JP4537983B2 - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
前記マイクロホールの内部における前記光遮断物質層の下に透明物質層がさらに形成される。
前記マイクロホールの深さは、前記第2基板の厚さの半分程度である。
前記第2基板の厚さは、0.5〜0.7mmであり、前記マイクロホールの深さは、0.05〜0.2mmである。
前記マイクロホールの内部における前記硬化された光遮断物質層の下に透明物質層を充填する段階と、前記透明物質層を紫外線硬化させる段階とをさらに含む。
前記マイクロホールの深さは、前記第2基板の厚さの半分程度である。
前記第2基板の厚さは、0.5〜0.7mmで、前記マイクロホールの深さは、0.05〜0.2mmである。
前記マイクロホールは、前記異物の発生部位に応じて前記画素領域の一部分の大きさで形成される。
OD=log10(Iin/Iout)
ここで、Iinは、入射光の強度であり、Ioutは、出射光の強度である。この数式から分かるように、光学密度値(OD値)が高いということは、光をよく遮断する(吸光力が良い)ことを意味し、光学密度値が低いということは、相対的に透過する光量が多いことを意味する。薄膜の場合、厚さの程度によって投光量(あるいは吸光量)に差が発生するので、一般的に1μmの厚さによる入射光及び透過光の強度を計算し、該当の光学密度値(/μmの単位で求められる)を求める。
Claims (19)
- 互いに対応する部位に複数個の画素領域が形成され、互いに対向して配置された第1基板及び第2基板と、
前記第1基板及び前記第2基板の間に形成された液晶層と、
前記第1基板及び前記第2基板の間に残留する異物に対応して、表示面の反対側である第2基板の背面側に形成されたマイクロホールと、
前記マイクロホールの内部に形成され、前記異物により生成される輝点の光強度に応じた光学密度値を有することで前記輝点をブロッキングする光遮断物質層と
を含み、
前記光遮断物質層は、輝点の発生部位を検査した際に測定された前記輝点の光強度に応じた光学密度値を有するものが適用される
ことを特徴とする液晶表示装置。 - 前記光遮断物質層は、0.01〜10.0の光学密度値を有することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記光遮断物質層は、顔料物質からなることを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置。
- 前記マイクロホールは、前記異物が残留する所定の画素領域に応じた大きさで形成されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記マイクロホールは、前記異物の発生部位に応じて前記画素領域の一部分の大きさで形成されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記第1基板の上面及び前記第2基板の背面に形成された偏光板をさらに含むことを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
- 前記偏光板は、前記第2基板の背面に形成された偏光板を貫通することを特徴とする請求項6に記載の液晶表示装置。
- 前記マイクロホールの内部における前記光遮断物質層の下に透明物質層がさらに形成されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記マイクロホールの深さは、前記第2基板の厚さの半分程度であることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記第2基板の厚さは、0.5〜0.7mmであり、前記マイクロホールの深さは、0.05〜0.2mmであることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 互いに対向する部位に複数個の画素領域が定義された第1基板及び第2基板と、前記第1基板及び前記第2基板の間に充填された液晶層とを含む液晶パネルを準備する段階と、
前記液晶パネルの異物が発生した画素領域と、前記異物により生成される輝点の光強度とを検出し、前記輝点の光強度を測定する段階と、
前記測定された光強度によって異なる光学密度値を有する光遮断物質層を準備する段階と、
前記輝点の発生部位に対応して、表示面の反対側である第2基板の背面側にマイクロホールを形成する段階と、
前記マイクロホール内に、前記輝点の前記光強度に応じた光学密度値を有し、前記輝点をブロッキングする光遮断物質層を充填する段階と、
前記光遮断物質層を硬化する段階と
を含んで構成されることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 前記液晶パネルを準備する段階は、前記第1基板の上面及び前記第2基板の背面に第1偏光板及び第2偏光板がそれぞれ付着された液晶パネルを準備し、
前記マイクロホールを形成する段階は、前記輝点の発生部位に対応して、前記第2基板に付着された前記第2偏光板を含む背面側から所定厚さのマイクロホールを形成することを特徴とする請求項11に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記マイクロホールを形成する段階は、マイクロドリル、ミリングマシン、超音波機器及びレーザーのうちいずれか1つの機器を用いて、前記第2基板を所定厚さだけ除去して前記マイクロホールを形成することを特徴とする請求項11または12に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記光遮断物質層を充填する段階は、前記マイクロホールの入口表面を覆うように前記光遮断物質層を残した後、前記マイクロホールの周辺部を含む前記基板の背面に真空キャップを被せることにより、前記光遮断物質層の外部と前記マイクロホールの内部との気圧差を利用して、前記光遮断物質層を前記マイクロホール内に充填することを特徴とする請求項11または12に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記光遮断物質層は、紫外線硬化性の顔料物質からなることを特徴とする請求項11または12に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記マイクロホールの内部における前記硬化された光遮断物質層の下に透明物質層を充填する段階と、
前記透明物質層を紫外線硬化させる段階と
をさらに含むことを特徴とする請求項11または12に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記マイクロホールの深さは、前記第2基板の厚さの半分程度であることを特徴とする請求項11または12に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第2基板の厚さは、0.5〜0.7mmで、前記マイクロホールの深さは、0.05〜0.2mmであることを特徴とする請求項11または12に記載の液晶表示装置。
- 前記マイクロホールは、前記異物の発生部位に応じて前記画素領域の一部分の大きさで形成されることを特徴とする請求項11または12に記載の液晶表示装置の製造方法。
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