JP5403263B2 - 移動体装置、露光装置及びパターン形成装置、並びにデバイス製造方法 - Google Patents

移動体装置、露光装置及びパターン形成装置、並びにデバイス製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、移動体装置、露光装置及びパターン形成装置、並びにデバイス製造方法に係り、さらに詳しくは、所定平面に沿って少なくとも一軸方向に移動する移動体を備える移動体装置、該移動体装置を備える露光装置及びパターン形成装置、前記露光装置又は前記パターン形成装置を用いるデバイス製造方法に関する。
従来、半導体素子(集積回路等)、液晶表示素子等の電子デバイス(マイクロデバイス)を製造するに際し、リソグラフィ工程では、ステップ・アンド・リピート方式の縮小投影露光装置(いわゆるステッパ)、又はステップ・アンド・スキャン方式の縮小投影露光装置(いわゆるスキャニング・ステッパ(スキャナとも呼ばれる))などが比較的多く用いられている。
この種の露光装置では、ウエハ又はガラスプレートなどの基板(以下、「ウエハ」と総称する)上の複数のショット領域にレチクル(又はマスク)のパターンを転写するために、ウエハを保持するウエハステージが、例えばリニアモータ等により、二次元方向に駆動される。特に、スキャニング・ステッパの場合、ウエハステージだけでなくレチクルステージも、リニアモータ等により、走査方向に所定ストロークで駆動される。
ステージの位置計測には、従来、レーザ干渉計が一般的に用いられていたが、この他にエンコーダも用いられていた。ここで、ステージの位置計測にエンコーダを用いると、スケール固有の製造誤差、及びスケールの取り付けに起因する誤差(取り付け時の変形なども含む)などによって、装置固有の計測誤差が生じ易い。一方、レーザ干渉計は光の波長という物理量を用いるために一般には装置に寄らない絶対長さを得ることが出来るが、反面、レーザ干渉計のビーム路上の雰囲気の温度変化及び/又はや温度勾配の影響で発生する空気揺らぎなどによる計測誤差があり、ステージ位置決め精度を損なう。そこで、従来においても、エンコーダとレーザ干渉計とを相補的に用いるステージ装置が、提案されている(例えば特許文献1参照)。
エンコーダとレーザ干渉計とを相補的に用いる方法として、最も現実的(実際的)な方法として、非常に低速度でステージを駆動し、充分に時間を掛けて計測することによって干渉計の計測値を信頼できるものとし、その干渉計の計測値を用いてエンコーダ計測値の較正テーブルを作成し、実露光時にはエンコーダ計測値と較正テーブルだけを用いて露光を行うようにする方法が挙げられる。
しかるに、上記特許文献1に記載のエンコーダなどでは、リニアスケールを、ウエハステージ上のウエハ載置位置から(露光光が実際に照射される位置から)遠く離れた位置に設置する必要があったため、エンコーダとレーザ干渉計との計測点が離れ、ウエハステージの回転運動によるアッベの誤差、及びステージの局所的な変形などの影響をうけて正確な計測値を得ることが難しかった。
特開2004-101362号公報
本発明は、上述の事情の下でなされたものであり、第1の観点からすると、所定平面に沿って少なくとも一軸方向に移動する移動体と;前記一軸方向の第1光路を少なくとも一部に含む光路に沿って第1計測光が照射される前記移動体に設けられた移動格子と、該移動格子にて発生する回折光が照射される前記移動体外に設けられた前記一軸方向を周期方向とする固定格子と、前記第1計測光の光路を前記固定格子に向けて折り曲げる前記移動体の一部を構成する光学部材と、前記固定格子からの回折光を前記移動格子を介して受光する受光系と、を含み、前記移動体の前記一軸方向の位置情報を計測する第1計測装置と;前記第1光路に近接する又は重なる前記一軸方向の第2光路に沿って第2計測光を前記光学部材の一面に設けられた反射面に照射し、該反射面からの反射光を受光することによって、前記移動体の前記一軸方向の位置情報を計測する第2計測装置と;を備える第1の移動体装置である。
これによれば、第1、第2計測装置の測長軸同士が一致又は近接しているので、第1、第2の計測装置で計測される移動体の一軸方向の位置情報には、移動体の回転、あるいは局所的な変形などに起因する計測誤差が殆ど含まれなくなる。従って、例えば、非常に低速度で移動体を駆動し、その駆動中に第1、第2計測装置を用いて移動体の位置情報を計測すると、第2計測光が空気揺らぎの影響を殆ど受けないので、第2計測装置の計測値の信頼性が向上する。そして、第2計測装置の計測値を用いて第1計測装置の計測値の較正情報を作成することで、高精度な較正情報の作成が可能となる。また、第1及び第2計測装置は、移動体の一部を構成する共通の光学部材をそれぞれ含むので、第1計測装置と第2計測装置とが全く別々である場合に比べて、部品点数の削減が可能である。
本発明は、第2の観点からすると、所定平面に沿って少なくとも一軸方向に移動する移動体と;前記一軸方向の第1光路を少なくとも一部に含む光路に沿って第1計測光を前記移動体の一部を介して前記移動体外に設けられた前記一軸方向を周期方向とする固定格子に照射し、該固定格子からの回折光を前記移動体の一部を介して受光することによって、前記移動体の前記一軸方向の位置情報を計測する第1計測装置と;前記一軸方向の第2光路に沿って第2計測光を前記移動体の一部に照射し、該移動体からの前記第2計測光の戻り光を受光することによって、前記移動体の前記一軸方向の位置情報を計測する第2計測装置と;を備え、前記第1及び第2計測装置は、前記移動体の一部を構成する共通の光学部材をそれぞれ含む、第2の移動体装置である。
これによれば、第1及び第2計測装置は、移動体の一部を構成する共通の光学部材をそれぞれ含むので、移動体に送光される第1計測光の光路と、移動体に送光される第2計測光の光路とを、一致又は近接させることが可能となる。従って、第1、第2の計測装置で計測される移動体の一軸方向の位置情報には、移動体の回転、あるいは局所的な変形などに起因する計測誤差が殆ど含まれなくなる。また、第1計測装置と第2計測装置とが全く別々である場合に比べて、部品点数の削減が可能である。
本発明は、第3の観点からすると、所定平面に沿って少なくとも一軸方向に移動する移動体と;光学系を経由し前記移動体に向かう前記一軸方向の第1光路を含む光路に沿って第1計測光を、前記移動体に設けられた第1格子に前記移動体の一部を構成する第1光学部材を介して照射し、前記第1格子からの回折光を受光することによって、前記移動体の前記一軸方向の位置情報を計測する第1計測装置と;前記光学系の少なくとも一部の第2光学部材を経由した第2計測光を前記第1光路に平行な第2光路に沿って前記第1光学部材に照射し、該第1光学部材からの前記第2計測光の戻り光を受光することによって、前記移動体の前記一軸方向の位置情報を計測する第2計測装置と;を備える第3の移動体装置である。
これによれば、第1計測光及び第2計測光は、光学系を構成する少なくとも一部の第2光学部材(共通の光学部材)をそれぞれ経由して、一軸方向の第1光路、第2光路に沿って移動体に送光される。従って、第1光路と第2光路とを、一致又は近接させることが可能となる。従って、第1、第2の計測装置で計測される移動体の一軸方向の位置情報には、移動体の回転、あるいは局所的な変形などに起因する計測誤差が殆ど含まれなくなる。また、第1及び第2計測装置は、移動体の一部を構成する共通の第1光学部材をそれぞれ含む。従って、第1計測装置と第2計測装置とが全く別々である場合に比べて、部品点数の削減が可能である。
本発明は、第4の観点からすると、エネルギビームを照射して物体上にパターンを形成する露光装置であって、前記パターンを形成するために、前記物体を保持する移動体を所定平面に沿って駆動する、本発明の第1ないし第3の移動体装置のいずれかを備える露光装置である。
これによれば、エネルギビームを照射して物体上にパターンを形成するために、本発明の第1ないし第3の移動体装置のいずれかにより、物体を保持する移動体が所定平面に沿って駆動される。これにより、精度良く、物体上にパターンを形成することが可能になる。
本発明は、第5の観点からすると、物体にパターンを形成するパターン形成装置であって、前記物体を保持して移動可能な移動体と;前記物体上にパターンを形成するパターン生成装置と;前記移動体を所定平面内で駆動する、本発明の第1ないし第3の移動体装置のいずれかと;を備えるパターン形成装置である。
これによれば、物体上にパターンを形成するために、本発明の第1ないし第3の移動体装置のいずれかにより、物体を保持する移動体が所定平面に沿って駆動される。これにより、精度良く、物体上にパターンを形成することが可能になる。
本発明は、第6の観点からすると、本発明の露光装置を用いて、物体上にパターンを形成する工程と;前記パターンが形成された前記物体に処理を施す工程と;を含む第1のデバイス製造方法である。
本発明は、第7の観点からすると、本発明のパターン形成装置を用いて、物体上にパターンを形成する工程と;前記パターンが形成された前記物体に処理を施す工程と;を含む第2のデバイス製造方法である。
第1の実施形態の露光装置の構成を概略的に示す図である。 図2(A)及び図2(B)は、図1のY位置計測系の構成を説明するための図である。 第1の実施形態に係る露光装置の制御系の主要な構成を示すブロック図である。 図4(A)及び図4(B)は、第1の実施形態の変形例を説明するための図である。 図5(A)及び図5(B)は、第2の実施形態の露光装置が備える位置計測系の構成を説明するための図である。 図6(A)及び図6(B)は、第2の実施形態の変形例を説明するための図である。
《第1の実施形態》
以下、本発明の第1の実施形態を、図1〜図3に基づいて説明する。
図1には、第1の実施形態の露光装置100の構成が概略的に示されている。露光装置100は、ステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置、いわゆるスキャナである。後述するように、本実施形態では投影光学系PLが設けられており、以下においては、投影光学系PLの光軸AXと平行な方向をZ軸方向、これに直交する面内でレチクルRとウエハWとが露光のため相対走査される方向をY軸方向、Z軸及びY軸に直交する方向をX軸方向とし、X軸、Y軸、及びZ軸回りの回転(傾斜)方向をそれぞれθx、θy、及びθz方向として説明を行う。
露光装置100は、照明ユニットIOP、レチクルステージRST、投影光学系PL、ウエハWを保持してXY平面内で二次元移動するウエハステージWSTを含むステージ装置50、及びこれらの制御系等を、備えている。
照明ユニットIOPは、例えば米国特許出願公開第2003/0025890号明細書などに開示されるように、光源と、オプティカルインテグレータ等を含む照度均一化光学系、及びレチクルブラインド等(いずれも不図示)を有する照明光学系と、を含む。照明系10は、レチクルブラインド(マスキングシステム)で規定されたレチクルR上のスリット状の照明領域IARを、照明光(露光光)ILによりほぼ均一な照度で照明する。ここで、照明光ILとして、一例として、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)が用いられている。
レチクルステージRST上には、そのパターン面(図1における下面)に回路パターンなどが形成されたレチクルRが、例えば真空吸着により固定されている。レチクルステージRSTは、例えばリニアモータ等を含むレチクルステージ駆動系11(図1では不図示、図3参照)によって、XY平面内で微小駆動可能であるとともに、走査方向(図1における紙面内左右方向であるY軸方向)に所定の走査速度で駆動可能となっている。
レチクルステージRSTのXY平面内の位置情報(θz方向の回転情報を含む)は、レチクルレーザ干渉計(以下、「レチクル干渉計」という)116によって、移動鏡15(実際には、Y軸方向に直交する反射面を有するY移動鏡(あるいは、レトロリフレクタ)とX軸方向に直交する反射面を有するX移動鏡とが設けられている)を介して、例えば0.25nm程度の分解能で常時検出される。レチクル干渉計116の計測情報は、制御装置50(図1では不図示、図3参照)に送られる。
投影光学系PLとしては、例えば、Z軸方向の共通の光軸AXを有する複数のレンズ(レンズエレメント)から成る屈折光学系が用いられている。この投影光学系PLは、例えば、両側テレセントリックで所定の投影倍率(例えば1/4あるいは1/5)を有する。このため、照明ユニットIOPからの照明光ILによってレチクルR上の照明領域IARが照明されると、投影光学系PLの第1面(物体面)とパターン面がほぼ一致して配置されるレチクルRを通過した照明光ILにより、投影光学系PL(投影ユニットPU)を介してその照明領域IAR内のレチクルRの回路パターンの縮小像(回路パターンの一部の縮小像)が、投影光学系PLの第2面(像面)側に配置される、表面にレジスト(感応剤)が塗布されたウエハW上の前記照明領域IARに共役な領域(以下、露光領域とも呼ぶ)IAに形成される。そして、レチクルステージRSTとウエハステージWSTとの同期駆動によって、照明領域IAR(照明光IL)に対してレチクルRを走査方向(Y軸方向)に相対移動させるとともに、露光領域(照明光IL)に対してウエハWを走査方向(Y軸方向)に相対移動させることで、ウエハW上の1つのショット領域(区画領域)の走査露光が行われ、そのショット領域にレチクルRのパターンが転写される。すなわち、本実施形態では照明系10、レチクルR及び投影光学系PLによってウエハW上にパターンが生成され、照明光ILによるウエハW上の感応層(レジスト層)の露光によってウエハW上にそのパターンが形成される。
投影光学系PLの近傍には、オフアクシス方式のアライメント系ALGが設けられている。アライメント系ALGとしては、例えば画像処理方式のセンサを用いることができ、画像処理方式のセンサは、例えば米国特許第5,493,403号明細書などに開示されている。アライメント系ALGによる検出結果は、制御装置50に送られる。
ステージ装置50は、不図示のウエハホルダを介してウエハWを保持するウエハステージWST、及びウエハステージWSTを駆動するウエハステージ駆動系124等を備えている。ウエハステージWSTは、投影光学系PLの図1における下方に配置され、その底面に設けられた気体静圧軸受、例えばエアベアリングによって、不図示のベースの上方に非接触で支持されている。ウエハステージWSTは、例えばリニアモータ及びボイスコイルモータなどを含むウエハステージ駆動系124によってX軸方向及びY軸方向に所定ストロークで駆動されるとともに、XY平面に直交するZ軸方向及び回転方向、θx方向、θy方向及びθz方向に微小駆動される。
なお、本実施形態では、上述のように、ウエハステージWSTが6自由度で駆動可能な単一のステージであるものとしたが、これに限らず、XY平面内で自在に移動可能なXYステージと、XYステージ上でZ,θx,θyの3自由度方向で駆動されるテーブルとによってウエハステージWSTを構成しても良い。
ウエハステージWSTの位置情報は、位置計測系200(図3参照)によって、常時検出され、制御装置50に送られる。位置計測系200は、Y計測系20Y(図1参照)と、X計測系20Xとを備えている。
Y計測系20Yは、図2(A)に示されるように、光源LDからのレーザ光BYが、ビームスプリッタBSで分岐されてそれぞれ入射されるYエンコーダユニット28Yと、Y干渉計ユニット26Yと、を含む。
光源LDは、コヒーレントな光、例えば波長λ(=850nm)のレーザ光(以下、適宜、光と略述する)BYを所定の光路、例えばX軸に平行な光路に沿って射出する。光BYは、ビームスプリッタBSにより、2つの光、すなわち光BYと光BYとに分割される。2つの光BY,BYは、それぞれ、Y干渉計ユニット(以下、適宜、Y干渉計と略述する)26Y、Yエンコーダユニット(以下、適宜、Yエンコーダと略述する)28Yに、供給される。
Y干渉計26Yとして、本実施形態では、測定パスを2つ有するダブルパス方式の干渉計が用いられている。図2(A)には、Y軸に平行な第1測定パスを通る測長ビーム(計測光)が符号B1で、Y軸に平行な第2測定パスを通る計測光が符号B2で、それぞれ示されている。Y干渉計26Yでは、第1測定パスを通って計測光B1がウエハステージWSTに設けられたXZ平面に平行な反射面36Yに垂直に照射され、この計測光B1の反射光が、Y干渉計26Yの内部のコーナーキューブにより光路を折り返され、第2測定パスを通る計測光B2となって、反射面36Yに垂直に再度照射される。そして、この計測光B2の反射光が、Y干渉計26Y内部で発生した参照光と同軸に合成されてディテクタに入射する。ディテクタで受光された合成光の強度が、Y干渉計26Yが備える計測ユニット(不図示)で計測される。
合成光の強度は、Y干渉計ユニット26Yと反射面36Yとの間のY軸方向に関する相対変位に対して、正弦的に変化する。そこで、Y干渉計ユニット26Yは、合成光の強度変化から、相対変位を求める。
その相対変位の情報(計測結果)は、制御装置50に送信される。制御装置50は、受信した計測結果から、ウエハステージWSTのY軸方向に関する基準位置からの変位、すなわちY軸方向の位置(Y位置)を算出する。
Yエンコーダ28Yとしては、本実施形態では、回折干渉方式のエンコーダが用いられている。Yエンコーダ28Yに供給された光BYは、Yエンコーダ28Yの筐体内部で折り曲げミラー(不図示)により光路が+Y方向に折り曲げられ、計測光(計測ビーム)BEとして、ウエハステージWSTに向けて送光される。
計測光BEの光路は、投影光学系PLの光軸AXに直交する、X軸に平行な軸に一致している。すなわち、Yエンコーダ28Yの測長軸は、投影光学系PLの光軸AXを通る。
計測光BEの光路、すなわちYエンコーダ28Yの測長軸を基準として、平面視でX軸方向に等距離隔てて、かつZ軸方向に所定距離隔てて、前述のY干渉計26Yの2つの計測光B1,B2の光路(第1測定パス、第2測定パス)が配置されている。すなわち、Y干渉計26YのY軸方向に関する実施的な測長軸は、Yエンコーダ28Yの測長軸に一致している。この場合、計測光BEの光路と計測光B1,B2の光路とのZ軸方向の離間距離は、可能な限り短くなるように、設定されている。
図2(A)に示されるように、ウエハステージWSTの−Y側の側面には、X軸方向を長手方向とする四角柱状の光学部材30Yが一体的に固定されている。光学部材30Yは、図2(B)の断面図に示されるように、その2面が、該光学部材30Yの−Y側端面の一部、及び上面の一部をそれぞれ構成する状態で配設されたペンタプリズム(以下、適宜、プリズムと略述する)32と、該ペンタプリズム32を保持する保持部材34とを有している。この場合、プリズム32の+Z側の面と保持部材34の+Z側の面とは、同一面となっている。同様に、プリズム32の−Y側の面と保持部材34の−Y側の面とは、同一面となっている。この場合、プリズム32の保持部材34との境界面には、図2(B)に示されるような反射面32a,32b等がそれぞれ形成されている。
プリズム32の+Z側の面には、Y軸方向を周期方向とする透過型の回折格子から成る移動格子37Yが設けられている。移動格子37YのX軸方向の長さは、プリズム32のX軸方向の長さにほぼ等しい。
移動格子37Yに対向して、固定格子38YがXY平面に平行に配置されている。固定格子38Yは、例えば、投影光学系PLを支持する不図示の支持定盤の下面に固定されている。ここで、固定格子38Yは、一面(−Z側の面)にY軸方向を周期方向とする反射型の回折格子が形成されたY軸方向を長手方向とするプレートから成る。ここで、固定格子38YのY軸方向の長さは、ウエハステージWSTのY軸方向の移動ストロークをカバーするように設定されている。
計測光BEは、図2(B)に示されるように、プリズム32の−Y側の面(すなわち光学部材30Yの−Y側の面の上半部)に対して垂直に照射される。計測光BEは、プリズム32の−Y側の面を透過してプリズム32内部に入射し、反射面32a,32bで順次反射されて、光路が+Z方向に折り曲げられ、プリズム32の+Z側の面を透過して、外部へ射出される。ここで、ペンタプリズムは、定偏角プリズムの一種であり、入射光と射出光とは、プリズムの傾斜に関係なく、常に所定の位置関係、ここでは直交する関係を保つ。従って、プリズム32(プリズム32が固定されたウエハステージWST)が傾斜しても、Y軸に平行に入射した計測光BEは必ずZ軸に平行に射出される。また、反対に、プリズム32の+Z側の面よりZ軸に平行に入射する光は、反射面32b,32aを順次介して−Y方向に光路が折り曲げられ、プリズム32の−Y側の面を透過して、外部に射出力される。
計測光BEが、前述の如くプリズム32を介して、下方(−Z方向)から移動格子37Yに垂直に照射されると、YZ平面内で回折角の異なる複数の回折光が移動格子37Yから発生する。図2(A)及び図2(B)では、それら複数の回折光のうち+1次回折光BE、及び−1次回折光BEが図示されている。
移動格子37Yにて発生した回折光BE,BEは、固定格子38Yに照射される。これにより、固定格子38Yで、再度、YZ平面内で回折角の異なる複数の回折光が発生する。この場合、移動格子37Yにて発生した+1次回折光BEの−1次回折光、及び移動格子37Yにて発生した−1次回折光BEの+1次回折光が、それぞれ元の回折光の光路に沿って移動格子37Yに照射される。
固定格子38Yからの上記±1次回折光は、移動格子37Yを介して、同軸に集光(合成)される。合成光は、プリズム32を介してその光路が−Y方向に折り曲げられ、Yエンコーダ28Yの筐体内部のディテクタ(不図示)によって受光される。ディテクタで受光された合成光の強度が、不図示の計測ユニットにより計測される。
ここで、合成光の強度は、固定格子38Yにて発生する回折光が互いに干渉することにより、移動格子37Yと固定格子38Yとの間のY軸方向に関する相対変位に対して、正弦的に変化する。そこで、計測ユニットは、合成光の強度変化から回折光の位相差を検出し、その位相差から移動格子37Yと固定格子38Yとの間のY軸方向に関する相対変位を求める。
その相対変位の情報(計測結果)は、制御装置50に送信される。制御装置50は、受信した計測結果から、ウエハステージWSTのY軸方向に関する基準位置からの変位、すなわちY軸方向の位置(Y位置)を算出する。
Yエンコーダ28Yは、干渉計のように、ウエハステージWSTから戻ってくる計測光を別に用意した参照光と合成して、その合成光の強度を計測するのではなく、固定格子38Yにて発生する回折光を移動格子37Yを介して合成し、その合成光の強度を計測するものである。すなわち、計測光は、エンコーダの筐体内で合成されるのではなく、ウエハステージWST側で合成される。従って、合成済みの計測光が、ウエハステージWSTからYエンコーダ28Yに戻る間に、空気揺らぎを受けたとしても、合成光の強度変化より検出される2つの回折光の間の位相差は変化しない。従って、Yエンコーダ28Yは、ウエハステージWSTがYエンコーダヘッド28Yから離れても、空気揺らぎの影響を受け難い。従って、Yエンコーダヘッド28Yを用いることにより高精度なウエハステージWSTの位置計測が可能となる。
この場合において、移動格子37Yにて発生する回折光の回折角は、計測光BEの波長と移動格子37Yのピッチとによって決まる。同様に、固定格子38Yにて発生する回折光の回折角は、計測光BEの波長と固定格子38Yのピッチとによって決まる。従って、固定格子38Yにて発生する回折光が移動格子37Yを介して1つの光軸上に集光されるように、計測光BEの波長と、移動格子37Yのピッチと、固定格子38Yのピッチと、に応じて、移動格子37Yと固定格子38YとのZ軸方向の位置関係を適切に設定する必要がある。
なお、上では、移動格子37Yと固定格子38Yとで発生する複数の回折光のうち±1次回折光を用いる場合について説明したが、これに限らず、零次以外であれば任意の次数(±2次、±3次、…)の回折光を用いることとしても良い。この場合においても、固定格子38Yにて発生する回折光が、移動格子37Yを介して1つの光軸上に集光されるように、移動格子37Yと固定格子38YとのZ軸方向の位置関係を適切に設定する必要がある。
説明が前後するが、前述のY干渉計26Yからの計測光B1,B2が垂直に照射される反射面36Yは、図2(A)及び図2(B)に示されるように、光学部材30Yの−Y側の面の一部、より詳細には、光学部材30Yの−Y側の面の下半部を構成する保持部材34の−Y側の端面に形成されている。ここで、反射面36YのX軸方向の長さは、プリズム30YのX軸方向の長さにほぼ等しく、Z軸方向の幅は、ウエハステージWSTのZ軸方向の移動ストロークをカバーするように設定されている。
本実施形態では、Yエンコーダ28YとウエハステージWSTに固定された光学部材30Yとの間の計測光BEの光路長に対して、光学部材30Yと固定格子38Yとの間の光路長は、十分短くなっている。そして、前述のように、Y干渉計26YのY軸方向に関する実質的な測長軸は、Yエンコーダ28Yの測長軸(計測光BEの光路)に一致している。
上述の構成により、Y計測系20Yは、実質的に、共通の測長軸を有する2つの計測装置(Y干渉計26YとYエンコーダ28Y)を、備えていることになる。そのため、各格子に製造誤差、取り付け誤差、及び経時的な変形などがなく、かつ空気揺らぎによる誤差がなければ、Y干渉計26YとYエンコーダ28Yとで、ウエハステージWSTの回転・傾斜によるアッベ誤差、計測ビーム(計測光)の照射面の局所的な変形に伴う誤差等による、固有の計測誤差が解消される。換言すれば、格子に起因するエンコーダの計測誤差、及び空気揺らぎに起因する計測誤差が発生しなければ、Y干渉計26YとYエンコーダ28Yとで、等しい計測結果が得られることになる。
X位置計測系20Xは、ウエハステージWSTの+X側又は−X側に配置され、図3に示されるように、X干渉計26X、及びXエンコーダ28Xを含む。X位置計測系20Xは、上述したY位置計測系20Yと同様に構成されている。従って、ウエハステージWSTの+X側又は−X側の面には、光学部材30Yと同様に構成された光学部材(便宜上30Xとする)が固定されている。すなわち、本実施形態では、ウエハステージWSTと光学部材30Yと30Xとによって移動体が構成されている。本実施形態では、この移動体を、適宜、ウエハステージWSTと呼んでいる。後述する第2の実施形態においても同様である。また、X位置計測系20Xの実質的な測長軸は、投影光学系PLの光軸に直交する、X軸に平行な軸となっている。
ウエハステージWSTのY位置を計測する位置計測系として、Y計測系20Yを導入することにより、Y干渉計26YとYエンコーダ28Yとを相補的に用いるウエハステージWSTのY位置の計測が可能になる。また、ウエハステージWSTのX位置を計測する位置計測系として、X計測系20Xを導入することにより、X干渉計26XとXエンコーダ28Xとを相補的に用いるウエハステージWSTのX位置の計測が可能になる。
図3には、露光装置100の制御系の主要な構成が示されている。この制御系は、装置全体を統括的に制御するマイクロコンピュータ(又はワークステーション)から成る制御装置50を中心として構成されている。
上述のように構成された本実施形態の露光装置100では、移動格子37Y及び固定格子38Yに起因するYエンコーダ28Yの計測誤差を較正するための較正データを、次のようにして、露光処理の開始に先立って、予め作成する。すなわち、制御装置50は、オペレータの指示に応じ、計測光B1,B2が空気揺らぎの影響を受けない程度の速度(低速度)で、Y干渉計26Yの計測値に基づいてウエハステージWSTをY軸方向に駆動しつつ、Yエンコーダ28Y及びY干渉計26Yの計測値を、所定のサンプリング間隔で同時に取り込む。そして、制御装置50は、取り込んだサンプリングデータを用いて、Yエンコーダ28Yの計測値を較正(補正)するための較正情報を算出し、メモリに記憶する。較正情報は、関数の形式でも、マップデータの形式でも良い。制御装置50は、同様にして、Xエンコーダ28Xの計測値を較正(補正)するための較正情報を算出し、メモリに記憶する。
本実施形態の露光装置100では、通常のスキャナと同様の手順で、制御装置50の指示の下、レチクルアライメント及びウエハアライメント系ALGのベースライン計測、並びにEGA等のウエハアライメントが行われる。そして、ウエハアライメント結果に基づいて、ステップ・アンド・スキャン方式の露光処理動作が行われ、レチクルRのパターンがウエハW上の複数のショット領域にそれぞれ転写される。この露光処理動作は、ウエハWの次のショット領域の露光のために加速開始位置にウエハWを保持するウエハステージWSTを移動させるショット間ステッピング動作と、前述の走査露光動作とを交互に繰り返すことで行われる。
制御装置50は、上記の露光処理動作に際し、Yエンコーダ28Yを用いてウエハステージWSTのY位置を計測し、その計測結果を先に作成した較正情報を用いて較正(補正)するとともに、Xエンコーダ28Xを用いてウエハステージWSTのX位置を計測し、その計測結果を先に作成した較正情報を用いて較正(補正)する。そして、較正後のエンコーダ28Y、28Xの計測値に基づいて、ウエハステージWSTを駆動制御する。これにより、安定かつ高精度なウエハステージWSTの駆動制御が可能となる。
なお、例えば、移動格子37Y上に異物が付着し、計測光BE(回折光BE,BE)が遮られて、Yエンコーダ28YによるウエハステージWSTの位置の計測が不能となるような異常が発生し得る。その様な異常が発生した際には、本実施形態では、制御装置50が、直ちにY干渉計26Yの計測値に基づいて、ウエハステージWSTを駆動制御するように、制御方式を切り換えることも可能である。すなわち、通常時は、計測精度に優れるYエンコーダ28Yを使用し、Yエンコーダ28Yの異常時には、安定性に優れるY干渉計26Yを使用する、ハイブリッド方式の位置計測を行う。これにより、安定かつ高精度なウエハステージWSTの駆動制御が可能となる。
以上説明したように、本実施形態の露光装置100によると、Y計測系20Yを構成する、Y干渉計26YとYエンコーダ28Yとの、Y軸方向に関する測長軸同士が実質的に一致している。このため、Y干渉計26Y及びYエンコーダ28Yでそれぞれ計測されるウエハステージWSTのY軸方向の位置情報には、ウエハステージWSTのθz回転、あるいは局所的な変形などに起因する相互間の計測誤差が殆ど含まれなくなる。従って、前述の如く、低速度でウエハステージWSTを駆動し、その駆動中にY干渉計26YとYエンコーダ28Yとを用いてウエハステージWSTの位置情報を計測すると、Y干渉計26Yの測長ビームB1,B2が空気揺らぎの影響を殆ど受けないので、Y干渉計26Yの計測値の信頼性が向上する。そして、このY干渉計26Yの計測値を用いてYエンコーダ28Yの計測値の較正情報を作成することで、高精度な較正情報の作成が可能となる。
また、本実施形態の露光装置100によると、上記と同様の理由により、X干渉計26X及びXエンコーダ28Xでそれぞれ計測されるウエハステージWSTのX軸方向の位置情報には、ウエハステージWSTのθz回転、あるいは局所的な変形などに起因する相互間の計測誤差が殆ど含まれなくなる。また、前述と同様にして、X干渉計26Xの計測値を用いてXエンコーダ28Xの計測値の較正情報を作成することで、高精度な較正情報の作成が可能となる。
そして、露光処理動作に際しては、Yエンコーダ28Yの計測値と先に作成した較正情報、並びにXエンコーダ28Yの計測値と先に作成した較正情報とに基づいて、ウエハステージWSTをXY2次元方向に駆動制御する。これにより、空気揺らぎの影響を受けることがなく、かつ移動格子37Yと固定格子38Yに起因する計測誤差による影響がない、高精度なウエハステージWSTの駆動制御が可能になる。また、本実施形態では、Yエンコーダ28Y及びXエンコーダ28Xの測長軸がいずれも投影光学系PLの光軸を通るので、露光時などに、いわゆるアッベ誤差のない高精度なウエハステージWSTをXY2次元方向の位置計測、ひいては位置制御が可能になる。
従って、本実施形態の露光装置100によると、ウエハW上の複数のショット領域にレチクルRのパターンを精度良く転写することが可能になる。
なお、上記実施形態では、移動格子37Yが、プリズム32の上面(+Z側の面)に配置された場合について説明したが、これに限らず、例えば図4(A)及び図4(B)に示されるように、移動格子37Yを、プリズム32の−Y側の面に配置しても良い。ただし、この場合の移動格子37Yは、固定格子38Yの周期方向に対応するZ軸方向を、その周期方向とする。この場合、計測光BEが照射されて移動格子37Yにて発生する±1次回折光BE,BEは、プリズム32の反射面32a,32bを順次介して、+Z方向に光路が折り曲げられ、固定格子38Yに照射される。これにより、固定格子38Yにて複数の回折光が発生するが、そのうち、移動格子37Yにて発生した+1次回折光BEの−1次回折光、及び移動格子37Yにて発生した−1次回折光BEの+1次回折光が、それぞれ元の回折光の光路を辿って、反射面32b,32aを順次経由して−Y方向に光路が折り曲げられ、移動格子37Yを介して同軸上に合成され、不図示のディテクタに入射する。
移動格子37Yは、上述の光学部材30Yの+Z側の面、及び−Y側の面に限らず、計測光BEの光路上であって、かつウエハステージWSTに固定された部材(又はウエハステージWSTの一部)に配置するのであれば、その配置場所は任意に定めることができる。例えば、プリズム32の反射面32a,32bの一方を反射型の回折格子とし、該回折格子を移動格子37Yとして使用しても良い。ただし、回折格子の周期方向は、固定格子38Yの周期方向に対応する方向とする。いずれの構成においても、前述した実施形態の構成と同等の効果を得ることができる。
なお、上記実施形態及び変形例では、単一の光源LDを、Y干渉計26YとYエンコーダ28Yとで兼用する場合を例示したが、2つの光源を設け、それぞれを用いて、Y干渉計26YとYエンコーダ28Yに、光を供給しても良い。また、2つの光源のそれぞれを、Y干渉計26Y、Yエンコーダ28Yそれぞれの筐体の内部に収容しても良い。
《第2の実施形態》
次に、本発明の第2の実施形態を、図5(A)及び図5(B)に基づいて説明する。ここで、前述した第1の実施形態と同一若しくは同等の構成部分については、同一の符号を用いるとともに、その説明を簡略化し若しくは省略するものとする。本第2の実施形態の露光装置は、第1の実施形態の露光装置と比べて、ウエハステージWSTの位置を計測する位置計測系の構成が相違するのみである。そこで、以下では重複説明を避けるべく、相違点を中心として説明する。
本第2の実施形態では、図5(A)に示されるように、前述の第1の実施形態のY計測系20Yに代えて、Y計測系としてY計測ユニット(以下、適宜、ユニットと略述する)20Y’が設けられている。Y計測ユニット20Y’には、光源LDからのレーザ光BYがX軸に平行な光路に沿って入射されている。ただし、本第2の実施形態では、光源LDとして、ゼーマン効果を利用した2周波レーザ(He−Neガスレーザ)が用いられている。この光源は、周波数安定化されたもので、ゼーマン効果を用いて2〜3MHzだけ振動数が異なり(従って波長が異なり)、かつ、偏光方向が互いに直交する2つの偏向成分を含むガウス分布の円形ビームから成るレーザビームを射出する。
Y計測ユニット20Y’に入射した光BYは、ユニット20Y’内部で光路が+Y方向に折り曲げられ、計測光B0として、ウエハステージWSTに固定された光学部材30Yの反射面36Y’に垂直に照射される。なお、計測光B0の光路(光軸)は、投影光学系PLの光軸AXに直交するように設定されている。
光学部材30Yは、図5(A)及び図5(B)に示されるように、第1の実施形態と同様に構成されている。ただし、本第2の実施形態では、反射面36Y’が、プリズム32の−Y端面に形成されている。また、反射面36Y’は、偏光分離膜(又は半透過膜)から成り、入射光を偏光分離(又は二分割)する。反射面36Y’のX軸方向の長さは、光学部材30YのX軸方向の長さにほぼ等しい。
Y計測ユニット20Y’から射出される計測光B0が、光学部材30Yに設けられた反射面36Y’に垂直に照射されると、反射面36Y’で偏光分離される。反射面36Y’を透過した光BEが、第1の実施形態におけるYエンコーダ28Yの計測光BEと同じ役割を果たす。すなわち、光BEは、プリズム32の2つの反射面32a,32bを順次経由して+Z方向に光路がり曲げられ、移動格子37Yに照射される。これにより、YZ平面内で回折角の異なる複数の回折光が発生する。図5(A)及び図5(B)では、それら複数の回折光のうち+1次回折光BE、及び−1次回折光BEが図示されている。
移動格子37Yにて発生した回折光BE,BEは、固定格子38Yに照射される。これにより、固定格子38Yで、再度、YZ平面内で回折角の異なる複数の回折光が発生する。この場合、移動格子37Yにて発生した+1次回折光BEの−1次回折光、及び移動格子37Yにて発生した−1次回折光BEの+1次回折光が、それぞれ元の回折光の光路に沿って移動格子37Yに照射される。
固定格子38Yからの上記±1次回折光は、移動格子37Yを介して、同軸上に集光(合成)される。合成光は、プリズム32を介してその光路が−Y方向に折り曲げられ、反射面36Y’に照射される。そして、合成光は、反射面36Y’を透過することにより、反射面36Y’で反射した計測光B0とさらに合成されて、Y計測ユニット20Y’の筐体内部のディテクタによって受光される。ディテクタによって受光された合成光(以下、識別のため、第1の合成光と呼ぶ)の強度と位相が、不図示の計測ユニットにより計測される。この場合、計測ユニットは、第1の合成光の位相と、ユニット20Y’内で生成される参照光との位相とを比較し、第1の合成光の位相と参照光の位相との差から、ユニット20Y’と反射面36Y’との第1相対変位を検出する。なお、ヘテロダイン検波方式を採用することにより、固定格子38Yからの±1次回折光の合成光(以下、識別のため、第2の合成光と呼ぶ)と参照光との位相差から分離して、反射面36Yからの反射光と参照光との位相差を検出することができる。
一方、第1の合成光の強度は、固定格子38Yにて発生する±1次回折光が互いに干渉することにより、移動格子37Yと固定格子38Yとの間のY軸方向に関する相対変位に対して、正弦的に変化する。そこで、計測ユニットは、第1の合成光の強度変化から、±1次回折光の互いの位相差を検出し、その位相差から移動格子37Yと固定格子38Yとの第2相対変位を求める。
第1、第2相対変位の計測結果は、制御装置50に送られる。制御装置50は、第1、第2相対変位の計測結果のそれぞれから、ウエハステージWSTのY軸方向に関する基準位置からの変位、すなわちY軸方向の位置(Y位置)を算出する。
なお、Y計測ユニット20Y’の計測原理から明らかなように、Y計測ユニット20Y’は、干渉計部とエンコーダ部とを一体的に備えた計測装置である。ここで、第1、第2相対変位の計測結果が、それぞれ干渉計部とエンコーダ部の計測結果に対応する。
Y計測ユニット20Y’のエンコーダ部は、固定格子38Yにて発生した回折光をウエハステージWST側で合成し、その合成光をディテクタで受光するので、合成光がウエハステージWSTからディテクタに戻る間に空気揺らぎを受けたとしても、計測誤差は発生しない。従って、Y計測ユニット20Y’のエンコーダ部は、ウエハステージWSTがY計測ユニット20Y’から離れても、空気揺らぎの影響を受け難い。従って、Y計測ユニット20Y’のエンコーダ部を用いることにより高精度なウエハステージWSTのY位置の計測が可能となる。
なお、上では、移動格子37Yと固定格子38Yとで発生する複数の回折光のうち±1次回折光を用いることとしたが、零次以外であれば任意の次数(±2次、±3次、…)の回折光を用いることとしても良い。この場合においても、固定格子38Yにて発生する回折光が、移動格子37Yを介して1つの光軸上に集光されるように、移動格子37Yと固定格子38YとのZ軸方向の位置関係を適切に設定する必要がある。
本第2の実施形態では、Y計測ユニット20Y’とウエハステージWSTに固定された光学部材30Yとの間の計測光B0の光路長に対して、光学部材30Yと固定格子38Yとの間の光路長は、十分短くなっている。そして、Y計測ユニット20Y’の干渉計部とエンコーダ部とは測長軸が共通である。
上述の構成により、Y計測ユニット20Y’は、共通の測長軸を有する2つの計測部(干渉計部とエンコーダ部)を、備えていることになる。そのため、各格子に製造誤差、取り付け誤差、及び経時的な変形などがなく、かつ空気揺らぎによる誤差がなければ、干渉計部とエンコーダ部とで、ウエハステージWSTの回転・傾斜によるアッベ誤差、計測ビーム(計測光)の照射面の局所的な変形に伴う誤差等による、固有の計測誤差が解消される。換言すれば、格子に起因するエンコーダ部の計測誤差、及び空気揺らぎに起因する計測誤差が発生しなければ、干渉計部とエンコーダ部とで、等しい計測結果が得られることになる。
また、本第2の実施形態では、ウエハステージWSTのX位置を計測するために、Y計測ユニット20Y’と同様の構成のX計測ユニット(不図示)が、ウエハステージWSTの+X側又は−X側に配置されている。X位置計測ユニットは、測長軸は、投影光学系PLの光軸に直交する、X軸に平行な軸となっている。
ウエハステージWSTのY位置を計測する位置計測系として、Y計測ユニット20Y’を導入することにより、Y計測ユニット20Y’の干渉計部とエンコーダ部とを相補的に用いるウエハステージWSTのY位置の計測が可能になる。また、ウエハステージWSTのX位置を計測する位置計測系として、X計測ユニットを導入することにより、X計測ユニットの干渉計部とエンコーダ部とを相補的に用いるウエハステージWSTのX位置計測が可能になる。
本第2の実施形態の露光装置は、その他の部分の構成などは、第1の実施形態と同様になっている。
上述のように構成された本第2の実施形態の露光装置では、Y計測ユニット20Y’のエンコーダ部及び干渉計部は、ウエハステージWSTに固定された光学部材30Y(見方を変えれば、光学部材30Yは、ウエハステージWSTと光学部材30Yとを含む移動体の一部である)を、それぞれ含むので、エンコーダ部の計測光の光路と、干渉計部の計測光の光路とを、一致させることができる、すなわち。エンコーダ部及び干渉計部の測長軸を一致させることができる。また、X計測ユニットを構成する、エンコーダ部及び干渉計部の測長軸を一致させることができる。
従って、本第2の実施形態の露光装置によると、前述した第1の実施形態と同等の効果を得ることができる。これに加え、Y計測ユニット20Y’のエンコーダ部及び干渉計部が共通の光学部材30Yをそれぞれの一部に含むので、エンコーダ部及び干渉計部とが全く別々である場合に比べて、部品点数の削減が可能である。
なお、上記第2の実施形態では、移動格子37Yが、プリズム32の上面(+Z側の面)に配置された場合について説明したが、これに限らず、例えば図6(A)及び図6(B)に示されるように、プリズム32の−Y側の面に、反射面を兼ねる移動格子37Y’を配置しても良い。ただし、この場合の移動格子37Y’は、固定格子38Yの周期方向に対応するZ軸方向を、その周期方向とする。この場合、計測光B0が照射されて移動格子37Y’にて発生する回折光BE,BEは、プリズム32の反射面32a,32bを順次介して、+Z方向に光路が折り曲げられ、固定格子38Yに照射される。そして、固定格子38Yにて発生する回折光は、もとの回折光の光路を辿って、反射面32b,32aを順次経由して−Y方向に光路が折り曲げられ、移動格子37Y’を介して同軸上に合成される。
そして、この合成光は、移動格子37Y’で反射された計測光B0の反射光とさらに合成されて、−Y方向に進み、Y計測ユニット20Y’の内部のディテクタによって受光される。この構成においても、上述の構成と同様の効果が得られる。
上記各実施形態及び各変形例では、ウエハステージWSTの端部に光学部材が固定された場合について例示したが、ウエハステージWSTの一部にプリズム32が嵌合する切り欠きを形成し、この切り欠きにプリズム32を嵌合させても良い。また、上記各実施形態及び各変形例では、ペンタプリズム32を用いるものとしたが、これに限らず、入射光と射出光の光路を90度変換できるのであれば、如何なる光学素子を用いても良い。例えば、ペンタプリズムに代えてペンタミラーを用いることも可能である。
また、上記各実施形態又は各変形例において、ウエハステージWSTのY位置を計測するためのY計測系(20Y又は20Y’)を、X軸方向に所定距離隔てて2つ設けても良い。かかる場合には、ウエハステージWSTのY位置とともにヨーイングθz(Z軸回りの回転)を計測することが可能になる。この場合において、2つのY計測系(20Y又は20Y’)の測長軸が、投影光学系PLの光軸に直交するY軸に平行な軸から、等距離となるように、2つのY計測系を配置することができる。かかる場合には、2つのY計測系の計測値の平均値に基づいて、アッベの誤差なく、ウエハステージWSTのY位置を計測することができる。Y計測系(20Y又は20Y’)と同様の構成のX計測系をY軸方向に所定距離隔てて2つ設けても良い。
あるいは、ウエハステージWSTのY軸方向の両側に、それぞれ1つ、Y計測系(20Y又は20Y’)を配置しても良い。この場合、ウエハステージWSTのY軸方向の両端部に、光学部材30Y、移動格子37Yを設ける。この構成においても、上述の配置と同じ効果が得られる。Y計測系(20Y又は20Y’)と同様の構成のX計測系をウエハステージWSTの+X側及び−X側に設けても良い。
なお、ウエハステージWSTの+X,−X、+Y及び−Y側のうち、任意の方向にX計測系とY計測系とを、合計で2つ以上配置する場合には、それらの全て又は任意の2つ以上の計測系で、光源を共通にしても良い。この場合において、各計測系を構成するエンコーダ(第1計測装置)と干渉計(第2計測装置)との一方のみを、光源を共通にしても良いし、各計測系を構成するエンコーダ(第1計測装置)と干渉計(第2計測装置)との両方で光源を共通にしても良い。
また、上記各実施形態及び各変形例等では、Y計測系及びX計測系がともに、エンコーダと干渉計とを有する場合について説明したが、本発明がこれに限定されるものではない。すなわち、上記各実施形態の露光装置は、スキャナであるから、走査方向であるY軸方向についてのみ、ウエハステージWSTの高精度な位置計測及び位置制御が可能なY計測系を用い、非走査方向であるX軸方向に関するウエハステージWSTの位置を計測するX計測系は、干渉計及びエンコーダの一方のみを用いて構成しても良い。
なお、エンコーダの構成は、上記各実施形態及び各変形例で説明したものに限られない。例えば、上記各実施形態及び各変形例では、エンコーダが、ウエハステージWSTの一部に配置された移動格子とウエハステージWSTの外部(上方)に配置された固定格子とを備えている場合を例示したが、これに限らず、エンコーダは、いずれか一方の格子のみを備えていても良い。例えば、ウエハステージWSTの外部(上方)にのみ格子を配置する場合には、ウエハステージWSTに設けられた反射面を介してその格子に計測光が照射され、その格子からの回折光がその反射面を介して受光系に戻る構成を採用することができる。この場合、受光系内に戻り光(回折光)を干渉させる格子などの光学部材が設けられる。また、ウエハステージWSTの一部にのみ格子を配置する場合、同様に、受光系内に、その格子からの回折光を干渉させる格子などの光学部材が設ければ良い。要は、反射面に照射される計測光と、格子に照射される計測光とが、同一の光学系の少なくとも一部を共通に経由して、Y軸方向(又はX軸方向)に平行な光路に沿ってそれぞれ反射面、格子に照射されれば良い。これにより、両者の光路を近接させることが可能となる。
また、これまでの説明では、干渉計の計測光が照射される反射面と、エンコーダの計測光が照射される反射面(又は格子)が設けられる部材は、ウエハステージWSTとは別の部材であるものとしたが、これに限らず、ウエハステージWSTに一体的にそれら反射面(又は格子)を形成しても良い。
また、干渉計として、X軸方向位置計測用及び/又はY軸方向位置計測用の干渉計に代え、あるいは加え、Z軸方向位置計測用の干渉計を設けても良い。
また、上記各実施形態では、前述の較正データを用いて、ウエハステージの位置を調整するものとしたが、ウエハステージの位置はエンコーダの計測値に基づいて制御し、レチクルステージの位置を、上記較正データを用いて調整しても良い。
また、上記各実施形態では、干渉計は、エンコーダの較正(キャリブレーション)用及び/又はバックアップ用として用いられるものとしたが、干渉計の用途はこれらに限られるものではなく、例えばエンコーダと併用してウエハステージの位置を制御しても良い。
なお、上述の各実施形態では、ウエハステージWSTの位置計測にエンコーダと干渉計を備えた計測系を用いる場合について説明したが、これに限らず、レチクルステージRSTの位置計測にエンコーダと干渉計を備えた計測系を用いることも可能である。
また、上記各実施形態では、本発明が、液体(水)を介さずにウエハWの露光を行うドライタイプの露光装置に適用された場合について説明したが、これに限らず、例えば例えば国際公開第99/49504号パンフレット、欧州特許出願公開第1,420,298号明細書、国際公開第2004/055803号パンフレット、特開2004−289126号公報(対応米国特許第6,952,253号明細書)などに開示されているように、投影光学系とプレートとの間に照明光の光路を含む液浸空間を形成し、投影光学系及び液浸空間の液体を介して照明光でプレートを露光する露光装置にも本発明を適用することができる。
また、上記各実施形態では、ステップ・アンド・スキャン方式等の走査型露光装置に本発明が適用された場合について説明したが、これに限らず、ステッパなどの静止型露光装置に本発明を適用しても良い。ステッパなどであっても、露光対象の物体が搭載されたステージの位置を上記実施形態と同様に、エンコーダを用いて計測することができるので、同様の効果を得ることができる。また、ショット領域とショット領域とを合成するステップ・アンド・スティッチ方式の縮小投影露光装置、プロキシミティー方式の露光装置、又はミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明は適用することができる。さらに、例えば米国特許第6,590,634号明細書、米国特許第5,969,441号明細書、米国特許第6,208,407号明細書などに開示されているように、複数のウエハステージを備えたマルチステージ型の露光装置にも本発明を適用できる。また、例えば国際公開第2005/074014号パンフレットなどに開示されているように、ウエハステージとは別に、計測部材(例えば、基準マーク、及び/又はセンサなど)を含む計測ステージを備える露光装置にも本発明は適用が可能である。
また、上記各実施形態の露光装置における投影光学系は縮小系のみならず等倍および拡大系のいずれでも良いし、投影光学系PLは屈折系のみならず、反射系及び反射屈折系のいずれでも良いし、その投影像は倒立像及び正立像のいずれでも良い。また、前述の照明領域及び露光領域はその形状が矩形であるものとしたが、これに限らず、例えば円弧、台形、あるいは平行四辺形などでも良い。
なお、上記各実施形態の露光装置の光源は、ArFエキシマレーザに限らず、KrFエキシマレーザ(出力波長248nm)、F2レーザ(出力波長157nm)、Ar2レーザ(出力波長126nm)、Kr2レーザ(出力波長146nm)などのパルスレーザ光源、g線(波長436nm)、i線(波長365nm)などの輝線を発する超高圧水銀ランプなどを用いることも可能である。また、YAGレーザの高調波発生装置などを用いることもできる。この他、例えば米国特許第7,023,610号明細書に開示されているように、真空紫外光としてDFB半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム(又はエルビウムとイッテルビウムの両方)がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。
また、上記各実施形態では、露光装置の照明光ILとしては波長100nm以上の光に限らず、波長100nm未満の光を用いても良いことはいうまでもない。例えば、近年、70nm以下のパターンを露光するために、SOR又はプラズマレーザを光源として、軟X線領域(例えば5〜15nmの波長域)のEUV(Extreme Ultraviolet)光を発生させるとともに、その露光波長(例えば13.5nm)の下で設計されたオール反射縮小光学系、及び反射型マスクを用いたEUV露光装置の開発が行われている。この装置においては、円弧照明を用いてマスクとウエハを同期走査してスキャン露光する構成が考えられるので、かかる装置にも本発明を好適に適用することができる。この他、電子線又はイオンビームなどの荷電粒子線を用いる露光装置にも、本発明は適用できる。
なお、上述の各実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン(又は位相パターン・減光パターン)を形成した光透過型マスク(レチクル)を用いたが、このレチクルに代えて、例えば米国特許第6,778,257号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて、透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスク可変成形マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれ、例えば非発光型画像表示素子(空間光変調器)の一種であるDMD(Digital Micro-mirror Device)などを含む)を用いても良い。また、例えば国際公開第2001/035168号パンフレットに開示されているように、干渉縞をウエハW上に形成することによって、ウエハW上にデバイスパターンを形成する露光装置(リソグラフィシステム)にも本発明を適用することができる。
さらに、例えば米国特許第6,611,316号明細書に開示されているように、2つのレチクルパターンを投影光学系を介してウエハ上で合成し、1回のスキャン露光によってウエハ上の1つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置にも本発明を適用することができる。
また、物体上にパターンを形成する装置は、前述の露光装置(リソグラフィシステム)に限られず、例えばインクジェット方式にて物体上にパターンを形成する装置にも本発明を適用することができる。
なお、上記各実施形態でパターンを形成すべき物体(エネルギビームが照射される露光対象の物体)はウエハに限られるものではなく、ガラスプレート、セラミック基板、フィルム部材、あるいはマスクブランクスなど、他の物体でも良い。
露光装置の用途としては半導体製造用の露光装置に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを転写する液晶用の露光装置、有機EL、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD等)、マイクロマシン及びDNAチップなどを製造するための露光装置にも広く適用できる。また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。
なお、上記実施形態では、エンコーダ(第1計測装置)と干渉計(第2計測装置)とを備えた(位置計測系を含む)本発明の移動体装置が、露光装置に適用された場合について説明したが、これに限らず、他の装置に適用しても良い。例えばレチクルパターンの位置や線幅などを計測する検査装置などにも、本発明の移動体装置は好適に適用できる。
なお、これまでの説明で引用した露光装置などに関する全ての公報、国際公開パンフレット、米国特許出願公開明細書及び米国特許明細書の開示を援用して本明細書の記載の一部とする。
半導体素子などの電子デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいたレチクルを製作するステップ、シリコン材料からウエハを製作するステップ、前述した実施形態の露光装置(パターン形成装置)によりレチクルのパターンをウエハに転写するリソグラフィステップ、露光されたウエハを現像する現像ステップ、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト除去ステップ、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む)、検査ステップ等を経て製造される。この場合、リソグラフィステップで、上記実施形態の露光装置を用いて前述の露光方法が実行され、ウエハ上にデバイスパターンが形成されるので、高集積度のデバイスを生産性良く製造することができる。
本発明の移動体装置は、所定平面に沿って少なくとも一軸方向に移動体を駆動するのに適している。また、本発明の露光装置は、エネルギビームを照射して物体上にパターンを形成するのに適している。また、本発明のパターン形成装置は、物体上にパターンを形成するのに適している。また、本発明のデバイス製造方法は、半導体素子などの電子デバイスを製造するのに適している。

Claims (33)

  1. 所定平面に沿って少なくとも一軸方向に移動する移動体と;
    前記一軸方向の第1光路を少なくとも一部に含む光路に沿って第1計測光が照射される前記移動体に設けられた移動格子と、該移動格子にて発生する回折光が照射される前記移動体外に設けられた前記一軸方向を周期方向とする固定格子と、前記第1計測光の光路を前記固定格子に向けて折り曲げる前記移動体の一部を構成する光学部材と、前記固定格子からの回折光を前記移動格子を介して受光する受光系と、を含み、前記移動体の前記一軸方向の位置情報を計測する第1計測装置と;
    前記第1光路に近接する又は重なる前記一軸方向の第2光路に沿って第2計測光を前記光学部材の一面に設けられた反射面に照射し、該反射面からの反射光を受光することによって、前記移動体の前記一軸方向の位置情報を計測する第2計測装置と;
    を備える移動体装置。
  2. 請求項1に記載の移動体装置において、
    前記第1及び第2計測光は、同一の光源から供給され、
    前記反射面は、半透過性の反射面であり、
    前記同一の光源から射出される光を前記反射面に照射し、該反射面にて発生する透過光と反射光のそれぞれを前記第1、第2計測光として使用する移動体装置
  3. 請求項1又は2に記載の移動体装置において、
    前記移動格子と前記固定格子の離間距離は、前記第1光路の距離に対して十分に短い移動体装置。
  4. 請求項1〜3のいずれか一項に記載の移動体装置において、
    前記移動格子は、前記固定格子の周期方向に対応する方向を周期方向とする移動体装置。
  5. 請求項1〜4のいずれか一項に記載の移動体装置において、
    前記移動格子は、前記光学部材の前記一面又は異なる一面に設けられる移動体装置。
  6. 請求項1〜5のいずれか一項に記載の移動体装置において、
    前記移動格子は、前記所定平面に平行な面に設けられる移動体装置。
  7. 請求項1〜5のいずれか一項に記載の移動体装置において、
    前記移動格子は、前記第1光路と直交する面に設けられる移動体装置。
  8. 請求項1〜のいずれか一項に記載の移動体装置において、
    前記受光系は、前記回折光と前記反射光をそれぞれ受光して、前記第1及び第2計測装置の計測結果に対応する信号を出力する第1及び第2受光素子を含む移動体装置。
  9. 請求項1〜のいずれか一項に記載の移動体装置において、
    前記受光系は、前記回折光と前記反射光との合成光を受光して、該合成光の強度と位相のそれぞれに基づいて、前記第1及び第2計測装置の計測結果に対応する信号を出力する受光素子を含む移動体装置。
  10. 請求項1〜のいずれか一項に記載の移動体装置において、
    前記移動体を駆動する駆動装置と;
    前記第1及び第2計測装置を含む位置計測系の計測結果に基づいて、前記駆動装置を制御する制御装置と;
    をさらに備える移動体装置。
  11. 請求項1〜10のいずれか一項に記載の移動体装置において、
    前記移動体は、前記所定平面内で前記一軸方向に直交する方向にさらに移動し、
    前記位置計測系に含まれる、前記直交する方向の第3光路に沿って前記移動体に照射される第3計測光を用いる前記第1計測装置と同様の構成の第3計測装置と、前記第3光路に近接する又は重なる前記直交する方向の第4光路に沿って前記移動体に照射される第4計測光を用いる前記第2計測装置と同様の構成の第4計測装置と、をさらに備える移動体装置。
  12. 所定平面に沿って少なくとも一軸方向に移動する移動体と;
    前記一軸方向の第1光路を少なくとも一部に含む光路に沿って第1計測光を前記移動体の一部を介して前記移動体外に設けられた前記一軸方向を周期方向とする固定格子に照射し、該固定格子からの回折光を前記移動体の一部を介して受光することによって、前記移動体の前記一軸方向の位置情報を計測する第1計測装置と;
    前記一軸方向の第2光路に沿って第2計測光を前記移動体の一部に照射し、該移動体からの前記第2計測光の戻り光を受光することによって、前記移動体の前記一軸方向の位置情報を計測する第2計測装置と;
    を備え、
    前記第1及び第2計測装置は、前記移動体の一部を構成する共通の光学部材をそれぞれ含む移動体装置。
  13. 請求項12に記載の移動体装置において、
    前記光学部材は、前記第1計測光が照射される、前記固定格子の周期方向に対応する方向を周期方向とする移動格子と、前記第2計測光を反射する反射面と、を有する移動体装置。
  14. 請求項13に記載の移動体装置において、
    前記移動格子は、前記所定平面に平行な面に設けられる移動体装置。
  15. 請求項13に記載の移動体装置において、
    前記移動格子は、前記第1光路と直交する面に設けられる移動体装置。
  16. 請求項15に記載の移動体装置において、
    前記移動格子の一面は前記反射面を兼ねる移動体装置。
  17. 請求項1216のいずれか一項に記載の移動体装置において、
    前記光学部材は、前記第1計測光の光路を前記固定格子に向けて折り曲げる部材をさらに有する移動体装置。
  18. 請求項1217のいずれか一項に記載の移動体装置において、
    前記第1及び第2計測光は、同一の光源から供給される移動体装置。
  19. 請求項18に記載の移動体装置において、
    前記反射面は、半透過性の反射面であり、
    前記同一の光源から射出される光を前記反射面に照射し、該反射面にて発生する透過光と反射光のそれぞれを前記第1、第2計測光として使用する移動体装置。
  20. 請求項1219のいずれか一項に記載の移動体装置において、
    前記第1、第2計測装置は、共通の受光素子を含み、
    前記共通の受光素子は、前記回折光と前記戻り光との合成光を受光し、該合成光の強度と位相のそれぞれに基づいて、前記第1及び第2計測装置の計測結果に対応する信号を出力する移動体装置。
  21. 請求項1220のいずれか一項に記載の移動体装置において、
    前記移動体を駆動する駆動装置と;
    前記第1及び第2計測装置を含む位置計測系の計測結果に基づいて、前記駆動装置を制御する制御装置と;をさらに備える移動体装置。
  22. 請求項1221のいずれか一項に記載の移動体装置において、
    前記移動体は、前記所定平面内で前記一軸方向に直交する方向にさらに移動し、
    前記直交する方向の第3光路を少なくとも一部に含む光路に沿って第3計測光を前記移動体の一部を介して前記移動体外に設けられた前記直交する方向を周期方向とする固定格子に照射する前記第1計測装置と同様の構成の第3計測装置と;
    前記直交する方向の第4光路に沿って第4計測光を前記移動体の一部に照射する前記第2計測装置と同様の構成の第4計測装置と;をさらに備える移動体装置。
  23. 所定平面に沿って少なくとも一軸方向に移動する移動体と;
    光学系を経由し前記移動体に向かう前記一軸方向の第1光路を含む光路に沿って第1計測光を、前記移動体に設けられた第1格子に前記移動体の一部を構成する第1光学部材を介して照射し、前記第1格子からの回折光を受光することによって、前記移動体の前記一軸方向の位置情報を計測する第1計測装置と;
    前記光学系の少なくとも一部の第2光学部材を経由した第2計測光を前記第1光路に平行な第2光路に沿って前記第1光学部材に照射し、該第1光学部材からの前記第2計測光の戻り光を受光することによって、前記移動体の前記一軸方向の位置情報を計測する第2計測装置と;を備える移動体装置。
  24. 請求項23に記載の移動体装置において、
    前記第1格子は、前記移動体外に設けられた前記一軸方向を周期方向とする固定格子であり、
    前記移動体に設けられ、前記固定格子の周期方向に対応する方向を周期方向とする第2格子をさらに備える移動体装置。
  25. 請求項24に記載の移動体装置において、
    前記第1光学部材には、前記第2計測光を反射する反射面が設けられている移動体装置。
  26. 請求項2325のいずれか一項に記載の移動体装置において、
    前記光学系は、入射された光を分岐して、前記第1計測光と前記第2計測光とを生成する光分岐部材を有する移動体装置。
  27. 請求項2326のいずれか一項に記載の移動体装置において、
    前記第1計測光と前記第2計測光とは、同一の光源からの光である移動体装置。
  28. 請求項23又は24に記載の移動体装置において、
    前記第1光学部材には、半透過性の反射面が設けられ、
    同一の光源から射出される光を前記反射面に照射し、該反射面にて発生する透過光と反射光のそれぞれを前記第1、第2計測光として使用する移動体装置。
  29. エネルギビームを照射して物体上にパターンを形成する露光装置であって、
    前記パターンを形成するために、前記物体を保持する移動体を所定平面に沿って駆動する請求項1〜28のいずれか一項に記載の移動体装置を備える露光装置。
  30. 物体にパターンを形成するパターン形成装置であって、
    前記物体を保持して移動可能な移動体と;
    前記物体上にパターンを形成するパターン生成装置と;
    前記移動体を所定平面内で駆動する請求項1〜28のいずれか一項に記載の移動体装置と;
    を備えるパターン形成装置。
  31. 請求項30に記載のパターン形成装置において、
    前記物体は感応層を有し、
    前記パターン生成装置は、前記感応層にエネルギビームを照射することによって、前記パターンを形成するパターン形成装置。
  32. 請求項29に記載の露光装置を用いて、物体上にパターンを形成する工程と;
    前記パターンが形成された前記物体に処理を施す工程と;
    を含むデバイス製造方法。
  33. 請求項30又は31に記載のパターン形成装置を用いて、物体上にパターンを形成する工程と;
    前記パターンが形成された前記物体に処理を施す工程と;
    を含むデバイス製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9690200B2 (en) 2014-10-07 2017-06-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Optical apparatus and manufacturing method using the same

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5476697B2 (ja) * 2008-09-26 2014-04-23 富士通株式会社 光信号送信装置
US8488109B2 (en) * 2009-08-25 2013-07-16 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
TWI410232B (zh) * 2009-10-13 2013-10-01 Univ Nat Taiwan 生理值監測系統
US8488106B2 (en) * 2009-12-28 2013-07-16 Nikon Corporation Movable body drive method, movable body apparatus, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
NL2006118A (en) 2010-03-03 2011-09-06 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method for measuring a position.
CN102722089B (zh) * 2011-06-28 2014-06-18 清华大学 一种无接触式粗精动叠层六自由度定位装置
DE102012201393A1 (de) * 2012-02-01 2013-08-01 Dr. Johannes Heidenhain Gmbh Positionsmesseinrichtung und Anordnung mit mehreren Positionsmesseinrichtungen
JP6219320B2 (ja) 2012-03-08 2017-10-25 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. ウェーハなどのターゲットを処理するためのリソグラフィシステム及び方法
WO2014006935A1 (ja) * 2012-07-06 2014-01-09 株式会社ニコン 位置計測装置、ステージ装置、露光装置、およびデバイス製造方法
WO2014048654A1 (en) * 2012-09-28 2014-04-03 Asml Holding N.V. Quantitative reticle distortion measurement system
CN103868456B (zh) * 2012-12-07 2016-12-07 上海微电子装备有限公司 载物台平移测量装置及测量方法
DE102013224381A1 (de) * 2012-12-20 2014-06-26 Dr. Johannes Heidenhain Gmbh Optische Positionsmesseinrichtung
CN104345540B (zh) * 2013-07-29 2016-10-26 深圳市中印印刷制品有限公司 一种用于数码立体照片激光冲印操作的移动曝光平台
JP6719729B2 (ja) 2015-02-23 2020-07-08 株式会社ニコン 基板処理システム及び基板処理方法、並びにデバイス製造方法
KR20230107706A (ko) 2015-02-23 2023-07-17 가부시키가이샤 니콘 계측 장치, 리소그래피 시스템 및 노광 장치, 그리고디바이스 제조 방법
TWI696042B (zh) 2015-02-23 2020-06-11 日商尼康股份有限公司 測量裝置、微影系統及曝光裝置、以及管理方法、重疊測量方法及元件製造方法
JP6794654B2 (ja) * 2016-04-25 2020-12-02 株式会社ニコン エンコーダ装置、駆動装置、ステージ装置、及びロボット装置
TW201741618A (zh) 2016-05-23 2017-12-01 國立交通大學 光學感測裝置
EP3255385B1 (en) * 2016-06-09 2019-01-30 ams AG A controller to reduce integral non-linearity errors of a magnetic rotary encoder
WO2018077873A1 (en) * 2016-10-27 2018-05-03 Asml Netherlands B.V. System and method for determining and calibrating a position of a stage
DE102018103869B3 (de) * 2018-02-21 2019-05-09 Physik Instrumente (Pi) Gmbh & Co. Kg Maßelement für eine optische Messvorrichtung
CN112740111A (zh) 2018-09-21 2021-04-30 Asml荷兰有限公司 辐射系统
CN110398881B (zh) * 2019-07-04 2022-01-04 大族激光科技产业集团股份有限公司 曝光装置及曝光加工方法
CN111044982B (zh) * 2019-12-23 2021-09-28 广东纳睿雷达科技股份有限公司 一种雷达方位定位的方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63231217A (ja) * 1987-03-19 1988-09-27 Omron Tateisi Electronics Co 移動量測定装置
JPH021501A (ja) * 1988-02-08 1990-01-05 Hitachi Ltd レーザ干渉測長器及びそれを用いた位置決め方法
JP2001185474A (ja) * 1999-12-27 2001-07-06 Nikon Corp アライメント方法、アライメント装置、基板、マスク、及び露光装置
JP2004101362A (ja) * 2002-09-10 2004-04-02 Canon Inc ステージ位置計測および位置決め装置
JP2006266864A (ja) * 2005-03-24 2006-10-05 Advanced Mask Inspection Technology Kk 試料検査装置及び試料検査方法
JP2007292735A (ja) * 2006-03-21 2007-11-08 Asml Netherlands Bv 変位測定システム、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5079418A (en) * 1990-02-20 1992-01-07 Dr. Johannes Heidenhain Gmbh Position measuring apparatus with reflection
JP2897355B2 (ja) 1990-07-05 1999-05-31 株式会社ニコン アライメント方法,露光装置,並びに位置検出方法及び装置
JP3173208B2 (ja) * 1993-01-29 2001-06-04 キヤノン株式会社 変位測定装置
JPH074993A (ja) 1993-03-23 1995-01-10 Ricoh Co Ltd エンコーダ装置
JP3082516B2 (ja) * 1993-05-31 2000-08-28 キヤノン株式会社 光学式変位センサおよび該光学式変位センサを用いた駆動システム
JP3870301B2 (ja) 1996-06-11 2007-01-17 ヤマハ株式会社 半導体装置の組立法、半導体装置及び半導体装置の連続組立システム
JPH1038517A (ja) 1996-07-23 1998-02-13 Canon Inc 光学式変位測定装置
EP0951054B1 (en) 1996-11-28 2008-08-13 Nikon Corporation Aligner and method for exposure
WO1998028665A1 (en) 1996-12-24 1998-07-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Two-dimensionally balanced positioning device with two object holders, and lithographic device provided with such a positioning device
US6208407B1 (en) 1997-12-22 2001-03-27 Asm Lithography B.V. Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement
WO1999046835A1 (fr) 1998-03-11 1999-09-16 Nikon Corporation Dispositif a laser ultraviolet et appareil d'exposition comportant un tel dispositif a laser ultraviolet
WO1999049504A1 (fr) 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
WO2001035168A1 (en) 1999-11-10 2001-05-17 Massachusetts Institute Of Technology Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams
SG107560A1 (en) 2000-02-25 2004-12-29 Nikon Corp Exposure apparatus and exposure method capable of controlling illumination distribution
US7289212B2 (en) 2000-08-24 2007-10-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufacturing thereby
JP4714403B2 (ja) 2001-02-27 2011-06-29 エーエスエムエル ユーエス,インコーポレイテッド デュアルレチクルイメージを露光する方法および装置
TW529172B (en) 2001-07-24 2003-04-21 Asml Netherlands Bv Imaging apparatus
JP4122735B2 (ja) * 2001-07-24 2008-07-23 株式会社日立製作所 半導体デバイスの検査方法および検査条件設定方法
JP3977324B2 (ja) 2002-11-12 2007-09-19 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置
EP1420298B1 (en) 2002-11-12 2013-02-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
WO2004055803A1 (en) 2002-12-13 2004-07-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Liquid removal in a method and device for irradiating spots on a layer
TWI295408B (en) * 2003-10-22 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method, and measurement system
US7443511B2 (en) * 2003-11-25 2008-10-28 Asml Netherlands B.V. Integrated plane mirror and differential plane mirror interferometer system
US7589822B2 (en) 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
US7102729B2 (en) 2004-02-03 2006-09-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, measurement system, and device manufacturing method
US7256871B2 (en) 2004-07-27 2007-08-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method for calibrating the same
US20060139595A1 (en) 2004-12-27 2006-06-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method for determining Z position errors/variations and substrate table flatness
US7362446B2 (en) * 2005-09-15 2008-04-22 Asml Netherlands B.V. Position measurement unit, measurement system and lithographic apparatus comprising such position measurement unit
CN101268337A (zh) 2005-09-21 2008-09-17 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于检测主体运动的系统
EP2857902B1 (en) 2006-01-19 2016-04-20 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus, immersion exposure method, and device fabricating method
KR101346581B1 (ko) 2006-02-21 2014-01-02 가부시키가이샤 니콘 패턴 형성 장치 및 패턴 형성 방법, 이동체 구동 시스템 및이동체 구동 방법, 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
US7483120B2 (en) 2006-05-09 2009-01-27 Asml Netherlands B.V. Displacement measurement system, lithographic apparatus, displacement measurement method and device manufacturing method

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63231217A (ja) * 1987-03-19 1988-09-27 Omron Tateisi Electronics Co 移動量測定装置
JPH021501A (ja) * 1988-02-08 1990-01-05 Hitachi Ltd レーザ干渉測長器及びそれを用いた位置決め方法
JP2001185474A (ja) * 1999-12-27 2001-07-06 Nikon Corp アライメント方法、アライメント装置、基板、マスク、及び露光装置
JP2004101362A (ja) * 2002-09-10 2004-04-02 Canon Inc ステージ位置計測および位置決め装置
JP2006266864A (ja) * 2005-03-24 2006-10-05 Advanced Mask Inspection Technology Kk 試料検査装置及び試料検査方法
JP2007292735A (ja) * 2006-03-21 2007-11-08 Asml Netherlands Bv 変位測定システム、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9690200B2 (en) 2014-10-07 2017-06-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Optical apparatus and manufacturing method using the same

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