JP4565711B2 - 濃度分布マスクの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、濃度分布マスクを用いた露光により基板上に3次元構造の感光性材料パターンを形成し、その感光性材料パターンを基板に彫り写すことにより3次元構造の表面形状をもつ物品を製造する際に使用される濃度分布マスクの製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
光学素子の屈折面や反射面に、球面や非球面等に代表される特殊な面形状が使用されるようになってきている。また近年は液晶表示素子や液晶プロジェクタ等に関連して、マイクロレンズ等にも特殊な面形状が求められている。
そこで屈折面や反射面を型成形や研磨によらずに形成する方法として、光学基板の表面にフォトレジスト(感光性材料の代表例)の層を形成し、このフォトレジスト層に対して2次元的な光透過率分布を有する露光用マスクを介して露光し、露光後のフォトレジストに現像処理を施すことによりフォトレジストの表面形状として凸面形状もしくは凹面形状を得、しかる後にフォトレジストと光学基板とに対して異方性エッチングを行ない、フォトレジストの表面形状を光学基板に彫り写して転写することにより、光学基板の表面に所望の3次元構造の屈折面や反射面の形状を得ることが知られている(特表平8−504515号公報を参照、以下この記載内容を従来技術とする)。
【0003】
そこでは、屈折面や反射面等の3次元構造の特殊表面形状を得るために用いられる露光用マスクとして、特殊表面形状に対応して光透過率が段階的に変化する2次元的な光透過率分布をもった濃度分布マスク(グラデーションマスク(GM))が使用されている。
従来技術に記載されている濃度分布マスクでは、2次元的な光透過率分布のパターンを形成するためにマスクパターンを光伝達開口と称する単位セルに分割し、各単位セルの開口寸法が、形成しようとするフォトレジストパターンの対応した位置の高さに応じた光透過量又は遮光量となるように設定されている。
ここで、光透過率はマスクパターンの光学濃度とも表現できる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
従来技術に記載の濃度分布マスクを製作する方法として、次のような方法が考えられる。
透明基板の一表面に金属膜や金属酸化膜などからなる遮光膜が形成され、さらにその上に感光性材料層が形成されたマスクブランクスを用い、その感光性材料層がポジ型のときはそのポジ型感光性材料層の光伝達開口に対応する位置に、感光性材料層がネガ型のときはそのネガ型感光性材料層の光伝達開口に対応する位置以外の位置に、電子線描画装置を用いて電子線を走査して描画することにより感光パターンを描画した後、現像処理を施して光伝達開口に対応する位置に開口をもつ感光性材料パターンを形成する。その後、感光性材料パターンをマスクとしてドライエッチングを施すことにより遮光膜にマスクパターン(遮光膜パターン)を形成する。
このように電子線描画を用いてマスクパターンを形成する方法を電子線描画方法という。
【0005】
上記の製造工程では、感光性材料パターンは高エネルギービームである電子線によって描画されるため、感光性材料パターンの側壁、ひいては遮光膜パターンの側壁は基板に対してほぼ垂直に形成される。そのため、遮光膜パターンを通過する光の透過率は、遮光膜が存在する部分では0%、遮光膜が存在しない部分では100%であり、デジタル的な光学濃度分布をもっている。目的物品形成用の基板上に形成されたフォトレジストに所望の表面形状を形成すべく、このデジタル的な光学濃度分布をもつ濃度分布マスクを介してフォトレジスト層に露光工程を行なうと、その後の現像処理によって形成されるフォトレジストの表面形状の高さはデジタル的、すなわち階段状になってしまう。そのため、目的とする物品の表面形状を実質的に平滑なものとするためには、階調数を非常に大きくしなければならず、従来技術に例示されているように単位セルにおける開口寸法の単位が露光に用いる光の波長よりも短くする必要がある。そして、パターンが微細になればなるほどその製造コストが上昇する。目的とする物品の表面形状は、階調数を大きくしていくにつれて平滑なものに近づいてはいくものの、あくまで階段状のものである。従来技術で「実質的に」と述べているのはそのことを意味している。
【0006】
このような問題を解決するためには光学濃度分布がアナログ的な濃度分布マスクが必要となる。
そこで本発明は、光学濃度分布がアナログ的な濃度分布マスクを製造する方法を提供することを目的とするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明の目的は請求項1に記載した濃度分布マスクの製造方法により達成することができる。すなわち、本発明にかかる濃度分布マスクの製造方法は、以下の工程を含んでいる。
(A)透明基板の一表面に遮光膜を介して形成された感光性材料層に電子線を用いて描画する描画工程、
(B)描画後の感光性材料層に現像処理を施して感光性材料パターンを形成する現像工程、
(C)感光性材料パターンをマスクにして異方性エッチングを施して、遮光膜をパターニングして遮光膜パターンを形成するエッチング工程、
(D)透明基板の遮光パターンの存在する側の一表面上全面にポジ型感光性材料層を形成するポジ型感光性材料層形成工程、
(E)透明基板の裏面側から透明基板を介して、遮光膜パターンをマスクにしてポジ型感光性材料層に光を照射する露光工程、
(F)露光後のポジ型感光性材料層に現像処理を施して遮光膜パターン上にポジ型感光性材料パターンを形成する現像工程、
(G)ポジ型感光性材料パターンをマスクにして異方性エッチングを施して、遮光膜パターンの一部分を除去するエッチング工程。
【0008】
描画工程(A)、現像工程(B)及びエッチング工程(C)により形成される遮光膜パターンは電子線描画方法によって形成されたデジタル的な光学濃度分布をもつものである。そして、遮光膜パターンが形成された表面上全面に、ポジ型感光性材料層形成工程(D)によりポジ型感光性材料層を形成した後、露光工程(E)により透明基板の裏面側から透明基板を介して、遮光膜パターンをマスクにしてポジ型感光性材料層に光を露光する。遮光膜パターンの開口部分を透過した光は広角的にポジ型感光性材料層に照射される。その後、現像工程(F)によりポジ型感光性材料層の感光部分を除去してポジ型感光性材料パターンを形成する。ポジ型感光性材料パターンは遮光膜パターン上に存在し、遮光膜パターンの開口部分周辺ではポジ型感光性材料パターンの膜厚は遮光膜パターンの開口部分に近づくにつれて連続的に薄くなるように形成される。エッチング工程(G)により異方性エッチングを施すと、膜厚が薄くなっているポジ型感光性材料パターン部分下の遮光膜パターンから順に露出し、遮光膜パターンは露出面側から徐々にエッチング除去される。これにより、遮光膜パターンは、開口部分周辺では開口部分に近づくにつれて連続的に薄くなるように形成される。遮光膜パターンの膜厚が薄くなっている部分は膜厚に応じて0〜100%の中間の光透過率を示すようになるので、濃度分布マスクの光学濃度分布はアナログ的になる。
【0009】
【発明の実施の形態】
上記露光工程(E)において、照射する光は拡散光であることが好ましい。その結果、遮光膜パターンの開口部分を介して、より広角的にポジ型感光性材料層に照射できるようになる。
【0010】
上記描画工程(A)で用いている電子線描画は、一般に、電子線出射のフィラメント電流の制御、長時間露光時のフィラメント細り、電子線モレ(ドーズ)量の制御等の装置制御上の課題が多く、再現性が乏しいという欠点がある。また製作時は、単一ビームしか出射できないためにマスク全体の露光に長時間を要し、経時的な変動が大きくなるという問題が生じる。
このような問題を解決するために、上記露光工程(E)において、遮光膜パターンの配置位置に応じてポジ型感光性材料に対する拡散光の拡散角度を異ならせることが好ましい。その結果、遮光膜パターンの配置位置に応じて光透過率が0〜100%の中間領域の幅を制御することができる。そして、電子線描画時の感光性材料パターンのばらつき、ひいては遮光膜パターンのばらつきを平均化することができるようになり、濃度分布マスク製作の再現性を向上させることができる。このとき、エッチング工程(G)におけるポジ型感光性材料と遮光膜のエッチング速度比を考慮してポジ型感光性材料及び遮光膜の材料を選択することが好ましい。
【0011】
さらに、上記露光工程(E)は、透明基板の裏面側に拡散板を配置し、その拡散板を介して拡散光を照射するものであることが好ましい。その結果、拡散板の焦点距離や拡散板と透明基盤の距離を変更することにより、遮光膜パターン上に形成されたポジ型感光性材料に対する拡散光の拡散角度を容易に変更することができる。
【0012】
さらに、上記露光工程(E)において、照射する光の波長は遮光膜パターンの最小線幅又は最小ドット長さよりも長い波長であることが好ましい。その結果、電子描画による微細パターンの境界部分において回折が生じやすくなり、かつ回折角度が大きくなるので、遮光膜パターンの開口部分を介してポジ型感光性材料層に行なう広角的な光照射が容易になる。
【0013】
【実施例】
まず、濃度分布マスクについて説明する。
濃度分布マスクは、感光性材料の「感度曲線」と濃度分布マスクの各単位セル固有の光透過領域(面積)とこれを通過する「光エネルギー量」の関係から、実験的に求められる関数で与えられるものである。ここで、実験的に求められるとは、プロセス条件によって、感光性材料の「感度特性」及び光拡散量が異なることを意味する。すなわち、プロセス条件パラメータを変更すると、与えられる関数も異なることを意味する。感光性材料の「感度曲線」は、感光性材料への光照射エネルギーと感光性材料の感光性成分の関係で基本的には決定される。但し、フォトリソグラフィ条件(露光条件、現像条件、ベーキング条件等)によっても変更される曲線(すなわち、関数)である。
【0014】
また、光透過量は、感光性材料中に含まれる分子構造によって光の吸収係数が異なるため感光性材料中を光が進行する際には、深さに応じて光エネルギー(光量)が指数関数的に減少する。つまり、感光性材料の厚さ(深さ)に対して照射光エネルギー量は指数関数で減少する関係にある。したがって、「光透過量」と感光性材料の「感度」(光吸収率)を実験データから組み合わせると、感光性材料の厚さ方向に分布を有する光エネルギー分布を形成することが可能となる。ここで除去される感光性材料の厚さTは、下記の式で表される。
【0015】
T=(1/α)・Ln(P・S)−(1/α)・Ln(Y)
T=Ln{k・(P・S+b)f ・ F(X)}
Ln:自然対数
T:除去される感光性材料の厚さ(μm)
α:減衰係数で、各種プロセス条件の関数
α>0
P:濃度分布マスク表面での光量(mJ)
S:濃度分布マスクパターンの単位セル開口率
S<1
Y:深さTでの光量で、感光性材料が感光するのに必要な露光量(mJ)
k,b,f:係数
F(X):関数
F(X)=F(X1,X2,X3,・・・,Xn)
(ただし、X1,X2,X3,・・・,Xnは因子で、少なくとも加工プロセス条件及び感光性材料自体の感度を含んでいる。)
【0016】
濃度分布マスクは、半導体プロセスのように、ある高さの感光性材料の2次元ラインパターンを形成するのが目的ではなく、「3次元形状、すなわち高さ方向にも制御されたパターン性を有する構造物」を形成することを対象としている。
感光性材料層の厚さを変化せしめる3次元形状形成方法において、濃度分布マスクを構成する単位セルの「光透過領域」又は「遮光領域」を所望の形状に応じて2次元的に設計する。その結果、濃度分布マスクを透過した光は2次元の光学濃度分布を有する特徴を発現できる。
【0017】
濃度分布マスクを用いて3次元構造を製作すると、球面、非球面、円錐形状のような連続面で構成される光学素子を製作することも、フレネル形状のように連続面と不連続面から構成される光学素子を製作することも可能となる。さらに、そのような光学素子に反射光学面を形成し、反射光学素子とすることも可能である。
【0018】
(単位セル内の形状と配置、及び「光透過」、「光遮光」ドットの形状と配置)次に、単位セル内の形状と配置、及び「光透過」、「光遮光」ドットの形状と配置について説明する。
濃度分布マスクレチクルを製作するに当たり、まず、目的物品形成用の基板上に形成されるレジスト材料(フォトレジスト)の感度曲線を求め、光照射量とレジスト除去量の関係を把握する。
【0019】
濃度分布マスクレチクルを用いて露光すると、露光量、単位セルの光透過量又は遮光量によってレジスト材料の除去量が異なる。これによって、「単位セルNo.」(すなわち光透過量又は遮光量とレジスト除去量が特徴づけられた関係を一つのNo.として表す)が決定される。「単位セルNo.」は、上記の関係をグラフ化し、関数化することによって数式に変換できる。上記数式に基づいて、目的とする「形状のレンズ高さ」と「レジスト残存量(「レジスト膜厚」−「除去量」)」の関係を数式化する。次いで、CAD(Computer Aided Design)上で「レンズ配置位置」と「レンズ高さ(レジスト残存量)」の関係を明らかにする。さらに、これを発展させて、「レンズ配置位置」と「単位セルNo.」の関係に置き換える。すなわち、上記の基本的考え方に立ち、詳細なデータに裏付けされた計算式とプログラムから、CAD設計画面上でレンズ高さと濃度分布マスクパターンセルNo.を関数付けてセルNo.を配置する。
【0020】
(濃度分布マスクの設計)
この実施例では、濃度分布マスクは正方形に分割された単位セルで構成され、各単位セル内の光透過量又は遮光量が制御されたものとした。勿論、所望の形状に応じて最適の単位セルを決め最適なドットで製作すればよい。光透過量の制御方法は、▲1▼遮光膜パターンの開口面積の制御、▲2▼遮光膜パターンの膜厚の制御、▲3▼▲1▼と▲2▼の組合わせ方法がある。ここでは、▲3▼の方法を採用した。
【0021】
マイクロレンズの隣接間隔を限りなく零に近づけた微小ピッチMLAの例を示す。液晶プロジェクタ用MLAにおいて、0.9”−XGA用の画素サイズは、18μm×18μmである。
このMLAにおいては、レンズの両側に各0.5μmずつのレンズ非形成部がある場合は、17μm×17μmのマイクロレンズ領域となり、全体の面積に占めるMLA面積は、
17×17/18×18=289/324=0.89
となり、MLAで全ての光を有効に集光することができても89パーセントの集光効率でしかない。したがって、MLAのレンズ非形成部の面積を小さくすることが光利用効率を向上させる上で重要であり、マイクロレンズの隣接間隔を限りなくを零に近づけることが望ましい。
【0022】
具体的には、1/5倍(縮小の)ステッパーを用いる場合、実際に製作する濃度分布マスクレチクル上でのパターン寸法は、90μm×90μmである。この1個のMLAを3.0μmの単位セルに分割し縦×横=30×30(個)=900(個)の単位セルに分割する。
【0023】
次に、中央部の2×2単位セル(濃度分布マスクレチクル上では6μm×6μm、実際のパターンでは1.2μm×1.2μm)にはセルNo.1番(クロム全部残り)を配置する。また、レンズ四隅部分はセルNo.80番(クロム残り部分なし)を配置する。この間のNo.1〜No.80のセルには、各「階調」に対応する「開口面積」を対応させる。この関係は、露光プロセスとレジスト感度曲線から得られる関係である。勿論、レジスト材料やプロセスが異なればその都度感度曲線を把握する必要がある。このようにして、MLA濃度分布マスクレチクルのCADデータを作成する。
【0024】
(濃度分布マスクレチクルの製作)
次に、本発明にかかる濃度分布マスクの製造方法の一実施例を説明する。
図1は一実施例を示す工程断面図である。
まず、上記のようにして作成したCADデータをデータ化して電子線描画装置にセットする。
(A)濃度分布マスクレチクルを製作するために、石英基板(透明基板)1の一表面1a上に遮光膜3としてのCr(クロム)膜を200nmの厚さで成膜し、その上に感光性材料層5としてのポジ型電子線描画用レジスト材料(ZEP−7000、日本ゼオン(株)の製品)を0.5μmの厚さで塗布してマスクブランクスを形成する。
【0025】
ここでは遮光膜としてCr膜を用いているが、本発明はこれに限定されるものではなく、他の金属膜もしくは金属酸化膜又はそれらの積層膜であってもよい。
また、マスクブランクスとしては、市販のものを使用してもよい。つまり、市販のマスクブランクスとは石英基板上に200nm程度のCr膜を成膜したもの(必要に応じて、Crと酸化Crの2層膜)に感光性材料を0.5μm程度塗布したものである。
【0026】
(B)感光性材料層5に上記のCADデータがセットされた電子線描画装置を用いて電子線を照射して、マスクパターンの開口部分に対応する感光パターンの描画を行なう。その後、現像及びリンスを含む現像処理を施して、電子線が照射された部分の感光性材料を除去し、さらに紫外線硬化(ハードニング)処理を施して耐プラズマエッチング性を向上させて、マスクパターンと同等の感光性材料パターン5aを形成する。電子線はエネルギーが高いため、感光性材料パターン5aはその側壁が石英基板1の表面1aに対してほぼ垂直に形成されている。ここで、ハードニング処理は紫外線によるものに限定されるものではなく、他の方法による硬化であってもよい。
【0027】
(C)感光性材料パターン5aをエッチングマスクとして遮光膜3に対してドライエッチング(異方性エッチング)を施す。これにより、遮光膜3がパターン化されて遮光膜パターン3aが形成され、「単位セルNo.」が規則的に「レンズ配置位置」に並んだ濃度分布マスクが得られる。その単位セル内では、遮光膜3が除去された部分と、遮光膜3が残っている部分が形成される。その光透過量又は遮光量として、一つの単位セルを特徴づけ、構成させることができる。
【0028】
図2は図1(C)中の破線円部aを示す拡大断面図である。
石英基板1に対してその側壁がほぼ垂直に形成された感光性材料パターン5aをエッチングマスクとして形成された遮光膜パターン3aはその側壁が石英基板1の表面1aに対してほぼ垂直に形成される。これにより、遮光膜パターン3aが存在する部分では光透過率が0%、遮光膜パターン3aが存在しない部分では光透過率が100%である濃度分布マスクが得られる。
ここまでの工程は、遮光膜パターン3aの開口面積により光透過率を制御する方法を示している。
【0029】
(D)石英基板1の表面1a上全面にポジ型感光性材料7(OFPR−800−20:20CPS、東京応化工業(株)の製品)を所定の方法によりスピンナーを用いて1.0μmの膜厚に塗布する。
次いで、石英基板1の表面1aとは反対側の裏面1b側に、予め用意した拡散板9を裏面1bと所定の間隔(ギャップ)dをもって配置する。ギャップdは例えば1.0mmである。拡散板9はプラスチック製のものでもガラス製のものでもよい。また、拡散板9の焦点距離は、石英基板1の厚さ、すなわちマスクブランクスの基板厚さや電子線描画した各ドットの寸法に基づいて設定することが好ましい。一般には焦点距離が短いものの方が適している。そしてギャップdを変更することにより、遮光膜パターン3aの開口部分を介してポジ型感光性材料層7に照射される拡散光の拡散角度を容易に変更することができる。
なお、図1(D)に示す拡散板9の凹凸形状は単なるイメージであり、実際の凹凸形状を示すものではない。
【0030】
次に、石英基板1の裏面1b側に拡散板9を介してg線(波長436nm)を露光する。
図3は図1(D)中の破線円部bを示す拡大断面図である。
g線は、拡散板9により拡散及び屈折され、裏面1b側から石英基板1を介して表面1a側に到達する。表面1a側に到達したg線は、遮光膜パターン3aの開口部分でさらに回折されて、遮光膜パターン3aの開口部分から広角的にポジ型感光性材料層7に照射される。
なお、ポジ型感光性材料層7の膜厚は1.0μmと薄いので、g線の露光量は拡散板9で拡散される光を考慮しても100mJ程度で十分である。
【0031】
この実施例では遮光膜パターン3aの開口部分からポジ型感光性材料層7に露光する拡散光として、拡散板9により拡散及び屈折したg線を用いているが、本発明はこれに限定されるものではなく、ポジ型感光性材料層7を感光可能な拡散光であればよい。また、拡散光の波長は遮光膜パターン3aの最小線幅又は最小ドット長さよりも長い波長であることが好ましい。
【0032】
(E)ポジ型感光性材料層7に対して、現像及びリンスを含む現像処理を施して、g線が照射された部分のポジ型感光性材料を除去し、さらに加熱ハードニング処理を施して耐プラズマエッチング性を向上させて、ポジ型感光性材料パターン7aを形成する。
図4は図1(E)中の破線円部cを示す拡大断面図である。
遮光膜パターン3aの開口部分周辺に存在するポジ型感光性材料パターン7aの断面構造は、図4に示すように、遮光膜パターン3aの開口部分から離れるにつれて連続的に膜厚が厚くなるようにテーパー状の形状になっている。加熱ハードニング処理後のポジ型感光性材料パターン7aの膜厚は0.8μmであった。ここで、耐プラズマエッチング性を向上させる手段として加熱ハードニング処理を用いているが、他の手段であってもよい。但し、加熱ハードニング処理によれば、加熱処理により感光性材料パターン7aが収縮するので、耐プラズマエッチング性を向上させる効果に加えて、さらに、遮光膜パターン3aの開口部分周辺での感光性材料パターン7aの傾斜角度を大きくすることができるという効果も得られる。
【0033】
(F)石英基板1をTCP(誘導結合型プラズマ)ドライエッチング装置に設置し、真空度:1.5×10-3Torr、CHF3:1.0sccm、Ar:0.5sccm、O2:10.0sccm、BCl3:1.0sccm、基板バイアス電力:200W、上部電極電力:1.00kW、基板冷却温度:0℃の条件下で石英基板1の表面1a側に対してドライエッチングを行なった。またこの時、基板バイアス電力と上部電極電力を一定に維持しながらエッチングを行なった。石英基板1の平均エッチング速度は0.005μm/分、ポジ型感光性材料パターン7aの平均エッチング速度は0.070μm/分、遮光膜パターン3aの平均エッチング速度は0.025μm/分であり、全体のエッチング時間は8分であった。
ドライエッチング後の状態では、遮光膜パターン3a上に一部の感光性材料パターン7aがエッチング除去されずに残留している。次いで、その残留している感光性材料パターン7aを剥離液によって除去した。さらに、専用のマスク洗浄機によってマスクを洗浄した。
このドライエッチング工程で、遮光膜パターン3aの開口部分に位置する石英基板1の一表面1aに0.04μm程度の段差(図示は省略)が生じるが、この段差は光学上特段の影響を及ぼすものではない。
【0034】
図5(A)は図1(F)中の破線円部dを示す拡大断面図であり、(B)はその断面位置での光学濃度分布を示す図である。(B)において、縦軸は光透過率(%)を表し、横軸は断面位置を表す。また、(A)において、石英基板1の一表面1aに形成された上記段差の図示は省略する。
(A)に示すように、遮光膜パターン3aの開口部分周辺の断面構造は、遮光膜パターン3aの開口部分から離れるにつれて連続的に膜厚が厚くなるようにテーパー状の形状になっており、完全に遮光できる膜厚で遮光膜が残っている遮光部分3bと、遮光膜が全く存在しない開口部分3cと、完全に遮光できる膜厚に比べて膜厚が薄い遮光膜が残っている中間部分3dの3つの領域に分けることができる。
【0035】
中間部分3dにおける遮光膜の膜厚は、開口部分3c側から遮光部分3b側に向って連続的に厚くなっているので、(B)中の実線Aで示すように、中間部分3dにおける光透過率は開口部分3c側から遮光部分3b側に向って連続的に小さくなっている。
また、(B)中の破線Bは、遮光膜パターンに中間部分3dに対応する部分が存在しない従来の濃度分布マスクの光学濃度分布を示している。その光透過率は開口部分では100%、遮光部分では0%であり、光透過率はデジタル的に変化している。
それに対し、この実施例により製作した濃度分布マスクでは、膜厚が連続的に変化している中間部分3dの存在により、光透過率は中間部分3d、すなわち開口部分3c周辺でアナログ的に変化している。
【0036】
このように、工程(D)から(F)により、遮光膜パターン3aの膜厚の制御により光透過率を制御することができた。そして、工程(A)から(C)による▲1▼遮光膜パターン3aの開口面積の制御と、工程(D)から(F)による▲2▼遮光膜パターン3aの膜厚の制御を組み合わせた制御を実現することができた。
【0037】
図6は、濃度分布マスクの代表的な単位セル配置例として、20μm×20μmのマイクロレンズのためのものの例を示す。単位セルは、碁盤の目状の正方形形状である。単位セルは必ずしも正方形である必要はなく、所望の形状に応じて他の多角形形状にすることが望ましい。斜線部は遮光膜が残存している部分である。
【0038】
(液晶用微小寸法MLA製作の具体例1)
次に、本発明により製作した濃度分布マスクを用いてMLAを製作した例を説明する。
濃度分布マスクレチクル製作の具体例1の濃度分布マスクレチクル(図6のもの)をマスクとして使用し、図7に示す縮小投影露光装置(1/5ステッパー)を使用して露光を行なって、レジストパターンを形成し、それを光学デバイス用材料に転写して製作した液晶プロジェクタ用MLAの例を述べる。
【0039】
まず、その縮小投影露光装置の説明を行なう。
光源ランプ30からの光は、集光レンズ31により集光され、露光用マスク32を照射する。マスク32を通過した光は、縮小倍率の結像レンズ33に入射し、ステージ34上に載置された光学デバイス用材料37の表面に、マスク32の縮小像、すなわち、光学濃度分布の縮小像を結像する。光学デバイス用材料37を載置したステージ34は、ステップモーター35,36の作用により、結像レンズ33光軸に直交する面内で、互いに直交する2方向へ変位可能であり、光学デバイス用材料37の位置を、結像レンズ33の光軸に対して位置合わせできるようになっている。
結像レンズ33によるマスク32の縮小像を、光学デバイス用材料37のフォトレジスト層表面に結像させる。この露光を、光学デバイス用材料37の全面にわたって密に行なう。
【0040】
液晶プロジェクタ用MLAを製作するために、ネオセラム基板を用意し、この基板上に前述のTGMR−950レジストを8.56μmの厚さに塗布した。次にホットプレートで、100℃にてベーク時間180秒でプリベークした。
この基板を図7の1/5ステッパーで露光した。次のような露光条件▲1▼から▲8▼を連続して行なった。
▲1▼デフォーカス量:+5μm、照射量:390mW×0.13秒
▲2▼デフォーカス量:+4μm、照射量:390mW×0.13秒
▲3▼デフォーカス量:+3μm、照射量:390mW×0.13秒
▲4▼デフォーカス量:+2μm、照射量:390mW×0.13秒
▲5▼デフォーカス量:+1μm、照射量:390mW×0.13秒
▲6▼デフォーカス量:+0μm、照射量:390mW×0.15秒
この条件では、総合露光量は、照射量390mW×0.80秒(照度:312mJ)である。ここで、デフォーカス量とは焦点がずれている程度をいい、その表示の+の符号は、焦点がレジスト表面の上方にあることを意味している。
【0041】
この条件で露光後、PEB(ポスト・エキスポージャー・ベーク)を60℃にて180秒実施した。次いで、感光性材料の現像、リンスを行なった。その後、紫外線硬化装置にて180秒間紫外線を照射しながら真空引きを実施して、レジストのハードニングを行なった。紫外線硬化装置は、レジストの露光に使用する波長よりも短波長でレジストを硬化させることのできる波長を照射する。この操作によって、レジストの耐プラズマ性は向上し、次工程での加工に耐えられるようになる。このときのレジスト高さは7.5μmであった。
光学濃度分布がアナログ的な濃度分布マスクを用いたことによって、特段の段差を生じることなく形状を製作することができた。
【0042】
その後、上記基板をTCPドライエッチング装置にセットし、真空度:1.5×10-3Torr、CHF3:5.0sccm、CF4:50.0sccm、O2:15.0sccm、基板バイアス電力:600W、上部電極電力:1.25kW、基板冷却温度:−20℃の条件下でドライエッチングを行なった。またこの時、基板バイアス電力と上部電極電力を経時的に変化させ、時間変化と共に選択比が小さくなるように変更しながらエッチングを行なった。基板の平均エッチング速度は、0.63μm/分であったが、実際のエッチンング時間は、11.5分を要した。エッチング後のレンズ高さは、5.33μmであった。
【0043】
(液晶用微小寸法MLA製作の具体例2)
液晶用微小寸法MLA製作の具体例1と同じ濃度分布マスクレチクルを用い、ステッパー装置での露光条件を変更して行なった。
次のような露光条件▲1▼から▲3▼を連続して行なった。
▲1▼デフォーカス量:+5μm、照射量:390mW×0.33秒
▲2▼デフォーカス量:+2μm、照射量:390mW×0.33秒
▲3▼デフォーカス量:+0μm、照射量:390mW×0.20秒
この条件では、総合露光量は、照射量390mW×0.86秒(照度:335mJ)である。
【0044】
この条件で露光後、感光性材料のPEB、現像、リンスを行なった。次いで、液晶用微小寸法MLA製作の具体例1と同じ条件でレジストのハードニングを行なった。このときのレジスト高さは7.2μmであった。
光学濃度分布がアナログ的な濃度分布マスクを用いたことによって、特段の段差を生じることなく形状を製作することができた。
その後、上記基板をTCPドライエッチング装置にセットし、液晶用微小寸法MLA製作の具体例1と同じ条件でドライエッチングを行なった。基板の平均エッチング速度は、0.67μm/分であったが、実際のエッチンング時間は、11.0分を要した。エッチング後のレンズ高さは、5.3μmであった。
【0045】
(液晶用微小寸法MLA製作の具体例3)
ここでは非球面形状のMLAを製作した。上記の液晶用微小寸法MLA製作の具体例1と同じ濃度分布マスクレチクルを用い、ステッパー装置での露光条件を変更して行なった。
次のような露光条件▲1▼から▲8▼を連続して行なった。
▲1▼デフォーカス量:+5μm、照射量:390mW×0.13秒
▲2▼デフォーカス量:+4μm、照射量:390mW×0.13秒
▲3▼デフォーカス量:+3μm、照射量:390mW×0.13秒
▲4▼デフォーカス量:+2μm、照射量:390mW×0.13秒
▲5▼デフォーカス量:+1μm、照射量:390mW×0.13秒
▲6▼デフォーカス量:+0μm、照射量:390mW×0.15秒
この条件では、総合露光量は、照射量390mW×0.80秒(照度:312mJ)である。
【0046】
この条件で露光後、感光性材料のPEB、現像、リンスを行なった。次いで、液晶用微小寸法MLA製作の具体例1と同じ条件でレジストのハードニングを行なった。このときのレジスト高さは7.7μmであった。
光学濃度分布がアナログ的な濃度分布マスクを用いたことによって、特段の段差を生じることなく形状を製作することができた。
その後、上記基板をTCPドライエッチング装置にセットし、液晶用微小寸法MLA製作の具体例1での条件のうち、O2を15.0sccmから0.9sccmへ変更してドライエッチングを行なった。基板の平均エッチング速度は、0.55μm/分であったが、実際のエッチンング時間は、14.0分を要した。エッチング後のレンズ高さは、7.4μmであった。
【0047】
このようにして、非球面形状のMLAを形成した。その結果、光学濃度分布がアナログ的な濃度分布マスクを用いたことによって、特段の段差を生じることなく非球面形状を製作することができた。この具体例3によって製作したMLAは、具体例1で作成したMLAよりも焦点距離が短いMLAを実現することができた。また、具体例3によって、従来の濃度分布マスク工法で作成したMLAよりも高精度の非球面形状を再現性よく形成することができた。
【0048】
【発明の効果】
本発明の濃度分布マスクの製造方法では、電子線による描画工程(A)、現像工程(B)及びエッチング工程(C)により透明基板の一表面上にデジタル的な遮光膜パターンを形成した後、上記一表面上全面にポジ型感光性材料層を形成するポジ型感光性材料層形成工程(D)、透明基板の裏面側から透明基板を介して、遮光膜パターンをマスクにしてポジ型感光性材料層に光を照射する露光工程(E)、露光後のポジ型感光性材料層に現像処理を施して遮光膜パターン上にポジ型感光性材料パターンを形成する現像工程(F)、及び透明基板の上記一表面に異方性エッチングを施して、ポジ型感光性材料パターンをマスクにして、遮光膜パターンの一部分を除去するエッチング工程(G)により、開口部分周辺の遮光膜パターンの膜厚を開口部分に近づくにつれて連続的に薄くなるように形成するようにしたので、遮光膜パターンの開口面積の制御と遮光膜パターンの膜厚の制御を組み合わせることによって、各ドット部を通過する光量をアナログ的に制御することができ、光学濃度分布がアナログ的な濃度分布マスクを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】一実施例を示す工程断面図である。
【図2】図1(C)中の破線円部aを示す拡大断面図である。
【図3】図1(D)中の破線円部bを示す拡大断面図である。
【図4】図1(E)中の破線円部cを示す拡大断面図である。
【図5】図1(F)中の破線円部dを示す拡大断面図である。
【図6】マイクロレンズ用濃度分布マスクの遮光パターンの一例を示す図である。
【図7】縮小投影露光装置の一例を示す概略構成図である。
【符号の説明】
1 石英基板
3 遮光膜
3a 遮光膜パターン
5 感光性材料層
5a 感光性材料パターン
7 ポジ型感光性材料層
7a ポジ型感光性材料パターン
9 拡散板
Claims (3)
- 濃度分布マスクを用いた露光により基板上に3次元構造の感光性材料パターンを形成し、その感光性材料パターンを前記基板に彫り写すことにより3次元構造の表面形状をもつ物品を製造する際に使用される濃度分布マスクを以下の工程を含んで製造する濃度分布マスクの製造方法。
(A)透明基板の一表面に遮光膜を介して形成された感光性材料層に電子線を用いて描画する描画工程、
(B)描画後の前記感光性材料層に現像処理を施して感光性材料パターンを形成する現像工程、
(C)前記感光性材料パターンをマスクにして異方性エッチングを施して、前記遮光膜をパターニングして遮光膜パターンを形成するエッチング工程、
(D)前記透明基板の遮光パターンの存在する側の一表面上全面にポジ型感光性材料層を形成するポジ型感光性材料層形成工程、
(E)前記透明基板の裏面側から前記透明基板を介して、前記遮光膜パターンをマスクにして前記ポジ型感光性材料層に拡散光を照射する露光工程、
(F)露光後の前記ポジ型感光性材料層に現像処理を施して前記遮光膜パターン上にポジ型感光性材料パターンを形成する現像工程、
(G)前記ポジ型感光性材料パターンをマスクにして異方性エッチングを施して、前記遮光膜パターンの一部分を除去するエッチング工程。 - 前記露光工程(E)は、前記透明基板の裏面側に拡散板を配置し、その拡散板を介して前記拡散光を照射する請求項1に記載の濃度分布マスクの製造方法。
- 前記露光工程(E)において、照射する光の波長は前記遮光膜パターンの最小線幅又は最小ドット長さよりも長い波長である請求項1又は2に記載の濃度分布マスクの製造方法。
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