JP4611215B2 - 広いダイナミックレンジを有するcmosイメージセンサの単位画素とそれを含むcmosイメージセンサ - Google Patents
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Description
T2 制御トランジスタ
T3 リセットトランジスタ
T4 セレクトトランジスタ
T5 ドライブトランジスタ
PD フォトダイオード
Tx トランスファー信号
Rst リセット信号
Sel セレクト信号
C 接合キャパシタ
Ctrl_1 第1制御信号
Ctrl_2 第2制御信号
Claims (18)
- 以前フレームの光源により推定された現在フレームの光電流累積時間を格納するためのピクセルから構成された複数のピクセルと、
格納された光電流累積時間に応じて、現在フレームの光電流累積時間を制御するための制御手段と、から構成され、
前記ピクセルは、
光を受け取って、これに該当する分だけ光電荷を生成するフォトダイオードと、
ターンオン動作に応じて、前記フォトダイオードに蓄積された光電荷を接合キャパシタに伝達するためのトランスファートランジスタと、
該トランスファートランジスタのターンオン動作を制御するための制御トランジスタと、
前記トランスファートランジスタのターンオン動作時には、前記光電荷を伝達され、前記光電荷が伝達される前には、以前フレームでの光電流累積時間を格納するための接合キャパシタと、
該接合キャパシタをリセットさせるか、前記接合キャパシタに前記光電流累積時間を格納するためのリセットトランジスタと、
前記接合キャパシタから伝達される電荷量に相応する電気信号を出力するためのドライブトランジスタと、
スイッチング動作により、前記ドライブトランジスタの出力を制御するためのセレクトトランジスタと、を備え、
実際イメージを電気的信号に変換することを特徴とする装置。 - 前記複数のピクセルは、既設定された列で配列されており、前記制御手段は、前記複数のピクセルを列単位で制御することを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記制御トランジスタは、
一方に印加された第1制御信号とゲートを介して印加されるトランスファー信号とに応答して、他方を介して前記トランスファートランジスタのオン・オフを制御することを特徴とする請求項2に記載の装置。 - 前記第1制御信号は、該当列を制御するための単位制御部を介して提供されることを特徴とする請求項3に記載の装置。
- 前記リセットトランジスタは、
一方に印加された第2制御信号とゲートを介して印加されるリセット信号とに応答して、他方に位置した前記接合キャパシタを一定電圧レベルにリセットさせるか、前記第2制御信号を介して提供された前記光電流累積時間を前記接合キャパシタに格納することを特徴とする請求項4に記載の装置。 - 前記第2制御信号は、該当列を制御するための単位制御部を介して提供され、前記接合キャパシタをリセットさせる場合には、一定電圧レベルを維持し、前記接合キャパシタに前記光電流累積時間を格納する場合には、前記光電流累積時間に該当する電圧レベルを維持することを特徴とする請求項5に記載の装置。
- 前記一定電圧レベルは、電源電圧レベルであることを特徴とする請求項6に記載の装置。
- 前記セレクトトランジスタは、
セレクト信号の制御を受けてターンオンし、電源電圧と前記ドライブトランジスタとの間に接続されたことを特徴とする請求項7に記載の装置。 - 実際イメージを電気信号に変換するイメージセンサにおいて、
以前フレームの光電流累積時間を格納する単位画素が、N×M個(N,Mは、1より大きな自然数)配列された画素配列部と、
前記各単位画素に格納された光電流累積時間に応じて、現在フレームの光電流累積時間を列単位で調節するために、列個数(M個)に該当する単位制御部を備えた制御部と、を備え、
前記単位画素は、
光を受け取って、これに該当する分だけ光電荷を生成するフォトダイオードと、
ターンオン動作に応じて、前記フォトダイオードに蓄積された光電荷を接合キャパシタに伝達するためのトランスファートランジスタと、
該トランスファートランジスタのターンオン動作を制御するための制御トランジスタと、
前記トランスファートランジスタのターンオン動作時には、前記光電荷を伝達され、前記光電荷が伝達される前には、以前フレームでの光電流累積時間を格納するための接合キャパシタと、
該接合キャパシタをリセットさせるか、前記接合キャパシタに前記光電流累積時間を格納するためのリセットトランジスタと、
前記接合キャパシタから伝達される電荷量に相応する電気信号を出力するためのドライブトランジスタと、
スイッチング動作により、前記ドライブトランジスタの出力を制御するためのセレクトトランジスタとを備えている、
ことを特徴とするイメージセンサ。 - 前記各単位制御部において、以前フレームで格納された前記各単位画素の光電流累積時間を各々列別に判断し、その結果を前記各単位画素に格納し、
次のフレームにおいて、前記画素配列部の1番目の行の映像信号を出力する時、M−1個の他の行の画素に格納されているM−1個の互いに異なる前記光電流累積時間の記録を各々列別に受け取り、
各々光電流累積時間に該当する各画素別リセットを行うことを特徴とする請求項9に記載のCMOSイメージセンサ。 - 単位画素4個が2行×2列の構造で配列され、
前記4個の単位画素は、4個のフォトダイオードと4個のトランスファートランジスタと2個の制御トランジスタと1個のリセットトランジスタと1個のセレクトトランジスタ及び1個のドライブトランジスタとからなることを特徴とする請求項9に記載のイメージセンサ。 - 第1行第1列の第1単位画素と第1行第2列の第2単位画素とは、第1接合キャパシタと第1リセットトランジスタと第1セレクトトランジスタ及び第1ドライブトランジスタを互いに共有することを特徴とする請求項9に記載のイメージセンサ。
- 第2行第1列の第3単位画素と第2行第2列の第4単位画素とは、第2接合キャパシタと第2リセットトランジスタと第2セレクトトランジスタ及び第2ドライブトランジスタを互いに共有することを特徴とする請求項12に記載のイメージセンサ。
- 前記第1単位画素と前記第3単位画素とは、第1制御トランジスタを互いに共有することを特徴とする請求項13に記載のイメージセンサ。
- 前記第2単位画素と前記第4単位画素とは、第2制御トランジスタを互いに共有することを特徴とする請求項14に記載のイメージセンサ。
- 実際イメージを電気信号に変換する方法において、
以前フレームの光電流累積時間を、N×M(N,Mは、1より大きな自然数)で配列された単位画素の各々の接合キャパシタに格納するステップと、
前記単位画素のフォトダイオードにおいて、光を受け取って、これに該当する分だけ光電荷を生成するステップと、
前記フォトダイオードに蓄積された光電荷を前記接合キャパシタに伝達するステップと、
前記接合キャパシタから伝達される電荷量に相応する電気信号を出力するステップと、
前記各単位画素に格納された光電流累積時間に応じて、現在フレームの光電流累積時間を列単位で制御するステップと、を備え、
前記光電流累積時間制御ステップは、
前記各単位制御部において、以前フレームで読み出した前記各単位画素の光電流累積時間を各々列別に判断し、その結果を前記各単位画素の前記接合キャパシタに格納するステップと、
前記光電流累積時間に応じて、前記接合キャパシタをリセットさせるか、前記接合キャパシタに前記光電流累積時間を格納するステップとを含む、
ことを特徴とする方法。 - 前記光電流累積時間制御ステップは、
前記各単位制御部において、以前フレームで読み出した前記各単位画素の光電流累積時間を各々列別に判断し、その結果を前記各単位画素に格納するための確認ステップと、
次のフレームにおいて、前記画素配列部の最初行の映像信号を出力する時、M−1個の他の行の画素に格納されているM−1個の互いに異なる前記光電流累積時間の記録を各々列別に受け取るステップと、
各々光電流累積時間に該当する各画素別リセットを行うステップと
を含むことを特徴とする請求項16に記載の方法。 - 前記リセットステップにおいて、単位画素に格納された光電流累積時間が一定時間を超えると、前記単位画素のフォトダイオードをリセットし、一定時間を超えなければ、フォトダイオードをリセットしないことを特徴とする請求項17に記載の方法。
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