JP4640680B2 - トランジスタブリッジの駆動方法及びその回路 - Google Patents

トランジスタブリッジの駆動方法及びその回路 Download PDF

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発明の詳細な説明
本発明は、直流電圧を交流電圧に変換するDC−ACインバータやモータの駆動に用いられるトランジスタブリッジの駆動方法とその具体的な回路に関する。
トランジスタブリッジはモータの駆動回路やDC−ACインバータに広く用いられている。図4はその代表的な一例で、DC−ACインバータの構成を示している。ここではnMOSトランジスタM〜Mによってフル(又はHとも言われる)ブリッジを構成し、これらのトランジスタを交互にオン・オフする駆動回路として論理ゲートバッファB〜Bが用いられている。
図4のように、高圧側(ハイサイド)にもスイッチとしてnMOSトランジスタ、あるいはnpnトランジスタを用いるブリッジでは、そのソース、npnトランジスタの場合はエミッタ、がフローティングの状態にあり、スイッチの状態によってその電位が変化する。このため、バッファの電源として図4のVで示されているように、ハイサイドトランジスタのソース電位を基準電位とするフローティング電源を必要とする。
フローティング電源は各ハイサイドトランジスタ毎に必要である。従って、3相モータ駆動用トランジスタブリッジではフローティング電源が3つ必要となり、コストが高くなる。
駆動用バッファの簡単な電源として、図4のダイオードD、キャパシタC、及びローサイドスイッチMから成るチャージポンプ回路が用いられる。この回路ではローサイドスイッチがオンのときにキャパシタCをダイオードDを通して電圧VDDに充電し、この充電電圧をバッファの電源としている。
一方、ハイサイドスイッチとして、pMOSあるいはpnpトランジスタを用いるブリッジでは、そのソース、あるいはエミッタ、の電位がブリッジの電源の高圧側に固定されるため、ブリッジの電源をハイサイドスイッチ駆動回路の電源として用いることができる。
図5はその一例であり、ハイサイドにpnpトランジスタを用いたフルブリッジ構成のDC−ACインバータ回路である。トランジスタQがオンとなる時にブリッジの供給電圧Vが抵抗RとRによって分圧される。その分圧された電圧によってハイサイドのpnpトランジスタQは駆動されてオンとなる。トランジスタQも同様の方法によって駆動される。低圧側(ローサイド)のトランジスタは、そのエミッタ電位がブリッジの電源の低圧側の電位に固定されているので、その駆動は極めて容易であるので、以降ローサイドスイッチの駆動回路については言及しないが、1つのトランジスタでハイサイドとローサイド両方のトランジスタを交互にオン・オフする手段が[特許文献1]に提案されている。そこに提案されている回路でもブリッジ電圧Vを抵抗によって分圧し、分圧された電圧によってブリッジを構成するトランジスタを駆動している。
特開平6−141558号公報
上述のように、トランジスタブリッジのハイサイドスイッチがnMOS又はnpnトランジスタの場合には、チャージポンプ回路を電源とする駆動回路が適している。しかしながら、チャージポンプ回路のキャパシタはハイサイドスイッチとトーテムポール接続されたローサイドスイッチがオンとなる時にしか充電されないのでローサイドスイッチが高速でオン・オフを繰り返すパルス駆動のブリッジにしか適用できない。
ハイサイドスイッチとしてのnMOSトランジスタを駆動する別の手段として、定電流でnMOSトランジスタのゲート・ソース間容量を充電し、その充電電圧でnMOSトランジスタをオンにする駆動回路が[特許文献2]に開陳されている。
特開2005−354586号公報
この定電流充電方式はフローティング電源やチャージポンプ回路を必要としないが、定電流回路の電源電圧はブリッジの電源電圧よりも高くなければならない。又、オン抵抗の低いnMOSトランジスタのゲート・ソース間容量は大きいため、これを高速でオン・オフするためには大きな駆動電力を必要とし、駆動回路が大きな電力を消費する。
抵抗でブリッジ電圧を分圧してハイサイドのpMOS又はpnpトランジスタを駆動する図5及び特許文献1の駆動回路は簡便で安価である。しかしながら、ブリッジの電圧が低いとハイサイドスイッチを駆動するための充分な電圧が得られない。また。ブリッジの電圧が高いと過大な電圧がハイサイドスイッチのベース・エミッタ間あるいはゲート・ソース間にかかり、ハイサイドスイッチが破壊してしまう。従って、抵抗分圧による方法は狭い電圧範囲のブリッジにしか適用できない。
最近では電源電圧が広い範囲にわたって変化しても動作するトランジスタブリッジがインバータあるいはサーボモータ駆動のために要求されている。この要求を満たすためのトランジスタブリッジの構成が[特許文献3]に開陳されている。しかしながら、pMOSとnMOSトランジスタを並列接続してハイサイドスイッチとする特許文献3の構成ではコストも高くなり、又、その駆動回路も複雑となる。
特開2000−82946号公報
本発明はトランジスタブリッジが抱えている上記問題を解決しようとしてなされたものであり、ブリッジの電源電圧が広い範囲にわたって変化しても安定かつ確実にスイッチ作用を行わせるためのトランジスタの駆動方法及びその低コストな実現手段を提供することを目的としている。
問題を解決するための手段
ブリッジを構成するトランジスタのゲート・ソース間あるいはベース・エミッタ間、に抵抗を接続し、その抵抗に電流源から電流を流す。このときに生じる抵抗端子間の電圧降下をゲート・ソース間あるいはベース・エミッタ間のしきい電圧よりも高くなるようにすればトランジスタをオンとすることができる。駆動するのに電流源を用いるので電圧には依存せず、ブリッジの電源電圧の広い範囲にわたって安定な駆動ができる。
電流源としては電流ミラー回路を用い、その出力電流パスにゲート・ソース間、あるいはベース・エミッタ間、の抵抗を接続するのが好適である。
電流ミラー回路では入力電流がミラーされて出力電流となるので、入力電流をオン・オフすることによってその出力電流で駆動されるトランジスタをスイッチ動作させることができる。入力電流をオン・オフする手段として、電流ミラー回路を構成するトランジスタと別のトランジスタに入力電流をバイパスさせる手段が好ましい。
図1は、本発明のブリッジ駆動方法及びその駆動回路をより具体的に説明するための模式図であって、ハーフブリッジ12を構成するトランジスタ121を駆動対象としている。本発明の駆動回路は点線で囲まれたブロック11であり、この駆動部11は電流ミラーを構成するトランジスタ111と112、及び入力電流をバイパスするためのトランジスタ113から成っている。電流ミラーの入力端子11Aには定電流源13及びトランジスタ113が、また、その出力端子11Bは抵抗14でプルアップされるとともにトランジスタ121のゲートに接続されている。尚、ローサイドのトランジスタ122の駆動回路は省略されている。
トランジスタ113がオフの時は定電流源13の電流Iはトランジスタ111に流れる。トランジスタ111と112が同じサイズとすると、トランジスタ112のシンク電流もIとなり、抵抗14の両端にRIの電圧降下が生じる。ここで、Rは抵抗14の抵抗値である。この電圧降下RIがトランジスタ121のしきい電圧よりも大きくなるように定電流源13の電流又は抵抗14の抵抗値を設定すればトランジスタ121はオンとなる。
抵抗14の電圧降下、即ちトランジスタ121のゲート・ソース間電圧は、ブリッジの電源15の電圧VがRIよりも高ければ、Vには依存しないので、Vが広い範囲にわたって変化しても常に一定の電圧RIでトランジスタ121を駆動できる。
一方、トランジスタ113がスイッチ信号によってオンとなった時は、定電流源13の電流はトランジスタ113に流れ、電流ミラーの出力電流はゼロとなる。従って、抵抗14の両端に電圧降下は生ぜず、トランジスタ121はオフとなる。
以上では、MOSトランジスタを用いたハーフブリッジを対象にして本発明のブリッジ駆動方法を説明したが、本発明がバイポーラトランジスタやIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)を用いたハーフブリッジ、フルブリッジ、さらに3相ブリッジにも適応できることは明らかである。
また、電流ミラーとしてバイポーラトランジスタを用いた基本構成を例として駆動回路の動作を説明したが、MOSトランジスタを用いた基本構成の電流ミラー、バイポーラやMOSトランジスタを用いたウィルソンやハイスイング電流ミラーでも本発明の駆動回路を構成できることは明らかである。
発明の効果
以上説明したように、本発明によればブリッジの電源電圧が広い範囲にわたって変化してもブリッジを構成するトランジスタを安定かつ確実に動作することができ、しかも駆動回路の構成も簡単で低コストになる。トランジスタブリッジはDC−ACインバータやモーター駆動に広く用いられているので、本発明は産業用機器にとって極めて有効である。
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
第1実施形態
図2は本発明の第1の実施形態であって電流ミラー回路によって駆動されるDC−ACインバータの構成図である。ハーフブリッジ22は、MOSトランジスタ221と222で構成されている。駆動部21はトランジスタ212、213で構成されるハイスイング(又はワイドスイングとも呼ばれる)電流ミラーを基本としており、これに電流ミラー機能をオン・オフするためのトランジスタ215、定電流を流すためのトランジスタ216と抵抗23とが付加されている。
トランジスタ216、211、及び212が同じサイズとすると、トランジスタ215がオフの時にトランジスタ212に流れるシンク電流Iは
Figure 0004640680
となる。ここで、Rは抵抗23と24の抵抗値、VGSはトランジスタ216のゲート・ソース間電圧である。従って、シンク電流1による抵抗25の電圧降下がトランジスタ221のしきい電圧よりも充分高くなるように抵抗25の値又はシンク電流値を設定すればトランジスタ221はオンとなる。
一方、トランジスタ215がオンの場合は電流ミラーには電流が流れず、従って、トランジスタ212のシンク電流がゼロとなるのでトランジスタ221はオフとなる。
ハイスイング電流ミラー回路は、出力端子21Bでの出力インピーダンスが極めて高いので出力電流の電源電圧依存性は極めて小さく、しかも電源電圧の広い範囲にわたって動作する。さらに、周波数特性も優れているのでインバータの高速駆動にも適している。
第2実施形態
図3は本発明の第2の実施形態であって、電流ミラー回路によって駆動されるフルブリッジ型DC−ACインバータの構成図である。フルブリッジは4つのnpnトランジスタ321、322、323、324で構成されている。トランジスタ321の駆動部31は、トランジスタ311と312から成る電流ミラー、該電流ミラーのシンク電流をソース電流に変換するための電流ミラー313と314、スイッチとしてのトランジスタ315、定電流を作るための抵抗33、トランジスタ314のソース電流を電圧に変換するための抵抗34で構成されている。もう1つのハイサイドトランジスタ323の駆動部33は駆動部31と同じ構成である。
トランジスタ315がオフの時、トランジスタ311にコレクタ電流
Figure 0004640680
が流れる。ここで、VBEはトランジスタ311のベース・エミッタ間電圧、R33は抵抗33の抵抗値である。このコレクタ電流はトランジスタ314にミラーされ、そのソース電流として出力端子31Bから抵抗34に流れる。この時の抵抗34の電圧降下によってトランジスタ321はオンとなる。
一方、トランジスタ315がオンの時は抵抗33に流れる電流はトランジスタ315に流れ、電流ミラー回路の電流はゼロとなり、トランジスタ321はオフとなる。従って、トランジスタ315をオン・オフさせることによってトランジスタ321をスイッチ動作させることができる。
ハイサイドスイッチをnpnトランジスタとするこの構成ではフローティング電源35を必要とするが、この電源はトランジスタ323の駆動部と共用できる。従って、このフルブリッジに限らず、3相ブリッジでも4相ブリッジでもフローティング電源は1つで済むので、ハイサイドトランジスタ毎にフローティング電源を必要とする従来の駆動方法に比較して、本発明の駆動方法によれば駆動部の構成が極めて簡単になる。
電流ミラーの基本構成を用いた図3の回路では、出力端子31Bの出力インピーダンスが1MΩ程度であるので、抵抗34を流れる電流ではブリッジの電源電圧Vが高くなるに従い増加する。しかしながら、一般のインバータ回路ではブリッジの電源電圧が高い程ブリッジを構成するトランジスタに流す電流を大きくする必要があるので、ブリッジ電圧と共にトランジスタ321のベース・エミッタ間電圧が高くなる図3の構成はインバータ動作にとって好ましい。
本発明のトランジスタブリッジの駆動方法を説明するための模式図 本発明の駆動回路を用いたハーフブリッジ型DC−ACインバータ 本発明の駆動回路を用いたフルブリッジ型DC−ACインバータ DC−ACインバータのnMOSハイサイドスイッチの駆動回路例 DC−ACインバータのpnpハイサイドスイッチの駆動回路例
符号の説明
11、21、31、33:ハイサイドトランジスタの駆動部
12、22、32:トランジスタブリッジ

Claims (2)

  1. 電流スイッチング機能を備えた電流ミラー回路の出力電流を抵抗に流し、これによって生じる前記抵抗の端子間電圧によってブリッジを構成するトランジスタをスイッチ動作させることを特徴とするトランジスタブリッジの駆動方法。
  2. 請求項1に記載のトランジスタブリッジの駆動方法を具現する電流ミラー回路であって、
    電流入力端子と接地間に入力電流のバイパス経路としてのトランジスタを備え、該トランジスタをオン・オフさせることによって出力電流スイッチングを行うことを特徴とする電流ミラー回路。
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