JP4614929B2 - 位置測定ユニット、測定システム、および該位置測定ユニットを備えたリソグラフィ装置 - Google Patents

Description

本発明は、位置測定ユニット、測定システム、および該位置測定ユニットを備えたリソグラフィ装置に関する。

リソグラフィ装置は、基板上、通常は基板のターゲット部分上に任意のパターンを付与する機械である。リソグラフィ装置は、たとえば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用することができる。集積回路製造に使用する場合は、別名マスクまたはレチクルと呼ばれるパターン形成体（patterning device）を使って、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成することができる。このパターンは、基板（たとえば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（たとえば、１つまたはいくつかのダイあるいはダイの一部分を含む）上に転写することができる。パターンは、一般的には、基板上に設けられた放射線感応性材料（レジスト）の層上に投影することによって転写される。一般的には、単一基板は連続してパターン形成される隣接するターゲット部分のネットワーク（network）を含むことになる。従来のリソグラフィ装置は、ターゲット部分上のパターン全体を一度に露光することによって、各ターゲット部分を放射線に照射するいわゆるステッパと、パターンを放射線ビームによって所定方向（「スキャン」方向）にスキャンさせると同時に、基板をこのスキャン方向に対して平行または逆平行に同期的にスキャンさせることによって、各ターゲット部分を放射線に照射するいわゆるスキャナとを含む。基板上にパターンをインプリントすることによって、パターンをパターン形成体から基板へ転写することもまた可能である。

リソグラフィ装置においては、複数の自由度（ＤＯＦ）で、基板テーブルの位置などの位置測定が必要である。このような位置測定システムの事例は、たとえば特許文献１に記載されており、参照によりここに援用される。この特許文献１には、最高６自由度で基板テーブルの位置を測定することができる測定システムが記載されており、測定システムは、光学干渉計とエンコーダとの組合せを含む。この特許文献１においては、スキャン動作またはステップ動作の実行時、基板テーブルが動く平面が、Ｘ、Ｙ平面と定義され、一方でそれらＸ、Ｙ平面に対して垂直な次元が、Ｚ次元と定義されている。Ｘ、Ｙ平面は、基板テーブルによって保持されている基板の表面に実質的に対応している。また、特許文献２には、マスクすなわちレチクルを保持するために、最大６自由度でマスクテーブルの位置を測定する測定システムも記載されている。この特許文献２でも同様に、マスクの表面がＸ、Ｙ平面と実質的に一致しており、さらにＺ次元(Z dimension)もＸ、Ｙ平面に対して実質的に垂直である。例においては、測定システムは、干渉計とエンコーダとの組合せを含む。ここに挙げた例のいくつかにあるように、Ｘ次元(X dimension)またはＹ次元(Y dimension)内の位置を測定するために（また、実際には、より正確に距離を測定するために）一般的には干渉計が利用されており、一方でＺ次元内の距離を測定するために、一般的にはエンコーダが利用されている。リソグラフィ装置の動作中における基板テーブルまたはマスクテーブルの移動範囲は、Ｚ次元内よりもＸおよびＹ次元内においてはるかに大きくなるかもしれない。また精度要求度が、次元ごとに異なるかもしれない。特許文献２の図６および７に示されているとおり、別の例では、エンコーダが、ＸおよびＹ次元内の基板テーブルの位置の測定に利用され、一方で干渉計は、Ｚ次元内の基板テーブルの位置測定に利用されている。図６および７に示されているように、別個の測定ユニットが、各次元に対して利用されている。一般に、たとえば基板テーブルの位置は６自由度で測定されるのが望ましいが、６自由度の測定には、この特許文献２に提示されたような解決策が用いられた場合に少なくとも６つの測定ユニット（干渉計かエンコーダかのどちらかを備える）が必要になるであろう。

リソグラフィ装置においてますます要求されていることの１つは、リソグラフィ装置の歩留まり増加である。歩留まりの増加は、一定時間内に処理されるウェーハ数の増加につながり、ひいては、処理される各基板の取り扱いの迅速化、照明時間の短縮化などにつながる。そのような目標を達成するためには、基板テーブルの移動速度（たとえば、スキャン速度またはステッパ速度）を上げ、基板表面の照射の迅速化を可能とすることが望まれる。また、ウェーハまたは基板の直径は、リソグラフィ装置の世代毎に増加する傾向にある。今日、基板テーブルの高速移動のために基板テーブルの軽量化が求められる一方で、ウェーハ直径を長くするためにより大きい基板テーブルが求められ、これが基板テーブルの重量化につながるという互いに矛盾している要求が発生してきている。特許文献１に提示されている測定解決策を用いても、各検出器（干渉計またはエンコーダ）のために基板テーブル表面上にさらなる面積が必要になり、基板テーブルの大きさと重量はより一層増加してしまうため、これらの矛盾している要求事項はいっそう悪化してしまう。

特許文献１の図６および７に提示された測定解決策の中で取り組まれている別の実施態様では、干渉計、エンコーダなどの間のたとえばミスアライメントに起因する誤差を取り除くために、個々の干渉計、エンコーダなどを相互にアライメントしようとしている。また、たとえば、上述の文献の図７に提示された解決策内の干渉計およびエンコーダのビーム間の物理的距離は、グリッドが基板テーブル表面に対して完全に平行でなければさらなる測定誤差をまねくおそれがあり、したがって、それらの誤差を補正するためにキャリブレーションが必要になる。

屈折型エンコーダの事例は、非特許文献１のほか非特許文献２に記載されており、参照によりここに援用される。

米国特許出願公開第２００４／０２６３８４６号 米国特許出願公開第２００４／０２６３８４１号 "Digitale Laengen- und Winkelmesstechnik: Positionsmesssysteme," fuer den Maschinenbau und die Elektronikindustrie, Alfons Ernst [Heidenhain], (1998) "Laengen in der Ultrapraezisionstechnik messen," Alfons Spies, Feinwerk & Messtechnik 98 (1990) 10 page 406-410

リソグラフィ装置用などのコンパクトな位置測定ユニットを提供することが望まれている。

本発明の実施態様によれば、第１および第２次元内の位置を測定するための測定ユニットが提供されており、その測定ユニットは、第１および第２回折格子上のエンコーダ測定ビームの回折によって、第１格子に対する第２格子の第１次元内の位置を測定する回折型エンコーダと、基準経路と測定経路とのそれぞれの方へ進む干渉計測定ビーム間の干渉によって、測定経路内にあるミラーの第２次元内の位置を測定する干渉計とを備え、さらに測定ユニットは、エンコーダ測定ビームならびに干渉計測定ビームを転送する複合光学ユニットを有する。

本発明の別の実施態様においては、６自由度で目的物の位置を測定する測定システムが提供されており、その測定システムは、３つの本発明による測定ユニットを備える。

本発明のさらなる実施態様によれば、本発明による測定ユニットを備えるリソグラフィ装置が提供されており、その測定ユニットは、基板テーブルに接続されており、基板テーブルの位置を測定することができる。

本発明のなおさらなる実施態様によれば、本発明による測定ユニットを備えたリソグラフィ装置が提供されており、その測定ユニットは、マスクテーブルに接続されており、マスクテーブルの位置を測定することができる。

本発明によれば、リソグラフィ装置用などに適した位置測定ユニットが提供される。

以下、同じ参照符号によって対応部品を示す添付の概略図面を参照しながら、単なる例として、本発明の実施態様を説明する。

図１は、本発明の一実施態様によるリソグラフィ装置の概略図である。リソグラフィ装置は、放射線ビームＢ（たとえば、ＵＶ放射線または他の適切な放射線）を調整することができるように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターン形成体（たとえば、マスク）ＭＡを支持することができるように構成され、また特定のパラメータに従ってパターン形成体を正確に位置付けることができるように構成された第１位置決め装置ＰＭに接続されたマスク支持構造体（たとえば、マスクテーブル）ＭＴとを含む。またリソグラフィ装置は、基板（たとえば、レジスト塗布ウェーハ）Ｗを保持することができるように構成され、また特定のパラメータに従って基板を正確に位置付けることができるように構成された第２位置決め装置ＰＷに接続された基板テーブル（たとえば、ウェーハテーブル）ＷＴすなわち「基板支持部」（“substrate support”）も含む。リソグラフィ装置は、またパターン形成体ＭＡによって放射線ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（たとえば、１つ若しくは複数のダイを含む）上に投影することができるように構成された投影システム（たとえば、屈折投影レンズシステム）ＰＳも含む。

照明システムとしては、放射線を誘導し、形成し、あるいは制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光学部品、あるいはそれらのあらゆる組合せなど、さまざまなタイプの光学部品を含んでいてよい。

マスク支持構造体は、パターン形成体を支持する、すなわちパターン形成体の重量に耐えるものである。マスク支持構造体は、パターン形成体の向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターン形成体が真空環境内で保持されているか否かなどといった他の条件に応じた態様でパターン形成体を保持する。マスク支持構造体は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターン形成体を保持することができる。マスク支持構造体は、たとえば必要に応じて固定または可動式であってよいフレームまたはテーブルであってもよい。マスク支持構造体は、パターン形成体を、たとえば投影システムに対して任意の位置に確実に設置ことができる。本明細書において使われる用語「レチクル」または「マスク」はすべて、より一般的な用語「パターン形成体」と同義であると考えるとよい。

本明細書において使われる用語「パターン形成体」は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように放射線ビームの断面にパターンを付与するために使うことができるあらゆるデバイスを指していると広義に解釈されるべきである。なお、放射線ビームに付与したパターンは、たとえば、そのパターンが位相シフト特性（phase-shifting feature）またはいわゆるアシスト特性（assist feature）を有する場合、基板のターゲット部分内の任意のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射線ビームに付与したパターンは、集積回路などの、ターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応することになる。

パターン形成体は、透過型または反射型であってもよい。パターン形成体の例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ型、alternating型位相シフト（alternating phase-shift）、および減衰型位相シフト（attenuated phase-shift）などのマスクタイプ、ならびに種々のハイブリッドマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射線ビームがさまざまな方向に反射するように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射線ビームにパターンを付与する。

本明細書において使われる用語「投影システム」は、使われている露光放射線にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光電システム、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広義に解釈されるべきである。本明細書において使われる用語「投影レンズ」はすべて、より一般的な用語「投影システム」と同義であると考えるとよい。

本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、透過型のもの（たとえば、透過型マスクを採用しているもの）である。また、リソグラフィ装置は、反射型のもの（たとえば、前述の型のプログラマブルミラーアレイを採用しているか、または反射型マスクを採用しているもの）であってもよい。

リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）もしくはそれより多い基板テーブルすなわち「基板支持部」（および／または２つもしくはそれより多いマスクテーブルすなわち「マスク支持部」）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機構においては、追加のテーブルまたは支持体を並行して用いても良く、予備工程を１つ若しくはそれより多いテーブルまたは支持体上で実行しつつ、別の１つ若しくはそれより多いテーブルすなわち支持体を露光用に使うこともできる。

また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすような比較的高屈折率を有する液体、たとえば水によって基板の少なくとも一部をカバーすることができるタイプのものであってもよい。さらに、リソグラフィ装置内の、たとえば、マスクと投影システムとの間の別の空間で液浸液が適用されても良い。液浸技術を使えば、投影システムの開口度を増加させることができる。本明細書において使われている用語「液浸」は、基板のような構造物を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、どちらかといえば、露光中に投影システムと基板との間に液体があるという意味でしかない。

図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射線源ＳＯから放射線ビームを受ける。放射線源およびリソグラフィ装置は、たとえば、放射線源がエキシマレーザである場合、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射線源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また、放射線ビームは、放射線源ＳＯからイルミネータＩＬへ、たとえば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを備えたビームデリバリシステムＢＤを使って送られる。別の場合においては、放射線源は、たとえば、放射線源が水銀灯である場合、リソグラフィ装置の一体型部品とすることもできる。放射線源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならビームデリバリシステムＢＤとともに、放射線システムと呼んでもよい。

イルミネータＩＬは、放射線ビームの角度強度分布を調節することができるように構成されたアジャスタＡＤを備えていて良い。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側径方向範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯといったさまざまな他の構成要素を有していても良い。イルミネータを使って放射線ビームを調整すれば、放射線ビームの断面に所望とする均一性および強度分布をもたせることができる。

放射線ビームＢは、マスク支持構造体（たとえば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターン形成体（たとえば、マスクＭＡ）上に入射して、パターン形成体によってパターン形成される。マスクＭＡを通り抜けた後、放射線ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２位置決め装置ＰＷおよび位置センサＩＦ（たとえば、干渉装置、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、たとえば、放射線ビームＢの経路内に異なるターゲット部分Ｃを位置決めするべく、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１位置決め装置ＰＭおよび別の位置センサ（図１には明示されていない）を使い、たとえば、マスクライブラリからマスクを機械的に取り出した後またはスキャン中に、マスクＭＡを放射線ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。一般的には、マスクテーブルＭＴの移動は、第１位置決め装置ＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗位置決め）およびショートストロークモジュール（微細位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴすなわち「基板支持体」の移動も第２位置決め器ＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに接続されてもよく、または固定されてもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２、および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使って、アライメントされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分間の空間（これらは、けがき線（scribe-lane）アライメントマークとして公知である）内に置くこともできる。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークが、ダイ間に置かれてもよい。

図示した装置は、以下のモードの少なくとも１つで使うことができると考えられる。
１． ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴすなわち「マスク支持体」、および基板テーブルＷＴすなわち「基板支持体」を基本的に静止状態に保ちつつ、放射線ビームに付与されたパターン全体を一度に（すなわち、一回の静止露光）ターゲット部分Ｃ上に投影する。基板テーブルＷＴすなわち「基板支持体」は、つぎにＸおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃが露光されることが可能になる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズよって、一回の静止露光時に投影されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。

２． スキャンモードにおいては、マスクテーブルＭＴすなわち「マスク支持体」、および基板テーブルＷＴすなわち「基板支持体」を同期的にスキャンし、放射線ビームに付与されたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、一回の動的露光）。マスクテーブルＭＴすなわち「マスク支持体」に対する基板テーブルＷＴすなわち「基板支持体」の速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および画像反転特性によって決めるとよい。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズよって、一回の動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。

３． 別のモードにおいては、プログラマブルパターン形成体を保持しつつ、マスクテーブルＭＴすなわち「マスク支持体」を基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴすなわち「基板支持体」を動かし、すなわちスキャンする一方で、放射線ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射線源が採用されており、さらにプログラマブルパターン形成体は、基板テーブルＷＴすなわち「基板支持体」の移動後ごとに、またはスキャン中、連続する放射線パルスの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターン形成体を利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。

上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードが用いられても良い。

次に、図２ａおよび２ｂを参照しながら測定ユニットの事例を説明する。なお、図２以降、ＸおよびＹ次元は、実質的にエンコーダの格子に一致する平面を形成すると定義され、一方、Ｚ次元は、ＸおよびＹ面に対して垂直な次元を形成している。図２ａは、本発明の実施態様による測定ユニットの概略側面図（一部断面図）を示す。測定ユニットは、偏光ビームスプリッタＰＢＳと、コーナキューブＣＣと、ミラーＭＩおよび検出器Ｄ２と、４分の１波長（λ）プレートＱＬ１、ＱＬ２とによって形成された干渉計を有する。より正確に述べると、ＱＬ１は、上面反射ミラーコーティングが施された４分の１波長（λ）プレートを備え、それによって基準経路（reference path）ミラーを形成している。さらに測定ユニットは、エンコーダ、特に格子Ｇ１およびＧ２、プリズムＰＲＩ、およびエンコーダ検出器Ｄ１を備える回折型エンコーダを有する。測定ユニットは、干渉計光学系ならびにエンコーダ光学系を含む複合光学ユニットＣＯＵを有する。干渉計光学系は、偏光ビームスプリッタＰＢＳ、コーナキューブＣＣ、および４分の１波長（λ）プレートＱＬ１、ＱＬ２を備え、一方、エンコーダ光学系は、プリズムＰＲＩおよび格子Ｇ１を含む。エンコーダは、エンコーダ測定ビームＥＭＢを備え、干渉計は、干渉計測定ビームＩＭＢを含む。干渉計およびエンコーダの光学系を単一ユニットに複合化することによって、提供される測定ユニットを小型化でき、基板テーブルＷＴの表面上に必要な空間をより小さくするだけでなく、測定ユニット自体も軽量化できる。したがって、こうして提供された測定ユニットでは、基板テーブル上の必要表面積がより小さくなるだけでなく各干渉計とエンコーダとの合計重量よりも複合化したときの重量の方が軽くなるので、基板テーブルの高加速化、および高速化に有利な軽量化に関連する測定ユニットの小型化によって基板テーブルサイズの縮小が可能となる。よって、スキャン速度、ウェーハサイズ、ウェーハテーブル重量などに関して矛盾していた要求事項は、より好適な方法で調整することができる。同様に、複合された光学系が使われていることで、干渉計による測定とエンコーダによる測定との間により高い相関関係を得ることができ、その相関関係は、結果として測定ユニットが一部を形成する測定システムの精度をさらに高くすることができる。

エンコーダは、図２ａに示されたとおり、実質的にＸ軸に対して平行な次元内の第１格子Ｇ１に対する第２格子Ｇ２の位置を測定する。干渉計は、実質的にＺ軸に対して平行な次元内、すなわち実質的に格子Ｇ２に垂直な次元内の位置を測定する。

なお、本明細書において、位置または位置測定という用語が使われる場合、この用語は、絶対位置または相対位置、すなわち位置の増分（position increment）を含むと理解すればよい。

干渉計は、一般に、その測定原理によって、光学基準経路（optical reference path）と比較した光学測定経路（optical measurement path）の長さの差を測定する。測定経路を進むビームは、偏光ビームスプリッタＰＢＳからミラーＭＩに向かって進み、さらにミラーＭＩ上で反射する（後にコーナキューブＣＣ内で２回の反射を行う本例では、ミラーＭＩ上でビームが２回目の反射をした後、コーナキューブＣＣにてビームを偏向させる角度で反射がおこり、その後、検出器に向かって測定経路を進む）。基準経路を進むビームは、偏光ビームスプリッタＰＢＳを通過し、４分の１波長（λ）プレート／基準ミラーＱＬ１に進み、さらに（干渉計設計において既知の方法で）経路を干渉計検出器Ｄ２へと進む。なお、干渉計測定ビームが基準経路および測定経路のそれぞれを進むという表現は、入射干渉計ビームの一部が測定経路を進むと同時に別の一部が基準経路を進むことを意味していると理解すればよい。干渉計測定原理によって、ミラーＭＩのＺ方向の変位は、測定経路の光路長に変化をもたらし、その結果として２つの経路を進んでいるビームの位相差に変化が生じることになる。したがって、適用された干渉計測定ビームＩＭＢの波長に関連する周期性（periodicity）が、干渉計の読取値内に得られる。エンコーダも同様に、格子Ｇ１およびＧ２のピッチによって決まる読取値内に周期性を備えることができる。干渉計としては、本明細書に記載された例の代わりに、基準経路および測定経路のそれぞれを進む干渉計測定ビーム間の干渉によって、測定経路内にあるミラーの第２次元内位置を測定することができる干渉計など、あらゆる型の干渉計とすることができる。

エンコーダとしては、絶対エンコーダ（absolute encoder）または相対エンコーダ（relative encoder）とすることができる。本明細書に示された例では相対エンコーダが適用されており、格子Ｇ１に対する格子Ｇ２の動き、つまり複合光学ユニットＣＯＵに対する格子Ｇ２の動きによって検出器Ｄ１の読取値内に周期性を提供する。ここで周期性とは、Ｘ軸に平行な方向で第１格子Ｇ１に対して第２格子Ｇ２が動く場合、格子Ｇ１およびＧ２のピッチに関連している。

本明細書に示された例では、複合光学ユニットは、エンコーダのプリズムＰＲＩおよび干渉計の偏光ビームスプリッタＰＢＳを備える。この例におけるプリズムＰＲＩは、Ｘ、Ｙ平面、したがって第１および第２格子によって形成される平面に対して実質的に４５度の角度をなす表面（図２ａにおいてＩＢＳで表示されている）を有する。この表面が、干渉計測定ビームＩＭＢを偏光ビームスプリッタＰＢＳへ転送する。干渉計用およびエンコーダ用の別個のビーム、または後述するような複合ビームを含んでいても良い入射ビームＩＢは、したがって少なくとも部分的に本明細書でＩＢＳと表示されている表面上で反射され、それによって入射ビームが干渉計へと供給されることとなり、該入射ビームは、干渉計の偏光ビームスプリッタＰＢＳの方へと向けられる。複合光学ユニットならびに実際のアライメントの小型化を達成するために、プリズムＰＲＩのＩＢＳ表面は、干渉計の偏光ビームスプリッタＰＢＳの表面に対して実質的に平行である。したがって、プリズムＰＲＩの表面ＩＢＳは、二つの機能を有する。すなわち、一方では、表面ＩＢＳは、後に詳細に説明するエンコーダのプリズムとして機能し、他方では、表面ＩＢＳ、特に偏光ビームスプリッタＰＢＳに対向する側の表面ＩＢＳが、光学的転送手段（optical transfer means）として機能し、入射ビームＩＢ若しくは入射ビームＩＢの干渉計部分を、干渉計へと転送することができる。この転送ステップは、後述するが、干渉計およびエンコーダに対して単一の入力ビームが使われているのか、別個の入力ビームが使われているかどうかによって、複数の方法で行うことができる。

測定ユニットは、２つの入力ビーム（dual input beams）ＩＢを有していてもよい。１つはエンコーダ用であり、エンコーダ測定ビームＥＭＢを形成することができ、もう１つは干渉計用であり、干渉計測定ビームを形成することができる。干渉計の測定原理によって、干渉計測定ビーム（ＩＭＢ）には高い波長安定性が求められるが、エンコーダに用いる場合、エンコーダ測定ビームＥＭＢの波長安定性は実質的に求められない。この違いは、干渉計検出器Ｄ２の読取値が干渉計測定ビームＩＭＢ波長に依存した周期性を示す一方、エンコーダ検出器Ｄ１は、エンコーダ検出器Ｄ１の読取値内に格子のピッチ依存した周期性を示すという特性を有しているので、波長の偏差には影響されにくいという事実に基づいている。別個のビームが使われる場合は、干渉計入力ビームおよびエンコーダ入力ビームを供給し、それぞれのビームをＹ軸に実質的に平行な方向、したがって図２ａにおいては図の奥行き方向に、物理的に相互分離させればよい。その結果、干渉計の入射ビームは、エンコーダの入射ビームが到達する表面ＩＢＳ上の位置とは異なる、プリズムＰＲＩの表面ＩＢＳ上のある位置に到達し、それらの位置間の差は、実質的にＹ軸に平行な方向に現れる。干渉計入力ビームが到達する表面ＩＢＳの領域では、たとえば、偏光ビームスプリッタＰＢＳに対向する側の表面ＩＢＳ上の反射コーティングによって反射が生じ得る。エンコーダ入力ビームが到達する表面ＩＢＳの位置においては、エンコーダ入力ビームを第２格子Ｇ２の方へ転送するために、ホールまたは他の手段の様な開口部が表面に配列して設けられており、それによって、エンコーダの入射ビームにて偏向、反射、またはその他類似の作用が生じるのを防止することができる。エンコーダビームおよび干渉計入力ビームを別個に使う利点は、干渉計およびエンコーダのそれぞれのために適切な波長を選択することができる上、これら別個の入力ビームが二波長（dual wavelength）を用いる干渉計においてヘテロダイン式の測定原理を用いることができることにある。

２つの入力ビームを利用する上述の例に代わるものとして、単一入力ビームＩＢを使うこともまた可能である。単一入力ビームは、エンコーダならびに干渉計用複合光源から供給すればよい。この方式は、単一光源しか必要としないので、測定ユニットの複雑性が低減されるという利点がある。この場合、干渉計は、単一波長入力ビームが使われるホモダイン干渉計であってもよい。さらにエンコーダおよび干渉計入力ビームが共存するようになるので、共通光学ユニットＣＯＵの大きさがＹ軸方向に短縮され、このため複合光学ユニットＣＯＵのサイズをある程度さらに小型化することも可能である。この場合、プリズムＰＲＩの表面によって入射ビームスプリッタＩＢＳが形成されてもよく、入射ビームスプリッタＩＢＳによって、単一入射ビームＩＢは、干渉計測定ビームおよびエンコーダ測定ビームＥＭＢに分離され、干渉測定ビームは偏光ビームスプリッタＰＢＳの方へと向けられ、またエンコーダ測定ビームは格子Ｇ２の方へと向けられる。このようにして、入射ビームスプリッタＩＢＳによって反射された入射ビームＩＢの一部は、干渉計への入力となり、一方で入射ビームスプリッタＩＢＳによって転送されたビームＩＢの一部は、エンコーダ用入射ビームとなる。入射ビームスプリッタは、格子Ｇ１、Ｇ２の表面に対して角度４５度をなしているプリズムＰＲＩの表面によって形成されているので、入射ビームスプリッタは実質的に偏光ビームスプリッタＰＢＳと平行であり、したがって、干渉計ビームとエンコーダビームとの間の高度なアライメントを実現することができる。本願における例においては、入射ビームスプリッタＩＢＳは無偏光ビームスプリッタ（non-polarizing beamsplitter）をなしている。

第１の次元(first dimension)および第２の次元(second dimension)は、（必ずしもそうでなくてよいが）直交していることが要求される。直角関係をなすこと(perpendicularity)は、測定の観点は勿論のこと制御の観点からも望ましいとされ、これによって次元間における相互の影響が回避できるので、測定ユニットを用いた効率的な位置測定および制御が可能となる。

なお、本明細書において、用語「干渉計測定ビームＩＭＢ」および「エンコーダ測定ビームＥＭＢ」は、干渉計内およびエンコーダ内それぞれの光学ビームを指しているが、干渉計およびエンコーダ内の特定ビームを具体的に指しているわけではない。例としては、干渉計において、ビームは、偏光ビームスプリッタＰＢＳによって、基準経路を進むビームと、ミラーＭＩに向かって測定経路を進みかつミラーＭＩ上で反射されるビームとに分離される。これらのビームは、検出器Ｄ２によって検出されるとき、再び一体となり干渉する。このような関係で、用語「干渉計測定ビームＩＭＢ」はこれら両方のビームを指している。同様に、エンコーダの場合、格子上で回折が起こり、その結果、１次およびマイナス１次回折ビーム（first and minus first order diffraction beams）が生じる。これらのビームは、エンコーダ検出器において再び一体となり、ビームの干渉が生じる結果となる。用語「エンコーダ測定ビームＥＭＢ」は、一般にこれら複数のビームを指すものであるので、これらのビームの中の特定の１つを具体的に指すものではない。測定ビームの波長は、必須ではないが５００〜８８０ｎｍ程度であれば望ましく、より好ましくは、実質的に７８０ｎｍおよび／または６３３ｎｍとすることができる。高安定光源および／または適切な格子、ビームスプリッタ、４分の１波長（λ）プレートなどが提供されても良い。複合入力ビームを備えた光源、または別個のエンコーダ測定ビームおよび干渉計測定ビームを備えた光源は、たとえば、検出ユニットを備えた一体型部品としても提供可能であるが、より離れた位置に配置されることも可能であり、導波路（waveguide）すなわち光ファイバなどの適切な光学系を介して各ビームが提供されても良い。

別個の格子Ｇ２および別個のミラーＭＩを使うことも可能であるが、格子Ｇ２およびミラーＭＩを組み合わせて、測定ユニットの動作範囲を大きくする、すなわち、複合光学ユニットＣＯＵに対する第２格子Ｇ２の移動範囲を大きくすることも可能である。一例として、格子Ｇ２とミラーＭＩとを組み合わせた場合、そのような複合型部分反射格子Ｇ２のサイズは複合光学ユニットＣＯＵのサイズより数倍大きくなり、そのため、提供されるＸ次元またはＸ、Ｙ平面内の動作範囲は共通光学ユニットの大きさより数倍大きくなる。そのような部分反射格子Ｇ２は、１次およびマイナス１次偏光に加えてある程度の０次反射が備わるような格子を配列させることによって達成することができる。当業者には明らかなとおり、この目的は、たとえば０次反射に対して１００％の消失が絶対に起こらないように格子のパターン内の光路長を変えることによって、回折格子Ｇ２の０次「漏れ」(“leakage”)を実現するように、回折格子Ｇ２を修正すれば達成することが可能である。この方法の第１例が図８ａに示されており、図中、距離ＧＤは、干渉計測定ビームの４分の１波長とわずかに異なっており、別の例が図８ｂに示されており、図中、幅Ｗ１は、幅Ｗ２とわずかに異なっており、同様の効果を達成するために、干渉計測定ビームのビーム幅がＷ１プラスＷ２の何倍かより大きくなる。図８ｂの例では、距離ＧＤは、必ずしも４分の１波長に等しくなる必要はない。なお、図８ａならびに図８ｂにおいて、２倍のＧＤに等しい光路長差もまた、当然に１．５波長、２．５波長などのオーダーであってよい。

図２ａに示されている実施態様においては、エンコーダ測定ビームを検出するエンコーダ検出器Ｄ１と、干渉計測定ビームを検出する干渉計検出器Ｄ２とを備えた単一検出器ユニットＤＥＴが備えられている。単一検出器ユニットは、Ｄ１およびＤ２の両検出器ならびに適切な信号処理装置を配置可能な単一プリント回路基板を備えていてもよい。このおかげで、この実施態様におけるエンコーダならびに干渉計用の両検出機構は、格子Ｇ２のずれが、エンコーダに関してはＸ方向へ、また干渉計に関してはＺ方向へ生じる場合に、それぞれの検出器信号の位相内の周期性に反映したビーム間の干渉を検出するので、測定ユニットを小型化できる。加えて、複合光学ユニットＣＯＵと干渉計検出器Ｄ２との間の干渉計ビームの光路内に、格子プレートＧＲＰを配置することも可能であり、その結果、干渉計検出器は勿論のこと、実質的に類似しているエンコーダ用検出機構も使用可能となる。

図２ａによる測定ユニットの別図を図６に示す。図６は、ＸおよびＹ軸によって形成される平面に沿って切断した部分断面側面図を示している。図はエンコーダ部分を示し、したがって、図２ａに示された図の左側から見た（部分断面）図として見ることができる。図６には、プリズムＰＲＩと一体化された格子Ｇ１を備えたプリズムＰＲＩ、検出器ユニットＤＥＴ、およびエンコーダ測定ビームＥＭＢが示されている。図６に示されているとおり、エンコーダ測定ビームＥＭＢは、第２格子Ｇ２によって回折され、したがって、格子Ｇ１によって再び回折される１次およびマイナス１次ビームが作り出され、こうして再びＺ軸に対して実質的に平行なビームをもたらすことになる。光路は、上述したとおり進む。１次および２次の、合計２回の回折をされたビームは、まずプリズムＰＲＩの中を通る経路を進み、エンコーダ検出器Ｄ１の一部を形成する検出器Ｄ１Ａ、Ｄ１Ｂに到達する。図６はさらに、たとえば、検出器ユニットＤＥＴと第１および第２検出器の検出器信号を処理するエレクトロニクスＥＬＥとを保持する金属フレームを有する取り付けインタフェースＭＩを示す。ここで適用されているような回折型エンコーダの動作については、前述の非特許文献１ならびに非特許文献２に詳細に記載されており、参照によりここに援用される。次に図２ａおよび２ｂへ戻ると、ここに示された実施態様において、干渉計測定ビームＩＭＢを偏向するためのコーナキューブＣＣは、図２ａにおける平面内で左へさらに寄った位置、つまり第１次元すなわちＸ次元に沿ってずれたミラーＭＩにおける第二の位置にて反射させるために、干渉計測定ビームを２回偏向するように構成されている。この構成はまた、格子Ｇ２の平面図が示されている図２ｂにも示されており、エンコーダ測定ビームＥＭＢは、プリズムＰＲＩによってエンコーダ測定ビームＥＭＢがＸ方向へ平行移動することによって、別々の位置で格子Ｇ２によって２回偏向され、また干渉計測定ビームＩＭＢは、コーナキューブＣＣによって格子Ｇ２で２回反射される。この例においては、単一入力ビームが使われており、したがって、エンコーダ測定ビームおよび干渉計測定ビームは、実質的にＸ軸に対して平行な想像線に沿った格子Ｇ２に到達していることを前提としている。図３ａおよび３ｂは、干渉計測定ビームが、格子Ｇ２のＹ次元方向に相互に異なる位置で（図３ｂに示されるとおり）２回反射されるように、コーナキューブＣＣが干渉計測定ビームを偏向させるという点で、図２ａおよび２ｂの図示を参照して記載された実施態様とは異なる測定ユニットの別の実施態様を示す。このため、実際的には、図３ａのコーナキューブＣＣは、図２ａに示されたようなコーナキューブに対して９０度「回転」している。その結果、格子Ｇ２上で反射される干渉計測定ビームＩＭＢ（図３ｂ参照）のパターンもまた、図２ｂに示されたようなパターンに対して９０度「回転」している。

さらなる事例を図４ａおよび４ｂに示す。ここでは、コーナキューブＣＣは、図３ａおよび図３ｂを参照して記載されたものと同じ方向を向いている。しかしながら、図４ａの好適例においては、エンコーダおよび干渉計のために別個の入力ビームが使われており、入力ビームは、Ｙ方向に相互に物理的に分離され、その結果、格子Ｇ２上での干渉計ビームおよびエンコーダ測定ビームの位置が図４ｂに示されたようになり、干渉計測定ビームが到達する格子Ｇ２の位置は、入力ビームがＹ方向へ物理的に分離されたために、図３ｂに示された地点に比べてＹ方向にずれている。

なお、図３ａならびに４ａに示された実施態様においては、コーナキューブの向き、したがって、コーナキューブによって偏向された干渉計測定ビームＩＭＢの向きによって、干渉計測定ビームが複合光学ユニットＣＯＵを離れる位置が結果的に異なることになる。図２ａにおいては、コーナキューブは、Ｘ軸に沿ってずれを与えるように干渉計測定ビームを２回反射させることができるように配置されており、したがって、検出器Ｄ２も図２ａ内の入力ビームＩＢの位置に対してＸ軸に沿った方向にずらされる。しかしながら、図３ａおよび４ａにおいては、コーナキューブは、干渉計測定ビームが効果的にＹ方向にずらされるように、干渉計測定ビームを２回反射させており、したがって、検出器Ｄ２もまた、干渉計の入射ビームＩＢに対してＹ方向に当然にずらされている。図４の場合も同様である。

図５は、複合光学ユニット、この特定事例においては、図３ａの図示を参照して記載した実施態様の複合光学ユニットの寸法比（proportional dimension）を示す。複合光学ユニットＣＯＵがＸ次元に２０の長さＬＥを有する場合、プリズムＰＲＩの側面とプリズムＰＲＩの中心との間の距離はＸ次元方向に５であってよく、これに対してプリズムの中心と偏光ビームスプリッタＰＢＳの中心との間の距離は１０であってよく、さらに複合光学ユニットＣＯＵの幅ＷＩ（したがって、ＣＯＵのＹ次元方向の全寸法）を２５とするとよい。図２および図５に示された実施態様に対する相対的な寸法もほぼ同様である。本発明の態様によれば、ここに示された寸法は、相対的な寸法であるだけでなくミリメートル寸法でもあり、したがって、実質的な実施態様での共通光学ユニットが２０ミリメートルの長さＬＥおよび２５ミリメートルの幅ＷＩであるようにしてもよい。

図７は、基板Ｗおよび測定ユニットＭ１、Ｍ２、およびＭ３を保持している基板テーブルＷＴの平面図を示す。測定ユニットＭ１、Ｍ２、およびＭ３は、図２ａ〜４ａの何れか一つに示された構造とすることができる。測定ユニットＭ１は、Ｙ方向およびＺ方向の位置を測定し、測定ユニットＭ２もまた、Ｙ方向およびＺ方向の位置を測定し、これに対して、測定ユニットＭ３は、Ｘ方向およびＺ方向の位置を測定する。次に、測定ユニットＭ１、Ｍ２、およびＭ３が一部を形成している測定システムは、測定ユニットＭ１、Ｍ２、およびＭ３の測定出力から基板テーブルＷＴの位置を導き出し、基板テーブルＷＴの位置を６自由度で測定することができる。３つの測定ユニットＭ１、Ｍ２、およびＭ３は、必須ではないが共通格子Ｇ２を用いても良く、さらに共通格子Ｇ２の大きさによって、Ｘ／Ｙ平面内の測定範囲を決めることもできる（格子Ｇ２は、Ｘ／Ｙ平面に対して実質的に平行である）。Ｍ１、Ｍ２、およびＭ３それぞれの干渉計は、Ｚ方向の位置を測定する一方、Ｍ１、Ｍ２、およびＭ３のエンコーダは、ＸかＹのどちらかの方向の位置を測定する。次に、Ｚ次元の基板テーブルの位置、ならびにＸ／Ｙ平面に対する回転は、Ｍ１、Ｍ２、およびＭ３の干渉計読取値から導き出すことができる。ＸおよびＹ次元の位置は、エンコーダ読取値Ｍ１、Ｍ２、およびＭ３から導き出すことができる。エンコーダ読取値Ｍ１およびＭ２を平均することによって、Ｙ方向の位置が得られる一方、エンコーダ読取値Ｍ１およびＭ２の間の差によって、図の平面内の回転が得られる。最終的にＭ３のエンコーダ読取値が、測定ユニットＭ１およびＭ２によって与えられる図平面内の回転を補正すると考えられるＸ次元の位置を提供する。したがって、たった３つの高集積コンパクト測定ユニットが使われ、さらにＸおよびＹ方向の移動範囲（この移動範囲は、図７には示されていないが、Ｘ／Ｙ平面内にあるグリッドＧ２のサイズによって決まる）が大きく、さらに測定ユニットＭ１、Ｍ２、およびＭ３の干渉計の動作範囲によってＺ方向の移動範囲が決まる高精度６自由度位置測定システムを提供することができる。しかしながら、通常、リソグラフィに応用したときの基板テーブルのＺ方向の移動範囲は、Ｘ、Ｙ各々の方向の移動距離より実質的に小さくなる。

ＩＣ製造においてリソグラフィ装置を使うための具体的で詳細な参考資料が本明細書中に記載されているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドといった他の用途にも適用可能であることは明らかである。当業者には当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使われている用語「ウェーハ」または「ダイ」はすべて、それぞれより一般的な用語「基板」または「ターゲット部分」と同義であると考えてよい。ここに記載された基板は、露光の前後に、たとえば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、露光されたレジストを成長させるツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能であれば、本明細書中の開示内容が、上記のような基板処理ツールおよびその他の基板処理ツールに適用されてもよい。さらに、基板は、たとえば、積層ＩＣを作るために、複数回処理されてもよいので、本明細書で使われる用語基板は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものであってもよい。

光学リソグラフィの分野での本発明の実施態様の使用について既に具体的に説明してきたが、言うまでもなく、本発明は、他の用途、たとえば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許せば、光学リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターン形成体内のトポグラフィ（topography）によって基板上に創出されたパターンが定義される。パターン形成体のトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中へとプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せを用いてレジストを硬化させることができる。パターン形成体は、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。

本明細書で使われている用語「放射線」および「ビーム」は、紫外線（ＵＶ）放射線（たとえば、約３６５、２４８、１９３、１５７、または１２６ｎｍの波長を有する）、および極端紫外線（ＥＵＶ）放射線（たとえば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、ならびにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射線を包含している。

用語「レンズ」は、状況が許すのであれば、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光学部品を含む、さまざまな種類の光学系のいずれか１つまたは組合せを指すことができる。

以上、本発明の具体的で詳細な実施態様を説明してきたが、本発明は、説明された方法以外の別の方法で実行することが可能であることが明らかである。たとえば、本発明は、前述の方法を記載した機械読取可能命令の１つ以上のシーケンスを包含するコンピュータプログラムの形式、またはそのようなコンピュータプログラムを記録したデータ記録媒体（たとえば、半導体メモリ、磁気または光学ディスク）を採用することもできる。

上記の説明は、本発明を限定するためではなく例示を目的としており、したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本明細書記載の発明に変更を加えることもできる。

本発明の実施態様によるリソグラフィ装置を示す図である。 本発明の実施態様による位置測定ユニットを示す図である。 本発明の実施態様による位置測定ユニットを示す図である。 本発明の別の実施態様による位置測定ユニットを示す図である。 本発明の別の実施態様による位置測定ユニットを示す図である。 本発明のさらに別の実施態様による位置測定ユニットを示す図である。 本発明のさらに別の実施態様による位置測定ユニットを示す図である。 本発明の実施態様による位置測定ユニットの複合光学ユニットの構成比示す図である。 本発明の実施態様による測定ユニットの一部の断面図を示す図である。 本発明の実施態様による測定システムを示す図である。 本発明の実施態様による測定ユニットの格子の概略断面図を示す図である。 本発明の実施態様による測定ユニットの格子の概略断面図を示す図である。

Claims (18)

1. 第１および第２次元内の位置を測定する測定ユニットであって、
   第１および第２回折格子上のエンコーダ測定ビームの回折によって、第１格子に対する第２格子の第１次元内の位置を測定する回折型エンコーダと、
   基準経路および測定経路のそれぞれを進む干渉計測定ビームの間の干渉によって、測定経路内のミラーの第２次元内の位置を測定する干渉計と、
   前記エンコーダ測定ビームならびに前記干渉計測定ビームを転送する複合光学ユニットと、
   前記エンコーダならびに前記干渉計用の単一の複合光源と、
   前記光源からの単一の入射ビームを受けるべく配置された入射ビームスプリッタと、を備え、
   前記入射ビームスプリッタは、前記入射ビームを前記エンコーダ測定ビームと前記干渉計測定ビームとに分割する、
   測定ユニット。
2. 前記光学ユニットは、前記エンコーダのプリズムおよび前記干渉計の偏光ビームスプリッタを有する、
   請求項１記載の測定ユニット。
3. 前記プリズムは、第１および第２格子によって形成された平面に対して実質的に４５度の角度をなす表面を有し、当該表面は前記干渉計測定ビームを前記偏光ビームスプリッタへ転送する、
   請求項２記載の測定ユニット。
4. 前記プリズムの表面は、前記干渉計の前記偏光ビームスプリッタの表面に対して実質的に平行である、
   請求項３記載の測定ユニット。
5. 前記干渉計は、ホモダイン干渉計である、
   請求項１記載の測定ユニット。
6. 前記入射ビームスプリッタは、前記エンコーダのプリズムの表面上に配置され、第１および第２格子によって形成された平面に対して実質的に４５度の角度をなしている、
   請求項１記載の測定ユニット。
7. 前記入射ビームスプリッタは、無偏光ビームスプリッタである、
   請求項１記載の測定ユニット。
8. 前記第１および第２回折格子の１つは、前記干渉計の前記ミラーを提供するために０次反射を有する、
   請求項１記載の測定ユニット。
9. 前記エンコーダ測定ビームを検出するエンコーダ検出器、および前記干渉計測定ビームを検出する干渉計検出器を有する単一検出器ユニットを備える、
   請求項１記載の測定ユニット。
10. 前記複合光学ユニットと前記干渉計検出器との間の干渉計ビームの光路内に配置された格子プレートを備える、
    請求項９記載の測定ユニット。
11. 前記単一検出器ユニットは、単一プリント回路基板を備える、
    請求項１０記載の測定ユニット。
12. 前記干渉計のコーナキューブは、第１次元に対して実質的に垂直な方向に前記干渉計測定ビームを偏向させるべく構成されている、
    請求項１記載の測定ユニット。
13. 前記干渉計のコーナキューブは、第１次元に対して実質的に平行な方向に前記干渉計測定ビームを偏向させるべく構成されている、
    請求項１記載の測定ユニット。
14. ６自由度で目標物の位置を測定する測定システムであって、請求項１記載の測定ユニットを３つ備える、
    測定システム。
15. ３つの前記測定ユニットは、表面に沿って配置されおり、３つの前記ユニットの干渉計のそれぞれは、当該表面に対して実質的に垂直な次元内でそれぞれのユニットの位置を測定し、エンコーダのそれぞれは、当該表面に対して実質的に平行な次元内の位置を測定する、
    請求項１４記載の測定システム。
16. ３つの前記測定ユニットは、共通の第２回折格子を備え、格子は、干渉計のミラーを設けるために０次反射を有する、
    請求項１５記載の測定システム。
17. 請求項１記載の測定ユニットを備えたリソグラフィ装置であって、
    前記測定ユニットは、基板テーブルの位置を測定するために基板テーブルに接続されている、
    リソグラフィ装置。
18. 請求項１記載の測定ユニットを備えたリソグラフィ装置であって、
    前記測定ユニットは、マスクテーブルの位置を測定するためにマスクテーブルに接続されている、
    リソグラフィ装置。