JP4640370B2 - 磁気センサ - Google Patents
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Description
このGMR素子は、磁化の向きが所定の向きにピン止めされたピンド層と、磁化の向きが外部磁界に対応して変化するフリー層とを備え、外部磁界が加わった場合に、ピンド層の磁化の向きとフリー層の磁化の向きとの相対関係に応じた抵抗値を呈するもので、この抵抗値を測定することで外部磁界を検出するようになっている。
この磁気センサは、所定の厚みを有する石英またはシリコンウエハからなる基板101と、この基板101上に配されたGMR素子からなる磁気抵抗効果素子102と、この磁気抵抗効果素子102の両端にそれぞれ接続され、基板101上に非磁性材料からなる下地膜103を介して配された永久磁石膜からなるバイアス磁石層104と、磁気抵抗素子102およびバイアス磁石層104の上面を全て被覆するように設けられた酸化ケイ素膜からなる第一保護膜105と、窒化ケイ素膜からなる第二保護膜106とから概略構成されている(例えば、特許文献1参照。)。
ここで、第一保護膜105と第二保護膜106を併せて保護膜107と言うこともある。
図1は、本発明の磁気センサの一実施形態を示す概略断面図である。図2は、本発明の磁気センサの一実施形態における保護膜側から磁気抵抗効果素子を見た状態を示す概略平面図であり、(a)は全体図、(b)はバイアス磁石の周縁部を示す部分図である。
ここで、第一保護膜15と第二保護膜16を併せて保護膜17と言うこともある。
このフリー層には、その一軸異方性を維持するために、所定の方向にバイアス磁石層14によりバイアス磁界が付与されている。
ピンド層は、コバルト−鉄(CoFe)磁性層により構成されている。このCoFe磁性層は、後述する反強磁性膜に交換結合的に裏打されることにより磁化の向きがピン止め(固着)されている。
これらピンド層とピニング層を併せてピン層と称する。
バイアス磁石層14は、膜厚90nm程度のコバルト−白金−クロム(CoCrPt)合金からなる金属薄膜である。
第二保護膜16は、窒化ケイ素(SiNy膜)からなる薄膜である。
図3は、本発明に係る磁気センサの製造方法の手順を示すフローチャートである。図4〜図10は、本発明に係る磁気センサの製造方法を示す概略断面図である。
ここで、第一保護膜15および第二保護膜16の上に、さらにポリイミド樹脂からなる第三保護膜を設けてもよい。
上述の本発明に係る磁気センサの製造方法に従って、膜厚5nmの磁気抵抗効果素子を有する磁気センサを作製した。
この際、バイアス磁石層の周縁部において、保護膜(素子の上面)側から磁気抵抗効果素子を見たとき、磁気抵抗効果素子の両端部の側面と、バイアス磁石層の側面との間隔dが1μm、2μm、3μmの磁気センサを作製した。
また、得られた磁気センサを用いて、プラスチックモールドパッケージを作製した。
磁気センサの上面(保護膜が設けられている側の面)にスコッチ3M社製のメンディングテープを貼付した後、このメンディングテープを引き剥がして、磁気センサのバイアス磁石層と保護膜の界面における剥離の有無を調べた。同様の試験を磁気センサ100個について行い、界面における剥離が生じた磁気センサの数を数えた。結果を表1に示す。
磁気センサのプラスチックモールドパッケージを、−65℃で30分間保持、5分間で室温まで昇温、室温で30分間保持、5分間で150℃まで昇温、150℃で30分間保持、5分間で室温まで降温、室温で30分間保持、5分間で−65℃まで降温の温度サイクルを1サイクルとして500回繰り返し温度変化させる環境に放置した。
その後、このプラスチックモールドパッケージを、発煙硝酸を用いるエッチングにより開封し、磁気センサのバイアス磁石層と保護膜の界面における剥離の有無を調べた。同様の試験を磁気センサのプラスチックモールドパッケージ20個について行い、界面における剥離が生じた磁気センサの数を数えた。結果を表1に示す。
上述の本発明に係る磁気センサの製造方法に準じて、膜厚50nmの磁気抵抗効果素子を有する磁気センサを作製した。
この際、バイアス磁石層の周縁部において、保護膜側から磁気抵抗効果素子を見たとき、磁気抵抗効果素子の両端部の側面と、バイアス磁石層の側面との間隔dが15μmの磁気センサを作製した。
また、得られた磁気センサを用いて、プラスチックモールドパッケージを作製した。
一方、比較例の磁気センサは、バイアス磁石層と保護膜との密着性が不十分であるため、耐環境性にも劣るものであることが確認された。
Claims (1)
- 基板上にスピンバルブ型の磁気抵抗効果素子が配され、該磁気抵抗効果素子の両端部には永久磁石膜からなるバイアス磁石層がそれぞれ接続されており、該磁気抵抗効果素子および該バイアス磁石層の上面を被覆するように保護膜が設けられた磁気センサにおいて、
前記バイアス磁石層および前記磁気抵抗効果素子は、これらの厚み方向下部から上部へ向けて漸次外形が小さくなるように、基板に対して傾斜した側面を有し、
平面視にて、該磁気抵抗効果素子の両端部における前記永久磁石膜の上面におけるバイアス磁石層の形成領域の外形が、同面上の磁気抵抗効果素子形成領域の外形よりも大きく、
前記永久磁石膜の上面におけるバイアス磁石層の形成領域の外形と、同面上の磁気抵抗効果素子形成領域の外形との間隔が、3μmを超えないことを特徴とする磁気センサ。
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---|---|---|---|---|
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JPH10312515A (ja) * | 1997-05-07 | 1998-11-24 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子とそれを用いた磁気ヘッドおよび磁気記憶装置 |
JPH1145416A (ja) * | 1997-05-29 | 1999-02-16 | Tdk Corp | 磁気抵抗効果素子及び該素子を備えた薄膜磁気ヘッド |
JP2002111096A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-12 | Toshiba Corp | 磁気抵抗素子、磁気抵抗素子を用いた半導体記憶装置、およびこれらの製造方法 |
JP2002299728A (ja) * | 2001-01-24 | 2002-10-11 | Yamaha Corp | 磁気センサ及びその製造方法 |
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