導電性支持体)に誘起される逆極性の電荷が、支持体から感光層に注入するのを抑制する機能を有する層である。負帯電の場合には、正孔の注入を抑制する機能、正帯電の場合には、電子の注入を抑制する機能を有する。電荷ブロッキング層としては、酸化アルミ層等の陽極酸化被膜、SiO等の無機系の絶縁層、金属酸化物のガラス質ネットワークから形成される層、ポリフォスファゼンからなる層、アミノシラン反応生成物からなる層、絶縁性のバインダー樹脂からなる層、硬化型のバインダー樹脂からなる層等が挙げられる。中でも、湿式塗工法で形成することが可能な絶縁性のバインダー樹脂又は硬化型のバインダー樹脂からなる層が好ましい。電荷ブロッキング層は、その上に、モアレ防止層や感光層を積層するものであるから、これらを湿式塗工法で設ける場合には、これらの塗工溶媒により塗膜が侵されないことが肝要である。
バインダー樹脂としては、ポリアミド、ポリエステル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体等の熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂、例えば、活性水素(OH基、NH基、NH基等の水素)を複数有する化合物と、イソシアネート基を複数有する化合物及び/又はエポキシ基を複数有する化合物を熱重合させた熱硬化性樹脂等が使用できる。この場合、活性水素を複数有する化合物としては、例えば、ポリビニルブチラール、フェノキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリアミド、ポリエステル、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリブチレングリコール、ヒドロキシエチルメタアクリレート基等のアクリル系樹脂等が挙げられる。イソシアネート基を複数有する化合物としては、例えば、トリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート等、さらに、これらのプレポリマー等が挙げられる。エポキシ基を複数有する化合物としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂等が挙げられる。中でも、成膜性、環境安定性、耐溶剤性等から、ポリアミドが好ましい。その中でも、N−メトキシメチル化ナイロンが特に好ましい。ポリアミドは、電荷の注入を抑制する効果が高く、残留電位に与える影響が少ない。また、ポリアミドは、アルコール可溶性樹脂であって、ケトン系溶媒には不溶である。さらに、浸積塗工法により、均一な薄膜を形成することができ、塗工性に優れている。特に、中間層は、残留電位の上昇の影響を最小限にするために、薄膜にする必要がある上に、膜厚の均一性が要求されるため、塗工性は、画質安定性において重要な意味を持っている。
アルコール可溶性樹脂は、一般に、湿度依存性が大きいため、低湿環境下では、抵抗が高くなって残留電位が上昇し、高湿環境下では、抵抗が低くなって、帯電が低下し、環境依存性が大きいという問題がある。しかし、N−メトキシメチル化ナイロンは、高い絶縁性を示し、導電性支持体から注入される電荷のブロッキング性に非常に優れている上に、残留電位に与える影響が少ない。さらに、環境依存性が大幅に低減され、画像形成装置の使用環境が変化しても常に安定した画質を維持することが可能である。また、N−メトキシメチル化ナイロンを用いた場合には、残留電位の膜厚依存性が小さいため、残留電位への影響を低減すると共に、地汚れを抑制する効果を得ることが可能となる。
N−メトキシメチル化ナイロンにおけるメトキシメチル基の置換率は、特に限定されるものではないが、15mol%以上であることが好ましい。N−メトキシメチル化ナイロンを用いたことによる上記効果は、メトキシメチル基の置換率によって影響され、メトキシメチル基の置換率が15mol%より低い場合には、湿度依存性が増加したり、アルコール溶液とした場合に白濁したりして、塗工液の経時安定性が低下することがある。
また、オイルフリーアルキッド樹脂とアミノ樹脂を光硬化させることにより得られる樹脂、例えば、ブチル化メラミン樹脂等を熱重合させた熱硬化性樹脂と、不飽和結合を有するポリウレタン、不飽和結合を有するポリエステル等の不飽和結合を有する樹脂と、チオキサントン系化合物、メチルベンジルフォルメート等の光重合開始剤の組み合わせ等から得られる光硬化型樹脂もバインダー樹脂として用いることができる。
また、電荷ブロッキング層に、整流性のある導電性高分子、帯電極性に合わせてアクセプター(ドナー)性の樹脂・化合物等を加えて、導電性支持体からの電荷注入を抑制する等の機能を持たせてもよい。
また、電荷ブロッキング層の膜厚は、通常、0.1〜2.0μmであり、0.3〜2.0μmが好ましい。膜厚が2.0μmより厚くなると、帯電と露光の繰り返しによって、特に、低温低湿で残留電位が上昇することがあり、0.1μmよりが薄くなると、電荷ブロッキング層の効果が不十分になることがある。
また、電荷ブロッキング層を形成する際には、必要に応じて、硬化(架橋)に必要な薬剤、溶剤、添加剤、硬化促進剤等を加えてもよく、ブレード塗工、浸漬塗工法、スプレーコート法、ビートコート法、ノズルコート法等により、導電性支持体上に塗布される。塗布後は、塗布後は、乾燥又は加熱、光等の硬化処理により硬化させる。
モアレ防止層は、レーザー光のようなコヒーレント光による書き込みを行う際に、感光層の内部で光干渉によるモアレ像の発生を防止する機能を有する層である。基本的には、書き込み光の光散乱を起こす機能を有する。このような機能を発現するために、モアレ防止層は、屈折率の大きな材料を有することが有効である。一般には、無機顔料とバインダー樹脂を含有し、無機顔料がバインダー樹脂に分散された構成からなる。無機顔料は、白色の無機顔料であることが好ましく、例えば、酸化チタン、フッ化カルシウム、酸化カルシウム、酸化ケイ素、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等が挙げられる。中でも、隠蔽力が大きいことから、酸化チタンが好ましい。
また、機能分離型中間層を有する感光体では、導電性支持体からの電荷注入を電荷ブロッキング層が抑制することができるため、モアレ防止層は、残留電位を抑制する観点から、少なくとも感光体の表面に帯電される電荷と同極性の電荷を移動できる機能を有することが好ましい。このため、例えば、負帯電型感光体の場合、モアレ防止層は、電子伝導性を有することが好ましく、使用する無機顔料に電子伝導性を有するものを使用するか、導電性のものを使用することが望ましい。また、モアレ防止層に電子伝導性の材料(例えば、アクセプター)等を用いることにより、モアレ防止層の効果を一層顕著にすることができる。
バインダー樹脂としては、電荷ブロッキング層と同様のものを用いることができるが、モアレ防止層の上に感光層(電荷発生層、電荷輸送層)を積層することを考慮すると、感光層(電荷発生層、電荷輸送層)の塗工溶媒に侵されないことが肝要である。
このようなバインダー樹脂としては、熱硬化型樹脂が好ましい。中でも、アルキッド樹脂とメラミン樹脂の混合物が特に好ましい。この際、メラミン樹脂に対するアルキッド樹脂の重量比は、モアレ防止層の構造及び特性を決定する重要な因子であり、1〜4であることが好ましい。重量比が1より小さいと、熱硬化の際に体積収縮が大きくなって塗膜欠陥が生じやすくなることがあり、その結果、感光体の残留電位が大きくなる。また、4より大きいと、感光体の残留電位の低減には効果があるものの、バルク抵抗が低くなって地汚れが悪化することがある。
モアレ防止層においては、バインダー樹脂に対する無機顔料の容積比は、重要な特性を決定し、1〜3であることが好ましい。容積比が1未満である場合には、モアレ防止能が低下するだけでなく、繰り返し使用における残留電位の上昇が大きくなることがある。一方、容積比が3を超える場合には、バインダー樹脂における結着能が劣るだけでなく、塗膜の表面性が悪化し、上層の感光層の成膜性に悪影響を与えることがある。この影響は、感光層が積層タイプで構成され、電荷発生層のような薄層を形成する場合に顕著になり得るものである。また、容積比が3を超える場合には、無機顔料の表面をバインダー樹脂が覆い尽くせないことがあり、電荷発生物質と直接接触することで、熱キャリア生成の確率が大きくなり、地汚れに対して悪影響を与えることがある。
さらに、モアレ防止層には、平均粒径の異なる2種類の酸化チタンを用いることにより、導電性支持体に対する隠蔽力を向上させモアレを抑制することが可能になると共に、異常画像の原因となるピンホールの発生を抑制することができる。このためには、2種類の酸化チタンの平均粒径の比D2/D1(D2<D1)が0.2〜0.5であることが好ましい。D2/D1が0.2より小さい場合は、酸化チタンの表面での活性が増加し、感光体としたときの静電的安定性が低下することがある。また、0.5より大きい場合は、導電性支持体に対する隠蔽力が低下し、モアレや異常画像に対する抑制力が低下することがある。ここで、平均粒径は、水系で強分散を行ったときに得られる粒度分布から得られる。
また、D2は、重要な因子であり、0.05〜0.20μmであることが好ましい。D2が0.05μmより小さい場合には、隠蔽力が低下し、モアレが発生することがある。一方、D2が0.20μmより大きい場合には、モアレ防止層の酸化チタンの充填率が低下し、地汚れを抑制する効果が不十分になることがある。
また、2種類の酸化チタンの混合比率も重要な因子であり、平均粒径がD2の酸化チタンの含有量は、20〜80重量%であることが好ましい。平均粒径がD2の酸化チタンの含有量が20重量%より小さい場合には、酸化チタンの充填率が低下し、地汚れを抑制する効果が不十分になることがある。一方、80重量%より大きい場合には、隠蔽力が低下し、モアレが発生することがある。
また、モアレ防止層の膜厚は、通常、1〜10μmであり、2〜5μmが好ましい。膜厚が1μm未満では、モアレ防止層の効果が不十分になることがあり、10μmを超えると、残留電位の蓄積を生じることがある。
モアレ防止層は、無機顔料を、溶媒とバインダー樹脂と共に、例えば、ボールミル、サンドミル、アトライラー等を用いて分散し、必要に応じて、硬化(架橋)に必要な薬剤、溶剤、添加剤、硬化促進剤等を加えて、ブレード塗工、浸漬塗工法、スプレーコート法、ビートコート法、ノズルコート法等により導電性支持体上に形成される。塗布後は、乾燥又は加熱、光等の硬化処理により硬化させる。
次に、感光層について説明する。感光層は、電荷発生材料と電荷輸送材料を含む単層構成の感光層(図1参照)であってもよいが、電荷発生層と電荷輸送層で構成される積層構成の感光層(図2、図3参照)が感度、耐久性において優れた特性を示すため、好ましい。以下、積層構成の感光層について説明する。
電荷発生層は、電荷発生材料を主成分とする層である。電荷発生材料としては、特に限定はなく、公知の材料を用いることができる。中でも、CuKαの特性X線(波長1.542Å)に対するブラッグ角2θの回折ピーク(±0.2゜)として、少なくとも27.2゜に最大回折ピークを有するチタニルフタロシアニンが好ましい。中でも、特開2001−19871号公報に記載の結晶系、CuKαの特性X線(波長1.542Å)に対するブラッグ角2θの回折ピーク(±0.2゜)として、少なくとも27.2゜に最大回折ピークを有し、さらに、9.4゜、9.6゜、24.0゜に主要なピークを有し、最も低角側の回折ピークとして、7.3゜にピークを有し、7.3°のピークと9.4゜のピークの間にピークを有さないチタニルフタロシアニンがさらに好ましく、26.3°にピークを有さないチタニルフタロシアニンが特に好ましい。
また、上記結晶系を有するチタニルフタロシアニンは、結晶合成時又は分散濾過時に、平均粒子サイズを0.25μm以下にすることが好ましい(特開2004−83859号公報、特開2004−78141号公報参照)。
電荷発生層は、電荷発生材料を、必要に応じて、結着樹脂と共に、ボールミル、アトライター、サンドミル、超音波等を用いて溶媒中で分散した塗布液を、導電性支持体上に塗布し、乾燥することにより形成される。
結着樹脂としては、ポリアミド、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネート、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルケトン、ポリスチレン、ポリスルホン、ポリ(N−ビニルカルバゾール)、ポリアクリルアミド、ポリビニルベンザール、ポリエステル、フェノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリフェニレンオキシド、ポリアミド、ポリビニルピリジン、セルロース系樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン等が挙げられる。結着樹脂の添加量は、電荷発生材料100重量部に対して、通常、0〜500重量部であり、10〜300重量部が好ましい。
溶媒としては、イソプロパノール、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチルセルソルブ、酢酸エチル、酢酸メチル、ジクロロメタン、ジクロロエタン、モノクロロベンゼン、シクロヘキサン、トルエン、キシレン、リグロイン等が挙げられる。
塗布液を塗布する方法としては、浸漬塗工法、スプレーコート法、ビートコート法、ノズルコート法、スピナーコート法、リングコート法等が挙げられる。
電荷発生層の膜厚は、通常、0.01〜5μmであり、0.1〜2μmが好ましい。
電荷輸送層は、電荷輸送材料及び結着樹脂を溶媒に溶解又は分散し、これを電荷発生層上に塗布、乾燥することにより形成される。また、電荷輸送層には、必要に応じて、可塑剤、レベリング剤、酸化防止剤等を添加することもできる。
溶媒としては、テトラヒドロフラン、ジオキサン、トルエン、ジクロロメタン、モノクロロベンゼン、ジクロロエタン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、アセトン等が挙げられる。中でも、環境への負荷を低減すること等から、非ハロゲン系溶媒が好ましい。具体的には、テトラヒドロフラン、ジオキソラン、ジオキサン等の環状エーテル、トルエン、キシレン等の芳香族系炭化水素、これらの誘導体等が挙げられる。
電荷輸送材料には、正孔輸送材料と電子輸送材料がある。
正孔輸送材料としては、ポリ(N−ビニルカルバゾール)及びその誘導体、ポリ(γ−カルバゾリルエチルグルタメート)及びその誘導体、ピレン−ホルムアルデヒド縮合物及びその誘導体、ポリビニルピレン、ポリビニルフェナントレン、ポリシラン、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、モノアリールアミン誘導体、ジアリールアミン誘導体、トリアリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、α−フェニルスチルベン誘導体、ベンジジン誘導体、ジアリールメタン誘導体、トリアリールメタン誘導体、9−スチリルアントラセン誘導体、ピラゾリン誘導体、ジビニルベンゼン誘導体、ヒドラゾン誘導体、インデン誘導体、ブタジエン誘導体、ピレン誘導体等、ビススチルベン誘導体、エナミン誘導体等の電子供与性物質が挙げられる。
電子輸送材料としては、クロルアニル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、2,4,7−トリニトロ−9−フルオレノン、2,4,5,7−テトラニトロ−9−フルオレノン、2,4,5,7−テトラニトロキサントン、2,4,8−トリニトロチオキサントン、2,6,8−トリニトロ−4H−インデノ〔1,2−b〕チオフェン−4−オン、1,3,7−トリニトロジベンゾチオフェン−5,5−ジオキサイド、ベンゾキノン誘導体等の電子受容性物質が挙げられる。
これらの電荷輸送材料は、単独又は2種以上混合して用いられる。
結着樹脂としては、ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアレート、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、ポリ(N−ビニルカルバゾール)、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂等の熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂が挙げられる。
電荷輸送材料の添加量は、結着樹脂100重量部に対して、通常、20〜300重量部であり、40〜150重量部が好ましい。
また、電荷輸送層の膜厚は、5〜100μmであることが好ましい。
また、電荷輸送層には、電荷輸送材料としての機能と、結着樹脂の機能を有する高分子電荷輸送物質も用いることができる。高分子電荷輸送物質を用いて形成される電荷輸送層は、耐摩耗性に優れる。高分子電荷輸送物質としては、公知の材料を使用することができるが、特に、トリアリールアミン構造を主鎖及び/又は側鎖に有するポリカーボネートが好ましい。中でも、一般式(I)〜(X)で表わされる高分子電荷輸送物質がさらに好ましい。
Figure 0004741413
(式中、R、R及びRは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換のアルキル基又はハロゲン基であり、Rは、水素原子又は置換若しくは無置換のアルキル基であり、R及びRは、それぞれ独立に、置換又は無置換のアリール基であり、o、p及びqは、それぞれ独立に、0〜4の整数であり、k及びjは、組成を表し、0.1≦k≦1、k+j=1であり、nは、繰り返し単位数を表し、5〜5000の整数である。Xは、脂肪族の2価基、環状脂肪族の2価基又は一般式(A)で表される官能基を表す。)
Figure 0004741413
(R101及びR102は、それぞれ独立に、置換若しくは無置換のアルキル基、アリール基又はハロゲン基を表す。l及びmは、それぞれ独立に、0〜4の整数、Yは、単結合、炭素原子数1〜12の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキレン基、オキシ基、チオ基、スルフィニル基、スルホニル基、カルボニル基、一般式
−COO−Z−OCO−
(式中、Zは、脂肪族の2価基を表す。)
で表される官能基又は一般式
Figure 0004741413
(aは、1〜20の整数であり、bは、1〜2000の整数であり、R103及びR104は、それぞれ独立に、置換若しくは無置換のアルキル基又はアリール基を表す。)
で表される官能基を表す。)
なお、一般式(I)は、2つの共重合種が交互共重合体の形で記載されているが、ランダム共重合体でも構わない。
Figure 0004741413
(式中、R及びRは、それぞれ独立に、置換又は無置換のアリール基であり、Ar、Ar及びArは、それぞれ独立に、アリーレン基を表す。X、k、j及びnは、一般式(I)と同様である。)
なお、一般式(II)は、2つの共重合種が交互共重合体の形で記載されているが、ランダム共重合体でも構わない。
Figure 0004741413
(式中、R及びR10は、それぞれ独立に、置換又は無置換のアリール基であり、Ar、Ar及びArは、それぞれ独立に、アリーレン基を表す。X、k、j及びnは、一般式(I)と同様である。)
なお、一般式(III)は、2つの共重合種が交互共重合体の形で記載されているが、ランダム共重合体でも構わない。
Figure 0004741413
(式中、R11及びR12は、それぞれ独立に、置換又は無置換のアリール基であり、Ar、Ar及びArは、それぞれ独立に、アリーレン基であり、pは、1〜5の整数を表す。X、k、j及びnは、一般式(I)と同様である。)
なお、一般式(IV)は、2つの共重合種が交互共重合体の形で記載されているが、ランダム共重合体でも構わない。
Figure 0004741413
(式中、R13及びR14は、置換又は無置換のアリール基であり、Ar10、Ar11及びAr12は、それぞれ独立に、アリーレン基であり、X及びXは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換のエチレン基又は置換若しくは無置換のビニレン基を表す。X、k、j及びnは、一般式(I)と同様である。)
なお、一般式(VI)は、2つの共重合種が交互共重合体の形で記載されているが、ランダム共重合体でも構わない。
Figure 0004741413
(式中、R15、R16、R17及びR18は、それぞれ独立に、置換又は無置換のアリール基であり、Ar13、Ar14、Ar15及びAr16は、それぞれ独立に、アリーレン基であり、Y、Y及びYは、それぞれ独立に、単結合、置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換のオキシアルキレン基、オキシ基、チオ基、ビニレン基を表す。X、k、j及びnは、一般式(I)と同様である。)
なお、一般式(VI)は、2つの共重合種が交互共重合体の形で記載されているが、ランダム共重合体でも構わない。
Figure 0004741413
(式中、R19及びR20は、それぞれ独立に、水素原子又は置換若しくは無置換のアリール基を表し、R19とR20は、環を形成していてもよい。Ar17、Ar18及びAr19は、それぞれ独立に、アリーレン基を表す。X、k、j及びnは、一般式(I)と同様である。)
なお、一般式(VII)は、2つの共重合種が交互共重合体の形で記載されているが、ランダム共重合体でも構わない。
Figure 0004741413
(式中、R21は、置換若しくは無置換のアリール基であり、Ar20、Ar21、Ar22及びAr23は、それぞれ独立に、アリーレン基を表す。X、k、j及びnは、一般式(I)と同様である。)
なお、一般式(VIII)は、2つの共重合種が交互共重合体の形で記載されているが、ランダム共重合体でも構わない。
Figure 0004741413
(式中、R22、R23、R24及びR25は、それぞれ独立に、置換又は無置換のアリール基であり、Ar24、Ar25、Ar26、Ar27及びAr28は、それぞれ独立に、アリーレン基を表す。X、k、j及びnは、一般式(I)と同様である。)
なお、一般式(IX)は、2つの共重合種が交互共重合体の形で記載されているが、ランダム共重合体でも構わない。
Figure 0004741413
(式中、R26及びR27は、それぞれ独立に、置換又は無置換のアリール基であり、Ar29、Ar30及びAr31は、それぞれ独立に、アリーレン基を表す。X、k、j及びnは、一般式(I)と同様である。)
なお、一般式(X)は、2つの共重合種が交互共重合体の形で記載されているが、ランダム共重合体でも構わない。
また、高分子電荷輸送物質としては、上述の高分子電荷輸送物質の他に、電荷輸送層の成膜時には、電子供与性基を有するモノマー又はオリゴマーの状態であり、成膜後に硬化反応又は架橋反応をさせることにより、2次元又は3次元の架橋構造を有する重合体も用いることができる。
さらに、電荷輸送層として、架橋構造を有する電荷輸送層も用いることができる。架橋構造は、光や熱エネルギーを用いて、1分子内に複数個の架橋性官能基を有する反応性モノマーを架橋反応させることにより、形成することができる。この架橋構造が結着樹脂として機能し、高い耐摩耗性を発現することができる。
また、上記反応性モノマーとして、電荷輸送能を有するモノマーを使用することは、非常に有効な手段である。このようなモノマーを使用することにより、架橋構造中に電荷輸送性部位が形成され、電荷輸送層としての機能を十分に発現することが可能となる。電荷輸送能を有するモノマーとしては、トリアリールアミン構造を有する反応性モノマーを用いることができる。
一般に、架橋構造を有する電荷輸送層は、耐摩耗性が高い反面、架橋反応時に体積収縮が大きいため、厚膜化するとクラック等が生じることがある。このような場合には、電荷輸送層を積層構造として、下層(電荷発生層側)には、低分子分散型高分子の電荷輸送層を形成し、上層(表面側)に架橋構造を有する電荷輸送層を形成してもよい。
これらの高分子電荷輸送物質を用いて形成される電荷輸送層は、耐摩耗性に優れる。通常、画像形成プロセスにおいては、帯電電位(未露光部電位)が一定であるため、繰り返し使用により感光体の表面層が摩耗すると、感光体に印加される電界強度が高くなる。この電界強度の上昇に伴い、地汚れの発生頻度が高くなるため、感光体の耐摩耗性が高いことは、地汚れに対して有利である。高分子電荷輸送物質を用いて形成される電荷輸送層は、成膜性に優れ、低分子分散型高分子の電荷輸送層に比べ、電荷輸送部位を高密度に構成することが可能であるため、電荷輸送能に優れる。このため、このような感光体は、高速応答性に優れる。
その他の高分子電荷輸送物質としては、公知単量体の共重合体や、ブロック重合体、グラフト重合体、スターポリマー、特開平3−109406号公報、特開2000−206723号公報、特開2001−34001号公報等に開示されているような電子供与性基を有する架橋重合体等が挙げられる。
本発明において、電荷輸送層中に可塑剤やレベリング剤を添加してもよい。可塑剤としては、フタル酸ジブチル、フタル酸ジオクチル等の一般の樹脂の可塑剤として用いられているものが挙げられ、その使用量は、結着樹脂に対して、通常、0〜30重量%である。レベリング剤としては、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル等のシリコーンオイル類、側鎖にパーフルオロアルキル基を有するポリマー又はオリゴマーが挙げられ、その使用量は、結着樹脂に対して、通常、0〜1重量%である。
次に、単層構成の感光層について説明する。単層構成の感光層は、少なくとも上述の電荷発生材料と結着樹脂を含有する単一層で構成され、結着樹脂としては、電荷発生層及び電荷輸送層と同様のものを用いることができる。また、単層構成の感光層には、電荷輸送材料を併用することにより、高い光感度、高いキャリア輸送特性、低い残留電位とすることができる。電荷輸送材料は、感光体の表面に帯電させる極性に応じて、正孔輸送材料及び電子輸送材料のいずれかが選択される。さらに、上述の高分子電荷輸送物質も結着樹脂と電荷輸送材料の機能を併せ持つため、単層構成の感光層に用いることが好ましい。
本発明においては、一般式(1)
Figure 0004741413
(式中、R及びRは、それぞれ独立に、水素原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基及び置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選択される官能基を表し、R、R、R、R、R、R、R、R10、R11、R12、R13及びR14は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、水酸基、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基及び置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選択される官能基を表し、nは、0以上100以下の整数を表す。)
で表される電子輸送材料は、感光層に含有され、感光体の構成・帯電極性に応じて、保護層及び/又は中間層に含有されてもよい。
一般式(1)で表される電子輸送材料の製造方法としては、下記の2通りの方法が例示できる。
Figure 0004741413
Figure 0004741413
一般式(1)で表される電子輸送材料の繰り返し単位nは、数平均分子量から求められる。nが100を超えると、化合物の分子量が大きくなり、各種溶媒に対する溶解性が低下することがある。一方、nが0の場合は、ナフタレンカルボン酸の二量体であるが、R及びRの置換基を適切に選択することにより、優れた電子移動特性が得られる。このようにnを変化させることにより、オリゴマーからポリマーまで幅広い範囲のナフタレンカルボン酸誘導体が合成される。分子量が小さいオリゴマー領域では、段階的に合成することで、単分散の化合物を得ることができる。また、分子量が大きいポリマー領域では、分子量に分布を有する化合物が得られる。
一般式(1)で表される電子輸送材料としては、具体的に、構造式(1−A)〜(1−C)で表される電子輸送材料が例示できる。
Figure 0004741413
Figure 0004741413
Figure 0004741413
次に、一般式(1)において、nが0であるものが一般式(2)
Figure 0004741413
で表される電子輸送材料であり、静電特性のさらなる安定性向上の観点から、良好に用いることができる。
一般式(2)で表される電子輸送材料の製造方法としては、ナフタレンカルボン酸又はその無水物をアミン類と反応させ、モノイミド化する方法、ナフタレンカルボン酸又はその無水物を緩衝液によりpH調整してジアミン類と反応させる方法等が例示できる。モノイミド化は、無溶媒又は溶媒の存在下で行うことができる。溶媒としては、特に制限は無いが、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロナフタレン、酢酸、ピリジン、メチルピリジン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルエチレンウレア、ジメチルスルホキサイド等の原料や生成物と反応せず、50〜250℃で反応させられるものを用いるとよい。pH調整には、水酸化リチウム、水酸化カリウム等の塩基性水溶液をリン酸等の酸と混合することにより作製した緩衝液を用いることができる。カルボン酸と、アミン類やジアミン類を反応させて得られたカルボン酸誘導体の脱水反応は、無溶媒又は溶媒の存在下で行うことができる。溶媒としては、特に制限は無いが、ベンゼン、トルエン、クロロナフタレン、ブロモナフタレン、無水酢酸等の原料や生成物と反応せず、50〜250℃で反応させられるものを用いるとよい。いずれの反応も、無触媒又は触媒の存在下で行うことができ、特に限定されないが、例えば、モレキュラーシーブス、ベンゼンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸等を脱水剤として用いることができる。
ナフタレンカルボン酸は、公知の合成方法(例えば、米国特許6794102号公報、Industrial Organic Pigments 2nd edition,VCH,485(1997)等)に従い、下記反応により合成される。
Figure 0004741413
(式中、Rは、R、R、R、Rを表し、Rは、R、R、R、R10を表す。)
さらに具体的には、画像品質の観点から、構造式(2−A)〜(2−G)で表される電子輸送材料が好ましい。
Figure 0004741413
Figure 0004741413
Figure 0004741413
Figure 0004741413
Figure 0004741413
Figure 0004741413
Figure 0004741413
また、一般式(1)又は(2)で表される電子輸送材料を、他の電荷輸送材料と共に用いることでさらなる高機能化を実現できる。電荷輸送材料としては、例えば、トリニトロフルオレノン等のフルオレノン化合物、ピロメリットイミド、ナフチルイミド等のイミド化合物、ベンゾキノン、ジフェノキノン、ジイミノキノン、ナフトキノン、スチルベンキノン、アントラキノン等のキノン化合物、フルオレニリデンアニリン、フルオレニリデンマロノニトリル等のフルオレニリデン化合物、フタル酸無水物等のカルボン酸無水物、チオピランジオキシド等の環状スルホン化合物、オキサジアゾール化合物、トリアゾール化合物等が挙げられる。これらの中でも、ナフタレンカルボン酸化合物が好ましく、特に、一般式(3)
Figure 0004741413
(式中、R15及びR16は、それぞれ独立に、水素原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基及び置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選択される官能基を表し、R17、R18、R19及びR20は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、水酸基、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基及び置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選択される官能基を表す。)
で表される電子輸送材料が好ましい。これにより、電荷輸送能を低下させることなく、成膜時における収縮を緩和し、アルミ蒸着したPETシート、ニッケルベルト等のフレキシブルなシートを導電性支持体として用いる場合に、一般にカールと称される反りを減少させることが可能となる。また、膜が緻密となるため、酸性ガスによる影響をさらに受けにくくなり、耐ガス性が向上するという効果がある。また、耐摩耗性も向上する。
一般式(3)で表される電子輸送材料としては、具体的に、構造式(3−A)〜(3−C)で表される電子輸送材料が例示できる。
Figure 0004741413
Figure 0004741413
Figure 0004741413
一般式(1)〜(3)において、置換又は無置換のアルキル基としては、炭素数1〜25、好ましくは、炭素数1〜10のアルキル基、具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ペプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基等の直鎖状のもの、イソプロピル基、s−ブチル基、t−ブチル基、メチルプロピル基、ジメチルプロピル基、エチルプロピル基、ジエチルプロピル基、メチルブチル基、ジメチルブチル基、メチルペンチル基、ジメチルペンチル基、メチルヘキシル基、ジメチルヘキシル基等の分岐状のもの、アルコキシアルキル基、モノアルキルアミノアルキル基、ジアルキルアミノアルキル基、ハロアルキル基、アルキルカルボニルアルキル基、カルボキシアルキル基、アルカノイルオキシアルキル基、アミノアルキル基、エステル化されていてもよいカルボキシル基で置換されたアルキル基、シアノ基で置換されたアルキル基等が例示できる。なお、これらの置換基の置換位置については、特に限定されず、上記置換又は未置換のアルキル基の炭素原子の一部がヘテロ原子(N、O、S等)に置換された官能基も置換されたアルキル基に含まれる。
一般式(1)〜(3)において、置換又は無置換のシクロアルキル基としては、炭素数3〜25、好ましくは、炭素数3〜10のシクロアルキル基、具体的には、シクロプロピル基からシクロデシル基までの同属環のシクロアルキル基、メチルシクロペンチル基、ジメチルシクロペンチル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロヘキシル基、トリメチルシクロヘキシル基、テトラメチルシクロヘキシル基、エチルシクロヘキシル基、ジエチルシクロヘキシル基、t−ブチルシクロヘキシル基等のアルキル置換基を有するもの、アルコキシアルキル基、モノアルキルアミノアルキル基、ジアルキルアミノアルキル基、ハロアルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、カルボキシアルキル基、アルカノイルオキシアルキル基、アミノアルキル基、ハロゲン基、アミノ基、エステル化されていてもよいカルボキシル基、シアノ基等で置換されたシクロアルキル基等が例示できる。なお、これらの置換基の置換位置については、特に限定されず、上記置換又は未置換のシクロアルキル基の炭素原子の一部がヘテロ原子(N、O、S等)に置換された官能基も置換されたシクロアルキル基に含まれる。
一般式(1)〜(3)において、置換又は無置換のアラルキル基としては、上述の置換又は無置換のアルキル基が芳香族基で置換された官能基が挙げられ、炭素数6〜14のアラルキル基が好ましい。具体的には、ベンジル基、ペルフルオロフェニルエチル基、1−フェニルエチル基、2−フェニルエチル基、ターフェニルエチル基、ジメチルフェニルエチル基、ジエチルフェニルエチル基、t−ブチルフェニルエチル基、3−フェニルプロピル基、4−フェニルブチル基、5−フェニルペンチル基、6−フェニルヘキシル基、ベンズヒドリル基、トリチル基等が例示できる。
一般式(1)〜(3)において、ハロゲン基としては、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、ヨード基が挙げられる。
上述した感光層の構成と併せて、一般式(1)で表される電子輸送材料の添加方法について説明する。
感光層が単層構成の場合(感光体の帯電極性が正帯電である)、光キャリア発生サイトが感光体の表面近傍に存在するか、バルク深くに存在するかに依るが、主に正孔を移動させる構成である場合には、添加剤として使用され、主に電子を移動させるような場合には、電荷輸送材料として使用される。具体的には、感光層が正帯電で使用され、感光層の表面近傍で光キャリアを生成させるような構成の場合、感光層中の電荷としては、主に正孔が長い距離を移動することになる。この場合には、電荷輸送材料の主体は、正孔輸送材料になり、一般式(1)で表される電子輸送材料は、表面への電子移動物質として使用される。一方、バルクの深いところ(支持体側)で光キャリアを生成させる場合、電子が主に移動することになり、この場合には、一般式(1)で表される電子輸送材料は、電荷輸送材料として使用される。帯電極性が負帯電の場合には、上記説明の逆になる。
感光層が積層構成の場合、帯電極性によって、添加される層が異なる。電荷発生層/電荷輸送層の順で感光層が積層されるが、負帯電で使用される場合には、正孔が主に移動することになる。このため、一般式(1)で表される電子輸送材料は、電荷輸送層に添加される場合には、添加剤として使用され、電荷発生層又は中間層に添加される場合には、電荷輸送材料として使用される。逆に、正帯電で使用される場合には、電子が主に移動することになる。このため、一般式(1)で表される電子輸送材料は、電荷輸送層に添加される場合には、電荷輸送材料として使用され、電荷発生層又は中間層に添加される場合には、添加剤として使用される。
本発明の感光体には、感光層を保護する目的で、保護層が感光層の上に設けられる。近年、日常的にコンピュータの使用が行われるようになり、プリンターによる高速出力と共に、装置の小型も望まれている。従って、保護層を設け、耐久性を向上させることによって、本発明の感光体を有用に用いることができる。
本発明において、保護層は、少なくとも電荷輸送性構造を有さない3官能以上のラジカル重合性モノマーと、電荷輸送性構造を有する1官能のラジカル重合性モノマーを硬化することにより形成されている。
このような保護層は、3官能以上のラジカル重合性モノマーを硬化した架橋構造を有するため、3次元の網目構造が発達し、架橋密度が高い高硬度且つ高弾性とすることができる。さらに、均一で平滑性も高く、高い耐摩耗性、耐傷性を達成することができる。このように、感光体の表面の架橋密度、すなわち、単位体積当たりの架橋結合数を増加させることが重要であるが、硬化反応において瞬時に多数の結合を形成させるため、体積収縮による内部応力が発生する。この内部応力は、保護層の膜厚が厚くなる程、増加するため、保護層全層を硬化させると、クラックや膜剥がれが発生しやすくなる。この現象は、初期に発生しなくても、画像形成プロセス上で繰り返し使用され、帯電、現像、転写、クリーニングのハザード及び熱変動の影響を受けることにより、経時で発生しやすくなることもある。
この問題を解決する方法としては、保護層及び架橋構造に高分子成分を導入する方法、1官能及び2官能のラジカル重合性モノマーを多量に用いる方法、柔軟性基を有する多官能モノマーを用いる方法等の保護層を柔らかくする方向性が挙げられるが、いずれも保護層の架橋密度が希薄となり、飛躍的な耐摩耗性が達成されない。これに対して、本発明の感光体は、感光層上に、3次元の網目構造が発達した架橋密度の高い保護層を、好ましくは、膜厚1〜10μmで設けることにより、クラックや膜剥がれの発生を抑制することができ、非常に高い耐摩耗性を達成することができる。保護層の膜厚を2〜8μmにすることにより、さらに上記問題に対する余裕度が向上することに加え、さらなる耐摩耗性の向上に繋がる高架橋密度の材料選択が可能となる。
本発明の感光体がクラックや膜剥がれの発生を抑制することが可能な理由としては、保護層を薄膜化できるため、内部応力が大きくならないこと、下層に感光層又は電荷輸送層を有するため、表面の保護層の内部応力を緩和できること等が挙げられる。このため、保護層に高分子材料を多量に含有させる必要がなく、高分子材料と、硬化反応により生成した硬化物との不相溶が原因の傷やトナーフィルミングも起こりにくい。さらに、厚膜の保護層全層を光エネルギー照射により硬化する場合、電荷輸送性構造による吸収から内部への光透過が制限され、硬化反応が十分に進行しない現象が起こることがある。本発明の保護層においては、好ましくは、膜厚を10μm以下とすることにより、内部まで均一に硬化反応が進行し、表面と同様に内部でも高い耐摩耗性を維持することができる。また、保護層の形成においては、電荷輸送性構造を有さない3官能以上のラジカル重合性モノマーに加え、電荷輸送性構造を有する1官能のラジカル重合性モノマーを用いており、これが硬化時に架橋構造中に取り込まれる。これに対して、ラジカル重合性官能基を有さない電荷輸送材料を保護層中に含有させた場合、その相溶性の低さから電荷輸送材料の析出や白濁現象が起こり、保護層の機械的強度も低下する。一方、電荷輸送性構造を有する2官能以上のラジカル重合性モノマーを主成分として用いた場合は、複数の結合で架橋構造中に固定されて架橋密度は高くなるが、電荷輸送性構造が非常に嵩高いため、架橋構造の歪みが非常に大きくなり、保護層の内部応力が高まる原因となる。
さらに、本発明の感光体は、電気的特性が良好であるため、繰り返し安定性に優れており、高耐久化及び高安定化を実現することができる。これは、保護層の構成材料として、電荷輸送性構造を有する1官能のラジカル重合性モノマーを用い、架橋構造中にペンダント状に固定化したことに起因する。上記のように、ラジカル重合性官能基を有さない電荷輸送材料は、析出、白濁現象が起こり、感度の低下、残留電位の上昇等の繰り返し使用における電気的特性の劣化が著しい。また、電荷輸送性構造を有する2官能以上のラジカル重合性モノマーを主成分として用いた場合は、複数の結合で架橋構造中に固定されるため、電荷輸送時の中間体構造(カチオンラジカル)が安定して保てず、電荷のトラップによる感度の低下、残留電位の上昇が起こりやすい。これらの電気的特性が劣化すると、画像濃度の低下、文字細り等が発生する。さらに、本発明の感光体においては、下層の感光層又は電荷輸送層として、電荷トラップが少なく、移動度の高い設計が可能であり、保護層の電気的副作用を最小限に抑えることができる。
さらに、保護層を有機溶媒に対して不溶性にすることにより、耐摩耗性を向上させることができる。保護層は、電荷輸送性構造を有さない3官能以上のラジカル重合性モノマーと、電荷輸送性構造を有する1官能のラジカル重合性モノマーを硬化することにより形成され、保護層全体としては、3次元の網目構造が発達し、高い架橋密度を有するが、上記成分以外の含有物(例えば、1又は2官能のラジカル重合性モノマー、高分子材料、酸化防止剤、レベリング剤、可塑剤等の添加剤及び下層からの溶解混入成分)や硬化条件により、局部的に架橋密度が希薄になったり、高密度に架橋した微小な硬化物の集合体として形成されたりすることがある。このような保護層は、硬化物間の結合力が弱く、有機溶媒に対して、溶解性を示し、且つ画像形成プロセス中で繰り返し使用される中で、局部的な摩耗や微小な硬化物単位での脱離が発生しやすくなる。このとき、3次元の網目構造が発達し、高い架橋密度を有することに加え、連鎖反応が広い範囲で進行し、硬化物が高分子量化すると、保護層は、有機溶媒に対して不溶性になり、耐摩耗性を向上させることができる。
次に、本発明の保護層塗布液の構成材料について説明する。
本発明において、電荷輸送性構造を有さない3官能以上のラジカル重合性モノマーとは、トリアリールアミン、ヒドラゾン、ピラゾリン、カルバゾール等の正孔輸送性構造、縮合多環キノン、ジフェノキノン、シアノ基やニトロ基を有する電子吸引性芳香族環等の電荷輸送性構造を有しておらず、ラジカル重合性官能基を3個以上有するモノマーを意味する。ラジカル重合性官能基とは、炭素−炭素2重結合を有し、ラジカル重合することが可能な官能基であれば、特に限定されない。ラジカル重合性官能基としては、1−置換エチレン官能基、1,1−2置換エチレン官能基等が挙げられる。
1−置換エチレン官能基としては、一般式
CH=CH−X
(式中、Xは、置換基を有していてもよいフェニレン基、ナフチレン基等のアリーレン基、置換基を有していてもよいアルケニレン基、カルボニル基、オキシカルボニル基、一般式
−CONR−
(式中、Rは、水素原子、メチル基、エチル基等のアルキル基、ベンジル基、ナフチルメチル基、フェネチル基等のアラルキル基、フェニル基、ナフチル基等のアリール基を表す。)
で表される官能基又はチオ基を表す。)
で表される官能基が挙げられる。
1−置換エチレン官能基を具体的に例示すると、ビニル基、スチリル基、2−メチル−1,3−ブタジエニル基、ビニルカルボニル基、アクリロイルオキシ基、アクリロイルアミド基、ビニルチオ基等が挙げられる。
1,1−2置換エチレン官能基としては、一般式
CH=C(Y)−X
(式中、Yは、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、ナフチル基等のアリール基、ハロゲン基、シアノ基、ニトロ基、メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基、一般式
−COOR
(式中、Rは、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基、エチル基等のアルキル基、置換基を有していてもよいベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基又は置換基を有していてもよいフェニル基、ナフチル基等のアリール基を表す。)
又は一般式
−CONR
(R及びRは、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基、エチル基等のアルキル基、置換基を有していてもよいベンジル基、ナフチルメチル基、フェネチル基等のアラルキル基又は置換基を有していてもよいフェニル基、ナフチル基等のアリール基を表す。)
を表す。また、Xは、置換基を有していてもよいフェニレン基、ナフチレン基等のアリーレン基、置換基を有していてもよいアルケニレン基、カルボニル基、オキシカルボニル基、一般式
−CONR
(式中、Rは、水素原子、メチル基、エチル基等のアルキル基、ベンジル基、ナフチルメチル基、フェネチル基等のアラルキル基、フェニル基、ナフチル基等のアリール基を表す。)
で表される官能基、チオ基、単結合又はアルキレン基を表す。ただし、Y及びXの少なくとも一方は、オキシカルボニル基、シアノ基、アルケニレン基又は芳香族環を有する。)
で表される官能基が挙げられる。
1,1−2置換エチレン官能基を具体的に例示すると、α−塩化アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、α−シアノエチレン基、α−シアノアクリロイルオキシ基、α−シアノフェニレン基、メタクリロイルアミノ基等が挙げられる。
なお、X、X及びYについての置換基としては、例えば、ハロゲン基、ニトロ基、シアノ基、メチル基、エチル基等のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基、フェノキシ基等のアリールオキシ基、フェニル基、ナフチル基等のアリール基、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基等が挙げられる。
これらのラジカル重合性官能基の中では、アクリロイルオキシ基及びメタクリロイルオキシ基が特に有用であり、アクリロイルオキシ基を3個以上有するモノマーは、例えば、水酸基を3個以上有する化合物と、アクリル酸(塩)、アクリル酸ハロゲン化物、アクリル酸エステルを用い、エステル反応又はエステル交換反応させることにより得ることができる。また、メタクリロイルオキシ基を3個以上有するモノマーも同様にして得ることができる。なお、3官能以上のラジカル重合性モノマー中のラジカル重合性官能基は、同一であっても異なっていてもよい。
電荷輸送性構造を有さない3官能以上のラジカル重合性モノマーとしては、特に限定されるものではないが、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート(TMPTA)、トリメチロールプロパントリメタクリレート、トリメチロールプロパンアルキレン変性トリアクリレート、トリメチロールプロパンエチレンオキシ変性(以下、EO変性という)トリアクリレート、トリメチロールプロパンプロピレンオキシ変性(以下、PO変性という)トリアクリレート、トリメチロールプロパンカプロラクトン変性トリアクリレート、トリメチロールプロパンアルキレン変性トリメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート(PETTA)、グリセロールトリアクリレート、グリセロールエピクロロヒドリン変性(以下、ECH変性という)トリアクリレート、グリセロールEO変性トリアクリレート、グリセロールPO変性トリアクリレート、トリス(アクリロイルオキシエチル)イソシアヌレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート(DPHA)、ジペンタエリスリトールカプロラクトン変性ヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヒドロキシペンタアクリレート、アルキル化ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、アルキル化ジペンタエリスリトールテトラアクリレート、アルキル化ジペンタエリスリトールトリアクリレート、ジメチロールプロパンテトラアクリレート(DTMPTA)、ペンタエリスリトールエトキシテトラアクリレート、リン酸EO変性トリアクリレート、2,2,5,5−テトラヒドロキシメチルシクロペンタノンテトラアクリレート等が挙げられ、単独又は2種以上混合して用いることができる。
本発明において、電荷輸送性構造を有さない3官能以上のラジカル重合性モノマーは、保護層中に緻密な架橋結合を形成するために、ラジカル重合性官能基数に対する分子量の比は、250以下であることが好ましい。この比が250より大きい場合、保護層が柔らかくなって、耐摩耗性が低下することがある。このため、例示した上記モノマー中、EO、PO、カプロラクトン等の変性基を有するモノマーにおいては、極端に長い変性基を有するものを単独で用いることは好ましくはない。
また、電荷輸送性構造を有さない3官能以上のラジカル重合性モノマーの添加量は、保護層の全量に対して、通常、20〜80重量%である。添加量が20重量%未満では、保護層の架橋密度が低下し、従来の熱可塑性樹脂を用いた場合に比べ、飛躍的な耐摩耗性の向上が達成にくくなることがある。また、添加量が80重量%を超えると、電荷輸送性構造の含有量が低下し、電気的特性が劣化することがある。使用されるプロセスによって要求される電気特性や耐摩耗性が異なり、それに伴い、保護層の膜厚も異なるため、一概には言えないが、両特性のバランスを考慮すると、添加量は、30〜70重量であることが好ましい。
本発明において、電荷輸送性構造を有する1官能のラジカル重合性モノマーとは、トリアリールアミン、ヒドラゾン、ピラゾリン、カルバゾール等の正孔輸送性構造、縮合多環キノン、ジフェノキノン、シアノ基やニトロ基を有する電子吸引性芳香族環等の電子輸送構造を有しており、ラジカル重合性官能基を1個有するモノマーを意味する。ラジカル重合性官能基としては、電荷輸送性構造を有さない3官能以上のラジカル重合性モノマーで示したものが挙げられ、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基が特に有用である。また、電荷輸送性構造としてはトリアリールアミン構造が高い効果を有し、中でも、一般式(4)
Figure 0004741413
又は一般式(5)
Figure 0004741413
(式中、R21及びR22は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン基、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアラルキル基、置換若しくは無置換のアリール基、置換若しくは無置換のアルコキシ基、シアノ基、ニトロ基、一般式
−COOR23
(式中、R23は、水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアラルキル基又は置換若しくは無置換のアリール基を表す。)
で表される官能基、ハロゲン化カルボニル基又は一般式
−CONR2425
(式中、R24及びR25は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン基、置換若しくは無置換アルキル基、置換若しくは無置換アラルキル基又は置換若しくは無置換アリール基を表す。)
で表される官能基を表し、Ar、Ar及びArは、それぞれ独立に、置換又は無置換のアリーレン基を表す。Ar、Ar、Ar及びArは、それぞれ独立に、置換又は無置換のアリール基を表す。Xは、単結合、置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換のオキシアルキレン基、オキシ基、チオ基、ビニレン基を表す。Z及びZは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のオキシアルキレン基、アルキレンオキシカルボニル基を表す。m及びnは、それぞれ独立に、0以上3以下の整数を表す。)
で表される化合物の少なくとも一方を用いた場合、感度、残留電位等の電気的特性を良好に持続することができる。
以下に、一般式(4)又は(5)で表される化合物の具体例を示す。
21及びR22において、アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等が挙げられ、アリール基としては、フェニル基、ナフチル基等が挙げられ、アラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基が挙げられ、アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等が挙げられ、これらは、ハロゲン基、ニトロ基、シアノ基、メチル基、エチル基等のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基、フェノキシ基等のアリールオキシ基、フェニル基、ナフチル基等のアリール基、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基等の置換基を有していてもよい。中でも、水素原子及びメチル基が好ましい。
Ar、Ar、Ar及びArで表されるアリール基としては、縮合多環式炭化水素基、非縮合環式炭化水素基、複素環基等が挙げられる。
縮合多環式炭化水素基は、環を形成する炭素数が18個以下であることが好ましく、例えば、ペンタニル基、インデニル基、ナフチル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、ビフェニレニル基、as−インダセニル基、s−インダセニル基、フルオレニル基、アセナフチレニル基、プレイアデニル基、アセナフテニル基、フェナレニル基、フェナントリル基、アントリル基、フルオランテニル基、アセフェナントリレニル基、アセアントリレニル基、トリフェニレル基、ピレニル基、クリセニル基、ナフタセニル基等が挙げられる。
非縮合環式炭化水素基としては、ベンゼン、ジフェニルエーテル、ポリエチレンジフェニルエーテル、ジフェニルチオエーテル及びジフェニルスルホン等の単環式炭化水素化合物の1価基、ビフェニル、ポリフェニル、ジフェニルアルカン、ジフェニルアルケン、ジフェニルアルキン、トリフェニルメタン、ジスチリルベンゼン、1,1−ジフェニルシクロアルカン、ポリフェニルアルカン、ポリフェニルアルケン等の非縮合多環式炭化水素化合物の1価基、9,9−ジフェニルフルオレン等の環集合炭化水素化合物の1価基等が挙げられる。
複素環基としては、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、オキサジアゾール、チアジアゾール等の1価基が挙げられる。
また、Ar、Ar、Ar及びArで表されるアリール基は、以下に示すような置換基を有していてもよい。
(1)ハロゲン基、シアノ基、ニトロ基等。
(2)アルキル基
好ましくは、C〜C12、さらに好ましくは、C〜C、特に好ましくは、C〜Cの直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、アルキル基は、フルオロ基、水酸基、シアノ基、C〜Cのアルコキシ基、フェニル基又はハロゲン基、C〜Cのアルキル基若しくはC〜Cのアルコキシ基で置換されたフェニル基を有していてもよい。具体的には、メチル基、エチル基、n−ブチル基、イソプロピル基、t−ブチル基、s−ブチル基、n−プロピル基、トリフルオロメチル基、2−ヒドロキエチル基、2−エトキシエチル基、2−シアノエチル基、2−メトキシエチル基、ベンジル基、4−クロロベンジル基、4−メチルベンジル基、4−フェニルベンジル基等が挙げられる。
(3)アルコキシ基
アルコキシ基中のアルキル基としては、上記(2)と同様のアルキル基が挙げられる。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、t−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキシ基、イソブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、ベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
(4)アリールオキシ基
アリールオキシ基中のアリール基としては、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。アリールオキシ基は、C〜Cのアルコキシ基、C〜Cのアルキル基又はハロゲン基を置換基として有していてもよい。具体的には、フェノキシ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、4−メトキシフェノキシ基、4−メチルフェノキシ基等が挙げられる。
(5)アルキルチオ基又はアリールチオ基
具体的には、メチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、p−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
(6)アミノ基(−NR
及びRは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はアリール基を表す。アルキル基としては、上記(2)と同様のアルキル基が挙げられ、アリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基等が挙げられ、アリール基は、C〜Cのアルコキシ基、C〜Cのアルキル基又はハロゲン基を置換基として有していてもよい。また、R及びRは、共同で環を形成してもよい。
具体的には、アミノ基、ジエチルアミノ基、N−メチル−N−フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリールアミノ基、ジベンジルアミノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、ピロリジノ基等が挙げられる。
(7)アルキレンジオキシ基又はアルキレンジチオ基
メチレンジオキシ基、メチレンジチオ基等が挙げられる。
(8)置換又は無置換のスチリル基、置換又は無置換のβ−フェニルスチリル基、ジフェニルアミノフェニル基、ジトリルアミノフェニル基等。
Ar、Ar及びArで表される置換若しくは無置換のアリーレン基としては、Ar、Ar、Ar及びArで表されるアリール基から誘導される2価基が挙げられる。
Xにおいて、アルキレン基は、通常、C〜C12、好ましくは、C〜C、さらに好ましくは、C〜Cの直鎖又は分岐鎖のアルキレン基であり、アルキレン基は、フルオロ基、水酸基、シアノ基、C〜Cのアルコキシ基、フェニル基又はハロゲン基、C〜Cのアルキル基若しくはC〜Cのアルコキシ基で置換されたフェニル基等の置換基を有していてもよい。具体的には、メチレン基、エチレン基、n−ブチレン基、イソプロピレン基、t−ブチレン基、s−ブチレン基、n−プロピレン基、トリフルオロメチレン基、2−ヒドロキエチレン基、2−エトキシエチレン基、2−シアノエチレン基、2−メトキシエチレン基、ベンジリデン基、フェニルエチレン基、4−クロロフェニルエチレン基、4−メチルフェニルエチレン基、4−ビフェニルエチレン基等が挙げられる。
Xにおいて、シクロアルキレン基は、通常、C〜Cのシクロアルキレン基であり、シクロアルキレン基は、フルオロ基、水酸基、C〜Cのアルキル基、C〜Cのアルコキシ基等の置換基を有していてもよい。具体的には、シクロヘキシリデン基、シクロへキシレン基、3,3−ジメチルシクロヘキシリデン基等が挙げられる。
Xにおいて、オキシアルキレン基としては、オキシエチレン基、オキシプロピレン基、エチレンジオキシ基、プロピレンジオキシ基又はジエチレングリコール、テトラエチレングリコール若しくはトリプロピレングリコールの水酸基をオキシ基に変換した2価基を表し、オキシアルキレン基は、ヒドロキシル基、メチル基、エチル基等の置換基を有していてもよい。
Xにおいて、ビニレン基は、一般式
Figure 0004741413
(式中、Rは、水素、アルキル基又はアリール基を表し、aは、1又は2を表し、bは、1〜3の整数を表す。)
で表される。アルキル基としては、上記(2)と同様のアルキル基が挙げられ、アリール基としては、Ar、Ar、Ar及びArと同様のアリール基が挙げられる。
及びZにおいて、アルキレン基としては、Xと同様のアルキレン基が挙げられる。
及びZにおいて、オキシアルキレン基としては、Xと同様のオキシアルキレン基が挙げられる。
及びZにおいて、アルキレンオキシカルボニル基としては、カプロラクトン由来の2価基が挙げられる。
本発明において、電荷輸送性構造を有する1官能のラジカル重合性モノマーは、一般式(6)
Figure 0004741413
(式中、R26は、水素原子又はメチル基を表し、R27及びR28は、それぞれ独立に、炭素数が1以上6以下のアルキル基を表す。Zは、単結合、メチレン基、エチレン基、
Figure 0004741413
を表す。o、p及びqは、それぞれ独立に、0又は1を表し、s及びtは、それぞれ独立に、0以上3以下の整数を表す。)
で表される化合物を含有することがさらに好ましい。R27及びR28は、メチル基及びエチル基が特に好ましい。
一般式(4)、(5)、(6)で表される化合物は、炭素−炭素間の二重結合が両側に開放されて重合するため、末端構造とはならず、連鎖重合体中に組み込まれる。このとき、一般式(4)、(5)、(6)で表される化合物は、電荷輸送性構造を有さない3官能以上のラジカル重合性モノマーとの重合で形成された架橋構造中では、高分子の主鎖中及び主鎖−主鎖間の架橋鎖中に存在する。なお、架橋鎖には、1つの高分子と他の高分子が架橋されている分子間架橋鎖と、1つの高分子内で折り畳まれた状態の主鎖のある部位と、主鎖中でこの部位から離れた他の部位が架橋されている分子内架橋鎖がある。主鎖及び架橋鎖から懸下するトリアリールアミン構造は、窒素原子から放射状に配置される少なくとも3個のアリール基を有するため、嵩高いが、主鎖及び架橋鎖に直接結合しておらず、カルボニル基等を介して懸下されており、立体的位置取りに融通性のある状態で固定されている。このため、トリアリールアミン構造は、重合体中で相互に程よく隣接する空間配置が可能であり、分子内の構造的歪みが少なく、保護層において、電荷輸送経路の断絶を比較的免れた分子内構造を採りうるものと推測される。
電荷輸送性構造を有する1官能のラジカル重合性モノマーの具体例を以下に示すが、これらの構造の化合物に限定されるものではない。
Figure 0004741413
Figure 0004741413
Figure 0004741413
Figure 0004741413
Figure 0004741413
Figure 0004741413
Figure 0004741413
Figure 0004741413
Figure 0004741413
Figure 0004741413
Figure 0004741413
Figure 0004741413
本発明において、電荷輸送性構造を有する1官能のラジカル重合性モノマーは、保護層の電荷輸送性能を付与するために重要であり、添加量は、保護層に対して、通常、20〜80重量%である。添加量が20重量%未満では、保護層の電荷輸送性能が不十分となり、繰り返しの使用で感度の低下、残留電位の上昇等の電気特性の劣化が発生することがある。また、添加量が80重量%を超えると、電荷輸送性構造を有さない3官能以上のラジカル重合性モノマーの含有量が低下して、架橋密度が低下し、耐摩耗性が低下することがある。使用されるプロセスによって要求される電気特性や耐摩耗性が異なり、それに伴い、保護層の膜厚も異なるため、一概には言えないが、両特性のバランスを考慮すると、添加量は、30〜70重量であることが好ましい。
本発明において、保護層は、少なくとも電荷輸送性構造を有さない3官能以上のラジカル重合性モノマーと、電荷輸送性構造を有する1官能のラジカル重合性モノマーを硬化することにより形成されているが、これ以外に、塗工時の粘度調整、保護層の応力緩和、表面エネルギーの低下、摩擦係数の低減等の機能を付与する目的で、1官能及び2官能のラジカル重合性モノマー、機能性モノマー並びにラジカル重合性オリゴマーを併用することができる。ラジカル重合性モノマー及びオリゴマーとしては、公知のものが利用できる。
1官能のラジカル重合性モノマーとしては、例えば、アクリル酸2−エチルヘキシル、アクリル酸2−ヒドロキシエチル、アクリル酸2−ヒドロキシプロピル、アクリル酸テトラヒドロフルフリル、2−エチルヘキシルカルビトールアクリレート、アクリル酸3−メトキシブチル、アクリル酸ベンジル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸イソアミル、アクリル酸イソブチル、メトキシトリエチレングリコールアクリレート、フェノキシテトラエチレングリコールアクリレート、アクリル酸セチル、アクリル酸イソステアリル、アクリル酸ステアリル、スチレン等が挙げられる。
2官能のラジカル重合性モノマーとしては、例えば、1,3−ブタンジオールジアクリレート、1,4−ブタンジオールジアクリレート、1,4−ブタンジオールジメタクリレート、1,6−ヘキサンジオールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオールジメタクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、EO変性ビスフェノールAジアクリレート、EO変性ビスフェノールFジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート等が挙げられる。
機能性モノマーとしては、例えば、アクリル酸オクタフルオロペンチル、アクリル酸2−パーフルオロオクチルエチル、メタクリル酸2−パーフルオロオクチルエチル、アクリル酸2−パーフルオロイソノニルエチル等のフッ素原子を置換したもの、特公平5−60503号公報、特公平6−45770号公報記載のシロキサン繰り返し単位が20〜70のアクリロイルポリジメチルシロキサンエチル、メタクリロイルポリジメチルシロキサンエチル、アクリロイルポリジメチルシロキサンプロピル、アクリロイルポリジメチルシロキサンブチル、ジアクリロイルポリジメチルシロキサンジエチル等のポリシロキサン基を有するビニルモノマー、アクリレート及びメタクリレートが挙げられる。
ラジカル重合性オリゴマーとしては、例えば、エポキシアクリレート系、ウレタンアクリレート系、ポリエステルアクリレート系オリゴマーが挙げられる。
但し、1官能及び2官能のラジカル重合性モノマー、機能性モノマー並びにラジカル重合性オリゴマーを多量に添加すると、保護層の架橋密度が低下して、耐摩耗性が低下することがある。このため、これらの添加量は、電荷輸送性構造を有さない3官能以上のラジカル重合性モノマー100重量部に対して、通常、50重量部以下であり、30重量部以下が好ましい。
本発明において、保護層は、少なくとも電荷輸送性構造を有さない3官能以上のラジカル重合性モノマーと、電荷輸送性構造を有する1官能のラジカル重合性モノマーを硬化することにより形成されているが、硬化反応を効率よく進行させるために、必要に応じて、保護層塗布液中に重合開始剤を添加してもよい。
熱重合開始剤としては、2,5−ジメチルヘキサン−2,5−ジヒドロパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、t−ブチルクミルパーオキサイド、2,5−ジメチル−2,5−ビス(パーオキシベンゾイル)ヘキシン−3、ジ−t−ブチルパーオキサイド、t−ブチルヒドロパーオキサイド、クメンヒドロパーオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、2,2−ビス(4,4−ジ−t−ブチルパーオキシシクロヘキシル)プロパン等の過酸化物系開始剤、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスシクロヘキサンカルボニトリル、アゾビスイソ酪酸メチル、アゾビスイソブチルアミジン塩酸塩、4,4’−アゾビス(4−シアノ吉草酸)等のアゾ系開始剤が挙げられる。
光重合開始剤としては、ジエトキシアセトフェノン、2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オン、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ケトン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)ブタノン−1、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン、2−メチル−1−(4−メチルチオフェニル)−2−モルフォリノプロパン−1−オン、1−フェニル−1,2−プロパンジオン−2−(o−エトキシカルボニル)オキシム等のアセトフェノン系又はケタール系光重合開始剤、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル等のベンゾインエーテル系光重合開始剤、ベンゾフェノン、4−ヒドロキシベンゾフェノン、o−ベンゾイル安息香酸メチル、2−ベンゾイルナフタレン、4−ベンゾイルビフェニル、4−ベンゾイルフェニールエーテル、アクリル化ベンゾフェノン、1,4−ベンゾイルベンゼン等のベンゾフェノン系光重合開始剤、2−イソプロピルチオキサントン、2−クロロチオキサントン、2,4−ジメチルチオキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン、2,4−ジクロロチオキサントン等のチオキサントン系光重合開始剤等が挙げられる。その他の光重合開始剤としては、エチルアントラキノン、2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド、2,4,6−トリメチルベンゾイルフェニルエトキシホスフィンオキサイド、ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)フェニルホスフィンオキサイド、ビス(2,4−ジメトキシベンゾイル)−2,4,4−トリメチルペンチルホスフィンオキサイド、メチルフェニルグリオキシエステル、9,10−フェナントレン、アクリジン系化合物、トリアジン系化合物、イミダゾール系化合物等が挙げられる。
また、トリエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、4−ジメチルアミノ安息香酸エチル、4−ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、安息香酸2−ジメチルアミノエチル、4,4’−ジメチルアミノベンゾフェノン等の光重合促進効果を有するものを単独又は光重合開始剤と併用して用いることもできる。
これらの重合開始剤は、単独又は2種以上混合して用いてもよい。重合開始剤の添加量は、ラジカル重合性を有する化合物の総量100重量部に対して、通常、0.5〜40重量部であり、1〜20重量部が好ましい。
本発明において、保護層塗布液は、必要に応じて、各種可塑剤(応力緩和や接着性向上の目的)、レベリング剤、ラジカル重合性を有さない電荷輸送材料等の添加剤を含有することができる。これらの添加剤は、公知のものを用いることができ、可塑剤としては、フタル酸ジブチル、フタル酸ジオクチル等の一般の樹脂に用いられているものが挙げられ、その添加量は、塗布液の総固形分に対して、通常、20重量%以下であり、10重量%以下が好ましい。また、レベリング剤としては、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル等のシリコーンオイル類、側鎖にパーフルオロアルキル基を有するポリマー又はオリゴマーが挙げられ、その添加量は、塗布液の総固形分に対して、通常、3重量%以下である。
保護層は、少なくとも電荷輸送性構造を有さない3官能以上のラジカル重合性モノマーと、電荷輸送性構造を有する1官能のラジカル重合性モノマーを含有する塗布液を、感光層又は電荷輸送層上に塗布、硬化することにより形成することができる。塗布液は、ラジカル重合性モノマーが液体である場合、これに他の成分を溶解させて用いることも可能であるが、必要に応じて、溶媒で希釈して塗布される。溶媒としては、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等のアルコール系、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系、テトラヒドロフラン、ジオキサン、プロピルエーテル等のエーテル系、ジクロロメタン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、クロロベンゼン等のハロゲン系、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、酢酸セロソルブ等のセロソルブ系等が挙げられる。これらの溶媒は、単独又は2種以上を混合して用いることができる。溶媒による希釈率は、組成物の溶解性、塗工法、目的とする膜厚により変わり、任意である。塗布方法としては、浸漬塗工法やスプレーコート法、ビードコート法、リングコート法等が挙げられる。
本発明においては、保護層塗布液を塗布した後、外部エネルギーを与えて硬化させることにより、保護層を形成することができるが、外部エネルギーとしては、熱、光、放射線等が挙げられる。
熱エネルギーを加える方法としては、空気、窒素等の気体、蒸気、各種熱媒体、赤外線、電磁波等を用いて、塗工表面側又は導電性支持体側から加熱する方法が挙げられる。加熱温度は、100〜170℃であることが好ましく、100℃未満では、反応速度が遅く、硬化反応の収率が不十分となることがある。また、170℃を超えると、硬化反応が不均一に進行し、保護層中に大きな歪みや多数の未反応残基、反応停止末端が発生することがある。なお、硬化反応を均一に進行させるために、100℃未満の温度で加熱した後、さらに、100℃以上に加温し、反応させる方法も有効である。
光エネルギーとしては、主に紫外光領域に発光波長を有する高圧水銀灯、メタルハライドランプ等のUV照射光源が利用できるが、ラジカル重合性モノマーや光重合開始剤の吸収波長に合わせて可視光光源を選択することも可能である。照射光量は、通常、50mW/cm以上であり、500mW/cm以上が好ましく、1000mW/cm以上がさらに好ましい。光量が1000mW/cm以上の光を照射することで、重合反応の進行速度が大幅に速くなり、より均一な保護層を形成することが可能となる。光量が50mW/cm未満の光を照射すると、反応の進行が不均一となり、保護層の表面に局部的な皺が発生したり、多数の未反応残基、反応停止末端が生じたりすることがある。また、急激な硬化により、内部応力が大きくなり、クラックや膜剥がれの原因となることがある。
放射線エネルギーとしては、電子線が挙げられる。
これらのエネルギーの中で、反応速度制御の容易さ、装置の簡便さから熱及び光のエネルギーを用いることが有用である。
本発明において、保護層の膜厚は、1〜10μmであることが好ましく、2〜8μmがさらに好ましい。膜厚が10μmより厚い場合、クラックや膜剥がれが発生しやすくなることがあり、8μm以下ではその余裕度がさらに向上するため、架橋密度を高くすることが可能であり、さらに耐摩耗性を高める材料選択や硬化条件の設定が可能となる。一方、ラジカル重合反応は、酸素阻害を受けやすく、すなわち、大気に接した表面では、酸素によるラジカルトラップの影響で架橋が進まず、不均一になりやすい。この影響が顕著に現れるのは、表層1μm未満の場合であり、膜厚が1μm未満の保護層は、耐摩耗性の低下や不均一な摩耗が起こりやすい。また、保護層塗工時において、下層の感光層又は電荷輸送層の成分の混入が生じた場合に、特に、保護層の膜厚が薄いと、保護層全体に混入物が拡がり、硬化反応の阻害や架橋密度の低下をもたらす。これらの理由から、保護層の膜厚が1μm以上で、良好な耐摩耗性、耐傷性を有するが、繰り返しの使用において、局部的に下層の感光層又は電荷輸送層まで削れた部分が露出すると、その部分の摩耗が増加し、帯電性や感度変動から中間調画像の濃度むらが発生しやすい。従って、さらなる長寿命、高画質化のためには、保護層の膜厚は、2μm以上であることが好ましい。
本発明の感光体は、感光層(電荷発生層、電荷輸送層)、保護層を順次積層した構成において、最表面の保護層が有機溶媒に対して、不溶性である場合、飛躍的な耐摩耗性、耐傷性が達成されることを特徴としている。有機溶媒に対する溶解性を試験する方法としては、感光体の保護層上に高分子物質に対する溶解性の高い有機溶媒、例えば、テトラヒドロフラン、ジクロロメタン等を1滴滴下し、自然乾燥後に感光体の表面形状の変化を実体顕微鏡で観察する方法が挙げられる。溶解性が高い感光体は、液滴の中心部分が凹状になり周囲が逆に盛り上がる現象、電荷輸送材料が析出し結晶化による白濁や曇りが生じる現象、表面が膨潤し、その後収縮することで皺が発生する現象等の変化が見られる。これに対し、不溶性の感光体は、上記のような現象が見られず、滴下前と全く変化がない。
本発明において、保護層を有機溶媒に対して、不溶性にする方法としては、保護層塗布液の組成物及びそれらの含有割合の調整、保護層塗布液の希釈溶媒、固形分濃度の調整、保護層の塗工方法の選択、保護層の硬化条件の制御、下層の感光層又は電荷輸送層の難溶解性化等が挙げられる。
保護層塗布液の組成物として、電荷輸送性構造を有さない3官能以上のラジカル重合性モノマー及び電荷輸送性構造を有する1官能のラジカル重合性モノマー以外に、ラジカル重合性官能基を有さない結着樹脂、酸化防止剤、可塑剤等の添加剤を多量に添加すると、架橋密度の低下、反応により生じた硬化物と上記添加物との相分離が生じ、有機溶媒に対する溶解性が向上することがある。具体的には、塗布液の総固形分に対して、添加剤の総含有量を20重量%以下にすることが重要である。また、架橋密度を低下させないために、1官能及び2官能のラジカル重合性モノマー、機能性モノマー並びにラジカル重合性オリゴマーの総添加量を、電荷輸送性構造を有さない3官能以上のラジカル重合性モノマーに対して、20重量%以下にすることが好ましい。さらに、電荷輸送性構造を有する2官能以上のラジカル重合性モノマーを多量に添加すると、嵩高い構造体が複数の結合により架橋構造中に固定されるため、歪みを生じやすく、微小な硬化物の集合体となりやすい。このことが原因で有機溶媒に対して、可溶性となることがある。化合物構造によって異なるが、電荷輸送性構造を有する2官能以上のラジカル重合性モノマーの添加量は、電荷輸送性構造を有する1官能のラジカル重合性モノマーに対して、10重量%以下であることが好ましい。
保護層塗布液の希釈溶媒として、蒸発速度の遅い溶媒を用いた場合、残留する溶媒が硬化の妨げとなったり、下層成分の混入量を増加させたりし、不均一硬化や硬化密度の低下をもたらすことがある。このため、有機溶媒に対し、可溶性となりやすい。希釈溶媒としては、テトラヒドロフラン、テトラヒドロフランとメタノール混合溶媒、酢酸エチル、メチルエチルケトン、エチルセロソルブ等が有用であるが、塗工法と合わせて選択される。また、固形分濃度に関しては、同様な理由で低すぎる場合、有機溶媒に対して、可溶性となりやすい。逆に、膜厚、塗布液の粘度の制限から、上限濃度の制約を受ける。具体的には、固形分濃度は、10〜50重量%であることが好ましい。保護層の塗工方法としては、同様な理由で、塗工膜形成時の溶媒含有量、溶媒との接触時間を少なくする方法が好ましく、具体的には、スプレーコート法、塗工液量を規制したリングコート法が好ましい。また、下層成分の混入量を抑えるためには、電荷輸送層として、高分子電荷輸送物質を用いること、感光層(又は電荷輸送層)と保護層の間に、保護層の塗工溶媒に対して、不溶性の中間層を設けることも有効である。
保護層の硬化条件としては、加熱又は光照射のエネルギーが低いと、硬化反応の収率が低下し、有機溶媒に対する溶解性が高くなることがある。逆に、非常に高いエネルギーにより硬化させた場合、硬化反応が不均一となり、未架橋部やラジカル停止部の増加や微小な硬化物の集合体となりやすい。このため、有機溶媒に対して、溶解性となることがある。有機溶媒に対して、不溶性化するには、熱硬化の条件は、100〜170℃で、10分〜3時間であることが好ましく、UV光照射による硬化条件は、50W/cm以上、好ましくは、500mW/cm以上、さらに好ましくは、1000mW/cm以上で、5秒〜5分で、温度上昇を10℃以上に制御し、不均一な硬化反応を抑えることが好ましい。
本発明の感光体を構成する保護層を有機溶媒に対して、不溶性にする方法について例示する。例えば、塗布液として、アクリロイルオキシ基を3個有するアクリレートモノマーと、アクリロイルオキシ基を1個有するトリアリールアミン化合物を使用する場合、これらの使用割合は7:3〜3:7であり、また、重合開始剤をモノマー全量に対して、3〜20重量%添加し、さらに溶媒を加えて塗布液を調製する。例えば、保護層の下層となる電荷輸送層において、電荷輸送材料として、トリアリールアミン系ドナー及び結着樹脂として、ポリカーボネートを使用し、表面層をスプレー塗布により形成する場合、塗布液の溶媒としては、テトラヒドロフラン、2−ブタノン、酢酸エチル等が好ましく、その使用量は、モノマー全量に対して、3〜10倍量であることが好ましい。
次に、例えば、アルミシリンダー等の導電性支持体上に、中間層、電荷発生層、上記の電荷輸送層を順次積層した感光体上に、上記の塗布液をスプレー等により塗布する。その後、自然乾燥又は比較的低温で短時間乾燥し(25〜80℃で1〜10分間)、UV照射又は加熱して硬化させる。
UV照射の場合、メタルハライドランプ等を用いることができるが、照度は、通常、50W/cm以上であり、500mW/cm以上が好ましく、1000mW/cm以上がさらに好ましく、照射時間は、5秒〜5分であることが好ましく、温度上昇は、10℃以上になるように制御する。
熱硬化の場合、加熱温度は、100〜170℃であることが好ましく、例えば、加熱手段として、送風型オーブンを用い、加熱温度を150℃に設定した場合、加熱時間は、20分〜3時間であることが好ましい。
硬化終了後は、さらに残留溶媒を低減させるため、100〜150℃で10分〜30分間加熱して、本発明の感光体を得ることができる。
次に、図面を用いて、本発明の画像形成装置を詳しく説明する。
図4は、本発明の画像形成装置の一例を示す図であり、後述する変形例も本発明の範疇に属するものである。
図4において、感光体21は、本発明の感光体である。感光体21は、ドラム状の形状を示しているが、シート状、エンドレスベルト状のものであってもよい。帯電ローラ23、転写前チャージャ26、転写チャージャ29、分離チャージャ30、クリーニング前チャージャ32には、コロトロン、スコロトロン、固体帯電器(ソリッド・ステート・チャージャー)、帯電ローラ、転写ローラ等の公知の手段が用いられる。
これらの、帯電方式のうち、特に、接触帯電方式又は非接触の近接帯電方式が好ましい。接触帯電方式は、帯電効率が高く、オゾン発生量が少ないこと、装置の小型化が可能であること等の利点がある。接触帯電方式の帯電部材とは、感光体の表面に帯電部材の表面が接触するタイプのものであり、帯電ローラ、帯電ブレード、帯電ブラシの形状がある。中でも、帯電ローラや帯電ブラシが良好に使用される。
また、近接帯電方式の帯電部材とは、感光体の表面と帯電部材の表面の間に、200μm以下の空隙(ギャップ)を有するように非接触状態で近接配置したタイプのものである。空隙の距離から、コロトロン、スコロトロンに代表される公知の帯電器とは区別されるものである。近接帯電方式の帯電部材は、感光体の表面との空隙を適切に制御できる機構のものであれば、形状は、特に限定されない。例えば、感光体の回転軸と帯電部材の回転軸を機械的に固定して、適正ギャップを有するような配置にすればよい。中でも、帯電ローラ23を用い、帯電ローラ23の非画像形成領域41に対向する両端にギャップ形成部材23aを配置して、この部分のみを感光体21の表面に当接させ、画像形成領域42を非接触配置させる構成(図5参照)又は感光体の両端の非画像形成領域にギャップ形成部材を配置して、この部分のみを帯電部材の表面に当接させ、画像形成領域を非接触配置させる構成により、簡便な方法でギャップを安定して維持できる。特に、特開2002−148904号、特開2002−148905号に記載された方法は、良好に使用できる。このような方式は、帯電効率が高く、オゾン発生量が少ないこと、装置の小型化が可能であること、さらには、トナー等による汚れが少ないこと、接触による機械的摩耗が少ないこと等の利点を有していることから良好に使用される。さらに、印加方式としては、帯電ムラが生じにくい等の利点があるため、交流重畳が良好に使用できる。
一般に、このような帯電部材を用いて、感光体に帯電が施されるが、感光体に起因する地汚れの発生を抑制するため、感光体に印加する電界強度は、通常、40V/μm以下であり、好ましくは、30V/μm以下に設定される。これは、地汚れの発生が電界強度に依存し、電界強度が上昇すると、地汚れの発生確率が上昇するためである。しかしながら、感光体に印加する電界強度を低下させることにより、光キャリアの発生効率を低下させ、光感度を低下させる。また、感光体の表面と導電性支持体との間に印加される電界強度が低下するため、感光層で生成する光キャリアの直進性が低下し、クローン反発による拡散が大きくなり、結果として、解像度が低下する。一方、本発明の感光体を用いることにより、地汚れの発生確率を低下させることができるため、電界強度を必要以上に低下させる必要はなくなり、40V/μm以上の電界強度下でも使用できるようになる。このため、感光体の光減衰におけるゲイン量を十分に確保でき、後述の現像(ポテンシャル)に対しても大きな余裕度を生み出し、解像度も低下させることなく現像できるようになる。
また、露光部24には、発光ダイオード(LED)、半導体レーザー(LD)、エレクトロルミネッセンス(EL)等の高輝度を確保できる光源が使用される。
除電ランプ22等の光源には、蛍光灯、タングステンランプ、ハロゲンランプ、水銀灯、ナトリウム灯、発光ダイオード(LED)、半導体レーザー(LD)、エレクトロルミネッセンス(EL)等の発光物全般を用いることができる。そして、所望の波長域の光のみを照射するために、シャープカットフィルター、バンドパスフィルター、近赤外カットフィルター、ダイクロイックフィルター、干渉フィルター、色温度変換フィルター等の各種フィルターを用いることもできる。
これらの光源のうち、発光ダイオード及び半導体レーザーは、照射エネルギーが高く、また、600〜800nmの長波長光を有するため、電荷発生材料であるフタロシアニン顔料が高感度を示すことから良好に使用される。このような光源等は、露光工程の他に、光照射を併用した転写工程、除電工程、クリーニング工程、前露光等の工程に用いてもよい。
現像ユニット25により感光体21上に現像されたトナーは、レジストローラ27により、感光体21上への画像形成とタイミングを合わせて送られた転写紙29に転写され、分離爪31により、転写紙29が分離される。このとき、感光体21上のトナーは、全部が転写されるわけではなく、感光体21上に残存するトナーも生じる。このようなトナーは、クリーニングブラシ33及びクリーニングブレード34により、感光体21から除去される。クリーニングは、クリーニングブラシ33だけで行われることもあり、クリーニングブラシ33としては、ファーブラシ、マグファーブラシを始めとする公知のものが用いられる。
感光体に正(又は負)帯電を施し、露光を行うと、感光体の表面上には、正(又は負)の静電潜像が形成される。これを負(又は正)極性のトナー(検電微粒子)で現像すれば、ポジ画像が得られ、また、正(又は負)極性のトナーで現像すれば、ネガ画像が得られる。このような現像装置には、公知の方法が適用され、また、除電装置にも公知の方法が適用される。
図6には、本発明の画像形成装置の他の例を示す。感光体41は、本発明の感光体である。感光体41は、駆動ローラ42a及び42bにより駆動され、帯電チャージャ43による帯電、光源44による像露光、現像(図示せず)、転写チャージャ45による転写、光源46によるクリーニング前露光、クリーニングブラシ47によるクリーニング、光源48による除電露光が繰り返し行われる。
以上の図示した画像形成プロセスは、本発明における実施形態を例示するものであって、他の実施形態も可能である。例えば、図6において、支持体側よりクリーニング前露光を行っているが、これは感光層側から行ってもよいし、また、除電光の照射を支持体側から行ってもよい。
一方、光照射工程は、像露光、クリーニング前露光及び除電露光が図示されているが、この他に、転写前露光、像露光のプレ露光及びその他公知の光照射工程を設けて、感光体に光照射を行うこともできる。
図7は、本発明の画像形成装置の他の例を示す図であり、タンデム方式を採用している。なお、下記するような変形例も本発明の範疇に属するものである。
図7において、感光体51C、51M、51Y及び51Kは、本発明の感光体である。
感光体51C、51M、51Y及び51Kは、図中の矢印方向に回転し、その周りに少なくとも回転順に帯電部材52C、52M、52Y及び52K、現像部材54C、54M、54Y及び54K、クリーニング部材55C、55M、55Y及び55Kが配置されている。帯電部材52は、感光体51の表面を均一に帯電するための帯電装置を構成する部材である。帯電部材52C、52M、52Y及び52Kと、現像部材54C、54M、54Y及び54Kの間の、感光体51C、51M、51Y及び51Kの表面側より、図示しない露光部材からのレーザー光53C、53M、53Y及び53Kが照射され、感光体51に静電潜像が形成されるようになっている。そして、このような感光体51C、51M、51Y及び51Kを中心とした4つの画像形成要素56C、56M、56Y及び56Kが、転写材搬送手段である転写搬送ベルト60に沿って並置されている。転写搬送ベルト60は、各画像形成ユニット56の現像部材54とクリーニング部材55の間で感光体51に当接している。転写搬送ベルト60の感光体51C、51M、51Y及び51K側の反対側の面(裏面)には、転写バイアスを印加するための転写ブラシ61C、61M、61Y及び61Kが配置されている。各画像形成要素56C、56M、56Y及び56Kは、現像に用いられるトナーの色が異なること以外は、同様の構成となっている。
図7に示す画像形成装置において、画像形成動作は、次のようにして行われる。まず、各画像形成要素56において、感光体51は、矢印方向(感光体51と連れ周り方向)に回転する帯電部材52により帯電され、次に、感光体51の外側に配置された露光部(図示しない)でレーザー光53により、作成する各色の画像に対応した静電潜像が形成される。次に、現像部材54により潜像を現像してトナー像が形成される。現像部材54C、54M、54Y及び54Kは、それぞれC(シアン)、M(マゼンタ)、Y(イエロー)及びK(ブラック)のトナーで現像を行う現像部材であり、4つの感光体51C、51M、51Y及び51K上で作られた各色のトナー像は、転写紙57上で重ねられる。転写紙57は、給紙コロ58によりトレイから送り出され、一対のレジストローラ59で一旦停止し、感光体51上への画像形成とタイミングを合わせて転写搬送ベルト60に送られる。転写搬送ベルト60上に保持された転写紙57は、搬送されて、各感光体51との当接位置(転写部)で各色のトナー像の転写が行われる。感光体51上のトナー像は、転写ブラシ61に印加された転写バイアスと感光体51の電位差から形成される電界により、転写紙57上に転写される。そして4つの転写部を通過して4色のトナー像が重ねられた転写紙57は、定着装置62に搬送され、トナーが定着されて、図示しない排紙部に排紙される。また、転写部で転写されずに各感光体51上に残ったトナーは、クリーニング装置55で回収される。なお、図7では、画像形成要素は、転写紙57の搬送方向の上流側から下流側に向けて、C(シアン)、M(マゼンタ)、Y(イエロー)及びK(ブラック)の色の順で並んでいるが、この順番に限るものでは無く、色順は、任意に設定されるものである。また、K(ブラック)のみの原稿を作成する際に、K(ブラック)以外の画像形成要素56C、56M及び56Yが停止するような機構を設けることは、本発明において、特に有効に利用できる。さらに、図7において、帯電部材52は、感光体51と当接しているが、図5に示したように、両者の間に、ギャップを設けることにより、両者の摩耗量が低減できると共に、帯電部材52へのトナーのフィルミングを低減することができる。このとき、ギャップは、通常、10〜200μmである。
以上に示すような画像形成手段は、複写装置、ファクシミリ、プリンター等の画像形成装置内に固定して組み込まれていてもよいが、プロセスカートリッジの形で画像形成装置内に着脱自在に組み込まれていてもよい。プロセスカートリッジとは、感光体を内蔵し、帯電装置、露光装置、現像装置、転写装置、クリーニング装置、除電装置等をさらに有する1つの装置(部品)であるが、本発明において、プロセスカートリッジの形状等は、特に限定されない。図8に、本発明のプロセスカートリッジの一例を示す。このプロセスカートリッジは、感光体61、帯電ローラ62、露光部63、現像ローラ64、転写ローラ65、クリーニングブラシ66を一体に支持し、感光体61は、本発明の感光体である。
以下、実施例により本発明について詳細に説明するが、本発明は、下記実施例に何ら限定されるものではない。なお、部は、重量部を意味する。
(構造式(1−A)で表される電子輸送材料の合成)
(第一工程)
200ml4つ口フラスコに、1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物5.0g(18.6mmol)、DMF50mlを入れ、加熱還流させた。これに、2−アミノペンタン1.62g(18.6mmol)とDMF25mlの混合物を攪拌しながら滴下した。滴下終了後、6時間加熱還流させた。反応終了後、容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣にトルエンを加え、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した。さらに、回収品をトルエン/ヘキサン混合溶媒により再結晶し、モノイミド体Eを3.49g(収率45.8%)得た。
(第二工程)
100ml4つ口フラスコに、3.0g(7.33mmol)のモノイミド体E、1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物0.983g(3.66mmol)、ヒドラジン一水和物0.368g(7.33mmol)、p−トルエンスルホン酸10mg、トルエン50mlを入れ、5時間加熱還流させた。反応終了後、容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで2回精製した。さらに、回収品をトルエン/酢酸エチル混合溶媒により再結晶し、構造式(1−A)で表される電子輸送材料0.939g(収率13.7%)を得た。質量分析(FD−MS)において、M/z=934のピークが観測されたことにより目的物であると同定した。元素分析は、計算値が炭素66.81%、水素3.67%、窒素8.99%であるのに対し、実測値は、炭素66.92%、水素3.74%、窒素9.05%であった。
(構造式(2−A)で表される電子輸送材料の合成)
(第一工程)
200ml4つ口フラスコに、1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物5.0g(18.6mmol)、DMF50mlを入れ、加熱還流させた。これに、2−アミノヘプタン2.14g(18.6mmol)とDMF25mlの混合物を攪拌しながら滴下した。滴下終了後、6時間加熱還流させた。反応終了後、容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣にトルエンを加え、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した。さらに、回収品をトルエン/ヘキサン混合溶媒により再結晶し、モノイミド体Aを2.14g(収率31.5%)得た。
(第二工程)
100ml4つ口フラスコに、2.0g(5.47mmol)のモノイミド体A、ヒドラジン一水和物0.137g(2.73mmol)、p−トルエンスルホン酸10mg、トルエン50mlを入れ、5時間加熱還流させた。反応終了後、容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した。さらに、回収品をトルエン/酢酸エチル混合溶媒により再結晶し、構造式(2−A)で表される電子輸送材料0.668g(収率33.7%)を得た。質量分析(FD−MS)において、M/z=726のピークが観測されたことにより目的物であると同定した。元素分析は、計算値が炭素69.41%、水素5.27%、窒素7.71%であるのに対し、実測値は、炭素69.52%、水素5.09%、窒素7.93%であった。
(構造式(2−B)で表される電子輸送材料の合成)
(第一工程)
200ml4つ口フラスコに、1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物10g(37.3mmol)、ヒドラジン一水和物0.931g(18.6mmol)、p−トルエンスルホン酸20mg、トルエン100mlを入れ、5時間加熱還流させた。反応終了後、容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した。さらに、回収品をトルエン/酢酸エチル混合溶媒により再結晶し、二量体Cを2.84g(収率28.7%)得た。
(第二工程)
100ml4つ口フラスコに、2.5g(4.67mmol)の二量体C、DMF30mlを入れ、加熱還流させた。これに、2−アミノプロパン0.278g(4.67mmol)とDMF10mlの混合物を攪拌しながら滴下した。滴下終了後、6時間加熱還流させた。反応終了後、反応容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣にトルエンを加え、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、モノイミド体Cを0.556g(収率38.5%)得た。
(第三工程)
50ml4つ口フラスコに、0.50g(1.62mmol)のモノイミド体C、DMF10mlを入れ、加熱還流させた。これに、2−アミノヘプタン0.186g(1.62mmol)とDMF5mlの混合物を攪拌しながら滴下した。滴下終了後、6時間加熱還流させた。反応終了後、反応容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣にトルエンを加え、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した。さらに、回収品をトルエン/ヘキサン混合溶媒により再結晶し、構造式(2−B)で表される電子輸送材料0.243g(収率22.4%)を得た。質量分析(FD−MS)において、M/z=670のピークが観測されたことにより目的物であると同定した。元素分析は、計算値が炭素68.05%、水素4.51%、窒素8.35%であるのに対し、実測値は、炭素68.29%、水素4.72%、窒素8.33%であった。
(構造式(2−C)で表される電子輸送材料の合成)
(第一工程)
200ml4つ口フラスコに、1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物5.0g(18.6mmol)、DMF50mlを入れ、加熱還流させた。これに、2−アミノプロパン1.10g(18.6mmol)とDMF25mlの混合物を攪拌しながら滴下した。滴下終了後、6時間加熱還流させた。反応終了後、反応容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣にトルエンを加え、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した。さらに、回収品をトルエン/ヘキサン混合溶媒により再結晶し、モノイミド体Bを2.08g(収率36.1%)得た。
(第二工程)
100ml4つ口フラスコに、2.0g(6.47mmol)のモノイミド体B、ヒドラジン一水和物0.162g(3.23mmol)、p−トルエンスルホン酸10mg、トルエン50mlを入れ、5時間加熱還流させた。反応終了後、容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した。さらに、回収品をトルエン/酢酸エチル混合溶媒により再結晶し、構造式(2−C)で表される電子輸送材料0.810g(収率37.4%)を得た。質量分析(FD−MS)において、M/z=614のピークが観測されたことにより目的物であると同定した。元素分析は、計算値が炭素66.45%、水素3.61%、窒素9.12%であるのに対し、実測値は、炭素66.28%、水素3.45%、窒素9.33%であった。
(構造式(2−D)で表される電子輸送材料の合成)
(第一工程)
200ml4つ口フラスコに、5.0g(9.39mmol)の二量体C、DMF50mlを入れ、加熱還流させた。これに、2−アミノヘプタン1.08g(9.39mmol)DMF25mlの混合物を攪拌しながら滴下した。滴下終了後、6時間加熱還流させた。反応終了後、反応容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣にトルエンを加え、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、モノイミド体Dを1.66g(収率28.1%)得た。
(第二工程)
100ml4つ口フラスコに、1.5g(2.38mmol)のモノイミド体D、DMF50mlを入れ、加熱還流させた。これに、2−アミノオクタン0.308g(2.38mmol)とDMF10mlの混合物を攪拌しながら滴下した。滴下終了後、6時間加熱還流させた。反応終了後、反応容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣にトルエンを加え、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した。さらに、回収品をトルエン/ヘキサン混合溶媒により再結晶し、構造式(2−D)で表される電子輸送材料0.328g(収率18.6%)を得た。質量分析(FD−MS)において、M/z=740のピークが観測されたことにより目的物であると同定した。元素分析は、計算値が炭素69.72%、水素5.44%、窒素7.56%であるのに対し、実測値は、炭素69.55%、水素5.26%、窒素7.33%であった。
(構造式(2−E)で表される電子輸送材料の合成)
(第一工程)
200ml4つ口フラスコに、5.0g(9.39mmol)の二量体C、DMF50mlを入れ、加熱還流させた。これに、2−アミノヘプタン1.08g(9.39mmol)DMF25mlの混合物を攪拌しながら滴下した。滴下終了後、6時間加熱還流させた。反応終了後、反応容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣にトルエンを加え、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、モノイミド体Dを1.66g(収率28.1%)得た。
(第二工程)
100ml4つ口フラスコに、1.5g(2.38mmol)のモノイミド体D、DMF50mlを入れ、加熱還流させた。これに、6−アミノウンデカン0.408g(2.38mmol)とDMF10mlの混合物を攪拌しながら滴下した。滴下終了後、6時間加熱還流させた。反応終了後、反応容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣にトルエンを加え、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した。さらに、回収品をトルエン/ヘキサン混合溶媒により再結晶し、構造式(2−E)で表される電子輸送材料0.276g(収率14.8%)を得た。質量分析(FD−MS)において、M/z=782のピークが観測されたことにより目的物であると同定した。元素分析は、計算値が炭素70.57%、水素5.92%、窒素7.16%であるのに対し、実測値は、炭素70.77%、水素6.11%、窒素7.02%であった。
(顔料合成例1)
特開2001−19871号公報に準じて、顔料を作製した。即ち、1,3−ジイミノイソインドリン29.2gとスルホラン200mlを混合し、窒素気流下でチタニウムテトラブトキシド20.4gを滴下する。滴下終了後、徐々に180℃まで昇温し、反応温度を170〜180℃の間に保ちながら5時間撹拌して反応を行った。反応終了後、放冷した後、析出物を濾過し、クロロホルムで粉体が青色になるまで洗浄した。次に、メタノールで数回洗浄し、さらに80℃の熱水で数回洗浄した後、乾燥し、粗チタニルフタロシアニンを得た。粗チタニルフタロシアニンを20倍量の濃硫酸に溶解し、100倍量の氷水に撹拌しながら滴下し、析出した結晶を濾過した。次に、洗浄液が中性になるまでイオン交換水(pH:7.0、比伝導度:1.0μS/cm)により水洗いを繰り返し、チタニルフタロシアニン顔料のウェットケーキ(水ペースト)を得た。なお、洗浄後のイオン交換水のpH値は、6.8であり、比伝導度は、2.6μS/cmであった。得られたウェットケーキ(水ペースト)40gを、テトラヒドロフラン(結晶変換溶媒)200g中に投入し、4時間攪拌を行った後、濾過を行い、乾燥して、チタニルフタロシアニン粉末を得た。これを顔料1とする。なお、ウェットケーキの固形分濃度は、15重量%であり、結晶変換溶媒は、ウェットケーキの固形分に対して、重量比で33倍の量を用いた。また、顔料合成例1の原材料には、ハロゲン含有化合物を使用していない。
得られたチタニルフタロシアニン粉末を、下記の条件によりX線回折スペクトル測定したところ、Cu−Kα線(波長1.542Å)に対するブラッグ角2θが27.2±0.2°に最大ピーク、7.3±0.2°に最低角のピークを有し、かつ、7.3°のピークと9.4°のピークの間にピークを有さず、さらに、26.3°にピークを有さないチタニルフタロシアニン粉末が得られた。図9に、チタニルフタロシアニン粉末のX線回折スペクトルを示す。
また、顔料合成例1で得られた水ペーストの一部を80℃の減圧下(5mmHg)で、2日間乾燥して、低結晶性チタニルフタロシアニン粉末を得た。図10に、低結晶性チタニルフタロシアニン粉末のX線回折スペクトルを示す。
(X線回折スペクトル測定条件)
X線管球:Cu
電圧:50kV
電流:30mA
走査速度:2°/分
走査範囲:3〜40°
時定数:2秒
(顔料合成例2)
顔料合成例1の方法に従って、チタニルフタロシアニン顔料の水ペーストを合成し、次のように結晶変換を行い、顔料合成例1よりも一次粒子径の小さいフタロシアニン結晶を得た。
特開2004−83859号公報の実施例1に準じて、顔料合成例1で得られた結晶変換前の水ペースト60部にテトラヒドロフラン400部を加え、室温下でホモミキサー(ケニス、MARKIIfモデル)を用いて、2000rpmで撹拌し、ペーストの濃紺色の色が淡い青色に変化したら(撹拌開始後20分)、撹拌を停止し、直ちに減圧濾過を行った。濾過装置上で得られた結晶をテトラヒドロフランで洗浄し、顔料のウェットケーキを得た。これを減圧下(5mmHg)、70℃で2日間乾燥して、チタニルフタロシアニン結晶8.5部を得た。これを顔料2とする。なお、ウェットケーキの固形分濃度は、15重量%であり、結晶変換溶媒は、ウェットケーキの固形分に対して、重量比で44倍の量を用いた。また、顔料合成例2の原材料には、ハロゲン含有化合物を使用していない。
顔料2は、顔料合成例1と同様の方法でX線回折スペクトルを測定した。その結果、顔料2のX線回折スペクトルは、顔料1のスペクトルと一致した。
(平均粒子サイズの測定)
顔料合成例1で作製された結晶変換前チタニルフタロシアニン(水ペースト)の一部をイオン交換水でおよそ1重量%になるように希釈し、表面を導電性処理した銅製のネットですくい取り、透過型電子顕微鏡H−9000NAR(日立製作所社製)を用いて、75000倍の倍率でチタニルフタロシアニンの観察を行った。平均粒子サイズは、以下のように求めた。
上述のように観察されたTEM像をTEM写真として撮影し、映し出されたチタニルフタロシアニン粒子(針状に近い形)を30個任意に選び出し、それぞれの長径の大きさを測定する。測定した30個体の長径の算術平均を求めて、平均粒子サイズとした。以上の方法により求められた顔料合成例1における水ペースト中の平均粒子サイズは、0.06μmであった。
また、顔料合成例1及び顔料合成例2における濾過直前の結晶変換後チタニルフタロシアニン結晶を、テトラヒドロフランでおよそ1重量%になるように希釈し、上の方法と同様に観察を行った。上記のようにして求めた平均粒子サイズを表1に示す。
Figure 0004741413
このとき、顔料合成例1においては、粒子サイズが0.3〜0.4μmの粒子を含んでいたが、顔料合成例2においては、粒子サイズは、ほぼ揃っていた。なお、顔料合成例1及び顔料合成例2で作製されたチタニルフタロシアニン結晶は、必ずしも全ての結晶の形が同一ではなかった(三角形に近い形、四角形に近い形等)。このため、結晶の最も大きな対角線の長さを長径として、計算を行った。
参考例1)
長さ340mm、直径30mmのアルミシリンダー(JIS1050)を導電性支持体とし、下記組成の中間層塗工液、電荷発生層塗工液、電荷輸送層塗工液を順次塗布、乾燥し、膜厚が3.5μmの中間層、膜厚が0.3μmの電荷発生層、膜厚が20μmの電荷輸送層を形成した。さらに、下記条件で、膜厚が5μmの保護層を電荷輸送層上に設けて感光体を作製した。
(中間層塗工液)
酸化チタン(CR−EL、石原産業社製;平均粒径0.25μm):84部
アルキッド樹脂:33.6部
(ベッコライトM6401−50−S、大日本インキ化学工業社製;固形分50%)
メラミン樹脂:18.7部
(スーパーベッカミンL−121−60、大日本インキ化学工業社製;固形分60%)
2−ブタノン:100部
(電荷発生層塗工液)
下記組成の電荷発生層塗工液を下記条件のビーズミリングにより作製した。
顔料1:15部
ポリビニルブチラール(BX−1、積水化学社製):10部
2−ブタノン:280部
構造式(1−A)で表される電子輸送材料:6部
市販のビーズミル分散機に直径0.5mmのPSZボールを用い、ポリビニルブチラール及び電子輸送材料を溶解した2−ブタノン並びに顔料を全て投入し、ローターの回転数を1200rpmにして、30分間分散を行い、電荷発生層塗工液を作製した。
(電荷輸送層塗工液)
構造式(A)
Figure 0004741413
で表される電荷輸送材料:7部
Z型ポリカーボネート樹脂(パンライトTS2040、帝人化成社製):10部
テトラヒドロフラン:120部
シリコーンオイル(KF50−100CS、信越化学工業社製):0.01部
テトラヒドロフランにZ型ポリカーボネート樹脂を溶解させた後、電荷輸送材料、シリコーンオイルの順に加えて、不溶分が無くなった時点で電荷輸送層塗工液とした。
(保護層塗工液)
電荷輸送性構造を有さない3官能のラジカル重合性モノマー:10部
トリメチロールプロパントリアクリレート(分子量296、分子量/官能基数=99)
(KAYARAD TMPTA、日本化薬社製)
構造式
Figure 0004741413
で表される電荷輸送性構造を有する1官能のラジカル重合性モノマー(例示化合物No.54):10部
光重合開始剤1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン:1部
(イルガキュア184、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製)
テトラヒドロフラン:100部
保護層は、スプレー塗工してから20分間自然乾燥した後、メタルハライドランプ:160W/cm、照射強度:500mW/cm、照射時間:60秒の条件で光照射を行うことによって硬化させた。
参考例2)
中間層を、電荷ブロッキング層/モアレ防止層の積層構成とした以外は、参考例1と同様に感光体を作製した。下記組成の電荷ブロッキング層塗工液、モアレ防止層塗工液を塗布乾燥して、膜厚が0.5μmの電荷ブロッキング層、膜厚が3.5μmのモアレ防止層を形成した。
(電荷ブロッキング層塗工液)
N−メトキシメチル化ナイロン(FR101、鉛市社製):5部
メタノール:70部
n−ブタノール:30部
(モアレ防止層塗工液)
酸化チタン(CR−EL、石原産業社製;平均粒径0.25μm):126部
アルキッド樹脂:33.6部
(ベッコライトM6401−50−S、大日本インキ化学工業社製;固形分50%)
メラミン樹脂:18.7部
(スーパーベッカミンL−121−60、大日本インキ化学工業社製;固形分60%)
2−ブタノン:100部
参考例3)
電荷発生層塗工液及び電荷ブロッキング層塗工液をそれぞれ下記組成のものに変更した以外は、参考例2と同様に感光体を作製した。
(電荷発生層塗工液)
下記組成の電荷発生層塗工液を下記条件のビーズミリングにより作製した。
顔料1:15部
ポリビニルブチラール(BX−1、積水化学社製):10部
2−ブタノン:280部
(電荷ブロッキング層塗工液)
N−メトキシメチル化ナイロン(FR101、鉛市社製):5部
構造式(2−A)で表される電子輸送材料:3部
メタノール:70部
n−ブタノール:30部
参考例4)
構造式(2−A)で表される電子輸送材料を構造式(2−B)で表される電子輸送材料に変更した以外は、参考例3と同様に感光体を作製した。
参考例5)
構造式(2−A)で表される電子輸送材料を構造式(2−C)で表される電子輸送材料に変更した以外は、参考例3と同様に感光体を作製した。
参考例6)
構造式(2−A)で表される電子輸送材料を構造式(2−D)で表される電子輸送材料に変更した以外は、参考例3と同様に感光体を作製した。
参考例7)
構造式(2−A)で表される電子輸送材料を構造式(2−E)で表される電子輸送材料に変更した以外は、参考例3と同様に感光体を作製した。
参考例8)
電荷輸送層塗工液を下記のものに変更した以外は、参考例1と同様に感光体を作製した。
(電荷輸送層塗工液)
構造式
Figure 0004741413
で表される高分子電荷輸送物質(重量平均分子量:約140000):17部
テトラヒドロフラン:150部
シリコーンオイル(KF50−100CS、信越化学工業社製):0.01部
参考例9)
顔料1の代わりに顔料2を用いた以外は、参考例1と同様に感光体を作製した。
(実施例10)
長さ340mm、直径30mmのアルミシリンダー(JIS1050)を導電性支持体とし、下記組成の感光層塗工液を塗布、120℃で20分間乾燥し、膜厚が25μmの感光層を形成した。さらに、下記条件で、膜厚が5μmの保護層を感光層上に設けて感光体を得た。
(分散液)
直径9cmのガラスポットに直径0.5mmのPSZボールを用いて、顔料1:3部及びシクロヘキサノン:97部を100rpmで5時間分散を行い、分散液を作製した。
(感光層塗工液)
上記分散液を用いて下記組成の感光体用塗工液を作製した。
分散液:60部
構造式(A)で表される電荷輸送材料:25部
構造式(2−A)で表される電子輸送材料:25部
Z型ポリカーボネート樹脂(パンライトTS2040、帝人化成社製):50部
シリコーンオイル(KF50−100CS、信越化学工業社製):0.01部
テトラヒドロフラン:350部
(保護層塗工液)
電荷輸送性構造を有さない3官能のラジカル重合性モノマー:10部
トリメチロールプロパントリアクリレート(分子量296、分子量/官能基数=99)
(KAYARAD TMPTA、日本化薬社製)
電荷輸送性構造を有する1官能のラジカル重合性モノマー(例示化合物No.54):10部
光重合開始剤1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン:1部
(イルガキュア184、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製)
テトラヒドロフラン:100部
保護層は、スプレー塗工してから20分間自然乾燥した後、メタルハライドランプ:160W/cm、照射強度:500mW/cm、照射時間:60秒の条件で光照射を行うことによって硬化させた。
(実施例11)
保護層塗工液を下記のものに変更した以外は、実施例10と同様に感光体を作製した。
(保護層塗工液)
電荷輸送性構造を有さない3官能のラジカル重合性モノマー:5部
トリメチロールプロパントリアクリレート(分子量296、分子量/官能基数=99)
(KAYARAD TMPTA、日本化薬社製)
電荷輸送性構造を有さない6官能のラジカル重合性モノマー:5部
カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート(分子量1948、分子量/官能基数=325)
(KAYARAD DPCA−120、日本化薬社製)
電荷輸送性構造を有する1官能のラジカル重合性モノマー(例示化合物No.54):8.5部
構造式(1−A)で表される電子輸送材料:1.5部
光重合開始剤:1部
1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン
(イルガキュア184、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製)
テトラヒドロフラン:100部
(実施例12)
保護層塗工液を下記のものに変更した以外は、実施例10と同様に感光体を作製した。
(保護層塗工液)
電荷輸送性構造を有さない3官能のラジカル重合性モノマー:5部
トリメチロールプロパントリアクリレート(分子量296、分子量/官能基数=99)
(KAYARAD TMPTA、日本化薬社製)
電荷輸送性構造を有さない5.5官能のラジカル重合性モノマー:5部
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート(分子量552、分子量/官能基数=100)
(KAYARAD DPHA、日本化薬社製)
電荷輸送性構造を有する1官能のラジカル重合性モノマー(例示化合物No.54):8.5部
構造式(1−A)で表される電子輸送材料:1部
構造式(3−A)で表される電子輸送材料:0.5部
光重合開始剤:1部
1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン
(イルガキュア184、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製)
テトラヒドロフラン:100部
(比較例1)
保護層を設けない以外は、参考例1と同様に感光体を作製した。
(比較例2)
構造式(1−A)で表される電子輸送材料を使用しない以外は、参考例1と同様に感光体を作製した。
(比較例3)
構造式(2−A)で表される電子輸送材料を、構造式
Figure 0004741413
で表される電荷輸送材料に変更した以外は、参考例3と同様に感光体を作製した。
(比較例4)
構造式(2−A)で表される電子輸送材料を、構造式
Figure 0004741413
で表される電荷輸送材料に変更した以外は、参考例3と同様に感光体を作製した。
(画像評価1)
参考例、実施例及び比較例の感光体を、図8に示すプロセスカートリッジに装着し、図4に示す画像形成装置に搭載し、露光部の光源として、波長が780nmの半導体レーザー(ポリゴン・ミラーによる画像書き込み)、帯電部材として、スコロトロン帯電器、転写部材として、転写ベルト、除電光源として、波長が655nmのLEDを用いた。試験前のプロセス条件が
感光体の帯電電位(未露光部の表面電位):−900V
現像バイアス:−650V
現像部位における露光部の表面電位:−100V
になるように帯電部材への印加バイアス、半導体レーザーの光量を設定し、書き込み率6%のチャート(A4全面に対して、画像面積として6%相当の文字が平均的に書かれている)を用いて、連続5万枚印刷を行った。
評価は、5万枚の印刷前後における感光体の未露光部の表面電位を測定することにより行った。具体的には、図4に示す現像部の位置に、表面電位計を搭載し、感光体が初期状態で−900Vに帯電される印加バイアスに固定し、現像部の位置における未露光部の表面電位を測定した。この際、感光体の1周目と2周目について評価を行い、ΔVDとして、(2周目の未露光部の表面電位−1周目の未露光部の表面電位)を求めた。
また、5万枚の印刷前後の感光体の露光部の表面電位を評価した。具体的には、図4に示す現像部の位置に、表面電位計を搭載し、感光体が初期状態で−900Vに帯電される印加バイアスに固定し、現像部の位置における露光部の表面電位を測定した。
さらに、5万枚印刷後に、白ベタ画像を出力し、地肌部の汚れを評価した。なお、地肌汚れの評価は、4段階で行い、極めて良好なものを◎、良好なものを○、やや劣るものを△、非常に悪いものを×として、判定した。
また、全ての試験前後における膜厚の差(摩耗量)を評価した。なお、膜厚の測定は、感光体の長手方向の両端5cmを除き、1cm間隔に測定し、その平均値を膜厚とした。
以上の結果を表2に示す。
Figure 0004741413
これより、参考例及び実施例において、良好な静電特性の維持と同時に高い耐摩耗性が実現されていることがわかる。また、電荷ブロッキング層を設けた参考例2〜7において、地肌汚れの余裕度の向上が実現されている。これに対して、比較例1では、保護層を設けていないため、摩耗量が多くなっており、十分な耐摩耗性を有していない。また、一般式(1)で表される電子輸送材料を使用していない比較例2〜4においては、ΔVDや露光部の表面電位の上昇が見られており、安定した静電特性を有していない。
(画像評価2)
参考例、実施例及び比較例の感光体を、図8に示すプロセスカートリッジに装着し、図7に示すタンデム型フルカラー画像形成装置に搭載し、露光部の光源として、波長が780nmの半導体レーザー(ポリゴン・ミラーによる画像書き込み)、帯電部材として、スコロトロン帯電器、転写部材として、転写ベルト、除電光源として、波長が655nmのLEDを用いた。試験前のプロセス条件が
感光体の帯電電位(未露光部の表面電位):−700V
現像バイアス:−500V
現像部位における露光部の表面電位:−100V
になるように設定し、書き込み率6%のチャート(A4全面に対して、画像面積として6%相当の文字が平均的に書かれている)を用いて、連続5万枚印刷を行った。
評価は、5万枚の印刷前後において、図11に示す画像を出力し、ハーフトーン部における残像の程度を評価した。極めて良好なものを◎、良好なものを○、やや劣るものを△、非常に悪いものを×として、判定した。
また、5万枚の印刷前後において、白ベタ画像を出力し、地肌汚れを評価した(黒ステーション)。極めて良好なものを◎、良好なものを○、やや劣るものを△、非常に悪いものを×として、判定した。
さらに、5万枚印刷後に、ISO/JIS−SCID画像N1(ポートレート)を出力して、カラーバランスについて評価した。なお、カラーバランスの評価は、4段階で行い、極めて良好なものを◎、良好なものを○、やや劣るものを△、非常に悪いものを×として、判定した。
以上の結果を表3に示す。
Figure 0004741413
これより、参考例及び実施例において、長期の耐久試験においても残像、地肌汚れ、カラーバランスの結果がいずれも良好であり、長期に亘って良好な画像出力が実現されている。つまり良好な電子写真特性と高い耐摩耗性を長期に亘って両立した感光体が実現されている。一方、一般式(1)で表される電子輸送材料を使用していない比較例2〜4では、残像やカラーバランスといった画像特性が長期間に亘って安定に維持できていない。
したがって、本発明の感光体は、高い耐久性を維持し、安定した電気特性を有し、長期間にわたって高画質画像出力を実現できることが明らかとなった。また、本発明の感光体を有する画像形成装置及びプロセスカートリッジが高性能、高信頼性を有していることが判明した。

本発明の感光体の一例を示す断面図である。 本発明の感光体の他の例を示す断面図である。 本発明の感光体の他の例を示す断面図である。 本発明の画像形成装置の一例を示す図である。 帯電部材側にギャップ形成部材を配置した近接帯電機構の一例を示す図である。 本発明の画像形成装置の他の例を示す図である。 本発明の画像形成装置の他の例を示す図である。 本発明のプロセスカートリッジの一例を示す図である。 顔料合成例1のチタニルフタロシアニン粉末のX線回折スペクトルを示す図である。 顔料合成例1の低結晶性チタニルフタロシアニン粉末のX線回折スペクトルを示す図である。 実施例18で出力した画像を示す図である。
符号の説明
11 導電性支持体
12 感光層
12a 電荷発生層
12b 電荷輸送層
13 保護層
14 中間層

Claims (11)

  1. 導電性支持体上に、感光層と保護層が形成されている感光体であって、
    前記感光層は、一般式
    Figure 0004741413
    (式中、R及びRは、それぞれ独立に、水素原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基及び置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選択される官能基を表し、R、R、R、R、R、R、R 及び 、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、水酸基、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基及び置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選択される官能基である。)
    で表される電子輸送材料を含有し、
    前記保護層は、電荷輸送性構造を有さない3官能以上のラジカル重合性モノマーと、電荷輸送性構造を有する1官能のラジカル重合性モノマーを含む組成物を硬化することにより形成されていることを特徴とする感光体。
  2. 前記電荷輸送性構造を有する1官能のラジカル重合性モノマーは、一般式
    Figure 0004741413
    及び
    Figure 0004741413
    (式中、R21及びR22は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン基、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアラルキル基、置換若しくは無置換のアリール基、置換若しくは無置換のアルコキシ基、シアノ基、ニトロ基、一般式
    −COOR23
    (式中、R23は、水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアラルキル基又は置換若しくは無置換のアリール基である。)
    で表される官能基、ハロゲン化カルボニル基又は一般式
    −CONR2425
    (式中、R24及びR25は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン基、置換若しくは無置換アルキル基、置換若しくは無置換アラルキル基又は置換若しくは無置換アリール基である。)
    で表される基であり、Ar、Ar及びArは、それぞれ独立に、置換又は無置換のアリーレン基であり、Ar、Ar、Ar及びArは、それぞれ独立に、置換又は無置換のアリール基であり、Xは、単結合、置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のシクロアルキレン基、置換若しくは無置換のオキシアルキレン基、オキシ基、チオ基又はビニレン基であり、及びZは、それぞれ独立に、置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のオキシアルキレン基又はアルキレンオキシカルボニル基であり、m及びnは、それぞれ独立に、0以上3以下の整数である。)
    で表される化合物の少なくとも一方を含有することを特徴とする請求項1に記載の感光体。
  3. 前記電荷輸送性構造を有する1官能のラジカル重合性モノマーは、一般式
    Figure 0004741413
    (式中、R26は、水素原子又はメチル基であり、R27及びR28は、それぞれ独立に、炭素数が1以上6以下のアルキル基であり、は、単結合、メチレン基、エチレン基、
    Figure 0004741413
    であり、o、p及びqは、それぞれ独立に、0又は1であり、s及びtは、それぞれ独立に、0以上3以下の整数である。)
    で表される化合物を含有することを特徴とする請求項に記載の感光体。
  4. 前記保護層、熱又は光を用いて硬化することにより形成されていることを特徴とする請求項1乃至のいずれか一項に記載の感光体。
  5. 前記感光層は、CuKαの特性X線に対するブラッグ角2θの回折ピーク(±0.2゜)として、27.2゜に最大ピークを有するチタニルフタロシアニンをさらに含有することを特徴とする請求項1乃至のいずれか一項に記載の感光体。
  6. 前記チタニルフタロシアニンは、CuKαの特性X線に対するブラッグ角2θの回折ピーク(±0.2゜)として、9.4゜、9.6゜及び24.0゜にピークをさらに有すると共に、7.3゜に最も低角側のピークをさらに有し、
    該7.3°のピーク9.4゜のピークの間にピークを有さないと共に、26.3°にピークを有さないことを特徴とする請求項に記載の感光体。
  7. 前記チタニルフタロシアニンは、平均粒子サイズ0.25μm以下であることを特徴とする請求項又はに記載の感光体。
  8. 請求項1乃至のいずれか一項に記載の感光体を有することを特徴とする画像形成装置。
  9. 前記感光体と、前記感光体を帯電させる帯電装置と、該帯電た感光体に露光して、静電潜像を形成する露光装置と、該感光体に形成された静電潜像をトナーで現像する現像装置を有する画像形成要素が複数配列されていることを特徴とする請求項に記載の画像形成装置。
  10. 請求項1乃至のいずれか一項に記載の感光体を有し、画像形成装置本体に着脱可能であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
  11. 請求項10に記載のプロセスカートリッジを有することを特徴とする画像形成装置。
JP2006129486A 2005-09-16 2006-05-08 感光体、画像形成装置及びプロセスカートリッジ Expired - Fee Related JP4741413B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006129486A JP4741413B2 (ja) 2005-09-16 2006-05-08 感光体、画像形成装置及びプロセスカートリッジ

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005271007 2005-09-16
JP2005271007 2005-09-16
JP2006129486A JP4741413B2 (ja) 2005-09-16 2006-05-08 感光体、画像形成装置及びプロセスカートリッジ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007108651A JP2007108651A (ja) 2007-04-26
JP4741413B2 true JP4741413B2 (ja) 2011-08-03

Family

ID=38034532

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006129486A Expired - Fee Related JP4741413B2 (ja) 2005-09-16 2006-05-08 感光体、画像形成装置及びプロセスカートリッジ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4741413B2 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5151583B2 (ja) * 2007-05-17 2013-02-27 株式会社リコー 電子写真感光体の製造方法、電子写真感光体、画像形成装置及びプロセスカートリッジ
JP5435396B2 (ja) * 2008-02-07 2014-03-05 株式会社リコー 画像形成装置および画像形成装置用プロセスカートリッジ
JP5151536B2 (ja) * 2008-02-20 2013-02-27 株式会社リコー 電子写真感光体、画像成形装置、フルカラー画像形成装置及びプロセスカートリッジ
JP5151578B2 (ja) * 2008-03-14 2013-02-27 株式会社リコー 電子写真感光体の製造方法、電子写真感光体、画像形成装置及びプロセスカートリッジ
JP5392457B2 (ja) * 2008-08-04 2014-01-22 株式会社リコー 電子写真感光体、画像成形装置、フルカラー画像形成装置及びプロセスカートリッジ
JP5644138B2 (ja) * 2010-03-05 2014-12-24 富士ゼロックス株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置、及び硬化膜
JP5626572B2 (ja) * 2010-09-13 2014-11-19 株式会社リコー 電子写真感光体、それを用いた画像形成方法、画像形成装置及び画像形成装置用プロセスカートリッジ

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2887057B2 (ja) * 1992-12-01 1999-04-26 キヤノン株式会社 電子写真感光体及びこの電子写真感光体を用いた電子写真装置
JP2005189821A (ja) * 2003-12-01 2005-07-14 Ricoh Co Ltd 電子写真感光体、画像形成方法、画像形成装置、画像形成装置用プロセスカートリッジ
JP2005208617A (ja) * 2003-12-26 2005-08-04 Canon Inc 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
KR100861434B1 (ko) * 2004-03-29 2008-10-02 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 신규 화합물 및 그 화합물을 사용한 유기 엘렉트로닉스소자
JP2006028027A (ja) * 2004-07-12 2006-02-02 Mitsui Chemicals Inc テトラカルボン酸誘導体、および該化合物を用いた電子写真感光体、電子写真装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007108651A (ja) 2007-04-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7871747B2 (en) Electrophotographic photoconductor having charge blocking and moire preventing layers
JP4570045B2 (ja) 電子写真感光体、電子写真装置及び電子写真装置用プロセスカートリッジ
JP4771909B2 (ja) 電子写真感光体、それを用いた画像形成方法、画像形成装置及び画像形成装置用プロセスカートリッジ、及び電子写真感光体の製造方法
JP4793913B2 (ja) 画像形成装置
JP2006078614A (ja) 電子写真感光体中間層用塗工液、それを用いた電子写真感光体、画像形成装置及び画像形成装置用プロセスカートリッジ
JP4741413B2 (ja) 感光体、画像形成装置及びプロセスカートリッジ
JP5392457B2 (ja) 電子写真感光体、画像成形装置、フルカラー画像形成装置及びプロセスカートリッジ
JP5151536B2 (ja) 電子写真感光体、画像成形装置、フルカラー画像形成装置及びプロセスカートリッジ
JP4911708B2 (ja) 電子写真感光体の製造方法および電子写真感光体、それを用いた画像形成装置、画像形成方法および画像形成装置用プロセスカートリッジ
JP4484727B2 (ja) 電子写真感光体、電子写真装置、電子写真装置用プロセスカートリッジおよび導電性支持体の再生方法
JP2005189821A (ja) 電子写真感光体、画像形成方法、画像形成装置、画像形成装置用プロセスカートリッジ
JP2008129452A (ja) 静電潜像担持体、プロセスカートリッジ、画像形成装置、及び画像形成方法
JP2007010759A (ja) 画像形成装置及び画像形成方法
JP2006047454A (ja) 電子写真感光体中間層用塗工液、それを用いた電子写真感光体、画像形成装置及び画像形成装置用プロセスカートリッジ
JP4414350B2 (ja) 電子写真感光体およびそれを用いた画像形成装置及び画像形成装置用プロセスカートリッジ
JP4938292B2 (ja) 画像形成装置
JP4549208B2 (ja) 画像形成装置
JP4711689B2 (ja) 電子写真感光体、画像形成装置及び画像形成装置用プロセスカートリッジ
JP4322777B2 (ja) 電子写真感光体中間層用塗工液の保存方法、電子写真感光体の製造方法、電子写真感光体、画像形成装置及び画像形成装置用プロセスカートリッジ
JP2006343654A (ja) 画像形成装置
JP2006259018A (ja) 画像形成装置及び画像形成方法
JP2006251099A (ja) 画像形成方法、画像形成装置及びプロセスカートリッジ
JP4541177B2 (ja) 画像形成装置
JP4554408B2 (ja) 画像形成装置
JP5038815B2 (ja) 電子写真感光体、これを用いた画像形成装置及び画像形成装置用プロセスカートリッジ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090310

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20101108

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101116

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110114

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110412

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110506

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140513

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees