JP4718175B2 - 電力増幅用回路 - Google Patents

電力増幅用回路 Download PDF

Info

Publication number
JP4718175B2
JP4718175B2 JP2004525267A JP2004525267A JP4718175B2 JP 4718175 B2 JP4718175 B2 JP 4718175B2 JP 2004525267 A JP2004525267 A JP 2004525267A JP 2004525267 A JP2004525267 A JP 2004525267A JP 4718175 B2 JP4718175 B2 JP 4718175B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
output
bias
power amplifier
signal
reference signal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2004525267A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005535191A (ja
Inventor
− オロフ ブラント、ペル
Original Assignee
テレフオンアクチーボラゲット エル エム エリクソン(パブル)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by テレフオンアクチーボラゲット エル エム エリクソン(パブル) filed Critical テレフオンアクチーボラゲット エル エム エリクソン(パブル)
Priority claimed from PCT/EP2003/007948 external-priority patent/WO2004013957A2/en
Publication of JP2005535191A publication Critical patent/JP2005535191A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4718175B2 publication Critical patent/JP4718175B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0261Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the polarisation voltage or current, e.g. gliding Class A
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0261Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the polarisation voltage or current, e.g. gliding Class A
    • H03F1/0272Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the polarisation voltage or current, e.g. gliding Class A by using a signal derived from the output signal
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/52Circuit arrangements for protecting such amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03GCONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G3/00Gain control in amplifiers or frequency changers
    • H03G3/20Automatic control
    • H03G3/30Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
    • H03G3/3036Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers
    • H03G3/3042Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers in modulators, frequency-changers, transmitters or power amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/102A non-specified detector of a signal envelope being used in an amplifying circuit
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/504Indexing scheme relating to amplifiers the supply voltage or current being continuously controlled by a controlling signal, e.g. the controlling signal of a transistor implemented as variable resistor in a supply path for, an IC-block showed amplifier
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/99A diode as rectifier being used as a detecting circuit in an amplifying circuit

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Transmitters (AREA)
  • Control Of Amplification And Gain Control (AREA)

Description

本発明は電力制御回路および方法に関するもので、特に高周波電力増幅器の出力電力の制御に関するものである。
最近の電気通信システムでは、移動体装置(携帯電話、コードレス電話、2方向ページャ、無線LAN、AM/FMアナログ送信機など)の出力電力を送信前および送信中に制御するのに無線周波数(RF)電力増幅器を用いる。かかるRF電力増幅器は一般に50mWから3Wの範囲の出力電力を生成する。周知のRF電力増幅器は、出力トランジスタをバイアスすることによりRF負荷(一般にアンテナ)での出力電力を制御することができる。
一般にRF電力増幅器では、装置内の望ましくない定在波(負荷での信号の反射により起こる)などの問題を防ぐために、出力トランジスタでのインピーダンスを負荷の名目インピーダンスと整合させなければならない。エネルギーの転送を最大にするため、アンテナを効率的に動作させるのにアンテナと回路装置とを整合させる必要がある。システム整合の質は電圧定在波比(VSWR)と呼ばれるパラメータで測られる。このパラメータは或るシステムが動作する周波数で決定される。RF電力増幅器の最適動作を行うには全ての関係する周波数で1:1のVSWRが必要である。残念ながら、多くの従来のアンテナはVSWRが高い(例えば、3:1より大きい)ので、何らかの形の補償整合網を用いなければ、特に広帯域アンテナで、効率が低下する。しかし、かかる補償整合網を用いるのは望ましくない。なぜなら、補償整合網は利用可能な送信電力を低下させ、システムの動作を遅らせるからである。
アンテナなどの負荷のインピーダンスは移動と位置によって変化するので、移動体装置ではインピーダンスが変動するのが普通である。インピーダンスが変動すると、RF電力増幅器の出力トランジスタのコレクタ電極にかかる電圧が揺れる。例えば、50オームの名目インピーダンスを持つ携帯電話アンテナを駆動するRF電力増幅器はしばしば高い出力トランジスタ・インピーダンスを駆動する必要があり、このためVSWRが20:1にもなることがある。
負荷が実質的に整合しない(したがって、VSRWが高い)と、RF電力増幅器の機能が低下する。この機能低下は、またはトランジスタの故障も、バイポーラ・トランジスタ(ここでは出力トランジスタ)に印加したとき「2次破壊」効果を生じない範囲内の安全なコレクタ・エミッタ電圧とコレクタ電流を超えるために起こる。
出力トランジスタは直流電流を引き出すことができないので(なぜなら、直流成分を除くためにコンデンサが用いられているため)、出力バイアス回路は高いバイアス電流を与え、そのため出力トランジスタへの入力電力が高くなる。システムのVSWRが高くかつ負荷インピーダンスが高く、したがって出力トランジスタのコレクタ電極の電圧の揺れが大きいと、出力増幅器に負の利得が起こることがある。
米国特許第5,455,968号(Pham)は、最終段増幅要素を含む可変電力増幅器を開示している。この要素をバイアス網に結合して、出力不整合条件が5:1のVSWRを超えるときに安定性を与えることを目指す。
日本の特開平11−284522号公報は、高周波電力増幅器の出力電力を一定に保つシステムを記述している。第2の増幅器の出力信号を検出し、処理して、第1の増幅器に入力する。この装置は方向性結合器を用いる。
したがって、負荷のインピーダンスが変動する場合はRF電力増幅器の出力電力を制御することが望ましいことが分かる。
本発明の第1の態様では、ドライバ段と出力段とを有する電力増幅器からの出力を制御する方法を提供する。この方法は、出力段の出力で第1および第2の電気的パラメータを検出し、第1のパラメータを第1の基準信号と共に処理してバイアス制御信号を生成し、第2のパラメータを第2の基準信号と共に処理してバイアス低減信号を生成し、バイアス制御信号をドライバ段と出力段の両方の入力に送り、バイアス低減信号をドライバ段の入力に送る。
本発明の第2の態様では、電力増幅器と、外部制御ループと、保護回路とで構成する電気回路を提供する。ここで保護回路は、電力増幅器の出力で電気的パラメータを検出する検出手段と、電力増幅器の入力にバイアス信号を与えるバイアス低減手段と、バイアス低減手段に結合する基準信号発生器とで構成する。
上に述べた電力増幅回路は移動体電気通信装置内に用いることができる。
本発明の優れている点は、従来の技術における出力電力制御に関連する問題を軽減できることである。また本発明は低電圧トランジスタ(およびその他の低電圧技術)を用いてよく、また最小の構成要素を用いて集積回路上で実現することができる。出力不整合条件が高いために回路のVSWRが高くなると、本発明は回路出力電力の変動を小さくするよう機能する。
本発明の別の利点は、ドライバ・トランジスタと出力トランジスタとが共に高すぎる電圧レベルになるのを防ぐことである。
この明細書では「備える」または「構成する」という用語はここに述べる機能、完全体(integers)、ステップ、構成要素を特定するために用いられるが、1つ以上の別の機能、完全体、ステップ、構成要素、またはこれらのグループを追加することを妨げるものではないことを強調したい。
図1はRF電力増幅器10を示す。ここでは、RF信号12はドライバ・トランジスタ14に入力する。ドライバ・トランジスタ14のコレクタ電極はコンデンサ16に結合し、コンデンサ16は出力トランジスタ20に結合する。出力バイアス回路18は出力トランジスタ20のベース電極に結合する。最後に、出力トランジスタ20のコレクタ電極はRF負荷22に結合する。一般に、RF負荷22はアンテナである。
動作を説明すると、RF信号12をドライバ・トランジスタ14により増幅し、コンデンサ16は増幅された信号が出力トランジスタ20に入力される前にその直流成分を全て除去する(交流成分だけ残す)。ほぼ一定のバイアス電流を出力バイアス回路18から出力し、出力トランジスタ20をバイアスして出力トランジスタのコレクタ電流を制御する。
コンデンサ16は回路内のインピーダンスを整合する機能を有するものであり、任意の適当なインピーダンス整合要素で置き換えてよい。
図2で、RF増幅器は外部制御ループと保護回路とに結合する。詳しく述べると、RF電力増幅器内でRF信号32はドライバ・トランジスタ34に入力する。ドライバ・トランジスタ34のコレクタ電極はコンデンサ36に結合し、コンデンサ36は出力トランジスタ38に結合する。出力トランジスタ38のコレクタ電極はRF負荷40(一般に、アンテナ)に結合する。
または、コンデンサ36は、RF電力増幅器内で必要なインピーダンス伝達特性により決まる他の適当なRF整合手段(コンデンサと分路要素との直列回路または変圧器など)で置き換えてよい。
外部制御ループは直流電流検出器42を含む。検出器42は、RF電力増幅器のドライバ・トランジスタ34と出力トランジスタ38の両方のコレクタ電極に接続する。直流電流検出器42と基準電流46とは調整器44に結合し、調整器44はバイアス制御信号発生器48に結合する。外部制御ループは更に、バイアス制御信号発生器48からドライバ・トランジスタ34のベース電極と出力トランジスタ38のベース電極のそれぞれへの接続を備える。
保護回路は電圧包絡線検出器50と保護レベル基準52とで構成し、両者はバイアス低減回路54に結合する。電圧包絡線検出器50は出力トランジスタ38のコレクタ電極に接続し、またバイアス低減回路54はドライバ・トランジスタ34のベース電極に接続する。
動作を説明すると、RF電力増幅器は図1のRF電力増幅器10と同様に機能する。直流電流検出器42は出力トランジスタ38のコレクタ電極の電圧の揺れ(RF負荷40のインピーダンス変動により起こる)を全て検出する。
直流電流検出器42は出力トランジスタ38のコレクタ電極の直流電流を検出する。一般に、この電流の全ての変化はRF負荷40のインピーダンス変動により起こる。検出された電流は直流電流検出器42から出力されて調整器44に送られる。調整器44は、検出された電流を基準電流46と組み合わせて処理する。検出された電流が所定のしきい値より低い場合は調整器44は高い調整出力電流を作り、検出された電流が所定のしきい値より高い場合は調整器44は低い調整出力電流を作る。調整出力電流はバイアス制御信号発生器48に送られる。発生器48は適当なバイアス電流をドライバ・トランジスタ34と出力トランジスタ38とに与えて、RF負荷40のインピーダンス変動を全て補償する。
電圧包絡線検出器50は出力トランジスタ38のコレクタ電極の電圧包絡線を検出する。この信号を保護レベル基準信号52と組み合わせてバイアス低減回路54内で処理する。得られた信号はドライバ・トランジスタ34のベース電極に送られ、出力トランジスタ38の電圧の揺れが過大なレベルにならないようにする。
図3は図2のRF電力増幅器の詳細を示す。共通の要素を示す場合は共通の参照番号が用いられている。詳しく述べると、追加した詳細として、第1のチョーク要素35と第2のチョーク要素39とが、直流電流検出器42と、ドライバ・トランジスタ34と出力トランジスタ38との間にそれぞれ結合されているのが分かる。
外部制御ループでは、直流電流検出器42は調整器44からの入力線に接続する抵抗器420を含む。図に示すように、調整器44は抵抗器440とANDゲート441とを含む。
保護回路では、電圧包絡線検出器50は直列に接続されたダイオード500と第1の抵抗器501とを含む。コンデンサ502はダイオード500の出力と接地との間に結合し、第2の抵抗器503は第1の抵抗器501と接地との間に結合する。保護レベル基準52は接地と保護レベル基準出力との間に結合する抵抗器520を含む。この出力はバイアス低減回路54内にあるトランジスタ540のエミッタ電極に接続する。また、ドライバ・トランジスタ34のベース電極に接続する第1の抵抗器ブロック56と、出力トランジスタ38のベース電極に接続する第2の抵抗器ブロック58とが示されている。
図3の回路の動作については図2に関連して上に述べた。
図4に示すように、本発明の動作の第1の段階は出力トランジスタのコレクタ電極で2つのパラメータ(すなわち、直流電流と電圧包絡線)を検出する60,62ことを含む。検出された直流電流を基準電流に対して調整し64、調整された信号を用いてバイアス制御信号を生成する66。バイアス制御信号を出力トランジスタとドライバ・トランジスタのそれぞれのベース電極に送る68,70と制御ループは完了する。
検出された電圧包絡線に戻ると、検出された電圧包絡線を用いて基準電圧に対してバイアス信号を生成する72。バイアス低減信号をドライバ・トランジスタのベース電極に送って70、保護機能を行う。制御ループ機能と保護機能とはRF電力増幅器の動作中は連続的に行われる。
当業者に明らかなように、上に述べた回路構造は網羅的ではなく、この構造の変形を用いても、同じ新しい概念を用いて同じ結果を得ることができる。
したがって、本発明は従来の装置より大きな利点を有する電力増幅回路を提供することが分かる。
RF電力増幅器の略図である。 本発明の或る実施の形態に係るRF電力増幅器の略図である。 図2のRF電力増幅器の詳細を示す略図である。 本発明の動作段階を示す流れ図である。

Claims (5)

  1. ドライバ段と出力段とを有する電力増幅器からの出力を制御する方法であって、
    前記出力段の出力で第1および第2の電気的パラメータを検出し、
    前記第1のパラメータを第1の基準信号と共に処理してバイアス制御信号を生成し、
    前記第2のパラメータを第2の基準信号と共に処理してバイアス低減信号を生成し、
    前記バイアス制御信号を前記ドライバ段と出力段の両方の入力に送り、
    前記バイアス低減信号を前記ドライバ段の入力に送り、前記電力増幅器の出力を保護するために前記バイアス制御信号により供給されるバイアスを低下させる、
    ことを含む、電力増幅器からの出力を制御する方法。
  2. 前記第1の電気的パラメータは電流である、請求項1記載の電力増幅器からの出力を制御する方法。
  3. 前記第2の電気的パラメータは出力電圧包絡線である、請求項1記載の電力増幅器からの出力を制御する方法。
  4. ドライバ段と出力段とを有する電力増幅器と、外部制御ループと、保護回路と、を備えた電気回路であって、
    前記外部制御ループは、
    前記出力段における第1の電気的パラメータを検出する検出手段と、
    第1の基準信号を発生させる第1の基準信号発生器と、
    前記第1の基準信号を受信して、検出された前記第1の電気的パラメータを前記第1の基準信号と共に処理してバイアス制御信号を生成し、前記ドライバ段と前記出力段との両方のバイアス入力に、前記バイアス制御信号を供給するバイアス手段と
    を備え、
    前記保護回路は、
    前記電力増幅器の前記出力段における出力で第2の電気的パラメータを検出する検出手段と、
    第2の基準信号を発生させる第2の基準信号発生器と、
    前記第2の基準信号を受信して、検出された前記第2の電気的パラメータを前記第2の基準信号と共に処理してバイアス低減信号を生成し、前記電力増幅器のドライバ段のバイアス入力に前記バイアス低減信号を与え、前記電力増幅器の出力を保護するために前記バイアス制御信号により供給されるバイアスを低下させるバイアス低減手段と、
    を有する電気回路。
  5. 請求項4に記載の電気回路を含む移動体電気通信装置。
JP2004525267A 2002-08-01 2003-07-21 電力増幅用回路 Expired - Lifetime JP4718175B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP02255396.0 2002-08-01
EP02255396A EP1387485B1 (en) 2002-08-01 2002-08-01 Circuit for power amplification
US40056102P 2002-08-02 2002-08-02
US60/400,561 2002-08-02
PCT/EP2003/007948 WO2004013957A2 (en) 2002-08-01 2003-07-21 Circuit for power amplification

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005535191A JP2005535191A (ja) 2005-11-17
JP4718175B2 true JP4718175B2 (ja) 2011-07-06

Family

ID=30011254

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004525267A Expired - Lifetime JP4718175B2 (ja) 2002-08-01 2003-07-21 電力増幅用回路

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP1387485B1 (ja)
JP (1) JP4718175B2 (ja)
AT (1) ATE393980T1 (ja)
DE (1) DE60226317T2 (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7145385B2 (en) 2003-12-05 2006-12-05 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Single chip power amplifier and envelope modulator
US20050181746A1 (en) * 2004-02-13 2005-08-18 Icefyre Semiconductor Corporation Methods and systems for signal amplification through envelope removal and restoration
US7256573B2 (en) * 2004-03-31 2007-08-14 Axiom Microdevices, Inc. Distributed active transformer power control techiques
JP2008537414A (ja) 2005-04-18 2008-09-11 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド 電力増幅器のための適応保護回路
JP4750463B2 (ja) * 2005-05-11 2011-08-17 ルネサスエレクトロニクス株式会社 高周波電力増幅器およびそれを用いた送信器および移動体通信端末
JP2007104280A (ja) * 2005-10-04 2007-04-19 Nec Electronics Corp 高周波電力増幅回路
JP4844357B2 (ja) * 2006-11-10 2011-12-28 株式会社ケンウッド 高周波電力増幅回路
US9379669B2 (en) 2014-05-14 2016-06-28 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Method for class-B amplifier mismatch correction

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999029037A1 (fr) * 1997-11-28 1999-06-10 Hitachi, Ltd. Circuit d'amplification de puissance haute frequence, et appareil de communication mobile utilisant ledit circuit
JP2001068941A (ja) * 1999-07-22 2001-03-16 Motorola Inc 隣接および次隣接チャネル電力制御を行う電力増幅回路
JP2001068940A (ja) * 1999-07-22 2001-03-16 Motorola Inc 隣接および次隣接チャネル電力制御の負荷調整を行う電力増幅回路

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57174910A (en) * 1981-04-20 1982-10-27 Oki Electric Ind Co Ltd Overload protecting system for high frequency power amplifier
JPS607215A (ja) * 1983-06-24 1985-01-16 Yaesu Musen Co Ltd Alc回路
US4924191A (en) * 1989-04-18 1990-05-08 Erbtec Engineering, Inc. Amplifier having digital bias control apparatus
JPH0362741A (ja) * 1989-07-31 1991-03-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 送信出力制御装置
JP2867756B2 (ja) * 1991-08-30 1999-03-10 日本電気株式会社 消費電力制御装置
JPH0794961A (ja) * 1993-09-24 1995-04-07 Toshiba Corp 高周波増幅モジュール
US5426641A (en) * 1994-01-28 1995-06-20 Bell Communications Research, Inc. Adaptive class AB amplifier for TDMA wireless communications systems
US5673001A (en) * 1995-06-07 1997-09-30 Motorola, Inc. Method and apparatus for amplifying a signal
JP3253845B2 (ja) * 1996-01-24 2002-02-04 株式会社ケンウッド 自動電力制御回路
JPH10290129A (ja) * 1997-04-11 1998-10-27 Sony Corp 高周波増幅器
US6043707A (en) * 1999-01-07 2000-03-28 Motorola, Inc. Method and apparatus for operating a radio-frequency power amplifier as a variable-class linear amplifier

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999029037A1 (fr) * 1997-11-28 1999-06-10 Hitachi, Ltd. Circuit d'amplification de puissance haute frequence, et appareil de communication mobile utilisant ledit circuit
JP2001068941A (ja) * 1999-07-22 2001-03-16 Motorola Inc 隣接および次隣接チャネル電力制御を行う電力増幅回路
JP2001068940A (ja) * 1999-07-22 2001-03-16 Motorola Inc 隣接および次隣接チャネル電力制御の負荷調整を行う電力増幅回路

Also Published As

Publication number Publication date
EP1387485A1 (en) 2004-02-04
JP2005535191A (ja) 2005-11-17
DE60226317D1 (de) 2008-06-12
DE60226317T2 (de) 2009-06-25
ATE393980T1 (de) 2008-05-15
EP1387485B1 (en) 2008-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7330072B2 (en) Circuit for power amplification
US7408413B2 (en) Circuit for accurately controlling power amplifier output power
US6965837B2 (en) Method and arrangement for detecting load mismatch, and a radio device utilizing the same
JP4926722B2 (ja) 安定化回路網を有する電力増幅器
US6917246B2 (en) Doherty bias circuit to dynamically compensate for process and environmental variations
US7295064B2 (en) Doherty amplifier
US6233440B1 (en) RF power amplifier with variable bias current
JP5064224B2 (ja) デュアルバイアス制御回路
US7425873B2 (en) Radio frequency amplification apparatus
JP2008271517A (ja) 高周波電力増幅器、半導体装置、および高周波電力増幅方法
US6624700B2 (en) Radio frequency power amplifier for cellular telephones
WO2006049800A2 (en) Current limit circuit for power amplifiers
JP2006345341A (ja) 増幅器
JP4718175B2 (ja) 電力増幅用回路
GB2276052A (en) Gain control for multi-stage cell-phone amplifier
JP2007019585A (ja) 高周波電力増幅器および無線通信装置
JP2006501743A (ja) 電力増幅器および電力増幅方法
JP2006515723A (ja) マルチバンド信号処理装置、処理方法及び製造物
JP2006333107A (ja) バイアス回路およびそれを用いた電力増幅器、無線通信装置
US7057458B2 (en) Balanced power amplifier and high-frequency communication apparatus
US20210336592A1 (en) Power amplifier circuit
US20230141220A1 (en) Power amplifier circuit
JP2005184258A (ja) 高周波増幅器
KR20010108018A (ko) 이동체 통신장치
JPH03274902A (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20060323

RD05 Notification of revocation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425

Effective date: 20060629

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060714

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090708

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090713

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091008

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091008

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100514

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100810

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110325

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110331

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4718175

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140408

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250