JP4569911B2 - タンタル酸リチウム単結晶からなる波長変換素子 - Google Patents
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M. Yamada et al., Appl.Phys.Lett., 69,p3659,1996 F. Nitanda et al.Jpn. J. Appl. Phys. 34, p1546,1995 I. Shoji et al.,J. Opt. Soc. Am. B, 14, p2268, 1997 K. Kitamura etal. Appl. Phys. Lett.73,p3073,1998 S. Miyazawa et al. J. Crystal Growth10, p276,1971 Y. Furukawa etal. J. Crystal Growth 197, p889,1999
35 外るつぼ
36 内るつぼ
37 原料供給管
40 種結晶
41 融液
42 LT単結晶
43 高周波誘導コイル
45 原料
47 育成炉体
51 ガス
52 ロードセル
61 単結晶部
62 セラミック層
Claims (2)
- 周期分極反転構造を有するタンタル酸リチウム単結晶に入射されるレーザー光の波長を、前記周期分極反転構造に基づく擬似位相整合により、短波長化または長波長化するタンタル酸リチウム単結晶からなる波長変換素子であって、
前記タンタル酸リチウム単結晶は、Mg元素を0.1〜3.0mol%含み、
前記タンタル酸リチウム単結晶におけるLi2O/(Ta2O5+Li2O)のモル分率は、0.490以上0.500未満の間にあり、
前記タンタル酸リチウム単結晶の室温で分極反転するために必要な印加電界が3.5kV/mm未満であることを特徴とする、波長変換素子。 - 請求項1に記載の波長変換素子において、波長1.064μmにおいて非線形光学定数d33が15pm/V以上であることを特徴とする、波長変換素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008039835A JP4569911B2 (ja) | 1999-11-09 | 2008-02-21 | タンタル酸リチウム単結晶からなる波長変換素子 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31757299 | 1999-11-09 | ||
JP2008039835A JP4569911B2 (ja) | 1999-11-09 | 2008-02-21 | タンタル酸リチウム単結晶からなる波長変換素子 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000341130A Division JP4107365B2 (ja) | 1999-11-09 | 2000-11-08 | タンタル酸リチウム単結晶、およびその光素子、およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008176335A JP2008176335A (ja) | 2008-07-31 |
JP4569911B2 true JP4569911B2 (ja) | 2010-10-27 |
Family
ID=39703337
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008039835A Expired - Lifetime JP4569911B2 (ja) | 1999-11-09 | 2008-02-21 | タンタル酸リチウム単結晶からなる波長変換素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4569911B2 (ja) |
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-
2008
- 2008-02-21 JP JP2008039835A patent/JP4569911B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008176335A (ja) | 2008-07-31 |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080423 |
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A521 | Written amendment |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080616 |
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A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20090428 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100601 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100616 |
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A521 | Written amendment |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
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