JP4696554B2 - ゲート駆動回路への信号伝送方式 - Google Patents
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図16において、77は3相交流入力電源、78は整流回路、79は平滑コンデンサ、80〜85はアーム当り複数個直列接続されたIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)のような電圧駆動型半導体素子、86はモータ等の負荷である。各電圧駆動型半導体素子のゲート駆動回路(GDU)は、異なる基準電位で動作しているため、ゲート駆動回路ごとに絶縁を確保し、各ゲート駆動装置にオン信号およびオフ信号を伝送することが必要となる。
図17において、1〜4はダイオードが逆並列に接続されたIGBT、10は制御装置、11〜15は絶縁トランス、21〜24はゲート駆動回路(GDU)、31〜34は例えば半導体整流回路、36は絶縁トランス15と半導体素子37,38と、パルス発生回路39とで構成されたDC/AC(直流/交流)変換回路である。
同図において、88はダイオードが逆並列に接続されたIGBT、89,92はIGBTをそれぞれターンオンまたはターンオフさせるためのスイッチ素子、90はゲートオン抵抗、91はゲートオフ抵抗、93はオン信号およびオフ信号を出力するインターフェイス回路である。
また、ゲート駆動回路ごとに絶縁を確保し、各ゲート駆動回路にオン信号およびオフ信号を伝送するものとして、図19に示すように、絶縁トランスの代わりにフォトカプラ51〜55を用いるものもある(特許文献3)。
したがって、この発明の課題は、ゲート駆動回路ごとに絶縁を確保し、各ゲート駆動回路にオン信号およびオフ信号を伝送する場合に、絶縁トランスなどの信号絶縁回路の容量を大きくすることなく絶縁を確保できるようにすることにある。
また、請求項1〜3のいずれかの発明においては、前記制御装置とDC/AC変換回路とを光によって結合することができる(請求項4の発明)。
た、電力変換装置のゲート駆動回路にオン,オフ信号を伝送するに当り、入力信号を高周
波交流信号に変換し、絶縁トランスを介して1段目のゲート駆動回路からn段目のゲート
駆動回路まで、またはn段目のゲート駆動回路から1段目のゲート駆動回路まで、順次信
号を伝達供給することにより、絶縁トランスの一次,二次間に印加される電圧を低減し、
絶縁トランスの容積を小さくできるようにする。これにより、高電圧大容量電力変換装置
の小型化,低コスト化が可能となる。
図17の従来例と同様に、各IGBT1〜4にはゲート駆動回路21〜24が接続され、ゲート駆動回路21〜24の信号入力には半導体整流回路31〜34を介して、絶縁トランス11〜14の二次側が接続され、制御装置10にはDC/AC変換回路36と1段目の絶縁トランス14が順に接続されている。
従って、1段目の絶縁トランス14の二次側に2段目の絶縁トランス13の一次側を接続し、2段目の絶縁トランス13の二次側に3段目の絶縁トランス12の一次側を接続し、3段目の絶縁トランス12の二次側に4段目の絶縁トランス11の一次側を接続した信号伝送回路を構成した点が特徴と言える。
図1において、制御装置10から出力されたオン信号(パルス信号)が、DC/AC変換回路36に入力されると、パルス発生回路39によって決まる周波数の交流信号に変換される。交流信号に変換されたオン信号は、絶縁トランス14と半導体整流回路34を介して、1段目のゲート駆動回路24にオン信号が伝達される。これと同時に絶縁トランス13の一次側にオン信号が伝送され、絶縁トランス13を介して2段目のゲート駆動回路23にオン信号が伝達される。このようにして、1段目のゲート駆動回路24から4段目のゲート駆動回路21まで、順々にオン信号が伝送される。なお、オフ信号も上記と同様に伝送される。
図1では、制御装置10およびDC/AC変換回路36をゲート駆動回路24に接続しているのに対し、ここではゲート駆動回路21に接続した点、つまり4段目の絶縁トランス11の二次側に3段目の絶縁トランス12の一次側を接続し、3段目の絶縁トランス12の二次側に2段目の絶縁トランス13の一次側を接続し、2段目の絶縁トランス13の二次側に1段目の絶縁トランス14の一次側を接続し、4段目のゲート駆動回路21から1段目のゲート駆動回路24まで、順々に信号を伝送する点が特徴である。
図1では、制御装置10およびDC/AC変換回路36をゲート駆動回路24に接続しているのに対し、ここではゲート駆動回路23に接続した点、つまり2段目の絶縁トランス13の二次側に3段目の絶縁トランス12の一次側と1段目の絶縁トランス14の一次側を接続し、3段目の絶縁トランス12の二次側に4段目の絶縁トランス11の一次側を接続し、2段目のゲート駆動回路23から4段目のゲート駆動回路21および1段目のゲート駆動回路24まで、順々に信号を伝送する点が特徴である。
以上のことから、絶縁トランスの容量を小さくすることが可能で、装置の大型化を回避することができるだけでなく、信号伝送を速くすることが可能となる。
これは、図1に示すものに対し、制御装置10とDC/AC変換回路36との間に、E/O(電気/光)変換器28とO/E(光/電気)変換器29を設け、制御装置10とDC/AC変換回路36との間を光結合し、電気的に絶縁した点が特徴である。
このように、光で絶縁してオン,オフ信号を伝送することで、装置の大型化を回避するとともに、制御装置とゲート駆動回路との絶縁を図り、誤動作を防止することが可能となる。なお、この発明は、図2,図3に示すものにも適用できることは勿論である。
図5に示すように、これはIGBTを5直列接続し基準電位を3段目のIGBTにした場合の例で、1〜5はダイオードが逆並列に接続されたIGBT、20はインターフェイス回路、21〜25は駆動回路、41〜45は各電圧駆動型半導体素子のスイッチングタイミングを一致させる機能を持つタイミング調整回路、51〜55はフォトカプラ等の信号絶縁回路、61,62は直流電源、66,67はMOSFET、71はロジックICである。
図示されない制御装置から信号を受けたインターフェイス回路20より出力されたオン信号(パルス信号)は、MOSFET66のゲート端子に入力され、MOSFET66がオンする。MOSFET66がオンすると、直流電源61を電源として3段目の信号絶縁回路53が動作し、3段目の駆動回路23に信号が絶縁伝送される。これと同時に3段目の信号絶縁回路53から出力されたオン信号が、ロジックIC71を介してMOSFET67のゲート端子に入力され、MOSFET67がオンする。
図7に図5の第2変形例を示す。これは、タイミング調整回路として図示のような磁気結合回路41a,42a,43a,44aを用いる例である(詳細は、必要ならば、例えば特開2002−204578号公報を参照されたい)。
図9に図5の第4変形例を示す。これは、図5の信号絶縁回路として絶縁トランスを用いる他は図5と同様なので、詳細は省略する。
図10において、1〜7はダイオードが逆並列に接続されたIGBT、20はインターフェイス回路、21〜27は駆動回路、41〜47は各電圧駆動型半導体素子のスイッチングタイミングを一致させる機能を持つタイミング調整回路、51〜57はフォトカプラ等の信号絶縁回路、61〜64は直流電源、66〜69はMOSFET、71〜73はロジックICである。
図示されない制御装置から信号を受けたインターフェイス回路20より出力されたオン信号(パルス信号)は、MOSFET66のゲート端子に入力され、MOSFET66がオンする。MOSFET66がオンすると、直流電源61を電源として4段目の信号絶縁回路54が動作し、4段目の駆動回路24に信号が絶縁伝送される。これと同時に4段目の信号絶縁回路54から出力されたオン信号が、ロジックIC71を介してMOSFET67のゲート端子に入力され、MOSFET67がオンする。MOSFET67がオンすると、直流電源62を電源とする2段目の信号絶縁回路56と6段目の信号絶縁回路52が動作し、2段目の駆動回路26と6段目の駆動回路22に信号が絶縁伝送される。
図11において、1〜5はダイオードが逆並列に接続されたIGBT、21〜25は駆動回路、29は光信号を電気信号に変換するO/E変換器、41〜45は各電圧駆動型半導体素子のスイッチングタイミングを一致させるタイミング調整回路、51,52,54,55はフォトカプラ(信号絶縁回路)、62は直流電源、67はMOSFET、71はロジックICを示す。
いま、ゲート駆動装置にオン・オフ光信号が入力されると、O/E変換器29で電気信号に変換され、そのオン信号(ハイレベル信号)が3段目の駆動回路23に入力される。これと同時に、ロジックIC71によってMOSFET67のゲート端子にローレベル信号が入力され、MOSFET67がオフする。MOSFET67がオフすると、直流電源62からフォトカプラ51,52,54,55の入力に電流が流れないので、フォトカプラ51,52,54,55の出力にハイレベル信号が絶縁伝送され、駆動回路21,22,24,25にオン信号が入力される。
これは図7と同じく、タイミング調整回路として磁気結合回路41a,42a,43a,44aを用いるもので、その他は図11と同様なので詳細は省略する。
図13に図11の第2変形例を示す。
これはIGBTが4直列に接続され、基準電位(O/E変換器を接続)を2段目のIGBTとする他は図11と同様なので詳細は省略する。
これは図11の信号絶縁回路として、図1〜4のような絶縁トランス11,12,14,15を用いるもので、その他は図11と同様なので詳細は省略する。
図15に図11の第4変形例を示す。
これは図11の信号絶縁回路(フォトカプラ)を、O/E変換器29の出力に並列接続した他は図11と同様なので詳細は省略する。
Claims (4)
- 各アームにはゲート駆動回路によりそれぞれ駆動される電圧駆動型半導体素子がn(2以上の整数)個直列接続され、前記ゲート駆動回路の信号入力側には整流回路を介して絶縁トランスの二次側がそれぞれ接続され、その各絶縁トランスを介して各ゲート駆動回路に制御装置からのオン,オフ信号を順次伝送する信号伝送回路を有し、最も低電圧側に接続された電圧駆動型半導体素子を1段目とし、最も高電圧側に接続された電圧駆動型半導体素子をn段目として、このn段目の電圧駆動型半導体素子のゲート駆動回路に接続された絶縁トランスの一次側と、n−1段目の電圧駆動型半導体素子のゲート駆動回路に接続された絶縁トランスの二次側とを接続し、以下同様の順序で1段目まで接続し、この1段目の電圧駆動型半導体素子のゲート駆動回路に接続された絶縁トランスの一次側にはDC/AC変換回路を介して前記制御装置を接続し、1段目のゲート駆動回路からn段目のゲート駆動回路へ順々に信号を伝送することを特徴とするゲート駆動回路への信号伝送方式。
- 前記DC/AC変換回路の交流出力側を、1段目の代わりにn段目の絶縁トランスの一次側に接続し、n段目の絶縁トランスの二次側とn−1段目の絶縁トランスの一次側を接続し、以下同様に1段目まで接続することを特徴とする請求項1に記載のゲート駆動回路への信号伝送方式。
- 前記DC/AC変換回路の交流出力側を、1段目の代わりに2段目〜n−1段目のうちのいずれか1つであるm段目の絶縁トランスの一次側に接続し、そのm段目の絶縁トランスの二次側にm+1段目の絶縁トランスの一次側を接続し、以下同様にしてn段目まで接続するとともに、前記m段目の絶縁トランスの二次側にm−1段目の絶縁トランスの一次側を接続し、以下同様にして1段目まで接続することを特徴とする請求項1に記載のゲート駆動回路への信号伝送方式。
- 前記制御装置とDC/AC変換回路とを光によって結合することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のゲート駆動回路への信号伝送方式。
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