JP4623658B2 - 光情報記録装置および光情報記録方法 - Google Patents

Description

本発明は、光記録媒体に情報を記録するための好適なライトストラテジを設定する光情報記録装置および光情報記録方法に関する。

近年、情報通信技術の発達により、インターネット等が目覚しい勢いで普及したことにより、ネットワークを介して多くの情報がさかんにやり取りされている。こうした状況の中、近年、情報記録装置の分野において、ＣＤ−Ｒなどの追記型光ディスクやＣＤ−ＲＷなどの書き換え型光ディスクが記録媒体として注目を浴びている。また、最近では、レーザ光源としての半導体レーザの短波長化、高い開口数（NumericalAperture）を有する高ＮＡ対物レンズによるスポット径の小径化、及び薄型基板の採用などにより、ＤＶＤ±Ｒ、ＤＶＤ±ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭなどの大容量の光ディスクが情報記録装置において用いられている。

ここで、ＣＤ−Ｒ等への情報の記録は、ＰＣ（ＰＣ：PersonalComputer）等から与えられた記録情報をＥＦＭ（ＥＦＭ：EighttoFourteenModulation）信号に変換して行われるが、使用する光ディスクを構成する色素記録層等の組成の違いから、光記録媒体の蓄熱や冷却速度の不足に起因するマークの形成不良等の問題が生じるために、ＥＦＭ信号をそのまま記録しようとしても、所望のマークやスペースを形成することはできない。
そのため、基準となる記録波形に対して、使用する個々の光ディスクに固有の記録パラメータ（以下、これをライトストラテジという。）を定めて良好な記録品質を維持する方式が採用されているが、使用する個々の光ディスク固有のライトストラテジを決定するためには、開発者の負担が大きく、しかも、情報記録装置の開発終了後に発売されるような光情報記録媒体に対するライトストラテジの対応が難しいという問題がある。

こうした問題に対応して、基準ライトストラテジを用いて光ディスクに情報を記録し、記録した情報を再生して、各マークあるいはスペースの記録長を求め、この記録長と各マークあるいはスペースの理論長とのずれ量が最小になるように、各マークあるいはスペースに対応した各記録パルスの立ち上がりあるいは立下りエッジ位置を調整して好適なライトストラテジを自動的に生成する技術（例えば、特許文献１参照。）や、こうした技術に加えて、さらに、各マークの前側位相ずれ量あるいは後側位相ずれ量を算出して、各マークごとの理論長に対する記録長のずれ方向を求め、これによって好適なライトストラテジを自動的に設定する技術が提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
特開２００２−２３０７７０号公報 特開２００４−３５５７２７号公報

しかしながら、前者の方法では、例えば、マークに着目して、その記録長を理論長に合わせるようにライトストラテジを設定しても、マークの前エッジおよび後エッジがどれだけずれているのかがわからないために、マークの前後に位置するスペースの記録長がその理論長に対してばらついてしまうという問題がある。

また、後者の方法では、前後のマークおよびスペースごとに、そのずれ量を比較する処理が発生するために、処理時間が長くなるという問題がある。さらに、記録パルスのエッジを調整する際に、調整対象の記録パルスエッジに対応するマークエッジ位置のみへの影響が考慮され、さらに隣接するマークのエッジ位置に対する影響が考慮されていないために、特に、マーク間、スペース間の熱干渉の大きい高速記録時や３Ｔ，４Ｔといった特に短い信号の場合においては、精度の高いライトストラテジの設定が困難であるという問題がある。

そこで、本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであって、マークおよびスペースの理論長に対する記録長の立ち上がりエッジおよび立ち下がりエッジからのずれ量を簡易な方法で算出することにより、高速記録時や３Ｔ，４Ｔといった特に短い信号の場合においても精度の高いライトストラテジを短時間で設定することができる光情報記録装置および光情報記録方法を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するために、本発明は以下の事項を提案している。
請求項１に係る発明は、所定のライトストラテジに従って記録パルス光を生成し、生成した記録パルス光を光記録媒体に照射することにより当該光記録媒体上にマーク及びスペースの並びを形成して情報を記録する光情報記録装置であって、前記所定のライトストラテジに従って、前記光記録媒体に複数種のマークを含む情報をテスト記録させるテスト記録手段と、前記テスト記録手段により前記光記録媒体にテスト記録された情報を読み取り、前記マーク及びスペースに応じた２値の再生信号を生成する再生信号生成手段と、所定周波数のクロックを生成するクロック生成手段と、前記再生信号生成手段で生成された再生信号において値が切り替わる各マークのエッジ毎に、当該エッジのタイミングと前記クロック生成手段で生成された前記クロックとのずれを検出する検出手段と、前記検出手段により前記エッジ毎に検出された前記ずれが全て一致するように、前記所定のライトストラテジを前記マーク毎に補正する補正手段と、を備えることを特徴とする光情報記録装置を提案している。

請求項１２に係る発明は、所定のライトストラテジに従って記録パルス光を生成し、生成した記録パルス光を光記録媒体に照射することにより当該光記録媒体上にマーク及びスペースの並びを形成して情報を記録する光情報記録方法であって、前記所定のライトストラテジに従って、前記光記録媒体に複数種のマークを含む情報をテスト記録させる第１のステップと、前記光記録媒体にテスト記録された情報を読み取り、前記マーク及びスペースに応じた２値の再生信号を生成する第２のステップと、所定周波数のクロックを生成する第３のステップと、前記生成された再生信号において値が切り替わる各マークのエッジ毎に、当該エッジのタイミングとクロックとのずれを検出する第４のステップと、前記エッジ毎に検出された前記ずれが全て一致するように、前記所定のライトストラテジを前記マーク毎に補正する第５のステップと、を備えることを特徴とする光情報記録方法を提案している。

これらの発明によれば、所定のライトストラテジに従って、光記録媒体に複数種のマークを含む情報をテスト記録し、テスト記録された情報を読み取って、マークおよびスペースに応じた２値の再生信号を生成する。さらに、生成された再生信号において、値が切り替わる各マークのエッジ毎に、このエッジのタイミングとクロックとのずれが検出される。そして、検出されたエッジ毎のずれがすべて一致するように、所定のライトストラテジをマーク毎に補正する。したがって、各マークの理論的な記録長をクロックとのずれで検出し、かつ、このずれが全て一致するように補正を行うため、煩雑な測定処理を伴うことなく的確なライトストラテジを設定することができる。

請求項２に係る発明は、請求項１に記載の光情報記録装置について、各マークの前記エッジ毎に、前記所定のライトストラテジに対して当該エッジのタイミングのみを所定量変化させるライトストラテジを設定し、当該設定したライトストラテジに従って記録された情報を読み取って得られた再生信号におけるエッジと、前記所定のライトストラテジに従って記録された情報を読み取って得られた再生信号における対応するエッジとのタイミングの変化量が、当該エッジの固有変化量として予め記憶された記憶手段を備え、前記補正手段が、前記記憶手段に記憶されている固有変化量に基づいて、前記所定のライトストラテジの補正量を定める、ことを特徴とする光情報記録装置を提案している。

請求項３に係る発明は、請求項２に記載の光情報記録装置について、前記記録手段に記憶されている固有変化量は、前記光記録媒体の種類、記録速度、ＲＦ信号補正の設定に応じた値を設定することを特徴とする光情報記録装置を提案している。

請求項４に係る発明は、請求項１に記載の光情報記録装置について、前記テスト記録手段が、各マークの前記エッジ毎に、前記所定のライトストラテジに対して当該エッジのタイミングのみを所定量変化させるライトストラテジを設定し、当該設定したライトストラテジに従ったテスト記録をさらに実行し、前記補正手段が、各マークの前記エッジ毎に、前記テスト記録手段により当該エッジのタイミングを所定量変化させるライトストラテジに従ってテスト記録された情報を読み取って得られた再生信号におけるエッジと、前記所定のライトストラテジに従って記録された情報を読み取って得られた再生信号における対応するエッジとのタイミングの変化量を当該エッジの固有変化量として求め、該求めた固有変化量に基づいて、前記所定のライトストラテジの補正量を定めることを特徴とする光情報記録装置を提案している。

請求項５に係る発明は、請求項２または請求項４に記載の光情報記録装置について、各前記エッジの固有変化量が、前記ライトストラテジの設定でタイミングを前記所定量ずらした当該エッジ、及び当該エッジとマークを挟んで隣接するエッジの各々のタイミングの変化量を含む、ことを特徴とする光情報記録装置を提案している。

請求項６に係る発明は、請求項５に記載の光情報記録装置について、前記所定量ずらしたエッジおマークを挟んで隣接するエッジの各々のタイミングの変化量を含む場合は、短い信号のときであることを特徴とする光情報記録装置を提案している。

請求項７に係る発明は、請求項２または請求項４に記載の光情報記録装置について、各前記エッジの固有変化量が、当該エッジを挟むマークとスペースとの組み合わせ毎に定められ、前記ライトストラテジの設定でタイミングを前記所定量ずらした当該エッジ、当該エッジとマークを挟んで隣接するエッジ、及び当該エッジとスペースを挟んで隣接するエッジの各々のタイミングの変化量を含む、ことを特徴とする光情報記録装置を提案している。

請求項８に係る発明は、請求項７に記載の光情報記録装置について、前記所定量ずらしたエッジとマークを挟んで隣接するエッジ、及び当該エッジとスペースを挟んで隣接するエッジの各々のタイミングの変化量を含む場合は、短い信号のときであることを特徴とする光情報記録装置を提案している。

請求項９に係る発明は、請求項５または７に記載の光情報記録装置について、前記所定のライトストラテジによりテスト記録された情報を前記再生信号生成手段で生成し、この再生信号の記録品位を測定し、これらの再生信号のデータから算出された値を基に、使用するライトストラテジおよびその設定順序を決定することを特徴とする光情報記録装置。

請求項１０に係る発明は、請求項９に記載の光情報記録装置について、前記所定のライトストラテジによりテスト記録した記録品位が良好な場合には請求項７に記載の固有変化量に基づいて前記所定のライトストラテジの補正量を求め、前記記録品位が低い場合には請求項５に記載の固有変化量に基づいて前記所定のライトストラテジの補正量で補正した後に請求項７に記載の固有変化量に基づいて前記所定のライトストラテジの補正量を定めることを特徴とする光情報記録装置を提案している。

請求項１１に係る発明は、請求項９に記載の光情報記録装置について、前記所定のライトストラテジの記録品位の判断は、前記再生信号手段で再生された信号のサンプル比、ジッタ値、デビエーション値のいずれか又は複数を用いることを特徴とする光情報記録装置を提案している。

本発明によれば、マークおよびスペースの理論長に対する記録長の立ち上がりエッジおよび立ち下がりエッジからのずれ量を簡易な方法で算出することにより、高速記録時においても、また３Ｔ，４Ｔといった特に短い信号の場合でも精度の高いライトストラテジを短時間で設定することができるという効果がある。

＜第１の実施形態＞
光記録媒体に情報を記録するために用いられるライトストラテジの品質は、一般に、再生ジッタにより評価される。この再生ジッタを最適化する手法としては、光記録媒体に記録されるそれぞれのマークおよびスペースの記録長が理論長と一致するように、ライトストラテジを調整する方法が考えられる。具体的には、光記録媒体の基準ライトストラテジにより、マークおよびスペースを記録し、これを再生してそれぞれのマークおよびスペースの記録長を求めるとともに、これらの記録長が理論長に一致するよう基準ライトストラテジを構成するそれぞれの記録パルス幅を調整する。

ところが、図３に示すように、例えば、３Ｔマークに対応する記録パルスの立下りエッジをある量変化させた場合、この変化による影響は、記録された３Ｔマークの対応エッジ（図３のＢエッジ）のみならず、このエッジと対向するエッジ（図３のＡエッジ）にも現れる。図４は、図３における３Ｔマークに対応する記録パルスの立下りエッジに付加する変化量を増減した場合の図３におけるＡエッジおよびＢエッジの変化の様子を示したものであるが、この図からも明らかなように、ＡエッジおよびＢエッジの変化は、３Ｔマークに対応する記録パルスの立下りエッジに付加する変化量の増減に比例し、ほぼ線形性を有して変化する。

つまり、例えば、３Ｔマークに対応する記録パルス幅を調整して、３Ｔマークの記録長を３Ｔマークの理論長に合わせ込んだとしても、３Ｔマークに対応する記録パルス幅を調整した影響は、上述のように、３Ｔマークの両エッジに生ずることから、３Ｔマークに対応する記録パルス幅を調整した影響が３Ｔマークに隣接するスペース等に影響を与え、結果として、全体の再生ジッタが改善しない状態が生ずることになる。したがって、精度の高いライトストラテジを設定するためには、変化させる記録パルスのエッジ部に対応する記録マークエッジのみならず、これに対向するエッジへの影響も考慮する必要がある。

そこで、本実施形態においては、再生信号から抽出されるクロック信号を用いて、記録されたマークに対応する再生パルス信号とクロック信号とのずれ量を検出し、現に記録されたマークの両エッジが本来あるべきマークの両エッジからどれだけずれているのかを求める。そして、このずれ量を基準ライトストラテジにおいて、例えば、３Ｔマークの立ち上がりエッジあるいは立下りエッジの一方だけをそれぞれ所定量変化させたときに形成されるマークの両エッジが本来あるべき３Ｔマークの両エッジからどれだけずれているのかといったマーク固有の変化量を用いて、すべてのマークおよびスペースについてそのずれ量が一定値になるよう、さらに具体的には、すべてのマークおよびスペースのエッジのタイミングがクロックに対して、同じだけずれた状態になるよう全体をシフトさせて調整を行うことにより、ライトストラテジの補正を実行し、好適なライトストラテジを設定することを特徴としている。

以下、図１、図２、図５を用いて、本実施形態に係る光情報記録装置について詳細に説明する。本実施形態に係る光情報記録装置は、図１に示すように、光ディスク（光記録媒体）１と、光ピックアップ２と、ヘッドアンプ３と、データデコーダ（再生信号生成手段、クロック信号生成手段）４と、差分検出部（検出手段）５と、ＲＯＭ６と、ＲＡＭ７と、ライトストラテジ設定部（補正手段）８と、制御部（テスト記録手段）９と、記録パルス列補正部１０と、コントローラ１１と、データエンコーダ１２と、レーザ駆動部１３とから構成されている。

光ディスク１は、レーザダイオードにより情報の記録、再生を行える光記録媒体であり、例えば、ＤＶＤ±Ｒ等である。光ピックアップ２は、図示しないレーザダイオード等のレーザ光源や、コリメータレンズ、フォーカスアクチュエータあるいはトラッキングアクチュエータとによって駆動される対物レンズ、偏光ビームスプリッタ、シリンドリカルレンズ等の光学部品、及びＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄの４つの領域に分割され、光を電気信号に変換する４分割あるいは２分割のフォトディテクタ（ＰＤ）あるいは記録再生時のレーザ出力をモニタするフロントモニタダイオード等を備えている。

ヘッドアンプ３は、光ディスク１からの反射光を検出し、検出した反射光より反射光量を演算して、４分割ＰＤの各領域への反射光量の総和を示すＲＦ信号を生成するとともに、光ピックアップ２の照射レーザの焦点ずれを検出する信号であるフォーカスエラー信号（ＦＥ）を非点収差法によって生成し、さらに光ピックアップ２の照射レーザのトラックずれを検出する信号であるトラッキングエラー信号（ＴＥ）をプッシュプル法によって生成する。

データデコーダ４は、ヘッドアンプ３において生成されたＲＦ信号から二値化信号を生成し、さらにこれを所望の形式の信号に変換してコントローラ１１に出力する。また、生成した二値化信号からクロック信号の抽出を行う。
差分検出部５は、データデコーダ４から二値化信号とクロック信号を入力し、各マークごとに、クロック信号により定まる各マークの理論パルス信号エッジと二値化信号中の当該マークに対応する再生パルス信号の立ち上がりエッジとの差分値および理論パルス信号のエッジと再生パルス信号の立ち下がりエッジとの差分値を検出する。この差分値が「クロック信号とのずれ量」に対応する。

ＲＯＭ６は、書き換え不能の記憶装置であり、光情報記録装置全体を制御するための制御プログラムや基準ライトストラテジ等が記憶されている。また、本実施形態においては、差分検出部５により検出された各マークの差分値をすべて一定値とするために用いられる各マークごとの固有変化量（詳細は後述する。）等も格納されている。ＲＡＭ７は書き換え可能な記憶装置であり、差分検出部５において検出された各マークごとの差分値やライトストラテジ設定部８において設定されたライトストラテジ等が一時的に記憶される。

ライトストラテジ設定部８は、差分検出部５により検出された各マークの差分値をＲＯＭ６に格納された各マークごとの補正値を用いて、そのすべてが一定値となるような演算を行い、好適なライトストラテジを設定する。また、ライトストラテジ設定部８は基準ライトストラテジでのエッジのずれを算出する機能や、該当エッジおよび隣接エッジの影響を算出する機能も備えている。制御部９は、光情報記録装置全体をＲＯＭ６内に格納した制御プログラムにしたがって制御する。

記録パルス列補正部１０は、制御部９からライトストラテジあるいはパラメータを入力し、これに基づいて記録パルス列を形成し、レーザ駆動部１３に出力する。コントローラ１１は、記録信号をデータエンコーダ１２に供給し、また、データデコーダ４から記録信号を読み出す装置であり、データエンコーダ１２は、コントローラ１１からの記録信号をＥＦＭ信号等に変換して記録パルス列補正部１０に出力する。レーザ駆動部１３は、入力した記録パルスに応じたレーザダイオード駆動用のパルス信号を生成して、これを光ピックアップ２内の図示しない半導体レーザに供給する。

次に、図２を用いて、本実施形態における処理の流れを説明する。
まず、制御部９は、ＲＯＭ６から基準のライトストラテジに関するパラメータを読み出して、記録パルス列補正部１０にこれらのパラメータをセットする。記録パルス列補正部１０はセットされたパラメータに基づいて、記録パルス列を生成して、これをレーザ駆動部１３に出力する。レーザ駆動部１３は、入力した基準ライトストラテジに対応する記録パルスに応じたレーザダイオード駆動用のパルス信号を生成して、これを光ピックアップ２内の図示しない半導体レーザに供給することにより、光ディスク１内の試し書きエリアにマークおよびスペースの記録を行う（ステップ１０１）。

マークおよびスペースの記録が終了すると、制御部９は、光ピックアップ２を試し書きエリア内の記録トラックに移動して、情報の再生を行う。光ピックアップ２により読み取られた信号は、ヘッドアンプ３を介してデータデコーダ４に入力されて、二値化信号が生成される。また、データデコーダ４では、この二値化信号からクロック信号の抽出が行われる。データデコーダ４において生成された二値化信号およびクロック信号は差分検出部５に入力され、３Ｔ、４Ｔ、５Ｔ等の各マークに対応する再生パルス信号とクロック信号により定まる各マークの理論長に相当する理論パルス信号との差分値がそれぞれのパルス信号の両エッジ間の差分値として検出され、その値がＲＡＭ７に格納される（ステップ１０２）。

次に、ライトストラテジ設定部８は、ＲＡＭ７から差分検出部５が検出した差分値（例えば、図５中のＤＬ３、ＤＴ３、ＤＬ４、ＤＴ４）を読み出す。また、ＲＯＭ６から図５に示すように、例えば、３Ｔマークの記録パルスの立ち上がりエッジを制御可能な最小分解能分変化させたときの再生パルス信号の両エッジにおける変化量（図５中のＦＬ３、ＦＴ３。４ＴマークについてはＦＬ４、ＦＴ４であり、以下、他のマークについても同様）、３Ｔマークの記録パルスの立ち下がりエッジを制御可能な最小分解能分変化させたときの再生パルス信号の両エッジにおける変化量（図５中のＲＬ３、ＲＴ３。４ＴマークについてはＲＬ４、ＲＴ４であり、以下、他のマークについても同様）である各マークの固有変化量を読み出す。

そして、これらの値に基づいて、各マークに対応する再生パルス信号とクロック信号により定まる各マークの理論長に相当する理論パルス信号の両エッジ間の差分値がすべて同じ値ｋとなるように、以下に示す連立方程式を解いて、ｎ１、ｎ２、ｎ３・・・・の値を求める（ステップ１０３）。
ＤＬ３−（ＦＬ３＊ｎ１＋ＲＬ３＊ｎ２）＝ｋ
ＤＴ３−（ＦＴ３＊ｎ１＋ＲＴ３＊ｎ２）＝ｋ
ＤＬ４−（ＦＬ４＊ｎ３＋ＲＬ４＊ｎ４）＝ｋ
ＤＴ４−（ＦＴ４＊ｎ３＋ＲＴ４＊ｎ４）＝ｋ
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また、隣接マークからの熱干渉の影響が少ない場合は、変化を与えたエッジのみの効果として、以下の連立方程式を解くことで、ｎ１、ｎ２、ｎ３・・・の値を求めることもできる。
ＤＬ３−ＦＬ３＊ｎ１＝ｋ
ＤＴ３−ＲＴ３＊ｎ２＝ｋ
ＤＬ４−ＦＬ４＊ｎ３＝ｋ
ＤＴ４−ＲＴ４＊ｎ４＝ｋ
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上式により、ｎ１、ｎ２、ｎ３・・・・の値が求まると、これが基準ライトストラテジに対して、各マークに対応する記録パルスの立ち上がりエッジ、立下りエッジの調整量となる。この決定したライトストラテジはＲＡＭ７に格納され、マークおよびスペースの記録動作がこの格納されたライトストラテジを用いて実行される（ステップ１０４）。

なお、本実施形態においては、マークごとに、そのマークの記録パルスの立ち上がりエッジのみを最小分解能分変化させたときの再生パルス信号の両エッジにおける変化量あるいは立ち上がりエッジのみを最小分解能分変化させたときの再生パルス信号の両エッジにおける変化量を求めておく場合について説明したが、これらの値は、使用する光記録媒体に上記のようなマーク等を実際に記録することにより、記録したマークの再生パルス信号から求めるようにしてもよい。

上記のように、本実施形態においては、特定マークの記録パルス信号エッジを変化させたときに、各マークに対応する再生パルス信号とクロック信号の両エッジ間に生ずる差分値を求め、各マークごとの固有変化量を用いて、すべてのマークについてこの差分値が一定値となるような演算式を立てて、この演算式を解くことによりライトストラテジを設定することから、精度の高いライトストラテジを短時間で設定することができる。

＜第２の実施形態＞
第１の実施形態では、特定のマークに着目し、特定のマークに対応する記録パルス信号の立ち上がりエッジあるいは立下りエッジを所定量変化させると、その影響が再生パルス信号の立ち上がりエッジおよび立下りエッジに現れることを述べた。しかし、実際には、図６に示すように、特定のマークに対応する記録パルス信号の立ち上がりエッジあるいは立下りエッジを所定量変化させると、その影響は再生パルス信号の立ち上がりエッジおよび立下りエッジのみならず、スペースを挟んだ隣接するマークにも及ぶ。

図６は、３Ｔマークと３Ｔスペースの組み合わせにおいて、３Ｔマークに対応する記録パルス信号の立下りエッジを所定量変化させたときに、記録されるマークへの影響を示したものである。この図によれば、その影響は、エッジを変化させた記録パルス信号に対応するマークの両エッジ（図中、Ａエッジ、Ｂエッジ）のみならず、スペースを挟んで隣接するマークのエッジ（図中、Ｃエッジ）にも及ぶことがわかる。

また、図７は、図６における３Ｔマークに対応する記録パルス信号の立下りエッジの変化量を増減させたときのＡエッジ、Ｂエッジ、Ｃエッジの変化の様子を示しているが、この図からわかるように、Ａエッジ、Ｂエッジ、Ｃエッジの変化の度合いは、３Ｔマークに対応する記録パルス信号の立下りエッジの変化量の増減に比例し、ほぼ線形性を有していることがわかる。

これらのことから、さらに厳密に精度の高いライトストラテジを設定しようとすれば、調整の対象を特定のマークではなく、特定のマークとスペースの組み合わせとして捉える必要がある。そこで、本実施形態においては、ライトストラテジ設定のための調整の対象を特定のマークとスペースの組み合わせとしたことに特徴を有するものである。

以下、図８、図９を用いて、本実施形態に係る光情報記録装置について詳細に説明する。
本実施形態に係る光情報記録装置の基本的な構成は、図１に示される第１の実施形態に係る光情報記録装置の構成と同様であるが、ライトストラテジ設定のための調整の対象を特定のマークとスペースの組み合わせとするため、差分検出部５は、特定のマークとスペースおよびスペースとマークの組み合わせごとに、その差分値を検出する。また、ＲＯＭ６には、差分検出部５により検出された特定のマークとスペースの組み合わせについての差分値をすべて一定値とするために用いられる補正値等が格納され、ＲＡＭ７には、差分検出部５において検出された特定のマークとスペースの組み合わせごとの差分値やライトストラテジ設定部８において設定されたライトストラテジ等が一時的に記憶される。

次に、図９を用いて、本実施形態における処理の流れを説明する。
まず、制御部９は、ＲＯＭ６から基準のライトストラテジに関するパラメータを読み出して、記録パルス列補正部１０にこれらのパラメータをセットする。記録パルス列補正部１０はセットされたパラメータに基づいて、基準ライトストラテジを生成して、これをレーザ駆動部１３に出力する。レーザ駆動部１３は、入力した基準ライトストラテジに対応する記録パルスに応じたレーザダイオード駆動用のパルス信号を生成して、これを光ピックアップ２内の図示しない半導体レーザに供給することにより、光ディスク１内の試し書きエリアにマークおよびスペースの記録を行う（ステップ２０１）。

マークおよびスペースの記録が終了すると、制御部９は、光ピックアップ２を試し書きエリア内の記録トラックに移動して、情報の再生を行う。光ピックアップ２により読み取られた信号は、ヘッドアンプ３を介してデータデコーダ４に入力されて、二値化信号が生成される。また、データデコーダ４では、再生信号からクロック信号の抽出が行われる。データデコーダ４において生成された二値化信号およびクロック信号は差分検出部５に入力され、特定のマークとスペースの組み合わせにおいて３Ｔ、４Ｔ、５Ｔ等の各マークに対応する再生パルス信号とクロック信号により定まる各マークの理論長に相当する理論パルス信号との差分値がそれぞれのパルス信号の両エッジ間の差分値として検出され、その値がＲＡＭ７に格納される（ステップ２０２）。

次に、ライトストラテジ設定部８は、ＲＡＭ７から差分検出部５が検出した差分値（例えば、図８中のＤＴ（ｍ、ｎ）、ＤＬ（ｍ、ｎ））を読み出す。また、ＲＯＭ６から図８に示すように、例えば、ｍＴマークとｎＴスペースの組み合わせにおけるｍＴマークの記録パルス信号の立ち下がりエッジを最小分解能分変化させたときの変化量（図８中のＲａ（ｍ、ｎ）、Ｒｂ（ｍ、ｎ）、Ｒｃ（ｍ、ｎ））、ｍＴスペースとｎＴマークの組み合わせにおけるｍＴスペース後の記録パルス信号の立ち上がりエッジを最小分解能分変化させたときの再生パルス信号の両エッジにおける変化量（図８中のＦａ（ｍ、ｎ）、Ｆｂ（ｍ、ｎ）、Ｆｃ（ｍ、ｎ））である固有変化量を読み出す。

そして、これらの値に基づいて、ステップ２０２で求めた差分値がすべて同じ値ｋとなるように、第１の実施形態と同様に連立方程式をたて、これを解いて、ｎ１、ｎ２、ｎ３・・・・の値を求める（ステップ２０３）。また、隣接マークからの熱干渉の影響が少ない場合は、変化を与えたエッジのみの効果として、Ｒｂ（ｍ、ｎ）、Ｆｂ（ｍ、ｎ）のみを使用して、クロックエッジとマーク、スペースエッジの差分値が同じ値（ｋ）となるように、ｎ１、ｎ２、ｎ３・・・を求めることもできる。

ｎ１、ｎ２、ｎ３・・・・の値が求まると、これが基準ライトストラテジに対して、各マークに対応する記録パルスの立ち上がりエッジ、立下りエッジの調整量となる。この決定したライトストラテジはＲＡＭ７に格納され、マークおよびスペースの記録動作がこの格納されたライトストラテジを用いて実行される（ステップ２０４）。

なお、本実施形態においては、特定のマークとスペースの組み合わせについて、マークの記録パルス信号の立ち上がりエッジのみを最小分解能分変化させたときの変化量あるいは立下りエッジのみを最小分解能分変化させたときの変化量を求めておく場合について説明したが、これらの値は、使用する光記録媒体に上記のマーク等を実際に記録することにより、記録したマーク等の再生パルス信号から求めるようにしてもよい。

上記のように、本実施形態においては、調整の対象を特定マークとスペースの組み合わせとしたことから、さらに精度の高いライトストラテジを短時間で設定することができる。

図１０および図１１は、本発明の効果を示すものであり、図１０は、各種ＣＤ−Ｒメディア、記録速度において、ライトストラテジの設定方法によるマークのジッタ値を示しており、図１１は、スペースのジッタ値を示している。なお、図１０および図１１において、「Ｄｅｆａｕｌｔ」、「１エッジ法」、「２エッジ法」、「３エッジ法」とは、ライトストラテジの種別を示すものであり、「Ｄｅｆａｕｌｔ」のライトストラテジとは、例えば、（n―ｋ）Tのような形のライトストラテジであり、特定のマーク、スペース若しくはマークとスペースの組み合わせでの補正を一切行っていないライトストラテジである。また、「１エッジ法」のライトストラテジとは、マークに対応する記録パルスの立ち上がりエッジ、立下りエッジを調整することができ、特定の記録パルスにおけるエッジを調整するときに、該当するエッジのみにその変化の影響を考慮した、ライトストラテジの設定方法によるライトストラテジである。「２エッジ法」のライトストラテジとは、第１の実施形態に対応するライトストラテジであり、「３エッジ法」のライトストラテジとは、第２の実施形態に対応するライトストラテジである。

図１０および図１１から、「１エッジ法」、「２エッジ法」や「３エッジ法」は、総じて「Ｄｅｆａｕｌｔ」に比べて、ジッタ値が低くなっている。特に、記録速度が速くなると、その傾向は顕著となる。また、「３エッジ法」は、総合的に見ても、他の方法に比べて、極めて良好な結果を示している。

ところで、本願出願人は本願出願後に種々のテストを行った結果、基準ライトストラテジを変えた場合に「３エッジ法」により補正を行うことが適切なケースとそうでないケースがあることがわかった。図１２は基準ライトストラテジをＷＳ−１，ＷＳ−２，ＷＳ−３およびＷＳ−４の４種類としたときの「Ｄｅｆａｕｌｔ」、「２エッジ法」、「３エッジ法」および「２エッジ法を行った後に３エッジ法を行った場合（２エッジ法→３エッジ法）」のジッタ値（％）を示したグラフである。

すなわち、図１２は故意に基準ライトストラテジ（Ｄｅｆａｕｌｔ）を変えてその効果を比較したものであるが、これより明らかなように、基準ライトストラテジでの記録品位が悪い場合は「２エッジ法」の効果が大きく、良い場合は「３エッジ法」の効果が大きいことがわかる。したがって、基準ライトストラテジの記録品位により、「３エッジ法」単独使用か、「２エッジ法→３エッジ法」の連続使用かを判断すればよいことが解かる。

一般に「２エッジ法」はマークの種類別に、その記録パルスの前後のエッジを調整するものであるため、設定精度がやや荒いという欠点がある反面、ベースとなるストラテジでの記録状態が多少悪くても、ある程度の効果は得られるという特徴がある。逆に「３エッジ法」は、マークとスペースの組み合わせ毎に詳細なストラテジ設定を行うため、基準ライトストラテジの記録状態が良好な場合には良い結果が得られる反面、基準ライトストラテジの記録状態が悪い場合にはその能力を十分発揮できないと言う欠点がある。

このため、基準ライトストラテジで記録後、その記録品位を測定し、その結果から「３エッジ法」を単独で行うか、「２エッジ法→３エッジ法」の併用でいくかを判断すればよいことになる。

以上の「２エッジ法」および「３エッジ法」は、特定のエッジの調整を組み合わせて使用する方法であるが、これとは別に単純にマークとスペースの長さを基準長にあわせる前述した「１エッジ法」もある。全ての種類のマークとスペースの平均長を測定し、基準長からのズレ量に従い、その記録パルスの立上りエッジもしくは立下りエッジを移動させるもので、マーク長、スペース長をおおよそ基準長に合わせる方法である。

具体的には、例えば図１３に示すように、mT Mark, nT Spaceの基準長からのズレをそれぞれＤＭ（ｍ）、ＤＳ(n)と表し、括弧のマークとスペースの終端エッジの固有変化量をａＭ（ｍ）,aＳ(n)とすると、mT Markの終端エッジのライトストラテジ補正量はＤＭ（ｍ）／ａＭ（ｍ）となる。同様にnT Spaceのライトストラテジ補正量はＤＳ(n)／aＳ(n)で計算できる。なお、図１３では後端エッジでの補正を示したが、前端エッジで補正する場合には前端の固有変化量を使用して同様の計算式によりライトストラテジの補正量を求めることができる。

この方法は、マーク長、スペース長をそれぞれ単独で合わせる非常にラフな調整方法（マークの調整による影響をスペースに反映したりその逆を行うことがない）であるが、方法が単純であるため基準ライトストラテジによる記録状態が悪い場合ほど、その能力を発揮できる。したがって、「２エッジ法」と「３エッジ法」を組み合わせる場合には、「１エッジ法→３エッジ法」、「１エッジ法→２エッジ法→３エッジ法」のように、「１エッジ法」を「２エッジ法」と「３エッジ法」の前段に使用すると効果的である。

ちなみに、「２エッジ法」を採用する場合、以下の方法により簡単に最適なライトストラテジ補正値を求めることができる。すなわち、図１４に示すように、mT Markの前後のＤ２Ｃデビエーション（Data to Clock Deviation）の値をＤＬｍ、ＤＴｍとし、mT Markの前エッジ固有変化量をＲＬｍ、後エッジの固有変化量をＲＴｍとし、さらにmT Markの前エッジ補正量をｎ(2m-5)、後エッジ補正量をｎ(2m-4)とすると、mT Markの前後のエッジには、以下に示す等式がなりたつことになる（ｋは固定値でＤＬｍおよびＤＴｍの加重平均値）。
ＤＬｍ＝ＦＬｍ*ｎ(2m-5)＋ＲＬｍ*ｎ(2m-4)＋ｋ
ＤＴｍ＝ＦＴｍ*ｎ(2m-5)＋ＲＴｍ*ｎ(2m-4)＋ｋ

さらに、すべてのマークについて、同様の等式をたて、まとめると下記の「数１」のように行列形式で書き表すことができる。

なお、上記「数１」は図２のステップＳ１０３の説明で示した連立方程式を拡張した一般式に相当する。このときの解（ｎ１，ｎ３，・・・ｎ２３、ｎ２，ｎ４，・・・ｎ２４）は、逆行列の計算により簡単に求めることができる。また、マークの前後の熱影響が小さい（無視できる）場合には、「数１」のＲＬ３〜ＲＬ１４およびＦＴ３〜ＦＴ１４をすべて「０」として計算することもできる。

図１５に示す「３エッジ法」の場合についても同様に考えることができる。まず、図１５のように固有変化量を定め、更にmT Mark-nT SpaceでのＤ２ＣデビエーションをＤＴ（ｍ，ｎ)、mT Space-nT MarkでのＤ２ＣデビエーションをＤＬ（ｍ，ｎ）とする。

このとき、その補正値ｎＬ（ｍ，ｎ），ｎＴ（ｍ，ｎ）は以下の「数２」の式で表すことができる。

なお、「数２」において、ＲＴ（ｉ）はiT Markの存在確率、ＲＬ（ｉ）はiT Spaceの存在確率をあらわすものとする。

上記「数２」において、すべての組み合わせについて同様に表すと、「数１」と同様に行列形式で表記でき、その逆行列を求めることで、簡単に解を算出することが可能となる。下記「数３」は「数２」を行列形式で表したものである。

なお、「数３」において、p(3,3)〜p(14,14)およびq(3,3)〜q(14,14)部分はΣ部分の係数が入る。また、「数３」においても、隣接エッジの影響が小さい（無視できる）場合にはpおよびqを「０」として計算することも可能である。

次に、図１２に示した４つのストラテジの使用種類、使用順番の決定方法として、基準ライトストラテジ記録部の信号別サンプル比を測定し、そのサンプル比によりストラテジの使用種類、使用順番を決定する、使用ストラテジの判定方法について以下に説明する。

図１２で用いた４つの基準ライトストラテジの記録結果のうち、ＷＳ−１とＷＳ−４のマーク、スペースのＤ２Ｃデビエーションを２次元マッピングすると、図１７および図１８のようになる。ただし、ＸとＹの設定は図１６のように定める。すなわち、mT MarkのズレであるＸをm+dmとし、nT SpaceのズレであるＹをn+dnとした。

図１７および図１８より、ＷＳ−１に比べてＷＳ−４は分布がかなりばらついているのが確認できる。図１９は図１７における３ＴＭ−３ＴＳ部分にターゲットを当てたときの拡大図であり、図２０は図１８における３ＴＭ−３ＴＳ部分にターゲットを当てたときの拡大図である。図１９より明らかなように、ＷＳ−１のような良好な記録がなされている場合には、ほとんどのデータが規定の範囲内（規定Ｗｉｎｄｏｗ）に収まっている。一方、図２０に示すように、ＷＳ−４のように記録品位が劣る場合は、規定の範囲から外れるものがあるだけではなく、外部からの漏れこみも存在する。

このような場合、その分布の平均値(中心値)を求めても、正しい規定範囲の分布の平均値とはならない。したがって、この平均値を元にマーク―スペース組み合わせによるライトストラテジの最適化を行っても、精度の高い設定はできないことになる。このため、サンプリングしたマーク―スペース組み合わせデータがライトストラテジの設定に使用できるかどうかを判断する必要がある。

マーク―スペース組み合わせによりライトストラテジの設定を行うべきかどうかの判断方法として、規定の範囲内に収まるサンプル数を測定し、それが正しい分布をしているか否かを判断する方法がある。図２１に示す表はＤＶＤデータの平均的な分布確率を示したものである。図２１に示すように、マーク―スペースの組み合わせ毎の存在確率は決まっている。したがって、基準ライトストラテジで記録後に、そのサンプル数比を求め、各要素の値が図２１の表の値の±ｘ（ｘは許容誤差とする）以内に収まるかどうかを判断すればよい。

なお、図２１のようにごく平均的な分布確率を使用せずに、記録時のデータから図２１と同様な分布基準データを作成することで、より精度を高くすることも可能である。また、すべての要素（３ＴＭ〜１４ＴＭ，３ＴＳ〜１４ＴＳの組み合わせ）について判断せずに、最も影響の大きい３Ｔ，４Ｔの組み合わせについてそのサンプル比から判断してもよい。すなわち、例えばａ<サンプル(3,3）／サンプル(3,4)<b、ｃ<サンプル(3,3）／サンプル(4,3)<ｄ、．．．．を計算し、最も影響の大きいデータが許容範囲内かどうかを判断してもよい。

次に、図１２に示した４つのストラテジの使用種類、使用順番の決定方法として、基準ライトストラテジ記録部のジッタを測定し、そのジッタ値によりストラテジの使用種類、使用順番を決定する、使用ストラテジの判定方法について説明する。

例えば「２エッジ法」および「３エッジ法」を用いる場合、基準ライトストラテジで記録後に、そのジッタを測定し、その値が規定値以下（記録品質が良好）であれば「３エッジ法」を単独で行い、規定値以上であれば「２エッジ法→３エッジ法」を行えばよい。また、記録品位がさらに悪い場合には「１エッジ法→２エッジ法→３エッジ法」と３段階で行うことも有効である。

具体的には図１２において、規定ジッタを１１％とし、基準ライトストラテジでのジッタ値がこれ以下であれば「３エッジ法」を単独で行い、これを超える場合には「２エッジ法→３エッジ法」を実行する。このように、基準ライトストラテジ記録後に、その記録品位により「３エッジ法」単独か「２エッジ法→３エッジ法」の連動かを決定すれば、効率的かつ安定したストラテジの設定が可能となる。なお、図１２に示したジッタは全ジッタを対象としているが、例えば影響の大きい３ＴＭ−３ＴＳ等の特定の組み合わせのＤ２Ｃジッタを用いても同様の判断が可能である。

次に、図１２に示した４つのストラテジの使用種類、使用順番の決定方法として、基準ライトストラテジ記録部のデビエーションを測定し、そのデビエーション値によりストラテジの使用種類、使用順番を決定する、使用ストラテジの判定方法について説明する。

図２２は３ＴＳの次のマーク別分布を示したものである。同図に示すように、マーク―スペース、スペース―マークの組み合わせ毎のデビエーション（理論値と分布中心値のズレ量）を求める。そして、これが大きくずれている場合は、分布の一部が隣接Ｗｉｎｄｏｗへ漏れこんでいるものとみなし、「３エッジ法」を行う前に「１エッジ法」または「２エッジ法」を実行する。

また、単にデビエーションのズレから判断するだけでなく、「デビエーション±３Ｘジッタ」が規定のＷｉｎｄｏｗに収まるかどうかを調べることで、より精度の高い判断が可能となる。したがって、図２２では、Ｒ（３Ｔ）±ρ（３Ｔ）が規定のＷｉｎｄｏｗ内に収まるか判断すればよいことになる。

以上、ストラテジの使用種類、使用順番を決定する、使用ストラテジの判定方法について、「信号別サンプル比」、「ジッタ値」および「デビエーション値」を用いた例を説明したが、これらを個別に使用するのではなく、これらを互いに組み合わせることでより判断精度を上げることも可能である。

次に、ライトストラテジの自動設定時に使用する固有変化量（記録パルス単位当たりのマーク長またはスペース長の変化量）を光ディスクの種類、記録速度、ＲＦ信号イコライザの設定毎に前もってＲＯＭ６（図１参照）に記憶しておき、この固有変化量を用いて最適ライトストラテジを設定する場合について説明する。

図２３は固有変化量をＲＯＭ６にあらかじめ記憶し、これを用いて最適なライトストラテジを算出する動作フローを示したものである。同図を用いて固有変化量を前もってＲＯＭ６に記憶しておく本実施の形態の大まかな動作を説明する。

まず、制御部９は光ディスクの識別情報であるDisc IDを光ディスクから読み出す（ステップＳ３０１）。次に、制御部９は記録速度を設定し（ステップＳ３０２）、光ディスクの種類および記録速度に合致した固有変化量をＲＯＭ６から読み出す（ステップＳ３０３）。そして、制御部９は光ディスクのテスト領域に基準ライトストラテジでテスト記録を行い（ステップＳ３０４）、その結果とＲＯＭ６に記憶してある固有変化量を用いて最適なライトストラテジを設定する（ステップＳ３０５）。

ところで、例えば従来技術のように、記録を行う光ディスク毎の固有変化量をその都度実測により求め、その値を使ってライトストラテジの計算を行えば、後述するような高速記録時特有の熱干渉を無視すれば、確かに精度の高いライトストラテジの設定が可能である。一方、このような従来技術の方法では、以下のような問題も生じる。

(1)最低でも２回の異なるストラテジで記録を行い、再生してそのデビエーション差を求める必要があり、ライトストラテジ補正量Ｗは、
Ｗ＝Ｄ１／｛（Ｄ２−Ｄ１）／（Ｓ２−Ｓ１）｝
で算出する。このため、測定誤差が分母、分子の両方の影響を受けるので、測定誤差の影響が大きくなるという問題がある。
(2)図２４に示すような熱干渉歪みが発生する場合、誤ったライトストラテジの設定をしてしまう問題がある。
(3)最低でも２回のテスト記録が必要なため、光ディスクのテストエリアの使用量が増すだけではなく、ストラテジの設定時間が長くかかると言う問題がある。

これに対し、固有変化量（a(m,n)）をあらかじめＲＯＭ６に記憶しておく本実施の形態では、上記(1)〜(3)に対して以下の効果を期待できる。
(1)Ｗ＝Ｄ１／a（Ｄ１：実測値、a：保存値）で求められるため、誤差の影響が分子のみとなる。
(2)熱干渉歪の影響が少ない。
(3)１回の記録で最適ストラテジが算出できるため、記憶エリア、動作時間が少なくて済む。

一方、固有変化量をＲＯＭ６に記憶することにより、以下の問題も生じることになる。
(1)光ディスク装置に記憶した固有変化量を使ってストラテジの最適化を行うため、すべての光ディスクに対する固有変化量を前もって設定する必要がある。また、もし対応していない光ディスクに記録を行う場合、ストラテジの最適化ができないことになる。
(2)すべての光ディスクに対する固有変化量を保存しなければならないので記憶容量の大きいＲＯＭ６が必要になる。

しかしながら、様々な光ディスク、記録速度において固有変化量を測定したところ、以下のような結果を得ることができた。図２５はマークの種類別に記録パルスの前、後エッジを動かし、そのときのマークエッジを測定したときの説明図である。同図において、固有変化量aは，a＝ｄＴ／ΔＴである。

図２６は、様々な種類の光ディスク、記録速度における３Ｔ，４Ｔ，５Ｔの固有変化量を表したものであり、これより光ディスクの種類により固有変化量は異なる値になることがわかる。図２７、図２８はそれぞれ、ＤＶＤ−Ｒ（Ａ社製光ディスク）４倍速記録時の前、後エッジの固有変化量である。この固有変化量は各近似直線の傾きに相当する。これら図に示すように前、後エッジとも記録パルスの変化に対応したマーク長変化が得られる。

図２９はＤＶＤ−Ｒのメディアメーカ別光ディスク（光ディスクＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ）において、４倍速記録を行ったときの固有変化量を比較したものである。また、図３０は図２９と同じメディアメーカ別光ディスクにおける４倍速記録時の３Ｔ，４Ｔ，５Ｔの固有変化量を比較したものである。図２９および図３０で明らかなように、同じ種類の光ディスクで記録速度が同じであれば、メディア製造メーカーやディスクＩＤが異なっていてもほぼ固有変化量は近い値をとることがわかる。

図３１および図３２は光ディスクＢのＣＤ−Ｒに記録速度を４倍速から３２倍速まで４段階で変えたときの固有変化量を比較したものである。これら図で明らかなように、同じ種類の光ディスクでも、記録速度が異なるときは固有変化量にも影響があることがわかる。

図３３は同一の光ディスク（ＤＶＤ−Ｒ）の前エッジの固有変化量を、異なる光ディスク装置にて再生して測定したときの固有変化量の違いを示したものである。装置が異なれば再生時のＲＦイコライザ設定も異なる。同図より明らかなように、ＲＦイコライザ設定の信号補正値が異なれば固有変化量も異なる値となることがわかる。

図２６〜図３３に示した結果より、光ディスクの種類（ＤＶＤ−Ｒ，ＣＤ−Ｒ，ＣＤ−ＲＷ（ＨＳ），ＤＶＤ−ＲＡＭ．．．．）、記録速度、およびＲＦ信号補正値の設定が異なる場合は、その条件に応じて固有変化量を変えて設定すれば、光ディスクのメディアメーカやメディアの種類(Media ID)に係らず同じ固有変化量を使用することができることがわかる。

また、ＣＤ−Ｒのように、メディアの使用色素別にディスクコードの設定がなされている場合は、この分類を加えることも可能である。さらに、記録速度に関しても、１倍速、２倍速、３倍速．．．のように細かく設定するのではなく、１倍速〜４倍速、５倍速〜１０倍速のように幅を持たせた設定も有効である。

光ディスクの種類別に固有変化量を記憶させることにより、対応していない光ディスクを記録する場合でも、そのメディアの種類と記録速度がわかれば最適ライトストラテジの設定が可能となる。また、細かくMedia ID毎に固有変化量を保存する必要が無いため、保存に要するメモリの容量も少なくて済む。

図３４のグラフは、ＣＤ−Ｒ（光ディスク−Ｅ）を１６倍速記録を行う場合に記録パワーを変えながらストラテジの自動設定を行ったときのスペースジッタの変動を示したものである。基準ライトストラテジの３２ｍＷ付近でジッタの変動が見られるが、これが熱干渉歪みの影響である。このグラフから明らかなように、実測値から固有変化量を算出する場合、ストラテジの誤設定により、この３２ｍＷ以降で急激にジッタ値が悪化して使用不能になることがわかる。

これに対して固有変化量を固定値で使用した場合は、少なくとも３５ｍＷ程度までは正常な記録がなされることがわかる。したがって、固有変化量を予め記憶装置に記憶させれば、高速記録時の熱干渉歪みに対して安定した記録ができることがわかる。なお、熱干渉の歪みがどの記録パワーで発生するかは光ディスクに大きく依存するので、この点からも固有変化量を固定値で持つことは記録品質の安定性からみて大きいといえる。

次に、ライトストラテジ設定の該当エッジとマークを挟んで隣接するエッジの影響を考慮しストラテジの自動設定を行う場合、該当エッジと両隣接エッジの影響を考慮しストラテジの自動設定を行う場合には、隣接エッジからの影響のうち３Ｔ，４Ｔといった特に短い信号を挟んだ隣接エッジの影響のみを考慮すればよいことを以下に説明する。

図３５に示すように、mT Mark−mT Spaceの組み合わせにおいて、その挟まれるエッジを規定量移動するとき、生成されるmT Mark−mT Spaceの組み合わせの、mT Markの前エッジ(A-Edge)、mT Markの後エッジ(B-Edge)、mT Spaceの後エッジ(C-Edge)のそれぞれのＤ２Ｃデビエーションを測定する。このように測定したパルスエッジの移動量と各エッジのＤ２Ｃデビエーションの関係を調べたものが、図３６〜図３８のグラフである。

すなわち、図３６はＤＶＤ−Ｒを４倍速で記録したときの３Ｔマーク３Ｔスペースの組み合わせ、図３７は４Ｔマーク４Ｔスペースの組み合わせ、図３８は５Ｔマーク５Ｔスペースの組み合わせをそれぞれ示している。また、図３９は図３６〜図３８のグラフから、各近似直線の傾きを求め、１Ｔで割って規格化したグラフである。以上の結果より、隣接エッジ(A-Edge, C-Edge)への影響は、特に短い信号（３Ｔおよびせいぜい４Ｔ）を考えればよいことがわかる。

最適なライトストラテジは、前述した「数１」または「数３」に示した行列計算により求めることができるが、このとき隣接エッジからの影響を３Ｔ（および４Ｔ）に限定することで、係数部分の設定値を減らすことができる。すなわち、マークの両エッジの調整においては、「数１」のＲＬ４（ＲＬ５）からＲＬ１４およびＦＴ４（ＦＴ５)からＦＴ１４を「０」として計算できる。また、マーク−スペース組み合わせにおける調整においては、p(m,n)、q(m,n)の３Ｔ（４Ｔ）に関係しない係数をすべて「０」として計算できる。これは、この係数値を光ディスク装置に保存（例えばＲＯＭ６等）して使用する場合には、その保存メモリの容量を小さくすることにつながり、また実記録から係数を算出する場合にはその計算量を減らせるという効果がある。

以上、図面を参照して本発明の実施の形態について詳述してきたが、具体的な構成はこれらの実施形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。

本実施形態に係る光情報記録装置の構成図である。 第１の実施形態の処理フローである。 ３Ｔマークの記録パルス信号の立下りエッジを所定量変化させたときの３Ｔ記録マークに対する影響を示したものである。 ３Ｔマークの記録パルス信号の立下りエッジに対する変化量を増減した場合の３Ｔ記録マークに対する影響度を示したものである。 第１の実施形態に係る差分値と固有補正量との関係を示したものである。 ３Ｔマークと３Ｔスペースの組み合わせにおいて、３Ｔマークの記録パルス信号の立下りエッジを所定量変化させたときの影響を示したものである。 ３Ｔマークと３Ｔスペースの組み合わせにおいて、３Ｔマークの記録パルス信号の立下りエッジに対する変化量を増減した場合の影響度を示したものである。 第２の実施形態に係る差分値と固有補正量との関係を示したものである。 第２の実施形態の処理フローである。 本発明の効果を示す図である。 本発明の効果を示す図である。 基準ライトストラテジ（Ｄｅｆａｕｌｔ）を変えたときの「２エッジ法」、「３エッジ法」、「２エッジ法→３エッジ法」の効果を比較したグラフである。 マーク長、スペース長を単独で合わせる調整方法を示したものである。 mT Markの前後のＤ２Ｃデビエーションの値をＤＬｍ、ＤＴｍとした説明図である。 マーク、スペースの組み合わせ毎にストラテジの設定を行う場合のＤ２Ｃデビエーションを示した説明図である。 ＷＳ−１とＷＳ−４のライトストラテジのマーク、スペースのＤ２Ｃデビエーションを２次元マッピングしたときのＸ，Ｙの設定値を示したものである。 ＷＳ−１におけるＤ２Ｃデビエーションにおける２次元マップを示したものである。 ＷＳ−４におけるＤ２Ｃデビエーションにおける２次元マップを示したものである。 良好な記録がなされた場合の３ＴＭ−３ＴＳの分布を示した拡大図である。 記録品位が劣る場合の３ＴＭ−３ＴＳの分布を示した拡大図である。 マーク−スペースの組み合わせ毎の存在確率テーブルを示したものである。 ３ＴＳの次のマーク別分布を示したものである。 ライトストラテジの自動設定時に使用する固有変化量を光ディスク装置に記憶したときの動作を示すフロー図である。 通常の場合に対して熱干渉歪が発生する場合の様子を示した説明図である。 記録パルスの前、後エッジを動かしてマークエッジを測定したときの様子を示したものである。 様々な光ディスク、記録速度における３Ｔ，４Ｔ，５Ｔの固有変化量（前エッジ）を示したグラフである。 ＤＶＤ−Ｒの４倍速記録時の前エッジの固有変化量を示したグラフである。 ＤＶＤ−Ｒの４倍速記録時の後エッジの固有変化量を示したグラフである。 メディアメーカ別のＤＶＤ−Ｒにおいて、３Ｔ固有変化量を４倍速記録時で比較したときのグラフである。 メディアメーカ別のＤＶＤ−Ｒにおいて、３Ｔ、４Ｔ，５Ｔの固有変化量を４倍速記録時で比較したときのグラフである。 同じ種類のＣＤ−Ｒで記録速度を変えたときの固有変化量の比較を行ったときのグラフである。 同じ種類のＣＤ−Ｒで記録速度を変えたときの固有変化量の比較を行ったときのグラフである。 同一の光ディスクにおいて、異なるＲＦ信号補正値にて測定したときの固有変化量の違いをグラフにしたものである。 係数算出と係数固定とにおける、記録パワーを変えてストラテジの自動設定を行ったときのスペースジッタの変動を示したグラフである。 mT Mark−mT Spaceの組み合わせを示したものである。 ３Ｔマーク−３Ｔスペースの組み合わせの３Ｔマークの前エッジ、後エッジ、３Ｔスペースの後エッジのそれぞれのＤ２Ｃデビエーションを測定し、パルスエッジ移動量と各エッジのＤ２Ｃデビエーションの関係をグラフにしたものである。 ４Ｔマーク−４Ｔスペースの組み合わせの４Ｔマークの前エッジ、後エッジ、４Ｔスペースの後エッジのそれぞれのＤ２Ｃデビエーションを測定し、パルスエッジ移動量と各エッジのＤ２Ｃデビエーションの関係をグラフにしたものである。 ５Ｔマーク−５Ｔスペースの組み合わせの５Ｔマークの前エッジ、後エッジ、５Ｔスペースの後エッジのそれぞれのＤ２Ｃデビエーションを測定し、パルスエッジ移動量と各エッジのＤ２Ｃデビエーションの関係をグラフにしたものである。 図３６〜図３８のグラフから各近似直線の傾きを求め、１Ｔで割って規格化したグラフである。

符号の説明

１・・・光ディスク（光記録媒体）
２・・・光ピックアップ
３・・・ヘッドアンプ
４・・・データデコーダ（再生信号生成手段、クロック信号生成手段）
５・・・差分検出部（検出手段）
６・・・ＲＯＭ
７・・・ＲＡＭ
８・・・ライトストラテジ設定部（補正手段）
９・・・制御部（テスト記録手段）
１０・・・記録パルス列補正部
１１・・・コントローラ
１２・・・データエンコーダ
１３・・・レーザ駆動部

Claims (4)

1. 所定のライトストラテジに従って記録パルス光を生成し、生成した記録パルス光を光記録媒体に照射することにより当該光記録媒体上にマーク及びスペースの並びを形成して情報を記録する光情報記録装置であって、
   前記所定のライトストラテジに従って、前記光記録媒体に複数種のマークを含む情報をテスト記録させるテスト記録手段と、
   前記テスト記録手段により前記光記録媒体にテスト記録された情報を読み取り、前記マーク及びスペースに応じた２値の再生信号を生成する再生信号生成手段と、所定周波数のクロックを生成するクロック生成手段と、前記再生信号生成手段で生成された再生信号において値が切り替わる各マークのエッジ毎に、当該エッジのタイミングと前記クロック生成手段で生成された前記クロックとのずれを検出する検出手段と、前記検出手段により前記エッジ毎に検出された前記ずれが全て一致するように、前記所定のライトストラテジを前記マーク毎に補正する補正手段と、を備え、
   各マークの前記エッジ毎に、前記所定のライトストラテジに対して当該エッジのタイミングのみを所定量変化させるライトストラテジを設定し、当該設定したライトストラテジに従って記録された情報を読み取って得られた再生信号におけるエッジと、前記所定のライトストラテジに従って記録された情報を読み取って得られた再生信号における対応するエッジとのタイミングの変化量が、当該エッジの固有変化量として予め記憶された記憶手段を備え、
   前記補正手段が、前記ずれと、前記記憶手段に記憶されている固有変化量との和が、全てのマークのエッジで一致するよう、前記所定のライトストラテジの補正量を定め、
   前記記憶手段に記憶されている固有変化量は、前記光記録媒体の種類、記録速度、ＲＦ信号補正の設定に応じた値を設定することを特徴とする光情報記録装置。
2. 前記テスト記録手段が、
   各マークの前記エッジ毎に、前記所定のライトストラテジに対して当該エッジのタイミングのみを所定量変化させるライトストラテジを設定し、当該設定したライトストラテジに従ったテスト記録をさらに実行し、
   前記補正手段が、
   各マークの前記エッジ毎に、前記テスト記録手段により当該エッジのタイミングを所定量変化させるライトストラテジに従ってテスト記録された情報を読み取って得られた再生信号におけるエッジと、前記所定のライトストラテジに従って記録された情報を読み取って得られた再生信号における対応するエッジとのタイミングの変化量を当該エッジの固有変化量として求め、
   該求めた固有変化量に基づいて、前記所定のライトストラテジの補正量を定め、
   各前記エッジの固有変化量が、前記ライトストラテジの設定でタイミングを前記所定量ずらした当該エッジ、及び当該エッジとマークを挟んで隣接するエッジの各々のタイミングの変化量を含み、
   前記所定量ずらしたエッジとマークを挟んで隣接するエッジの各々のタイミングの変化量を含む場合は、高速記録時や３Ｔ、４Ｔに代表される短い信号のときであることを特徴とする請求項１に記載の光情報記録装置。
3. 各前記エッジの固有変化量が、当該エッジを挟むマークとスペースとの組み合わせ毎に定められ、前記ライトストラテジの設定でタイミングを前記所定量ずらした当該エッジ、当該エッジとマークを挟んで隣接するエッジ、及び当該エッジとスペースを挟んで隣接するエッジの各々のタイミングの変化量を含み、
   前記所定量ずらしたエッジとマークを挟んで隣接するエッジ、及び当該エッジとスペースを挟んで隣接するエッジの各々のタイミングの変化量を含む場合は、高速記録時や３Ｔ、４Ｔに代表される短い信号のときであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の光情報記録装置。
4. 前記所定のライトストラテジによりテスト記録された情報を前記再生信号生成手段で生成し、この再生信号の記録品位を測定し、前記測定された記録品位が良好な場合には請求項３に記載の固有変化量に基づいて前記所定のライトストラテジの補正量を定め、
   ＳＡ前記記録品位が低い場合には請求項２に記載の固有変化量に基づいて前記所定のライトストラテジの補正量を定めることを特徴とする請求項１に記載の光情報記録装置。

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