JP2009135214A - 半導体記憶装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】Fin型構造を採用した半導体記憶装置においてカップリング比の各メモリセル間のバラつきを抑制する。また複数のアクティブエリア間のリーク電流を抑制する。
【解決手段】シリコン基板2の主表面高さは均一に形成されていると共にシリコン酸化膜3の上面高さは均一に形成されている。シリコン酸化膜3がSIMOX法により形成され、アクティブエリアSaがシリコン酸化膜3の上面上まで達する素子分離溝2gによって複数に分断されている。したがって、素子分離溝2gの深さおよびアクティブエリアSaの高さを各メモリセル間でほぼ等しい高さに調整でき、隣り合うアクティブエリアSa−Sa間がシリコン酸化膜3によって互いに電気的に絶縁状態に保たれる。
【選択図】図3A
【解決手段】シリコン基板2の主表面高さは均一に形成されていると共にシリコン酸化膜3の上面高さは均一に形成されている。シリコン酸化膜3がSIMOX法により形成され、アクティブエリアSaがシリコン酸化膜3の上面上まで達する素子分離溝2gによって複数に分断されている。したがって、素子分離溝2gの深さおよびアクティブエリアSaの高さを各メモリセル間でほぼ等しい高さに調整でき、隣り合うアクティブエリアSa−Sa間がシリコン酸化膜3によって互いに電気的に絶縁状態に保たれる。
【選択図】図3A
Description
本発明は、FinFET化されたメモリセル構造を備えた半導体記憶装置およびその製造方法に関する。
半導体記憶装置は、近年の素子の高集積化に伴い構成素子が急速に微細化している。このような近年の流れに応えるため、現在主流となっている平面型(プレーナ型)のメモリセル構造に代えてFinFET化されたメモリセル構造が提案されている。このFinFET化メモリセルを採用すると、電荷の蓄積量が増大することによりデータ保持特性が向上するため注目されているが、このようなFinFET化メモリセルを採用した半導体記憶装置が提案されている(例えば、特許文献1、非特許文献1参照)。
例えば、非特許文献1に開示されている技術によれば、複数のアクティブエリアが互いに平行に所定方向に延設されており、SiO2(ゲート絶縁膜)/SiN(電荷トラップ層)/Al2O3膜(ゲート絶縁膜)がこれらのアクティブエリアを覆うように堆積されている。また、TaN/ポリシリコンがSiO2/SiN/Al2O3膜の上に堆積され、これらをワード線として機能させている。しかしながら、複数のアクティブエリア間が所望の素子分離領域によって素子分離されているものの、アクティブエリアとして機能する領域の高さが加工ばらつきを含むため、カップリング比にバラつきが生じ、書込/消去時の特性バラつきを生じる。これにより、メモリセル特性にバラつきが生じる虞がある。また、複数のアクティブエリア間の電流リークの問題も生じる。
特開2007−110029号公報
Se Hoon Lee、外14名、"Improved post-cycling characteristic of FinFET NAND Flash"、IEEE Electron Devices Meeting 2006、Dec 2006、p.1−4
本発明は、FinFET型構造を採用した半導体記憶装置において、カップリング比の各メモリセル間のバラつきを抑制することで書込/消去時の特性を均一化することを第1の目的とし、複数のアクティブエリア間のリーク電流を抑制することを第2の目的とした半導体記憶装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
本発明の一態様は、半導体基板と、開口を有すると共に上面高さが均一に形成された絶縁膜を介して前記半導体基板に形成され、かつ、前記絶縁膜に設けられた開口を介して前記半導体基板に一体に上面高さが均一に形成される半導体層によるアクティブエリアであって前記絶縁膜の上面上に達する溝により互いにストライプ状に分断された複数のアクティブエリアと、前記複数のアクティブエリアの上面および側面を覆うように形成された第1のゲート絶縁膜と、前記第1のゲート絶縁膜上に前記複数のアクティブエリアの上面および側面に前記第1のゲート絶縁膜を挟んで対向した対向面を備えてなる電荷トラップ層と、前記電荷トラップ層上に形成された第2のゲート絶縁膜と、前記第2のゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを備えている。
本発明の別の態様は、半導体基板と、前記半導体基板上に上面が面一に形成された絶縁膜を介して形成され、かつ、前記絶縁膜に設けられた開口を介して前記半導体基板に一体な半導体層によるアクティブエリアであって前記絶縁膜の上面上に達する溝によりストライプ状に互いに分断形成された複数のアクティブエリアと、前記複数のアクティブエリアの上面および側面を覆うように形成された第1のゲート絶縁膜と、前記第1のゲート絶縁膜上に前記複数のアクティブエリアの上面および側面に前記第1のゲート絶縁膜を挟んで対向した対向面を備えてなる電荷トラップ層と、前記電荷トラップ層上に形成された第2のゲート絶縁膜と、前記第2のゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを備えている。
本発明の別の態様は、半導体基板に、開口を有すると共に上面高さが均一な絶縁膜を形成する工程であって、前記開口を介して一体で、かつ、前記絶縁膜の上面上に上面高さを均一に半導体層を形成するように前記絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の上面上の半導体層に前記絶縁膜の開口非形成領域に対して当該絶縁膜の上面に達する溝を形成して複数のアクティブエリアを分断形成する工程と、前記複数のアクティブエリアを分断した溝形成面および前記複数のアクティブエリアの上面に沿って第1のゲート絶縁膜を形成する工程と、前記第1のゲート絶縁膜上に電荷トラップ層を形成する工程と、前記電荷トラップ層上に第2のゲート絶縁膜を形成する工程と、前記第2のゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程とを備えている。
本発明の別の態様は、半導体基板上に、開口を有すると共に当該開口の非形成領域の上面高さが均一な絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の上面上、および前記絶縁膜の開口内に半導体層を形成する工程であって当該半導体層の上面高さを均一に形成する工程と、前記絶縁膜の上面上の半導体層に前記絶縁膜の開口非形成領域に対して当該絶縁膜の上面に達する溝を形成して複数のアクティブエリアを分断形成する工程と、前記複数のアクティブエリアを分断した溝形成面および前記複数のアクティブエリアの上面に沿って第1のゲート絶縁膜を形成する工程と、前記第1のゲート絶縁膜上に電荷トラップ層を形成する工程と、前記電荷トラップ層上に第2のゲート絶縁膜を形成する工程と、前記第2のゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程とを備えている。
本発明の一態様によれば、カップリング比の各メモリセル間のバラつきを抑制することで書込/消去時の特性を均一化することができる。
本発明の一態様によれば、複数のアクティブエリア間のリーク電流を抑制できる。
本発明の一態様によれば、複数のアクティブエリア間のリーク電流を抑制できる。
(第1の実施形態)
以下、本発明をNAND型フラッシュメモリ装置に適用した場合の第1の実施形態について図1ないし図10を参照しながら説明する。なお、以下に参照する図面内の記載において、同一または類似の部分には同一または類似の符号を付して表している。但し、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との比率、各層の厚みの比率などは現実のものとは異なる。
以下、本発明をNAND型フラッシュメモリ装置に適用した場合の第1の実施形態について図1ないし図10を参照しながら説明する。なお、以下に参照する図面内の記載において、同一または類似の部分には同一または類似の符号を付して表している。但し、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との比率、各層の厚みの比率などは現実のものとは異なる。
図1は、NAND型のフラッシュメモリ装置のメモリセル領域内のメモリセルアレイの一部の等価回路図を示しており、図2は、メモリセル領域の一部構造を模式的な平面図によって示している。
半導体装置としてのNAND型のフラッシュメモリ装置1は、メモリセル領域Mおよび周辺回路領域(図示せず)の両領域に区画されている。図1に示すように、メモリセル領域MにはメモリセルアレイArが構成されており、周辺回路領域にはメモリセルを駆動するための周辺回路(図示せず)が構成されている。尚、周辺回路は、メモリセルアレイArのメモリセルに不揮発的に記憶されたデータを読出、書込、消去処理を行うために設けられている。
半導体装置としてのNAND型のフラッシュメモリ装置1は、メモリセル領域Mおよび周辺回路領域(図示せず)の両領域に区画されている。図1に示すように、メモリセル領域MにはメモリセルアレイArが構成されており、周辺回路領域にはメモリセルを駆動するための周辺回路(図示せず)が構成されている。尚、周辺回路は、メモリセルアレイArのメモリセルに不揮発的に記憶されたデータを読出、書込、消去処理を行うために設けられている。
メモリセル領域M内のメモリセルアレイArは、2個の選択ゲートトランジスタTrs1およびTrs2と、当該選択ゲートトランジスタTrs1およびTrs2間に直列接続された複数個(例えば32個)のメモリセルトランジスタTrmとからなるNANDセルユニットUCが行方向および列方向に配列されることにより構成されている。
図1中、ワード線方向(所定方向)に配列されたメモリセルトランジスタTrmは、ワード線WLにより共通接続されている。また、図1中ワード線方向に配列された選択ゲートトランジスタTrs1は、選択ゲート線SGL1により共通接続されている。また、ワード線方向に配列された選択ゲートトランジスタTrs2は、選択ゲート線SGL2により共通接続されている。
選択ゲートトランジスタTrs1のドレイン領域には、ビット線コンタクトCBが接続されている。このビット線コンタクトCBは図1中のワード線方向に直交交差する交差方向(ビット線方向)に延伸するビット線BLに接続されている。また、選択ゲートトランジスタTrs2はソース線コンタクトCSを介してソース線SLに接続されている。
図2は、メモリセル領域の一部のレイアウトパターンを模式的に示す平面図である。アクティブエリアSaが半導体層によりビット線方向に沿って形成されており、ワード線方向に所定間隔で複数形成されている。複数のアクティブエリアSa間に素子分離領域Sbが設けられている。
複数のビット線コンタクトCBが、ビット線方向に延伸した複数のアクティブエリアSa上にそれぞれ形成されている。これらの複数のビット線コンタクトCBは、ワード線方向に並設されている。選択ゲート線SGL1は、平面的には複数のビット線コンタクトCBを挟んで一対形成されている。
選択ゲート線SGL1と交差するアクティブエリアSa上には、それぞれ、選択ゲートトランジスタTrs1の選択ゲート電極SGが構成されており、選択ゲート線SGL1によってワード線方向に沿って連結されている。
ワード線WLが、素子領域Saの延伸方向と直交した方向に沿って形成されている。ワード線WLと交差するアクティブエリアSa上には、それぞれ、メモリセルトランジスタTrmのゲート電極MGが構成されている。これらのゲート電極MGは、ワード線方向およびビット線方向に並設されている。ワード線WLは、複数のアクティブエリアSaおよび複数の素子分離領域Sbの上方を渡って形成されていると共に、ワード線方向に並設されたゲート電極MG(制御ゲート電極CG:ゲート電極:後述の図3B参照)を連結するように形成されている。
図3Aは、図2のA−A線に沿う断面を模式的に示しており、図3Bは、図2のB−B線に沿う断面を模式的に示している。
図3Aに示すように、P型の単結晶シリコン半導体基板2は、その表層にNウェル2bが構成されており、そのさらに表層にPウェル2cが構成されている。Pウェル2cにはシリコン酸化膜3が絶縁膜(基板表層絶縁膜)として構成されている。このシリコン酸化膜3は、半導体基板2の表面よりも下方に位置して半導体基板2の表面内方向に沿ってSOI(Silicon On Insulator)用の絶縁膜として形成されており、これによりSOI構造が構成されている。このシリコン酸化膜3はPウェル2cに内包されるように形成されている。
図3Aに示すように、P型の単結晶シリコン半導体基板2は、その表層にNウェル2bが構成されており、そのさらに表層にPウェル2cが構成されている。Pウェル2cにはシリコン酸化膜3が絶縁膜(基板表層絶縁膜)として構成されている。このシリコン酸化膜3は、半導体基板2の表面よりも下方に位置して半導体基板2の表面内方向に沿ってSOI(Silicon On Insulator)用の絶縁膜として形成されており、これによりSOI構造が構成されている。このシリコン酸化膜3はPウェル2cに内包されるように形成されている。
図3Bに示すように、シリコン酸化膜3には開口3aが設けられており、Pウェル2cは当該シリコン酸化膜3の開口3aの形成領域を介して半導体基板2の表面上に露出するようにP型シリコン層2ccとして構成されている。図3Aに示すように、シリコン酸化膜3は、その上面3bが開口3aの形成領域以外の領域においては平面的に面一に形成されている。
図3Bに示すように、半導体基板2の最表層においては、シリコン酸化膜3の直上に位置してN型の拡散層2d、2e、2fが構成されている。拡散層2dは選択ゲート線SGL1−SGL2の各外側端脇間におけるPウェル2cの表層に位置して形成されている。拡散層2eはビット線コンタクトCBの直下領域に位置して、シリコン酸化膜3の上面直上からシリコン基板2の表面に至る高さまで形成されている。拡散層2eは、特にビット線コンタクトCBとの接触部分に高濃度のN型の不純物が拡散されているため図中には符号「N+」を付して示している。拡散層2fはソース線コンタクトCSの直下領域に位置してシリコン酸化膜3の上面直上からシリコン基板2の表面に至る高さまで形成されている。拡散層2fはソース線コンタクトCSとの接触部分に高濃度のN型の不純物が拡散されているため、図中には符号「N+」を付して示している。拡散層2d、2e、2fおよびP型シリコン層2ccが図2のアクティブエリアSaを構成している。
図3Aに示すように、シリコン基板2の表面に素子分離溝2gが形成されており、図2に示すように、アクティブエリアSaがストライプ状に配設されている。このアクティブエリアSaはワード線方向に互いに分断されている。
図3Aに示すワード線方向断面においては、ゲート絶縁膜4は、複数のアクティブエリアSaの上面Saaおよび側壁面Sab(両側壁面)を覆うように形成され、複数のアクティブエリアSaのそれぞれの上面Saaおよび側壁面Sabに沿ってトンネル絶縁膜として形成されている。アクティブエリアSaの側壁面Sabが溝形成面に相当する。さらに、ゲート絶縁膜4は、アクティブエリアSaの側壁面Sabに沿って形成された部分から素子分離領域Sbにおけるシリコン酸化膜3の上面3b上に渡ってワード線方向に連続して形成されている。尚、セルユニットUCの形成領域内においてシリコン酸化膜3の上面3bの高さはほぼ同一の高さに形成されている。素子分離領域Sb内においては、ゲート絶縁膜4は、シリコン酸化膜3の上面3bの直上に沿って形成されている。
電荷トラップ層5はゲート絶縁膜4の上に形成されている。この電荷トラップ層5はシリコン窒化膜により構成され、ゲート絶縁膜4の上面上および外側面上に沿って形成されている。電荷トラップ層5は、その下面および内側面がゲート絶縁膜4を挟んで複数のアクティブエリアSaと対向した対向面を備えて構成されている。
電荷トラップ層5の上にはゲート絶縁膜6が形成されている。このゲート絶縁膜6は、シリコン酸化膜およびシリコン窒化膜の積層構造(例えばONO膜(シリコン酸化膜−シリコン窒化膜−シリコン酸化膜))により形成されている。このゲート絶縁膜6は、電荷トラップ層5の上面上および外側面上に沿って形成されている。
図3Aに示すように、ゲート絶縁膜6の上には導電層7が構成されている。この導電層7は、リン等の不純物がドープされたポリシリコンおよび当該ポリシリコン上に形成されたタングステンシリサイド層により構成されており、ワード線WLとして機能する。
図3Bに示すビット線方向断面においては、選択ゲート電極SG、制御ゲート電極CG(ワード線WL)の形成領域において、半導体基板2上にゲート絶縁膜4を介して電荷トラップ層5、ゲート絶縁膜6、導電層7が順に積層して構成されている。これらのゲート絶縁膜4、電荷トラップ層5、ゲート絶縁膜6および導電層7はその側面が面一に形成されている。このようにして、選択ゲート電極SGは、ゲート絶縁膜4および6、電荷トラップ層5、導電層7により構成されている。また、メモリセルのゲート電極MGは、ゲート絶縁膜4および6、電荷トラップ層5、導電層7により構成されている。このような各メモリセルの構造は、FinFet型とも称されている。
また、拡散層2eの直上にはビット線コンタクトCBが構成されており、当該ビット線コンタクトCBの直上にビット線BLが構成されている。拡散層2fの直上にはソース線コンタクトCSが構成されており、当該ソース線コンタクトCSを介して図示しないソース線SLの配線構造に接続されている。層間絶縁膜10が、シリコン酸化膜により形成されており、ソース線コンタクトCS、メモリセルのゲート電極MG、選択ゲート電極SGの各上面、側面を覆うように形成されている。また層間絶縁膜10は、ビット線コンタクトCBの側面を覆うように形成されている。
上記に説明したフラッシュメモリ装置1は、初期状態では各メモリセルトランジスタTrmのデータが消去状態となっている。この場合、しきい値電圧が負となるためメモリセルトランジスタTrmはディプレッションモードで動作する。また、メモリセルトランジスタTrmの電荷トラップ層5に電子がトラップされるとしきい値電圧が正になり、エンハンスメントモードで動作する。
電荷トラップ層5は、電子が準安定状態となるトラップ準位を形成し外部から電界が与えられることにより電子が電荷トラップ層5を通過するときに電子を捕捉する。各メモリセルでは、データ値が電荷トラップ層5によりトラップされた電子の捕捉状態に応じて決定される。これにより、データが各メモリセルに記憶保持される。電子は、各メモリセル毎に電荷トラップ層5による捕捉状態が持続され、上記構成説明に示したように電荷トラップ層5がワード線方向に構造的に連続して接続されていたとしても、電子捕捉状態が各メモリセル毎に保持されることによって各メモリセルが不揮発的にデータを記憶できる。尚、電荷トラップ層5は選択ゲート電極SG内にも設けられており、電子は当該選択ゲート電極SGの電荷トラップ層5にもトラップされるが、必要に応じて周辺回路がPウェル2cに高電圧を印加することによって電荷トラップ層5にトラップされた電子をPウェル2cに放出させている。
各メモリセルトランジスタTrmのしきい値電圧は、電荷トラップ層5に捕捉される電子のトラップ状態に応じて決定される。尚、近年の要求に伴い1個のメモリセルに多値の情報を記憶する多値記憶技術も発達している。多値記憶は、各メモリセルトランジスタTrmのしきい値を3〜4以上の複数分布に制御することによって行われるが、ここでは説明の簡単化のため2値記憶の場合について消去処理、書込処理、読出処理の各動作説明を行う。以下の説明では、特に断らない限り、上記の場合の消去状態をデータ「1」とし、電子が電荷トラップ層5に十分にトラップされている状態をデータ「0」とする。
フラッシュメモリ装置1の周辺回路は、ビット線BLや、各ブロックBLK(図1参照)のワード線WL、選択ゲート線SGL1、SGL2に適切なバイアスを与えることにより、データの消去、書込、読出処理を行う。
データの消去は、ワード線方向に配列された1ブロックBLKの複数のNANDセルユニットUCを単位として行われる。図4は、周辺回路がデータ消去、読出、書込処理時にそれぞれ印加する電圧レベルを概略的に示している。図4に示すように、消去時には、消去選択ブロックの選択ゲート線SGL1、SGL2、ビット線BLおよびソース線SLをフローティング状態とし、消去選択ブロックのワード線WLに0Vを印加すると共に、Nウェル2bおよびPウェル2cに電源電圧より高い正の消去電圧(例えば15〜24V)を印加する。
尚、この消去電圧は、周辺回路により昇圧された電圧である。このようなバイアスが与えられると、P型シリコン層2ccとN型の拡散層2dとが順バイアスとなり、N型の拡散層2dの電位が上昇する。すると、電荷トラップ層5はワード線WLと拡散層2dとの間に介在して設けられているため、当該電荷トラップ層5にトラップされた電子が拡散層2dに放出され、メモリセルトランジスタTrmはそのしきい値電圧が正から負に移行する。これにより、メモリセルは消去状態に移行する。
上述と同時に、消去非選択ブロックでは、P型シリコン層2ccからN型の拡散層2dに順バイアスが与えられるため拡散層2dの電位が上昇するが、図4に示すように、ワード線WLはフローティング状態にされるため、ワード線WLと拡散層2dとの間が容量結合し、電荷トラップ層5の電位も拡散層2dとほぼ同一電位まで上昇し、電荷トラップ層5は電子をトラップした状態で保持する。この場合メモリセルの消去は行われない。
データの書込は、図4に示すように電圧を印加することによって行われる。Nウェル2bおよびPウェル2cに低電圧(0V又はそれ以下)を印加し、書込選択ワード線WL(書込選択ページ)には書込用の昇圧電圧(高電圧:例えば20V)を印加する。また、書込非選択のワード線WL(書込非選択ページ)には書込電圧よりも低い0または正の電圧(例えば0V〜中間電圧10V)を印加する。
また選択ゲート線SGL1には正の電源電圧を印加すると共に、選択ゲート線SGL2には当該電源電圧よりも低い電圧(0V)を印加する。またソース線SLには0Vないし所定の正電圧を印加する。上述の電圧印加に先立ち、ビット線BLには「0」書込の場合には低電圧(0V)を印加し、「1」書込の場合には電源電圧を印加する。
このとき、「0」書込のメモリセルの拡散層2d(チャネル領域)には正電位が印加されないため、ワード線WLに書込用の正の高電圧が与えられていると、当該書込選択ワード線WLと「0」書込の拡散層2dとの間に正の高電圧が印加されFNトンネル電流が流れる。すると、当該書込選択ワード線WLと「0」書込の拡散層2dとの間に介在した電荷トラップ層5に電子がトラップされるようになる。
「1」書込のメモリセルの拡散層2dには、ビット線BLから当該ビット線BLに与えられる電圧から選択ゲートトランジスタTrs1のドレイン−ソース間電圧だけ低下した正バイアスが印加されるが、書込選択ワード線WLにも同様の正バイアスが与えられるため、電子は電荷トラップ層5に捕捉されない。すなわち消去状態(データ「1」)が保持される。
データの読出は、図4に示すように電圧を印加することによって行われる。ソース線SLに0Vを印加し、ビット線BLに所定の正電圧を印加しながらフローティング状態に保持する。また、選択ゲート線SGL1、SGL2には選択ゲートトランジスタTrs1、Trs2が転送状態(オン状態)となる所定電圧を印加し、転送ゲートトランジスタとして機能させる。読出選択ワード線には読出用の所定電圧(0V)を印加し、読出非選択ワード線には転送用の電圧を印加し、当該読出非対象メモリセルのメモリセルトランジスタTrmを転送ゲートトランジスタとして機能させる。
すると、読出対象メモリセルに記憶保持されているデータが「0」であれば、当該読出対象メモリセルのメモリセルトランジスタTrmはオフし、ビット線BLの電位は保持されるが、データが「1」であれば読出対象メモリセルのメモリセルトランジスタTrmはオンしビット線BLから転送ゲートとなる読出非対象メモリセルトランジスタTrmを通じて正電荷がソース線SL側に放電される。このとき、周辺回路はビット線BLにフローティング状態で保持される電位をセンスアンプ(図示せず)によって検出することでデータを読出すことができる。
上記構造の製造方法について説明する。尚、フラッシュメモリ装置1内のメモリセル領域M内の製造方法についてのみ説明し、周辺回路領域の製造方法については省略する。また、添え字Aを付した図5Aないし図9Aは、図2のA−A線に沿って製造途中の各製造段階を模式的に示した図であり、添え字Bを付した図5Bないし図9B、図10は、図2のB−B線に沿って製造途中の各製造段階を模式的に示した図である。
まず図5Aおよび図5Bに示すように、シリコン基板2の表層にNウェル2bおよびPウェル2cを形成する。次に、図5Bに示すように、シリコン基板2上にレジスト8を塗布し通常のリソグラフィにより当該レジスト8を選択ゲート電極SGの形成領域Gにパターンニングし、当該レジスト8をマスクとして酸素イオンを注入し、シリコン基板2の表面から所定深さ領域Rにおいてイオン濃度ピークとなるように酸素イオン注入層を形成する。
次に、N2雰囲気中で所定温度、所定時間(例えば1300℃、6時間)のアニールを行うことでシリコン酸化膜3をシリコン基板2中(表層内)に絶縁膜として形成する。このとき、パターンニングされたレジスト8がマスクとなっているため、シリコン酸化膜3は選択ゲート電極SGの形成領域Gの直下方に開口3aを有した状態で所定深さ領域R内に構成される。シリコン酸化膜3は、その上面3bがシリコン基板2の表面からの深さ40〜100nm程度の所定深さ位置になるように形成される。このようにして、SIMOX(Separation by Implanted Oxygen)法によりシリコン酸化膜3を形成したシリコン基板2を得ることができる。
次に、図6Aおよび図6Bに示すように、レジスト8を一旦剥離し、再度レジスト9を塗布し、当該レジスト9をアクティブエリアSaの構成領域(ビット線方向に沿うと共にワード線方向に離間した複数領域)にストライプ状にパターンニングしてマスクとして形成し、RIE(Reactive Ion Etching)法により異方性エッチング処理することで素子分離溝2gを形成する。このとき、シリコン酸化膜3に対して高選択性を有する条件にてシリコン基板2の表面をエッチング処理する。すると、シリコン酸化膜3がエッチング処理のストッパーとして機能するため、エッチング時間を調整することでアクティブエリアSaの構造を複数に確実に分断できる。
この場合、シリコン基板2の主表面(上面)高さは均一に形成されていると共にシリコン酸化膜3の上面高さは均一に形成されているため、素子分離溝2gの形成深さおよびアクティブエリアSaの高さを各メモリセル間でほぼ等しい高さに均一に調整することができる。
この場合、アクティブエリアSaは、ビット線方向に連続し、ワード線方向には互いに分離された状態で形成される。これにより、ワード線方向に隣り合う複数のアクティブエリアSa−Sa間にリークする電流を抑制することができる。これによりパンチスルー現象を効果的に防ぐことができ、素子間耐圧が向上し信頼性が向上する。
次に、図7Aおよび図7Bに示すように、アクティブエリアSa上にイオン注入時のレジストマスクをパターンニングし、シリコン酸化膜3の直上にN型の拡散層2d、2e、2fを形成するため、リン(P)または砒素(As)等のN型の不純物を適切な所定条件で低濃度イオン注入する。この不純物は、後に熱処理されることによって活性化される。次に、レジストマスクを除去処理し、アクティブエリアSaの上面Saa上および側壁面Sab上に沿ってCVD法によりシリコン酸化膜をゲート絶縁膜4として堆積する。
次に、図8Aおよび図8Bに示すように、ゲート絶縁膜4の上面上、外側面上に沿ってCVD法によりシリコン窒化膜を電荷トラップ層5として堆積する。次に、図9Aおよび図9Bに示すように、電荷トラップ層5の上面上、外側面上に沿ってCVD法によりシリコン酸化膜をゲート絶縁膜6として形成する。
次に、図2のB−B線に沿う断面を図10に示すように、ゲート絶縁膜6上に導電層7を形成する。尚、この時点において図2のA−A線に沿う断面は、図3Aと同様の構造となるため図示を省略している。次に、導電層7、ゲート絶縁膜6、電荷トラップ層5、ゲート絶縁膜4をRIE法による異方性エッチング処理によってビット線方向に複数に分断する。この後、層間絶縁膜10等を堆積し、当該層間絶縁膜10にコンタクトホールを形成した後、ビット線コンタクトCBおよびソース線コンタクトCSが接触するシリコン基板2のコンタクト領域に拡散層を高濃度に形成した後、ビット線コンタクトCB、ソース線コンタクトCSを形成し、さらにビット線BLなどの多層配線を形成することでフラッシュメモリ装置1を構成できるがこの詳細は省略する。
本実施形態では、Fin型構造を採用したメモリセル領域M内の構造において、シリコン基板2の主表面(上面)高さは均一に形成されていると共にシリコン酸化膜3の上面高さは均一に形成されているため、素子分離溝2gの深さを均一に調整することができ、アクティブエリアSaの高さを各メモリセル間でほぼ等しい高さに均一に調整することができる。これにより、制御ゲート電極CGと電荷トラップ層5との間の対向領域の面積を各メモリセル間で均一に保つことができ、カップリング比のメモリセル間バラつきを抑制することができる。これにより、メモリセルトランジスタTrmの書込/消去動作後のしきい値電圧のバラつきを抑制でき、書込/消去時の特性を各メモリセル間で均一化することができる。
また、複数のアクティブエリアSaが、シリコン酸化膜3の面一な上面上まで達して貫通する素子分離溝2gによって互いに分断されているため、隣り合う複数のアクティブエリアSa−Sa間がシリコン酸化膜3によって互いに電気的に絶縁状態に保たれ、隣り合う複数のアクティブエリアSa間のリーク電流を抑制することができる。
例えば、特許文献1に開示されるように、STI(Shallow Trench Isolation)による素子分離技術を適用すると、粗密形状差やウェハ面内位置依存性などの誤差によって素子分離領域Sbの深さ調整にばらつきを生じてしまう虞がある。本実施形態では、SIMOX法によりシリコン酸化膜3を形成し、アクティブエリアSaをシリコン酸化膜3の上面3bの上まで達する素子分離溝2gによって複数に分断しているため、アクティブエリアSaを確実に同一高さで分断できる。
例えば、書込時の電荷トラップ層5のトラップ量が少ない状態を想定すると、ゲート絶縁膜4の脇にトラップされた電子が何らかの要因でデトラップされた場合、電子1個当たりのしきい値変動量が見かけ上大きくなるため、データ保持特性の劣化が懸念される。本実施形態では、隣り合うアクティブエリアSa間のリーク電流を抑制できると共にアクティブエリアSaの高さを均一に調整できるため、メモリセルトランジスタTrmのしきい値電圧調整(電荷トラップ層5による電子トラップ量調整)が厳密に要求される多値型のメモリセルを採用する場合に特に有効な構造となる。
(第2の実施形態)
図11Aないし図13Bは、本発明の第2の実施形態を示すもので、前述実施形態と異なるところは、電荷トラップ層として電荷蓄積層を適用したところにある。前述実施形態と同一部分については同一符号を付して説明を省略し、以下、異なる部分についてのみ説明する。
図11Aないし図13Bは、本発明の第2の実施形態を示すもので、前述実施形態と異なるところは、電荷トラップ層として電荷蓄積層を適用したところにある。前述実施形態と同一部分については同一符号を付して説明を省略し、以下、異なる部分についてのみ説明する。
図13Aは、図3Aに対応した断面図を示しており、図13Bは、図3Bに対応した断面図を示している。電荷蓄積層15が前述実施形態の電荷トラップ層5に代えて形成されている。電荷蓄積層15は所謂浮遊ゲート電極FGである。この電荷蓄積層15が、電荷トラップ層5と異なるところは、不純物ドープ型またはノンドープ型のポリシリコンにより構成されていると共に、ワード線方向にも各メモリセル毎に分断された構造となっている。
図13Aに示すように、電荷蓄積層15は、隣り合うアクティブエリアSa−Sa間の中間領域となる素子分離領域Sb内のシリコン酸化膜3上において分断されている。ゲート絶縁膜6は、電荷蓄積層15の上面および側壁面(側面)に沿って形成されている。このゲート絶縁膜6は隣り合うアクティブエリアSa−Sa間の中間領域においてゲート絶縁膜4の直上に構造的に接触して形成されている。導電層7は、ゲート絶縁膜6の上面上および外側面上に接触して形成されている。
図13Bに示すように、選択ゲート電極SGは、メモリセルのゲート電極MGとほぼ同様の構造となっており、ゲート絶縁膜6の中央に開口が設けられており、導電層7および電荷蓄積層15間が構造的および電気的に接続されている。
図11Aないし図12は、上記構造の製造方法を概略的に示している。前述実施形態にて説明したようにゲート絶縁膜4を形成した後、図11Aおよび図11Bに示すように、当該ゲート絶縁膜4上にポリシリコン15aを堆積し、図12に示すように、当該ポリシリコン15a上にレジスト(図示せず)を塗布し当該レジストをパターンニングして当該ポリシリコン15aをRIE法などのドライエッチング処理によってスリットを形成し電荷蓄積層15を構成する。次に、図13Aおよび図13Bに示すように、ゲート絶縁膜6を堆積し、当該ゲート絶縁膜6上に導電層7を形成する。この後の工程は前述実施形態と同様のため省略する。
本実施形態によれば、電荷トラップ層5に代えて電荷蓄積層15を適用しても前述実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
本実施形態によれば、電荷トラップ層5に代えて電荷蓄積層15を適用しても前述実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
(第3の実施形態)
図14および図15は、本発明の第3の実施形態を示すもので、前述実施形態と異なるところは、シリコン基板2にシリコン酸化膜3およびアクティブエリアSaを形成する方法を変更したところにある。
図14および図15は、本発明の第3の実施形態を示すもので、前述実施形態と異なるところは、シリコン基板2にシリコン酸化膜3およびアクティブエリアSaを形成する方法を変更したところにある。
図14および図15は、シリコン基板2にシリコン酸化膜3を形成するときの工程断面を示している。図14に示すように、CVD法などによりシリコン基板2上にシリコン酸化膜3を所定膜厚形成し、次に通常のリソグラフィ技術および異方性エッチング処理を用いてシリコン酸化膜3に開口3aを形成する。
次に、図15に示すように、開口3a内およびシリコン酸化膜3上に非晶質シリコン22をCVD法などにより堆積する。この非晶質シリコン層22は上面高さを均一にして形成する。次に、シリコン基板2を種として開口3aを通じて当該非晶質シリコン層22を固相エピタキシャル成長することでアクティブエリアSaを構成する半導体層22を構成する。これによりSOI構造が得られる。この後、固相エピタキシャル成長された半導体層22を前述実施形態と同様の製造工程を経て加工することでアクティブエリアSaとしてシリコン基板2上に一体形成することができる。このような製造方法でも前述実施形態とほぼ同様の作用効果を奏する。
(他の実施形態)
本発明は、上記実施形態にのみ限定されるものではなく、次のように変形または拡張できる。
SOI用絶縁膜は、前記実施形態で説明した方法以外でも貼り合わせ法を適用して構成しても良い。
制御ゲート電極CG(ワード線WL)をポリシリコンおよびタングステンシリサイドの積層構造による導電層7によって構成した実施形態を示したが、金属、ポリシリコンの何れか単層によって構成しても良いし、タングステン以外の他の金属(コバルト等)をシリコンに化合したシリコン化合物を含んだ構成で形成されていても良い。
本発明は、上記実施形態にのみ限定されるものではなく、次のように変形または拡張できる。
SOI用絶縁膜は、前記実施形態で説明した方法以外でも貼り合わせ法を適用して構成しても良い。
制御ゲート電極CG(ワード線WL)をポリシリコンおよびタングステンシリサイドの積層構造による導電層7によって構成した実施形態を示したが、金属、ポリシリコンの何れか単層によって構成しても良いし、タングステン以外の他の金属(コバルト等)をシリコンに化合したシリコン化合物を含んだ構成で形成されていても良い。
電荷トラップ層5としてシリコン窒化膜を適用した電荷トラップ型のセル構造(所謂SONOS構造、MONOS構造)に適用できる。
ゲート絶縁膜6をシリコン酸化膜により形成した実施形態を示したが、シリコン酸化膜およびシリコン窒化膜の積層構造により形成しても良いし、金属酸化物により形成しても良いし、これらの積層構造により形成しても良い。
ゲート絶縁膜6をシリコン酸化膜により形成した実施形態を示したが、シリコン酸化膜およびシリコン窒化膜の積層構造により形成しても良いし、金属酸化物により形成しても良いし、これらの積層構造により形成しても良い。
第1の実施形態においては、選択ゲート線SGL1−メモリセルゲート電極MG間の各膜4〜6、メモリセルゲート電極MG−MG間の各膜4〜6、選択ゲート線SGL2−メモリセルゲート電極MG間の各膜4〜6がビット線方向に分断処理された実施形態を示したが、これらは互いに構造的に接続されていても良い。すなわち膜4〜6は、メモリセル領域M内においてはビット線コンタクトCBおよびソース線コンタクトCSの形成領域を除いてほぼ全面に形成されていても良い。
図面中、1はフラッシュメモリ装置(半導体記憶装置)、2はシリコン基板(半導体基板)、2dはシリコン基板(半導体層)、3はシリコン酸化膜(絶縁膜)、Saはアクティブエリア、Saaはアクティブエリアの上面、Sabはアクティブエリアの側壁面(溝形成面)、4はゲート絶縁膜、5は電荷トラップ層、6はゲート絶縁膜、7は導電層(ゲート電極)を示す。
Claims (5)
- 半導体基板と、
開口を有すると共に上面高さが均一に形成された絶縁膜を介して前記半導体基板に形成され、かつ、前記絶縁膜に設けられた開口を介して前記半導体基板に一体に上面高さが均一に形成される半導体層によるアクティブエリアであって前記絶縁膜の上面上に達する溝により互いにストライプ状に分断された複数のアクティブエリアと、
前記複数のアクティブエリアの上面および側面を覆うように形成された第1のゲート絶縁膜と、
前記第1のゲート絶縁膜上に前記複数のアクティブエリアの上面および側面に前記第1のゲート絶縁膜を挟んで対向した対向面を備えてなる電荷トラップ層と、
前記電荷トラップ層上に形成された第2のゲート絶縁膜と、
前記第2のゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを備えたことを特徴とする半導体記憶装置。 - 半導体基板と、
前記半導体基板上に上面が面一に形成された絶縁膜を介して形成され、かつ、前記絶縁膜に設けられた開口を介して前記半導体基板に一体な半導体層によるアクティブエリアであって前記絶縁膜の上面上に達する溝によりストライプ状に互いに分断形成された複数のアクティブエリアと、
前記複数のアクティブエリアの上面および側面を覆うように形成された第1のゲート絶縁膜と、
前記第1のゲート絶縁膜上に前記複数のアクティブエリアの上面および側面に前記第1のゲート絶縁膜を挟んで対向した対向面を備えてなる電荷トラップ層と、
前記電荷トラップ層上に形成された第2のゲート絶縁膜と、
前記第2のゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを備えたことを特徴とする半導体記憶装置。 - 半導体基板に、開口を有すると共に上面高さが均一な絶縁膜を形成する工程であって、前記開口を介して一体で、かつ、前記絶縁膜の上面上に上面高さを均一に半導体層を形成するように前記絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の上面上の半導体層に前記絶縁膜の開口非形成領域に対して当該絶縁膜の上面に達する溝を形成して複数のアクティブエリアを分断形成する工程と、
前記複数のアクティブエリアを分断した溝形成面および前記複数のアクティブエリアの上面に沿って第1のゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記第1のゲート絶縁膜上に電荷トラップ層を形成する工程と、
前記電荷トラップ層上に第2のゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記第2のゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。 - 前記絶縁膜を形成する工程では、SIMOX法により行うことを特徴とする請求項3に記載の半導体記憶装置の製造方法。
- 半導体基板上に、開口を有すると共に当該開口の非形成領域の上面高さが均一な絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の上面上、および前記絶縁膜の開口内に半導体層を形成する工程であって当該半導体層の上面高さを均一に形成する工程と、
前記絶縁膜の上面上の半導体層に前記絶縁膜の開口非形成領域に対して当該絶縁膜の上面に達する溝を形成して複数のアクティブエリアを分断形成する工程と、
前記複数のアクティブエリアを分断した溝形成面および前記複数のアクティブエリアの上面に沿って第1のゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記第1のゲート絶縁膜上に電荷トラップ層を形成する工程と、
前記電荷トラップ層上に第2のゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記第2のゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。
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