JP4529388B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4529388B2 JP4529388B2 JP2003198881A JP2003198881A JP4529388B2 JP 4529388 B2 JP4529388 B2 JP 4529388B2 JP 2003198881 A JP2003198881 A JP 2003198881A JP 2003198881 A JP2003198881 A JP 2003198881A JP 4529388 B2 JP4529388 B2 JP 4529388B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder ball
- manufacturing
- semiconductor device
- semiconductor
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Landscapes
- Dicing (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の半導体装置には、一般的にＣＳＰ(chip size package)と呼ばれるもので、シリコン基板上に形成された再配線の接続パッド部上面に柱状電極を形成し、再配線を含む半導体基板上に封止膜をその上面が柱状電極の上面と面一となるように形成し、封止膜から露出された柱状電極の上面に半田ボールを形成したものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
この場合、薄型化を図るため、半田ボールを形成する前に、ウエハ状態のシリコン基板上に形成された封止膜およびシリコン基板の上面側にダイシングストリートに沿って溝を形成し、ウエハ状態のシリコン基板の下面側を溝に達するまで研磨し、個々のチップに分離するとともに、各チップのシリコン基板の厚さをある程度薄くしている。
【０００４】
【特許文献１】
特開２０００−２９４５１９号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の半導体装置の製造方法では、半田ボールを形成する前に個々のチップに分離し、分離後の各チップに対して半田ボールを形成する方法であるために、フラックス付着、半田ボール搭載、リフロー、フラックス洗浄の各工程を各チップ毎の単品処理で行なわなければならず、さらに、場合によっては、各チップのシリコン基板下面へのレーザ照射によるマーク（捺印）の形成を単品処理で行なわなければならず、生産性が大幅に低下してしまう。
【０００６】
そこで、この発明は、生産性を大幅に向上することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、一面側に半田ボールを有する半導体基板の一面側に前記半田ボールを覆って可剥離性材料を形成し、前記可剥離性材料側を研磨ステージに固定して前記半導体基板の他面側を研磨し、前記可剥離性材料を取り除き、前記半導体基板をダイシングして前記半田ボールを備えた半導体装置を複数個得ることを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記可剥離性材料をその上面が平坦となるように形成することを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記可剥離性材料は、発泡剤を薄膜で被覆してなる発泡剤粒子を樹脂中に混入したものであることを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の発明において、前記可剥離性材料の剥離は、前記発泡剤粒子中の発泡剤を発泡させて行なうことを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の発明において、前記発泡剤粒子中の発泡剤の発泡は、６０〜１００℃の熱水への浸漬処理により行なうことを特徴とするものである。
請求項６に記載の発明は、請求項３に記載の発明において、前記樹脂は、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、合成ゴム系材料のいずれかであることを特徴とするものである。
請求項７に記載の発明は、一面に、該一面から突き出し状に形成された半田ボールを有する半導体基板上に、変形可能な接着シートを、前記半田ボールの存在する領域で前記半田ボールの上部に固着され、且つ、前記半導体基板の周縁部で前記半田ボールの上部から前記半導体基板の一面に立ち下がるように貼り付け、前記接着シート側を研磨ステージに固定して前記半導体基板の他面側を研磨し、前記接着シートを剥離し、前記半導体基板をダイシングして前記半田ボールを備えた半導体装置を複数個得ることを特徴とするものである。
請求項８に記載の発明は、請求項７に記載の発明において、前記接着シートは、凸凹形状で変形可能なベースシートの一面に接着層が設けられたものからなることを特徴とするものである。
請求項９に記載の発明は、請求項８に記載の発明において、前記接着シートの凸凹の振幅は、前記半田ボールの高さと前記ベースシートの厚さと前記接着層の厚さとの合計値とほぼ同じであることを特徴とするものである。
請求項１０に記載の発明は、請求項７に記載の発明において、前記接着シートは、平坦なベースシートの一面に変形可能な一定の厚さのスポンジ層および接着層が設けられたものからなることを特徴とするものである。
請求項１１に記載の発明は、請求項１０に記載の発明において、前記スポンジ層の厚さは前記半田ボールの高さよりも厚くなっていることを特徴とするものである。
請求項１２に記載の発明は、請求項１または７に記載の発明において、前記半田ボールの高さは１００〜３００μｍであることを特徴とするものである。
そして、この発明によれば、一面側に半田ボールを有する半導体基板の一面側に半田ボールを覆って可剥離性材料を形成し、あるいは、一面に、該一面から突き出し状に形成された半田ボールを有する半導体基板上に、変形可能な接着シートを、半田ボールの存在する領域で半田ボールの上部に固着され、且つ、半導体基板の周縁部で半田ボールの上部から半導体基板の一面に立ち下がるように貼り付けているので、半田ボールを一括処理で形成した後の半導体基板の他面側を研磨することができ、ひいては生産性を大幅に向上することができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】
図１はこの発明の一実施形態としての製造方法により製造された半導体装置の断面図を示す。この半導体装置は、一般的にＣＳＰと呼ばれるものであり、シリコン基板（半導体基板）１を備えている。シリコン基板１の上面中央部には所定の機能の集積回路（図示せず）が設けられ、上面周辺部にはアルミニウム系金属等からなる複数の接続パッド２が集積回路に接続されて設けられている。接続パッド２の中央部を除くシリコン基板１の上面には酸化シリコン等からなる絶縁膜３が設けられ、接続パッド２の中央部は絶縁膜３に設けられた開口部４を介して露出されている。
【０００９】
絶縁膜３の上面にはエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等からなる保護膜５が設けられている。この場合、絶縁膜３の開口部４に対応する部分における保護膜５には開口部６が設けられている。保護膜５の上面の所定の箇所には銅等からなる下地金属層７が両開口部４、６を介して接続パッド２に接続されて設けられている。下地金属層７の上面全体には銅からなる再配線８が設けられている。
【００１０】
再配線８の接続パッド部上面には銅からなる柱状電極９が設けられている。再配線８を含む保護膜５の上面にはエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等からなる封止膜１０がその上面が柱状電極９の上面と面一となるように設けられている。封止膜１０から露出された柱状電極９の上面には半田ボール１１が設けられている。ここで、半田ボール１１は、その材料としては、Ｐｂ−Ｓｎ系等、Ｐｂを含む材料の他、Ａｇ−Ｓｎ系等、Ｐｂを含まない材料を含む低融点金属全てを含むものとする。
【００１１】
次に、この半導体装置の製造方法について説明する。まず、図２に示すように、ウエハ状態のシリコン基板（半導体基板）１上にアルミニウム系金属等からなる接続パッド２、酸化シリコン等からなる絶縁膜３およびエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等からなる保護膜５が設けられ、接続パッド２の中央部が絶縁膜３および保護膜５に形成された開口部４、６を介して露出されたものを用意する。
【００１２】
この場合、ウエハ状態のシリコン基板１には、各半導体装置が形成される領域に所定の機能の集積回路が形成され、接続パッド２は、それぞれ、対応する領域に形成された集積回路に電気的に接続されている。また、ウエハ状態のシリコン基板１の厚さは、図１に示すシリコン基板１の厚さよりもある程度厚くなっている。
【００１３】
次に、図３に示すように、両開口部４、６を介して露出された接続パッド２の上面を含む保護膜５の上面全体に下地金属層７を形成する。この場合、下地金属層７は、無電解メッキにより形成された銅層のみであってもよく、またスパッタにより形成された銅層のみであってもよく、さらにスパッタにより形成されたチタン等の薄膜層上にスパッタにより銅層を形成したものであってもよい。
【００１４】
次に、下地金属層７の上面にメッキレジスト膜２１をパターン形成する。この場合、再配線８形成領域に対応する部分におけるメッキレジスト膜２１には開口部２２が形成されている。次に、下地金属層７をメッキ電流路とした銅の電解メッキを行なうと、メッキレジスト膜２１の開口部２２内の下地金属層７の上面に再配線８が形成される。次に、メッキレジスト膜２１を剥離する。
【００１５】
次に、図４に示すように、再配線８を含む下地金属層７の上面にメッキレジスト膜２３をパターン形成する。この場合、柱状電極９形成領域に対応する部分におけるメッキレジスト膜２３には開口部２４が形成されている。次に、下地金属層７をメッキ電流路とした銅の電解メッキを行なうと、メッキレジスト膜２３の開口部２４内の再配線８の接続パッド部上面に柱状電極９を形成される。次に、メッキレジスト膜２３を剥離し、次いで、柱状電極９および再配線８をマスクとして下地金属層７の不要な部分をエッチングして除去すると、図５に示すように、再配線８下にのみ下地金属層７が残存される。
【００１６】
次に、図６に示すように、印刷法やトランスファモールド法等により、柱状電極９および再配線８を含む保護膜５の上面全体にエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等からなる封止膜１０をその厚さが柱状電極９の高さよりも厚くなるように形成する。したがって、この状態では、柱状電極９の上面は封止膜１０によって覆われている。次に、封止膜１０および柱状電極９の上面側を適宜に研磨し、図７に示すように、柱状電極９の上面を露出させ、且つ、この露出された柱状電極９の上面を含む封止膜１０の上面を平坦化する。
【００１７】
次に、図８に示すように、封止膜１０から露出された柱状電極９の上面に半田ボール１１を形成する。この場合、まず、柱状電極９の上面に印刷法によりフラックスを付着させ、次いで、フラックス上に半田ボール搭載機を用いて半田ボールを搭載し、次いで、リフローにより柱状電極９の上面に半田ボール１１を形成し、次いで、フラックス洗浄によりフラックスを除去する。この一連の半田ボール形成工程は、ウエハ状態のシリコン基板１に対して一括して行なう。
【００１８】
次に、図９に示すように、印刷法やスピンコート法等により、半田ボール１１を含む封止膜１０の上面全体に可剥離性材料２５をその厚さが半田ボール１１の高さよりも厚くなるように形成する。したがって、この状態では、半田ボール１１の表面は可剥離性材料２５によって覆われている。
【００１９】
可剥離性材料２５は、詳細には図示していないが、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、合成ゴム系材料のいずれかの母材中に、発泡剤を薄膜で被覆してなる発泡剤粒子を混入したものである。一例として、主剤がエポキシ樹脂で硬化剤が脂肪族ポリアミンであると、硬化温度は５０℃程度である。発泡剤粒子中の発泡剤の発泡温度は６０〜１００℃である。なお、可剥離性材料２５としては、樹脂が半硬化状態のシート状のものを用いて、貼り付けるようにしてもよい。
【００２０】
次に、必要に応じて、可剥離性材料２５の上面側を適宜に研磨し、可剥離性材料２５の上面を平坦化する。ここで、半田ボール１１の高さが１００〜３００μｍと比較的高くても、この半田ボール１１を可剥離性材料２５によって完全に覆うことができる。また、ウエハ状態のシリコン基板１に封止膜１０との熱膨張係数差に起因する若干の反りがあっても、可剥離性材料２５の上面を確実に且つ容易に平坦化することができる。
【００２１】
次に、図１０に示すように、図９に示すものの上下を反転し、すなわち、シリコン基板１を上側とし可剥離性材料２５を下側として、可剥離性材料２５の平坦な表面を吸着機構付きの研磨ステージ２６の上面に吸着させて固定する。この状態では、可剥離性材料２５の平坦な表面を研磨ステージ２６の上面に載置しているため、シリコン基板１の裏面（集積回路形成面つまり半田ボール１１形成面とは反対側の面）は水平面となっている。
【００２２】
次に、図１１に示すように、シリコン基板１の裏面側を適宜に研磨する。この場合、当初のウエハ状態のシリコン基板１に若干の反りがあっても、研磨により、シリコン基板１の裏面を平坦化することができる。次に、必要に応じて、シリコン基板１の裏面において各半導体装置に対応する領域の所定の箇所にレーザ照射によりマーク（捺印）を形成する。レーザ照射によりマークを形成するとき、シリコン基板１はその裏面側を適宜に研磨されて薄くなっているが、可剥離性材料２５を備えているため、反ることはなく、したがって反り対策は不要である。
【００２３】
次に、可剥離性材料２５を有するシリコン基板１を６０〜１００℃の熱水に浸漬する。すると、可剥離性材料２５中の発泡剤粒子中の発泡剤が薄膜を破って発泡し、この発泡により、可剥離性材料２５が半田ボール１１を含む封止膜１０の表面から剥離される。次に、図１２に示すように、ダイシング工程を経ると、図１に示す半導体装置が複数個得られる。
【００２４】
以上のように、この製造方法では、半田ボール１１を形成した後に、ウエハ状態のシリコン基板１の裏面側を研磨しているので、半田ボールを形成する前に個々のチップに分離し、分離された各チップに対して、フラックス付着、半田ボール搭載、リフロー、フラックス洗浄の各工程を行なう場合と比較して、生産性を大幅に向上することができる。また、ウエハ状態のシリコン基板１の裏面側を研磨した直後に、ウエハ状態のシリコン基板１の裏面において各半導体装置に対応する領域の所定の箇所にレーザ照射によりマーク（捺印）を形成することができるので、生産性をさらに向上することができる。
【００２５】
また、分離された各チップに対して、フラックス付着、半田ボール搭載、リフロー、フラックス洗浄の各工程を行なう場合には、シリコン基板研磨後の工程数が多く、シリコン基板研磨面を傷付ける要因が多くなり、シリコン基板研磨面に付いた傷がクラックを誘発すると、不良品となってしまう。これに対し、上記製造方法では、半田ボール１１を形成した後に、ウエハ状態のシリコン基板１の裏面側を研磨しているので、シリコン基板１の研磨面が傷付きにくいようにすることができる。
【００２６】
なお、上記実施形態における可剥離性材料２５として、例えば、フォトレジスト等のエッチングにより除去可能な材料を用い、この可剥離性材料を図９に図示された如く、半田ボール１１を含む封止膜１０の上面全体を覆って上面平坦状に形成し、この上面を、直接、あるいは他の適当な接着シートを介して図１０に図示する如く、研磨ステージ上に固定し、シリコン基板１の裏面を研磨し、この後、エッチング液により可剥離性材料を除去するようにしてもよい。この場合、可剥離性材料は、エッチング液により剥離されるものの他、プラズマエッチング等のドライエッチングにより除去されるものであってもよい。本願では、このようなエッチング液あるいはドライエッチングにより除去されるものを含めて可剥離性材料という。
【００２７】
また、上記実施形態においては、可剥離性材料２５は液状のものを塗布する方法であったが、図１３に示すこの発明の他の実施形態のように、波状の凸凹形状で変形可能な樹脂からなるベースシート３２の一面に接着層３３が設けられた接着シート３１を用いるようにしてもよい。この場合、接着シート３１の凸凹の振幅は、半田ボール１１の高さ（例えば、１００〜３００μｍ）とベースシート３２の厚さと接着層３３の厚さとの合計値とほぼ同じである。
【００２８】
そして、図１４に示すように、半田ボール１１を含む封止膜１０上に接着シート３１を、分離されて個々の半導体チップとなる領域内の半田ボール１１がマトリクス状に配列された領域で半田ボール１１の上部形状に沿って、各半田ボール１１間を差し渡すように変形させ、且つ、各半導体チップを分離するダイシンラインに対応する領域で原形を維持させて、貼り付ける。この状態では、接着シート３１は、半田ボール１１上部と封止材１０の上面間を波状に立ち下がり、立ち上がる凸凹の原形形状を維持し、その振幅は、半田ボール１１の高さとベースシート３２の厚さと接着層３３の厚さとの合計値とほぼ同じであるため、半田ボール１１上の接着シート３１の最高高さ位置と原形を維持する接着シート３１の最高高さ位置とは同一の水平面上に位置している。
【００２９】
したがって、次の工程で、図１５に示すように、図１４に示すものの上下を反転し、すなわち、シリコン基板１を上側とし接着シート３１を下側として、接着シート３１を研磨ステージ２６の上面に吸着させて固定すると、接着シート３１が原形の波状形状を維持するダイシンラインに対応する領域でシリコン基板１が保持され、シリコン基板１の裏面を水平面とすることができる。そして、この状態で、シリコン基板１の裏面側を適宜に研磨する。次に、接着シート３１を剥離し、次いで、ダイシング工程を経ると、図１に示す半導体装置が複数個得られる。
【００３０】
ところで、平坦なベースシートの一面に厚さ１００μｍ程度の接着層が設けられた通常の研磨用接着シートを用いると、半田ボール１１の高さが８０μｍ程度であると、半田ボール形成後のシリコン基板裏面の研磨は一応可能である。しかし、特に、ウエハ状態のシリコン基板１の周縁部には半田ボール１１が存在しないため、当該周縁部が研磨時に加圧されて撓み、当該周縁部を研磨してもその厚さが半田ボール１１が存在する領域の厚さよりも厚くなり、厚さむらが生じてしまう。また、半田ボール１１の高さが１００〜３００μｍと比較的高いと、接着層の厚さが１００μｍ程度の通常の研磨用接着テープを用いての研磨は行なうことができない。
【００３１】
これに対し、上記接着シート３１の場合には、半田ボール１１の存在しない領域で原形を維持するため、ウエハ状態のシリコン基板１の周縁部に半田ボール１１が存在しなくても、原形を維持するベースシート３２の剛性により、当該周縁部が研磨時に加圧されて撓むことはなく、したがって研磨後のシリコン基板１の厚さを均一にすることができる。また、上記接着シート３１の場合には、半田ボール１１の高さが１００〜３００μｍと比較的高くても、研磨を行なうことができる。
【００３２】
なお、接着シートは、平坦なベースシートの一面に変形可能な一定の厚さのスポンジ層および接着層が設けられたものであってもよい。この場合、スポンジ層は、その厚さが半田ボール１１の高さよりもある程度厚く、封止膜１０上の個々の半導体チップ領域内の半田ボール１１がマトリクス状に配列された領域で半田ボール１１の上部形状に沿って、各半田ボール１１間を差し渡すように変形し、且つ、各半導体チップを分離するダイシンラインに対応する領域で原形を維持することになる。また、この場合、接着シートは個々の半導体チップ領域間で原形の波状形状を維持するものとしたが、接着シートはウエハ状態における外周部のみで原形の波状形状を維持するものであればよい。
【００３３】
さらに、上述の実施形態においては、チップサイズのＷＬＰの場合で説明したが、この発明はチップサイズに限られるものでなく、封止膜１０および柱状電極９上にビルドアップ基板等の配線回路部を積層し該配線回路部の外部接続用端子上に半田ボールが形成された半導体装置等、配線回路部の外部接続用端子上に半田ボールを搭載した半導体装置に幅広く適用可能である。
【００３４】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、一面側に半田ボールを有する半導体基板の一面側に半田ボールを覆って可剥離性材料を形成し、あるいは、一面に、該一面から突き出し状に形成された半田ボールを有する半導体基板上に、変形可能な接着シートを、半田ボールの存在する領域で半田ボールの上部に固着され、且つ、半導体基板の周縁部で半田ボールの上部から半導体基板の一面に立ち下がるように貼り付けているので、半田ボールを一括処理で形成した後の半導体基板の他面側を研磨することができ、ひいては生産性を大幅に向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態としての製造方法により製造された半導体装置の断面図。
【図２】図１に示す半導体装置の製造に際し、当初用意したものの断面図。
【図３】図２に続く工程の断面図。
【図４】図３に続く工程の断面図。
【図５】図４に続く工程の断面図。
【図６】図５に続く工程の断面図。
【図７】図６に続く工程の断面図。
【図８】図７に続く工程の断面図。
【図９】図８に続く工程の断面図。
【図１０】図９に続く工程の断面図。
【図１１】図１０に続く工程の断面図。
【図１２】図１１に続く工程の断面図。
【図１３】この発明の他の実施形態としての製造方法において、所定の工程の断面図。
【図１４】図１３に続く工程の断面図。
【図１５】図１４に続く工程の断面図。
【符号の説明】
１ シリコン基板
２ 接続パッド
３ 絶縁膜
５ 保護膜
７ 下地金属層
８ 再配線
９ 柱状電極
１０ 封止膜
１１ 半田ボール
２５ 可剥離性材料
３１ 接着シート
【発明の属する技術分野】
この発明は半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の半導体装置には、一般的にＣＳＰ(chip size package)と呼ばれるもので、シリコン基板上に形成された再配線の接続パッド部上面に柱状電極を形成し、再配線を含む半導体基板上に封止膜をその上面が柱状電極の上面と面一となるように形成し、封止膜から露出された柱状電極の上面に半田ボールを形成したものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
この場合、薄型化を図るため、半田ボールを形成する前に、ウエハ状態のシリコン基板上に形成された封止膜およびシリコン基板の上面側にダイシングストリートに沿って溝を形成し、ウエハ状態のシリコン基板の下面側を溝に達するまで研磨し、個々のチップに分離するとともに、各チップのシリコン基板の厚さをある程度薄くしている。
【０００４】
【特許文献１】
特開２０００−２９４５１９号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の半導体装置の製造方法では、半田ボールを形成する前に個々のチップに分離し、分離後の各チップに対して半田ボールを形成する方法であるために、フラックス付着、半田ボール搭載、リフロー、フラックス洗浄の各工程を各チップ毎の単品処理で行なわなければならず、さらに、場合によっては、各チップのシリコン基板下面へのレーザ照射によるマーク（捺印）の形成を単品処理で行なわなければならず、生産性が大幅に低下してしまう。
【０００６】
そこで、この発明は、生産性を大幅に向上することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、一面側に半田ボールを有する半導体基板の一面側に前記半田ボールを覆って可剥離性材料を形成し、前記可剥離性材料側を研磨ステージに固定して前記半導体基板の他面側を研磨し、前記可剥離性材料を取り除き、前記半導体基板をダイシングして前記半田ボールを備えた半導体装置を複数個得ることを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記可剥離性材料をその上面が平坦となるように形成することを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記可剥離性材料は、発泡剤を薄膜で被覆してなる発泡剤粒子を樹脂中に混入したものであることを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の発明において、前記可剥離性材料の剥離は、前記発泡剤粒子中の発泡剤を発泡させて行なうことを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の発明において、前記発泡剤粒子中の発泡剤の発泡は、６０〜１００℃の熱水への浸漬処理により行なうことを特徴とするものである。
請求項６に記載の発明は、請求項３に記載の発明において、前記樹脂は、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、合成ゴム系材料のいずれかであることを特徴とするものである。
請求項７に記載の発明は、一面に、該一面から突き出し状に形成された半田ボールを有する半導体基板上に、変形可能な接着シートを、前記半田ボールの存在する領域で前記半田ボールの上部に固着され、且つ、前記半導体基板の周縁部で前記半田ボールの上部から前記半導体基板の一面に立ち下がるように貼り付け、前記接着シート側を研磨ステージに固定して前記半導体基板の他面側を研磨し、前記接着シートを剥離し、前記半導体基板をダイシングして前記半田ボールを備えた半導体装置を複数個得ることを特徴とするものである。
請求項８に記載の発明は、請求項７に記載の発明において、前記接着シートは、凸凹形状で変形可能なベースシートの一面に接着層が設けられたものからなることを特徴とするものである。
請求項９に記載の発明は、請求項８に記載の発明において、前記接着シートの凸凹の振幅は、前記半田ボールの高さと前記ベースシートの厚さと前記接着層の厚さとの合計値とほぼ同じであることを特徴とするものである。
請求項１０に記載の発明は、請求項７に記載の発明において、前記接着シートは、平坦なベースシートの一面に変形可能な一定の厚さのスポンジ層および接着層が設けられたものからなることを特徴とするものである。
請求項１１に記載の発明は、請求項１０に記載の発明において、前記スポンジ層の厚さは前記半田ボールの高さよりも厚くなっていることを特徴とするものである。
請求項１２に記載の発明は、請求項１または７に記載の発明において、前記半田ボールの高さは１００〜３００μｍであることを特徴とするものである。
そして、この発明によれば、一面側に半田ボールを有する半導体基板の一面側に半田ボールを覆って可剥離性材料を形成し、あるいは、一面に、該一面から突き出し状に形成された半田ボールを有する半導体基板上に、変形可能な接着シートを、半田ボールの存在する領域で半田ボールの上部に固着され、且つ、半導体基板の周縁部で半田ボールの上部から半導体基板の一面に立ち下がるように貼り付けているので、半田ボールを一括処理で形成した後の半導体基板の他面側を研磨することができ、ひいては生産性を大幅に向上することができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】
図１はこの発明の一実施形態としての製造方法により製造された半導体装置の断面図を示す。この半導体装置は、一般的にＣＳＰと呼ばれるものであり、シリコン基板（半導体基板）１を備えている。シリコン基板１の上面中央部には所定の機能の集積回路（図示せず）が設けられ、上面周辺部にはアルミニウム系金属等からなる複数の接続パッド２が集積回路に接続されて設けられている。接続パッド２の中央部を除くシリコン基板１の上面には酸化シリコン等からなる絶縁膜３が設けられ、接続パッド２の中央部は絶縁膜３に設けられた開口部４を介して露出されている。
【０００９】
絶縁膜３の上面にはエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等からなる保護膜５が設けられている。この場合、絶縁膜３の開口部４に対応する部分における保護膜５には開口部６が設けられている。保護膜５の上面の所定の箇所には銅等からなる下地金属層７が両開口部４、６を介して接続パッド２に接続されて設けられている。下地金属層７の上面全体には銅からなる再配線８が設けられている。
【００１０】
再配線８の接続パッド部上面には銅からなる柱状電極９が設けられている。再配線８を含む保護膜５の上面にはエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等からなる封止膜１０がその上面が柱状電極９の上面と面一となるように設けられている。封止膜１０から露出された柱状電極９の上面には半田ボール１１が設けられている。ここで、半田ボール１１は、その材料としては、Ｐｂ−Ｓｎ系等、Ｐｂを含む材料の他、Ａｇ−Ｓｎ系等、Ｐｂを含まない材料を含む低融点金属全てを含むものとする。
【００１１】
次に、この半導体装置の製造方法について説明する。まず、図２に示すように、ウエハ状態のシリコン基板（半導体基板）１上にアルミニウム系金属等からなる接続パッド２、酸化シリコン等からなる絶縁膜３およびエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等からなる保護膜５が設けられ、接続パッド２の中央部が絶縁膜３および保護膜５に形成された開口部４、６を介して露出されたものを用意する。
【００１２】
この場合、ウエハ状態のシリコン基板１には、各半導体装置が形成される領域に所定の機能の集積回路が形成され、接続パッド２は、それぞれ、対応する領域に形成された集積回路に電気的に接続されている。また、ウエハ状態のシリコン基板１の厚さは、図１に示すシリコン基板１の厚さよりもある程度厚くなっている。
【００１３】
次に、図３に示すように、両開口部４、６を介して露出された接続パッド２の上面を含む保護膜５の上面全体に下地金属層７を形成する。この場合、下地金属層７は、無電解メッキにより形成された銅層のみであってもよく、またスパッタにより形成された銅層のみであってもよく、さらにスパッタにより形成されたチタン等の薄膜層上にスパッタにより銅層を形成したものであってもよい。
【００１４】
次に、下地金属層７の上面にメッキレジスト膜２１をパターン形成する。この場合、再配線８形成領域に対応する部分におけるメッキレジスト膜２１には開口部２２が形成されている。次に、下地金属層７をメッキ電流路とした銅の電解メッキを行なうと、メッキレジスト膜２１の開口部２２内の下地金属層７の上面に再配線８が形成される。次に、メッキレジスト膜２１を剥離する。
【００１５】
次に、図４に示すように、再配線８を含む下地金属層７の上面にメッキレジスト膜２３をパターン形成する。この場合、柱状電極９形成領域に対応する部分におけるメッキレジスト膜２３には開口部２４が形成されている。次に、下地金属層７をメッキ電流路とした銅の電解メッキを行なうと、メッキレジスト膜２３の開口部２４内の再配線８の接続パッド部上面に柱状電極９を形成される。次に、メッキレジスト膜２３を剥離し、次いで、柱状電極９および再配線８をマスクとして下地金属層７の不要な部分をエッチングして除去すると、図５に示すように、再配線８下にのみ下地金属層７が残存される。
【００１６】
次に、図６に示すように、印刷法やトランスファモールド法等により、柱状電極９および再配線８を含む保護膜５の上面全体にエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等からなる封止膜１０をその厚さが柱状電極９の高さよりも厚くなるように形成する。したがって、この状態では、柱状電極９の上面は封止膜１０によって覆われている。次に、封止膜１０および柱状電極９の上面側を適宜に研磨し、図７に示すように、柱状電極９の上面を露出させ、且つ、この露出された柱状電極９の上面を含む封止膜１０の上面を平坦化する。
【００１７】
次に、図８に示すように、封止膜１０から露出された柱状電極９の上面に半田ボール１１を形成する。この場合、まず、柱状電極９の上面に印刷法によりフラックスを付着させ、次いで、フラックス上に半田ボール搭載機を用いて半田ボールを搭載し、次いで、リフローにより柱状電極９の上面に半田ボール１１を形成し、次いで、フラックス洗浄によりフラックスを除去する。この一連の半田ボール形成工程は、ウエハ状態のシリコン基板１に対して一括して行なう。
【００１８】
次に、図９に示すように、印刷法やスピンコート法等により、半田ボール１１を含む封止膜１０の上面全体に可剥離性材料２５をその厚さが半田ボール１１の高さよりも厚くなるように形成する。したがって、この状態では、半田ボール１１の表面は可剥離性材料２５によって覆われている。
【００１９】
可剥離性材料２５は、詳細には図示していないが、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、合成ゴム系材料のいずれかの母材中に、発泡剤を薄膜で被覆してなる発泡剤粒子を混入したものである。一例として、主剤がエポキシ樹脂で硬化剤が脂肪族ポリアミンであると、硬化温度は５０℃程度である。発泡剤粒子中の発泡剤の発泡温度は６０〜１００℃である。なお、可剥離性材料２５としては、樹脂が半硬化状態のシート状のものを用いて、貼り付けるようにしてもよい。
【００２０】
次に、必要に応じて、可剥離性材料２５の上面側を適宜に研磨し、可剥離性材料２５の上面を平坦化する。ここで、半田ボール１１の高さが１００〜３００μｍと比較的高くても、この半田ボール１１を可剥離性材料２５によって完全に覆うことができる。また、ウエハ状態のシリコン基板１に封止膜１０との熱膨張係数差に起因する若干の反りがあっても、可剥離性材料２５の上面を確実に且つ容易に平坦化することができる。
【００２１】
次に、図１０に示すように、図９に示すものの上下を反転し、すなわち、シリコン基板１を上側とし可剥離性材料２５を下側として、可剥離性材料２５の平坦な表面を吸着機構付きの研磨ステージ２６の上面に吸着させて固定する。この状態では、可剥離性材料２５の平坦な表面を研磨ステージ２６の上面に載置しているため、シリコン基板１の裏面（集積回路形成面つまり半田ボール１１形成面とは反対側の面）は水平面となっている。
【００２２】
次に、図１１に示すように、シリコン基板１の裏面側を適宜に研磨する。この場合、当初のウエハ状態のシリコン基板１に若干の反りがあっても、研磨により、シリコン基板１の裏面を平坦化することができる。次に、必要に応じて、シリコン基板１の裏面において各半導体装置に対応する領域の所定の箇所にレーザ照射によりマーク（捺印）を形成する。レーザ照射によりマークを形成するとき、シリコン基板１はその裏面側を適宜に研磨されて薄くなっているが、可剥離性材料２５を備えているため、反ることはなく、したがって反り対策は不要である。
【００２３】
次に、可剥離性材料２５を有するシリコン基板１を６０〜１００℃の熱水に浸漬する。すると、可剥離性材料２５中の発泡剤粒子中の発泡剤が薄膜を破って発泡し、この発泡により、可剥離性材料２５が半田ボール１１を含む封止膜１０の表面から剥離される。次に、図１２に示すように、ダイシング工程を経ると、図１に示す半導体装置が複数個得られる。
【００２４】
以上のように、この製造方法では、半田ボール１１を形成した後に、ウエハ状態のシリコン基板１の裏面側を研磨しているので、半田ボールを形成する前に個々のチップに分離し、分離された各チップに対して、フラックス付着、半田ボール搭載、リフロー、フラックス洗浄の各工程を行なう場合と比較して、生産性を大幅に向上することができる。また、ウエハ状態のシリコン基板１の裏面側を研磨した直後に、ウエハ状態のシリコン基板１の裏面において各半導体装置に対応する領域の所定の箇所にレーザ照射によりマーク（捺印）を形成することができるので、生産性をさらに向上することができる。
【００２５】
また、分離された各チップに対して、フラックス付着、半田ボール搭載、リフロー、フラックス洗浄の各工程を行なう場合には、シリコン基板研磨後の工程数が多く、シリコン基板研磨面を傷付ける要因が多くなり、シリコン基板研磨面に付いた傷がクラックを誘発すると、不良品となってしまう。これに対し、上記製造方法では、半田ボール１１を形成した後に、ウエハ状態のシリコン基板１の裏面側を研磨しているので、シリコン基板１の研磨面が傷付きにくいようにすることができる。
【００２６】
なお、上記実施形態における可剥離性材料２５として、例えば、フォトレジスト等のエッチングにより除去可能な材料を用い、この可剥離性材料を図９に図示された如く、半田ボール１１を含む封止膜１０の上面全体を覆って上面平坦状に形成し、この上面を、直接、あるいは他の適当な接着シートを介して図１０に図示する如く、研磨ステージ上に固定し、シリコン基板１の裏面を研磨し、この後、エッチング液により可剥離性材料を除去するようにしてもよい。この場合、可剥離性材料は、エッチング液により剥離されるものの他、プラズマエッチング等のドライエッチングにより除去されるものであってもよい。本願では、このようなエッチング液あるいはドライエッチングにより除去されるものを含めて可剥離性材料という。
【００２７】
また、上記実施形態においては、可剥離性材料２５は液状のものを塗布する方法であったが、図１３に示すこの発明の他の実施形態のように、波状の凸凹形状で変形可能な樹脂からなるベースシート３２の一面に接着層３３が設けられた接着シート３１を用いるようにしてもよい。この場合、接着シート３１の凸凹の振幅は、半田ボール１１の高さ（例えば、１００〜３００μｍ）とベースシート３２の厚さと接着層３３の厚さとの合計値とほぼ同じである。
【００２８】
そして、図１４に示すように、半田ボール１１を含む封止膜１０上に接着シート３１を、分離されて個々の半導体チップとなる領域内の半田ボール１１がマトリクス状に配列された領域で半田ボール１１の上部形状に沿って、各半田ボール１１間を差し渡すように変形させ、且つ、各半導体チップを分離するダイシンラインに対応する領域で原形を維持させて、貼り付ける。この状態では、接着シート３１は、半田ボール１１上部と封止材１０の上面間を波状に立ち下がり、立ち上がる凸凹の原形形状を維持し、その振幅は、半田ボール１１の高さとベースシート３２の厚さと接着層３３の厚さとの合計値とほぼ同じであるため、半田ボール１１上の接着シート３１の最高高さ位置と原形を維持する接着シート３１の最高高さ位置とは同一の水平面上に位置している。
【００２９】
したがって、次の工程で、図１５に示すように、図１４に示すものの上下を反転し、すなわち、シリコン基板１を上側とし接着シート３１を下側として、接着シート３１を研磨ステージ２６の上面に吸着させて固定すると、接着シート３１が原形の波状形状を維持するダイシンラインに対応する領域でシリコン基板１が保持され、シリコン基板１の裏面を水平面とすることができる。そして、この状態で、シリコン基板１の裏面側を適宜に研磨する。次に、接着シート３１を剥離し、次いで、ダイシング工程を経ると、図１に示す半導体装置が複数個得られる。
【００３０】
ところで、平坦なベースシートの一面に厚さ１００μｍ程度の接着層が設けられた通常の研磨用接着シートを用いると、半田ボール１１の高さが８０μｍ程度であると、半田ボール形成後のシリコン基板裏面の研磨は一応可能である。しかし、特に、ウエハ状態のシリコン基板１の周縁部には半田ボール１１が存在しないため、当該周縁部が研磨時に加圧されて撓み、当該周縁部を研磨してもその厚さが半田ボール１１が存在する領域の厚さよりも厚くなり、厚さむらが生じてしまう。また、半田ボール１１の高さが１００〜３００μｍと比較的高いと、接着層の厚さが１００μｍ程度の通常の研磨用接着テープを用いての研磨は行なうことができない。
【００３１】
これに対し、上記接着シート３１の場合には、半田ボール１１の存在しない領域で原形を維持するため、ウエハ状態のシリコン基板１の周縁部に半田ボール１１が存在しなくても、原形を維持するベースシート３２の剛性により、当該周縁部が研磨時に加圧されて撓むことはなく、したがって研磨後のシリコン基板１の厚さを均一にすることができる。また、上記接着シート３１の場合には、半田ボール１１の高さが１００〜３００μｍと比較的高くても、研磨を行なうことができる。
【００３２】
なお、接着シートは、平坦なベースシートの一面に変形可能な一定の厚さのスポンジ層および接着層が設けられたものであってもよい。この場合、スポンジ層は、その厚さが半田ボール１１の高さよりもある程度厚く、封止膜１０上の個々の半導体チップ領域内の半田ボール１１がマトリクス状に配列された領域で半田ボール１１の上部形状に沿って、各半田ボール１１間を差し渡すように変形し、且つ、各半導体チップを分離するダイシンラインに対応する領域で原形を維持することになる。また、この場合、接着シートは個々の半導体チップ領域間で原形の波状形状を維持するものとしたが、接着シートはウエハ状態における外周部のみで原形の波状形状を維持するものであればよい。
【００３３】
さらに、上述の実施形態においては、チップサイズのＷＬＰの場合で説明したが、この発明はチップサイズに限られるものでなく、封止膜１０および柱状電極９上にビルドアップ基板等の配線回路部を積層し該配線回路部の外部接続用端子上に半田ボールが形成された半導体装置等、配線回路部の外部接続用端子上に半田ボールを搭載した半導体装置に幅広く適用可能である。
【００３４】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、一面側に半田ボールを有する半導体基板の一面側に半田ボールを覆って可剥離性材料を形成し、あるいは、一面に、該一面から突き出し状に形成された半田ボールを有する半導体基板上に、変形可能な接着シートを、半田ボールの存在する領域で半田ボールの上部に固着され、且つ、半導体基板の周縁部で半田ボールの上部から半導体基板の一面に立ち下がるように貼り付けているので、半田ボールを一括処理で形成した後の半導体基板の他面側を研磨することができ、ひいては生産性を大幅に向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態としての製造方法により製造された半導体装置の断面図。
【図２】図１に示す半導体装置の製造に際し、当初用意したものの断面図。
【図３】図２に続く工程の断面図。
【図４】図３に続く工程の断面図。
【図５】図４に続く工程の断面図。
【図６】図５に続く工程の断面図。
【図７】図６に続く工程の断面図。
【図８】図７に続く工程の断面図。
【図９】図８に続く工程の断面図。
【図１０】図９に続く工程の断面図。
【図１１】図１０に続く工程の断面図。
【図１２】図１１に続く工程の断面図。
【図１３】この発明の他の実施形態としての製造方法において、所定の工程の断面図。
【図１４】図１３に続く工程の断面図。
【図１５】図１４に続く工程の断面図。
【符号の説明】
１ シリコン基板
２ 接続パッド
３ 絶縁膜
５ 保護膜
７ 下地金属層
８ 再配線
９ 柱状電極
１０ 封止膜
１１ 半田ボール
２５ 可剥離性材料
３１ 接着シート
Claims (12)
- 一面側に半田ボールを有する半導体基板の一面側に前記半田ボールを覆って可剥離性材料を形成し、前記可剥離性材料側を研磨ステージに固定して前記半導体基板の他面側を研磨し、前記可剥離性材料を取り除き、前記半導体基板をダイシングして前記半田ボールを備えた半導体装置を複数個得ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項１に記載の発明において、前記可剥離性材料をその上面が平坦となるように形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項１に記載の発明において、前記可剥離性材料は、発泡剤を薄膜で被覆してなる発泡剤粒子を樹脂中に混入したものであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項３に記載の発明において、前記可剥離性材料の剥離は、前記発泡剤粒子中の発泡剤を発泡させて行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項４に記載の発明において、前記発泡剤粒子中の発泡剤の発泡は、６０〜１００℃の熱水への浸漬処理により行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項３に記載の発明において、前記樹脂は、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、合成ゴム系材料のいずれかであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 一面に、該一面から突き出し状に形成された半田ボールを有する半導体基板上に、変形可能な接着シートを、前記半田ボールの存在する領域で前記半田ボールの上部に固着され、且つ、前記半導体基板の周縁部で前記半田ボールの上部から前記半導体基板の一面に立ち下がるように貼り付け、前記接着シート側を研磨ステージに固定して前記半導体基板の他面側を研磨し、前記接着シートを剥離し、前記半導体基板をダイシングして前記半田ボールを備えた半導体装置を複数個得ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項７に記載の発明において、前記接着シートは、凸凹形状で変形可能なベースシートの一面に接着層が設けられたものからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項８に記載の発明において、前記接着シートの凸凹の振幅は、前記半田ボールの高さと前記ベースシートの厚さと前記接着層の厚さとの合計値とほぼ同じであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項７に記載の発明において、前記接着シートは、平坦なベースシートの一面に変形可能な一定の厚さのスポンジ層および接着層が設けられたものからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項１０に記載の発明において、前記スポンジ層の厚さは前記半田ボールの高さよりも厚くなっていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項１または７に記載の発明において、前記半田ボールの高さは１００〜３００μｍであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003198881A JP4529388B2 (ja) | 2003-07-18 | 2003-07-18 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003198881A JP4529388B2 (ja) | 2003-07-18 | 2003-07-18 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005038980A JP2005038980A (ja) | 2005-02-10 |
| JP4529388B2 true JP4529388B2 (ja) | 2010-08-25 |
Family
ID=34208491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003198881A Expired - Fee Related JP4529388B2 (ja) | 2003-07-18 | 2003-07-18 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4529388B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008018452A1 (fr) * | 2006-08-07 | 2008-02-14 | Kyocera Corporation | Procédé de fabrication d'un dispositif à ondes acoustiques de surface |
| CN113514300A (zh) * | 2021-07-09 | 2021-10-19 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体结构处理治具及半导体结构处理治具制作方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001526464A (ja) * | 1997-12-08 | 2001-12-18 | ミネソタ マイニング アンド マニュファクチャリング カンパニー | Ｚ軸の電気的接続を行う方法および装置 |
| JP2003064329A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-05 | Nitto Denko Corp | エネルギー線硬化型熱剥離性粘着シート、これを用いた切断片の製造方法、及びその切断片 |
| JP2004327724A (ja) * | 2003-04-24 | 2004-11-18 | Nec Electronics Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
-
2003
- 2003-07-18 JP JP2003198881A patent/JP4529388B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001526464A (ja) * | 1997-12-08 | 2001-12-18 | ミネソタ マイニング アンド マニュファクチャリング カンパニー | Ｚ軸の電気的接続を行う方法および装置 |
| JP2003064329A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-05 | Nitto Denko Corp | エネルギー線硬化型熱剥離性粘着シート、これを用いた切断片の製造方法、及びその切断片 |
| JP2004327724A (ja) * | 2003-04-24 | 2004-11-18 | Nec Electronics Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2005038980A (ja) | 2005-02-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4343286B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| TWI539508B (zh) | 半導體裝置之製造方法及電子裝置之製造方法 | |
| US6972480B2 (en) | Methods and apparatus for packaging integrated circuit devices | |
| KR100865458B1 (ko) | 칩형 전자 부품들 및 그 제조 방법, 그 제조에 사용하는 의사 웨이퍼 및 그 제조 방법 | |
| US20010002044A1 (en) | Method of disposing conductive bumps onto a semiconductor device and semiconductor devices so formed | |
| JP5563814B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| EP1043772A2 (en) | Method for packaging and mounting semiconductor device and device obtained thereby | |
| JP3409759B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US8883627B2 (en) | Method for chip packaging | |
| TWM595330U (zh) | 面板組件、晶圓封裝體以及晶片封裝體 | |
| JP4742252B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2002093830A (ja) | チップ状電子部品の製造方法、及びその製造に用いる疑似ウェーハの製造方法 | |
| JP2002231854A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| US7952200B2 (en) | Semiconductor device including a copolymer layer | |
| JP4135390B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2001274182A (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| US20230299027A1 (en) | Structure and method for semiconductor packaging | |
| JP4529388B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2004327724A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2008130705A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000195890A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2005064228A (ja) | 電子部品およびその製造方法 | |
| JP2000340593A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2005064227A (ja) | 電子部品およびその製造方法 | |
| JP2001077145A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20060208 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060405 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060705 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071120 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20080519 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100518 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100531 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130618 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130618 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130618 Year of fee payment: 3 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130618 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130618 Year of fee payment: 3 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |