KR100752667B1

KR100752667B1 - 광 정보 기록 장치 및 광 정보 기록 방법

Info

Publication number: KR100752667B1
Application number: KR1020060063531A
Authority: KR
Inventors: 유키히사 나카조
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2005-07-06
Filing date: 2006-07-06
Publication date: 2007-08-29
Also published as: KR20070005525A

Abstract

광 정보 기록 방법 및 광 정보 기록 장치가 개시된다. 본 발명에 따른 광 정보 기록 방법은 쓰기 전략(write strategy)에 따라서 기록 펄스를 생성하고, 생성한 기록 펄스를 광 기록 매체에 조사함으로써 상기 광 기록 매체 상에 마크 및 스페이스의 열을 형성하여 정보를 기록하는 광 정보 기록 방법이다. 본 발명에 따른 광 정보 기록 방법은 상기 마크들 또는 스페이스들의 에지마다, 기준 쓰기 전략에 대하여 상기 에지의 타이밍을 소정량 변화시킨 변동 쓰기 전략에 따라 기록된 정보를 읽어내어 얻어진 재생 신호의 에지와, 상기 기준 쓰기 전략에 따라서 기록된 정보를 읽어내어 얻어진 재생 신호의 대응하는 에지 사이의 타이밍 변화량을 상기 에지의 고유 변화량으로서 저장하는 단계; 상기 기준 쓰기 전략에 따라서 기록된 정보를 읽어내어 얻어진 재생 신호의 마크들 또는 스페이스들의 에지마다, 상기 에지의 타이밍과 클록과의 편차를 검출하는 단계; 및 상기 저장된 고유 변화량를 기초로 하여, 상기 에지마다 검출된 상기 편차가 모두 일치하도록 상기 기준 쓰기 전략의 보정량을 결정하는 단계를 구비한다.

Description

광 정보 기록 장치 및 광 정보 기록 방법{Opticla information recording apparatus, and the same method}

본 발명의 상세한 설명에서 인용되는 도면을 보다 충분히 이해하기 위하여 각 도면의 간단한 설명이 제공된다.

도 1은 본 실시형태에 따른 광 정보 기록 장치의 구성도이다.

도 2는 제1 실시형태의 처리 흐름이다.

도 3은 3T 마크의 기록 펄스 신호의 하강 에지를 소정량 변화시켰을 때의 3T 기록 마크에 대한 영향을 나타낸 것이다.

도 4는 3T 마크의 기록 펄스 신호의 하강 에지에 대한 변화량을 증감시킨 경우의 3T 기록 마크에 대한 영향도를 나타낸 것이다.

도 5는 제1 실시형태에 따른 차이분값과 고유 보정량과의 관계를 나타낸 것이다.

도 6은 3T 마크와 3T 스페이스의 조합에 있어서, 3T 마크의 기록 펄스 신호의 하강 에지를 소정량 변화시켰을 때의 영향을 나타낸 것이다.

도 7은 3T 마크와 3T 스페이스의 조합에 있어서, 3T 마크의 기록 펄스 신호의 하강 에지에 대한 변화량을 증감시킨 경우의 영향도를 나타낸 것이다.

도 8a 및 도 8b는 제2 실시형태에 따른 차이분값과 고유 보정량과의 관계를 나타낸 것이다.

도 9는 제2 실시형태의 처리 흐름이다.

도 10은 본 발명의 효과를 나타내는 도면이다.

도 11은 본 발명의 효과를 나타내는 도면이다.

도 12는 기준 쓰기 전략(Default)을 바꿨을 때의 「2에지법」, 「3에지법」, 「2에지법→3에지법」의 효과를 비교한 그래프이다.

도 13은 마크 길이, 스페이스 길이를 단독으로 맞추는 조정 방법을 나타낸 것이다.

도 14는 mT Mark의 전후의 D2C 데비에이션의 값을 DLm, DTm으로 한 설명도이다.

도 15는 마크, 스페이스의 조합마다 전략 설정을 행하는 경우의 D2C 데비에이션을 나타낸 설명도이다.

도 16은 WS-1과 WS-4의 쓰기 전략의 마크, 스페이스의 D2C 데비에이션을 2차원 맵핑했을 때의 X, Y의 설정값을 나타낸 것이다.

도 17은 WS-1에서의 D2C 데비에이션에서의 2차원 맵을 나타낸 것이다.

도 18은 WS-4에서의 D2C 데비에이션에서의 2차원 맵을 나타낸 것이다.

도 19는 양호한 기록이 이루어진 경우의 3TM-3TS의 분포를 나타낸 확대도이다.

도 20은 기록 품질이 떨어지는 경우의 3TM-3TS의 분포를 나타낸 확대도이다.

도 21은 마크-스페이스의 조합마다의 존재 확률 테이블을 나타낸 것이다.

도 22는 3TS의 다음 마크별 분포를 나타낸 것이다.

도 23은 쓰기 전략의 자동 설정시에 사용하는 고유 변화량을 광 디스크 장치에 기억했을 때의 동작을 나타내는 흐름도이다.

도 24는 통상의 경우에 대해서 열 간섭 변형이 발생하는 경우의 상태를 나타낸 설명도이다.

도 25는 기록 펄스의 전, 후방 에지를 움직여 마크 에지를 측정했을 때의 상태를 나타낸 것이다.

도 26은 다양한 광 디스크, 기록 속도에서의 3T, 4T, 5T의 고유 변화량(전방 에지)을 나타낸 그래프이다.

도 27은 DVD-R의 4배속 기록시의 전방 에지의 고유 변화량을 나타낸 그래프이다.

도 28은 DVD-R의 4배속 기록시의 후방 에지의 고유 변화량을 나타낸 그래프이다.

도 29는 미디어 마커별 DVD-R에 있어서, 3T 고유 변화량을 4배속 기록시에 비교했을 때의 그래프이다.

도 30은 미디어 마커별 DVD-R에 있어서, 3T, 4T, 5T의 고유 변화량을 4배속 기록시에 비교했을 때의 그래프이다.

도 31은 같은 종류의 CD-R에 기록 속도를 바꾼 경우의 고유 변화량을 비교했을 때의 그래프이다.

도 32는 같은 종류의 CD-R에 기록 속도를 바꾼 경우의 고유 변화량을 비교했 을 때의 그래프이다.

도 33은 동일한 광 디스크에 있어서, 다른 RF 신호 보정값으로 측정했을 때의 고유 변화량의 차이를 그래프로 나타낸 것이다.

도 34는 계수 산출과 계수 고정에서의, 기록 파워를 바꾸어 전략의 자동 설정을 행했을 때의 스페이스 지터의 변동을 나타낸 그래프이다.

도 35는mT Mark-mT Space의 조합을 나타낸 것이다.

도 36은 3T 마크-3T 스페이스의 조합의 3T 마크의 전방 에지, 후방 에지, 3T 스페이스의 후방 에지의 각각의 D2C 데비에이션을 측정하고, 펄스 에지 이동량과 각 에지의 D2C 데비에이션의 관계를 그래프로 나타낸 것이다.

도 37은 4T 마크-4T 스페이스의 조합의 4T 마크의 전방 에지, 후방 에지, 4T 스페이스의 후방 에지의 각각의 D2C 데비에이션을 측정하고, 펄스 에지 이동량과 각 에지의 D2C 데비에이션의 관계를 그래프로 나타낸 것이다.

도 38은 5T 마크-5T 스페이스의 조합의 5T 마크의 전방 에지, 후방 에지, 5T 스페이스의 후방 에지의 각각의 D2C 데비에이션을 측정하고, 펄스 에지 이동량과 각 에지의 D2C 데비에이션의 관계를 그래프로 나타낸 것이다.

도 39는 도 36 도 38의 그래프로부터 각 근사 직선의 기울기를 구하고, 1T로 나누어 규격화한 그래프이다.

본 발명은 광 기록 매체에 정보를 기록하기 위한 적합한 쓰기 전략을 설정하는 광 정보 기록 장치 및 광 정보 기록 방법에 관한 것이다.

본 발명이 이루고자하는 기술적 과제는, 에지의 고유 변화량을 저장한 다음, 저장된 고유 변화량을 이용하여, 에지마다 검출된 상기 편차가 모두 일치하도록 쓰기 전략의 보정량을 결정하는 광 정보 기록 방법을 제공하는 데 있다.

본 발명이 이루고자하는 다른 기술적 과제는, 에지의 고유 변화량을 저장한 다음, 저장된 고유 변화량을 이용하여, 에지마다 검출된 상기 편차가 모두 일치하도록 쓰기 전략의 보정량을 결정하는 광 정보 기록 장치를 제공하는 데 있다.

본 발명에 따른 광 정보 기록 방법은 쓰기 전략(write strategy)에 따라서 기록 펄스를 생성하고, 생성한 기록 펄스를 광 기록 매체에 조사함으로써 상기 광 기록 매체 상에 마크 및 스페이스의 열을 형성하여 정보를 기록하는 광 정보 기록 방법이다. 본 발명에 따른 광 정보 기록 방법은 상기 마크들 또는 스페이스들의 에지마다, 기준 쓰기 전략에 대하여 상기 에지의 타이밍을 소정량 변화시킨 변동 쓰기 전략에 따라 기록된 정보를 읽어내어 얻어진 재생 신호의 에지와, 상기 기준 쓰기 전략에 따라서 기록된 정보를 읽어내어 얻어진 재생 신호의 대응하는 에지 사이의 타이밍 변화량을 상기 에지의 고유 변화량으로서 저장하는 단계; 상기 기준 쓰기 전략에 따라서 기록된 정보를 읽어내어 얻어진 재생 신호의 마크들 또는 스페이스들의 에지마다, 상기 에지의 타이밍과 클록과의 편차를 검출하는 단계; 및 상기 저장된 고유 변화량를 기초로 하여, 상기 에지마다 검출된 상기 편차가 모두 일치하도록 상기 기준 쓰기 전략의 보정량을 결정하는 단계를 구비한다.

본 발명에 따른 광 정보 기록 장치는 쓰기 전략(write strategy)에 따라서 기록 펄스를 생성하고, 생성한 기록 펄스를 광 기록 매체에 조사함으로써 상기 광 기록 매체 상에 마크 및 스페이스의 열을 형성하여 정보를 기록하는 광 정보 기록 장치이다. 본 발명에 따른 광 정보 기록 장치는 저장 수단, 검출 수단 및 보정 수단을 구비한다. 저장 수단은 상기 마크들 또는 스페이스들의 에지마다, 기준 쓰기 전략에 대하여 상기 에지의 타이밍을 소정량 변화시킨 변동 쓰기 전략에 따라 기록된 정보를 읽어내어 얻어진 재생 신호의 에지와, 상기 기준 쓰기 전략에 따라서 기록된 정보를 읽어내어 얻어진 재생 신호의 대응하는 에지 사이의 타이밍 변화량을 상기 에지의 고유 변화량으로서 저장한다. 검출 수단은 상기 기준 쓰기 전략에 따라서 기록된 정보를 읽어내어 얻어진 재생 신호의 마크들 또는 스페이스들의 에지마다, 상기 에지의 타이밍과 클록과의 편차를 검출한다. 보정 수단은 상기 저장된 고유 변화량를 기초로 하여, 상기 에지마다 검출된 상기 편차가 모두 일치하도록 상기 기준 쓰기 전략의 보정량을 결정하는 보정 수단을 구비한다.

본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부 도면 및 도면에 기재된 내용을 참조하여야 한다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.

<제1 실시형태>

광 기록 매체에 정보를 기록하기 위해서 사용되는 쓰기 전략의 품질은, 일반적으로 재생 지터에 의해 평가된다. 이 재생 지터를 최적화하는 방법으로는, 광 기록 매체에 기록되는 각각의 마크 및 스페이스의 기록 길이가 이론 길이와 일치하도록 쓰기 전략을 조정하는 방법을 생각할 수 있다. 구체적으로는, 광 기록 매체의 기준 쓰기 전략에 따라서 마크 및 스페이스를 기록하고, 이것을 재생하여 각각의 마크 및 스페이스의 기록 길이를 구함과 동시에, 이러한 기록 길이가 이론 길이와 일치하도록 기준 쓰기 전략을 구성하는 각각의 기록 펄스 폭을 조정한다.

그런데, 도 3에 도시한 바와 같이, 예를 들면 3T 마크에 대응하는 기록 펄스의 하강 에지의 양을 어느 정도 변화시킨 경우, 이 변화에 따른 영향은 기록된 3T 마크의 대응 에지(도 3의 B 에지)뿐만 아니라, 이 에지와 대향하는 에지(도 3의 A 에지)에도 나타난다. 도 4는 도 3에서의 3T 마크에 대응하는 기록 펄스의 하강 에지에 부가하는 변화량을 증감시킨 경우의 도 3에서의 A에지 및 B에지의 변화 상태를 나타내는 도면이다. 도 4를 참조하면, A에지 및 B에지의 변화는 3T 마크에 대응하는 기록 펄스의 하강 에지에 부가하는 변화량의 증감에 비례하고, 대략 선형성을 가지며 변화된다.

그러므로, 예를 들면 3T 마크에 대응하는 기록 펄스 폭을 조정하여, 3T 마크의 기록 길이를 3T 마크의 이론 길이에 맞추더라도, 3T 마크에 대응하는 기록 펄스 폭을 조정한 영향은, 상술한 바와 같이 3T 마크의 두 에지에 발생한다. 그러므로, 3T 마크에 대응하는 기록 펄스 폭을 조정한 영향이 3T 마크에 인접하는 스페이스 등에 영향을 미치고, 결과적으로 전체 재생 지터가 개선되지 않는 상태가 발생하게 된다. 따라서, 정밀도가 높은 쓰기 전략을 설정하기 위해서는, 변화시킬 기록 펄스의 에지부에 대응하는 기록 마크 에지뿐만 아니라, 이에 대향하는 에지에 미치는 영향도 고려할 필요가 있다.

그래서, 본 실시형태에서는 재생 신호로부터 추출되는 클록 신호를 사용하여, 기록된 마크에 대응하는 재생 펄스 신호와 클록 신호와의 편차량을 검출하고, 실제로 기록된 마크의 두 에지가 본래 있어야 할 마크의 두 에지로부터 얼마만큼 어긋나 있는지를 구한다. 그리고, 이 편차량을 기준 쓰기 전략에 있어서, 예를 들면 3T 마크의 상승 에지 혹은 하강 에지 중 하나만을 각각 소정량 변화시켰을 때 형성되는 마크의 두 에지가 본래 있어야 할 3T 마크의 두 에지로부터 얼마만큼 어긋나 있는지와 같은 마크 고유의 변화량을 사용하여, 모든 마크 및 스페이스에 대해서 그 편차량이 일정값이 되도록 한다. 더 구체적으로는 모든 마크 및 스페이스 에지의 타이밍이 클록에 대해서 동일한 만큼 어긋난 상태가 되도록 전체를 이동시켜 조정함으로써 쓰기 전략의 보정을 실행하고, 적합한 쓰기 전략을 설정하는 것을 특징으로 하고 있다.

이하, 도1, 도 2, 도 5를 이용하여 본 실시형태에 따른 광 정보 기록 장치에 대해서 상세하게 설명하기로 한다. 본 실시형태에 따른 광 정보 기록 장치는, 도 1에 도시한 바와 같이 광 디스크(광 기록 매체)(1)와, 광 픽업(2)과, 헤드 앰프(3)와, 데이터 디코더(재생 신호 생성 수단, 클록 신호 생성 수단)(4)와, 차이분 검출 부(검출 수단)(5)와, ROM(6)과, RAM(7)과, 쓰기 전략 설정부(보정 수단)(8)와, 제어부(테스트 기록 수단)(9)와, 기록 펄스 열 보정부(10)와, 컨트롤러(11)와, 데이터 인코더(12)와, 레이저 구동부(13)로 구성되어 있다.

광 디스크(1)는 레이저 다이오드에 의해 정보의 기록, 재생을 행할 수 있는 광 기록 매체이며, 예를 들면 DVD R 등이다. 광 픽업(2)은 도시하지 않은 레이저 다이오드 등의 레이저 광원이나, 콜리메이터 렌즈, 포커스 액추에이터 혹은 트래킹 액추에이터에 의해 구동되는 대물 렌즈, 편광 빔 스플리터, 실린더(cyliderical) 렌즈 등의 광학 부품, 및 A, B, C, D의 4개의 영역으로 분할되고, 광을 전기 신호로 변환하는 4분할 혹은 2분할의 포토 디텍터(PD) 혹은 기록 재생시의 레이저 출력을 모니터하는 프론트 모니터 다이오드 등을 구비하고 있다.

헤드 앰프(3)는 광 디스크(1)로부터의 반사광을 검출하고, 검출한 반사광으로부터 반사광량을 연산하고, 4분할 PD의 각 영역으로의 반사광량의 총합계를 나타내는 RF 신호를 생성함과 동시에, 광 픽업(2)의 조사 레이저의 초점 어긋남을 검출하는 신호인 포커스 에러 신호(FE)를 비점수차법에 의해 생성하고, 또 광 픽업(2)의 조사 레이저의 트랙 어긋남을 검출하는 신호인 트래킹 에러 신호(TE)를 푸시 풀(Push Pull)법에 의해 생성한다.

데이터 디코더(4)는 헤드 앰프(3)에서 생성된 RF 신호로부터 2값화 신호를 생성하고, 또한 이것을 원하는 형식의 신호로 변환하여 컨트롤러(11)로 출력한다. 또 생성한 2값화 신호로부터 클록 신호의 추출을 행한다.

차이분 검출부(5)는 데이터 디코더(4)로부터 2값화 신호와 클록 신호를 입력 하고, 각 마크마다 클록 신호에 따라 정해지는 각 마크의 이론 펄스 신호 에지와 2값화 신호 중 상기 마크에 대응하는 재생 펄스 신호의 상승 에지와의 차이분값, 및 이론 펄스 신호의 에지와 재생 펄스 신호의 하강 에지와의 차이분값을 검출한다. 이 차이분값이 「클록 신호와의 편차량」에 대응된다.

ROM(6)은 재기록이 불가능한 기억 장치이고, 광 정보 기록 장치 전체를 제어하기 위한 제어 프로그램이나 기준 쓰기 전략 등이 기억되어 있다. 또 본 실시형태에서는 차이분 검출부(5)에 의해 검출된 각 마크의 차이분값을 모두 일정값으로 하기 위해 사용되는 각 마크마다의 고유 변화량(상세한 것은 후술하기로 함) 등도 저장되어 있다. RAM(7)은 재기록 가능한 기억 장치이고, 차이분 검출부(5)에서 검출된 각 마크마다의 차이분값이나, 쓰기 전략 설정부(8)에서 설정된 쓰기 전략 등이 일시적으로 기억된다.

쓰기 전략 설정부(8)는 차이분 검출부(5)에 의해 검출된 각 마크의 차이분값을 ROM(6)에 저장된 각 마크마다의 보정값을 사용하여, 그 모두가 일정값이 되는 연산을 행하고 적합한 쓰기 전략을 설정한다. 또 쓰기 전략 설정부(8)는 기준 쓰기 전략에서의 에지의 편차를 산출하는 기능이나, 상기 에지 및 인접 에지의 영향을 산출하는 기능도 구비하고 있다. 제어부(9)는 광 정보 기록 장치 전체를 ROM(6) 내에 저장한 제어 프로그램에 따라서 제어한다.

기록 펄스 열 보정부(10)는 제어부(9)로부터 쓰기 전략 혹은 파라미터를 입력하고, 이를 바탕으로 기록 펄스 열을 형성하며, 레이저 구동부(13)로 출력한다. 컨트롤러(11)는 기록 신호를 데이터 인코더(12)에 공급하고, 또 데이터 디코더(4) 로부터 기록 신호를 독출하는 장치이며, 데이터 인코더(12)는 컨트롤러(11)로부터의 기록 신호를 EFM 신호 등으로 변환하여 기록 펄스 열 보정부(10)로 출력한다. 레이저 구동부(13)는 입력한 기록 펄스에 따른 레이저 다이오드 구동용 펄스 신호를 생성하고, 이것을 광 픽업(2) 내의 도시하지 않은 반도체 레이저로 공급한다.

다음으로, 도 2를 이용하여 본 실시형태에서의 처리 흐름을 설명하기로 한다.

먼저, 제어부(9)는 ROM(6)으로부터 기준의 쓰기 전략에 관한 파라미터를 독출하여, 기록 펄스 열 보정부(10)에 이들 파라미터를 세팅한다. 기록 펄스 열 보정부(10)는 세팅된 파라미터를 바탕으로 기준 쓰기 전략을 생성하여, 레이저 구동부(13)로 출력한다. 레이저 구동부(13)는 수신한 기준 쓰기 전략에 대응하는 기록 펄스에 따른 레이저 다이오드 구동용 펄스 신호를 생성하고, 이것을 광 픽업(2) 내의 반도체 레이저(미도시)로 공급한다. 그럼으로써, 광 디스크(1) 내의 시험 기록 영역에 마크 및 스페이스의 기록을 수행한다(S 101).

마크 및 스페이스의 기록이 종료되면, 제어부(9)는 광 픽업(2)을 시험 기록 영역 내의 기록 트랙으로 이동하여 정보 재생을 행한다. 광 픽업(2)에 의해 읽혀진 신호는 헤드 앰프(3)를 통해서 데이터 디코더(4)로 입력되고, 2값화 신호가 생성된다. 데이터 디코더(4)는 상기 2값화 신호로부터 클록 신호의 추출을 행한다. 데이터 디코더(4)에서 생성된 2값화 신호 및 클록 신호는 차이분 검출부(5)에 입력되고, 3T, 4T, 5T 등의 각 마크에 대응되는 재생 펄스 신호와 클록 신호에 의해 정해지는 각 마크의 이론 길이에 대응되는 이론 펄스 신호와의 차이분값이 각각의 펄스 신호의 두 에지 사이의 차이분값으로 검출되고, 그 값이 RAM(7)에 저장된다(S 102).

다음에, 쓰기 전략 설정부(8)는 RAM(7)으로부터 차이분 검출부(5)가 검출한 차이분값(예를 들면, 도 5 중의 DL3, DT3, DL4, DT4)을 독출한다. 또 ROM(6)으로부터 도 5에 도시한 바와 같이, 예를 들면 3T 마크의 기록 펄스의 상승 에지를 제어 가능한 최소 분해능만큼 변화시켰을 때의 재생 펄스 신호의 두 에지에서의 변화량(도 5 중의 FL3, FT3. 4T 마크에 대해서는 FL4, FT4이고, 이하, 다른 마크에 대해서도 동일함), 3T 마크의 기록 펄스의 하강 에지를 제어 가능한 최소 분해능만큼 변화시켰을 때의 재생 펄스 신호의 두 에지에서의 변화량(도 5 중의RL3, RT3. 4T 마크에 대해서는 RL4, RT4이고, 이하, 다른 마크에 대해서도 동일함)인 각 마크의 고유 변화량을 독출한다.

그리고, 이들 값을 바탕으로 각 마크에 대응하는 재생 펄스 신호와 클록 신호에 의해 정해지는 각 마크의 이론 길이에 해당하는 이론 펄스 신호의 두 에지 사이의 차이분값이 모두 동일한 값(k)이 되도록 이하에 나타내는 연립 방정식을 풀어서 n1, n2, n3… 의 값을 구한다(S 103).

DL3-(FL3*n1+RL3*n2)=k

DT3-(FT3*n1+RT3*n2)=k

DL4-(FL4*n3+RL4*n4)=k

DT4-(FT4*n3+RT4*n4)=k

…

또 인접 마크로부터의 열 간섭의 영향이 적은 경우에는, 변화를 준 에지의 효과만으로서, 이하의 연립 방정식을 풀어서 n1, n2, n3…의 값을 구할 수도 있다.

DL3-FL3*n1=k

DT3-RT3*n2=k

DL4-FL4*n3=k

DT4-RT4*n4=k

…

상기 식에 의해, n1, n2, n3… 의 값이 구해지면, 이것이 기준 쓰기 전략에 대해서 각 마크에 대응하는 기록 펄스의 상승 에지, 하강 에지의 조정량이 된다. 이렇게 결정한 쓰기 전략은 RAM(7)에 저장되고, 마크 및 스페이스의 기록 동작이 저장된 쓰기 전략을 사용하여 실행된다(S 104).

또한, 본 실시형태에서는 마크마다 그 마크의 기록 펄스의 상승 에지만 최소 분해능만큼 변화시켰을 때의 재생 펄스 신호의 두 에지에서의 변화량 혹은 하강 에지만 최소 분해능만큼 변화시켰을 때의 재생 펄스 신호의 두 에지에서의 변화량을 구하는 경우에 대해서 설명했으나, 이 값들은, 사용하는 광 기록 매체에 상기한 바와 같은 마크 등을 실제로 기록함으로써, 기록한 마크의 재생 펄스 신호로부터 구하도록 할 수도 있다.

상기한 바와 같이, 본 실시형태에서는 특정 마크의 기록 펄스 신호 에지를 변화시켰을 때, 각 마크에 대응하는 재생 펄스 신호와 클록 신호의 두 에지 사이에 발생하는 차이분값을 구하고, 각 마크마다의 고유 변화량을 사용하여 모든 마크에 대해서 이 차이분값이 일정값이 되는 연산식을 세우고, 이 연산식을 풀어서 쓰기 전략을 설정하므로 정밀도가 높은 쓰기 전략을 단시간에 설정할 수 있다.

<제2 실시형태>

제1 실시형태에서는 특정 마크에 착안하여, 특정 마크에 대응하는 기록 펄스 신호의 상승 에지 혹은 하강 에지를 소정량 변화시키면, 그 영향이 재생 펄스 신호의 상승 에지 및 하강 에지에 나타나는 것을 기술했다. 그러나, 실제로는 도 6에 도시한 바와 같이, 특정 마크에 대응하는 기록 펄스 신호의 상승 에지 혹은 하강 에지를 소정량 변화시키면, 그 영향은 재생 펄스 신호의 상승 에지 및 하강 에지뿐만 아니라, 스페이스를 사이에 둔 인접하는 마크에도 미친다.

도 6은, 3T 마크와 3T 스페이스의 조합에 있어서 3T 마크에 대응하는 기록 펄스 신호의 하강 에지를 소정량 변화시켰을 때, 기록되는 마크로의 영향을 나타낸 것이다. 도 6을 참조하면, 그 영향은 에지를 변화시킨 기록 펄스 신호에 대응하는 마크의 두 에지(A에지, B에지)뿐만 아니라, 스페이스를 사이에 두고 인접하는 마크의 에지(C에지)에도 미치는 것을 알 수 있다.

도 7은, 도 6에서의 3T 마크에 대응하는 기록 펄스 신호의 하강 에지의 변화량을 증감시켰을 때의 A에지, B에지 및 C에지의 변화 상태를 나타낸다. 도 7을 참조하면, A에지, B에지 및 C에지의 변화 정도는 3T 마크에 대응하는 기록 펄스 신호의 하강 에지의 변화량의 증감에 비례하며, 대략 선형성을 가지고 있음을 알 수 있다.

이로써, 더 엄밀하게 정밀도가 높은 쓰기 전략을 설정하고자 하면, 조정 대 상을 특정 마크가 아닌 특정 마크와 스페이스의 조합으로서 받아들일 필요가 있다. 그래서, 본 실시형태에서는 쓰기 전략의 설정을 위한 조정 대상을 특정 마크와 스페이스의 조합으로 한 것에 특징을 갖는다.

이하, 도 8a, 도 8b 및 도 9를 이용하여 본 실시형태에 따른 광 정보 기록 장치에 대해서 상세하게 설명하기로 한다.

본 실시형태에 따른 광 정보 기록 장치의 기본적인 구성은, 도 1에 나타나는 제1 실시형태에 따른 광 정보 기록 장치의 구성과 유사하다. 그러나, 쓰기 전략 설정을 위한 조정 대상을 특정 마크와 스페이스의 조합으로 하기 때문에, 차이분 검출부(5)는 특정 마크와 스페이스 및 스페이스와 마크의 조합마다 그 차이분값을 검출한다. 또 ROM(6)에는 차이분 검출부(5)에 의해 검출된 특정 마크와 스페이스의 조합에 대한 차이분값을 모두 일정값으로 하기 위해서 사용되는 보정값 등이 저장되고, RAM(7)에는 차이분 검출부(5)에서 검출된 특정 마크와 스페이스의 조합마다의 차이분값이나 쓰기 전략 설정부(8)에서 설정된 쓰기 전략 등이 일시적으로 기억된다.

다음으로, 도 9를 이용하여 본 실시형태에서의 처리 흐름을 설명하기로 한다.

먼저, 제어부(9)는 ROM(6)으로부터 기준의 쓰기 전략에 관한 파라미터를 독출하고, 기록 펄스 열 보정부(10)에 이들 파라미터를 세팅한다. 기록 펄스 열 보정부(10)는 세팅된 파라미터를 바탕으로 기준 쓰기 전략을 생성하여 레이저 구동부(13)로 출력한다. 레이저 구동부(13)는 수신한 기준 쓰기 전략에 대응하는 기록 펄스에 따른 레이저 다이오드 구동용 펄스 신호를 생성하여, 이것을 광 픽업(2) 내의 반도체 레이저(미도시)에 공급한다. 그럼으로써, 광 디스크(1) 내의 시험 기록 영역에 마크 및 스페이스의 기록을 수행한다(S 201).

마크 및 스페이스의 기록이 종료되면, 제어부(9)는 광 픽업(2)을 시험 기록 영역 내의 기록 트랙으로 이동하여 정보의 재생을 행한다. 광 픽업(2)에 의해 읽혀진 신호는 헤드 앰프(3)를 통해서 데이터 디코더(4)에 입력되고, 2값화 신호가 생성된다. 데이터 디코더(4)는 재생 신호로부터 클록 신호를 추출한다. 데이터 디코더(4)에서 생성된 2값화 신호 및 클록 신호는 차이분 검출부(5)에 입력되고, 특정 마크와 스페이스의 조합에서 3T, 4T, 5T 등의 각 마크에 대응되는 재생 펄스 신호와 클록 신호에 의해 정해지는 각 마크의 이론 길이에 대응되는 이론 펄스 신호와의 차이분값이 각각의 펄스 신호의 두 에지 사이의 차이분값으로서 검출되고, 그 값이RAM(7)에 저장된다(S 202).

다음에, 쓰기 전략 설정부(8)는 RAM(7)으로부터 차이분 검출부(5)가 검출한 차이분값(예를 들면, 도 8a 및 도 8b 중의 DT(m, n), DL(m, n))을 독출한다. 또 ROM(6)으로부터 도 8a 및 도 8b에 도시한 바와 같이, 예를 들면, mT 마크와 nT 스페이스의 조합에서의 mT 마크의 기록 펄스 신호의 하강 에지를 최소 분해능만큼 변화시켰을 때의 변화량(도 8a 및 도 8b 중의 Ra(m, n), Rb(m, n), Rc(m, n)), mT 스페이스와 nT 마크의 조합에서의 mT 스페이스 후의 기록 펄스 신호의 상승 에지를 최소 분해능만큼 변화시켰을 때의 재생 펄스 신호의 두 에지에서의 변화량(도 8a 및 도 8b 중의 Fa(m, n), Fb(m, n), Fc(m, n))인 고유 변화량을 독출한다.

그리고, 이들 값을 바탕으로, 단계 202에서 구한 차이분값이 모두 동일한 값(k)이 되도록, 제1 실시형태와 마찬가지로 연립 방정식을 세우고, 이것을 풀어서 n1, n2, n3… 의 값을 구한다(S 203). 또 인접 마크부터의 열 간섭의 영향이 적은 경우에는, 변화를 준 에지의 효과만으로서, Rb(m, n), Fb(m, n)만을 사용하여, 클록 에지와 마크, 스페이스 에지의 차이분값이 동일한 값(k)이 되도록 n1, n2, n3…를 구할 수도 있다.

n1, n2, n3…의 값이 구해지면, 이것이 기준 쓰기 전략에 대해서 각 마크에 대응하는 기록 펄스의 상승 에지 및 하강 에지의 조정량이 된다. 이 결정한 쓰기 전략은 RAM(7)에 저장되고, 마크 및 스페이스의 기록 동작이 이 저장된 쓰기 전략을 사용하여 실행된다(S 204).

또한, 본 실시형태에서는 특정 마크와 스페이스의 조합에 대해서, 마크의 기록 펄스 신호의 상승 에지만을 최소 분해능만큼 변화시켰을 때의 변화량 혹은 하강 에지만을 최소 분해능만큼 변화시켰을 때의 변화량을 구하는 경우에 대해서 설명했으나, 이들 값은 사용하는 광 기록 매체에 상기 마크 등을 실제로 기록함으로써, 기록한 마크 등의 재생 펄스 신호로부터 구하도록 할 수도 있다.

상기한 바와 같이, 본 실시형태에서는 조정 대상을 특정 마크와 스페이스의 조합으로 했기 때문에, 정밀도가 더욱 높은 쓰기 전략을 단시간에 설정할 수 있다.

도 10 및 도 11은 본 발명의 효과를 나타내는 것이며, 도 10은 각종 CD-R 미디어, 기록 속도에 있어서 쓰기 전략의 설정 방법에 의한 마크의 지터값을 나타내고 있으며, 도 11은 스페이스의 지터값을 나타내고 있다. 또한, 도 10 및 도 11에 서 「Default」, 「1에지법」, 「2에지법」, 「3에지법은, 쓰기 전략의 종류를 나타낸다.「Default」의 쓰기 전략이란, 예를 들면, (n―k)T와 같은 형태의 쓰기 전략이며, 특정 마크, 스페이스 혹은 마크와 스페이스의 조합에 대한 보정을 일체 행하지 않는 쓰기 전략이다. 또한, 「1에지법」의 쓰기 전략이란, 마크에 대응하는 기록 펄스의 상승 에지 및 하강 에지를 조정할 수 있고, 특정 기록 펄스에서의 에지를 조정할 때, 대응되는 에지에만 그 변화의 영향을 고려한 쓰기 전략의 설정 방법에 의한 쓰기 전략이다. 「2에지법」의 쓰기 전략이란, 제1 실시형태에 대응하는 쓰기 전략이고, 「3에지법」의 쓰기 전략이란, 제2 실시형태에 대응하는 쓰기 전략이다.

도 10 및 도 11로부터 「1에지법」, 「2에지법」이나「3에지법」은 모두 「Default」에 비해 지터값이 낮아져 있다. 특히, 기록 속도가 빨라지면 그 경향은 뚜렷해진다. 또 「3에지법」은 종합적으로 보더라도 다른 방법에 비해 매우 양호한 결과를 나타내고 있다.

그런데, 본 출원인은 본원의 출원 후에 여러 가지 테스트를 행한 결과, 기준 쓰기 전략을 바꾼 경우에 「3에지법」에 의해 보정을 행하는 것이 적절한 경우와 그렇지 않은 경우가 있음을 알았다. 도 12는 기준 쓰기 전략을 WS-1, WS-2, WS-3 및 WS-4의 4종류로 했을 때의 「Default」, 「2에지법」, 「3에지법」 및 「2에지법을 행한 후에 3에지법을 행한 경우(2에지법→3에지법)」의 지터값(%)을 나타낸 그래프이다.

즉, 도 12는 기준 쓰기 전략(Default)을 바꾸어 가면서, 그 효과를 비교한 것이지만, 이것으로부터 알 수 있듯이, 기준 쓰기 전략에서의 기록 품질이 나쁜 경우에는 「2에지법」의 효과가 크고, 좋은 경우에는 「3에지법」의 효과가 크다는 것을 알 수 있다. 따라서, 기준 쓰기 전략의 기록 품질에 따라서 「3에지법」 단독 사용인지, 「2에지법→3에지법」의 연속 사용인지를 판단할 수도 있음을 알 수 있다.

일반적으로 「2에지법」은 마크의 종류별로 그 기록 펄스의 전후방 에지를 조정하는 것이기 때문에, 설정 정밀도가 약간 거칠다는 단점이 있는 반면, 기초가 되는 전략에서의 기록 상태가 다소 나쁘더라도, 어느 정도의 효과는 얻을 수 있는 특징이 있다. 반대로 「3에지법」은, 마크와 스페이스의 조합마다 상세한 전략 설정을 하기 때문에, 기준 쓰기 전략의 기록 상태가 양호한 경우에는 좋은 결과가 얻어지는 한편, 기준 쓰기 전략의 기록 상태가 나쁜 경우에는 그 능력을 충분히 발휘할 수 없는 단점이 있다.

이 때문에, 기준 쓰기 전략으로 기록한 후에 그 기록 품질을 측정하고, 그 결과로부터 「3에지법」을 단독으로 할지, 「2에지법→3에지법」의 병용으로 할 지를 판단할 수 있다.

이상의 「2에지법」 및 「3에지법」은, 특정 에지의 조정을 조합하여 사용하는 방법이지만, 이것과는 별도로 단순히 마크와 스페이스의 길이를 기준 길이에 맞추는「1에지법」도 있다. 「1에지법」은 모든 종류의 마크와 스페이스의 평균 길이를 측정하고, 기준 길이와의 편차량에 따라서, 그 기록 펄스의 상승 에지 또는 하강 에지를 이동시킨다. 그럼으로써, 마크 길이, 스페이스 길이를 기준 길이에 맞춘 다.

구체적으로는, 예를 들면 도 13에 도시한 바와 같이, mT Mark, nT Space의 기준 길이와의 편차를 각각 DM(m), DS(n)으로 나타내고, 괄호의 마크와 스페이스의 종단 에지의 고유 변화량을 aM(m), aS(n)으로 하면, mT Mark의 종단 에지의 쓰기 전략 보정량은DM(m)/aM(m)가 된다. 마찬가지로, nT Space의 쓰기 전략 보정량은 DS(n)/aS(n)으로 계산할 수 있다. 또한, 도 13에서는 후단 에지에서의 보정을 나타냈으나, 전단 에지에서 보정하는 경우에는 전단의 고유 변화량을 사용하여 동일한 계산식에 의해 쓰기 전략의 보정량을 구할 수 있다.

이 방법은, 마크 길이, 스페이스 길이를 각각 단독으로 맞추는 대략적인 조정 방법(마크의 조정에 의한 영향을 스페이스에 반영하거나 그 반대를 행하는 경우가 없음)이지만, 방법이 단순하기 때문에 기준 쓰기 전략에 의한 기록 상태가 나쁜 경우일수록 그 능력을 발휘할 수 있다. 따라서, 「2에지법」과 「3에지법」을 조합하는 경우에는, 「1에지법→3에지법」, 「1에지법→2에지법→3에지법」과 같이, 「1에지법」을 「2에지법」과 「3에지법」의 전단에 이용하면 효과적이다.

또한, 「2에지법」을 채용하는 경우, 이하의 방법으로 쉽게 최적의 쓰기 전략 보정값을 구할 수 있다. 즉, 도 14에 도시한 바와 같이, mT Mark의 전후 D2C 데비에이션(Data to Clock Deviation)의 값을 DLm, DTm으로 하고, mT Mark의 전방 에지 고유 변화량을 RLm, 후방 에지의 고유 변화량을 RTm으로 하고, 또한 mT Mark의 전방 에지 보정량을 n(2m-5), 후방 에지 보정량을 n(2m-4)로 하면, mT Mark의 전후방 에지에는 이하에 나타내는 등식이 성립하게 된다(k는 고정값으로 DLm 및 DTm의 가중 평균값).

DLm=FLm*n(2m-5)+RLm*n(2m-4)+k

DTm=FTm*n(2m-5)+RTm*n(2m-4)+k

또한, 모든 마크에 대해서 같은 등식을 세워서 정리하면, 하기의 「수학식 1」과 같이 행렬 형식으로 나타낼 수 있다.

또한, 상기 「수학식 1」은 도 2의 단계 S103의 설명에 나타낸 연립 방정식을 확장한 일반식에 해당된다. 이 때의 해답(n1, n3, …n23, n2, n4, …n24)은 역행렬 계산에 의해 쉽게 구할 수 있다. 또한, 마크의 전후 열 영향이 적은(무시할 수 있는) 경우에는, 「수학식 1」의 RL3 RL14 및 FT3 FT14를 모두 「0」으로 하여 계산할 수도 있다.

도 15에 나타내는 「3에지법」의 경우에 대해서도 마찬가지로 생각할 수 있다. 먼저, 도 15와 같이 고유 변화량을 정하고, 또 mT Mark-nT Space에서의 D2C 데비에이션을 DT(m, n), mT Space-nT Mark에서의 D2C 데비에이션을 DL(m, n)이라고 한다.

이 때, 그 보정값 nL(m, n), nT(m, n)은 이하의 「수학식 2」의 식으로 나타낼 수 있다.

또한, 「수학식 2」에서, RT(i)는 iT Mark의 존재 확률, RL(i)는 iT Space의 존재 확률을 나타내는 것으로 한다.

상기 「수학식 2」에서 모든 조합에 대해서 마찬가지로 나타내면, 「수학식 1」과 마찬가지로 행렬 형식으로 표기할 수 있고, 그 역행렬을 구함으로써 간단히 해답을 산출할 수 있게 된다. 하기 「수학식 3」은 「수학식 2」를 행렬 형식으로 나타낸 것이다.

또한, 「수학식 3」에서 p(3, 3) p(14, 14) 및 q(3, 3) q(14, 14) 부분은 부분의 계수가 들어간다. 또 「수학식 3」에서도, 인접 에지의 영향이 적은(무시할 수 있는) 경우에는 p 및 q를 「0」으로 하여 계산할 수도 있다.

다음으로, 도 12에 나타낸 4개 전략의 사용 종류, 사용 순서의 결정 방법으로서, 기준 쓰기 전략 기록부의 신호별 샘플비를 측정하고, 그 샘플비에 따라 전략의 사용 종류, 사용 순서를 결정하는 사용 전략의 판정 방법에 대해서 이하에 설명하기로 한다.

도 12에서 사용한 4개의 기준 쓰기 전략의 기록 결과 중, WS-1과 WS-4의 마크, 스페이스의 D2C 데비에이션을 2차원 맵핑하면, 도 17 및 도 18과 같이 된다. 단, X와 Y의 설정은 도 16과 같이 정한다. 즉, mT Mark의 편차인 X를 m+dm으로 하고, nT Space의 편차인 Y를 n+dn으로 했다.

도 17 및 도 18로부터, WS-1에 비해 WS-4는 분포가 매우 흩어져 있음을 확인할 수 있다. 도 19는 도 17에서의 3TM-3TS 부분에 타겟을 맞춘 경우의 확대도이고, 도 20은 도 18에서의 3TM-3TS 부분에 타겟을 맞춘 경우의 확대도이다. 도 19로부터 알 수 있듯이, WS-1과 같은 양호한 기록이 행해지고 있는 경우에는, 대부분의 데이터가 규정 범위 내(규정Window)에 들어가 있다. 한편, 도 20에 도시한 바와 같이, WS-4와 같이 기록 품질이 떨어지는 경우는, 규정 범위에서 벗어나는 것이 있을 뿐만 아니라, 외부로부터 새어 들어오는 것도 존재한다.

이러한 경우, 그 분포의 평균값(중심값)을 구하더라도 올바른 규정 범위 분포의 평균값이 되지는 않는다. 따라서, 이 평균값을 기초로 마크―스페이스 조합에 의한 쓰기 전략의 최적화를 행하더라도 정밀도가 높은 설정은 불가능해진다. 이 때문에, 샘플링한 마크―스페이스의 조합 데이터가 쓰기 전략의 설정에 사용할 수 있는지의 여부를 판단해야 한다.

마크―스페이스 조합에 의해 쓰기 전략의 설정을 행해야 할 지의 여부를 판단하는 방법으로서, 규정 범위 내에 들어가는 샘플 수를 측정하고, 그것이 올바른 분포를 나타내고 있는지의 여부를 판단하는 방법이 있다. 도 21에 나타내는 표는 DVD 데이터의 평균적인 분포 확률을 나타낸 것이다. 도 21에 도시한 바와 같이, 마크―스페이스의 조합마다의 존재 확률은 정해져 있다. 따라서, 기준 쓰기 전략으로 기록한 후에, 그 샘플수비를 구하고, 각 요소의 값이 도 21의 표의 값의 x(x는 허용 오차로 함) 이내에 들어갈 지의 여부를 판단하면 된다.

또한, 도21과 같이 지극히 평균적인 분포 확률을 사용하지 않고, 기록시의 데이터로부터 도 21과 마찬가지의 분포 기준 데이터를 작성함으로써, 보다 정밀도를 증가시킬 수도 있다. 또 모든 요소(3TM 14TM, 3TS 14TS의 조합)에 대해서 판단하지 않고, 가장 영향이 큰 3T, 4T의 조합에 대해서 그 샘플비로부터 판단할 수도 있다. 즉, 예를 들면 a<샘플(3, 3)/샘플(3, 4)<b, c<샘플(3, 3)/샘플(4, 3)<d,를 계산하고, 가장 영향이 큰 데이터가 허용 범위 이내인지의 여부를 판단할 수도 있다.

다음으로, 도 12에 나타낸 4개 전략의 사용 종류, 사용 순서의 결정 방법으로서, 기준 쓰기 전략 기록부의 지터를 측정하고, 그 지터값에 의해 전략의 사용 종류, 사용 순서를 결정하는 사용 전략의 판정 방법에 대해서 설명하기로 한다.

예를 들면, 「2에지법」 및 「3에지법」을 사용하는 경우, 기준 쓰기 전략으로 기록한 후에 그 지터를 측정하고, 그 값이 규정 값 이하(기록 품질이 양호)이면 「3에지법」을 단독으로 행하고, 규정 값 이상이면 「2에지법→3에지법」을 행하면 된다. 또 기록 품질이 더 나쁜 경우에는 「1에지법→2에지법→3에지법」으로 3단계로 행하는 것도 효과적이다.

구체적으로는 도 12에 있어서, 규정 지터를 11%로 하고, 기준 쓰기 전략에서의 지터값이 그 이하이면 「3에지법」을 단독으로 행하고, 그것을 초과하는 경우에는 「2에지법→3에지법」을 실행한다. 이와 같이 기준 쓰기 전략 기록 후에, 그 기록 품질에 의해 「3에지법」 단독인지 「2에지법→3에지법」의 연동인지를 결정하면, 효율적이면서도 안정된 전략 설정이 가능해진다. 또한, 도 12에 나타낸 지터는 모든 지터를 대상으로 하고 있으나, 예를 들면 영향이 큰 3TM-3TS 등의 특정한 조합의 D2C 지터를 사용하더라도 동일한 판단이 가능하다.

다음으로, 도 12에 나타낸 4개 전략의 사용 종류, 사용 순서의 결정 방법으로, 기준 쓰기 전략 기록부의 데비에이션을 측정하고, 그 데비에이션값에 따라 전략의 사용 종류, 사용 순서를 결정하는 사용 전략의 판정 방법에 대해서 설명하기로 한다.

도 22는 3TS의 다음 마크별 분포를 나타낸 것이다. 도 22에 도시한 바와 같이, 마크―스페이스, 스페이스―마크의 조합마다의 데비에이션(이론값과 분포 중심값의 편차량)을 구한다. 그리고, 이것이 크게 어긋나 있는 경우에는, 분포의 일부가 인접 Window로 새어 들어오고 있는 것으로 간주하여, 「3에지법」을 행하기 전 에 「1에지법」 또는 「2에지법」을 실행한다.

또 단지 데비에이션의 편차로부터 판단할 뿐만 아니라, 「데비에이션 3X지터」가 규정의 Window에 들어가는지의 여부를 조사함으로써, 보다 정밀도가 높은 판단이 가능해진다. 따라서, 도 22에서는 R(3T) ρ(3T)가 규정 Window 내에 들어가는지를 판단할 수도 있게 된다.

이상, 전략의 사용 종류, 사용 순서를 결정하는 사용 전략의 판정 방법에 대해서, 「신호별 샘플비」, 「지터값」 및 「데비에이션값」을 사용한 예를 설명했으나, 이들을 개별적으로 사용하는 것은 아니며, 이들을 서로 조합함으로써 보다 판단 정밀도를 높일 수도 있다.

다음에, 쓰기 전략의 자동 설정시에 사용하는 고유 변화량(기록 펄스 단위당 마크 길이 또는 스페이스 길이의 변화량)을 광 디스크의 종류, 기록 속도, RF 신호 이퀄라이저의 설정마다 미리 ROM(6)(도 1 참조)에 기억해 두고, 이 고유 변화량을 사용하여 최적의 쓰기 전략을 설정하는 경우에 대해서 설명하기로 한다.

도 23은 고유 변화량을 ROM(6)에 미리 기억하고, 이것을 사용하여 최적의 쓰기 전략을 산출하는 동작 흐름을 나타낸 것이다. 도 23을 이용하여 고유 변화량을 미리 ROM(6)에 기억해 두는 본 실시형태의 개략적인 동작을 설명하기로 한다.

먼저, 제어부(9)는 광 디스크의 식별 정보인 Disc ID를 광 디스크로부터 읽어 낸다(단계 S301). 다음에, 제어부(9)는 기록 속도를 설정하고(단계 S302), 광 디스크의 종류 및 기록 속도와 일치한 고유 변화량을 ROM(6)으로부터 읽어 낸다(단계 S303). 그리고, 제어부(9)는 광 디스크의 테스트 영역에 기준 쓰기 전략으로 테 스트 기록을 행하고(단계 S304), 그 결과와 ROM(6)에 기억되어 있는 고유 변화량을 사용하여 최적의 쓰기 전략을 설정한다(단계 S305).

그런데, 예를 들면 종래의 기술과 같이, 기록을 행하는 광 디스크마다의 고유 변화량을 그때마다 실측으로 구하고, 그 값을 사용하여 쓰기 전략의 계산을 행하면, 후술하는 고속 기록시에 특유의 열 간섭을 무시하면 확실히 정밀도가 높은 쓰기 전략의 설정이 가능하다. 한편, 이러한 종래 기술의 방법에서는 이하와 같은 문제도 발생한다.

(1)적어도 2회의 다른 전략으로 기록을 행하고, 재생하여 그 데비에이션 차이를 구할 필요가 있으며, 쓰기 전략 보정량(W)은,

W=D1/{(D2-D1)/(S2-S1)}

으로 산출한다. 이 때문에, 측정 오차가 분모, 분자 모두의 영향을 받으므로, 측정 오차의 영향이 커지는 문제가 있다.

(2)도 24에 나타내는 열 간섭 변형이 발생하는 경우, 잘못된 쓰기 전략의 설정을 하게 되는 문제가 있다.

(3)적어도 2회의 테스트 기록이 필요하기 때문에, 광 디스크의 테스트 영역의 사용량이 증가할 뿐만 아니라, 전략의 설정 시간이 오래 걸리는 문제가 있다.

이에 대해, 고유 변화량(a(m, n))을 미리 ROM(6)에 기억해 두는 본 실시형태에서는, 상기(1) (3)에 대해서 이하의 효과를 기대할 수 있다.

(1)W=D1/ a(D1:실측값, a:보존값)로 구해지기 때문에, 오차의 영향이 분자만 된다(?).

(2)열 간섭 변형의 영향이 적다.

(3)1회의 기록으로 최적의 전략을 산출할 수 있으므로, 기억 영역, 동작 시간이 적어도 된다.

한편, 고유 변화량을 ROM(6)에 기억함으로써 이하의 문제점도 발생한다.

(1)광 디스크 장치에 기억한 고유 변화량을 이용하여 전략의 최적화를 행하기 때문에, 모든 광 디스크에 대한 고유 변화량을 미리 설정할 필요가 있다. 또 만일 대응하지 않는 광 디스크에 기록을 행하는 경우, 전략의 최적화가 불가능해진다.

(2)모든 광 디스크에 대한 고유 변화량을 보존해야 하므로, 기억 용량이 큰 ROM(6)이 요구된다.

하지만, 다양한 디스크, 기록 속도에 있어서 고유 변화량을 측정한 바, 이하와 같은 결과를 얻을 수 있었다. 도 25는 마크의 종류별로 기록 펄스의 전, 후방 에지를 움직이고, 그 때의 마크 에지를 측정한 경우의 설명도이다. 도 25에서, 고유 변화량(a)은 a=dT/ΔT이다.

도 26은, 다양한 종류의 광 디스크, 기록 속도에서의 3T, 4T, 5T의 고유 변화량을 나타낸 것으로, 이보다 광 디스크의 종류에 의해 고유 변화량은 다른 값이 됨을 알 수 있다. 도 27, 도 28은 각각 DVD-R(A사 제품의 광 디스크) 4배속 기록시의 전, 후방 에지의 고유 변화량이다. 이 고유 변화량은 각 근사 직선의 기울기에 해당된다. 이들 도면에 도시한 바와 같이 전, 후방 에지 모두 기록 펄스의 변화에 대응한 마크 길이의 변화가 얻어진다.

도 29는 DVD-R의 미디어 마커별 광 디스크(광 디스크 A, B, C, D)에 있어서, 4배속 기록을 행했을 때의 고유 변화량을 비교한 것이다. 또, 도 30은 도 29와 동일한 미디어 마커별 광 디스크에서의 4배속 기록시의 3T, 4T, 5T의 고유 변화량을 비교한 것이다. 도 29 및 도 30에서 알 수 있듯이, 같은 종류의 광 디스크에 기록 속도가 같다면, 미디어 제조 업체나 디스크 ID가 다르더라도 고유 변화량은 거의 가까운 값을 갖는다는 것을 알 수 있다.

도 31 및 도 32는 광 디스크(B)의 CD-R에 기록 속도를 4배속에서 32배속까지 4단계로 바꾸었을 때의 고유 변화량을 비교한 것이다. 이들 도면에서 알 수 있듯이, 같은 종류의 광 디스크라도 기록 속도가 다를 때에는 고유 변화량에도 영향이 있음을 알 수 있다.

도 33은 동일한 광 디스크(DVD-R)의 전방 에지의 고유 변화량을, 다른 광 디스크 장치로 재생하여 측정했을 때의 고유 변화량의 차이를 나타낸 것이다. 장치가 다르면 재생시의 RF 이퀄라이저 설정도 다르다. 도 33으로부터 알 수 있듯이, RF 이퀄라이저 설정 신호 보정값이 다르면 고유 변화량도 다른 값이 됨을 알 수 있다.

도 26 도33에 나타낸 결과로부터, 광 디스크의 종류(DVD-R, CD-R, CD-RW(HS), DVD-RAM), 기록 속도, 및 RF 신호 보정값의 설정이 다른 경우에는, 그 조건에 따라서 고유 변화량을 바꾸어 설정하면, 광 디스크의 미디어 마커나 미디어 종류(Media ID)에 관계없이 동일한 고유 변화량을 사용할 수 있음을 알 수 있다.

또 CD-R과 같이, 미디어의 사용 색소별로 디스크 코드의 설정이 이루어지고 있는 경우에는, 이 분류를 추가할 수도 있다. 또한, 기록 속도에 관해서도, 1배속, 2배속, 3배속과 같이 세밀하게 설정하지 않고, 1배속 4배속, 5배속 10배속과 같이 여유를 둔 설정도 효과적이다.

광 디스크의 종류별로 고유 변화량을 기억시킴으로써, 대응하지 않는 광 디스크를 기록하는 경우라도, 그 미디어의 종류와 기록 속도를 알면 최적의 쓰기 전략의 설정이 가능해진다. 또 세밀하게 Media ID마다 고유 변화량을 저장할 필요가 없으므로, 저장에 요구되는 메모리 용량이 적어도 된다.

도 34의 그래프는, CD-R(광 디스크-E)를 16배속 기록하는 경우에 기록 파워를 바꾸면서 전략의 자동 설정을 행한 경우의 스페이스 지터의 변동을 나타낸 것이다. 기준 쓰기 전략의 32mW 부근에서 지터의 변동이 보이는데, 이것이 열 간섭 변형의 영향이다. 이 그래프로부터 알 수 있듯이, 실측값으로부터 고유 변화량을 산출하는 경우, 전략의 잘못된 설정에 의해, 이 32mW 이후에 급격히 지터값이 악화되어 사용할 수 없게 됨을 알 수 있다.

이에 대해서 고유 변화량을 고정값으로 사용한 경우에는, 적어도 35mW 정도까지는 정상의 기록이 행해지는 것을 알 수 있다. 따라서, 고유 변화량을 미리 기억장치에 기억시키면, 고속 기록시의 열 간섭 변형에 대해서 안정된 기록이 가능함을 알 수 있다. 또한, 열 간섭 변형이 어느 기록 파워에서 발생하는지는 광 디스크에 크게 의존하므로, 이 점에서도 고유 변화량을 고정값으로 갖는 것은 기록 품질의 안정성으로 볼 때 크다고 할 수 있다.

다음으로, 쓰기 전략 설정의 상기 에지와 마크를 사이에 두고 인접하는 에지의 영향을 고려하여 전략의 자동 설정을 행하는 경우, 상기 에지와 두 인접 에지의 영향을 고려하여 전략의 자동 설정을 행하는 경우에는, 인접 에지로부터의 영향 중, 3T, 4T와 같은 특히 짧은 신호를 사이에 둔 인접 에지의 영향만을 고려할 수도 있음을 이하에 설명하기로 한다.

도 35에 도시한 바와 같이, mT Mark-mT Space의 조합에 있어서, 그 사이에 있는 에지를 규정량 이동시킬 때, 생성되는 mT Mark-mT Space의 조합으로 mT Mark의 전방 에지(A-에지), mT Mark의 후방 에지(B-에지), mT Space의 후방 에지(C-에지)의 각각의 D2C 데비에이션을 측정한다. 이와 같이 측정한 펄스 에지의 이동량과 각 에지의 D2C 데비에이션의 관계를 조사한 것이 도 36 도 38의 그래프이다.

즉, 도 36은 DVD-R을 4배속으로 기록했을 때의 3T 마크 3T 스페이스의 조합, 도 37은 4T 마크4T 스페이스의 조합, 도 38은 5T 마크 5T 스페이스의 조합을 각각 나타내고 있다. 또 도 39는 도 36 도 38의 그래프로부터 각 근사 직선의 기울기를 구하고, 1T로 나누어 규격화한 그래프이다. 이상의 결과로부터, 인접 에지(A-에지, C-에지)에 대한 영향은, 특히 짧은 신호(3T 및 기껏해야 4T)를 생각할 수도 있음을 알 수 있다.

최적의 쓰기 전략은, 상술한 「수학식 1」 또는 「수학식 3」에 나타낸 행렬 계산에 의해 구할 수 있으나, 이 때 인접 에지로부터의 영향을 3T(및 4T)로 한정함으로써, 계수 부분의 설정값을 줄일 수 있다. 즉, 마크의 두 에지의 조정에 있어서는, 「수학식 1」의 RL4(RL5)로부터 RL14 및 FT4(FT5)로부터 FT14를 「0」으로 하여 계산할 수 있다. 또 마크-스페이스 조합에서의 조정에 있어서는, p(m, n), q(m, n)의 3T(4T)와 관계없는 계수를 모두 「0」으로 하여 계산할 수 있다. 이것은, 이 계수값을 광 디스크 장치에 저장(예를 들면 ROM(6) 등)해서 사용하는 경우에는, 그 저장 메모리의 용량을 감소시킬 수 있게 되고, 또 실기록으로부터 계수를 산출하는 경우에는 그 계산량을 줄일 수 있는 효과가 있다. 본 발명에 의하면, 마크 및 스페이스의 이론 길이에 대한 기록 길이의 상승 에지 및 하강 에지로부터의 편차량을 간단한 방법으로 산출함으로써, 고속 기록시에도, 또 3T, 4T와 같은 특히 짧은 신호인 경우에도 정밀도가 높은 쓰기 전략을 단시간에 설정할 수 있는 효과가 있다.

이상에서와 같이 도면과 명세서에서 최적 실시예가 개시되었다. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.

상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 최적의 쓰기 전략은, 상술한 「수학식 1」 또는 「수학식 3」에 나타낸 행렬 계산에 의해 구할 수 있으나, 이 때 인접 에지로부터의 영향을 3T(및 4T)로 한정함으로써, 계수 부분의 설정값을 줄일 수 있다. 즉, 마크의 두 에지의 조정에 있어서는, 「수학식 1」의 RL4(RL5)로부터 RL14 및 FT4(FT5)로부터 FT14를 「0」으로 하여 계산할 수 있다. 또 마크-스페이스 조합에서의 조정에 있어서는, p(m, n), q(m, n)의 3T(4T)와 관계없는 계수를 모두 「0 」으로 하여 계산할 수 있다. 이것은, 이 계수값을 광 디스크 장치에 저장(예를 들면 ROM(6) 등)해서 사용하는 경우에는, 그 저장 메모리의 용량을 감소시킬 수 있게 되고, 또 실기록으로부터 계수를 산출하는 경우에는 그 계산량을 줄일 수 있는 효과가 있다. 본 발명에 의하면, 마크 및 스페이스의 이론 길이에 대한 기록 길이의 상승 에지 및 하강 에지로부터의 편차량을 간단한 방법으로 산출함으로써, 고속 기록시에도, 또 3T, 4T와 같은 특히 짧은 신호인 경우에도 정밀도가 높은 쓰기 전략을 단시간에 설정할 수 있는 효과가 있다.

Claims

쓰기 전략(write strategy)에 따라서 기록 펄스를 생성하고, 생성한 기록 펄스를 광 기록 매체에 조사함으로써 상기 광 기록 매체 상에 마크 및 스페이스의 열을 형성하여 정보를 기록하는 광 정보 기록 방법에 있어서,

상기 마크들 또는 스페이스들의 에지마다, 기준 쓰기 전략에 대하여 상기 에지의 타이밍을 소정량 변화시킨 변동 쓰기 전략에 따라 기록된 정보를 읽어내어 얻어진 재생 신호의 에지와, 상기 기준 쓰기 전략에 따라서 기록된 정보를 읽어내어 얻어진 재생 신호의 대응하는 에지 사이의 타이밍 변화량을 상기 에지의 고유 변화량으로서 저장하는 단계;

상기 기준 쓰기 전략에 따라서 기록된 정보를 읽어내어 얻어진 재생 신호의 마크들 또는 스페이스들의 에지마다, 상기 에지의 타이밍과 클록과의 편차를 검출하는 단계; 및

상기 저장된 고유 변화량를 기초로 하여, 상기 에지마다 검출된 상기 편차가 모두 일치하도록 상기 기준 쓰기 전략의 보정량을 결정하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 광 정보 기록 방법.
제1항에 있어서, 상기 변동 쓰기 전략은,

상기 기준 쓰기 전략에 대하여 상승에지 또는 하강에지의 타이밍을 최소 분해능만큼 변화시키는 쓰기 전략인 것을 특징으로 하는 광 정보 기록 방법.
제1항에 있어서, 상기 저장되는 고유 변화량은,

상기 광 기록 매체의 종류, 기록 속도, RF 신호 보정 설정에 따른 값인 것을 특징으로 하는 광 정보 기록 방법.
제1항에 있어서,

상기 기준 쓰기 전략에 따라서, 상기 광 기록 매체에 여러 종류의 마크를 포함하는 정보를 테스트 기록하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 광 정보 기록 방법.
제1항에 있어서, 상기 고유 변화량은,

상기 변동 쓰기 전략에 따라 타이밍을 소정량 어긋나도록 한 에지, 및 상기 에지와 마크를 사이에 두고 인접하는 에지들의 타이밍 변화량을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 정보 기록 방법.
제5항에 있어서, 상기 소정량 어긋나도록 한 에지와 마크를 사이에 두고 인접하는 에지의 각각의 타이밍 변화량을 포함하는 경우는,

상기 마크가 상대적으로 짧은 경우일 때를 특징으로 하는 광 정보 기록 방법.
제1항에 있어서, 상기 고유 변화량은,

상기 에지를 사이에 두는 마크와 스페이스의 조합마다 정해지고,

상기 변동 쓰기 전략에 따라 타이밍을 소정량 어긋나도록 한 에지, 상기 에지와 마크를 사이에 두고 인접하는 에지들, 및 상기 에지와 스페이스를 사이에 두고 인접하는 에지의 각각의 타이밍 변화량을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 정보 기록 방법.
제7항에 있어서, 상기 소정량 어긋나도록 한 에지와 마크를 사이에 두고 인접하는 에지, 및 상기 에지와 스페이스를 사이에 두고 인접하는 에지의 각각의 타이밍 변화량을 포함하는 경우는,

상기 마크가 상대적으로 짧은 경우일 때를 특징으로 하는 광 정보 기록 방법.
제1항에 있어서,

상기 기준 쓰기 전략에 의해 기록된 정보를 재생한 재생 신호의 기록 품질을 측정하는 단계를 더 구비하고,

상기 기록 품질에 기초하여, 적용할 쓰기 전략 및 설정 순서를 결정하는 것을 특징으로 하는 광 정보 기록 방법.
제9항에 있어서,

상기 기준 쓰기 전략에 의해 기록한 기록 품질이 양호한 경우에는, 제1 고유 변화량을 바탕으로 상기 기준 쓰기 전략의 보정량을 정하고,

상기 기록 품질이 나쁜 경우에는, 제2 고유 변화량을 바탕으로 상기 기준 쓰기 전략의 보정량을 결정한 다음에, 제1 고유 변화량을 바탕으로 상기 기준 쓰기 전략의 보정량을 정하고,

상기 제1 고유 변화량은, 상기 에지를 사이에 두는 마크와 스페이스의 조합마다 정해지고, 상기 변동 쓰기 전략에 따라 타이밍을 소정량 어긋나도록 한 에지, 상기 에지와 마크를 사이에 두고 인접하는 에지들, 및 상기 에지와 스페이스를 사이에 두고 인접하는 에지의 각각의 타이밍 변화량을 포함하고,

상기 제2 고유 변화량은, 상기 변동 쓰기 전략에 따라 타이밍을 소정량 어긋나도록 한 에지, 및 상기 에지와 마크를 사이에 두고 인접하는 에지들의 타이밍 변화량을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 정보 기록 방법.
제9항에 있어서, 상기 기록 품질의 측정에는,

상기 재생 신호의 샘플비, 지터값, 데비에이션값 중 어느 하나 또는 복수개를 이용하는 것을 특징으로 하는 광 정보 기록 방법.
쓰기 전략(write strategy)에 따라서 기록 펄스를 생성하고, 생성한 기록 펄스를 광 기록 매체에 조사함으로써 상기 광 기록 매체 상에 마크 및 스페이스의 열을 형성하여 정보를 기록하는 광 정보 기록 장치에 있어서,

상기 마크들 또는 스페이스들의 에지마다, 기준 쓰기 전략에 대하여 상기 에지의 타이밍을 소정량 변화시킨 변동 쓰기 전략에 따라 기록된 정보를 읽어내어 얻어진 재생 신호의 에지와, 상기 기준 쓰기 전략에 따라서 기록된 정보를 읽어내어 얻어진 재생 신호의 대응하는 에지 사이의 타이밍 변화량을 상기 에지의 고유 변화량으로서 저장하는 저장 수단;

상기 기준 쓰기 전략에 따라서 기록된 정보를 읽어내어 얻어진 재생 신호의 마크들 또는 스페이스들의 에지마다, 상기 에지의 타이밍과 클록과의 편차를 검출하는 검출 수단; 및

상기 저장된 고유 변화량를 기초로 하여, 상기 에지마다 검출된 상기 편차가 모두 일치하도록 상기 기준 쓰기 전략의 보정량을 결정하는 보정 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 광 정보 기록 장치.
제12항에 있어서, 상기 변동 쓰기 전략은,

상기 기준 쓰기 전략에 대하여 상승에지 또는 하강에지의 타이밍을 최소 분해능만큼 변화시키는 쓰기 전략인 것을 특징으로 하는 광 정보 기록 장치.
제12항에 있어서,

상기 기준 쓰기 전략에 따라서, 상기 광 기록 매체에 여러 종류의 마크를 포함하는 정보를 테스트 기록하는 테스트 기록 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 광 정보 기록 장치.
제12항에 있어서, 상기 고유 변화량은,

상기 변동 쓰기 전략에 따라 타이밍을 소정량 어긋나도록 한 에지, 및 상기 에지와 마크를 사이에 두고 인접하는 에지들의 타이밍 변화량을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 정보 기록 장치.
제12항에 있어서, 상기 고유 변화량은,

상기 에지를 사이에 두는 마크와 스페이스의 조합마다 정해지고,

상기 변동 쓰기 전략에 따라 타이밍을 소정량 어긋나도록 한 에지, 상기 에지와 마크를 사이에 두고 인접하는 에지들, 및 상기 에지와 스페이스를 사이에 두고 인접하는 에지의 각각의 타이밍 변화량을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 정보 기록 장치.
제12항에 있어서,

상기 기준 쓰기 전략에 의해 기록된 정보를 재생한 재생 신호의 기록 품질을 측정하는 기록품질 측정수단을 더 구비하고,

상기 기록 품질에 기초하여, 적용할 쓰기 전략 및 설정 순서를 결정하는 것을 특징으로 하는 광 정보 기록 장치.
제17항에 있어서,

상기 기준 쓰기 전략에 의해 기록한 기록 품질이 양호한 경우에는, 제1 고유 변화량을 바탕으로 상기 기준 쓰기 전략의 보정량을 정하고,

상기 기록 품질이 나쁜 경우에는, 제2 고유 변화량을 바탕으로 상기 기준 쓰기 전략의 보정량을 결정한 다음에, 제1 고유 변화량을 바탕으로 상기 기준 쓰기 전략의 보정량을 정하고,

상기 제1 고유 변화량은, 상기 에지를 사이에 두는 마크와 스페이스의 조합마다 정해지고, 상기 변동 쓰기 전략에 따라 타이밍을 소정량 어긋나도록 한 에지, 상기 에지와 마크를 사이에 두고 인접하는 에지들, 및 상기 에지와 스페이스를 사이에 두고 인접하는 에지의 각각의 타이밍 변화량을 포함하고,

상기 제2 고유 변화량은, 상기 변동 쓰기 전략에 따라 타이밍을 소정량 어긋나도록 한 에지, 및 상기 에지와 마크를 사이에 두고 인접하는 에지들의 타이밍 변화량을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 정보 기록 장치.