JP4612500B2 - 半導体記憶装置及び電子機器 - Google Patents
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Description
上記複数のメモリセルの入出力端子に仮想接地方式で接続されたビット線と、
上記メモリセルの制御端子に接続されたワード線と、
上記ワード線を選択するワード線選択回路と、
入力データを、上記ワード線選択回路で選択されるワード線に接続された複数又は全ての上記メモリセルに同時に書き込みが可能な変換データに変換するデータ変換回路と、
上記データ変換回路で変換された変換データに基づいて、上記複数又は全てのメモリセルに接続された複数のビット線のうちの端のビット線に印加すべきアレイ端電圧を設定するアレイ端電圧設定回路と、
上記データ変換回路で変換された変換データに基づいて、上記端のビット線に上記アレイ端電圧設定回路で設定されたアレイ端電圧が印加されるように、かつ、書き込みを行うべき上記メモリセルに接続された2つの上記ビット線に互いに異なる電圧が印加される一方、書き込みを行わない上記メモリセルに接続された2つの上記ビット線に互いに同じ電圧が印加されるように、上記複数又は全てのメモリセルに接続されたビット線に印加すべき電圧を設定する印加電圧設定回路と、
上記印加電圧設定回路で設定された電圧を、上記複数又は全てのメモリセルに接続されたビット線に印加する電圧印加回路と
を備え、
上記変換データは、上記メモリセルへの書き込みを行う値と値との間に、上記メモリセルへの書き込みを行わない値が存在しないか、又は、上記メモリセルへの書き込みを行わない値が偶数個存在するデータであることを特徴としている。
また、仮想接地方式の非対称型の複数のメモリセルに同時に書き込みが可能な変換データが得られる。
上記入力データ格納回路の上記入力データがリセットされているか否かを検知する入力データリセット検知回路と、
上記入力データリセット検知回路が、上記入力データが全てリセットされていることを検知したとき、上記入力データ格納回路に格納される入力データを更新する入力データ更新回路と
を備える。
上記変換データ格納回路の上記変換データがリセットされているか否かを検知する変換データリセット検知回路と、
上記変換データリセット検知回路が、上記変換データが全てリセットされていることを検知したとき、上記変換データ格納回路に格納される変換データを更新する変換データ更新回路とを備える。
上記ワード線選択回路で選択されたワード線に接続され、かつ、上記メモリセル選択回路で選択されたメモリセルに、上記変換データが書き込まれる。
図1は、本発明の第1実施形態の半導体記憶装置を示すブロック図である。第2A乃至5Bは、半導体記憶装置に含まれる回路の一例を示す回路図である。
(1)データ列に含まれる「1」データと「1」データとの間には、「0」データが存在しないか、あるいは、「0」データが偶数個存在すること。
(2)隣り合うメモリセルMC11,MC12,・・・に対して、第1の蓄積ノード及び第2の蓄積ノードを交互に選択して順次書き込みを行うこと(図7の破線の丸印参照)。
図10は、本発明の第2実施形態の半導体記憶装置を示す図である。
図12は、本発明の第3実施形態の半導体記憶装置を示すブロック図である。
図15は、第4実施形態の半導体記憶装置を示すブロック図である。
図18は、第5実施形態の半導体記憶装置を示すブロック図である。
図19は、本発明の第6実施形態の電子機器としてのデジタルカメラを示すブロック図である。このデジタルカメラは、フラッシュメモリとして本発明の第1実施形態の半導体記憶装置を備え、このフラッシュメモリに、撮影画像の記憶を行う。
101 行デコーダ
102 シフトレジスタ
104 データ変換回路
105 ラッチ回路
106 分割書き込み終了検知回路
107 ラッチ回路制御部
108 アレイ端電圧制御回路
109 書き込み電圧制御回路
110 書き込み電圧印加回路
111 入力制御回路
MC11、MC12、・・・、MC1(k−1)、MC1k、・・・、MCm(k−1)、MCmk メモリセル
WL1、・・・、WLm ワード線
BL0、BL1、・・・、BLk ビット線
Claims (6)
- 複数の不揮発性の非対称型のメモリセルが整列されたメモリセルアレイと、
上記複数のメモリセルの入出力端子に仮想接地方式で接続されたビット線と、
上記メモリセルの制御端子に接続されたワード線と、
上記ワード線を選択するワード線選択回路と、
入力データを、上記ワード線選択回路で選択されるワード線に接続された複数又は全ての上記メモリセルに同時に書き込みが可能な変換データに変換するデータ変換回路と、
上記データ変換回路で変換された変換データに基づいて、上記複数又は全てのメモリセルに接続された複数のビット線のうちの端のビット線に印加すべきアレイ端電圧を設定するアレイ端電圧設定回路と、
上記データ変換回路で変換された変換データに基づいて、上記端のビット線に上記アレイ端電圧設定回路で設定されたアレイ端電圧が印加されるように、かつ、書き込みを行うべき上記メモリセルに接続された2つの上記ビット線に互いに異なる電圧が印加される一方、書き込みを行わない上記メモリセルに接続された2つの上記ビット線に互いに同じ電圧が印加されるように、上記複数又は全てのメモリセルに接続されたビット線に印加すべき電圧を設定する印加電圧設定回路と、
上記印加電圧設定回路で設定された電圧を、上記複数又は全てのメモリセルに接続されたビット線に印加する電圧印加回路と
を備え、
上記変換データは、上記メモリセルへの書き込みを行う値と値との間に、上記メモリセルへの書き込みを行わない値が存在しないか、又は、上記メモリセルへの書き込みを行わない値が偶数個存在するデータであることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1に記載の半導体記憶装置において、
上記入力データを格納すると共に、書き込むべきメモリセルへの書き込みの完了を示す信号を受けたとき、この書き込みが完了したメモリセルに対応する入力データをリセットする入力データ格納回路と、
上記入力データ格納回路の上記入力データがリセットされているか否かを検知する入力データリセット検知回路と、
上記入力データリセット検知回路が、上記入力データが全てリセットされていることを検知したとき、上記入力データ格納回路に格納される入力データを更新する入力データ更新回路と
を備えることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1又は2に記載の半導体記憶装置において、
上記変換データを格納すると共に、書き込むべきメモリセルへの書き込みの完了を示す信号を受けたとき、この書き込みが完了したメモリセルに対応する変換データをリセットする変換データ格納回路と、
上記変換データ格納回路の上記変換データがリセットされているか否かを検知する変換データリセット検知回路と、
上記変換データリセット検知回路が、上記変換データが全てリセットされていることを検知したとき、上記変換データ格納回路に格納される変換データを更新する変換データ更新回路と
を備えることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1乃至3のいずれか1つに記載の半導体記憶装置において、
上記メモリセルは、サイドウォールメモリで形成されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1乃至4のいずれか1つに記載の半導体記憶装置において、
上記メモリセルアレイのメモリセルのうち、上記ワード線方向の所定個おきのメモリセルを選択するメモリセル選択回路を備え、
上記ワード線選択回路で選択されたワード線に接続され、かつ、上記メモリセル選択回路で選択されたメモリセルに、上記変換データが書き込まれることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1乃至5のいずれか1つに記載の半導体記憶装置を備えた電子機器。
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