JPH0778485A - 不揮発性半導体記憶装置とデータ書換／読出方法 - Google Patents
不揮発性半導体記憶装置とデータ書換／読出方法Info
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- JPH0778485A JPH0778485A JP22124193A JP22124193A JPH0778485A JP H0778485 A JPH0778485 A JP H0778485A JP 22124193 A JP22124193 A JP 22124193A JP 22124193 A JP22124193 A JP 22124193A JP H0778485 A JPH0778485 A JP H0778485A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、特定のアドレスに書き替えアクセ
スが集中した場合でも、半導体記憶装置の寿命が短くな
ることがなく、さらに処理時間の短いデータ書換／読出
方法を提供することを目的とする。 【構成】 主記憶内の記憶領域を複数のブロックに分割
し、論理ブロック番号を用いてブロック単位にデータの
入出力を行うデータ書換／読出方法において、未使用の
ブロックが格納されているファーストインファーストア
ウトキュー（ＦＩＦＯキュー）から先頭のブロックを取
り出すブロック取出工程と、取り出した前記先頭のブロ
ックに入力データを書き込む書込工程と、指定された論
理ブロック番号と前記先頭のブロックを対応付け、その
対応関係を記憶する工程と、前記指定された論理ブロッ
ク番号に先に対応付けられていたブロックの内容を消去
する工程と、前記指定された論理ブロック番号に先に対
応付けられていたブロックを前記ＦＩＦＯキューへ格納
する工程とを有するデータ書換工程を含む。
スが集中した場合でも、半導体記憶装置の寿命が短くな
ることがなく、さらに処理時間の短いデータ書換／読出
方法を提供することを目的とする。 【構成】 主記憶内の記憶領域を複数のブロックに分割
し、論理ブロック番号を用いてブロック単位にデータの
入出力を行うデータ書換／読出方法において、未使用の
ブロックが格納されているファーストインファーストア
ウトキュー（ＦＩＦＯキュー）から先頭のブロックを取
り出すブロック取出工程と、取り出した前記先頭のブロ
ックに入力データを書き込む書込工程と、指定された論
理ブロック番号と前記先頭のブロックを対応付け、その
対応関係を記憶する工程と、前記指定された論理ブロッ
ク番号に先に対応付けられていたブロックの内容を消去
する工程と、前記指定された論理ブロック番号に先に対
応付けられていたブロックを前記ＦＩＦＯキューへ格納
する工程とを有するデータ書換工程を含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、不揮発性半導体記憶装
置に関し、特にフラッシュメモリを用いた不揮発性半導
体記憶装置に関する。
置に関し、特にフラッシュメモリを用いた不揮発性半導
体記憶装置に関する。
【０００２】フラッシュメモリは、電源電圧を供給しな
くても記憶内容を保持することができ、また容易に書換
え可能である。そのため、携帯用のメモリカード、高速
アクセス可能な外部記憶装置（例えば半導体ディスク装
置等）への応用が進んでおり、長寿命の不揮発性半導体
記憶装置が期待されている。
くても記憶内容を保持することができ、また容易に書換
え可能である。そのため、携帯用のメモリカード、高速
アクセス可能な外部記憶装置（例えば半導体ディスク装
置等）への応用が進んでおり、長寿命の不揮発性半導体
記憶装置が期待されている。
【０００３】
【従来の技術】フラッシュメモリには、書き替え回数に
制限がある。通常のフラッシュメモリでは、１０4 〜１
０5 程度であり、それ以上の書換えを行うとメモリセル
が破壊され、以後の書込が不可能になることがある。
制限がある。通常のフラッシュメモリでは、１０4 〜１
０5 程度であり、それ以上の書換えを行うとメモリセル
が破壊され、以後の書込が不可能になることがある。
【０００４】従って、フラッシュメモリを使用した半導
体記憶装置において、書き替えのアクセスが特定のアド
レスに集中し書き替え可能回数を越えた場合には、該当
アドレスのメモリセルの信頼性は低下する。
体記憶装置において、書き替えのアクセスが特定のアド
レスに集中し書き替え可能回数を越えた場合には、該当
アドレスのメモリセルの信頼性は低下する。
【０００５】このように、書き替えのアクセスが特定の
アドレスに集中すると、他のアドレスの記憶領域の信頼
性は保証されているにもかかわらず、半導体記憶装置と
しては使用できなくなる。
アドレスに集中すると、他のアドレスの記憶領域の信頼
性は保証されているにもかかわらず、半導体記憶装置と
しては使用できなくなる。
【０００６】この問題点を解決するために、破壊された
メモリセルが存在するブロックを予備のブロックに代替
する処理が採られる。この場合、使用できる予備ブロッ
クを検索するには、通常、予備ブロック毎に未使用か使
用中かを記憶している予備ブロック管理情報テーブルを
単純にサーチすることによって行われる。
メモリセルが存在するブロックを予備のブロックに代替
する処理が採られる。この場合、使用できる予備ブロッ
クを検索するには、通常、予備ブロック毎に未使用か使
用中かを記憶している予備ブロック管理情報テーブルを
単純にサーチすることによって行われる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
フラッシュメモリを使用した半導体記憶装置において、
特定のアドレスに書き替えアクセスが集中すると、該当
メモリセルの信頼性が低下する。そのため、半導体記憶
装置の寿命が短くなる。
フラッシュメモリを使用した半導体記憶装置において、
特定のアドレスに書き替えアクセスが集中すると、該当
メモリセルの信頼性が低下する。そのため、半導体記憶
装置の寿命が短くなる。
【０００８】故障が発生したブロックを予備のブロック
に代替すれば、半導体記憶装置の寿命を延ばすことがで
きる。しかし、未使用の予備ブロックが検出されるまで
予備ブロック管理情報テーブルの単純サーチを行うた
め、処理時間が長くなる。
に代替すれば、半導体記憶装置の寿命を延ばすことがで
きる。しかし、未使用の予備ブロックが検出されるまで
予備ブロック管理情報テーブルの単純サーチを行うた
め、処理時間が長くなる。
【０００９】また、予備ブロックを全て使用してしまっ
たとき、予備ブロック以外に未使用のブロックが存在し
ても、そのブロックを代替のブロックとして使用するこ
とができない。
たとき、予備ブロック以外に未使用のブロックが存在し
ても、そのブロックを代替のブロックとして使用するこ
とができない。
【００１０】本発明の目的は、特定のアドレスに書き替
えアクセスが集中した場合でも、半導体記憶装置の寿命
が短くなることがなく、さらに処理時間の短いデータ書
換／読出方法及び不揮発性半導体記憶装置を提供するこ
とである。
えアクセスが集中した場合でも、半導体記憶装置の寿命
が短くなることがなく、さらに処理時間の短いデータ書
換／読出方法及び不揮発性半導体記憶装置を提供するこ
とである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明のデータ書換／読
出方法は、主記憶内の記憶領域を複数のブロックに分割
し、論理ブロック番号を用いてブロック単位にデータの
入出力を行うデータ書換／読出方法において、未使用の
ブロックが格納されているファーストインファーストア
ウトキュー（ＦＩＦＯキュー）から先頭のブロックを取
り出すブロック取出工程と、取り出した前記先頭のブロ
ックに入力データを書き込む書込工程と、指定された論
理ブロック番号と前記先頭のブロックを対応付け、その
対応関係を記憶する工程と、前記指定された論理ブロッ
ク番号に先に対応付けられていたブロックの内容を消去
する工程と、前記指定された論理ブロック番号に先に対
応付けられていたブロックを前記ＦＩＦＯキューへ格納
する工程とを有するデータ書換工程を含む。
出方法は、主記憶内の記憶領域を複数のブロックに分割
し、論理ブロック番号を用いてブロック単位にデータの
入出力を行うデータ書換／読出方法において、未使用の
ブロックが格納されているファーストインファーストア
ウトキュー（ＦＩＦＯキュー）から先頭のブロックを取
り出すブロック取出工程と、取り出した前記先頭のブロ
ックに入力データを書き込む書込工程と、指定された論
理ブロック番号と前記先頭のブロックを対応付け、その
対応関係を記憶する工程と、前記指定された論理ブロッ
ク番号に先に対応付けられていたブロックの内容を消去
する工程と、前記指定された論理ブロック番号に先に対
応付けられていたブロックを前記ＦＩＦＯキューへ格納
する工程とを有するデータ書換工程を含む。
【００１２】本発明の不揮発性半導体記憶装置は、主記
憶内の記憶領域を複数のブロックに分割し、ブロック単
位にデータの入出力を行う不揮発性半導体記憶装置にお
いて、主記憶内のブロックのうち一部のブロックの組を
ユーザ領域、ユーザ領域以外のブロックの組をヒドゥン
領域とし、全ブロックに、ブロックを特定するための物
理ブロック番号を付与したとき、ユーザ領域内のブロッ
ク数分のブロックと対応付けられ、データの入出力を行
うブロックを指定するための論理ブロック番号と、前記
物理ブロック番号との対応関係を記憶するための主記憶
管理メモリと、前記論理ブロック番号ごとに設けられ、
初期設定後該当の論理ブロック番号にデータの書込があ
ったか否かを記憶するための、書込済フラグと、ヒドゥ
ン領域内のブロックの総数分の物理ブロック番号を格納
することができるＦＩＦＯキューと、ある論理ブロック
番号への書込指示があった時に、前記主記憶管理メモリ
を検索して論理ブロック番号から物理ブロック番号へ変
換し、変換された物理ブロック番号で特定されるブロッ
クの内容を消去し、前記ＦＩＦＯキューから物理ブロッ
ク番号を取り出し、取り出した物理ブロック番号で特定
されるブロックに入力データを書き込み、前記ＦＩＦＯ
キューへ前記変換された消去物理ブロック番号を格納す
る処理を行うための制御手段とを有する。
憶内の記憶領域を複数のブロックに分割し、ブロック単
位にデータの入出力を行う不揮発性半導体記憶装置にお
いて、主記憶内のブロックのうち一部のブロックの組を
ユーザ領域、ユーザ領域以外のブロックの組をヒドゥン
領域とし、全ブロックに、ブロックを特定するための物
理ブロック番号を付与したとき、ユーザ領域内のブロッ
ク数分のブロックと対応付けられ、データの入出力を行
うブロックを指定するための論理ブロック番号と、前記
物理ブロック番号との対応関係を記憶するための主記憶
管理メモリと、前記論理ブロック番号ごとに設けられ、
初期設定後該当の論理ブロック番号にデータの書込があ
ったか否かを記憶するための、書込済フラグと、ヒドゥ
ン領域内のブロックの総数分の物理ブロック番号を格納
することができるＦＩＦＯキューと、ある論理ブロック
番号への書込指示があった時に、前記主記憶管理メモリ
を検索して論理ブロック番号から物理ブロック番号へ変
換し、変換された物理ブロック番号で特定されるブロッ
クの内容を消去し、前記ＦＩＦＯキューから物理ブロッ
ク番号を取り出し、取り出した物理ブロック番号で特定
されるブロックに入力データを書き込み、前記ＦＩＦＯ
キューへ前記変換された消去物理ブロック番号を格納す
る処理を行うための制御手段とを有する。
【００１３】
【作用】本発明のデータ書換／読出方法によると、デー
タ書換えを指定されたブロックと主記憶内の実際に書換
えを行うブロックとの関係は固定していない。データ書
換えを行う場合には、複数のブロックを収容するＦＩＦ
Ｏキューから取り出したブロックに書き込みを行うこと
ができる。従って、特定のブロックに書換えアクセスが
集中しても、実際に書換えが行われるブロックは固定せ
ず、平均的に使用することができる。
タ書換えを指定されたブロックと主記憶内の実際に書換
えを行うブロックとの関係は固定していない。データ書
換えを行う場合には、複数のブロックを収容するＦＩＦ
Ｏキューから取り出したブロックに書き込みを行うこと
ができる。従って、特定のブロックに書換えアクセスが
集中しても、実際に書換えが行われるブロックは固定せ
ず、平均的に使用することができる。
【００１４】そのため、ブロック毎の書換え可能回数
は、見かけ上増えることになり、半導体記憶装置の寿命
を長くすることが可能になる。また、データの書換えを
行ったときに書き込んだデータを読み出して、書き込む
べきデータと照合し、異常が発見されたブロックをその
後使用しないようにすることにより、部分的にメモリセ
ルが故障した場合でも、継続して半導体記憶装置を使用
することができる。
は、見かけ上増えることになり、半導体記憶装置の寿命
を長くすることが可能になる。また、データの書換えを
行ったときに書き込んだデータを読み出して、書き込む
べきデータと照合し、異常が発見されたブロックをその
後使用しないようにすることにより、部分的にメモリセ
ルが故障した場合でも、継続して半導体記憶装置を使用
することができる。
【００１５】
【実施例】以下に、図１〜４を参照して本発明の第１の
実施例について説明する。図１は、本実施例による不揮
発性半導体記憶装置のブロック図である。不揮発性半導
体記憶装置５は、主記憶１、主記憶管理メモリ２、ＦＩ
ＦＯキュー３、及び装置内コントローラ４から構成され
ている。
実施例について説明する。図１は、本実施例による不揮
発性半導体記憶装置のブロック図である。不揮発性半導
体記憶装置５は、主記憶１、主記憶管理メモリ２、ＦＩ
ＦＯキュー３、及び装置内コントローラ４から構成され
ている。
【００１６】主記憶１は、フラッシュメモリで構成され
ており、複数の書換え／消去単位（以下ブロックとい
う。）に分割されている。ここで、主記憶１の総ブロッ
ク数をＡ個とする。それぞれのブロックには、１〜Ａま
での物理ブロック番号が付与されており、物理ブロック
番号を指定することにより、一つのブロックを特定する
ことができる。
ており、複数の書換え／消去単位（以下ブロックとい
う。）に分割されている。ここで、主記憶１の総ブロッ
ク数をＡ個とする。それぞれのブロックには、１〜Ａま
での物理ブロック番号が付与されており、物理ブロック
番号を指定することにより、一つのブロックを特定する
ことができる。
【００１７】Ａ個のうち（Ａ−Ｎ）個のみがユーザに開
放されており、残りのＮ個はユーザには開放されないブ
ロック（以下ヒドゥンブロックという）である。すなわ
ち、ユーザには、（Ａ−Ｎ）個のブロックを有する記憶
装置と同等にみえる。
放されており、残りのＮ個はユーザには開放されないブ
ロック（以下ヒドゥンブロックという）である。すなわ
ち、ユーザには、（Ａ−Ｎ）個のブロックを有する記憶
装置と同等にみえる。
【００１８】主記憶管理メモリ２は、データを書き換え
る際にユーザが指示する１〜（Ａ−Ｎ）の論理ブロック
番号と１〜Ａの物理ブロック番号との対応関係を記憶す
るための記憶領域と、論理ブロック番号毎に、主記憶等
の初期設定後に該当の論理ブロック番号に書き込みがあ
ったか否かを記憶するための書込済フラグを有する。
る際にユーザが指示する１〜（Ａ−Ｎ）の論理ブロック
番号と１〜Ａの物理ブロック番号との対応関係を記憶す
るための記憶領域と、論理ブロック番号毎に、主記憶等
の初期設定後に該当の論理ブロック番号に書き込みがあ
ったか否かを記憶するための書込済フラグを有する。
【００１９】具体的には、（Ａ−Ｎ）ワードのテーブル
で構成されており、１ワードが一つの論理ブロック番号
に対応している。各ワードは、１ビットの書込済フラグ
と、物理ブロック番号を記憶するためのポインタから構
成されている。
で構成されており、１ワードが一つの論理ブロック番号
に対応している。各ワードは、１ビットの書込済フラグ
と、物理ブロック番号を記憶するためのポインタから構
成されている。
【００２０】この（Ａ−Ｎ）ワードのテーブルを論理ブ
ロック番号で索引することにより、該当の論理ブロック
番号に対応する書込済フラグから未書込か書込済かの状
態、ポインタから物理ブロック番号を得ることができ
る。
ロック番号で索引することにより、該当の論理ブロック
番号に対応する書込済フラグから未書込か書込済かの状
態、ポインタから物理ブロック番号を得ることができ
る。
【００２１】ＦＩＦＯキュー３は、Ｎ個のヒドゥンブロ
ックに対応する物理ブロック番号を格納することができ
る。また、格納された物理ブロック番号を、先に格納さ
れたものから順番に取り出すことができる。
ックに対応する物理ブロック番号を格納することができ
る。また、格納された物理ブロック番号を、先に格納さ
れたものから順番に取り出すことができる。
【００２２】上記主記憶管理メモリ２とＦＩＦＯキュー
３も、電源電圧の供給が停止しても記憶内容が失われな
いメモリで構成されている。装置内コントローラ４は、
主記憶管理メモリ２を索引して論理ブロック番号から物
理ブロック番号への変換を行う。また、ＦＩＦＯキュー
３からの物理ブロック番号の取り出し、及びＦＩＦＯキ
ュー３への物理ブロック番号の格納、主記憶１の特定の
ブロックへのデータの書き込み、消去等の制御を行う。
さらに、外部の装置とのデータの送受信の制御を行う。
３も、電源電圧の供給が停止しても記憶内容が失われな
いメモリで構成されている。装置内コントローラ４は、
主記憶管理メモリ２を索引して論理ブロック番号から物
理ブロック番号への変換を行う。また、ＦＩＦＯキュー
３からの物理ブロック番号の取り出し、及びＦＩＦＯキ
ュー３への物理ブロック番号の格納、主記憶１の特定の
ブロックへのデータの書き込み、消去等の制御を行う。
さらに、外部の装置とのデータの送受信の制御を行う。
【００２３】次に、図２〜４を参照してデータの書込／
読出方法について説明する。図２は、不揮発性半導体記
憶装置初期設定後の状態を示す。主記憶１内の全てのブ
ロックの内容は、消去されている。
読出方法について説明する。図２は、不揮発性半導体記
憶装置初期設定後の状態を示す。主記憶１内の全てのブ
ロックの内容は、消去されている。
【００２４】主記憶管理メモリ２のポインタには自ブロ
ック番号が設定されている。すなわち、初期状態では、
論理ブロック番号は物理ブロック番号と等しい。なお、
本実施例では、論理ブロック番号を、それに等しい物理
ブロック番号に対応させることとしたが、論理ブロック
番号と物理ブロック番号が、１対１に対応していればそ
れ以外でもよい。
ック番号が設定されている。すなわち、初期状態では、
論理ブロック番号は物理ブロック番号と等しい。なお、
本実施例では、論理ブロック番号を、それに等しい物理
ブロック番号に対応させることとしたが、論理ブロック
番号と物理ブロック番号が、１対１に対応していればそ
れ以外でもよい。
【００２５】主記憶管理メモリ２の各書込済フラグは、
未書込状態（ＯＦＦ状態）に設定されている。これは、
初期設定後、まだ該当の論理ブロック番号に書込が行わ
れていないことを示す。
未書込状態（ＯＦＦ状態）に設定されている。これは、
初期設定後、まだ該当の論理ブロック番号に書込が行わ
れていないことを示す。
【００２６】ＦＩＦＯキュー３には、Ｎ個のヒドゥンブ
ロックに対応する物理ブロック番号が格納されている。
格納される順番は任意である。図３は、データ書込工程
を示す。以下に論理ブロック番号Ｙにデータを書き込む
場合の処理について説明する。
ロックに対応する物理ブロック番号が格納されている。
格納される順番は任意である。図３は、データ書込工程
を示す。以下に論理ブロック番号Ｙにデータを書き込む
場合の処理について説明する。
【００２７】３− 装置内コントローラ４は、主記憶
管理メモリ２を論理ブロック番号Ｙで索引する。論理ブ
ロック番号Ｙに対応する書込済フラグは未書込状態（Ｏ
ＦＦ状態）を示しているので、データ初期書込処理を実
行する。
管理メモリ２を論理ブロック番号Ｙで索引する。論理ブ
ロック番号Ｙに対応する書込済フラグは未書込状態（Ｏ
ＦＦ状態）を示しているので、データ初期書込処理を実
行する。
【００２８】３− ポインタにはＹが設定されている
ため、物理ブロック番号Ｙで特定されるブロックに入力
データを書き込む。
ため、物理ブロック番号Ｙで特定されるブロックに入力
データを書き込む。
【００２９】３− 主記憶管理メモリ２の論理ブロッ
ク番号Ｙに対応する書込済フラグに書込済状態（ＯＮ状
態）を設定する。書込済フラグは初期設定しない限り書
込済状態を維持する。これにより、以後論理ブロック番
号Ｙに対して書込要求があると、データ書込処理ではな
く、後述するデータ書換処理が実行される。
ク番号Ｙに対応する書込済フラグに書込済状態（ＯＮ状
態）を設定する。書込済フラグは初期設定しない限り書
込済状態を維持する。これにより、以後論理ブロック番
号Ｙに対して書込要求があると、データ書込処理ではな
く、後述するデータ書換処理が実行される。
【００３０】図４は、データ書換工程を示す。以下に論
理ブロック番号Ｙのデータを書き換える場合の処理につ
いて説明する。 ４− 装置内コントローラ４は、主記憶管理メモリ２
を論理ブロック番号Ｙで索引する。論理ブロック番号Ｙ
に対応する書込済フラグは書込済状態（ＯＮ状態）を示
しているので、データ書換処理を実行する。
理ブロック番号Ｙのデータを書き換える場合の処理につ
いて説明する。 ４− 装置内コントローラ４は、主記憶管理メモリ２
を論理ブロック番号Ｙで索引する。論理ブロック番号Ｙ
に対応する書込済フラグは書込済状態（ＯＮ状態）を示
しているので、データ書換処理を実行する。
【００３１】ポインタに設定されている物理ブロック番
号Ｙを図には示さない装置内コントローラ４内のレジス
タに記憶する。主記憶管理メモリ２の論理ブロック番号
Ｙのポインタを書き換えた後も、後述する４−の工
程で物理ブロック番号Ｙを使用するためである。
号Ｙを図には示さない装置内コントローラ４内のレジス
タに記憶する。主記憶管理メモリ２の論理ブロック番号
Ｙのポインタを書き換えた後も、後述する４−の工
程で物理ブロック番号Ｙを使用するためである。
【００３２】なお、ポインタに設定されている物理ブロ
ック番号は必ずしもＹとは限らない。論理ブロック番号
Ｙに２回以上の書き込み処理があったときは後述するよ
うにＹ以外の物理ブロック番号になっている。物理ブロ
ック番号がＹ以外のときでも、データ書換処理は物理ブ
ロック番号がＹのときと基本的に変わらない。
ック番号は必ずしもＹとは限らない。論理ブロック番号
Ｙに２回以上の書き込み処理があったときは後述するよ
うにＹ以外の物理ブロック番号になっている。物理ブロ
ック番号がＹ以外のときでも、データ書換処理は物理ブ
ロック番号がＹのときと基本的に変わらない。
【００３３】４− 装置内コントローラ４は、ＦＩＦ
Ｏキュー３から先頭の物理ブロック番号を取り出す。こ
こで、取り出した物理ブロック番号はＸであったとす
る。
Ｏキュー３から先頭の物理ブロック番号を取り出す。こ
こで、取り出した物理ブロック番号はＸであったとす
る。
【００３４】４− 装置内コントローラ４は、ＦＩＦ
Ｏキュー３から取り出した物理ブロック番号Ｘで特定さ
れるブロックに入力データを書き込む。
Ｏキュー３から取り出した物理ブロック番号Ｘで特定さ
れるブロックに入力データを書き込む。
【００３５】４− 装置内コントローラ４は、主記憶
管理メモリ２の論理ブロック番号Ｙのポインタに物理ブ
ロック番号Ｘを設定する。これにより、以後論理ブロッ
ク番号Ｙからのデータ読み出し要求があった場合には、
物理ブロック番号Ｘからデータが読み出される。
管理メモリ２の論理ブロック番号Ｙのポインタに物理ブ
ロック番号Ｘを設定する。これにより、以後論理ブロッ
ク番号Ｙからのデータ読み出し要求があった場合には、
物理ブロック番号Ｘからデータが読み出される。
【００３６】４− 装置内コントローラ４は、４−
の工程で装置内コントローラ４内のレジスタに記憶した
物理ブロック番号Ｙで特定されるブロックの内容を消去
する。これにより、該当ブロックへの新たなデータの書
き込みが可能になる。
の工程で装置内コントローラ４内のレジスタに記憶した
物理ブロック番号Ｙで特定されるブロックの内容を消去
する。これにより、該当ブロックへの新たなデータの書
き込みが可能になる。
【００３７】４− 装置内コントローラ４は、装置内
コントローラ４内のレジスタに記憶されている物理ブロ
ック番号ＹをＦＩＦＯキュー３に格納する。これによ
り、物理ブロック番号Ｙは、Ｎ回目の書換処理時に、は
じめてキューから取り出されることになる。従って、物
理ブロック番号Ｙで特定されるブロックは、今後（Ｎ−
１）回の書換処理では使用されることはない。
コントローラ４内のレジスタに記憶されている物理ブロ
ック番号ＹをＦＩＦＯキュー３に格納する。これによ
り、物理ブロック番号Ｙは、Ｎ回目の書換処理時に、は
じめてキューから取り出されることになる。従って、物
理ブロック番号Ｙで特定されるブロックは、今後（Ｎ−
１）回の書換処理では使用されることはない。
【００３８】データ読出工程では、主記憶管理メモリ２
を指定された論理ブロック番号で索引し、該当のポイン
タに設定されている物理ブロック番号で特定されるブロ
ックの内容を読み出す。
を指定された論理ブロック番号で索引し、該当のポイン
タに設定されている物理ブロック番号で特定されるブロ
ックの内容を読み出す。
【００３９】以上説明したように、特定の一つの論理ブ
ロック番号に対して書換え要求が集中した場合でも、ヒ
ドゥンブロックのＮ個を含めた（Ｎ＋１）個のブロック
でローテーションして使用されるため、ユーザにとって
は、書換え可能回数が（Ｎ＋１）倍になったようにみえ
る。このように、書換え頻度の高いブロックについて、
見かけ上の書換え回数が実際の書換え回数よりも少なく
なるため、記憶装置全体として寿命が延びる。
ロック番号に対して書換え要求が集中した場合でも、ヒ
ドゥンブロックのＮ個を含めた（Ｎ＋１）個のブロック
でローテーションして使用されるため、ユーザにとって
は、書換え可能回数が（Ｎ＋１）倍になったようにみえ
る。このように、書換え頻度の高いブロックについて、
見かけ上の書換え回数が実際の書換え回数よりも少なく
なるため、記憶装置全体として寿命が延びる。
【００４０】例えば、記憶しているデータ名と、そのデ
ータが記憶されている物理ブロック番号との対応関係を
記憶するディレクトリ領域として使用されるブロック
は、特に書換え頻度が多い。
ータが記憶されている物理ブロック番号との対応関係を
記憶するディレクトリ領域として使用されるブロック
は、特に書換え頻度が多い。
【００４１】従って、ディレクトリ領域として固定した
ブロックを使用すると、このブロックのメモリセルが最
初に故障する可能性が高い。本実施例によれば、このよ
うな場合でも、ディレクトリ領域が特定のブロックに固
定することがなく、主記憶１内の全ブロックをほぼ平均
的に使用することができる。
ブロックを使用すると、このブロックのメモリセルが最
初に故障する可能性が高い。本実施例によれば、このよ
うな場合でも、ディレクトリ領域が特定のブロックに固
定することがなく、主記憶１内の全ブロックをほぼ平均
的に使用することができる。
【００４２】４−の工程後に、実際に書き込まれたデ
ータを直ちに読み出し、入力データと照合することが好
ましい。装置内コントローラ４は、内部の一時記憶レジ
スタに保存している入力データと、主記憶１から読み出
したデータを照合し、結果が異常であれば、再度４−
の工程を実行し、新たな物理ブロック番号Ｘ’を取り出
す。そして、再度４−の工程を実行し、内部の一時記
憶レジスタに保存している入力データを物理ブロック番
号Ｘ’で特定されるブロックに書き込む。
ータを直ちに読み出し、入力データと照合することが好
ましい。装置内コントローラ４は、内部の一時記憶レジ
スタに保存している入力データと、主記憶１から読み出
したデータを照合し、結果が異常であれば、再度４−
の工程を実行し、新たな物理ブロック番号Ｘ’を取り出
す。そして、再度４−の工程を実行し、内部の一時記
憶レジスタに保存している入力データを物理ブロック番
号Ｘ’で特定されるブロックに書き込む。
【００４３】このようにして、４−と４−の工程を
照合結果が正常になるまで繰り返す。照合結果が正常に
なれば、４−の工程に進む。照合結果が異常となった
物理ブロック番号ＸはＦＩＦＯキュー３には格納しな
い。これにより、異常が発生したブロックは今後使用さ
れることがなくなり、不揮発性半導体記憶装置の信頼性
が向上する。
照合結果が正常になるまで繰り返す。照合結果が正常に
なれば、４−の工程に進む。照合結果が異常となった
物理ブロック番号ＸはＦＩＦＯキュー３には格納しな
い。これにより、異常が発生したブロックは今後使用さ
れることがなくなり、不揮発性半導体記憶装置の信頼性
が向上する。
【００４４】次に、図５〜７を参照して本発明の第２の
実施例について説明する。第２の実施例による不揮発性
半導体記憶装置の構成は、図１に示す第１の実施例の場
合と同様である。第１の実施例と異なる点は、ＦＩＦＯ
キューが格納することができる物理ブロック番号の数が
Ｎ個ではなく、Ａ個である点である。すなわち、ＦＩＦ
Ｏキューには、主記憶１の全ブロックに対応する物理ブ
ロック番号を格納することができる。
実施例について説明する。第２の実施例による不揮発性
半導体記憶装置の構成は、図１に示す第１の実施例の場
合と同様である。第１の実施例と異なる点は、ＦＩＦＯ
キューが格納することができる物理ブロック番号の数が
Ｎ個ではなく、Ａ個である点である。すなわち、ＦＩＦ
Ｏキューには、主記憶１の全ブロックに対応する物理ブ
ロック番号を格納することができる。
【００４５】以下に、第２の実施例によるデータの書込
／読出方法について説明する。図５は、初期設定後の状
態を示す。主記憶１内の全てのブロックは、消去されて
いる。ＦＩＦＯキュー３ａには、主記憶１の全てのブロ
ックに対応する物理ブロック番号が格納されている。図
５には１から昇順に格納する場合について示している
が、昇順である必要はなく、順番は任意でよい。
／読出方法について説明する。図５は、初期設定後の状
態を示す。主記憶１内の全てのブロックは、消去されて
いる。ＦＩＦＯキュー３ａには、主記憶１の全てのブロ
ックに対応する物理ブロック番号が格納されている。図
５には１から昇順に格納する場合について示している
が、昇順である必要はなく、順番は任意でよい。
【００４６】主記憶管理メモリ２の書込済フラグは、全
ての論理ブロック番号について、未書込状態（ＯＦＦ状
態）に設定されている。ポインタには、自論理ブロック
番号が設定されている。ただし、ポインタのデータを読
み出す前には必ず書き込みが行われるため、初期設定工
程では、何も設定しなくてもよい。
ての論理ブロック番号について、未書込状態（ＯＦＦ状
態）に設定されている。ポインタには、自論理ブロック
番号が設定されている。ただし、ポインタのデータを読
み出す前には必ず書き込みが行われるため、初期設定工
程では、何も設定しなくてもよい。
【００４７】図６は、未書込状態の論理ブロック番号に
データを書き込むデータ書込工程を示す。以下に論理ブ
ロック番号Ｙにデータを書き込む場合の処理について説
明する。
データを書き込むデータ書込工程を示す。以下に論理ブ
ロック番号Ｙにデータを書き込む場合の処理について説
明する。
【００４８】６− 装置内コントローラ４は、ＦＩＦ
Ｏキュー３ａから先頭の物理ブロック番号を取り出す。
ここで、先頭の物理ブロック番号がＸであるとする。
Ｏキュー３ａから先頭の物理ブロック番号を取り出す。
ここで、先頭の物理ブロック番号がＸであるとする。
【００４９】６− ＦＩＦＯキュー３ａから取り出し
た先頭の物理ブロック番号Ｘで特定されるブロックに入
力データを書き込む。
た先頭の物理ブロック番号Ｘで特定されるブロックに入
力データを書き込む。
【００５０】６− 主記憶管理メモリ２を論理ブロッ
ク番号Ｙで索引する。書込済フラグは、未書込状態にな
っているため、データ書込処理を実行する。
ク番号Ｙで索引する。書込済フラグは、未書込状態にな
っているため、データ書込処理を実行する。
【００５１】６− ６−の工程で取り出した先頭の
物理ブロック番号Ｘを主記憶管理メモリ２の論理ブロッ
ク番号Ｙに対応するポインタに設定する。これにより、
今後論理ブロック番号Ｙに対して読み出し要求がある
と、物理ブロック番号Ｘで特定されるブロックからデー
タが読み出される。
物理ブロック番号Ｘを主記憶管理メモリ２の論理ブロッ
ク番号Ｙに対応するポインタに設定する。これにより、
今後論理ブロック番号Ｙに対して読み出し要求がある
と、物理ブロック番号Ｘで特定されるブロックからデー
タが読み出される。
【００５２】次に、論理ブロック番号Ｙに対応する書込
済フラグを書込済状態（ＯＮ状態）に設定する。これに
より、今後論理ブロック番号Ｙに書換え要求があると、
後述するデータ書換処理が実行される。
済フラグを書込済状態（ＯＮ状態）に設定する。これに
より、今後論理ブロック番号Ｙに書換え要求があると、
後述するデータ書換処理が実行される。
【００５３】図７は、書込済状態の論理ブロック番号に
データを書き込むデータ書換工程を示す。以下に論理ブ
ロック番号Ｙのデータを書き換える場合の処理について
説明する。
データを書き込むデータ書換工程を示す。以下に論理ブ
ロック番号Ｙのデータを書き換える場合の処理について
説明する。
【００５４】７− 装置内コントローラ４は、ＦＩＦ
Ｏキュー３ａから先頭の物理ブロック番号を取り出す。
ここで、先頭の物理ブロック番号がＺであるとする。
Ｏキュー３ａから先頭の物理ブロック番号を取り出す。
ここで、先頭の物理ブロック番号がＺであるとする。
【００５５】７− ＦＩＦＯキュー３ａから取り出し
た先頭の物理ブロック番号Ｚで特定されるブロックに入
力データを書き込む。ここまでの処理は、図６に示した
データ書込工程と同様である。
た先頭の物理ブロック番号Ｚで特定されるブロックに入
力データを書き込む。ここまでの処理は、図６に示した
データ書込工程と同様である。
【００５６】７− 主記憶管理メモリ２を論理ブロッ
ク番号Ｙで索引する。書込済フラグは、書込済状態にな
っているため、該当論理ブロック番号には１回以上の書
込が行われていると判断し、データ書換処理を実行す
る。
ク番号Ｙで索引する。書込済フラグは、書込済状態にな
っているため、該当論理ブロック番号には１回以上の書
込が行われていると判断し、データ書換処理を実行す
る。
【００５７】７− 主記憶管理メモリ２の論理ブロッ
ク番号Ｙに対応するポインタが物理ブロック番号Ｘを指
しているとする。物理ブロック番号Ｘで特定されるブロ
ックには、前回の論理ブロック番号Ｙに対する書込デー
タが記憶されているため、該当のブロックの消去を行
う。消去後、物理ブロック番号ＸをＦＩＦＯキュー３ａ
に格納する。
ク番号Ｙに対応するポインタが物理ブロック番号Ｘを指
しているとする。物理ブロック番号Ｘで特定されるブロ
ックには、前回の論理ブロック番号Ｙに対する書込デー
タが記憶されているため、該当のブロックの消去を行
う。消去後、物理ブロック番号ＸをＦＩＦＯキュー３ａ
に格納する。
【００５８】これにより、物理ブロック番号Ｘで特定さ
れるブロックには、ＦＩＦＯキュー３ａから順次物理ブ
ロック番号が取り出され、物理ブロック番号Ｘが先頭に
なったときに、次回の書き込みが行われる。
れるブロックには、ＦＩＦＯキュー３ａから順次物理ブ
ロック番号が取り出され、物理ブロック番号Ｘが先頭に
なったときに、次回の書き込みが行われる。
【００５９】７− 主記憶管理メモリ２の論理ブロッ
ク番号Ｙに対応するポインタに７−の工程で取り出し
た物理ブロック番号Ｚを設定する。これにより、今後論
理ブロック番号Ｙに対して読み出し要求があると、物理
ブロック番号Ｚで特定されるブロックからデータが読み
出される。
ク番号Ｙに対応するポインタに７−の工程で取り出し
た物理ブロック番号Ｚを設定する。これにより、今後論
理ブロック番号Ｙに対して読み出し要求があると、物理
ブロック番号Ｚで特定されるブロックからデータが読み
出される。
【００６０】データ読出工程は、第１の実施例と同様で
ある。すなわち、主記憶管理メモリ２を指定された論理
ブロック番号で索引し、該当のポインタに設定されてい
る物理ブロック番号で特定されるブロックの内容を読み
出す。
ある。すなわち、主記憶管理メモリ２を指定された論理
ブロック番号で索引し、該当のポインタに設定されてい
る物理ブロック番号で特定されるブロックの内容を読み
出す。
【００６１】以上説明したように、第２の実施例では、
初期設定時に論理ブロック番号と物理ブロック番号とを
対応付けず、最初に書き込みがあった時に始めて対応付
けが行われる。そのため、初期設定後に、１回も使用さ
れない論理ブロック番号があるような場合に特に有効で
ある。
初期設定時に論理ブロック番号と物理ブロック番号とを
対応付けず、最初に書き込みがあった時に始めて対応付
けが行われる。そのため、初期設定後に、１回も使用さ
れない論理ブロック番号があるような場合に特に有効で
ある。
【００６２】例えば、不揮発性半導体記憶装置をスチル
カメラの画像記憶装置として使用する場合、撮影可能枚
数を全て使い切らないうちにプリントし、再度１枚目か
ら撮影を行うような場合に特に有効である。
カメラの画像記憶装置として使用する場合、撮影可能枚
数を全て使い切らないうちにプリントし、再度１枚目か
ら撮影を行うような場合に特に有効である。
【００６３】第２の実施例においても、第１の実施例と
同様に７−の工程後に、実際に書き込まれたデータを
直ちに読み出し、入力データと照合することが好まし
い。照合結果が異常であれば、再度７−の工程を実行
し、新たな物理ブロック番号Ｘ’を取り出す。そして、
再度７−の工程を実行し、入力データを物理ブロック
番号Ｘ’で特定されるブロックに書き込む。
同様に７−の工程後に、実際に書き込まれたデータを
直ちに読み出し、入力データと照合することが好まし
い。照合結果が異常であれば、再度７−の工程を実行
し、新たな物理ブロック番号Ｘ’を取り出す。そして、
再度７−の工程を実行し、入力データを物理ブロック
番号Ｘ’で特定されるブロックに書き込む。
【００６４】このようにして、７−と７−の工程を
照合結果が正常になるまで繰り返す。照合結果が正常に
なれば、７−の工程に進む。照合結果が異常となった
物理ブロック番号ＸはＦＩＦＯキュー３ａには格納しな
い。これにより、異常が発生したブロックは今後使用さ
れることがなくなり、不揮発性半導体記憶装置の信頼性
が向上する。
照合結果が正常になるまで繰り返す。照合結果が正常に
なれば、７−の工程に進む。照合結果が異常となった
物理ブロック番号ＸはＦＩＦＯキュー３ａには格納しな
い。これにより、異常が発生したブロックは今後使用さ
れることがなくなり、不揮発性半導体記憶装置の信頼性
が向上する。
【００６５】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
【００６６】
【発明の効果】本発明によれば、主記憶内の書換え頻度
の高いブロックについて、見かけ上の書換え回数が実際
の書換え回数よりも少なくなるため、記憶装置全体とし
て寿命が延びる。
の高いブロックについて、見かけ上の書換え回数が実際
の書換え回数よりも少なくなるため、記憶装置全体とし
て寿命が延びる。
【００６７】また、初期設定後、１回も使用されないブ
ロックがある場合でも、主記憶内の全ブロックをほぼ平
均的に有効利用することができる。さらに、データ書き
込み後に、入力データとの照合を行い、異常が発生した
ブロックを以後使用しないようにすることにより、記憶
装置の信頼性を向上させることができる。
ロックがある場合でも、主記憶内の全ブロックをほぼ平
均的に有効利用することができる。さらに、データ書き
込み後に、入力データとの照合を行い、異常が発生した
ブロックを以後使用しないようにすることにより、記憶
装置の信頼性を向上させることができる。
【図１】本発明の実施例による不揮発性半導体記憶装置
のブロック図である。
のブロック図である。
【図２】本発明の第１の実施例による初期設定後の不揮
発性半導体記憶装置内の状態を表すブロック図である。
発性半導体記憶装置内の状態を表すブロック図である。
【図３】本発明の第１の実施例によるデータ書込工程の
処理を示すための不揮発性半導体記憶装置のブロック図
である。
処理を示すための不揮発性半導体記憶装置のブロック図
である。
【図４】本発明の第１の実施例によるデータ書換工程の
処理を示すための不揮発性半導体記憶装置のブロック図
である。
処理を示すための不揮発性半導体記憶装置のブロック図
である。
【図５】本発明の第２の実施例による初期設定後の不揮
発性半導体記憶装置内の状態を表すブロック図である。
発性半導体記憶装置内の状態を表すブロック図である。
【図６】本発明の第２の実施例によるデータ書込工程の
処理を示すための不揮発性半導体記憶装置のブロック図
である。
処理を示すための不揮発性半導体記憶装置のブロック図
である。
【図７】本発明の第２の実施例によるデータ書換工程の
処理を示すための不揮発性半導体記憶装置のブロック図
である。
処理を示すための不揮発性半導体記憶装置のブロック図
である。
１ 主記憶 ２ 主記憶管理メモリ ３、３ａ ＦＩＦＯキュー ４ 装置内コントローラ ５ 不揮発性半導体記憶装置
Claims (9)
- 【請求項１】 主記憶内の記憶領域を複数のブロックに
分割し、論理ブロック番号を用いてブロック単位にデー
タの入出力を行うデータ書換／読出方法において、 未使用のブロックが格納されているファーストインファ
ーストアウトキュー（ＦＩＦＯキュー）から先頭のブロ
ックを取り出すブロック取出工程と、 取り出した前記先頭のブロックに入力データを書き込む
書込工程と、 指定された論理ブロック番号と前記先頭のブロックを対
応付け、その対応関係を記憶する工程と、 前記指定された論理ブロック番号に先に対応付けられて
いたブロックの内容を消去する工程と、 前記指定された論理ブロック番号に先に対応付けられて
いたブロックを前記ＦＩＦＯキューへ格納する工程とを
有するデータ書換工程を含むデータ書換／読出方法。 - 【請求項２】 さらに、主記憶内のブロックのうち論理
ブロック番号の総数と等しい数のブロックの組をユーザ
領域、ユーザ領域以外のブロックの組をヒドゥン領域と
したとき、 全論理ブロック番号とユーザ領域内の全ブロックとを１
対１に対応付け、その対応関係を記憶する工程と、 ヒドゥン領域の全ブロックをＦＩＦＯキューに格納する
工程と、 論理ブロック番号に対して書込が行われたか否かを記憶
するための、論理ブロック番号毎に設けられた書込済フ
ラグを未書込状態に設定する工程とを有する初期設定工
程を含む請求項１記載のデータ書換／読出方法。 - 【請求項３】 さらに、指定された論理ブロック番号に
対応付けられたブロックに入力データを書き込む工程
と、 前記指定された論理ブロック番号に対応する前記書込済
フラグを書込済状態に設定する工程とを有するデータ書
込工程を含む請求項２記載のデータ書換／読出方法。 - 【請求項４】 さらに、主記憶内の全ブロックをＦＩＦ
Ｏキューに格納する工程と、 論理ブロック番号に対して書込が行われたか否かを記憶
するための、論理ブロック番号毎に設けられた書込済フ
ラグを未書込状態に設定する工程とを有する他の初期設
定工程を含む請求項１記載のデータ書換／読出方法。 - 【請求項５】 さらに、前記ＦＩＦＯキューから先頭の
ブロックを取り出すブロック取出工程と、 取り出した前記先頭のブロックに入力データを書き込む
書込工程と、 指定された論理ブロック番号と前記先頭のブロックとを
対応付け、その対応関係を記憶する工程と、 前記指定された論理ブロック番号に対応する前記書込済
フラグを書込済状態に設定する工程とを有する他のデー
タ書込工程を含む請求項４記載のデータ書換／読出方
法。 - 【請求項６】 指定された論理ブロック番号から前記対
応関係により対応付けられたブロックを検索し、対応付
けられたブロックからデータを読み出すデータ読出工程
を含む請求項１〜５のいずれかに記載のデータ書換／読
出方法。 - 【請求項７】 前記書込工程後に、書き込むべきデータ
と書き込んだデータとを照合し、正常性をチェックする
データ照合工程を含み、 照合が異常であった場合に、再度前記ブロック取出工程
から実施することを特徴とする請求項１〜６のいずれか
に記載のデータ書換／読出方法。 - 【請求項８】 主記憶内の記憶領域を複数のブロックに
分割し、ブロック単位にデータの入出力を行う不揮発性
半導体記憶装置において、 主記憶内のブロックのうち一部のブロックの組をユーザ
領域、ユーザ領域以外のブロックの組をヒドゥン領域と
し、全ブロックに、ブロックを特定するための物理ブロ
ック番号を付与したとき、 ユーザ領域内のブロック数分のブロックと対応付けら
れ、データの入出力を行うブロックを指定するための論
理ブロック番号と、前記物理ブロック番号との対応関係
を記憶するための主記憶管理メモリと、 前記論理ブロック番号ごとに設けられ、初期設定後該当
の論理ブロック番号にデータの書込があったか否かを記
憶するための、書込済フラグと、 ヒドゥン領域内のブロックの総数分の物理ブロック番号
を格納することができるＦＩＦＯキューと、 ある論理ブロック番号への書込指示があった時に、前記
主記憶管理メモリを検索して論理ブロック番号から物理
ブロック番号へ変換し、変換された物理ブロック番号で
特定されるブロックの内容を消去し、前記ＦＩＦＯキュ
ーから物理ブロック番号を取り出し、取り出した物理ブ
ロック番号で特定されるブロックに入力データを書き込
み、前記ＦＩＦＯキューへ前記変換された消去物理ブロ
ック番号を格納する処理を行うための制御手段とを有す
る不揮発性半導体記憶装置。 - 【請求項９】 主記憶内の記憶領域を複数のブロックに
分割し、ブロック単位にデータの入出力を行う不揮発性
半導体記憶装置において、 主記憶内の全ブロックに、ブロックを特定するための物
理ブロック番号を付与したとき、 主記憶内のブロックの一部と対応付けられ、データの入
出力を行うブロックを指定するための論理ブロック番号
と前記物理ブロック番号との対応関係を記憶するための
他の主記憶管理メモリと、 前記論理ブロック番号ごとに設けられ、初期設定後該当
の論理ブロック番号にデータの書込があったか否かを記
憶するための、書込済フラグと、 主記憶内のブロックの総数分の物理ブロック番号を格納
することができる他のＦＩＦＯキューと、 ある論理ブロック番号への書込指示があった時に、前記
主記憶管理メモリを検索して論理ブロック番号から物理
ブロック番号へ変換し、変換された物理ブロック番号で
特定されるブロックの内容を消去し、前記ＦＩＦＯキュ
ーから物理ブロック番号を取り出し、取り出した物理ブ
ロック番号で特定されるブロックに入力データを書き込
み、前記ＦＩＦＯキューへ前記変換された消去物理ブロ
ック番号を格納する処理を行うための制御手段とを有す
る不揮発性半導体記憶装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22124193A JP3494676B2 (ja) | 1993-09-06 | 1993-09-06 | 不揮発性半導体記憶装置とデータ書換／読出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22124193A JP3494676B2 (ja) | 1993-09-06 | 1993-09-06 | 不揮発性半導体記憶装置とデータ書換／読出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0778485A true JPH0778485A (ja) | 1995-03-20 |
| JP3494676B2 JP3494676B2 (ja) | 2004-02-09 |
Family
ID=16763683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22124193A Expired - Fee Related JP3494676B2 (ja) | 1993-09-06 | 1993-09-06 | 不揮発性半導体記憶装置とデータ書換／読出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3494676B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5956749A (en) * | 1996-05-30 | 1999-09-21 | Nec Corporation | Data back-up system using nonvolatile read/write memory |
| JP2002014717A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-18 | Mitsubishi Electric Corp | 遠方監視制御システム |
| JP2007042123A (ja) * | 1998-12-22 | 2007-02-15 | Gemplus | 摩耗防止を備えたメモリ制御手段を有する記憶システムとメモリの管理方法 |
| JP2008217931A (ja) * | 2007-03-06 | 2008-09-18 | Yokogawa Electric Corp | ディスク装置およびこれを用いた測定装置 |
| JP4837731B2 (ja) * | 2005-06-08 | 2011-12-14 | サンディスク アイエル リミテッド | プログラム可能な耐久度を有するフラッシュメモリ |
| JP2019128905A (ja) * | 2018-01-26 | 2019-08-01 | 大日本印刷株式会社 | 電子情報記憶媒体、ｉｃカード、電子情報記憶媒体による情報処理方法及びｏｓ |
| US10529395B2 (en) | 2012-04-10 | 2020-01-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory system for access concentration decrease management and access concentration decrease method |
-
1993
- 1993-09-06 JP JP22124193A patent/JP3494676B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5956749A (en) * | 1996-05-30 | 1999-09-21 | Nec Corporation | Data back-up system using nonvolatile read/write memory |
| JP2007042123A (ja) * | 1998-12-22 | 2007-02-15 | Gemplus | 摩耗防止を備えたメモリ制御手段を有する記憶システムとメモリの管理方法 |
| JP4604144B2 (ja) * | 1998-12-22 | 2010-12-22 | ジェマルト エスアー | 摩耗防止を備えたメモリ制御手段を有する記憶システムとメモリの管理方法 |
| JP2002014717A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-18 | Mitsubishi Electric Corp | 遠方監視制御システム |
| JP4837731B2 (ja) * | 2005-06-08 | 2011-12-14 | サンディスク アイエル リミテッド | プログラム可能な耐久度を有するフラッシュメモリ |
| JP2008217931A (ja) * | 2007-03-06 | 2008-09-18 | Yokogawa Electric Corp | ディスク装置およびこれを用いた測定装置 |
| US10529395B2 (en) | 2012-04-10 | 2020-01-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory system for access concentration decrease management and access concentration decrease method |
| US11024352B2 (en) | 2012-04-10 | 2021-06-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory system for access concentration decrease management and access concentration decrease method |
| US11817174B2 (en) | 2012-04-10 | 2023-11-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory system for access concentration decrease management and access concentration decrease method |
| JP2019128905A (ja) * | 2018-01-26 | 2019-08-01 | 大日本印刷株式会社 | 電子情報記憶媒体、ｉｃカード、電子情報記憶媒体による情報処理方法及びｏｓ |
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| JP3494676B2 (ja) | 2004-02-09 |
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