JPH08212948A - X線電源装置 - Google Patents
X線電源装置Info
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- JPH08212948A JPH08212948A JP7037676A JP3767695A JPH08212948A JP H08212948 A JPH08212948 A JP H08212948A JP 7037676 A JP7037676 A JP 7037676A JP 3767695 A JP3767695 A JP 3767695A JP H08212948 A JPH08212948 A JP H08212948A
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Abstract
圧波形の立ち下がり時間を大電流,小電流にかかわらず
短くして,撮影時間の設定誤差を小さくし,軟X線の発
生を防止することのできるX線電源装置を提供する。 【構成】 高電圧オン指令により高周波電圧を発生する
高周波インバータ回路1と,出力電圧の正負極間または
正負各極と接地間に接続された高電圧スイッチ12及び
電流制限インピーダンス13の直列接続回路と,上記高
周波インバータ回路が作動停止するとき上記高電圧スイ
ッチをオンさせる駆動回路14とを備える。
Description
を用いたX線電源装置に関する。
X線電源装置は高周波化され,1ms以下の高速立ち上
がり,低リプルを目指している。高速立ち上がりによ
り,1msの撮影も原理的に可能になった。このような
高速撮影は数100mAの大電流時には実現するが,数
10mAの小電流時には管電圧波形の立ち下がり時間が
長くなり,設定時間に対して実際の撮影時間が延びる問
題が生じる。その原因は,高電圧フィルタコンデンサ,
高電圧ケーブルの静電容量の放電時間が小電流時には長
くなるためである。
流時の管電圧波形と小電流時の管電圧波形の変化を示す
図である。有効撮影電圧を管電圧の75%にすると,実
際の撮影時間と設定時間との誤差は,小電流時には小さ
いが,大電流時には非常に大きくなり,正確な時間の設
定が困難になる。撮影時間の誤差は,撮影者が意図して
いる写真と異なる写真をつくり,正確な医療診断業務を
妨げる要因となる。また,立ち下がり波尾の低い電圧に
より発生するX線は軟X線と呼ばれ,人体にとって有害
であるといわれている。X線電源装置の高周波化により
高電圧フィルタコンデンサが小容量化し,このような問
題は徐々に少なくなってはきているが,高電圧ケーブル
をなくすことはできないので,完全な解決とはならな
い。また,X線装置のサービス時に,高電圧ケーブルを
着脱するとき,作業者が残留電荷で感電する事故もあ
り,静電容量の放電対策が望まれている。
は,上記課題を解決するために,高電圧オン指令により
高周波電圧を発生する高周波インバータ回路と,出力電
圧の正負極間または正負各極と接地間に接続された高電
圧スイッチ及び電流制限インピーダンスの直列接続回路
と,上記高周波インバータ回路が作動停止するとき上記
高電圧スイッチをオンさせる駆動回路とを備え,管電圧
の波尾を高速化することを特徴とするX線電源装置を提
供するものである。
するために,上記高電圧スイッチが,複数個のスイッチ
ング素子のカスケード接続で構成されていることを特徴
とする請求項1に記載のX線電源装置を提供するもので
ある。
するために,上記駆動回路が,高周波パルス列を発生す
るパルス発生回路と,上記高電圧オン指令が入力される
反転回路と,該反転回路と上記パルス発生回路の出力が
入力され,上記高電圧オン指令を反転した信号で出力パ
ルスを開閉するアンドゲートと,該アンドゲートの出力
により高周波で交互にオンするFETと,該FETによ
り駆動されるパルストランスとからなることを特徴とす
る請求項1または2に記載のX線電源装置を提供するも
のである。
するために,上記駆動回路が,上記高電圧オン指令によ
り駆動されるFETと,該FETに直列接続された発光
ダイオードと,該発光ダイオードが発光することにより
光ファイバを介してオンするホトトランジスタとからな
ることを特徴とする請求項1または2に記載のX線電源
装置を提供するものである。
するために,上記駆動回路が,上記高電圧オン指令を反
転した信号で駆動されるFETと,該FETに1次巻線
が直列接続された複数のパルストランスとからなること
を特徴とする請求項1または2に記載のX線電源装置を
提供するものである。
るための図である。図1において,1はX線装置を作動
させるための作動信号のような高電圧オン指令による設
定時間の間,高周波電圧を発生する高周波インバータ回
路,2は内部が絶縁油で充填されている接地された金属
製の高電圧タンク,3は高周波インバータ回路1の出力
に接続される高電圧トランス,4は高電圧トランスの2
次巻線に接続される高電圧整流器,5,6は高電圧整流
器4の出力に接続される高電圧フィルタコンデンサ,
7,8は,正負各極出力端子9,10とX線管11とを
接続する高電圧ケーブルの静電容量であり,高電圧ケー
ブル1mあたり約250pFである。
サ5,6と高電圧ケーブルの静電容量7,8に蓄積され
た電荷を速やかに放電する高電圧スイッチ12と電流制
限インピーダンス,例えば電流制限抵抗13の直列回路
が,正極出力端子9と負極出力端子10間に接続され
る。14は高電圧スイッチ12の駆動回路である。この
駆動回路は,高周波インバータ回路1をオンさせて正負
各極出力端子9,10間に高電圧を出力させる高電圧オ
ン指令を利用しており,高周波インバータ回路1のオフ
時に高電圧スイッチ12のオン命令を出力する。この駆
動回路14は更に駆動信号回路と負極出力電圧との絶縁
機能を有する。
4の具体例を示す。同図において,高電圧スイッチ12
は,端子15,16間にカスケード接続された複数個の
スイッチング素子,例えばFETQ1 〜Qn と,オフ時
の電圧分担のバランスを図るための電圧分担バランス用
抵抗Ra1〜Ranと,ターンオン,ターンオフの過渡電圧
のアンバランスを小さくするための過渡特性改善用の抵
抗Rb1〜Rbn,コンデンサC1 〜Cn と,FETQ1 〜
Qn のゲート・ソース間の過電圧保護用のツェナダイオ
ードDZ2 〜DZn とで構成される。高電圧スイッチを
構成するFETの個数はFET1個あたりの耐電圧で定
まる。例えば,最高電圧150kVの装置に耐電圧が1
500VのFETを使用する場合には,この装置の耐電
圧試験が180kVで行われるので,FETが120個
以上必要となる。この回路において,初段のFETQ1
をオン,オフすると,全FETが抵抗Ra1〜Ranの作用
によりオン,オフする。
次巻線N1 と2次巻線N2 間に90kV以上の絶縁耐圧
を有するパルストランス,18はこのパルストランスの
1次巻線N1 を駆動するFET,19は10〜100k
Hzの高周波パルス列を発生するパルス発生回路,20
は反転回路であり,パルス発生回路19の出力パルスは
アンドゲート21により高電圧オン指令を反転した信号
で開閉される。即ち,高周波パルスは高周波インバータ
回路1がオフの期間のみFET18に印加される。22
は直流電源,23はツェナダイオード,24〜26はダ
イオード,27はコンデンサ,28は抵抗,29はトラ
ンジスタである。
指令がないとき,高周波パルスがFET18のゲートに
印加される。FET18がこの高周波パルスで断続的に
オンすると,ダイオード25,26が導通し,コンデン
サ27とFETQ1 のゲート容量を充電する。これらの
容量と放電用の抵抗28との時定数をパルス周波数より
大きく選定しておけば,充電電圧は上昇して行く。充電
電圧がFETQ1 のゲート閾値を超えれば,FETQ1
がオンし,従属してQ2 〜Qn がオンする。即ち,端子
15,16間は導通し,抵抗13を介して正負極出力端
子9,10間を零に保つ。
1が閉じ,FET18にゲート信号が送られないので,
FET18はオフする。パルストランス17の2次側に
電圧が発生しないため,コンデンサ27に蓄積された電
荷は抵抗28を介して放電し,トランジスタ29がオン
して,FETQ1 のゲート電圧が零になってオフし,従
属してQ2 〜Qn がオフする。この状態で,高電圧オン
指令により高周波インバータ回路1が動作して高電圧を
発生するが,高電圧スイッチ12がオフであるので,影
響しない。
令が解除されると,高周波インバータ回路1は停止し,
高電圧の発生は終了するが,高電圧フィルタコンデンサ
5,6,高電圧ケーブルの静電容量7,8に蓄積された
電荷が残る。従来は,この電荷はX線管11を介して緩
やかに放電する。この実施例では,高電圧オン指令を解
除することにより,FET18のゲートに高周波パルス
列が印加され,上述のモードでFETQ1 がオンし,従
属してQ2 〜Qn がオンする。このように,高電圧オン
指令が解除されて高電圧の発生が終了すると,高電圧ス
イッチ12がオンして高電圧フィルタコンデンサ5,6
と高電圧ケーブルの静電容量7,8の残留電荷を放電
し,管電圧の立ち下がり時間を短縮する。この放電時間
は,高電圧フィルタコンデンサ5,6,高電圧ケーブル
の静電容量7,8と抵抗13との時定数により決まる
が,X線を発生しない電圧である20kV程度まで速や
かに,例えば1ms程度で降下すればよい。例えば高電
圧ケーブル各10mで2500pFの1/2,高電圧フ
ィルタコンデンサ1000pFの1/2で計1750p
F,1msで放電するには約200kΩになる。FET
Q1 のゲート信号は,高電圧のオフ期間中連続している
必要はなく,上記時定数の期間オンすればよい。
ための図であり,高電圧スイッチを光学的手段により制
御するものである。同図において,30は接地電位側に
設けられる発光ダイオード,31は光信号伝達と高電圧
絶縁機能を有する光ファイバ,32はホトトランジス
タ,33はFET,34は直流電源,35は抵抗であ
る。
ると,直流電源34から抵抗35を介して発光ダイオー
ド30に電流が流れて,発光ダイオード30が発光す
る。発光ダイオード30が発光すると,光ファイバ31
を介してホトトランジスタ32がオンする。初段のFE
TQ1 のゲートがホトトランジスタ32により短絡され
てFETQ1 がオフし,従属してQ2 〜Qn がオフす
る。
オード30が消え,ホトトランジスタ32がオフする。
ホトトランジスタ32がオフすると,FETQ1 のゲー
トに抵抗Ra1を介して順バイアスが印加し,FETQ1
がオンし,従属してQ2 〜Qn がオンする。この実施例
は,FETのゲート電圧源をドレイン電圧からとるの
で,FETのゲートに負帰還がかかり,飽和電圧が低下
しない欠点を有するが,X線を発生しない電圧である2
0kV程度まで降下すればよいので,実用上は問題とな
らない。
ための図であり,高電圧スイッチとしてSCRの直列接
続を用いたものである。同図において,S1 〜Sn は直
列接続されたSCR,T1 〜Tn は1次巻線と2次巻線
間が絶縁されたパルストランス,36はFET,37は
直流電源である。各SCRS1 〜Sn のゲートはパルス
トランスT1 〜Tn の2次巻線に逆方向電圧阻止用ダイ
オードD1 〜Dn を介して接続されており,1次側を直
列駆動することにより,全SCRを同時に点弧すること
ができる。パルストランスT1 〜Tn の2次巻線には,
リセット抵抗Rc1〜Rcnが接続される。SCRを用いた
場合,高電圧フィルタコンデンサ5,6,高電圧ケーブ
ルの静電容量7,8に蓄積された電荷の放電電流が保持
電流以下になれば,自然消弧する利点がある。
ための図であり,高電圧スイッチ12a,12b,電流
制限抵抗13a,13bを高電圧の正負各極出力に設け
たものである。正極側駆動回路14aは,図2のような
NチャネルFETを用いた場合には絶縁は不要である
が,負極側駆動回路14bは,制御極の電位が高圧側と
なるので絶縁が必要である。尚,高電圧オン指令の解除
は高電圧オフ指令の印加と読み替えてもよい。また,高
電圧オン指令と高電圧スイッチのオフ,高電圧オン指令
の解除と高電圧スイッチのオンのタイミングは,ms程
度の重なり部分があっても直列抵抗があるので問題とは
ならず,厳密に逆対応する必要はない。
電圧波形の立ち下がり時間を,大電流,小電流にかかわ
らず短くでき,撮影時間の設定誤差を小さくできる効果
がある。また,静電容量が必ず放電されるので,高電圧
ケーブルを着脱する場合に,残留電荷で感電する事故が
なくなり,安全である。特に,管電圧の波尾で発生する
人体に有害な軟X線を除去できる利点がある。
る。
ク 3…高電圧トランス 4…高電圧整流
器 5,6…高電圧フィルタコンデンサ 7,8…高電圧
ケーブルの静電容量 9…正極出力端子 10…負極出力端
子 11…X線管 12,12a,12b…高電圧スイッチ 13,13a,13b…電流制限インピーダンス 14,14a,14b…駆動回路 15,16…端
子 17…パルストランス 18…FET 19…パルス発生回路 20…反転回路 21…アンドゲート 22…直流電源 23…ツェナダイオード 24〜26…ダ
イオード 27…コンデンサ 28…抵抗 29…トランジスタ 30…発光ダイ
オード 31…光ファイバ 32…ホトトラ
ンジスタ 33…FET 34…直流電源 35…抵抗 36…FET 37…直流電源 Q1 〜Qn …ス
イッチング素子 Ra1〜Ran,Rb1〜Rbn,Rc1〜Rcn…抵抗 C1 〜Cn …コンデンサ DZ2 〜DZn
…ツェナダイオード S1 〜Sn …SCR T1 〜Tn …パ
ルストランス D1 〜Dn …ダイオード
Claims (5)
- 【請求項1】 高電圧オン指令により高周波電圧を発生
する高周波インバータ回路と,出力電圧の正負極間また
は正負各極と接地間に接続された高電圧スイッチ及び電
流制限インピーダンスの直列接続回路と,上記高周波イ
ンバータ回路が作動停止するとき上記高電圧スイッチを
オンさせる駆動回路とを備え,管電圧の波尾を高速化す
ることを特徴とするX線電源装置。 - 【請求項2】 上記高電圧スイッチが,複数個のスイッ
チング素子のカスケード接続で構成されていることを特
徴とする請求項1に記載のX線電源装置。 - 【請求項3】 上記駆動回路が,高周波パルス列を発生
するパルス発生回路と,上記高電圧オン指令が入力され
る反転回路と,該反転回路と上記パルス発生回路の出力
が入力され,上記高電圧オン指令を反転した信号で出力
パルスを開閉するアンドゲートと,該アンドゲートの出
力により高周波で交互にオンするFETと,該FETに
より駆動されるパルストランスとからなることを特徴と
する請求項1または2に記載のX線電源装置。 - 【請求項4】 上記駆動回路が,上記高電圧オン指令に
より駆動されるFETと,該FETに直列接続された発
光ダイオードと,該発光ダイオードが発光することによ
り光ファイバを介してオンするホトトランジスタとから
なることを特徴とする請求項1または2に記載のX線電
源装置。 - 【請求項5】 上記駆動回路が,上記高電圧オン指令を
反転した信号で駆動されるFETと,該FETに1次巻
線が直列接続された複数のパルストランスとからなるこ
とを特徴とする請求項1または2に記載のX線電源装
置。
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