JP4667553B2 - イオン源 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、イオン注入装置用のイオン源に適したイオン源に関する。
【0002】
【従来の技術】
図22を参照して、イオン源の概略構成について説明する。このイオン源100は、マイクロ波導入用の窓を持つプラズマチャンバ101と、プラズマチャンバ101の両端部の外周に配設された一対のミラー磁石102と、これらのミラー磁石102の間に設けられてプラズマチャンバ101内にマイクロ波を導入するための導波管103とを備え、プラズマチャンバ101内にプラズマを生成して、イオンビームをプラズマチャンバ101の一端側に設けた引き出し電極により引き出すものである。
【0003】
イオン生成用のガスが、プラズマチャンバ101の中心軸上の他端側に設けられた供給口104からプラズマチャンバ101内に導入される。プラズマチャンバ101内にはまた、RF発振器を備えたマイクロ波電源からのマイクロ波が導波管103を通して導入される。
【0004】
プラズマチャンバ101は、通常、円筒形状であり、その側面に導波管103が接続されてプラズマチャンバ101内にその半径方向よりマイクロ波が導入される。導波管103とプラズマチャンバ101とが接続される部分にはRF窓がはさみ込まれる。RF窓はマイクロ波を大気中からプラズマチャンバ101内に透過させるが、プラズマチャンバ101の真空は保持する。
【0005】
一対のミラー磁石102はプラズマチャンバ101内にミラー磁場を作るためのものであり、通常、ソレノイドコイルで実現される。なお、ミラー磁石102は、複数の棒状永久磁石により構成される場合もある。
【0006】
プラズマチャンバ101の一端側にイオンビーム引出し用のケーシングが設けられ、このケーシング内には引き出し電極とアノード電極とが設けられる。
【0007】
このようなイオン源100は、イオン注入装置に適用されるものであり、その一例は特願平10−343324号に開示されている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記のようなイオン源の各部に様々な改良を加えることにより、その性能の向上を図ろうとするものである。
【0009】
本発明は特に、他の構成部材を組み込み易くすることのできるイオン源を提供しようとするものである。
【0010】
本発明は更に、装置回りの必要スペースを小さくすることのできるイオン源を提供しようとするものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明の第1の形態は、内壁面と外壁面とを有すると共にマイクロ波導入用のRF窓を持つ円筒体からなるプラズマチャンバと、該プラズマチャンバの円筒体の両端部の外壁に配設されたコイルまたは永久磁石による一対のミラー磁石と、該一対のミラー磁石の間に設けられて前記プラズマチャンバ内に前記マイクロ波を導入するための導波管とを備えたイオン源において、前記プラズマチャンバは前記導波管の開口部分から上流側にも下流側にも長く構成するとともに、前記導波管の開口部分の長軸方向の内幅と同じ長さの空間である前記RF窓を、前記プラズママチャンバ内の前記導波管と当該プラズマチャンバとが接続される部分にはさみ込んで形成して、前記プラズマチャンバ内における前記導波管の開口部分の長軸方向の内幅と同じ長さの空間にプラズマを生成して、イオンビームを前記プラズマチャンバの一端側に設けた引き出し電極により引き出すようにし、前記一対のミラー磁石はそれぞれ、前記コイルまたは永久磁石がヨークに収容されて成り、前記引き出し電極側のミラー磁石におけるヨーク端面には前記イオンビームを通すための開口が設けられ、該開口の形状を、鉛直方向の開口内径が水平方向の開口内径より大きな縦長の長円形、楕円形のような回転非対称形状とし、前記導波管の開口部分の長軸方向の内幅の幅長さを、前記イオンビームを通すための開口の前記鉛直方向の開口内径よりも大きくし、前記プラズマチャンバの内壁側には更に、前記導波管の短軸側の2つの内壁に対応する位置からそれぞれ前記プラズマチャンバの端部側に延びる円筒体を形成するか、又は、前記導波管の短軸側の2つの内壁に対応する2つの位置の少なくとも一方に、周方向に沿うように仕切り体を設けたことを特徴とする。
【0013】
本発明の第2の形態は、前記外壁面の断面形状を円形とし、前記内壁面の断面形状は前記外壁面の断面形状と相似な円形状とし、しかも前記内壁面の断面形状が前記外壁面の断面形状に対して偏芯した形状となるように前記プラズマチャンバを形成したことを特徴とする。
【0014】
なお、前記内壁面の断面形状を円形とし、前記外壁面の断面形状は前記内壁面の断面形状と異なる形状とし、しかも同心的な関係となるように前記プラズマチャンバを形成するようにしても良い。
【0015】
また、前記外壁面の断面形状を円形とし、前記内壁面の断面形状は前記外壁面の断面形状と異なる形状とし、しかも同心的な関係となるように前記プラズマチャンバを形成するようにしても良い。
【0018】
また、前記プラズマチャンバを、前記引き出し電極と反対側の端部を閉じた有底円筒形状としても良い。
【0019】
本発明の第4の形態においては、前記一対のミラー磁石はそれぞれ、コイルを前記ヨークに収容して成るミラー電磁石であり、前記コイルは、巻線を1層のリング状に巻回して成ると共に、内周側の引き出し線と外周側の引き出し線とを前記ヨークの外に導出して成り、前記ヨークには、前記内周側の引き出し線を導出するための溝あるいは貫通孔が形成されていることを特徴とする。
【0020】
本発明の第5の形態は、前記マイクロ波導入用のRF窓が、内側に向けて径が大きくなるようなホーン形状にされていることを特徴とする。
【0021】
本発明の第6の形態は、前記一対のミラー磁石がそれぞれ、永久磁石を前記ヨークに収容して成る場合、前記引き出し電極とは反対側の前記ミラー磁石の永久磁石を貫通させて同軸線路を前記導波管に結合したことを特徴とする。
【0022】
上記第6の形態の変形例として、前記導波管を前記引き出し電極とは反対側の前記ミラー磁石側に折り曲げて形成し、折り曲げた導波管部分を、前記引き出し電極とは反対側の前記ミラー磁石の永久磁石に設けた切り欠き部を通してミラー磁石の外側に導出するようにしても良い。
【0023】
【発明の実施の形態】
図1〜図3を参照して、本発明の第1の実施の形態について説明する。図1は、ECRイオン源(以下、イオン源と呼ぶ)における一対のミラー磁石のうち、下流側、すなわち引き出し電極110(図2)側のミラー磁石10を引き出し電極110側から見た図である。なお、以下の説明では、上流側、下流側という語句はイオンの流れ方向に関して用いられる。ここでは、ミラー磁石10は、ヨーク11にソレノイドコイル12を収容して構成されている。ヨーク11は、2つの側面ヨーク11−1、11−2と外周ヨーク11−3を有し、上流側の側面ヨーク11−2にはプラズマチャンバ20を通すための貫通穴が設けられている。一方、下流側の側面ヨーク11−1の内面側にはプラズマチャンバ20の一端部が接しており、この側面ヨーク11−1にはイオンビームを通すための開口11−1aが設けられている。図1の11−4はソレノイドコイル12への通電用端子であり、図2の120はアノードである。
【0024】
本形態においては、開口11−1aの形状を回転非対称形状としたことを特徴とする。ここでは、回転非対称形状として、楕円形状を採用している。特に、引き出し電極110の縦長のスリットの長手方向に対応する方向(鉛直方向)の開口内径を大きくして長径とし、引き出し電極110のスリットの長手方向と直角な方向(水平方向)の開口内径は小さくして短径とする。更に、長径、短径の方向は多重極の発生磁場の特定の方向に合わせたものとする。勿論、長径、短径のサイズはイオンビーム(図1に斜線を付けた部分)の断面形状より大きなものとする。なお、回転非対称形状の他の例としては、長円形、長四角形等が考えられる。例えば、開口11−1aの形状を引き出し電極110の断面形状に対応させるようにしても良い。
【0025】
更に言えば、プラズマチャンバ20を形成している円筒体を、その内壁面の断面形状が開口11−1aと同じ形状になるように作製しても良い。
【0026】
本形態による効果として、以下のような点があげられる。
【0027】
▲1▼プラズマチャンバ20の中心軸に近い部分でのミラー磁場の分布はあまり変化せず、磁場の半径方向の成分はほとんど生じないため、一般的な円形状の開口のときと磁場の分布も変わらない。
▲2▼縦長のスリットを持つ引き出し電極が組み込み易くなる。
▲3▼イオンビームと開口との間に余分な空間が生じないため、イオンビームの流れがスムーズとなる。
【0028】
図4を参照して、本発明の第2の実施の形態について説明する。図4は、プラズマチャンバ20の断面形状を示し、プラズマチャンバ20は外壁面(すなわち外周面)20−1と、内壁面(すなわち内周面)20−2とで規定される。本形態では、外壁面20−1の断面形状を円形とし、内壁面20−2の断面形状は外壁面20−1の断面形状と相似な円形状とし、しかも内壁面20−2が外壁面20−1に対して偏芯した形状となるようにプラズマチャンバ20を形成したことを特徴とする。これは、プラズマチャンバ20の肉厚を一様に薄くすると、プラズマの無い部分の空間まで拡大されてRF窓31や水冷のための通路20aが窮屈になる一方、一様に厚くするとプラズマが縮小されてしまうという事情に基づいている。
【0029】
この第2の実施の形態の効果は、以下の通りである。
【0030】
▲1▼冷却水を流し易い。すなわち、プラズマチャンバ20の肉厚部に、冷却水を通すための通路20aを作り易くなる。
▲2▼マイクロ波導入用のRF窓を作り易い。すなわち、プラズマチャンバ20の肉厚部に、RF窓31を作り易くなる。
【0031】
図5〜図7はそれぞれ、第2の実施の形態の変形例を示している。これらの変形例は、プラズマチャンバ20の外壁面20−1の断面形状を円形とし、内壁面20−2の断面形状は外壁面20−1の断面形状と異なる形状とし、しかも同心的な関係となるようにプラズマチャンバ20を形成している。例えば、図5の変形例では内壁面20−2の断面形状を楕円形状にしており、図6の変形例では内壁面20−2の断面形状を略小判形の形状にしている。更に、図7の変形例では内壁面20−2の断面形状を略長方形の形状にしている。なお、内壁面20−2は軸方向の全長にわたって同一の断面形状である必要はない。
【0032】
これらの変形例の効果は、以下の通りである。
【0033】
▲1▼第2の実施の形態と同じ理由で、冷却水を流し易い。
▲2▼第2の実施の形態と同じ理由で、マイクロ波導入用のRF窓を作り易い。
▲3▼内壁面20−2の断面形状を、第1の実施の形態で説明したヨーク11の開口11−1aと類似の形状とすることにより、プラズマチャンバ20内の無駄な空間を省き、プラズマのチャンバとしての機能を充実できる。
【0034】
図8〜図10はそれぞれ、第2の実施の形態の他の変形例を示している。これらの変形例は、プラズマチャンバ20の内壁面20−2の断面形状を円形とし、外壁面20−1の断面形状は内壁面20−2の断面形状と異なる回転非対称形状とし、しかも同心的な関係となるようにプラズマチャンバを形成している。例えば、図8の変形例では外壁面20−1の断面形状を略小判形の形状にしており、図9の変形例では外壁面20−1の断面形状を楕円形の形状にしている。更に、図10の変形例では外壁面20−1の断面形状を略長方形の形状にしている。
【0035】
これらの変形例によれば、図5〜図7の変形例と同様の効果を得ることができるうえに、プラズマチャンバ20の軸心を中心とする回転方向の位置決めがし易くなる。
【0036】
なお、第2の実施の形態の変形例と他の変形例の組合わせ、すなわち外壁面20−1と内壁面20−2をともに回転非対称形状にしても良い。
【0037】
図11〜図13を参照して、本発明の第3の実施の形態について説明する。この第3の実施の形態では、プラズマチャンバ20の内径側に更に、導波管30の開口の短軸側の2つの内壁に対応する位置からそれぞれプラズマチャンバ20の端部側に延びる一対の円筒体40を形成したことを特徴とする。
【0038】
この第3の実施の形態においては、プラズマチャンバ20内に、導波管30の開口の長軸方向の内幅と同じ長さの空間を形成するようにしている。このようにして、できるだけマイクロ波の反射を減らし、プラズマチャンバ20内に生成されるプラズマ(あるいはECR共鳴点)の近くまで、マイクロ波を導くことができる。
【0039】
なお、円筒体40の形成は、ここでは、一対の円筒体40のうち、下流側の円筒体40をプラズマチャンバ20と一体に形成し、上流側の円筒体40については別個の作製したものをプラズマチャンバ20の上流側の開口から挿入固定して形成している。
【0040】
また、プラズマチャンバ20の引き出し電極110と反対側の端面は閉じていてもよい(つまり、有底円筒形状)。また、プラズマチャンバ20は導波管30の開口よりも上流側にも下流側にも長い。
【0041】
この第3の実施の形態によれば、プラズマチャンバ20内に生成されるプラズマがRF窓31の内周に近づくことを防止でき、RF窓31の内面側が汚れにくくなる。
【0042】
図14、図15を参照して、第3の実施の形態の変形例について説明する。この変形例では、プラズマチャンバ20の内壁側に、導波管30の開口の短軸側の2つの内壁に対応する位置にそれぞれ、周方向に沿うように仕切り体41を設けるようにしている。
【0043】
仕切り体41はプラズマチャンバ20内を導波管30の開口の長軸の内幅と一致する部分を仕切る位置に配置する。図14のように上流側、下流側の2箇所に設けても良いし、一方が導波管30の内幅と一致していれば1箇所だけでも良い。仕切り体41は冷却の関係で、プラズマチャンバ20と一体であることが望ましいが、別体でも良い。
【0044】
仕切り体41は、板状(例えば厚さ1mm程度の板)でも良いし、ある程度厚み(例えば仕切り体41の直径程度)を持つ円筒状であっても良い。仕切り体41には開口があり、その断面形状は略ドーナツ形状か、周方向の一部が切れた略C形状でも良い。開口の大きさは任意であるが、プラズマチャンバ20内のECRゾーンの最大径より一回り(最低5mm前後)大きくしておく。上流側、下流側の仕切り体41の形や配置が同一である必要は無い。
【0045】
この変形例は、プラズマチャンバ20の内部に仕切り体41を入れてプラズマチャンバ20内を3つに仕切ったものであり、プラズマチャンバ20の内部まで導波管30が延長されたものとみなすことができる。仕切られた空間のうち、中央の部分はその幅W1が導波管30の内壁側の幅W2と同じである。
【0046】
この変形例によれば、第3の実施の形態と同じ効果を得ることができる。
【0047】
図16、図17を参照して、本発明の第4の実施の形態について説明する。この第4の実施の形態では、一対のミラー磁石はそれぞれ、コイル50をヨークに収容して成るミラー電磁石である。特に、コイル50は、ソレノイドコイルとは異なり、巻線を1層のリング状に巻回して成ると共に、内周側の引き出し線51と外周側の引き出し線52とをヨークの外に導出するようにしている。そして、ヨークにおける2つの側面ヨークの一方(ここでは、53で示す)の内壁には、内周側の引き出し線51を導出するための溝53−1が形成されていることを特徴とする。なお、溝53−1に代えて、側面ヨーク53内に内周側の引き出し線51を通すための貫通孔を設けるようにしても良い。
【0048】
上記のように、第4の実施の形態では、一対のミラー電磁石における下流側のコイル50を薄くするために、1層だけのパンケーキ形状としている。そして、コイル50を囲む鉄による側面ヨークは、その一部に溝や貫通孔を設けることで、コイル50の内周側から引き出される引き出し線51を、外側まで導く。その結果、コイル50を薄くすることができる。溝や貫通孔を側面ヨーク53に設けても、溝や貫通孔の無い時とほとんど同じ磁場を発生することができる。
【0049】
図18、図19を参照して、本発明の第5の形態について説明する。この第5の実施の形態では、プラズマチャンバ20におけるマイクロ波導入用のRF窓31が、内側に向けて径が大きくなるようなホーン形状にされていることを特徴とする。なお、RF窓31は、導波管30の先端部にはんだ付けにより設けるようにしても良い。
【0050】
図20を参照して、本発明の第6の形態について説明する。この第6の形態は、一対のミラー磁石10がそれぞれ、棒状永久磁石をヨーク11に収容して成る場合に適用される。特に、引き出し電極とは反対側のミラー磁石10のヨーク11及びその内部の永久磁石を貫通させて同軸線路61を導波管30に結合するようにしたことを特徴とする。
【0051】
マイクロ波をプラズマチャンバ20に導入する場合、インプランターのイオン源では半径方向のスペース確保に制約が多い。このような場合に、永久磁石でできたミラー磁石を採用したイオン源では、図20のような同軸線路61を利用することにより、装置の半径方向のスペースを大きく取らずに済む。永久磁石に貫通孔を設けても磁場はほぼ回転対称を保ち、影響は少ない。特に、RF電力が約300W以下の場合、図20のように同軸線路61に変換することで、ミラー磁石10の断面を大きく保ったまま、簡単に貫通させることができる。
【0052】
図21を参照して、上記第6の形態の変形例について説明するう。この変形例では、導波管30を引き出し電極とは反対側のミラー磁石10側に折り曲げて形成し、折り曲げた導波管部分を、引き出し電極とは反対側のミラー磁石10のヨーク11及び永久磁石に設けた切り欠き部70を通してミラー磁石10の外側に導出するようにしている。このような導波管は一体のものでも良いし、分割できるように構成されていても良い。
【0053】
以上、本発明を各種の実施の形態について説明したが、更に、例えばミラー磁場の強度を固定とする場合、アークが点火しにくくなるので、点火用アノード電極を鉄にすることが望ましい。
【0054】
【発明の効果】
以上、本発明を複数の実施の形態を例示して説明したが、本発明によるイオン源は、他の構成部材、例えば引き出し電極や冷却系統を組込み易くなり、また、装置回りの必要スペースが小さくて済む。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態が適用されたミラー磁石を引き出し電極側から見た図である。
【図2】図1のミラー磁石の縦断面図である。
【図3】図1のミラー磁石の横断面図である。
【図4】本発明の第2の実施の形態が適用されたプラズマチャンバの断面形状を示した図である。
【図5】図4の第2の実施の形態の変形例を示した図である。
【図6】図4の第2の実施の形態の変形例を示した図である。
【図7】図4の第2の実施の形態の変形例を示した図である。
【図8】図4の第2の実施の形態の他の変形例を示した図である。
【図9】図4の第2の実施の形態の他の変形例を示した図である。
【図10】図4の第2の実施の形態の他の変形例を示した図である。
【図11】本発明の第3の実施の形態が適用されたプラズマチャンバの断面図である。
【図12】図11のプラズマチャンバを引き出し電極側から見た図である。
【図13】図11のA−A´線による断面図である。
【図14】図11の第3の実施の形態の変形例を示した図である。
【図15】図14のB−B´線による断面図である。
【図16】本発明の第4の実施の形態が適用されたミラー磁石におけるコイルを示した図である。
【図17】図16のコイルを収容するためのヨークにおける側面ヨークの内壁側を示した図である。
【図18】本発明の第5の実施の形態が適用されたプラズマチャンバの一部を示した断面図である。
【図19】図18に示されたプラズマチャンバの断面形状を示した図である。
【図20】本発明の第6の実施の形態が適用されたECRイオン源を説明するための図で、図(a)は正面図、図(b)は側面図である。
【図21】図20の形態の変形例によるECRイオン源を説明するための図で、図(a)は正面図、図(b)は側面図である。
【図22】従来のイオン源の概略構成を示した図である。
【符号の説明】
10 ミラー磁石
11 ヨーク
11−1、11−2 側面ヨーク
11−1a 開口
11−3 外周ヨーク
11−4 通電用端子
12 ソレノイドコイル
20 プラズマチャンバ
20a 冷却水用の通路
20−1 外壁面
20−2 内壁面
30 導波管
31 RF窓
40 円筒体
41 仕切り体
61 同軸線路
70 切り欠き部
110 引き出し電極
120 アノード電極
Claims (9)
- 内壁面と外壁面とを有すると共にマイクロ波導入用のRF窓を持つ円筒体からなるプラズマチャンバと、該プラズマチャンバの円筒体の両端部の外壁に配設されたコイルまたは永久磁石による一対のミラー磁石と、該一対のミラー磁石の間に設けられて前記プラズマチャンバ内に前記マイクロ波を導入するための導波管とを備えたイオン源において、
前記プラズマチャンバは前記導波管の開口部分から上流側にも下流側にも長く構成するとともに、前記導波管の開口部分の長軸方向の内幅と同じ長さの空間である前記RF窓を、前記プラズママチャンバ内の前記導波管と当該プラズマチャンバとが接続される部分にはさみ込んで形成して、前記プラズマチャンバ内における前記導波管の開口部分の長軸方向の内幅と同じ長さの空間にプラズマを生成して、イオンビームを前記プラズマチャンバの一端側に設けた引き出し電極により引き出すようにし、
前記一対のミラー磁石はそれぞれ、前記コイルまたは永久磁石がヨークに収容されて成り、前記引き出し電極側のミラー磁石におけるヨーク端面には前記イオンビームを通すための開口が設けられ、該開口の形状を、鉛直方向の開口内径が水平方向の開口内径より大きな縦長の長円形、楕円形のような回転非対称形状とし、前記導波管の開口部分の長軸方向の内幅の幅長さを、前記イオンビームを通すための開口の前記鉛直方向の開口内径よりも大きくし、
前記プラズマチャンバの内壁側には更に、前記導波管の短軸側の2つの内壁に対応する位置からそれぞれ前記プラズマチャンバの端部側に延びる円筒体を形成するか、又は、前記導波管の短軸側の2つの内壁に対応する2つの位置の少なくとも一方に、周方向に沿うように仕切り体を設けたことを特徴とするイオン源。 - 請求項1記載のイオン源において、前記外壁面の断面形状を円形とし、前記内壁面の断面形状は前記外壁面の断面形状と相似な円形状とし、しかも前記内壁面の断面形状が前記外壁面の断面形状に対して偏芯した形状となるように前記プラズマチャンバを形成したことを特徴とするイオン源。
- 請求項1記載のイオン源において、前記内壁面の断面形状を円形とし、前記外壁面の断面形状は前記内壁面の断面形状と異なる形状とし、しかも同心的な関係となるように前記プラズマチャンバを形成したことを特徴とするイオン源。
- 請求項1記載のイオン源において、前記外壁面の断面形状を円形とし、前記内壁面の断面形状は前記外壁面の断面形状と異なる形状とし、しかも同心的な関係となるように前記プラズマチャンバを形成したことを特徴とするイオン源。
- 請求項1記載のイオン源において、前記プラズマチャンバを、前記引き出し電極と反対側の端部を閉じた有底円筒形状としたことを特徴とするイオン源。
- 請求項1記載のイオン源において、前記一対のミラー磁石はそれぞれ、コイルを前記ヨークに収容して成るミラー電磁石であり、前記コイルは、巻線を1層のリング状に巻回して成ると共に、内周側の引き出し線と外周側の引き出し線とを前記ヨークの外に導出して成り、前記ヨークには、前記内周側の引き出し線を導出するための溝あるいは貫通孔が形成されていることを特徴とするイオン源。
- 請求項1記載のイオン源において、前記マイクロ波導入用のRF窓は、内側に向けて径が大きくなるようなホーン形状にされていることを特徴とするイオン源。
- 請求項1記載のイオン源において、前記一対のミラー磁石はそれぞれ、永久磁石を前記ヨークに収容して成り、前記引き出し電極とは反対側の前記ミラー磁石の永久磁石を貫通させて同軸線路を前記導波管に結合したことを特徴とするイオン源。
- 請求項1記載のイオン源において、前記一対のミラー磁石はそれぞれ、永久磁石を前記ヨークに収容して成り、前記導波管を前記引き出し電極とは反対側の前記ミラー磁石側に折り曲げて形成し、折り曲げた導波管部分を、前記引き出し電極とは反対側の前記ミラー磁石の永久磁石に設けた切り欠き部を通してミラー磁石の外側に導出したことを特徴とするイオン源。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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SG108825A1 (en) * | 2000-08-07 | 2005-02-28 | Axcelis Tech Inc | Ion source having replaceable and sputterable solid source material |
KR100688573B1 (ko) | 2005-09-16 | 2007-03-02 | 삼성전자주식회사 | 이온소스부, 이를 구비하는 이온주입장치 및 그 변경 방법 |
KR100656955B1 (ko) | 2005-12-30 | 2006-12-14 | 삼성전자주식회사 | 이온 임플랜터의 이온 발생 장치 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05314917A (ja) * | 1992-05-07 | 1993-11-26 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波放電型イオンビーム装置 |
JPH06140196A (ja) * | 1992-10-29 | 1994-05-20 | Japan Steel Works Ltd:The | パルス引出型の電子サイクロトロン共振イオン源 |
JPH06325710A (ja) * | 1993-05-14 | 1994-11-25 | Hitachi Ltd | マイクロ波イオン源及びイオン打ち込み装置 |
JPH07109000A (ja) * | 1993-08-27 | 1995-04-25 | Hughes Aircraft Co | Rfプラズマソース及び宇宙空間内における表面のプラズマ洗浄方法 |
JPH07134961A (ja) * | 1993-11-11 | 1995-05-23 | Japan Steel Works Ltd:The | 金属イオン生成方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2804024B2 (ja) * | 1986-10-31 | 1998-09-24 | 株式会社日立製作所 | マイクロ波イオン源 |
JP2667826B2 (ja) * | 1987-03-18 | 1997-10-27 | 株式会社日立製作所 | マイクロ波多価イオン源 |
JPS6431336A (en) * | 1987-07-27 | 1989-02-01 | Nippon Telegraph & Telephone | Ion source |
JPH0735293Y2 (ja) * | 1988-09-05 | 1995-08-09 | 日新電機株式会社 | イオン源 |
JP2787084B2 (ja) * | 1989-04-14 | 1998-08-13 | 株式会社ニコン | 走査型電子顕微鏡 |
JPH06216042A (ja) * | 1993-01-18 | 1994-08-05 | Hitachi Ltd | プラズマプロセシング装置及びその運転方法 |
JP3529445B2 (ja) * | 1994-09-13 | 2004-05-24 | 株式会社東芝 | マイクロ波イオン源 |
JPH11317186A (ja) * | 1998-04-30 | 1999-11-16 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置 |
JP4303337B2 (ja) * | 1998-12-02 | 2009-07-29 | 株式会社 Sen−Shi・アクセリス カンパニー | 分子イオンエンハンストイオン源装置 |
-
1999
- 1999-12-01 JP JP34177999A patent/JP4667553B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05314917A (ja) * | 1992-05-07 | 1993-11-26 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波放電型イオンビーム装置 |
JPH06140196A (ja) * | 1992-10-29 | 1994-05-20 | Japan Steel Works Ltd:The | パルス引出型の電子サイクロトロン共振イオン源 |
JPH06325710A (ja) * | 1993-05-14 | 1994-11-25 | Hitachi Ltd | マイクロ波イオン源及びイオン打ち込み装置 |
JPH07109000A (ja) * | 1993-08-27 | 1995-04-25 | Hughes Aircraft Co | Rfプラズマソース及び宇宙空間内における表面のプラズマ洗浄方法 |
JPH07134961A (ja) * | 1993-11-11 | 1995-05-23 | Japan Steel Works Ltd:The | 金属イオン生成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001160368A (ja) | 2001-06-12 |
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