JP4511767B2 - 半導体メモリおよびその駆動方法 - Google Patents
半導体メモリおよびその駆動方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4511767B2 JP4511767B2 JP2001165453A JP2001165453A JP4511767B2 JP 4511767 B2 JP4511767 B2 JP 4511767B2 JP 2001165453 A JP2001165453 A JP 2001165453A JP 2001165453 A JP2001165453 A JP 2001165453A JP 4511767 B2 JP4511767 B2 JP 4511767B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- clock
- signal
- dll
- buffer unit
- semiconductor memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/22—Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management
- G11C7/222—Clock generating, synchronizing or distributing circuits within memory device
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/4076—Timing circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/408—Address circuits
- G11C11/4087—Address decoders, e.g. bit - or word line decoders; Multiple line decoders
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/22—Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
- G11C8/18—Address timing or clocking circuits; Address control signal generation or management, e.g. for row address strobe [RAS] or column address strobe [CAS] signals
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体メモリおよびその駆動方法に関し、特に、アドレスアクセス時間およびデータアクセス時間の短縮化を図ることができる半導体メモリおよびその駆動方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、遅延固定ループ(以下、「遅延固定ループ」をDLL( delayed locked loop) と記す)は、半導体メモリにおいて、クロックを用いる同期式メモリの内部クロックを、適正に外部クロックと正確に一致させるために用いられる回路である。すなわち、外部から入力されるクロックが内部で用いられる場合に時間遅延が発生するが、遅延固定ループは、この時間遅延を制御して、内部で用いられるクロックを外部から入力されるクロックに同期させるために用いられる。
【0003】
今後、ますますの高速化が予想されるシステムの周波数に合わせるために、DRAM内部のクロックに同期して出力される場合のデータアクセス時間の短縮化が望まれる。
【0004】
このような高速化の実現のため、DRAM内部におけるACパラメーターの中で重要視されるものとして、tAA(アドレスアクセス時間)とtAC(データアクセス時間)とが挙げられる。これらは、それぞれクロックから、アドレスアクセスおよびデータアクセスに必要な時間を示すものであり、これらの短縮化を実現することにより、ますます高速化されていく半導体メモリの性能向上が可能となる。
【0005】
図1は、従来の技術に係る半導体メモリにおける制御・アドレス部を示すブロック図である。従来の技術に係る半導体メモリにおいて、外部クロックはバッファリングされ、内部クロックとして用いられる。
【0006】
図1に示されているように、従来の技術に係る半導体メモリにおける制御・アドレス部は、外部クロックを受けて内部クロックを生成するためのクロックバッファ部100と、内部クロックおよび外部制御信号を受けて制御信号を生成するための制御信号バッファ部111ならびに内部クロックおよび外部アドレス信号を受けてアドレス信号を生成するためのアドレス信号バッファ部112を含む制御・アドレスバッファ部110と、制御信号バッファ部111から制御信号を受けて制御信号の組み合わせによって多様な命令を生成するためのコマンドデコーダ120とを備えている。
【0007】
図1に示されているように、従来の制御・アドレス部は、外部クロックを受けてバッファリングするクロックバッファ部100により生成された内部クロックが、ローアドレスストローブ信号、カラムアドレスストローブ信号、ライトイネーブル信号、チップ選択信号など、クロックに同期した信号として用いられる。
【0008】
図2は、図1に示した従来の技術に係る半導体メモリにおける制御・アドレス部で用いられる外部クロックと内部クロックとの間の時間差を示すタイミングチャートである。
【0009】
図2に示されているように、外部クロックが立ち上がる時間から、クロックバッファ部100により内部クロックが生成されるまでの時間は、約1.5ナノ秒である。
【0010】
すなわち、外部クロックが立ち上がる時間から約1.5ナノ秒後に内部クロックが立ち上がるため、制御信号バッファ部111により制御信号を発生させ、コマンドデコーダ120により各種の命令を発生させるのに、全体として約1.5ナノ秒の時間遅延が発生する。
【0011】
したがって、従来の技術に係る半導体メモリにおける制御・アドレス部の構造は、tAA(アドレスアクセス時間)とtAC(データアクセス時間)とを合わせて、約1.5ナノ秒の時間遅延を誘発するという問題点があった。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上述のような従来技術における問題点を解決するためになされたものであり、tAA(アドレスアクセス時間)およびtAC(データアクセス時間)が短縮された内部クロックを発生させることができる半導体メモリおよびその駆動方法を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明の要旨は、下記の半導体メモリおよびその駆動方法にある。
【0014】
本発明に係る半導体メモリは、外部クロックをバッファリングし、第2クロックを生成するためのクロックバッファ部と、前記第2クロックを受信し、外部クロックに同期した遅延固定ループクロック(以下、DLLクロックと記す)を生成するための遅延固定ループ(以下、DLLと記す)と、前記DLLクロックに応答し、外部制御信号を受信しバッファリングして、前記DLLクロックと同期した内部制御信号を生成するための制御信号バッファ部と、前記DLLクロックに応答し、外部アドレス信号を受信しバッファリングして、前記DLLクロックと同期した内部アドレス信号を生成するためのアドレス信号バッファ部とで構成され、前記DLLが、DLL非活性化信号、DLLリセット信号、パワーアップ信号、セルフリフレッシュ応答信号及びセルフリフレッシュ信号を受信し、DLL制御信号及びクロック選択信号を生成するクロック制御部、及び前記外部クロックを使用することにより、前記DLLクロックを生成するためのDLLバッファ部を備え、クロック制御部が、前記DLL非活性化信号、前記DLLリセット信号及び前記セルフリフレッシュ応答信号の論理和を行う第1ORゲート、及び前記DLL非活性化信号及び前記セルフリフレッシュ応答信号の論理和を行う第2ORゲートを備えた入力部と、前記パワーアップ信号に応答して前記入力部からの出力をラッチし、遅延転換回路を介して前記クロック選択信号を出力し、前記クロック選択信号を基に遅延回路を介してDLL制御信号を生成するための第1ラッチ部とで構成されていることを特徴とする。
【0015】
ここで、さらに、内部制御信号をデコーディングしてコマンド信号を生成するためのコマンドデコーダを備えていることが望ましい。また、アクセス時間が、1.5ナノ秒以下であることが好ましい。
【0016】
ここで、前記アドレス信号バッファ部は、前記DLL制御信号、外部CAS信号および基準電圧信号を受信して、前記外部CAS信号および基準電圧信号との間の電圧差をバッファリングする第2バッファ部、及び前記第2バッファ部の出力を受信して、内部CAS信号および反転された内部CAS信号を生成するための第2出力部で構成されたCASバッファ部と、前記DLL制御信号、前記DLLクロックおよび前記内部クロックを受信して、制御信号を生成するための制御部、及び前記制御信号、前記内部CAS信号および前記反転された内部CAS信号を受信してラッチするための第2ラッチ部で構成されたCASラッチ部とを備えていることを特徴とする。
【0017】
ここで、さらに、前記DLLクロックおよび前記DLL選択信号に応答する第1TSLバッファ部と、前記内部クロックおよび前記クロック選択信号に応答する第2TSLバッファ部と、前記第1TSLバッファ部及び前記第2TSLバッファ部の出力を受信し、駆動クロックを生成するための第1出力部と、前記駆動クロックを受信し、前記駆動クロックのパルス幅を決定するための遅延部とで構成されたクロック駆動部を備えていることが望ましい。
【0020】
また、前記クロックバッファ部が、前記パワーアップ信号に応答して、クロックと反転されたクロックとの間の電圧差をバッファリングし、増幅するための第1バッファ部と、該第1バッファ部の出力を受信して前記DLLクロックを生成するためのパルス生成部とを備えていることが好ましい。一方、前記第1バッファ部が、電流ミラー回路により構成されていることが望ましい。また、前記DLLバッファ部が、偶数個のインバータを備えていることが好ましい。
【0023】
一方、第2バッファ部が、電流ミラー回路により構成されていることが望ましい。また、第2出力部が、複数個のインバータにより構成されていることが好ましい。
【0024】
また、第2ラッチ部が、差動増幅器により構成されていることが好ましい。また、アクセス時間が、1.5ナノ秒以下であることが望ましい。
【0025】
本発明に係る半導体メモリの駆動方法は、上記半導体メモリの駆動方法であって、外部クロックを生成する第1ステップと、前記外部クロックをバッファリングし、第2クロックを生成する第2ステップと、遅延固定ループ(以下、DLLと記す)非活性化信号、DLLリセット信号、セルフリフレッシュ応答信号及びセルフリフレッシュ信号を受信し、パワーアップ信号に応答し、前記DLL非活性化信号、前記DLLリセット信号及び前記セルフリフレッシュ応答信号の論理和及び前記DLL非活性化信号及び前記セルフリフレッシュ応答信号の論理和を介して出力された信号をラッチして、遅延転換回路を介してクロック選択信号を出力し、前記クロック選択信号を基に遅延回路を介してDLL制御信号を生成するとともに、前記クロック選択信号を利用して前記外部クロックと実質的に同期した遅延固定ループクロック(以下、DLLクロックと記す)を生成する第3ステップと、制御信号バッファ部およびアドレス信号バッファ部に前記DLLクロックを出力する第4ステップと、前記制御信号バッファ部において、前記DLLクロックに応答し、外部制御信号を受信しバッファリングして、前記DLLクロックと実質的に同期した内部制御信号を生成するとともに、前記アドレス信号バッファ部において、前記DLLクロックに応答し、外部アドレス信号を受信しバッファリングして、前記DLLクロックと実質的に同期した内部アドレス信号を生成する第5ステップとを有することを特徴とする。
【0026】
ここで、さらに、前記第5ステップにおいて、前記制御信号バッファ部及び前記アドレス信号バッファ部に設けられたCASバッファ部に前記DLLクロックを出力するステップを有することが望ましい。
【0028】
また、さらに、前記内部制御信号をデコーディングする第6ステップと、前記デコーディングに応答して、コマンド信号を生成する第7ステップを有することが望ましい。一方、1.5ナノ秒未満の間にアクセスすることが好ましい。
【0029】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好ましい実施の形態を添附した図面を参照しながら詳細に説明する。
【0030】
図3は、本発明の実施の形態に係る半導体メモリにおける制御・アドレス部を示すブロック図である。図3に示されているように、本発明の実施の形態に係る半導体メモリにおける制御・アドレス部は、外部クロック(EXT_CLK)を受けてバッファリングするクロックバッファ部300と、クロックバッファ部300の出力を受けて外部クロック(EXT_CLK)に同期した内部クロック(DLL CLK)を生成するための遅延固定ループ(DLL)310と、DLL310より出力された内部クロック(DLL_CLK)に同期して外部制御信号(CNTL)および外部アドレス信号(ADDR)をバッファリングする制御・アドレスバッファ部320と、制御・アドレスバッファ部320から出力された制御信号(BUF_CNTL)を受けて制御信号の組み合わせによって多様な命令を生成するためのコマンドデコーダ330とを備えている。
【0031】
また、制御・アドレスバッファ部320は、外部制御信号(CNTL)を受信しバッファリングして、DLLクロック(DLL_CLK)と同期した内部制御信号(BUF_CNTL)を生成するための制御信号バッファ部321と、外部アドレス信号(ADDR)を受信しバッファリングして、DLLクロック(DLL_CLK)と同期した内部アドレス信号(BUF_ADDR)を生成するためのアドレス信号バッファ部322とを有する。
【0032】
クロックバッファ部300は、外部クロック(EXT_CLK)をバッファリングして、バッファリングされたクロック(CLKP2)を生成する。外部クロック(EXT_CLK)とバッファリングされたクロック(CLKP2)との間には時間差が存在する。この時間差を減らすため、DLL310は、DLLクロック(DLL_CLK)、すなわち前記バッファリングされたクロック(CLKP2)に対応するDLLクロック信号(DLL_CLKP2)を生成する。
【0033】
制御信号バッファ部321は、外部制御信号(CNTL)を受信して、内部制御信号(BUF_CNTL)を生成するようにバッファリングする。また、制御信号バッファ部321は、バッファリングされた内部制御信号(BUF_CNTL)をラッチして、DLLクロック(DLL_CLK)と同期させて出力する。
【0034】
アドレス信号バッファ部322は、外部アドレス信号(ADDR)を受信しバッファリングして、内部アドレス信号(BUF_ADDR)を生成する。また、アドレス信号バッファ部322は、バッファリングされた内部アドレス信号(BUF_ADDR)をラッチして、DLLクロック(DLL_CLK)と同期させて出力する。コマンドデコーダ330は、バッファリングされた内部制御信号(BUF_CNTL)をデコーディングして、コマンド信号(CMD)を出力する。
【0035】
図4は、図3に示した本発明の実施の形態に係る半導体メモリにおける制御・アドレス部で用いられる外部クロック(EXT_CLK)と、遅延固定されたDLLクロック(DLL_CLK)との間の時間差を示すタイミングチャートである。
【0036】
図4に示されているように、DLLクロック(DLL_CLK)は外部クロック(EXT_CLK)とほぼ同期している。その結果、バッファリングされた内部制御信号(BUF_CNTL)とバッファリングされた内部アドレス信号(BUF_ADDR)とは、DLLクロック(DLL_CLK)と同期して内部のブロックに出力されるので、既存の半導体メモリに比べて、データをアクセスする時間(tAC)およびアドレスをアクセスする時間(tAA)を大幅に短縮することができる。
【0037】
図5は、図3に示した本発明の実施の形態に係る半導体メモリにおける制御・アドレス部を詳細に示したブロック図である。図5に示されているように、クロックバッファ部300に含まれる第2クロック発生部510は、外部クロック(EXT_CLK)をバッファリングしてバッファリングされたクロック、すなわちクロック(CLK)、反転されたクロック(CLKZ)およびパワーアップ信号(PWRUP)を受けて、クロック駆動部530およびCASラッチ部550を制御する第2クロック(CLKP2)を生成する。
【0038】
外部クロック(EXT_CLK)とバッファリングされたクロックとの間には時間差が存在する。この時間差を短くするため、DLL310に含まれるDLLバッファ部520は、図4に示されているように、外部クロック(EXT_CLK)とほぼ同期するDLLクロック(DLL_CLK)、すなわちバッファリングされたクロック(CLKP2)に対応するDLLクロック信号(DLL_CLKP2)を生成する。
【0039】
DLL310は、DLL非活性化信号(DIS_DLL)、DLLリセット信号(DLL_RESETZ)、パワーアップ信号(PWRUP)、セルフリフレッシュ応答信号(SREFREQ)およびセルフリフレッシュ信号(SR)を受けて、CAS(column address strobe)バッファ部540を制御するためのクロック制御部500と、DLL310内部からのDLL立ち上がりクロック(RCLK_DLL)を受けて、時間遅延およびバッファリングを行うためのDLLバッファ部520と、第2クロック(CLKP2)、DLLバッファ部520の出力であるDLL第2クロック(DLL_CLKP2)およびクロック制御部500の出力であるクロック選択信号(SEL_CLKZ)を受けて、DLL310によって制御される第4クロック(CLKP4)を生成するためのクロック駆動部530とを備えている。
【0040】
DLLバッファ部520は、外部クロック(EXT_CLK)を受信して立ち上がりDLLクロック(RCLK_DLL)を遅延し、バッファリングして第2DLLクロック(DLL_CLKP2)を生成する。
【0041】
DLLバッファ部520は、遅延回路を形成する偶数個のインバータを備えている。なお、DLLバッファ部520の詳細な構成は、他の回路で用いられるものと同一であるため説明を省略する。
【0042】
制御・アドレスバッファ部320は、クロック制御部500の出力信号であるDLL制御信号(DLL_CTRLZ)、外部からのCAS信号(CASZ)および基準電圧(VREF)を受けてバッファリングするためのCASバッファ部540と、CASバッファ部540の出力である内部CAS信号(CAS2、CAS2Z)、第2クロック(CLKP2)、DLL第2クロック(DLL_CLKP2)、 DLL制御信号(DLL_CTRLZ)、CAS信号(CASZ)および基準電圧(VREF)を受けて、CASバッファ部540を経た信号をラッチするためのCASラッチ部550とを備えている。ここでは図3に示したアドレス信号バッファ部322がCASバッファ部540とCASラッチ部550とに該当する。
【0043】
ここでの置き換えは、設計者の選択によるものであって、本発明に係る半導体メモリは、CAS信号処理およびアドレス信号処理のいずれの機能も持ち得るということを示すためのものである。したがって、制御信号バッファ部321内の符号540’および550’は、CAS信号バッファ部322内の符号540および550とそれぞれ同じ構成を有する。そのため、本発明におけるCASバッファ部540とCASラッチ部550については後述することとし、その他については、以下でさらに詳細に説明する。
【0044】
図6は、図5に示した制御・アドレス部におけるクロック制御部500を詳細に示す回路図である。図6に示されているように、クロック制御部500は、DLL非活性化(disable)信号(DIS_DLL)、DLLリセット(reset)信号(DLL_RESETZ)、パワーアップ信号(PWRUP)、セルフリフレッシュ応答信号(SREFREQ)およびセルフリフレッシュ信号(SR)を受信してDLL制御信号(DLL_CTRLZ)とクロック選択信号(SEL_CLKZ)とを生成する。
【0045】
クロック制御部500は、入力部600および第1ラッチ部610を有する。入力部600は、第1ORゲート604を介して受信したDLL非活性化信号(DIS_DLL)と、DLLリセット信号(DLL_RESETZ)と、セルフリフレッシュ応答信号(SREFREQ)との論理和を行う。また、第2ORゲート605を介して受信したDLL非活性化(disable)信号(DIS_DLL)およびセルフリフレッシュ信号(SR)の論理和を行う。特に、DLL_RESETと、SREFREQおよびDIS_DLLのいずれか一つがロジックハイ(logic high)である場合、第1ORゲート604によって第1トランジスタ601はオフされ、第2トランジスタ602がオンされるようになる。また、DIS_DLLとSRのいずれか一つがロジックハイである場合、第2ORゲート605によって第3トランジスタ603がオンされる。
【0046】
このように、トランジスタ601、602および603の状態は、入力部600の出力状態を決定する。
【0047】
第1ラッチ部610は、パワーアップ信号(PWRUP)に対する応答として入力部600の出力をラッチ606でラッチして、遅延転換回路607を介してクロック選択信号(SEL_CLKZ)を出力する。DLL制御信号(DLL_CTRLZ)は、遅延回路608を介してクロック選択信号(SEL_CLKZ)を基に生成される。
【0048】
図6に示されているように、第1ラッチ部610は、通常用いられる差動増幅器により構成することができるので、詳細な構成説明は省略する。
【0049】
図7は、図5に示した制御・アドレス部におけるクロックバッファ部300を詳細に示す回路図である。図7に示されているように、クロックバッファ部300は、第1バッファ部700およびパルス生成部710を有し、クロック(CLK)、反転クロック(CLKZ)およびパワーアップ信号(PWRUP)を受信して、図5に示したクロック駆動部530およびCASラッチ部550を制御するのに用いられる第2クロック(CLKP2)を生成する。
【0050】
第1バッファ部700は、パワーアップ信号(PWRUP)に対する応答として、クロック(CLK)と反転クロック(CLKZ)との間の電圧差をバッファリングして増幅させる。第1バッファ部700は、通常用いられる電流ミラー回路で構成できるため、その詳細な構成説明は省略する。
【0051】
パルス生成部710は、第1バッファ部700の出力を受信して第1インバータ711、インバータ遅延回路712、第1NANDゲート713および第2インバータ714を介して第2クロック(CLKP2)を生成する。
【0052】
図8は、図5に示した制御・アドレス部におけるクロック駆動部530を詳細に示す回路図である。図8に示されているように、クロック駆動部530は、第2クロック(CLKP2)、第2DLLクロック(DLL_CLKP2)およびクロック選択信号(SEL_CLKZ)を受信して、駆動クロックである第4クロック(CLKP4)を生成する。
【0053】
クロック駆動部530は、第2DLLクロック(DLL_CLKP2)とクロック選択信号(SEL_CLKZ)とに応答する第1TSL(three state logic,TRI-STATE(R))バッファ部800と、第2クロック(CLKP2)およびクロック選択信号(SEL_CLKZ)に応答する第2TSLバッファ部810と、第2TSLバッファ部810の出力を受けて第4クロック(CLKP4)を出力するための第1出力部830と、第4クロック(CLKP4)を受けて第4クロック(CLKP4)のパルス幅を決定するための遅延部820とを備える。クロック選択信号(SET_CLKZ)は、2つのインバータを介してSET_CLKZ2を生成し、第1TSLバッファ部800と第2TSLバッファ部810とに出力される。
【0054】
PMOSトランジスタ840は、スイッチング電流を減らすために設けられるものである。例えば、遅延部820から出た出力信号の電圧が高い水準である場合、出力ノードは、プルダウン動作を行うNMOSトランジスタ850により低い電圧水準になる。この場合、PMOSトランジスタ840がオンされることによって、第1出力部830のプルダウントランジスタがオンされて、プルダウン動作が行われるようにする。その結果、これら2つのトランジスタは、スイッチング動作を高速化し、電流を減少するようにする。
【0055】
図9は、図5に示した制御・アドレス部におけるCASバッファ部540を詳細に示す回路図である。図9に示されているように、CASバッファ部540は、DLL制御信号(DLL_CTRLZ)、外部CAS信号(CASZ)および基準電圧信号(VREF:Reference Voltage signal)を受信してバッファリングし、内部CAS信号(CAS2)と反転された内部CAS信号(CAS2Z)とを生成する。
【0056】
CASバッファ部540は、DLL制御信号(DLL_CTRLZ)を受信して基準電圧信号(VREF)と外部CAS信号(CASZ)との間の電圧差をバッファリングする第2バッファ部900と、第2バッファ部900の出力を受信して、内部CAS信号(CAS2)と反転された内部CAS信号(CAS2Z)とを生成するための第2出力部910とを有する。
【0057】
第2バッファ部900は、通常の電流ミラー回路によって構成されており、第2出力部910は、複数個のインバータを含んで構成されている。
【0058】
図10は、図5に示した制御・アドレス部におけるCASラッチ部550を詳細に示す回路図である。CASラッチ部550は、制御部1000と第2ラッチ部1010とで構成されている。
【0059】
図10に示されているように、CASラッチ部550は、内部CAS信号(CAS2)、反転された内部CAS信号(CAS2Z)、第2クロック(CLKP2)、第2DLLクロック(DLL_CLKP2)、DLL制御信号(DLL_CTRLZ)、外部CAS信号(CASZ)および基準電圧信号(VREF)を受信してラッチし、第2CAS信号(CAS4)と第2反転されたCAS信号(CAS4Z)とを生成する。
【0060】
制御部1000は、DLL制御信号(DLL_CTRLZ)、第2DLLクロック(DLL_CLKP2)および第2クロック(CLKP2)に対して論理演算を行って制御信号(DLLON_CLKP4、COM_CLKP4およびDLLOFF_CLKP4)を生成する。
【0061】
DLL制御信号(DLL_CTRLZ)と第2クロック(CLKP2)とは、NANDゲート1101に入力される。DLL制御信号(DLL_CTRLZ)と第2クロック(CLKP2)ともハイである場合、制御信号(DLLOFF_CLKP4)はハイ状態のみにあることとなる。
【0062】
制御信号(DLLON_CLKP4)は、インバータ1103を介してDLL制御信号(DLL_CTRLZ)を反転させた信号と第2DLLクロック(DLL_CLKP2)を、NANDゲート1104を利用して論理演算することによって生成される。
【0063】
第2DLLクロック(DLL_CLKP2)がハイ状態であり、DLL制御信号(DLL_CTRLZ)がロー状態である場合、ハイ状態の制御信号(DLLON_CLKP4)を生成するため、NANDゲート1104の出力は、インバータ1105によって反転される。
【0064】
また、制御信号(DLLOFF_CLKP4)は、インバータ1102によってNANDゲート1101の出力を反転させることによって得られる。
【0065】
制御信号(COM_CLKP4)は、NANDゲート1101、1104の出力に作用するNAND論理回路1106の結果として現れる。
【0066】
第2ラッチ部1010は、制御信号(DLLON_CLKP4、COM_CLKP4およびDLLOFF_CLKP4)と内部CAS信号(CAS2)および反転された内部CAS信号(CAS2Z)を受信してラッチする。第2ラッチ部1010は、差動増幅器によって実現することができる。
【0067】
本発明の技術は、上述した好ましい実施の形態により具体的に記述されたが、上述した実施の形態はその説明のためのものであって、その制限のためのものでないことに留意されるべきである。また、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術思想の範囲内で種々の実施の形態に想到可能であり、それらも本発明の技術的範囲に属することは言うまでもない。
【0068】
【発明の効果】
上述したように、本発明に係る半導体メモリによれば、外部クロックをバッファリングした後に遅延固定ループを用いることによって遅延固定ループを利用した遅延固定された内部クロックとして、tAA(アドレスアクセス時間)とtAC(データアクセス時間)とを1ナノ秒以上も短くできるため、チップの性能を向上させることができるという優れた効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 従来の技術に係る半導体メモリにおける制御・アドレス部を示すブロック図である。
【図2】 図1に示した従来技術に係る半導体メモリにおける制御・アドレス部で用いられる外部クロックと内部クロックとの間の時間差を示すタイミングチャートである。
【図3】 本発明の実施の形態に係る半導体メモリにおける制御・アドレス部を示すブロック図である
【図4】 図3に示した本発明の実施の形態に係る半導体メモリにおける制御・アドレス部で用いられる外部クロック(EXT_CLK)と遅延固定された内部クロック(DLL_CLK)との間の時間差を示すタイミングチャートである。
【図5】 図3に示した本発明の実施の形態に係る半導体メモリにおける制御・アドレス部を詳細に示したブロック図である。
【図6】 図5に示した制御・アドレス部におけるクロック制御部を詳細に示す回路図である。
【図7】 図5に示した制御・アドレス部におけるクロックバッファ部を詳細に示す回路図である。
【図8】 図5に示した制御・アドレス部におけるクロック駆動部を詳細に示す回路図である。
【図9】 図5に示した制御・アドレス部におけるCASバッファ部を詳細に示す回路図である。
【図10】 図5に示した制御・アドレス部におけるCASラッチ部を詳細に示す回路図である。
【符号の説明】
300 クロックバッファ部
310 遅延固定ループ(DLL)
320 制御・アドレスバッファ部
321 制御信号バッファ部
322 アドレス信号バッファ部
330 コマンドデコーダ
500 クロック制御部
530 クロック駆動部
540 CASバッファ部
550 CASラッチ部
EXT#CLK 外部クロック
CLKP2 第2クロック
DLL#CTRLZ DLL制御信号
CNTL 外部制御信号
ADDR 外部アドレス信号
BUF#CNTL 内部制御信号
BUF#ADDR 内部アドレス信号
CMD コマンド信号
Claims (16)
- 外部クロックをバッファリングし、第2クロックを生成するためのクロックバッファ部と、
前記第2クロックを受信し、前記外部クロックに同期した遅延固定ループクロック(以下、DLLクロックと記す)を生成するための遅延固定ループ(以下、DLLと記す)と、
前記DLLクロックに応答し、外部制御信号を受信しバッファリングして、前記DLLクロックと同期した内部制御信号を生成するための制御信号バッファ部と、
前記DLLクロックに応答し、外部アドレス信号を受信しバッファリングして、前記DLLクロックと同期した内部アドレス信号を生成するためのアドレス信号バッファ部とで構成され、
前記DLLが、DLL非活性化信号、DLLリセット信号、パワーアップ信号、セルフリフレッシュ応答信号及びセルフリフレッシュ信号を受信し、DLL制御信号及びクロック選択信号を生成するクロック制御部、及び前記外部クロックを使用することにより、前記DLLクロックを生成するためのDLLバッファ部を備え、
クロック制御部が、
前記DLL非活性化信号、前記DLLリセット信号及び前記セルフリフレッシュ応答信号の論理和を行う第1ORゲート、及び前記DLL非活性化信号及び前記セルフリフレッシュ応答信号の論理和を行う第2ORゲートを備えた入力部と、
前記パワーアップ信号に応答して前記入力部からの出力をラッチし、遅延転換回路を介して前記クロック選択信号を出力し、前記クロック選択信号を基に遅延回路を介してDLL制御信号を生成するための第1ラッチ部とで構成されていることを特徴とする半導体メモリ。 - さらに、前記内部制御信号をデコーディングしてコマンド信号を生成するためのコマンドデコーダを備えていることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ。
- アクセス時間が、1.5ナノ秒以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ。
- 前記アドレス信号バッファ部は、
前記DLL制御信号、外部CAS信号および基準電圧信号を受信して、前記外部CAS信号および基準電圧信号との間の電圧差をバッファリングする第2バッファ部、及び前記第2バッファ部の出力を受信して、内部CAS信号および反転された内部CAS信号を生成するための第2出力部で構成されたCASバッファ部と、
前記DLL制御信号、前記DLLクロックおよび前記内部クロックを受信して、制御信号を生成するための制御部、及び前記制御信号、前記内部CAS信号および前記反転された内部CAS信号を受信してラッチするための第2ラッチ部で構成されたCASラッチ部とを備えていることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ。 - さらに、前記DLLクロックおよび前記DLL選択信号に応答する第1TSLバッファ部と、
前記内部クロックおよび前記クロック選択信号に応答する第2TSLバッファ部と、
前記第1TSLバッファ部及び前記第2TSLバッファ部の出力を受信し、駆動クロックを生成するための第1出力部と、
前記駆動クロックを受信し、前記駆動クロックのパルス幅を決定するための遅延部とで構成されたクロック駆動部を備えていることを特徴とする請求項4に記載の半導体メモリ。 - 前記クロックバッファ部が、前記パワーアップ信号に応答して、クロックと反転されたクロックとの間の電圧差をバッファリングし、増幅するための第1バッファ部と、該第1バッファ部の出力を受信して前記DLLクロックを生成するためのパルス生成部とを備えていることを特徴とする請求項4に記載の半導体メモリ。
- 前記第1バッファ部が、電流ミラー回路により構成されていることを特徴とする請求項6に記載の半導体メモリ。
- 前記DLLバッファ部が、偶数個のインバータを備えていることを特徴とする請求項6に記載の半導体メモリ。
- 前記第2バッファ部が、電流ミラー回路により構成されていることを特徴とする請求項4に記載の半導体メモリ。
- 前記第2出力部が、複数個のインバータにより構成されていることを特徴とする請求項4に記載の半導体メモリ。
- 前記第2ラッチ部が、差動増幅器により構成されていることを特徴とする請求項4に記載の半導体メモリ。
- アクセス時間が、1.5ナノ秒以下であることを特徴とする請求項4に記載の半導体メモリ。
- 請求項1に記載された半導体メモリの駆動方法であって、
外部クロックを生成する第1ステップと、
前記外部クロックをバッファリングし、第2クロックを生成する第2ステップと、
遅延固定ループ(以下、DLLと記す)非活性化信号、DLLリセット信号、セルフリフレッシュ応答信号及びセルフリフレッシュ信号を受信し、パワーアップ信号に応答し、前記DLL非活性化信号、前記DLLリセット信号及び前記セルフリフレッシュ応答信号の論理和及び前記DLL非活性化信号及び前記セルフリフレッシュ応答信号の論理和を介して出力された信号をラッチして、遅延転換回路を介してクロック選択信号を出力し、前記クロック選択信号を基に遅延回路を介してDLL制御信号を生成するとともに、前記クロック選択信号を利用して前記外部クロックと実質的に同期した遅延固定ループクロック(以下、DLLクロックと記す)を生成する第3ステップと、
制御信号バッファ部およびアドレス信号バッファ部に前記DLLクロックを出力する第4ステップと、
前記制御信号バッファ部において、前記DLLクロックに応答し、外部制御信号を受信しバッファリングして、前記DLLクロックと実質的に同期した内部制御信号を生成するとともに、前記アドレス信号バッファ部において、前記DLLクロックに応答し、外部アドレス信号を受信しバッファリングして、前記DLLクロックと実質的に同期した内部アドレス信号を生成する第5ステップとを有することを特徴とする半導体メモリの駆動方法。 - さらに、前記第5ステップにおいて、前記制御信号バッファ部及び前記アドレス信号バッファ部に設けられたCASバッファ部に前記DLLクロックを出力するステップを有することを特徴とする請求項13に記載の半導体メモリの駆動方法。
- さらに、前記内部制御信号をデコーディングする第6ステップと、
前記デコーディングに応答して、コマンド信号を生成する第7ステップを有することを特徴とする請求項13に記載の半導体メモリの駆動方法。 - 1.5ナノ秒未満の間にアクセスすることを特徴とする請求項13に記載の半導体メモリの駆動方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020000029645A KR100543934B1 (ko) | 2000-05-31 | 2000-05-31 | 반도체 메모리 장치에서 어드레스 및 데이터 억세스타임을 고속으로 하는 제어 및 어드레스 장치 |
KR2000-29645 | 2000-05-31 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002056677A JP2002056677A (ja) | 2002-02-22 |
JP4511767B2 true JP4511767B2 (ja) | 2010-07-28 |
Family
ID=19670915
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001165453A Expired - Fee Related JP4511767B2 (ja) | 2000-05-31 | 2001-05-31 | 半導体メモリおよびその駆動方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6538956B2 (ja) |
JP (1) | JP4511767B2 (ja) |
KR (1) | KR100543934B1 (ja) |
DE (1) | DE10126589A1 (ja) |
GB (1) | GB2368166B (ja) |
TW (1) | TWI224793B (ja) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100543934B1 (ko) * | 2000-05-31 | 2006-01-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치에서 어드레스 및 데이터 억세스타임을 고속으로 하는 제어 및 어드레스 장치 |
KR100401490B1 (ko) * | 2000-10-31 | 2003-10-11 | 주식회사 하이닉스반도체 | 로오 버퍼를 내장한 반도체 메모리 장치 |
US6889336B2 (en) * | 2001-01-05 | 2005-05-03 | Micron Technology, Inc. | Apparatus for improving output skew for synchronous integrate circuits has delay circuit for generating unique clock signal by applying programmable delay to delayed clock signal |
US6988218B2 (en) * | 2002-02-11 | 2006-01-17 | Micron Technology, Inc. | System and method for power saving delay locked loop control by selectively locking delay interval |
US6795365B2 (en) * | 2002-08-23 | 2004-09-21 | Micron Technology, Inc. | DRAM power bus control |
CN1527484B (zh) * | 2003-03-04 | 2010-05-05 | 三星电子株式会社 | 集成电路存储器装置及控制延迟锁定环电路的方法 |
KR100493054B1 (ko) | 2003-03-04 | 2005-06-02 | 삼성전자주식회사 | 지연동기 루프를 구비하는 반도체 장치 및 지연동기 루프제어방법 |
US6839301B2 (en) * | 2003-04-28 | 2005-01-04 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for improving stability and lock time for synchronous circuits |
KR100522433B1 (ko) * | 2003-04-29 | 2005-10-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 도메인 크로싱 회로 |
US7280401B2 (en) * | 2003-07-10 | 2007-10-09 | Telairity Semiconductor, Inc. | High speed data access memory arrays |
KR100535649B1 (ko) * | 2004-04-20 | 2005-12-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 디디알 메모리 소자의 디큐에스 신호 생성 회로 및 생성방법 |
US7078950B2 (en) * | 2004-07-20 | 2006-07-18 | Micron Technology, Inc. | Delay-locked loop with feedback compensation |
KR100610439B1 (ko) * | 2004-09-08 | 2006-08-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치 |
US7466783B2 (en) * | 2004-12-13 | 2008-12-16 | Lexmark International, Inc. | Method and system to implement a double data rate (DDR) interface |
US7277357B1 (en) | 2006-06-05 | 2007-10-02 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for reducing oscillation in synchronous circuits |
US20080137470A1 (en) * | 2006-12-07 | 2008-06-12 | Josef Schnell | Memory with data clock receiver and command/address clock receiver |
KR100868251B1 (ko) | 2007-03-22 | 2008-11-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리장치 |
KR100868252B1 (ko) | 2007-03-29 | 2008-11-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치 및 그 구동방법 |
KR100920843B1 (ko) * | 2008-05-09 | 2009-10-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치의 오토리프레쉬 동작 제어회로 |
KR100996194B1 (ko) | 2009-04-30 | 2010-11-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리장치 및 이의 동작방법 |
CN102238776B (zh) * | 2010-04-21 | 2014-04-23 | 通嘉科技股份有限公司 | 校准装置、方法及其多信道驱动电路及电流平衡方法 |
US9431089B2 (en) * | 2012-06-12 | 2016-08-30 | Rambus Inc. | Optimizing power in a memory device |
KR102091394B1 (ko) | 2013-03-04 | 2020-03-20 | 삼성전자 주식회사 | 저항체를 이용한 비휘발성 메모리 장치 및 그 구동 방법 |
US11049543B2 (en) | 2019-09-03 | 2021-06-29 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for deactivating a delay locked loop update in semiconductor devices |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH103784A (ja) * | 1996-06-14 | 1998-01-06 | Nec Corp | 半導体装置 |
JPH11316617A (ja) * | 1998-05-01 | 1999-11-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体回路装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3592386B2 (ja) * | 1994-11-22 | 2004-11-24 | 株式会社ルネサステクノロジ | 同期型半導体記憶装置 |
JP3893167B2 (ja) * | 1996-04-26 | 2007-03-14 | 株式会社ルネサステクノロジ | 同期型半導体記憶装置 |
KR100222035B1 (ko) * | 1996-08-06 | 1999-10-01 | 윤종용 | 램버스 동적 반도체 메모리 장치 |
KR100225954B1 (ko) * | 1996-12-31 | 1999-10-15 | 김영환 | 전력 절감용 반도체 메모리 소자 |
KR100243903B1 (ko) * | 1997-08-30 | 2000-02-01 | 김영환 | 반도체 소자의 내부클럭 발생장치 |
JP4006072B2 (ja) * | 1997-12-16 | 2007-11-14 | 富士通株式会社 | 半導体集積回路装置 |
KR100303777B1 (ko) | 1998-12-30 | 2001-11-02 | 박종섭 | 지연-펄스-지연을 이용한 지연고정루프 클록발생기 |
JP4268726B2 (ja) * | 1999-05-31 | 2009-05-27 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
JP4397076B2 (ja) | 1999-08-20 | 2010-01-13 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
KR100543934B1 (ko) * | 2000-05-31 | 2006-01-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치에서 어드레스 및 데이터 억세스타임을 고속으로 하는 제어 및 어드레스 장치 |
-
2000
- 2000-05-31 KR KR1020000029645A patent/KR100543934B1/ko active IP Right Grant
-
2001
- 2001-05-30 US US09/867,811 patent/US6538956B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-05-31 JP JP2001165453A patent/JP4511767B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-05-31 GB GB0113270A patent/GB2368166B/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-05-31 DE DE10126589A patent/DE10126589A1/de not_active Withdrawn
- 2001-06-26 TW TW090115461A patent/TWI224793B/zh not_active IP Right Cessation
-
2002
- 2002-12-31 US US10/334,610 patent/US6687169B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH103784A (ja) * | 1996-06-14 | 1998-01-06 | Nec Corp | 半導体装置 |
JPH11316617A (ja) * | 1998-05-01 | 1999-11-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体回路装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100543934B1 (ko) | 2006-01-23 |
US6687169B2 (en) | 2004-02-03 |
US6538956B2 (en) | 2003-03-25 |
GB2368166B (en) | 2005-04-06 |
GB0113270D0 (en) | 2001-07-25 |
KR20010108751A (ko) | 2001-12-08 |
US20030095444A1 (en) | 2003-05-22 |
DE10126589A1 (de) | 2001-12-13 |
JP2002056677A (ja) | 2002-02-22 |
GB2368166A (en) | 2002-04-24 |
TWI224793B (en) | 2004-12-01 |
US20020001240A1 (en) | 2002-01-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4511767B2 (ja) | 半導体メモリおよびその駆動方法 | |
JP5309286B2 (ja) | クロックジェネレータ | |
KR100422572B1 (ko) | 레지스터 제어 지연고정루프 및 그를 구비한 반도체 소자 | |
US7394707B2 (en) | Programmable data strobe enable architecture for DDR memory applications | |
US20050180229A1 (en) | On die termination mode transfer circuit in semiconductor memory device and its method | |
US8031553B2 (en) | Data strobe signal generating device and a semiconductor memory apparatus using the same | |
JPH11353878A (ja) | 半導体装置 | |
US6977848B2 (en) | Data output control circuit | |
US7259608B2 (en) | System and method for open-loop synthesis of output clock signals having a selected phase relative to an input clock signal | |
KR100311974B1 (ko) | 동기타입 반도체 메모리 디바이스용 내부클럭 발생회로 및 내부클럭 발생방법 | |
US6519188B2 (en) | Circuit and method for controlling buffers in semiconductor memory device | |
JP2004104681A (ja) | 入力バッファ回路 | |
US6781919B2 (en) | Address selection circuit and semiconductor memory device with synchronous and asynchronous address signal paths | |
US5940330A (en) | Synchronous memory device having a plurality of clock input buffers | |
KR100632611B1 (ko) | 반도체 메모리 장치의 명령 디코더 | |
US6301189B1 (en) | Apparatus for generating write control signals applicable to double data rate SDRAM | |
US7263025B2 (en) | Semiconductor memory device for stably controlling power mode at high frequency and method of controlling power mode thereof | |
KR100400310B1 (ko) | 반도체 메모리 소자의 버퍼 제어장치 및 방법 | |
US7813190B2 (en) | Input circuit of semiconductor memory device ensuring enabled data input buffer during data input | |
KR19990074904A (ko) | 동기식 반도체 기억 장치를 위한 어드레스 래치장치 및 방법 | |
JPH1173772A (ja) | 同期dram用ダイナミッククロック発生回路 | |
JPH11185472A (ja) | 半導体記憶装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060315 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090413 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090415 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090715 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090721 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090814 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100113 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100323 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100414 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100507 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4511767 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |