JP4524650B2 - 信号駆動装置およびこれを用いた光ピックアップ装置 - Google Patents
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Description
BD用OEIC201から出力データを信号処理IC205に転送するとき、切り換えスイッチ203はBD用OEIC201側に切り換えられ、BD用OEIC201からの出力データ(信号)をフレキシブル基板204に出力している。これと同時にDVD/CD用OEIC202の後段に構成されている駆動回路は動作しているが、切り換えスイッチ203で切り換えているので、DVD/CD用OEICの出力がBD用OEIC201の出力段の駆動回路の動作に悪影響を及ぼさない。
このときBD用OEIC201の出力段の駆動回路は切り換えスイッチ203で切り換えられているので、DVD/CD用OEICの駆動回路の出力には影響を及ぼさない。
フレキシブル基板は1本で構成されているが、スイッチを用いるためスペースが必要となりまたコストが高くなる不利益がある。
BD用OEIC251の出力端子はフレキシブル基板253を介して信号処理IC255と接続され、またDVD/CD用OEIC252の出力端子はフレキシブル基板254を介して信号処理IC255に接続されているため、信号処理IC255側でBD用OEIC251から信号が供給されているかあるいはDVD/CDE用OEIC252から信号が供給されているかを制御信号により切り換える必要がある。
さらに、この従来例の光ピックアップ装置250では少なくとも2個のフレキシブル基板が必要であり、フレキシブル基板間のお互いの信号干渉、ノイズの回り込みなどがあり転送信号が劣化しまたそれによる誤動作を生じる不利益がある。
またフレキシブル基板を2個以上(複数個)必要とするため、スベースを必要とし小型化することが難しくなり、またフレキシブル基板の増加に伴うコストが高くなる不利益がある。
本発明の信号駆動装置を用いた光ピックアップ装置は、第1と第2の受光素子と、ベースに入力信号が供給され、エミッタが第1の電流源を介して第1の基準電位に接続され、コレクタが第2の基準電位に接続された第1の導電型の第1のトランジスタと、ベースが前記第1のトランジスタのベースに接続され、コレクタが前記第1の基準電位に接続され、エミッタが第2の電流源を介して前記第2の基準電位に接続された第2の導電型の第2のトランジスタと、前記第1のトランジスタのエミッタにベースが接続され、コレクタが前記第1の基準電位に接続された前記第2の導電型の第3のトランジスタと、エミッタが前記第3のトランジスタのエミッタに接続され、ベースが前記第2のトランジスタのエミッタに接続され、コレクタが前記第2の基準電位に接続された前記第1の導電型の第4のトランジスタと、ベースが前記第3のトランジスタのベースに接続され、コレクタが第1の抵抗を介して前記第1の基準電位に接続された前記第2の導電型の第5のトランジスタと、エミッタが前記第5のトランジスタのエミッタに接続されて出力端子を構成し、ベースが前記第4のトランジスタのベースに接続され、コレクタが第2の抵抗を介して前記第2の基準電位に接続された前記第1の導電型の第6のトランジスタと、を有し、前記第5と第6のトランジスタで出力段を構成し、第1と第2の光信号から電気信号に変換された信号をそれぞれ増幅する第1と第2のバッファ回路と、前記第1と第2のバッファ回路の一方を動作状態とし、他方のバッファ回路の出力段をハイ・インピーダンスの停止状態として、前記第1または第2の光信号を択一的に取り出す切り換え制御信号を出力する制御回路と、前記切り換え制御信号によりスイッチが切り換えられ、前記第1と第2のバッファ回路の前記出力段のどちらか一方をオフする所定の電圧を前記スイッチを介して供給して停止状態とすると共に予め備え付けられた電圧発生回路から耐圧以下のバイアス電圧を前記スイッチを介して前記出力段の前記第5または第6のトランジスタに供給する電圧切り換え回路と前記第1と第2のバッファ回路の出力端子が共通接続され、該共通接続された端子からフレキシブルケーブルを介して転送された信号を処理する信号処理回路とを有する。
一方のバッファ回路をOFFとし、出力インピーダンスをハイ・インピーダンス(Hi−Zとも記載する)として、動作している一方のバッファ回路の動作に影響がないようにしている。
どちらか一方のバッファ回路をOFFとするため、出力(バッファ)段を構成するトランジスタ、たとえばバイポーラトランジスタのベース・エミッタ間を逆バイアスするが、このトランジスタをOFF状態に設定するだけでなく、ベース・エミッタ間のPN接合の逆バイアス耐圧(VBEO)範囲以内にバイアスを設定して、電源電圧の変動や動作状態のバッファ回路から共通出力端子を介して信号が入力されても、出力トランジスタが破壊されないようにすることができる。
光ピックアップ装置10は、LD(レーザダイオード)1(11)、LD2(13)、BD(ブルーレイ・レーザダイオード)用OE(光−電気変換)回路12、DVD(ディジタル・バーサタイル・ディスク)/CD(コンパクト・ディスク)用OE回路14、モード切換制御回路17、フレキシブル基板(またはケーブルとも記載する)15と信号処理回路16で構成されている。
BD用OE回路12はPD(フォト・ディテクタ;光検出素子)、光検出回路、増幅回路、出力バッファ(駆動)回路などで構成されている。これらをまとめてバッファ回路と称することとする。
ディスクで反射されたBlu−rayレーザダイオードの光はPDで光(信号)が光電流に変換される。光電流が電圧に変換され、この変換された電圧がローノイズ特性をもつ増幅器で増幅される。その後BD用OE回路12で増幅され、後段の出力部に構成されたバッファ(駆動)回路からフレキシブル基板(ケーブル)15に出力される。
BD用OE回路13はPD(フォト・ディテクタ;光検出素子)、光検出回路、増幅回路、出力バッファ(駆動)回路などで構成されている。
ディスクで反射されたDVD用レーザダイオードまたはCD用レーザダイオードの光はPDで光(信号)電流に変換される。この検出された電流をローのイズ特性をもつ増幅器で電圧に変換すると共に増幅し、この増幅された光信号(電圧)は、その後BD用OE回路14の後段の出力部に構成されたバッファ(駆動)回路から前述と同じフレキシブル基板(ケーブル)15に出力される。
この振幅の大きいパルス信号が停止状態の出力バッファ回路の出力端子に入力された場合でも、停止状態の出力バッファ(駆動)回路を構成するトランジスタがON動作状態に遷移することを防止し、しかも停止状態のバッファ回路の出力部のトランジスタに供給されるパルス信号が耐圧以上になっても破壊されないようにしている。これらの詳細な構成と動作は後述する。
モード切換制御回路17は制御信号(電圧)を出力し、この制御信号により、たとえばLD1(11)が動作中のとき、BD用OE回路12を動作状態に設定し、DVD/CD用OE回路17の動作を停止状態に設定する。
またLD2(13)が動作中のとき、DVD/CD用OE回路14を動作状態に設定し、BD用OE回路12の動作を停止状態に設定するようにしている。
一方、図6に示した従来例の光ピックアップ装置ではフレキシブル基板204は1個であるが、BD用OEIC201とDVD/CD用OEIC202の信号をスイッチを切り換えて信号を転送するようにしている。フレキシブル基板204は1個であるが切り換えスイッチ203を用いて入力信号を切り換えているので、スイッチを実装するスペースが必要であり、またコストが高くなる不具合がある。
また、図7ではフレキシブル基板253,254を2個使用して、信号を切り換える必要がない信号伝送構成となっている。しかしフレキシブル基板253,254を2個用いるため、小型化が困難になることとコストが高くなる不具合がある。
たとえばLD2(13)からの信号がPDで検出され、後段の増幅器で増幅された後、この増幅されたパルス信号または大振幅正弦波信号が端子Tin1に供給される。この入力端子Tin1はバッファアンプ(またはバッファ回路)31の非反転入力端子に供給され、出力端子は反転入力端子、出力端子Tout1とBD用バッファアンプ(またはバッファ回路)32の出力端子に接続されている。
LD1(11)からの信号がPDで検出され、後段の増幅器で増幅された後、この増幅されたパルス信号または大振幅正弦波信号が入力端子Tin2に供給される。
入力端子Tin2はバッファアンプ(回路)32の非反転入力端子に供給され、出力端子は反転入力端子、出力端子Tout1と出力端子Tout1に接続されている。
ここでは2系統のバッファ回路を示しているが、2系統以外で3系統あるいはそれ以上のバッファ回路で構成され、その出力が共通接続された構成にも適用できる。この場合、1系統の出力バッファ回路のみがON状態で、それ以外のバッファ回路はOFF状態にするとよい。
図2において、入力端子Tin1に供給された信号は、バッファ回路31で増幅された後、出力端子Tout1に出力される。このとき、LD1(11)から出力されたレーザ光がディスクで反射され、PDで光信号を光電流に変換され、この光電流が電圧に変換される。この変換された電気信号(電圧)を増幅するバッファ回路32は停止状態であり、かつこのバッファ回路32の出力段(回路)の出力インピーダンスを大きくして(Hi−Z)いる。またこの状態をハイ・インピーダンスとも記載する。
停止状態のバッファ回路32の出力インピーダンスを大きくすることにより、バッファ回路31の出力回路の動作に影響を及ぼさないようにしている。またこのとき、逆にバッファ回路31の出力パルス信号がバッファ回路32の出力段(回路)に入力されても、バッファ回路32の出力段を構成するトランジスタが完全にOFFするようにし、かつそのトランジスタに印加される電圧が、耐圧の規定電圧以上にならないようにしている。
即ち、入力端子Tin2に供給された信号は、バッファ回路32で増幅された後、出力端子Tout1に出力される。このとき、DVD(/CD)から供給される信号を増幅するバッファ回路31は停止状態であり、かつこのバッファ回路31の出力段(回路)の出力インピーダンスを大きく(Hi−Zに)している。
バッファ回路31の出力インピーダンスを大きくすることにより、バッファ回路32の出力回路の動作に影響を及ぼさないようにしている。またこのとき、バッファ回路32の出力パルス信号がバッファ回路31の出力段(回路)に入力されても、トランジスタが完全にOFFするようにし、かつそのトランジスタに印加される電圧が、耐圧の規定電圧以上にならないように設定している。
したがって、出力端子Tout1から出力される信号は1個のフレキシブル基板(15)で転送でき、フレキシブル基板15の入力端子に信号切り換えスイッチなどを特別に設ける必要はない。
図3に示した光ピックアップ装置における信号駆動装置50は、DVD(/CD)側の駆動回路とBD側のバッファ回路で構成され、この実施形態例において両者のバッファ回路の回路構成は同じである。ここではDVD(/CD)側の回路構成を例にとって説明する。
PD(ホト・ダイオード;光検出用ダイオード)1の出力はAmp(アンプ)1の非反転入力端子に接続され、Amp1の出力はNPNトランジスタQ1のベースとキャパシタC1の一方の端子に接続されている。キャパシタC1の他方の端子は電源VCCに接続されている。NPNトランジスタQ1のコレクタは電源VCCに接続され、エミッタはNPNトランジスタQ15のコレクタに接続され、このNPNトランジスタQ15のエミッタは抵抗R5を介してGND(グランド)に接続されている。
PNPトランジスタQ2のエミッタは抵抗R1を介して電源VCCに接続され、コレクタはNPNトランジスタQ16のコレクタに接続され、ベースは抵抗R2の一方の端子とPNPトランジスタQ3のエミッタ、PNPトランジスタQ4のベースにそれぞれ接続されている。また抵抗R2の他方の端子は電源VCCに接続されている。
NPNトランジスタQ16のベースはNPNトランジスタQ15のベースに、エミッタは抵抗R6の一方の端子に接続され、抵抗R6の他方の端子はGNDに接続されている。
PNPトランジスタQ3のベースはPNPトランジスタQ2のコレクタとキャパシタC2の一方の端子に接続され、キャパシタC2の他方の端子は電源VCCに接続されている。
また、NPNトランジスタQ1のエミッタはNPNトランジスタQ6のベースとPNPトランジスタQ5のベースにそれぞれ接続され、NPNトランジスタQ6のエミッタはNPNトランジスタQ17のコレクタ、PNPトランジスタQ9、Q10のベース、PNPトランジスタQ22のコレクタにそれぞれ接続される。NPNトランジスタQ17のベースはNPNトランジスタQ16のベースに接続され、エミッタは抵抗R7を介してGNDに接続されている。またNPNトランジスタQ6のコレクタは電源VCCに接続されている。
PNPトランジスタQ5のエミッタはPNPトランジスタQ4のコレクタとNPNトランジスタQ7,Q8のベースとNPNトランジスタQ21のコレクタに接続されている。PNPトランジスタQ4のベースはPNPトランジスタQ2のベースと抵抗R2の一方の端子に接続されて、抵抗R2の他方の端子は電源VCCに接続されている。またPNPトランジスタQ4のエミッタは抵抗R3を介して電源VCCに接続されている。
NPNトランジスタQ8のコレクタは抵抗R4を介して電源VCCに接続され、エミッタはPNPトランジスタQ10のエミッタに接続され、このPNPトランジスタQ10のコレクタは抵抗R8を介してGNDに接続されている。
また、NPNトランジスタ8とPNPトランジスタQ10の各エミッタの共通接続点はBD側の同じ回路構成のNPNトランジスタ8AとPNPトランジスタQ10Aの各エミッタの共通接続点と接続され、また出力端子Toutにも接続されている。
NPNトランジスタQ21のエミッタはNPNトランジスタQ23のコレクタとベースに接続され、ベースはPNPトランジスタQ24のエミッタに接続されている。NPNトランジスタQ23のエミッタは抵抗R11を介してGNDに接続されている。
PNPトランジスタQ24のエミッタは抵抗R10を介して電源VCCに接続され、コレクタはGNDに接続され、ベースは抵抗R12を介して基準電圧に接続されている。この回路例においてベースは抵抗R12を介してGNDに接続されている。
NPNトランジスタQ25のコレクタは電源VCCに接続され、エミッタはPNPトランジスタQ22のベースと抵抗R13の一方の端子に接続され、抵抗R13の他方の端子はGNDに接続されている。またNPNトランジスタQ15のベースは抵抗R14を介して基準電位に接続されている。この回路例においては電源VCCに接続されている。
また、BD側のバッファ回路の回路接続構成はDVD(/CD)側の回路構成と同じであるので、各素子の番号にさらに“A”を付記する。
NPNトランジスタQ8とPNPトランジスタQ10の共通接続点と、NPNトランジスタQ8AとPNPトランジスタQ10Aの共通接続点は出力端子Toutに接続され、どちらか一方の出力信号が択一的に出力される。
これとは逆に、BD側のバッファ回路においては、PNPトランジスタQ24Aのベースは電源VCCに接続されているので、OFF動作状態となり、NPNトランジスタQ25Aのベースは抵抗R15Aを介してGNDに接続されているので、電位は0Vのグランドレベルとなり、OFF動作状態である。
図3において、PNPトランジスタQ24とNPNトランジスタQ25がON動作であり、今飽和レベル状態にあるとすると、PNPトランジスタQ24のエミッタ電位はGND(グランド)レベルからVce上がった電圧となる。その結果NPNトランジスタQ21のベースはVf以下の電圧となりOFF動作状態となる。するとコレクタはフローティング状態となるが、NPNトランジスタQ8のベース(PNPトランジスタQ4のコレクタ)で決まる電位に設定される。
一方NPNトランジスタQ25のベースは電源VCCに接続されているので、ON動作状態となり、飽和レベルにあるとすると、エミッタの電位はVCC−Vceまで上昇する。このエミッタ電位がPNPトランジスタQ22のベースに供給されるので、このNPNトランジスタQ22はOFF動作状態となる。コレクタはPNPトランジスタQ10のベースに接続されているので、その電位(NPNトランジスタQ17のコレクタ)に設定される。
このダイヤモンド出力回路で駆動能力を高めて出力段を構成するNPNトランジスタQ8とPNPトランジスタQ10のエミッタから出力端子Toutに出力される。しかしながら、このとき、Toutに出力されるパルス信号はOFF動作中のBD側バッファ回路の出力端子にも出力される。
BD側のバッファ回路はOFF動作中であるが、出力端子Toutから出力されるパルス信号の最大、最小振幅レベルにより、バッファ回路を構成するNPNトランジスタQ8AとPNPトランジスタQ10Aのエミッタ電位は変動し、たとえばベース・エミッタ間耐圧(VBEO)が耐圧以上にならないようにし、またこの条件を満足しかつトランジスタの動作が完全にOFFするようにベース電位を設定しなければならない。
図4において、ダイオード構成のPNPトランジスタQ20Aはスイッチを構成するPNPトランジスタQ22Aのエミッタに接続され、Vb調整回路を構成している。PNPトランジスタQ22Aはバッファ回路が停止状態のとき、出力段(回路)のPNPトランジスタQ10Aのベース電圧を設定している。
また、スイッチを構成するNPNトランジスタQ21Aのエミッタに接続されたダイオード構成のNPNトランジスタQ23Aとそれに接続された抵抗R11Aは、Vb調整回路を構成している。トランジスタQ21Aはバッファ回路が停止状態のとき、出力回路のNPNトランジスタQ8Aのベース電圧を設定している。
出力回路の電圧変動範囲は、
上限;VCC−Vfnpn−Vsat1 ・・・(1)
下限;Vfpnp+Vsat2 ・・・(2)
と表され、D(ダイナミック)レンジに相当する。
ここで、VCCは電源(電圧)、VfnpnはNPNトランジスタの順方向接合電圧、Vsat1はPNPトランジスタQ4Aのコレクタ−エミッタ間飽和電圧と抵抗R3Aで発生する電圧を加算し値で、VfpnpはPNPトランジスタの順方向接合電圧であり、Vsat2はNPNトランジスタQ17Aのコレクタ−エミッタ間飽和電圧と抵抗R7Aで発生する電圧を加算した値である。
上述したVsat1とVsat2を増減することでD(ダイナミック)レンジが変化し、これを調整して式(1)のVmaxと式(2)のVminを決定する。具体的には、抵抗R3AとR7Aを大きくするとVsat1,Vsat2は大きくなり、逆に抗R3AとR7Aを小さくするとVsat1,Vsat2は小さくなる。
NPNトランジスタQ8Aのベースに接続されているスイッチQ21AをONにして、NPNトランジスタQ8AのベースにOFF設定の電圧(Vb)を供給する。
すなわち、NPNトランジスタQ23Aと抵抗R11Aで構成されるVb調整からNPNトランジスタQ21Aのコレクタを介して出力される電圧(Vb_npn)をLOW(ロー)レベルにする必要がある。いまNPNトランジスタQ8AをOFFするときのベース電圧をVoff_npnとすると、その条件はVb_npn<Vmin+Voff_npnと表される。ここでさらに条件を厳しくするため、Voff_npnを順方向接合電圧Vfより小さくする必要がある。
一方V−PNPトランジスタQ10AのベースはスイッチのPNPトランジスタQ22Aのコレクタに接続され、そのエミッタはダイオード構成のNPNトランジスタQ20Aのベース・コレクタに接続されている。スイッチPNPトランジスタQ22AをONにしてHigh(ハイ)レベルの電圧をPNPトランジスタQ10Aのベースに供給し、OFF動作するようにしている。
PNPトランジスタQ10AをOFFにするため、Vb調整から出力される電圧は、Vmax−Voff_pnp以上で、Vmax−Voff_pnp<Vb_pnpと表される。ここでさらに条件を厳しくするため、PNPトランジスタQ10AのOFF時の電圧Voff_pnpを順方向接合電圧Vfより小さくする必要がある。
これらの条件については、後述する。
NPNトランジスタQ8Aにおいて、ベース電位はNPNトランジスタQ23Aで構成されるダイオードのVfと抵抗R11に発生する電圧を低くしOFF動作にしている。
耐圧に対して一番厳しい条件は、NPNトランジスタのベース電圧(Vb_npn)が一番低くかつ出力端子Voutの電圧が一番高い(Vmax)ときである。
即ち、電源電圧の変動によりNPNトランジスタQ8Aのエミッタである出力端子Voutパルス信号(Vmax)とVb調整から出力される電圧(Vb_npn)との差が、NPNトランジスタQ8Aのベース・エミッタ間耐圧VBEO以下、即ちVmax−Vb_npn<VBEOと表される。
一方PNPトランジスタQ10Aについても同様に、PNPトランジスタQ10Aのベース電圧Vb_pnpを高く(Vcc−Vf)設定してOFF動作条件としていて、耐圧に対しては一番厳しい条件は出力端子Voutが最低電圧のときである。
このとき、PNPトランジスタQ10Aのベース電圧(Vb_pnp)と出力端子Voutの電圧(Vmin)との差がベース・エミッタ間耐圧VBEO以下であると良い。すなわち、Vb_pnp−Vmin<VBEOと表される。
NPN:Vmax−VBEO<Vb_npn<Vmin+Voff_npn・・・・(3)
PNP:Vmax−Voff_pnp<Vb_pnp<Vmin+VBEO・・・(4)
と表される。
以下電源電圧Vccをたとえば5.00Vから5.5Vまで変動させたとする。
NPNトランジスタQ8AとPNPトランジスタQ10AをOFFとするための条件を、仮にON時のコレクタ電流Icの1/1000とした、順方向接合電圧とする。
これを計算すると、NPNトランジスタについてVoff_npnは約411mV、PNPトランジスタについてVoff_pnpは約425mVとなる。ここでは、さらに余裕をとっていずれも300mVとして、以下の説明に使用する。
また出力下限Vminは電源電圧Vccが一番低い時で、いま約895mVとすると、NPNトランジスタQ8Aについて、Voff_npnの300mVをVminに加算して、Vb_npn<1195mVとなる。
PNPトランジスタQ10Aについても同様に、電源電圧Vcc(=5V)の変動が大きく最小となった時、Vmax=4.585Vとし、またOFF時の接合電圧(Voff_pnp)を、余裕をとって300mVとすると、VmaxからVoff_pnpの300mVを減算すると、4285mV<Vb_pnpとなる。
また、PNPトランジスタは、Vccを5.0から5.5Vまで変動させたとき、4285mV<Vb_pnp<4895mV、Vb変動可能範囲610mVとなる。
このように、Vb調整(回路)から出力された電圧Vb、即ち固定したベース電圧がばらつきにより変動した場合でも、上述した電圧範囲にあれば、出力段のNPNトランジスタQ8AとPNPトランジスタQ10AをOFF動作状態に維持すると共に、トランジスタの耐圧も同時に満足し破壊されることは無い。
縦軸に出力電圧値を10mVステップの目盛りで示し、横軸は時間を示し、2n(ナノ)秒の目盛としている。
波形図において、出力波形のアンダーシュートの最小電圧は、図2と図3に示したバッファ(駆動)回路(信号駆動装置)30,50のHi−Z(ハイ・インピーダンス)回路の出力電圧値は従来例の出力電圧に対して約3mV下がっているだけであり、それ以外の範囲において、出力電圧の差はほとんど無い。即ち、出力波形の劣化はほとんどないことが示される。
一方のバッファ回路をOFFとするため、バッファ回路の出力バッファ回路を構成する出力トランジスタのバイアスを強制的に固定する。かつこのとき、出力インピーダンスをハイ・インピーダンス(Hi−Z)として、動作している他方のバッファ回路の動作に影響がないようにしている。
また、オフ状態のバッファ回路の出力段を構成するトランジスタの耐圧を満足させることにより、オフ動作状態のバッファ回路の出力バッファ回路のトランジスタが破壊されないようにすることができる。
Claims (8)
- ベースに入力信号が供給され、エミッタが第1の電流源を介して第1の基準電位に接続され、コレクタが第2の基準電位に接続された第1の導電型の第1のトランジスタと、
ベースが前記第1のトランジスタのベースに接続され、コレクタが前記第1の基準電位に接続され、エミッタが第2の電流源を介して前記第2の基準電位に接続された第2の導電型の第2のトランジスタと、
前記第1のトランジスタのエミッタにベースが接続され、コレクタが前記第1の基準電位に接続された前記第2の導電型の第3のトランジスタと、エミッタが前記第3のトランジスタのエミッタに接続され、ベースが前記第2のトランジスタのエミッタに接続され、コレクタが前記第2の基準電位に接続された前記第1の導電型の第4のトランジスタと、
ベースが前記第3のトランジスタのベースに接続され、コレクタが第1の抵抗を介して前記第1の基準電位に接続された前記第2の導電型の第5のトランジスタと、エミッタが前記第5のトランジスタのエミッタに接続されて出力端子を構成し、ベースが前記第4のトランジスタのベースに接続され、コレクタが第2の抵抗を介して前記第2の基準電位に接続された前記第1の導電型の第6のトランジスタと、
を有し、前記第5と第6のトランジスタで出力段を構成し、第1と第2の光信号から電気信号に変換された信号をそれぞれ増幅する第1と第2のバッファ回路と、
前記第1と第2のバッファ回路の一方を動作状態とし、他方のバッファ回路の出力段をハイ・インピーダンスの停止状態として、前記第1または第2の光信号を択一的に取り出す切り換え制御信号を出力する制御回路と、
前記切り換え制御信号によりスイッチが切り換えられ、前記第1と第2のバッファ回路の前記出力段のどちらか一方をオフする所定の電圧を前記スイッチを介して供給して停止状態とすると共に予め備え付けられた電圧発生回路から耐圧以下のバイアス電圧を前記スイッチを介して前記出力段の前記第5または第6のトランジスタに供給する電圧切り換え回路と
を有する
信号駆動装置。 - 前記第1のバッファ回路は青紫色レーザダイオードから出力されてディスクで反射され
た信号を第1の受光素子で電気信号に変換し、変換された信号を増幅し、前記第2のバッファ回路はDVDまたはCD用レーザダイオードから出力されてディスクで反射された信号を第2の受光素子で電気信号に変換し、変換された信号を増幅する、
請求項1記載の信号駆動装置。 - 前記電圧切り換え回路は、
前記第5のトランジスタのベースと第1のバイアス回路間に接続された第1のスイッチを有し、前記第5のトランジスタのベースに前記切り換え制御信号で制御される前記第1のスイッチを介して第1の耐圧以下のバイアス電圧を供給する前記第1のバイアス回路と、
前記第6のトランジスタのベースと第2のバイアス回路間に接続された第2のスイッチを有し、前記第6のトランジスタのベースに前記切り換え制御信号で制御される前記第2のスイッチを介して第2の耐圧以下のバイアス電圧を供給する前記第2のバイアス回路と
を備えた
請求項1記載の信号駆動装置。 - 前記第1の導電型をp型とし、前記第6のトランジスタのベースは、前記第1のバイアス回路により、該第6のトランジスタをオフ条件のVmax−Voffと、前記第1の耐圧を防止するための条件Vmin+V BEO を満たす、
Vmax−Voff_pnp<Vb_pnp<Vmin+V BEO
の電圧(Vb_pnp)が供給され、
前記第2の導電型をn型とし、前記第5のトランジスタのベースは、前記第2のバイアス回路により、第6のトランジスタをオフ条件のVmin+Voff_npnと、前記第2の耐圧を防止するための条件Vmax−V BEO を満たす、
Vmax−V BEO <Vb_npn<Vmin+Voff_npn
の電圧(Vb_npn)が供給される
(ただし、Vmaxは前記出力段の出力端子の最高電圧とし、Vminは、該出力端子の最低電圧とし、Voff_pnpとVoff_npnは各トランジスタをオフにする電圧、V BEO は、各トランジスタのベース−エミッタ間の耐圧を示す)
請求項3記載の信号駆動装置。 - 第1と第2の受光素子と、
ベースに入力信号が供給され、エミッタが第1の電流源を介して第1の基準電位に接続され、コレクタが第2の基準電位に接続された第1の導電型の第1のトランジスタと、
ベースが前記第1のトランジスタのベースに接続され、コレクタが前記第1の基準電位に接続され、エミッタが第2の電流源を介して前記第2の基準電位に接続された第2の導電型の第2のトランジスタと、
前記第1のトランジスタのエミッタにベースが接続され、コレクタが前記第1の基準電位に接続された前記第2の導電型の第3のトランジスタと、エミッタが前記第3のトランジスタのエミッタに接続され、ベースが前記第2のトランジスタのエミッタに接続され、コレクタが前記第2の基準電位に接続された前記第1の導電型の第4のトランジスタと、
ベースが前記第3のトランジスタのベースに接続され、コレクタが第1の抵抗を介して前記第1の基準電位に接続された前記第2の導電型の第5のトランジスタと、エミッタが前記第5のトランジスタのエミッタに接続されて出力端子を構成し、ベースが前記第4のトランジスタのベースに接続され、コレクタが第2の抵抗を介して前記第2の基準電位に接続された前記第1の導電型の第6のトランジスタと、
を有し、前記第5と第6のトランジスタで出力段を構成し、第1と第2の光信号から電気信号に変換された信号をそれぞれ増幅する第1と第2のバッファ回路と、
前記第1と第2のバッファ回路の一方を動作状態とし、他方のバッファ回路の出力段をハイ・インピーダンスの停止状態として、前記第1または第2の光信号を択一的に取り出す切り換え制御信号を出力する制御回路と、
前記切り換え制御信号によりスイッチが切り換えられ、前記第1と第2のバッファ回路の前記出力段のどちらか一方をオフする所定の電圧を前記スイッチを介して供給して停止状態とすると共に予め備え付けられた電圧発生回路から耐圧以下のバイアス電圧を前記スイッチを介して前記出力段の前記第5または第6のトランジスタに供給する電圧切り換え回路と
前記第1と第2のバッファ回路の出力端子が共通接続され、該共通接続された端子からフレキシブルケーブルを介して転送された信号を処理する信号処理回路と
を有する
光ピックアップ装置。 - 前記第1のバッファ回路は青紫色レーザダイオードから出力されてディスクで反射された信号を第1の受光素子で電気信号に変換し、変換された信号を増幅し、前記第2のバッファ回路はDVDまたはCD用レーザダイオードから出力されてディスクで反射された信号を第2の受光素子で電気信号に変換し、変換された信号を増幅する、
請求項5記載の光ピックアップ装置。 - 前記電圧切り換え回路は、
第1のスイッチと第1の電圧発生回路を有し、前記第5のトランジスタのベースに前記切り換え制御信号で制御される前記第1のスイッチを介して前記耐圧以下のバイアス電圧を供給する第1のバイアス回路と、
第2のスイッチと第2の電圧発生回路を有し、前記第6のトランジスタのベースに前記切り換え制御信号で制御される前記第2のスイッチを介して前記耐圧以下のバイアス電圧を供給する第2のバイアス回路と
を備えた
請求項5記載の光ピックアップ装置。 - 前記第1の導電型をp型とし、前記第6のトランジスタのベースは、前記第1のバイアス回路により、該第6のトランジスタをオフ条件のVmax−Voffと、前記第1の耐圧を防止するための条件Vmin+V BEO を満たす、
Vmax−Voff_pnp<Vb_pnp<Vmin+V BEO
の電圧(Vb_pnp)が供給され、
前記第2の導電型をn型とし、前記第5のトランジスタのベースは、前記第2のバイアス回路により、第6のトランジスタをオフ条件のVmin+Voff_npnと、前記第2の耐圧を防止するための条件Vmax−V BEO を満たす、
Vmax−V BEO <Vb_npn<Vmin+Voff_npn
の電圧(Vb_npn)が供給される
(ただし、Vmaxは前記出力段の出力端子の最高電圧とし、Vminは、該出力端子の最低電圧とし、Voff_pnpとVoff_npnは各トランジスタをオフにする電圧、V BEO は、各トランジスタのベース−エミッタ間の耐圧を示す)
請求項7記載の光ピックアップ装置。
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