JP4604144B2 - 摩耗防止を備えたメモリ制御手段を有する記憶システムとメモリの管理方法 - Google Patents
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Description
即ち、以下の通りである。
第1に、
更新される可能性のある情報を含む不揮発性メモリ(MA)と、このメモリの制御手段(UT,MP)とから成る、不揮発性メモリの摩耗防止を保証する記憶システムであって、
前記不揮発性メモリは、少なくとも一つの領域が空領域(Po)となる複数の領域(A,B,…n)に編成されており、
前記制御手段は、
−第一領域から第二領域への転送手段(T)、
−第一領域(A)に対する全てのアクセス要求(DA)を、第一領域の内容が転送された第二領域へのアクセス要求に変換するような、アドレス変換手段、および、
−シフトコマンド手段
を含んでおり、
前記シフトコマンド手段はランダム制御信号によって起動され、
前記制御手段が、第一領域の内容を第二領域に段階的にシフトさせ、前記第二領域は、空領域であるか、又は前回のシフトの際に空にされた領域であり、
該シフトは、シフトコマンド手段が起動されるごとに1領域ずつ行われ、
該シフトは、領域A、B・・nの順で周期的に行われる
ことを特徴とする、記憶システム。
第2に、
所定のシフト回数の後に、前記領域のそれぞれの内容が、他の全ての領域のそれぞれに転送されることになることを特徴とする、前記第1に記載の記憶システム。
第3に、
所定のシフト回数の後に、前記領域のそれぞれの内容が、開始領域へと転送して戻ってくることになることを特徴とする、前記第1または第2に記載の記憶システム。
第4に、
前記所定のシフト回数が領域の数に等しいことを特徴とする、前記第2または第3に記載の記憶システム。
第5に、
変換手段が、プログラム(CA1)によって実現される論理ユニットであることを特徴とする、前記第1に記載の記憶システム。
第6に、
変換手段が、メモリのアドレス指定回路内の論理回路によって実現される物理ユニット(CA2)であることを特徴とする、前記第1に記載の記憶システム。
第7に、
チップカードで構成されることを特徴とする、前記第1に記載の記憶システム。
−第一領域から第二領域への転送手段。
−第一領域への全てのアクセス要求を、第一領域の内容が転送された第二領域へのアクセス要求に変換するようなアドレス変換手段。
即ち、以下の通りである。
第8に、
更新される可能性のある情報を含む不揮発性メモリ(MA)における、メモリの摩耗防止を保証する方法であって、前記不揮発性メモリは少なくとも一つの領域が空領域(Po)となる複数のデータ保存領域(A,B,…n)に編成されており、
このメモリの制御手段が以下の過程を実行することを特徴とする、不揮発性メモリの磨耗防止保証方法。
・前記制御手段が前記メモリの第一領域の内容を第二領域に段階的にシフトする過程であって、
該シフトは、一つの領域に関するシフトがランダムに起動されるものであり、
該シフトは、領域A、B、・・nの順で周期的に行われるものであり、
前記第二領域とは、空領域であるか、又は前回のシフトの際に空にされた領域である、段階的シフト過程、および、
・制御手段に含まれるアドレス変換手段が、前記第一領域から第二領域への移動過程が行われる都度、第一領域への全てのアクセス要求を第二領域へのアクセス要求に変換するアドレス変換過程。
第9に、
前記段階的シフト過程が、新しい空領域の位置決定過程を含んでいることを特徴とする、前記第8に記載の方法。
第10に、
所定のシフト回数の後に、前記保存領域のそれぞれの内容が、他の全ての保存領域のそれぞれに転送されることになる事を特徴とする、前記第8に記載の方法。
第11に、
所定のシフト回数の後に、前記保存領域のそれぞれの内容が、開始領域へと転送して戻ってくることになる事を特徴とする、前記第8に記載の方法。
第12に、
前記所定のシフト回数が領域の数に等しいことを特徴とする、前記第10または第11に記載の方法。
第13に、
前記不揮発性メモリがチップカードに含まれることを特徴とする、前記第8に記載の方法。
−前記メモリ内に少なくとも一つの空領域を備え、前記メモリ内に記録される情報は、この空の領域以外のメモリ領域内に記録される。
−新しい空領域の位置決定過程。
−図1は、第一の実施態様による記憶システムの模式図である。
−図2は、第二の実施態様による記憶システムの模式図である。
−図3は、本発明による制御手段が実施するメカニズムを説明するメモリ平面図を模式的に示している。
−図4は、完全にサイクルが終わった後のこのメカニズムを示している。
−図5は、本発明による空領域の位置決定手段を模式的に示している。
2 メモリ制御手段
Claims (13)
- 更新される可能性のある情報を含む不揮発性メモリ(MA)と、このメモリの制御手段(UT,MP)とから成る、不揮発性メモリの摩耗防止を保証する記憶システムであって、
前記不揮発性メモリは、少なくとも一つの領域が空領域(Po)となる複数の領域(A,B,…n)に編成されており、
前記制御手段は、
−第一領域から第二領域への転送手段(T)、
−第一領域(A)に対する全てのアクセス要求(DA)を、第一領域の内容が転送された第二領域へのアクセス要求に変換するような、アドレス変換手段、および、
−シフトコマンド手段
を含んでおり、
前記シフトコマンド手段はランダム制御信号によって起動され、
前記制御手段が、第一領域の内容を第二領域に段階的にシフトさせ、前記第二領域は、空領域であるか、又は前回のシフトの際に空にされた領域であり、
該シフトは、シフトコマンド手段が起動されるごとに1領域ずつ行われ、
該シフトは、領域A、B・・nの順で周期的に行われる
ことを特徴とする、記憶システム。 - 所定のシフト回数の後に、前記領域のそれぞれの内容が、他の全ての領域のそれぞれに転送されることになることを特徴とする、請求項1に記載の記憶システム。
- 所定のシフト回数の後に、前記領域のそれぞれの内容が、開始領域へと転送して戻ってくることになることを特徴とする、請求項1または2に記載の記憶システム。
- 前記所定のシフト回数が領域の数に等しいことを特徴とする、請求項2または3に記載の記憶システム。
- 変換手段が、プログラム(CA1)によって実現される論理ユニットであることを特徴とする、請求項1に記載の記憶システム。
- 変換手段が、メモリのアドレス指定回路内の論理回路によって実現される物理ユニット(CA2)であることを特徴とする、請求項1に記載の記憶システム。
- チップカードで構成されることを特徴とする、請求項1に記載の記憶システム。
- 更新される可能性のある情報を含む不揮発性メモリ(MA)における、メモリの摩耗防止を保証する方法であって、前記不揮発性メモリは少なくとも一つの領域が空領域(Po)となる複数のデータ保存領域(A,B,…n)に編成されており、
このメモリの制御手段が、
・前記制御手段が前記メモリの第一領域の内容を第二領域に段階的にシフトする過程であって、
該シフトは、一つの領域に関するシフトがランダムに起動されるものであり、
該シフトは、領域A、B、・・nの順で周期的に行われるものであり、
前記第二領域とは、空領域であるか、又は前回のシフトの際に空にされた領域である、段階的シフト過程、および、
・制御手段に含まれるアドレス変換手段が、前記第一領域から第二領域への移動過程が行われる都度、第一領域への全てのアクセス要求を第二領域へのアクセス要求に変換するアドレス変換過程
を実行することを特徴とする、不揮発性メモリの磨耗防止保証方法。 - 前記段階的シフト過程が、新しい空領域の位置決定過程を含んでいることを特徴とする、請求項8に記載の方法。
- 所定のシフト回数の後に、前記保存領域のそれぞれの内容が、他の全ての保存領域のそれぞれに転送されることになる事を特徴とする、請求項8に記載の方法。
- 所定のシフト回数の後に、前記保存領域のそれぞれの内容が、開始領域へと転送して戻ってくることになる事を特徴とする、請求項8に記載の方法。
- 前記所定のシフト回数が領域の数に等しいことを特徴とする、請求項10または11に記載の方法。
- 前記不揮発性メモリがチップカードに含まれることを特徴とする、請求項8に記載の方法。
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