JP4592580B2 - 不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
不揮発性半導体記憶装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4592580B2 JP4592580B2 JP2005365466A JP2005365466A JP4592580B2 JP 4592580 B2 JP4592580 B2 JP 4592580B2 JP 2005365466 A JP2005365466 A JP 2005365466A JP 2005365466 A JP2005365466 A JP 2005365466A JP 4592580 B2 JP4592580 B2 JP 4592580B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- type
- memory device
- memory cell
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 380
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 95
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 33
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 7
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 278
- 238000000034 method Methods 0.000 description 122
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 92
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 50
- 230000008569 process Effects 0.000 description 47
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 44
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 43
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 39
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 18
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 18
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 9
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 9
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 8
- 108090000699 N-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 7
- 102000004129 N-Type Calcium Channels Human genes 0.000 description 7
- 108010075750 P-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 5
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910008423 Si—B Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUKUURHRXDUEBC-SXOMAYOGSA-N (3s,5r)-7-[2-(4-fluorophenyl)-3-phenyl-4-(phenylcarbamoyl)-5-propan-2-ylpyrrol-1-yl]-3,5-dihydroxyheptanoic acid Chemical compound C=1C=CC=CC=1C1=C(C=2C=CC(F)=CC=2)N(CC[C@@H](O)C[C@H](O)CC(O)=O)C(C(C)C)=C1C(=O)NC1=CC=CC=C1 XUKUURHRXDUEBC-SXOMAYOGSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- OJCDKHXKHLJDOT-UHFFFAOYSA-N fluoro hypofluorite;silicon Chemical compound [Si].FOF OJCDKHXKHLJDOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- WGPCGCOKHWGKJJ-UHFFFAOYSA-N sulfanylidenezinc Chemical compound [Zn]=S WGPCGCOKHWGKJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B69/00—Erasable-and-programmable ROM [EPROM] devices not provided for in groups H10B41/00 - H10B63/00, e.g. ultraviolet erasable-and-programmable ROM [UVEPROM] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B41/00—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates
- H10B41/30—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by the memory core region
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B41/00—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates
- H10B41/30—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by the memory core region
- H10B41/35—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by the memory core region with a cell select transistor, e.g. NAND
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
- G11C16/0408—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells containing floating gate transistors
- G11C16/0433—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells containing floating gate transistors comprising cells containing a single floating gate transistor and one or more separate select transistors
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
- G11C16/0483—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells having several storage transistors connected in series
Landscapes
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Description
本発明の実施の形態の第1の変形例に係る不揮発性半導体記憶装置において、図27に示すように、n+型のソース領域及びドレイン領域421〜42(n+1)が、メモリセルトランジスタMT11〜MT1nのn-型のチャネル領域411〜41nと不純物密度が実質的に同等でn-型であっても良い。この場合でも、本発明の実施の形態と同様に、メモリセルトランジスタMT11〜MT1nが同一導電型のソース及びドレイン領域421〜42(n+1)及びチャネル領域411〜41nを有するデプレッション型又はエンハンスメント型であるので、ショートチャネル効果の影響を低減することができる。
本発明の実施の形態の第2の変形例に係る不揮発性半導体記憶装置において、図1に示した第2の半導体層2が、半絶縁性半導体層(真性半導体層)であり、第1の半導体層(半導体基板)1及び第3の半導体層3よりも不純物密度が低くても良い。
本発明の実施の形態の第3の変形例に係る不揮発性半導体記憶装置において、図1に示した第2の半導体層2が、炭素(C)原子又は酸素(O)原子のいずれか一方、又はC原子及びO原子の両方を含むことを特徴とする。
本発明の実施の形態の第4の変形例に係る不揮発性半導体記憶装置において、第2の半導体層2が、第1の半導体層(半導体基板)1よりも低不純物密度の第1導電型(p型)であり、第1の半導体層(半導体基板)1に含まれるp型不純物よりも原子量が大きいp型不純物を含む一例を説明する。例えば、第1の半導体層(半導体基板)1に含まれるp型不純物がBであれば、Bよりも原子量が大きいp型不純物として、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)又はタリウム(Tl)等が使用可能である。
本発明の実施の形態の第5の変形例に係る不揮発性半導体記憶装置において、第2の半導体層2が、第1導電型(p型)又は第2導電型(n型)の炭化シリコン(SiC)を含む。
本発明の実施の形態の第6の変形例に係る不揮発性半導体記憶装置において、図1に示した第2の半導体層2はp型、又はn型のSiGeを含み、第1の半導体層(半導体基板)1の不純物密度よりSiGeの不純物密度が低い。
本発明の実施の形態の第7の変形例に係る不揮発性半導体記憶装置において、図28に示すように、Si基板表面近傍に空隙19のあるSON(Silicon On Nothing)基板を用いる。第2の半導体層2は、数10〜数100nm程度の空隙19を有する。チャネル領域411〜41nと第1の半導体層1の間に空隙19を含む第2の半導体層2を介在させることにより、第1の半導体層1とチャネル領域411〜41nとの間の電流経路が減少し、実質的な抵抗が上昇する。このため、逆バイアスが印加された場合でも、リーク電流を抑制することができる。また、本発明の実施の形態と同様に、メモリセルトランジスタMT11〜MT1nが同一導電型のソース及びドレイン領域421〜42(n+1)及びチャネル領域411〜41nを有するデプレッション型又はエンハンスメント型であるので、ショートチャネル効果の影響を低減することができる。
本発明の実施の形態の第8の変形例に係る不揮発性半導体記憶装置において、図29に示すように、第2導電型(n+型)の第4の半導体層(半導体基板)4上に、p+型のエピタキシャル層の第1の半導体層1が配置されている。即ち、第1の半導体層1は、第1導電型(p型)であれば、半導体基板でなくとも良い。この場合でも、本発明の実施の形態と同様に、メモリセルトランジスタMT11〜MT1nが同一導電型のソース及びドレイン領域421〜42(n+1)及びチャネル領域411〜41nを有するデプレッション型又はエンハンスメント型であるので、ショートチャネル効果の影響を低減することができる。
本発明の実施の形態の第9の変形例に係る不揮発性半導体記憶装置において、メモリセル周辺部について説明する。図30に示すように、第2の半導体層2がメモリセルトランジスタMT11〜MT1nの配列、選択ゲートトランジスタSTS1のソース領域43、及び選択ゲートトランジスタSTD1のドレイン領域45の下に選択的に配置されている。このため、選択ゲートトランジスタSTS1,STD1のチャネル領域42,44が、第1の半導体層1と接している。
本発明の実施の形態の第10の変形例に係る不揮発性半導体記憶装置の製造方法は、図13(a)に示すようにp型不純物をn型チャネル層に選択的にイオン注入する代わりに、n型チャネル層の全面にp型不純物のみイオン注入する。引き続き、図14(a)〜図22(b)に示す手順は実質的に同様に行う。
本発明の実施の形態の第11の変形例に係る不揮発性半導体記憶装置は、図34に示すように、図2に示した1トランジスタ/セル構造の平面パターン構造を拡張した2トランジスタ/セル構造であっても良い。図34に示した不揮発性半導体記憶装置は、セルアレイ100x、カラムデコーダ104、センスアンプ102、第1ロウデコーダ101x、第2ロウデコーダ101y、及びソース線ドライバ103を備える。
本発明の実施の形態の第12の変形例として、図1に示した不揮発性半導体記憶装置の応用例であるフラッシュメモリシステム142を図35を用いて説明する。フラッシュメモリシステム142は、ホストプラットホーム144、及びユニバーサル・シリアル・バス(USB)フラッシュ装置146を備える。ホストプラットホーム144は、USBケーブル148を介してUSBフラッシュ装置146へ接続されている。ホストプラットホーム144は、USBホストコネクタ150を介してUSBケーブル148に接続し、USBフラッシュ装置146はUSBフラッシュ装置コネクタ152を介してUSBケーブル148に接続する。ホストプラットホーム144は、USBバス上のパケット伝送を制御するUSBホスト制御器154を有する。
上記のように、本発明は実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。例えば、実施の形態ではm×n個のメモリセルトランジスタMT11〜MT1n,MT21〜MT2n,・・・・・,MTm1〜MTmnを示したが、現実的には更に複数のメモリセルトランジスタでセルアレイが構成されていても良い。
2…第2の半導体層
3…第3の半導体層
4…第4の半導体層
5…マスク膜
6…素子分離絶縁膜
7…溝部
8…開口部
12…ゲート絶縁膜
13…浮遊ゲート電極
13a,15a,13b,15b…選択ゲート電極
13x…第1ポリシリコン層
14…電極間絶縁膜
15…制御ゲート電極
15…第2ポリシリコン層
17…ビット線コンタクトプラグ
18…ソース線コンタクトプラグ
19…空隙
21…レジスト膜
23…レジスト膜
24…レジスト膜
41…チャネル領域
41…不純物拡散層
42…ソース領域
42…チャネル領域
42…ドレイン領域
43…ソース領域
44…チャネル領域
45…ドレイン領域
100…セルアレイ
100x…セルアレイ
101…ロウデコーダ
101x…第1ロウデコーダ
101x…第2ロウデコーダ
101y…第2ロウデコーダ
102…センスアンプ
103…ソース線ドライバ
104…カラムデコーダ
104…ドレイン領域
411〜41n…チャネル領域
421〜42…ドレイン領域
421〜42n…ソース領域
Claims (7)
- 複数のメモリセルトランジスタがマトリクス状に配置された不揮発性半導体記憶装置であって、
第1導電型の第1の半導体層と、
前記第1の半導体層上に配置された第1導電型の第2の半導体層と、
前記第2の半導体層上に配置され、前記複数のメモリセルトランジスタのそれぞれの第2導電型のソース領域、第2導電型のドレイン領域、及び第2導電型のチャネル領域を周期的に配置した第3の半導体層
とを備え、前記第2の半導体層の不純物密度が第1の半導体層の不純物密度よりも低く、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層とが接し、前記第2の半導体層が前記第1の半導体層から前記第3の半導体層への不純物の拡散を抑制することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記第3の半導体層が、炭化シリコンからなることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記第1の半導体層の下に、第2導電型の第4の半導体層を更に備えることを特徴とする請求項1又は2に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記メモリセルトランジスタの列方向における単位配列の一端に隣接し、前記第3の半導体層に設けられた第1導電型のチャネル領域、第2導電型のソース領域、及び前記一端に位置する前記メモリセルトランジスタのソース領域となる第2導電型のドレイン領域を備える選択ゲートトランジスタを前記単位配列毎に更に備えることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記第2の半導体層が前記メモリセルトランジスタの単位配列及び前記選択ゲートトランジスタのドレイン領域の下に選択的に配置され、前記選択ゲートトランジスタのチャネル領域及びソース領域が前記第1の半導体層と接していることを特徴とする請求項4に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記第2の半導体層が前記メモリセルトランジスタの単位配列、及び前記選択ゲートトランジスタのソース領域及びドレイン領域の下に選択的に配置され、前記選択ゲートトランジスタのチャネル領域が前記第1の半導体層と接していることを特徴とする請求項4に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記メモリセルトランジスタは、熱平衡状態において前記メモリセルトランジスタのチャネル導通部分が残るデプレッション型、及び熱平衡状態において前記メモリセルトランジスタのチャネル領域が完全空乏化するエンハンスメント型のいずれかであることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の不揮発性半導体記憶装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005365466A JP4592580B2 (ja) | 2005-12-19 | 2005-12-19 | 不揮発性半導体記憶装置 |
US11/608,393 US7432561B2 (en) | 2005-12-19 | 2006-12-08 | Non-volatile semiconductor memory and method for manufacturing a non-volatile semiconductor memory |
US12/206,762 US7553728B2 (en) | 2005-12-19 | 2008-09-09 | Method of fabricating a non-volatile semiconductor memory |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005365466A JP4592580B2 (ja) | 2005-12-19 | 2005-12-19 | 不揮発性半導体記憶装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007173327A JP2007173327A (ja) | 2007-07-05 |
JP4592580B2 true JP4592580B2 (ja) | 2010-12-01 |
Family
ID=38172477
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005365466A Expired - Fee Related JP4592580B2 (ja) | 2005-12-19 | 2005-12-19 | 不揮発性半導体記憶装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7432561B2 (ja) |
JP (1) | JP4592580B2 (ja) |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7598134B2 (en) | 2004-07-28 | 2009-10-06 | Micron Technology, Inc. | Memory device forming methods |
JP2006344746A (ja) * | 2005-06-08 | 2006-12-21 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 |
US7459748B2 (en) * | 2005-10-17 | 2008-12-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device |
JP2007165543A (ja) * | 2005-12-13 | 2007-06-28 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置の製造方法 |
JP4592580B2 (ja) | 2005-12-19 | 2010-12-01 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
KR100742284B1 (ko) * | 2006-02-09 | 2007-07-24 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 소자 및 그 형성방법 |
JP4791949B2 (ja) * | 2006-12-22 | 2011-10-12 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体メモリ |
US7750371B2 (en) | 2007-04-30 | 2010-07-06 | International Business Machines Corporation | Silicon germanium heterojunction bipolar transistor structure and method |
KR100873705B1 (ko) * | 2007-06-22 | 2008-12-12 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2009010011A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2009016692A (ja) * | 2007-07-06 | 2009-01-22 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置の製造方法と半導体記憶装置 |
WO2009025368A1 (ja) * | 2007-08-22 | 2009-02-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | 半導体記憶装置及び半導体記憶装置の製造方法 |
JP2009054942A (ja) * | 2007-08-29 | 2009-03-12 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
TWI349363B (en) * | 2007-11-15 | 2011-09-21 | Nanya Technology Corp | Non-volatile memory and the manufacturing method thereof |
KR101003492B1 (ko) * | 2007-12-21 | 2010-12-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 전하 트랩층을 갖는 불휘발성 메모리소자의 형성방법 |
US9259600B2 (en) * | 2008-09-09 | 2016-02-16 | Graig Cropper | Method and apparatus for protecting buildings from fire |
KR101539399B1 (ko) * | 2008-09-24 | 2015-07-24 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 및 그 제조방법 |
JP2010114380A (ja) | 2008-11-10 | 2010-05-20 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2010134983A (ja) | 2008-12-03 | 2010-06-17 | Toshiba Corp | デプレッションタイプnandフラッシュメモリ |
JP2010165785A (ja) * | 2009-01-14 | 2010-07-29 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
JP2010199235A (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-09 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP5569153B2 (ja) * | 2009-09-02 | 2014-08-13 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
US8394700B2 (en) * | 2010-04-22 | 2013-03-12 | Semiconductor Components Industries, Llc | Device including memory array and method thereof |
US8278203B2 (en) | 2010-07-28 | 2012-10-02 | Sandisk Technologies Inc. | Metal control gate formation in non-volatile storage |
KR20120064482A (ko) * | 2010-12-09 | 2012-06-19 | 삼성전자주식회사 | 고속 동작 및 저전력 소모 특성을 갖는 비휘발성 반도체 메모리 장치 |
JP5389074B2 (ja) | 2011-02-25 | 2014-01-15 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
US8742481B2 (en) * | 2011-08-16 | 2014-06-03 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods comprising a channel region having different minority carrier lifetimes |
US9312306B2 (en) * | 2013-09-03 | 2016-04-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile memory device and method of manufacturing the same |
US9734910B1 (en) * | 2016-01-22 | 2017-08-15 | SK Hynix Inc. | Nonvolatile memory cells having lateral coupling structures and nonvolatile memory cell arrays including the same |
US10679699B2 (en) * | 2018-07-30 | 2020-06-09 | Stmicroelectronics (Rousset) Sas | Non-volatile memory with double capa implant |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5814854A (en) * | 1996-09-09 | 1998-09-29 | Liu; David K. Y. | Highly scalable FLASH EEPROM cell |
JP2006216960A (ja) * | 2005-02-03 | 2006-08-17 | Seoul National Univ Industry Foundation | 複数層のドーピング層を有する電荷トラップメモリセルとこれを利用したメモリアレイ及びその動作方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05110108A (ja) * | 1991-10-18 | 1993-04-30 | Mitsubishi Electric Corp | Eprom |
JPH1168105A (ja) * | 1997-08-26 | 1999-03-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP3959165B2 (ja) * | 1997-11-27 | 2007-08-15 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2000174241A (ja) | 1998-12-10 | 2000-06-23 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2001094093A (ja) * | 1999-09-20 | 2001-04-06 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
US6639835B2 (en) * | 2000-02-29 | 2003-10-28 | Micron Technology, Inc. | Static NVRAM with ultra thin tunnel oxides |
US6887758B2 (en) * | 2002-10-09 | 2005-05-03 | Freescale Semiconductor, Inc. | Non-volatile memory device and method for forming |
JP4163610B2 (ja) * | 2003-12-22 | 2008-10-08 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2006073939A (ja) * | 2004-09-06 | 2006-03-16 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置及び不揮発性半導体記憶装置の製造方法 |
JP2007157854A (ja) * | 2005-12-01 | 2007-06-21 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP4592580B2 (ja) | 2005-12-19 | 2010-12-01 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
-
2005
- 2005-12-19 JP JP2005365466A patent/JP4592580B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-12-08 US US11/608,393 patent/US7432561B2/en active Active
-
2008
- 2008-09-09 US US12/206,762 patent/US7553728B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5814854A (en) * | 1996-09-09 | 1998-09-29 | Liu; David K. Y. | Highly scalable FLASH EEPROM cell |
JP2006216960A (ja) * | 2005-02-03 | 2006-08-17 | Seoul National Univ Industry Foundation | 複数層のドーピング層を有する電荷トラップメモリセルとこれを利用したメモリアレイ及びその動作方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070138576A1 (en) | 2007-06-21 |
JP2007173327A (ja) | 2007-07-05 |
US20090011559A1 (en) | 2009-01-08 |
US7553728B2 (en) | 2009-06-30 |
US7432561B2 (en) | 2008-10-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4592580B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
US6115287A (en) | Nonvolatile semiconductor memory device using SOI | |
US7528447B2 (en) | Non-volatile semiconductor memory and method for controlling a non-volatile semiconductor memory | |
US7750417B2 (en) | Non-volatile semiconductor memory and method for fabricating a non-volatile semiconductor memory | |
KR102076415B1 (ko) | Nor형 플래시 메모리 | |
US7247907B2 (en) | Bidirectional split gate NAND flash memory structure and array, method of programming, erasing and reading thereof, and method of manufacturing | |
CN101055876A (zh) | 具有非易失存储器的半导体装置及其制造方法 | |
US7876610B2 (en) | Memory cell array with specific placement of field stoppers | |
US7781822B2 (en) | Nonvolatile semiconductor memory | |
JP4300228B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
JP4498198B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
US7772618B2 (en) | Semiconductor storage device comprising MIS transistor including charge storage layer | |
KR100990280B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
US7842998B2 (en) | Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same | |
US5349553A (en) | Nonvolatile semiconductor memory device | |
JPH11145312A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
JP2005340833A (ja) | バイト単位で消去されるeeprom素子及びその製造方法 | |
JP2009135214A (ja) | 半導体記憶装置およびその製造方法 | |
CN118488708A (zh) | 非挥发性记忆体元件及其制作方法 | |
CN116437669A (zh) | Nor闪存阵列及其操作方法 | |
JP4592666B2 (ja) | 半導体記憶装置およびその製造方法 | |
KR20100013936A (ko) | 플래시 메모리 소자, 이의 동작 방법 및 제조 방법 | |
JPH0945873A (ja) | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091021 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091027 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091225 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100817 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100914 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130924 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4592580 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130924 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |