JP4555578B2 - 集積回路 - Google Patents
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Description
好ましくはこのような回路の場合、トランジスタのベースは基板自体によって、すなわちより正確にはトランジスタのコレクタおよびエミッタのドーピングゾーンに隣接する基板領域によって形成されるものとする。またベースと、結合回路によって結合されている2つの供給回路の電位との間の抵抗は、基板がベースを形成する領域と、それぞれ1つの接点ドーピングゾーンとの間における基板の真性抵抗とする。これら接点ドーピングゾーンは、基板上に施された金属化によって、コレクタないしエミッタと導電性結合されているものとする。
好ましくは、接点ドーピングゾーンとエミッタを形成するドーピングゾーンとをこのように配置する場合、エミッタを形成するドーピングゾーンであって接点ドーピングゾーンと直接隣接するものはいずれも、金属化による導電性をもってその接点ドーピングゾーンと結合されるものとする。この配置は、過電圧衝撃がある場合、第1の回路部分と結合された接点ドーピングゾーンから、第2の回路部分と結合されてエミッタを形成するドーピングゾーンへと破損を生じる危険を軽減する。
Claims (17)
- 少なくとも2つの回路部分(1、2)を備え、これら回路部分は、第1の導電性タイプの半導体基板(13)上に形成されて、それぞれみずからの電圧供給回路を利用でき、また少なくとも1つの結合回路を備え、この結合回路は、両者の電圧供給回路の等しい電位(Vss1、Vss2;Vcc1、Vcc2)を、グリッチを吸収するような方法により結合する集積回路において、
この結合回路は、第1の導電性タイプのベース(20、21、22)と第2の導電性タイプのコレクタ(15、16、17、18)およびエミッタ(15、16、17、18)とを持つトランジスタ(T1、T2、T3)を少なくとも1つ備え、このトランジスタのベースは、それぞれ抵抗(R)を介して2つの供給回路の電位(Vss1、Vss2)と結合され、またこのトランジスタのコレクタとエミッタとは、これらの電位の1つと直接結合されていることを特徴とする、上記の集積回路。 - トランジスタ(T1、T2、T3)のベース(20、21、22)は基板(13)の1つの領域であることと、抵抗(R)は、ベース(20、21、22)と、コレクタないしエミッタと金属化により結合されている接点ドーピングゾーン(14、19)との間における、基板(13)の真性抵抗であることを特徴とする、請求項1に記載の集積回路。
- トランジスタのコレクタとエミッタとが対称的であることを特徴とする、請求項1または2に記載の集積回路。
- 集積回路が、供給電位(Vss1、Vss2)の間に並列に接続された多数のトランジスタ(T1、T2、T3)を備えることを特徴とする、前記各請求項のいずれかに記載の集積回路。
- トランジスタが第2の導電性タイプの多数のドーピングゾーン(15、16、17、18)を備え、これらのゾーンは2つの供給電位の一方(Vss1)および他方(Vss2)と交代に結合されていることを特徴とする、請求項4に記載の集積回路。
- ドーピングゾーン(15、16、17、18)が1列かつ等距離に配置されていることを特徴とする、請求項5に記載の集積回路。
- 第2の導電性タイプのドーピングゾーン(15、16、17、18)の長手方向は、その列を横切って位置することを特徴とする、請求項6に記載の集積回路。
- その列の末端に接点ドーピングゾーン(14、19)が配置されていることを特徴とする、請求項2、6または7に記載の集積回路。
- その列ではいずれの接点ドーピングゾーン(14、19)も、金属化によりそれらのゾーンと結合された第2の導電性タイプのドーピングゾーン(15、18)と直接隣接することを特徴とする、請求項8に記載の集積回路。
- 第2の導電性タイプのドーピングゾーン(15、16、17、18)の個数が偶数であることを特徴とする、請求項5〜9のいずれかに記載の集積回路。
- 第2の導電性タイプのドーピングゾーン(15、16、17、18)を4つ備えることを特徴とする、請求項10に記載の集積回路。
- 少なくとも1つのトランジスタが、第2の導電性タイプの遮蔽ドーピングゾーン(23)に囲まれていることを特徴とする、前記各請求項のいずれかに記載の集積回路。
- 遮蔽ドーピングゾーン(23)が遮断方向にバイアス電圧を加えられていることを特徴とする、請求項12に記載の集積回路。
- 遮蔽ドーピングゾーン(23)が基板(13)表面に沿ってリング状に伸びることを特徴とする、請求項12または13に記載の集積回路。
- 強くドーピングされた接点ゾーン(25)が遮蔽ドーピングゾーン(23)に形成されていることを特徴とする、請求項12〜14のいずれかに記載の集積回路。
- 接点ゾーン(25)は2つのアイランドを備え、これらのアイランドは、2つの供給源の電位(Vss1、Vss2)のいずれかと導電性結合されていることを特徴とする、請求項15に記載の集積回路。
- 接点ドーピングゾーン(14、19)が遮蔽ドーピングゾーン(23)に沿って形成されていることを特徴とする、請求項12〜15のいずれかに記載の集積回路。
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