JP4695022B2 - ステージ装置、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
ステージ装置、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4695022B2 JP4695022B2 JP2006157945A JP2006157945A JP4695022B2 JP 4695022 B2 JP4695022 B2 JP 4695022B2 JP 2006157945 A JP2006157945 A JP 2006157945A JP 2006157945 A JP2006157945 A JP 2006157945A JP 4695022 B2 JP4695022 B2 JP 4695022B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- clamping
- force
- substrate
- actuator
- clamping force
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 66
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 51
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 41
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 24
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 13
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
− 対象を支持するための対物テーブルと、
− 対物テーブルを第1の方向に変位させるための位置決めデバイスと
を備えた、実質的に平らな表面を有する対象を変位させるためのステージ装置であって、
対物テーブルが、第1のクランピング力で対象をクランプするためのクランピング・デバイスを備え、
第1のクランピング力が、対象の状態に基づいて電子制御ユニットによって制御されるステージ装置が提供される。
サポートが、第1のクランピング力で対象をクランプするためのクランピング・デバイスを備え、第1のクランピング力が、対象の状態に基づいて電子制御ユニットによって制御されるリソグラフィ装置が提供される。
− 放射ビームB(たとえばUV放射又はEUV放射)を条件付けるように構成された照明システム(イルミネータ)IL
− パターニング・デバイス(たとえばマスク)MAを支持するように構築された、特定のパラメータに従ってパターニング・デバイスを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続された支持構造(たとえばマスク・テーブル)MT
− 基板(たとえばレジスト被覆ウェハ)Wを保持するように構築された、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル(たとえばウェハ・テーブル)WT
− パターニング・デバイスMAによって放射ビームBに付与されたパターンを基板Wの目標部分C(たとえば1つ又は複数のダイが含まれている)に投影するように構成された投影システム(たとえば屈折投影レンズ系)PS
を備えている。
1.ステップ・モード:マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTが基本的に静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターン全体が目標部分Cに1回で投影される(即ち単一静止露光)。次に、基板テーブルWTがX方向及び/又はY方向にシフトされ、異なる目標部分Cが露光される。ステップ・モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一静止露光で結像される目標部分Cのサイズが制限される。
2.走査モード:放射ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影されている間、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTが同期走査される(即ち単一動的露光)。マスク・テーブルMTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPSの倍率(縮小率)及び画像反転特性によって決まる。走査モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一動的露光における目標部分の幅(非走査方向の幅)が制限され、また、走査運動の長さによって目標部分の高さ(走査方向の高さ)が決まる。
3.その他のモード:プログラム可能パターニング・デバイスを保持してマスク・テーブルMTが基本的に静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影されている間、基板テーブルWTが移動又は走査される。このモードでは、通常、パルス放射源が使用され、走査中、基板テーブルWTが移動する毎に、或いは連続する放射パルスと放射パルスの間に、必要に応じてプログラム可能パターニング・デバイスが更新される。この動作モードは、上で参照したタイプのプログラム可能ミラー・アレイなどのプログラム可能パターニング・デバイスを利用しているマスクレス・リソグラフィに容易に適用することができる。
B 放射ビーム
BD ビーム引渡しシステム
C 基板の目標部分
CO コンデンサ
IF 位置センサ
IL 照明システム(イルミネータ)
IN インテグレータ
MA パターニング・デバイス(マスク)
MT 支持構造(マスク・テーブル)
M1、M2 マスク・アライメント・マーク
PM 第1のポジショナ
PS 投影システム
PW 第2のポジショナ
P1、P2 基板アライメント・マーク
SO 放射源
W 基板
WT 基板テーブル
10、50、92、120、130、146、157、210 対物テーブル
15、54、56、134、142、154 真空パッド
20、122、132、140、155、160、190、200、212 対象
30 加えられるクランピング力を示す矢印
31、64 電子制御ユニット
52、100 レチクル
60、61、62、63 圧電アクチュエータ
66、98 アクチュエータのクランピング表面
70 アクチュエータの第1の部分
72 強磁性ヨーク
74 永久磁石
80 アクチュエータの第2の部分
82 コイル
85 コイルを作動させることによって生成される力の方向
90 第1のアクチュエータ部分
95 第2のアクチュエータ部分
96、128、136、148 板ばね
124 ベロー
126 板ばねを介して対物テーブルの上に配置された部分
138 対物テーブルの上に提供されたサポートによる真空パッドの支持を示す矢印
144 サポート
150 付加保持力
152、178 対象の重心
156 アクチュエータ
158、220 真空クランプ
162、164 クランピング力を表す矢印
166、168、202、204 クランプ
170、171 慣性力を少なくとも部分的に補償する力成分
172 慣性力
174、176、182、184、206、208 クランピング部材
185、186 慣性力に対抗する力成分
218 たわみ部材
222 アクチュエータ力を示す矢印
Claims (11)
- 実質的に平らな表面を有する対象を変位させるためのステージ装置であって、
前記対象を支持するように構成された対物テーブルと、
前記対物テーブルを第1の方向に変位させるように構成された位置決めデバイスとを備え、
前記対物テーブルが、第1のクランピング力で前記対象をクランプするように構成されたクランピング・デバイスを備え、
前記第1のクランピング力が、前記対象の状態に基づいて電子制御ユニットによって制御され、
前記クランピング・デバイスは、前記対物テーブルの両側に配置され、かつ前記対象の移動平面において前記第1の方向に対して垂直な方向に展開しており、
前記クランピング・デバイスは、前記第1の方向に1e7N/mないし1e9N/mの剛性を有しており、
前記第1のクランピング力は前記対象の重心を実質的に通る方向に向けられている、ステージ装置。 - 前記電子制御ユニットは、前記対象の加速度が一定の値を超えた場合にのみ前記第1のクランピング力を提供するよう構成されている、請求項1に記載のステージ装置。
- 前記電子制御ユニットは、前記対象の加速度が定義済みの加速度値より小さくなると、前記第1のクランピング力を定義済みの力の値に抵減するように構成された、請求項1に記載のステージ装置。
- 前記クランピング・デバイスがベローによって構成された、請求項1乃至3のいずれか1項に記載のステージ装置。
- 前記クランピング・デバイスが水力ばねによって構成された、請求項1乃至3のいずれか1項に記載のステージ装置。
- 前記クランピング・デバイスが、前記第1のクランピング力を加えるように構成されたアクチュエータを備えた、請求項1乃至3のいずれか1項に記載のステージ装置。
- 前記対象が前記アクチュエータの少なくとも1つのクランピング表面にクランプされる、請求項6に記載のステージ装置。
- 前記対象が前記対物テーブルの少なくとも1つのクランピング表面にクランプされる、請求項1乃至6のいずれか1項に記載のステージ装置。
- 第2のクランピング力で前記対象をクランプするように構成された保持デバイスをさらに備えた、請求項1乃至8のいずれか1項に記載のステージ装置。
- 前記保持デバイスが、前記第2のクランピング力を供給するように構成された真空パッドを備えた、請求項9に記載のステージ装置。
- 放射ビームを条件付けるように構成された照明システムと、
パターン形成された放射ビームを形成するために前記放射ビームの断面にパターンを付与するように構成されたパターニング・デバイスを支持するように構築されたサポートと、
基板を保持するように構築された基板テーブルと、
前記パターン形成された放射ビームを前記基板の目標部分に投射するように構成された投影システムと、
前記サポートを第1の方向に変位させるように構成された位置決めデバイスとを備えたリソグラフィ装置であって、
前記サポートが、第1のクランピング力で前記対象をクランプするためのクランピング・デバイスを備え、前記第1のクランピング力が、前記対象の状態に基づいて電子制御ユニットによって制御され、
前記クランピング・デバイスは、前記サポートの両側に配置され、かつ前記サポートの移動平面において前記第1の方向に対して垂直な方向に展開しており、
前記クランピング・デバイスは、前記第1の方向に1e7N/mないし1e9N/mの剛性を有しており、
前記第1のクランピング力は前記サポートの重心を実質的に通る方向に向けられている、リソグラフィ装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/147,465 | 2005-06-08 | ||
US11/147,465 US7459701B2 (en) | 2005-06-08 | 2005-06-08 | Stage apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006352115A JP2006352115A (ja) | 2006-12-28 |
JP4695022B2 true JP4695022B2 (ja) | 2011-06-08 |
Family
ID=37523801
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006157945A Active JP4695022B2 (ja) | 2005-06-08 | 2006-06-07 | ステージ装置、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7459701B2 (ja) |
JP (1) | JP4695022B2 (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007266187A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Nikon Corp | ステージ装置、露光装置、デバイスの製造方法 |
JP2008016510A (ja) * | 2006-07-03 | 2008-01-24 | Nuflare Technology Inc | 半導体回路パターン形成装置 |
US7675607B2 (en) * | 2006-07-14 | 2010-03-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7946837B2 (en) * | 2006-10-06 | 2011-05-24 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
US7933000B2 (en) * | 2006-11-16 | 2011-04-26 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method, method for holding a patterning device and lithographic apparatus including an applicator for applying molecules onto a clamp area of a patterning device |
WO2008087725A1 (ja) * | 2007-01-18 | 2008-07-24 | Advantest Corporation | 基板固定装置及び基板固定方法 |
JP4820842B2 (ja) * | 2007-05-30 | 2011-11-24 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | ステージシステムおよびそのようなステージシステムを備えるリソグラフィ装置 |
NL1036034A1 (nl) | 2007-10-11 | 2009-04-15 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithography. |
NL1036511A1 (nl) * | 2008-02-13 | 2009-08-14 | Asml Netherlands Bv | Movable support, position control system, lithographic apparatus and method of controlling a position of an exchangeable object. |
NL1036898A1 (nl) * | 2008-05-21 | 2009-11-24 | Asml Netherlands Bv | Substrate table, sensor and method. |
NL2003877A (en) * | 2009-02-05 | 2010-08-09 | Asml Holding Nv | Reticle support that reduces reticle slippage. |
JP5678426B2 (ja) * | 2009-11-30 | 2015-03-04 | 株式会社ニコン | 基板保持装置、ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
NL2006190A (en) * | 2010-03-11 | 2011-09-13 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
TWI542952B (zh) * | 2010-12-02 | 2016-07-21 | Asml控股公司 | 圖案化裝置支撐件 |
US9482604B2 (en) | 2012-04-17 | 2016-11-01 | Northeastern University | Equi-biaxial membrane stretcher |
JP6043877B2 (ja) * | 2012-10-26 | 2016-12-14 | エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. | パターニングデバイス支持体及びリソグラフィ装置 |
US10289007B2 (en) * | 2014-07-10 | 2019-05-14 | Nikon Corporation | Lithography tool having a reticle stage capable of dynamic reticle bending to compensate for distortion |
JP6788125B2 (ja) * | 2017-02-10 | 2020-11-18 | エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. | レチクルクランプデバイス |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0620917A (ja) * | 1992-07-01 | 1994-01-28 | Nikon Corp | ステージ装置 |
JPH07192984A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Toshiba Mach Co Ltd | 薄板固定装置 |
JPH0817896A (ja) * | 1994-06-29 | 1996-01-19 | Canon Inc | 基板搬送装置 |
JPH09260271A (ja) * | 1996-03-22 | 1997-10-03 | Nikon Corp | 露光装置 |
JPH1097985A (ja) * | 1996-09-24 | 1998-04-14 | Canon Inc | 走査型露光装置およびデバイス製造方法 |
JPH10116886A (ja) * | 1996-10-11 | 1998-05-06 | Nikon Corp | 試料保持方法及び露光装置 |
JPH10135122A (ja) * | 1996-10-29 | 1998-05-22 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JPH10149979A (ja) * | 1996-11-19 | 1998-06-02 | Canon Inc | ステージ装置およびこれを用いた露光装置 |
JPH117319A (ja) * | 1997-06-18 | 1999-01-12 | Ushio Inc | ステージ装置 |
JPH117320A (ja) * | 1997-06-18 | 1999-01-12 | Ushio Inc | ステージ装置 |
JP2000299370A (ja) * | 1999-04-16 | 2000-10-24 | Canon Inc | 試料保持装置およびこの保持装置を用いた露光装置 |
JP2002343850A (ja) * | 2001-05-15 | 2002-11-29 | Nikon Corp | ステージ装置および露光装置 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4335313A (en) * | 1980-05-12 | 1982-06-15 | The Perkin-Elmer Corporation | Method and apparatus for aligning an opaque mask with an integrated circuit wafer |
JPS60189745A (ja) * | 1984-03-10 | 1985-09-27 | Canon Inc | 密着露光方法 |
DE3623891A1 (de) * | 1986-07-15 | 1988-01-28 | Siemens Ag | Anordnung zur genauen gegenseitigen ausrichtung einer maske und einer halbleiterscheibe in einem lithographiegeraet und verfahren zu ihrem betrieb |
AT393925B (de) * | 1987-06-02 | 1992-01-10 | Ims Ionen Mikrofab Syst | Anordnung zur durchfuehrung eines verfahrens zum positionieren der abbildung der auf einer maske befindlichen struktur auf ein substrat, und verfahren zum ausrichten von auf einer maske angeordneten markierungen auf markierungen, die auf einem traeger angeordnet sind |
US5854671A (en) * | 1993-05-28 | 1998-12-29 | Nikon Corporation | Scanning exposure method and apparatus therefor and a projection exposure apparatus and method which selectively chooses between static exposure and scanning exposure |
US6337479B1 (en) * | 1994-07-28 | 2002-01-08 | Victor B. Kley | Object inspection and/or modification system and method |
US5648188A (en) * | 1995-06-07 | 1997-07-15 | International Business Machines Corporation | Real time alignment system for a projection electron beam lithographic system |
US20030179354A1 (en) | 1996-03-22 | 2003-09-25 | Nikon Corporation | Mask-holding apparatus for a light exposure apparatus and related scanning-exposure method |
US5834786A (en) * | 1996-07-15 | 1998-11-10 | Diamond Semiconductor Group, Inc. | High current ribbon beam ion implanter |
JP4185171B2 (ja) * | 1997-04-10 | 2008-11-26 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 荷電粒子ビーム露光方法及びその露光装置 |
US5981118A (en) * | 1997-04-11 | 1999-11-09 | Fujitsu Ltd. | Method for charged particle beam exposure with fixed barycenter through balancing stage scan |
WO1999026278A1 (fr) * | 1997-11-14 | 1999-05-27 | Nikon Corporation | Dispositif d'exposition, procede de fabrication associe, et procede d'exposition |
JP3535749B2 (ja) | 1997-12-10 | 2004-06-07 | キヤノン株式会社 | ステージ装置、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
US6509953B1 (en) * | 1998-02-09 | 2003-01-21 | Nikon Corporation | Apparatus for exposing a pattern onto an object with controlled scanning |
AU2549899A (en) * | 1998-03-02 | 1999-09-20 | Nikon Corporation | Method and apparatus for exposure, method of manufacture of exposure tool, device, and method of manufacture of device |
GB2355336B (en) * | 1999-10-12 | 2004-04-14 | Applied Materials Inc | Ion implanter with wafer angle and faraday alignment checking |
JP2001237177A (ja) * | 1999-12-14 | 2001-08-31 | Nikon Corp | 位置検出方法、位置検出装置、露光方法、露光装置、記録媒体、及びデバイス製造方法 |
JP2001257143A (ja) * | 2000-03-09 | 2001-09-21 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2002217091A (ja) * | 2001-01-19 | 2002-08-02 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置 |
IL164483A0 (en) * | 2002-04-10 | 2005-12-18 | Fujinon Corp | Exposure head, exposure apparatus, and applicationthereof |
US7138629B2 (en) * | 2003-04-22 | 2006-11-21 | Ebara Corporation | Testing apparatus using charged particles and device manufacturing method using the testing apparatus |
US7327437B2 (en) * | 2004-12-07 | 2008-02-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
-
2005
- 2005-06-08 US US11/147,465 patent/US7459701B2/en active Active
-
2006
- 2006-06-07 JP JP2006157945A patent/JP4695022B2/ja active Active
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0620917A (ja) * | 1992-07-01 | 1994-01-28 | Nikon Corp | ステージ装置 |
JPH07192984A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Toshiba Mach Co Ltd | 薄板固定装置 |
JPH0817896A (ja) * | 1994-06-29 | 1996-01-19 | Canon Inc | 基板搬送装置 |
JPH09260271A (ja) * | 1996-03-22 | 1997-10-03 | Nikon Corp | 露光装置 |
JPH1097985A (ja) * | 1996-09-24 | 1998-04-14 | Canon Inc | 走査型露光装置およびデバイス製造方法 |
JPH10116886A (ja) * | 1996-10-11 | 1998-05-06 | Nikon Corp | 試料保持方法及び露光装置 |
JPH10135122A (ja) * | 1996-10-29 | 1998-05-22 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JPH10149979A (ja) * | 1996-11-19 | 1998-06-02 | Canon Inc | ステージ装置およびこれを用いた露光装置 |
JPH117319A (ja) * | 1997-06-18 | 1999-01-12 | Ushio Inc | ステージ装置 |
JPH117320A (ja) * | 1997-06-18 | 1999-01-12 | Ushio Inc | ステージ装置 |
JP2000299370A (ja) * | 1999-04-16 | 2000-10-24 | Canon Inc | 試料保持装置およびこの保持装置を用いた露光装置 |
JP2002343850A (ja) * | 2001-05-15 | 2002-11-29 | Nikon Corp | ステージ装置および露光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7459701B2 (en) | 2008-12-02 |
US20060279721A1 (en) | 2006-12-14 |
JP2006352115A (ja) | 2006-12-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4695022B2 (ja) | ステージ装置、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP5147776B2 (ja) | 位置決めシステム、およびリソグラフィ装置 | |
JP4611325B2 (ja) | リソグラフィ装置およびステージ装置 | |
KR101108016B1 (ko) | 이동가능한 지지체, 위치 제어 시스템, 리소그래피 장치 및교환가능한 대상물의 위치를 제어하는 방법 | |
JP4976483B2 (ja) | リソグラフィ装置及び基板ステージ補償を利用したデバイス製造方法 | |
JP4638454B2 (ja) | リソグラフィ装置およびリソグラフィ装置のコンポーネントを制御する方法 | |
JP5162417B2 (ja) | リソグラフィ装置およびその振動制御方法 | |
JP4791421B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP4881215B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP5159740B2 (ja) | リソグラフィ装置及びアクチュエータ | |
JP5705466B2 (ja) | 可動物体の位置を制御する方法、位置決め装置を制御する制御システム、およびリソグラフィ装置 | |
JP6681982B2 (ja) | 位置決めデバイス、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法 | |
JP6862543B2 (ja) | モータアセンブリ、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法 | |
JP2008060563A (ja) | 可動物体の位置を制御するための方法、位置決めシステム、および、リソグラフィ装置 | |
US8384881B2 (en) | Lithographic apparatus, stage apparatus and device manufacturing method | |
JP2006114899A (ja) | リソグラフィ装置及び装置製造方法 | |
JP2019525239A (ja) | 位置決めシステム、位置決めするための方法、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP5876717B2 (ja) | パターニングデバイスサポート | |
US20090123853A1 (en) | Aligning apparatus, aligning method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method | |
JP2009267406A (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP4000320B2 (ja) | リソグラフィ投影装置用可動ステージ・システム、リソグラフィ投影装置、及びデバイス製造方法 | |
JP2007251137A (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP4719710B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP4943345B2 (ja) | リソグラフィ装置 | |
JP5196669B2 (ja) | リソグラフィ装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20061208 |
|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20070524 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090529 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090602 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090828 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100304 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100528 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110128 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110224 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140304 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4695022 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |