JP4637076B2 - コンデンサマイクロホン - Google Patents

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Description

本発明は、マイクロホンカプセルと、支持パイプの先端に装着されていて上記マイクロホンカプセルを支持するカプセル支持部とを含むグースネック型のコンデンサマイクロホンに関し、さらに詳しくいえば、マイクロホンカプセルの後部側空洞とカプセル支持部内の支持パイプ側空洞とを音響的に絶縁する技術に関するものである。
小型のマイクロホンはほとんどがコンデンサマイクロホンであるが、例えば会議場などでよく見かけるグースネック型のコンデンサマイクロホンについて言えば、マイクロホン特性をその場に応じて変更可能とするためマイクロホンカプセルを交換できるようにしたものがある。その一例を図5により説明する。
これによると、このコンデンサマイクロホンは、支持パイプPの先端に取り付けられたカプセル支持部10と、カプセル支持部10に対してネジ嵌合により着脱自在に連結されるマイクロホンカプセル20とを備えている。通常、支持パイプPは図示しないスダンドを介して机の上に立てられ、その一部分にフレキシブルシャフトが含まれている。なお、支持パイプPの全部がフレキシブルシャフトである場合もある。
マイクロホンカプセル20は例えばアルミニュウム材からなる円筒状の筐体21を備え、図示しないが、筐体21内には支持リングに張設された振動板と、絶縁座に支持された例えばエレクトレットボードからなる固定極とが電気絶縁性のスペーサを介して対向的に配置されている。
筐体21の背面側は裏蓋22により閉じられており、上記固定極に接続されているコンタクトピン23が裏蓋22から突出している。また、筐体21の背面側には、カプセル支持部10と連結するための内面に雌ネジ241を有する連結ネジ24が筐体21と電気的に導通するように固定されている。
カプセル支持部10は例えば真鍮材よりなる円筒状の筐体11を備え、この筐体11内には回路基板12が筐体の内部を塞ぐように配置されている。回路基板12上にはインピーダンス変換器としてのFET(電界効果トランジスタ)13が実装されている。回路基板12の下面側には支持パイプP内を挿通して引き出されたマイクケーブル17の一端がハンダ付けされる。
FET13のゲート端子には、上記コンタクトピン23に弾性的に接触するようにほぼV字状に折り曲げられた板バネからなる接触端子14の片側がハンダ付けされている。回路基板12は固定リング15によって筐体11内に固定されている。
すなわち、固定リング15は外周面に雄ネジ151を有し、これに対して筐体11内には回路基板12を受ける段差部111と、上記雄ネジ151と螺合する雌ネジ112とが設けられ、固定リング15を上記雌ネジ112にねじ込むことにより、回路基板12が段差部111に対して押し付けられるようにして固定される。
なお、固定リング15の上記雌ネジ112に対するねじ込み量は下半分程度で、上半分の雄ネジ151がマイクロホンカプセル20を連結するために残される。回路基板12を固定した後、インピーダンス変換器13と固定リング15との間のくぼみに例えばシリコン樹脂などの充填材16が充填される。
マイクロホンカプセル20とカプセル支持部10は、上記連結ネジ24の雌ネジ241を上記固定リング15の雄ネジ151にねじ込むことにより機械的に連結され、これに伴って上記コンタクトピン23に上記接触端子14に弾性的に接触して電気的にも接続される。また、マイクロホンカプセル20の筐体21とカプセル支持部10の筐体11も上記固定リング15を介して電気的に導通する。
上記の連結構造によれば、カプセル支持部10に対してマイクロホンカプセル20を回すだけでマイクロホンカプセル20を簡単に着脱することができるが、FET13と固定リング15との間のくぼみに例えばシリコン樹脂などの充填材16を充填するようにしているため、次のような音響的な問題点,組立作業性上の問題点およびメンテナンス上での問題点があった。
すなわち、FET13と固定リング15との間にくぼみが存在するとマイクロホンカプセル20の後部空気室が大きくなり、これが音響的に共振を発生させる要因となってマイクロホンカプセル20の周波数特性や指向性に悪影響をおよぼすことになる。
これを防止するため、上記従来例ではFET13と固定リング15との間のくぼみをシリコン樹脂などの充填材16によって埋めるようにしているが、その充填量の管理が難しいため、製品ごとにマイクロホンカプセル20に対する後部空気室の容積にバラツキが生じ、これがマイクロホンカプセル20の周波数特性や指向性に微妙な影響を与える。
また、充填材16を充填したのち乾燥工程を置かなければならないため、その分、余計に時間がかかり生産性が悪い。さらには、メンテナンス時に例えば回路基板12を取り外すときなどにおいて充填材16が破損することがあり、そうした場合には充填材16を全部取り除いて充填作業をやり直さなければならなくなる。
充填材による問題点とは別の問題点として、上記従来例においてはFET13のゲート端子に対して接触端子14をハンダ付けするようにしているため、組立作業が煩雑となり生産性が落ちる。
また、鉛入りハンダを使用する場合には環境への配慮も必要となる。なお、鉛フリーハンダもあるが、鉛フリーハンダは鉛入りハンダよりも高い加熱温度を必要とするばかりでなくコストが高いため、採用することは容易ではない。
そこで、本出願人は、先に出願した特許文献1において上記各問題点が改善されたコンデンサマイクロホンを提案しており、その構成を図6,図7により説明する。なお、図5の従来例を第1従来例として、特許文献1に記載のコンデンサマイクロホンを第2従来例とする。
図6は第2従来例としての特許文献1に記載のコンデンサマイクロホンに含まれるマイクロホンカプセル20とマイクロホン支持部10Aとを分離して示す断面図,図7はマイクロホン支持部10Aに設けられる接触端子140とブロック体180とを分離して示す側面図である。
なお、マイクロホンカプセル20は上記従来例と同一構成であり、また、マイクロホン支持部10Aについても、上記第1従来例におけるマイクロホン支持部10と同一もしくは同一と見なされてよい構成要素には同じ参照符号を付している。
この第2従来例においても、マイクロホン支持部10A内に回路基板120が収納されるが、この場合、FET13は回路基板120の反マイクロホンカプセル20側の裏面に実装され、これに対して、回路基板120のマイクロホンカプセル20側の上面のほぼ中央部には、詳しくは図示されていないが、FET13のゲート端子とビアホール(スルーホール)を介して電気的に接続される電極パターンが形成される。
回路基板120の上面には、マイクロホンカプセル20のコンタクトピン23の相手方としての接触端子140が配置されるが、この場合、接触端子140は、図7に示すように、上記電極パターンと接触する好ましくは接触突起141aを有する底板141と、底板141の一端からほぼ直角に立ち上がる側板142と、側板142の上端から所定の角度で立ち上がる接点片143とを備えたほぼコ字状に形成され、その内部に弾性材からなるブロック体180を抱え込んだ状態で、保持部材としてのキャップ部材160を介して上記電極パターン上に配置される。
キャップ部材160は好ましくはゴム弾性体からなり、中央部分にブロック体180を抱え込んだ接触端子140が嵌合される開口部161を有する傘状に形成され、その裾部162が固定手段としての固定リング150に形成されている段部152を介して回路基板120の周縁部に圧着固定される。
固定リング150は上記第1従来例における固定リング15に相当し、その外周面には雄ネジ151が形成されており、その下半分が筐体11の雌ネジ112に螺合され、上半分に上記連結ネジ24の雌ネジ241を螺合することにより、マイクロホンカプセル20とマイクロホン支持部10Aとが連結され、それに伴ってコンタクトピン23が接触端子140に接触する。なお、固定リング150に付されている参照符号153は、固定リング150を回す図示しない工具用の引っ掛け孔である。
上記第2従来例によれば、カプセル支持部側の後部空気室の容積が、キャップ部材により気密性高くできるだけ小さな一定値に抑えられるため音響的な共振が発生することがない。また、キャップ部材はブロック体にはめ込むだけでよいとともに、接触端子の取り付けにハンダを使用しないため、組立作業性が大幅に改善される。
また、メンテナンス時にも容易に分解・再組立を行うことができる。さらには、マイクロホンカプセルの筐体およびカプセル支持部の筐体を確実に回路基板のグランドパターンに接続することができる。
特開2005−184410号公報
しかしながら、上記第2従来例においても、回路基板120の上面側であるマイクロホンカプセル20の後部空間と、回路基板120の下面側の支持パイプPと連通しているカプセル支持部10Aの内部空間との音響的な結合により、指向周波数応答が劣化することがある。
この音響的な結合は、小さな孔やわずかな隙間であっても生ずる。上記第2従来例において、音響的な結合が生ずる小さな孔とは、回路基板120に穿設されているビアホールである。
また、キャップ部材160はゴム弾性体からなるが、キャップ部材160を固定リングで締め付けても、キャップ部材160の裾部162と回路基板120との接触部位に音響的な結合が生ずるわずかな隙間が生ずることがある。
この種のわずかな隙間は、例えばRTVゴムなどのコーキング材により塞ぐことができるが、例えば回路基板120の取り外しを必要とするメンテナンス時には、コーキング材を削り取らなければならないため、コーキング材の使用は好ましくない。
また、支持パイプPに挿通されているマイクケーブル17を支持カプセル支持部10A内に引き込む際、マイクケーブル17にストッパとしての結び玉を形成するようにしているが、この結び玉が支持パイプPの開口部分を塞ぐ具合によっても上記音響的な結合が変化し、これが原因で指向周波数応答が劣化することもある。
これを防止するため、支持パイプPの開口部分にスポンジなどの詰め物を押し込んで音響的な絶縁を図ることが一部で試みられ、これによれば若干の改善は見られたものの、その音響的な絶縁作用が一定でないことから、指向周波数応答の劣化を完全になくすまでには至っていないばかりでなく、それ以前の問題としてスポンジなどの詰め物を押し込むこと自体、組み立て作業性の点で好ましくない。
また、別の問題として、回路基板120の表面での漏洩電流による雑音発生の問題がある。回路基板120は、筐体11の段差部111とキャップ部材160の裾部162との間に挟み込まれるが、その間の隙間部分に湿度が溜まりやすく、回路基板120の表面抵抗率が減少に伴って生ずる漏洩電流によって雑音が発生することがある。
この種の漏洩電流による雑音は、マイクロホンが結露するような高湿度下においてのみ発生し、通常の使用状態ではほとんど発生しないが、例えばマイクロホンが冷房された部屋に設置され、ドアが開かれるなどして外部から高湿度の外気が流れ込んで、マイクロホンに結露が生ずる場合に顕著となる。
したがって、本発明の課題は、支持パイプに取り付けられているカプセル支持部にマイクロホンカプセルを支持してなるコンデンサマイクロホンにおいて、マイクロホンカプセルの後部側空洞とカプセル支持部内の支持パイプ側空洞とを音響的に確実に絶縁することにある。
上記課題を解決するため、請求項1に記載の発明は、支持パイプの先端に装着されたカプセル支持部と、ネジ嵌合手段を介して上記カプセル支持部に連結されるマイクロホンカプセルとを含み、上記マイクロホンカプセルの後端から信号出力用のコンタクトピンが上記カプセル支持部側に向けて引き出されており、上記カプセル支持部内にはインピーダンス変換器としてのFETを有する回路基板と、上記コンタクトピンと接触する接触端子とが設けられており、上記FETが上記回路基板の反マイクロホンカプセル側の裏面に実装され、上記回路基板のマイクロホンカプセル側の上面のほぼ中央部にはビアホールを介して上記FETの所定端子と電気的に接続される電極パターンが形成されており、上記接触端子が所定の保持手段により上記電極パターン上に保持されていて、上記ネジ嵌合手段を介して上記マイクロホンカプセルと上記カプセル支持部とを連結するに伴って、上記コンタクトピンと上記接触端子とが電気的に接触するコンデンサマイクロホンにおいて、上記回路基板に穿設されている上記ビアホールが所定の閉塞手段により塞がれていることを特徴としている。
請求項2に記載の発明は、上記請求項1のコンデンサマイクロホンにおいて、上記ビアホールが上記電極パターンの外側に設けられており、上記保持手段が中央部で上記接触端子を保持し裾部が所定の固定手段にて上記回路基板の周縁部に固定されるキャップ部材からなり、上記閉塞手段が上記電極パターンの部分を除いて上記回路基板の上面側のほぼ全面にわたって配置され、上記回路基板の周縁部と上記キャップ部材の裾部との間にまで入り込むリング状のガスケットからなることを特徴としている。
請求項3に記載の発明は、上記請求項2のコンデンサマイクロホンにおいて、上記ガスケットにポリテトラフルオロエチレン樹脂フィルムが用いられることを特徴としている。
請求項1に記載の発明によれば、カプセル支持部内に配置される回路基板に穿設されているビアホールが所定の閉塞手段により塞がれているため、マイクロホンカプセルの後部側空洞とカプセル支持部内の支持パイプ側空洞とが音響的に確実に絶縁されるため、良好な指向周波数応答が得られる。
ビアホールが電極パターンの外側に設けられており、保持手段が中央部で接触端子を保持し裾部が所定の固定手段にて回路基板の周縁部に固定されるキャップ部材からなる場合において、ビアホール閉塞手段として、電極パターンの部分を除いて回路基板の上面側のほぼ全面にわたって配置され、回路基板の周縁部とキャップ部材の裾部との間にまで入り込むリング状のガスケットを用いる請求項2に記載の発明によれば、上記ガスケットにより、ビアホールおよび回路基板の周縁部を含めて回路基板全体を封止することができる。
ガスケットにポリテトラフルオロエチレン(PTFE)樹脂フィルムを用いる請求項3に記載の発明によれば、PTFE樹脂は表面抵抗率,体積抵抗率がともに高く、圧縮により容易に変形して隙間に馴染むことから、回路基板の周縁部とキャップ部材の裾部との間の隙間に湿度が溜まってしまうことがほとんどなく、これにより漏洩電流による雑音発生を防止することができる。
次に、図1ないし図4により本発明の実施形態について説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
図1は本発明のコンデンサマイクロホンに含まれるカプセル支持部10Bとマイクロホンカプセル20とを分離して示す一部に断面を含む分解図,図2はカプセル支持部10Bの分解断面図,図3(a)〜(c)はカプセル支持部10B内に収納される回路基板120の平面図,側面図および底面図,図4(a)(b)はガスケットを示す平面図および断面図である。
ここで説明する実施形態は、先の図6,図7で説明した上記第2従来例に本発明を適用したもので、したがって上記第2従来例と同一もしくは同一と見なされてよい構成要素には同じ参照符号を付している。また、この実施形態の説明において、マイクロホンカプセル20側の構成は上記第1,第2従来例と同一であってよいため、その説明は省略し、もっぱらカプセル支持部10Bの構成について説明する。
図1および図2に示すように、この実施形態においても、カプセル支持部10Bはグースネック型の支持パイプPの先端に装着される円筒状の筐体11を備えている。筐体11には真鍮やアルミニウムなどの金属材が用いられる。
筐体11内には回路基板120が収納されるとともに、筐体11には回路基板120を固定する固定リング150がねじ込まれる。そのため、筐体11内には回路基板120の周縁部を受け止める段差部111と、固定リング150を螺合するための雌ネジ112とが形成されている。
図3(c)にも示すように、本発明において、インピーダンス変換器としてのFET13は、回路基板120の裏面側(反マイクロホンカプセル側)に実装され、これに伴って、図3(a)に示すように、回路基板120の上面側(マイクロホンカプセル側)のほぼ中央部には、ビアホール(スルーホール)121を介してFET13のゲート端子と接続されるゲート電極パターン122が円形パターンとして形成されている。
また、図3(a),(c)に示すように、回路基板120の周縁部の上下両面にFET13のゲート端子以外のグランド端子(ソースもしくはドレイン)と接続されるグラントパターン123a,123bが回路基板120の周縁部に沿って形成されている。上面側のグラントパターン123aと下面側のグラントパターン123bはビアホール124を介して導通している。
上面側のグラントパターン123aは固定リング150の下端と接触し、下面側のグラントパターン123bは筐体11の段差部111と接触する。また、支持パイプP内を挿通して引き出されるマイクケーブル17は、上記第2従来例と同じく、回路基板120の下面側の所定パターンにハンダ付けされる。
また、この例においては、図3(a),(c)に示すように、回路基板120の左右両側の180゜対向する面には、筐体11に対する位置決め用のDカット面125,125が形成されている。
上記ゲート電極パターン122上に、上記第2従来例と同じく、マイクロホンカプセル20側のコンタクトピン23に対して接触する接触端子140がブロック体180を抱えた状態で載置される。
先の図7を参照して、接触端子140は底板141と、底板141の一端からマイクロホンカプセル20側にほぼ直角に立ち上がる側板142と、側板142の上端から所定の角度で斜め上方に立ち上がる接点片143とを有するほぼコ字状に形成されており、その全体が板バネ材よりなる。
底板141は回路基板120のゲート電極パターン122上に配置されるコンタクト部であり、ゲート電極パターン122との信頼性の高い電気的接続を実現するうえで、底板141の下面側に電極パターン122と点状もしくは線状に接触する接触突起141aを形成することが好ましい。接触突起141aの形状は山形,半円状のボス,リブ状など任意に選択されてよい。
ブロック体180はシリコン樹脂などの適度な弾性を有する合成樹脂から形成され、その大きさおよび形状は接触端子140内に抱え込まれることから、側板142とほぼ同じ高さを有する円柱体であることが好ましい。このブロック体180は接触端子140の原形を保つためと、後述するキャップ部材160とともに接触端子140を上記ゲート電極パターン122上に位置決めする役割を担っている。
接触端子140をブロック体180とともに上記ゲート電極パターン122上に位置決めするため、電気絶縁性のキャップ部材160が用いられる。キャップ部材160は接触端子140の接点片143を上方に突出させた状態でブロック体180に嵌合される開口部161と、ブロック体180と回路基板120の周縁部との間に配置されるほぼ傘形状の裾部162とを備えている。
キャップ部材160は硬質樹脂,軟質樹脂のいずれでもよいが、好ましくは天然もしくは合成のゴム弾性体が用いられる。また、交換のためカプセル支持部10Aに対してマイクロホンカプセル20を回す際に、それに伴う接触端子140の回転やねじれを防止するため、キャップ部材160の開口部161には接触端子140に対する回転防止手段が設けられていることが好ましい。
固定リング150は上記第2従来例の固定リング150と同じく、その外周面に筐体11に形成されている雌ネジ112とマイクロホンカプセル20側の雌ネジ241とに螺合する雄ネジ151を備えているが、この固定リング150の内面側にはキャップ部材160の裾部162を回路基板120に対して押し付ける段部152が形成されている。
固定リング150の上面に形成されている引っ掛け孔153に図示しない工具を係合して固定リング150の雄ネジ151の下半分を筐体11の雌ネジ112にねじ込むことにより、キャップ部材160の裾部162が回路基板120に押し付けられるとともに、回路基板120の周縁部が固定リング150の下端と筐体11の段差部111との間で固定される。
また、マイクロホンカプセル20側の雌ネジ241を固定リング150の雄ネジ151の上半分にねじ込むことにより、カプセル支持部10Bに対してマイクロホンカプセル20が取り付けられる。
しかしながら、回路基板120には、ビアホール121,124が形成されているため、マイクロホンカプセル20の後部側の空洞(空気室)A1と、カプセル支持部10B内の支持パイプP側の空洞(空気室)A2とが音響的に結合し、これが原因で指向周波数応答が劣化することがある。また、回路基板120のDカット面125の部分を介して上記空気室A1,A2が音響的に結合することもある。
そこで、本発明では、ビアホール121,124を閉塞する手段を備えている。ビアホール121,124は、塗布樹脂や接着テープなどにより閉塞されてもよいが、この例では、閉塞手段として図4に示すようなガスケット190を用いている。
この例において、ガスケット190は、内径φ1がゲート電極パターン122の直径よりも若干大きく、外径φ2が回路基板120の周縁部に沿って形成されている上面側のグラントパターン123aの内径とほぼ同一である円形リング状に形成されており、図2に示すように、キャップ部材160と回路基板120との間に配置され、その周縁部がキャップ部材160の裾部162とともに固定リング150により固定される。
これによれば、ビアホール121,124の孔と、キャップ部材160の裾部162と回路基板120との間の隙間がガスケット190により塞がれるため、マイクロホンカプセル20の後部側の空洞A1と、カプセル支持部10B内の支持パイプP側の空洞A2とを音響的に確実に絶縁することができる。
この場合、ガスケット190はポリテトラフルオロエチレン(PTFE)樹脂のフィルムからなることが好ましい。厚さは0.1mm程度であってよい。
PTFE樹脂フィルムは、表面抵抗率,体積抵抗率がともに高ことと、また、圧縮すると隙間に馴染むように変形するため、キャップ部材160の裾部162と回路基板120との間の隙間を確実に塞ぐことができ、その隙間に湿度が溜まってしまうことがないことから、回路基板120表面での漏洩電流による雑音を効果的に防止することができる。
なお、上記実施形態では、ガスケット190の外径φ2を上記グラントパターン123aの内径とほぼ同一としているが、ガスケット190の外径φ2を上記グラントパターン123aの外径、すなわち回路基板120の外径とほぼ同じとしてもよい。
いずれにしても、マイクロホンカプセル20の筐体21とカプセル支持部10Bの筐体11は固定リング150を介して電気的に接続され、グラントパターン123a,123bのうちの少なくとも一方のグラントパターンを介して回路基板120のグラントに接続されることになる。
本発明のコンデンサマイクロホンに含まれるカプセル支持部とマイクロホンカプセルとを分離して示す一部に断面を含む分解図。 上記カプセル支持部を示す分解断面図。 (a)〜(c)はカプセル支持部内に収納される回路基板の平面図,側面図および底面図。 本発明の実施形態で用いられるガスケットを示す(a)平面図,(b)断面図。 第1従来例のコンデンサマイクロホンに含まれるカプセル支持部とマイクロホンカプセルとを分離して示す一部に断面を含む分解図。 第2従来例のコンデンサマイクロホンに含まれるカプセル支持部とマイクロホンカプセルとを分離して示す一部に断面を含む分解図。 上記第2従来例における接触端子とブロック体とを分離して示す側面図。
符号の説明
10B カプセル支持部
11 筐体
111 段差部
112 雌ネジ
120 回路基板
121,124 ビアホール
122 ゲート電極パターン
123a,123b グランドパターン
13 FET(インピーダンス変換器)
140 接触端子
141 底板
142 側板
143 接触片
150 固定リング
160 キャップ部材
161 開口部
162 裾部
180 ブロック体
190 ガスケット
20 コンデンサマイクロホンカプセル
21 筐体
22 裏蓋
23 コンタクトピン
24 連結ネジ
241 雌ネジ

Claims (3)

  1. 支持パイプの先端に装着されたカプセル支持部と、ネジ嵌合手段を介して上記カプセル支持部に連結されるマイクロホンカプセルとを含み、上記マイクロホンカプセルの後端から信号出力用のコンタクトピンが上記カプセル支持部側に向けて引き出されており、上記カプセル支持部内にはインピーダンス変換器としてのFETを有する回路基板と、上記コンタクトピンと接触する接触端子とが設けられており、上記FETが上記回路基板の反マイクロホンカプセル側の裏面に実装され、上記回路基板のマイクロホンカプセル側の上面のほぼ中央部にはビアホールを介して上記FETの所定端子と電気的に接続される電極パターンが形成されており、上記接触端子が所定の保持手段により上記電極パターン上に保持されていて、上記ネジ嵌合手段を介して上記マイクロホンカプセルと上記カプセル支持部とを連結するに伴って、上記コンタクトピンと上記接触端子とが電気的に接触するコンデンサマイクロホンにおいて、
    上記回路基板に穿設されている上記ビアホールが所定の閉塞手段により塞がれていることを特徴とするコンデンサマイクロホン。
  2. 上記ビアホールが上記電極パターンの外側に設けられており、上記保持手段が中央部で上記接触端子を保持し裾部が所定の固定手段にて上記回路基板の周縁部に固定されるキャップ部材からなり、上記閉塞手段が上記電極パターンの部分を除いて上記回路基板の上面側のほぼ全面にわたって配置され、上記回路基板の周縁部と上記キャップ部材の裾部との間にまで入り込むリング状のガスケットからなることを特徴とする請求項1に記載のコンデンサマイクロホン。
  3. 上記ガスケットにポリテトラフルオロエチレン樹脂フィルムが用いられることを特徴とする請求項2に記載のコンデンサマイクロホン。
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