JP4506579B2 - スパークプラグの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、自動車等に搭載された内燃機関に組み付けられるスパークプラグの製造方法に関する。

従来のスパークプラグは、ハウジングの内部に柱状の中心電極が絶縁保持され、接地電極の一端がハウジングの一端面に接合され、接地電極の中間部が曲げられて、接地電極の他端が中心電極の先端面に対向して配置される。この接地電極には、中心電極と対向する場所に円柱状の貴金属チップが接合されており、この貴金属チップが中心電極に対向するように接地電極の中間部が曲げられ、貴金属チップと中心電極との間に火花ギャップが形成されている。なお、以下では接地電極において貴金属チップが接合された面をチップ接合面といい、貴金属チップにおいて接地電極に対する接合方向に平行な軸を貴金属チップ軸線という。

このような接地電極は、接地電極の一端がハウジングに接合された後に仮曲げされることで火花ギャップが規格よりもわずかに大きくなるよう、略Ｌ字形状に加工される（例えば、特許文献１参照）。

そして、接地電極が仮曲げされた後、偏芯修正工程によって接地電極に対する偏芯修正加工が施される。ここで、偏芯とは、ワークにおいて中心電極から接地電極側を見たときに、貴金属チップ軸線と中心電極軸線とが同軸上にない状態のことを言う。このような偏芯修正加工では、まず、接地電極の仮曲げが終了したワークに対し、接地電極の反チップ接合面に対向する位置に照明が配置され、接地電極において照明とは反対側にカメラが配置される。

このような状態で、カメラにて中心電極および貴金属チップ近傍が撮影される。そして、得られた画像から中心電極軸線と貴金属チップ軸線とのずれ量が測定され、その測定結果に基づいて修正パンチにて接地電極の側面が押し付けられ、ワークにおいて中心電極から接地電極側を見たときに中心電極軸線と貴金属チップ軸線とが同軸となるように修正される。
特開２００２−２３１４１２号公報

しかしながら、上記従来の技術では、反チップ接合面に対向する位置に照明が１カ所だけ設置されているため、チップ接合面や貴金属チップ、そして中心電極に照明の光が当たりにくくなっていた。したがって、貴金属チップや中心電極が接地電極の影に隠れてしまうため、画像に各部材が暗く表示されると共に、各部材の境界がわかりづらくなっていた。これにより、各部材の寸法測定があいまいになってしまい、貴金属チップ軸線および中心電極軸線の正確な位置を得ることができず、偏芯修正工程における加工精度を上げることができなかった。

本発明は、上記点に鑑み、スパークプラグの製造方法において、接地電極に対する仮曲げ後の偏芯修正工程における加工精度を向上させることを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明では、仮曲げされた接地電極の反チップ接合面のうち中心電極軸線方向に伸びる面、および接地電極のうち第２直交方向を向いた二面を少なくとも照明する複数の照明手段（６１〜６３）を用いて、第１直交方向上に配置される撮影手段（３０）によって中心電極および貴金属チップ近傍を撮影し、撮影手段にて撮影された画像に基づき、中心電極から接地電極側を見たとき、中心電極軸線と貴金属チップ軸線との第２直交方向におけるずれ量を求め、ずれ量に基づいて接地電極に対する偏芯修正加工を行うことを特徴とする。

このように、仮曲げされた接地電極の反チップ接合面、および接地電極において第２直交方向を向いた各面を照明手段にて照明して撮影手段にて撮影する。これにより、第２直交方向からワークが照明されるため、チップ接合面や貴金属チップ、そして中心電極を照明することができる。したがって、貴金属チップや中心電極が接地電極の影に隠れずに済むため、各部材の境界を確実に撮影することができる。このような照明手段を用いて撮影した画像を用いることで、各部材の寸法測定を精度良く行うことができ、貴金属チップ軸線および中心電極軸線の正確な位置を得ることができ、偏芯修正工程における加工精度を上げることができる。

本発明では、反チップ接合面に対向する位置に配置される第１照明（６１）と、第２直交方向に配置されると共に、ワークに対してそれぞれ対向するように配置される第２照明（６２）および第３照明（６３）と、を備えた照明手段を用いることを特徴とする。

このように、接地電極の反チップ接合面、および反チップ接合面に垂直であって第２直交方向にそれぞれ対向するように配置された各照明を照明手段として用いる。これにより、第１照明によって背景を明るく撮影することができる。また、第２、第３照明によって貴金属チップや中心電極、そして接地電極において第２直交方向を向いた各面をそれぞれ鮮明に撮影することができる。

本発明では、第１照明および第２照明を点灯させ、第３照明を第１照明および第２照明よりも暗くさせた状態、第１照明および第３照明を点灯させ、第２照明を第１照明および第３照明よりも暗くさせた状態、第１照明、第２照明、および第３照明をすべて点灯させた状態でそれぞれ撮影手段にて中心電極および貴金属チップ近傍を撮影することを特徴とする。

このように、各照明の点灯状態を変更して撮影する。これにより、第１、第２照明を点灯させ、第３照明を暗くさせた場合、撮影された画像において、接地電極において第３照明に対向する面と背景との境界をより鮮明にさせることができる。同様に、第１、第３照明を点灯させ、第２照明を暗くさせた場合、撮影された画像において、接地電極において第２照明に対向する面と背景との境界をより鮮明にさせることができる。また、すべての照明を点灯させた場合、中心電極および貴金属チップにおいて第２、第３照明に対向する側と接地電極のチップ接合面との境界を鮮明にさせることができる。

本発明では、ずれ量を求める工程では、画像中に複数のウィンドウ（Ｗ１〜Ｗ７）を設け、これらウィンドウ内において各部材の境界もしくは各部材と背景（８０）との境界の座標をそれぞれ取得することを特徴とする。

このように、画像中にウィンドウを設定し、ウィンドウ内において各部材の境界や各部材と背景との境界の座標をそれぞれ取得する。これにより、取得したい境界の座標の取得効率を向上させることができる。また、画像全体のうち一部の領域のみについて境界を探せばよいため、境界の座標を確実に取得することができる。

本発明では、接地電極のうち第２直交方向を向いた各面を押し付ける修正パンチ（７１、７２）の移動量をずれ量を用いて求め、この移動量に基づいて修正パンチを駆動することにより接地電極に対する偏芯修正加工を行うことを特徴とする。

このように、各軸線のずれ量を用いて修正パンチの移動量を求め、この移動量に基づいて修正パンチを駆動して接地電極を加工する。これにより、第１直交方向において中心電極から接地電極側を見たとき、中心電極軸線と貴金属チップ軸線とを同軸上に配置するようにすることができる。

本発明では、修正パンチの移動量が修正しきい値よりも大きい場合、第２直交方向において貴金属チップ軸線が中心電極軸線を越えないように接地電極を加工して貴金属チップ軸線を中心電極軸線に近づけ、この後、修正パンチをさらに同じ方向に駆動して、貴金属チップ軸線が中心電極軸線と同軸上に配置されるように接地電極を加工するようになっており、修正パンチの移動量が修正しきい値以下である場合、第２直交方向において貴金属チップ軸線が中心電極軸線を越えるように接地電極を加工し、この後、修正パンチのうち貴金属チップ軸線側のものを前回とは逆方向に駆動して、貴金属チップ軸線が中心電極軸線と同軸上に配置されるように接地電極を加工することを特徴とする。

このように、修正しきい値に対する修正パンチの移動量に応じて、修正パンチの駆動方法を選択する。これにより、各軸線のずれ量が大きい場合には、１回目の加工で貴金属チップ軸線を中心電極軸線に近づけ、２回目の加工で各軸線を同軸上に配置させるようにすることができる。一方、各軸線のずれ量が小さい場合には、１回目の加工で貴金属チップ軸線が中心電極軸線を越えるように接地電極を加工し、２回目の加工で各軸線を同軸上に配置するようにすることができる。このようにして、修正パンチの移動量の大きさによって修正パンチの駆動方法を選択することで、接地電極に対する加工精度を向上させることができる。

なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。

（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態について図を参照して説明する。

図１は、本発明の製造方法により製造されるスパークプラグを半断面で示す正面図である。図１に示されるように、スパークプラグ１は、導電性の鉄鋼材料よりなる略円筒形状のハウジング１０を有しており、ハウジング１０には、絶縁性に富むセラミックからなる略円筒形状の絶縁碍子１１が挿入固定されている。絶縁碍子１１の軸孔１１ａには、導電性の金属材料よりなる略円柱形状の中心電極１２が挿入固定されている。また、ハウジング１０の一端面１０ａにはＮｉ基合金よりなる板状の接地電極１３の一端側が接合され、接地電極１３の他端側には耐火花消耗性に優れた例えばＩｒ（イリジウム）合金よりなる円柱状の貴金属チップ１４が接合されている。本実施形態では、貴金属チップ１４において接地電極１３に対する接合方向に平行な軸を貴金属チップ軸線Ｚ２（後述する図４参照）という。

上記接地電極１３は、仮曲げ前の時点では破線で示されるように直線状の板部材であり、中心電極１２の軸線Ｚ１方向に伸びている。また、接地電極１３は、仮曲げにより略Ｌ字形状に加工され、本曲げにより図１の実線で示されるように、さらに曲げられて火花ギャップＧが所定寸法に加工されている。換言すると、接地電極１３は、中心電極軸線Ｚ１に対して略平行に延びる脚部１３ａと、中心電極軸線Ｚ１に対して略直交方向に延びる対向部１３ｂと、を有し、貴金属チップ１４が中心電極１２の先端面１２ａに対向して配置されると共に、貴金属チップ１４と中心電極１２との間に中心電極軸線Ｚ１方向に所定の火花ギャップＧが形成されている。

また、本実施形態では、接地電極１３における貴金属チップ１４が接合された面をチップ接合面１３ｃといい、接地電極１３における貴金属チップ１４が接合されていない面を反チップ接合面１３ｄという。以上が、本発明の製造方法により製造されるスパークプラグ１の中心電極１２付近の構成である。

次に、接地電極を仮曲げした後の接地電極１３に対して偏芯修正を行うための装置について、図を参照して説明する。ここで、偏芯とは、ワークにおいて中心電極１２から接地電極１３側を見たときに、中心電極軸線Ｚ１と貴金属チップ軸線Ｚ２とが同軸上にない状態のことを言う（図４参照）。

図２は、偏芯修正を行う前の準備段階で用いる準備加工装置を示す模式的な正面図である。図２に示されるように、準備加工装置は、火花ギャップＧ部分を上方にしてワーク（スパークプラグ１）を固定保持するホルダ２０と、両電極１２、１３近傍を撮影するカメラ３０と、カメラ３０から出力される画像信号を処理する画像処理手段４０と、画像処理手段４０から入力される信号に基づいて複数の駆動装置を制御する制御手段５０と、を備えて構成されている。なお、カメラ３０は、本発明の撮影手段に相当し、例えばＣＣＤカメラが採用される。

画像処理手段４０は、カメラ３０から入力される画像の画像信号に基づき、中心電極軸線Ｚ１および貴金属チップ軸線Ｚ２の位置をそれぞれ測定により求めて各軸線Ｚ１、Ｚ２のずれ量を求めると共に、このずれ量に基づいて接地電極１３を偏芯修正するための修正パンチ７１、７２（後述する図４参照）の駆動量（移動量）を求めるものである。

このような画像処理手段４０は、修正パンチ７１、７２の移動量を算出する移動量算出プログラム、および各種演算式やデータ等が記憶されたＲＯＭ、ＲＡＭ、ＣＰＵ、Ｉ／Ｏポート（いずれも図示しない）などを備えて構成されている。この画像処理手段４０にて得られた偏芯修正値は、制御手段５０に出力される。

制御手段５０は、画像処理手段４０から入力される偏芯修正値のデータに基づき、修正パンチ７１、７２を駆動するための修正パンチ駆動装置７３、７４を作動させる機能を有するものである。このような制御手段５０は、上記画像処理手段４０と同様に、各種演算式やデータ、駆動装置を作動させるためのプログラム等が記憶されたＲＯＭ、ＲＡＭ、ＣＰＵ、Ｉ／Ｏポート（いずれも図示しない）などを備えて構成されている。

図３は、図２に示されるカメラ３０の配置を示す模式的な平面図である。図３に示されるように、カメラ３０は、接地電極１３に対する仮曲げ後の時点での両電極１２、１３付近を撮影するようになっている。ここで、中心電極軸線Ｚ１に直交すると共に接地電極１３を貫く方向を第１直交方向Ｘとすると、カメラ３０の撮影方向は、この第１直交方向Ｘである。また、中心電極軸線Ｚ１および第１直交方向Ｘに垂直な方向を第２直交方向Ｙとする。

さらに、図３に示されるように、ワーク付近に照明６１〜６３が配置されている。具体的には、第１直交方向Ｘに配置され、ワークにおいてカメラ３０とは反対側に第１照明６１が配置されており、接地電極１３の反チップ接合面１３ｄが照明されるようになっている。また、第２直交方向Ｙに配置され、ワークに対してそれぞれ対向するように第２、第３照明６２、６３が配置されており、接地電極１３の反チップ接合面１３ｄに垂直な面（以下では、接地電極１３の側面という）がそれぞれ照明されるようになっている。

上記第１〜第３照明６１〜６３として、例えば白色のＬＥＤ（発光ダイオード）が採用される。また、各照明６１〜６３にはコントローラが備えられており、上記制御手段５０からの指令に基づいて点灯または消灯される。

図４は、偏芯修正加工装置の模式図である。図４に示されるように、偏芯修正加工装置は、第１、第２修正パンチ７１、７２と、第１、第２修正パンチ駆動装置７３、７４と、を備えて構成されている。第１修正パンチ７１は、仮曲げ後の接地電極１３の側面のうち一方に対向し、制御手段５０にて制御される第１修正パンチ駆動装置７３により第２直交方向Ｙに駆動される。また、第２修正パンチ７２は、仮曲げ後の接地電極１３の側面のうち他方に対向し、制御手段５０にて制御される第２修正パンチ駆動装置７４により第２直交方向Ｙに駆動される。なお、第１修正パンチ駆動装置７３および第２修正パンチ駆動装置７４は、サーボモータまたは油空圧シリンダを用いている。

以上が、本実施形態に係るスパークプラグ１を製造する上で、偏芯修正加工工程に用いられる装置およびその構成である。

次に、図１に示されるスパークプラグ１の製造方法のうち、上記装置を用いて接地電極１３を仮曲げした後の偏芯修正加工工程について説明する。

まず、中心電極軸線Ｚ１と貴金属チップ軸線Ｚ２とのずれ量や修正パンチ７１、７２の移動量を算出するため、ワークの各電極１２、１３近傍を撮影する。図５は、各照明６１〜６３の照明パターンと各照明パターンに応じて撮影される画像において接地電極１３のコントラストを模式的に示した図である。なお、図５のうち暗い部分を点ハッチングによって表現してある。また、図５においてカメラ３０は省略してあり、図５に示される各画像において、中心電極１２、接地電極１３、および貴金属チップ１４以外の部材は省略してある。

図５（ａ）は、第１、第２照明６１、６２を点灯させ、第３照明６３を消灯させるパターン（以下、第１パターンという）とそのパターンにて撮影された各電極１２、１３近傍の画像を示したものである。この図に示されるように、接地電極１３において第３照明６３と対向する側面１３ｅは照明されないため暗く撮影される。しかしながら、第１照明６１は点灯しているため、背景８０は明るく撮影される。したがって、第１パターンでは、接地電極１３の側面１３ｅと背景８０との境界が鮮明に撮影される。

また、図５（ｂ）は、第１、第３照明６１、６３を点灯させ、第２照明６２を消灯させるパターン（以下、第２パターンという）とそのパターンにて撮影された各電極１２、１３近傍の画像を示したものである。この図に示されるように、接地電極１３において第２照明６２と対向する側面１３ｆは照明されないため暗く撮影される。しかしながら、第１照明６１は点灯しているため、背景８０は明るく撮影される。したがって、第２パターンでは、接地電極１３の側面１３ｆと背景８０との境界が鮮明に撮影される。

さらに、図５（ｃ）は、第１〜第３照明６１〜６３をすべて点灯させるパターン（以下、第３パターンという）とそのパターンにて撮影された各電極１２、１３近傍の画像を示したものである。この図に示されるように、第３パターンでは、すべての照明６１〜６３が点灯しているため、背景８０、接地電極１３の各側面１３ｅ、１３ｆが明るく撮影される。したがって、中心電極１２の先端側と貴金属チップ１４とにおいて第２、第３照明６２、６３と対向する部分は明るく撮影され、第１照明６１が点灯していることで、接地電極１３のうちチップ接合面１３ｃが暗く撮影される。これにより、第３パターンでは、中心電極１２および貴金属チップ１４のうち第２、第３照明６２、６３と対向する部分とチップ接合面１３ｃとの境界が鮮明に撮影される。

以上のようにして、各照明６１〜６３が駆動されて各パターンにおいて各電極１２、１３近傍が撮影されるようになっている。

この後、これらの画像に基づいて中心電極軸線Ｚ１と貴金属チップ軸線Ｚ２とのずれ量を検出し、ずれ量に応じた修正パンチ７１、７２の移動量を算出する方法について図６−１〜図６−５を参照して説明する。図６−１〜図６−５は、中心電極軸線Ｚ１の位置と貴金属チップ軸線Ｚ２の位置とをそれぞれ検出して各軸線Ｚ１、Ｚ２のずれ量を求め、そのずれ量に応じた修正パンチ７１、７２の移動量を求める内容を示したフローチャートである。図６−１〜図６−５に示されるフローチャートは、画像処理手段４０に記憶された移動量算出プログラムに従って実行され、ワークが図２および図３に示される準備加工装置に設置された状態でスタートするようになっている。

図６−１に示されるフローチャートがスタートすると、ステップ１００では、初期値設定がなされる。すなわち、各軸線Ｚ１、Ｚ２のずれ量および修正パンチ７１、７２の移動量を算出するための各データ等の初期値が設定される。

ステップ１０１では、画像入力がなされる。つまり、図５に示される第１〜第３パターンでそれぞれ撮影された画像が取り込まれる。

ステップ１０２では、画像二値化処理がなされる。本ステップでは、ステップ１０１で取り込まれた各画像が白および黒の濃淡でそれぞれ表示されるように処理される。

ステップ１０３では、第１ウィンドウが設定される。具体的には、図５に示される第３パターンにて撮影された画像に対し、接地電極１３の他端側を囲う第１ウィンドウが画像中に張られる。この様子を図７に示す。図７は、図５（ｃ）に示される照明パターンで得られた画像に第１ウィンドウＷ１を設定した様子を示した図である。この図に示されるように、接地電極１３の他端側が第１ウィンドウＷ１にて囲まれる。なお、図７〜図１３において、中心電極１２、接地電極１３、および貴金属チップ１４以外の部材は省略してある。

なお、本実施形態では、図７および以降で示される画像の図において、左上を原点（０，０）とし、ハウジング１０の一端面１０ａに平行な方向（原点に対して紙面右方向）をｘ軸、ハウジング１０の長軸方向（原点に対して紙面上下方向）をｙ軸とする。

また、第１ウィンドウＷ１は、それが構成される座標（つまり、４つの座標）としてあらかじめ画像処理手段４０に記憶されており、本ステップにおいて画像の画像データが画像処理手段４０に入力された後、画像中に第１ウィンドウＷ１を構成する各座標が設定されることで第１ウィンドウＷ１が形成される。なお、以下で形成される各ウィンドウも同じである。

ステップ１０４では、ボックスが検出されたか否かが判定される。ボックスとは、本実施形態では、図７に示される接地電極１３においてもっとも先端部分、すなわち反チップ接合面１３ｄのうちハウジング１０からもっとも離れた部分を指す。したがって、本ステップでは、第１ウィンドウＷ１内においてボックスＢ１の座標が取得される。

具体的には、接地電極１３と背景８０との境界がボックスＢ１として検出されるのである。つまり、第１ウィンドウＷ１内において、ｙ軸方向に画像の色の変化をモニタしていくと、例えば図中の明るい部分（背景８０）が暗い部分（接地電極１３）に変化する境界が検出され、その境界のうちｙ軸の座標がもっとも小さい値となる場所の座標が検出される。本ステップでは、図中の暗い部分と明るい部分との境界が検出されず、ボックスＢ１の座標が検出されない場合もある。なお、以下に示される境界を検出する各ステップにおいても同様である。

上記のようにして、ボックスＢ１の座標検出が行われた後、ボックスＢ１が検出されたか否かが判定される。すなわち、上記のようにしてボックスＢ１の座標が取得されたか否かが判定される。本ステップにてボックスＢ１の座標が取得されていないと判定された場合、図６−５に示されるステップ１０５に進む。一方、本ステップにてボックスＢ１の座標が取得されたと判定された場合、ステップ１０６に進む。

図６−５に示されるステップ１０５では、エラー処理がなされる。すなわち、上記ステップ１０４にてボックスＢ１の座標が取得されなかったのは、撮影状況やワークそのものに問題があると考えられる。したがって、本ステップでは、このようなワークに対し、修正パンチ７１、７２の移動量を算出するステップおよび偏芯修正加工工程をキャンセルする処理が施される。このエラー処理により、図２に示される準備加工装置に固定保持されたワークは、この準備加工装置から取り外される。そして、本フローチャートは終了し、別のワークが準備加工装置に取り付けられ、再び図６−１〜図６−５に示されるフローが実行開始される。

そして、図６−１に示されるステップ１０６では、第２ウィンドウＷ２が設定される。具体的には、第２ウィンドウＷ２は、上記ステップ１０４で得られたボックスＢ１の座標に基づいてその場所が設定される。すなわち、第２ウィンドウＷ２は、第１ウィンドウＷ１内であって、少なくとも接地電極１３の各側面１３ｅ、１３ｆが含まれるように設定され、画像中に張られる。このような第２ウィンドウＷ２は、図７に示されるように、接地電極１３の各側面１３ｅ、１３ｆと背景８０とのエッジ（境界）を検出するための検出範囲となるものである。

ステップ１０７では、第２エッジＥ２が検出されたか否かが判定される。本ステップでは、まず、図７に示される第２ウィンドウＷ２内において、ｘ軸における原点側の接地電極１３と背景８０との境界が第２エッジＥ２として検出される。すなわち、第２ウィンドウＷ２内において、ｘ軸方向に画像の色の変化をモニタしていくと、図中の明るい部分（背景８０）が暗い部分（接地電極１３）に変化する境界が検出され、その境界の座標が取得される。

上記のようにして、第２エッジＥ２の座標検出が行われた後、第２エッジＥ２が検出されたか否かが判定される。すなわち、上記のようにして第２エッジＥ２の座標が取得されたか否かが判定される。本ステップにて第２エッジＥ２の座標が取得されていないと判定された場合、ステップ１０５に進む。一方、本ステップにて第２エッジＥ２の座標が取得されたと判定された場合、ステップ１０８に進む。

ステップ１０８では、第３エッジＥ３が検出されたか否かが判定される。本ステップでは、図７に示される第２ウィンドウＷ２内のうち、第２エッジＥ２とは反対側における接地電極１３と背景８０との境界が第３エッジＥ３として検出される。すなわち、第２ウィンドウＷ２内において、ｘ軸方向に画像の色の変化をモニタしていくと、図中の暗い部分（接地電極１３）が明るい部分（背景８０）に変化する境界が検出され、その境界の座標が取得される。

上記のようにして、第３エッジＥ３の座標検出が行われた後、第３エッジＥ３が検出されたか否かが判定される。すなわち、上記のようにして第３エッジＥ３の座標が取得されたか否かが判定される。本ステップにて第３エッジＥ３の座標が取得されていないと判定された場合、ステップ１０５に進む。一方、本ステップにて第３エッジＥ３の座標が取得されたと判定された場合、ステップ１０９に進む。

ステップ１０９では、第３ウィンドウが設定される。本ステップにおいて第３ウィンドウが画像中に設定される様子を図８に示す。図８は、図７と同様に、図５（ｃ）に示される照明パターンにて撮影された画像に第３ウィンドウＷ３を示したものである。図８に示されるように、第３ウィンドウＷ３は、上記ステップ１０４で検出されたボックスＢ１の座標に基づいて少なくとも貴金属チップ１４が含まれるよう、第１ウィンドウＷ１内に設定され、画像中に張られる。このような第３ウィンドウＷ３は、貴金属チップ１４と接地電極１３のチップ接合面１３ｃとのエッジ（境界）を検出するための検出範囲となるものである。

ステップ１１０では、第４エッジＥ４が検出されたか否かが判定される。本ステップでは、図８に示される第３ウィンドウＷ３内において、ｘ軸における原点側の接地電極１３のチップ接合面１３ｃと貴金属チップ１４との境界が第４エッジＥ４として検出される。すなわち、第３ウィンドウＷ３内において、ｘ軸方向に画像の色の変化をモニタしていくと、図中の暗い部分（チップ接合面１３ｃ）が明るい部分（貴金属チップ１４）に変化する境界が検出され、その境界の座標が取得される。

上記のようにして、第４エッジＥ４の座標検出が行われた後、第４エッジＥ４が検出されたか否かが判定される。すなわち、上記のようにして第４エッジＥ４の座標が取得されたか否かが判定される。本ステップにて第４エッジＥ４の座標が取得されていないと判定された場合、ステップ１１２に進む。一方、本ステップにて第４エッジＥ４の座標が取得されたと判定された場合、ステップ１１１に進む。

ステップ１１１では、第５エッジＥ５が検出されたか否かが判定される。本ステップでは、図８に示される第３ウィンドウＷ３内のうち、第４エッジＥ４とは反対側における貴金属チップ１４と接地電極１３のチップ接合面１３ｃとの境界が第５エッジＥ５として検出される。すなわち、第３ウィンドウＷ３内において、ｘ軸方向に画像の色の変化をモニタしていくと、図中の明るい部分（貴金属チップ１４）が暗い部分（チップ接合面１３ｃ）に変化する境界が検出され、その境界の座標が取得される。

上記のようにして、第５エッジＥ５の座標検出が行われた後、第５エッジＥ５が検出されたか否かが判定される。すなわち、上記のようにして第５エッジＥ５の座標が取得されたか否かが判定される。本ステップにて第５エッジＥ５の座標が取得されていないと判定された場合、ステップ１１２に進む。一方、本ステップにて第５エッジＥ５の座標が取得されたと判定された場合、図６−３に示されるステップ１１５に進む。

ステップ１１２では、第３ウィンドウＷ３内におけるエッジ検出が終了したか否かが判定される。すなわち、本ステップでは、エッジ誤検出防止のため、上記ステップ１１０、１１１において第４、第５エッジＥ４、Ｅ５の検出がそれぞれ終了したか否かが判定される。そして、第４、第５エッジＥ４、Ｅ５のうち、一方でも検出されない場合、エッジ検出は終了していないと判定され、ステップ１０９に戻り、再び第４、第５エッジＥ４、Ｅ５の検出が行われる。この場合、ステップ１０９に戻った回数がエッジリトライ回数としてカウントされる。一方、本ステップにて各エッジＥ４、Ｅ５の検出が終了したと判定されるとステップ１１３に進む。

ステップ１１３では、エッジリトライ回数上限超えか否かが判定される。すなわち、上記ステップ１１２にて各エッジＥ４、Ｅ５のうちいずれかまたは両方が検出されずに、ステップ１０９に戻ったエッジリトライ回数が上限としての所定回数（例えば５回）を超えたか否かが判定される。本ステップにて、エッジリトライ回数が所定回数を超えた場合、ステップ１０５に進む。一方、エッジリトライ回数が所定回数を超えていないと判定された場合、ステップ１１４に進む。

ステップ１１４では、エッジリトライ処理がなされる。このエッジリトライ処理とは、図７および図８に示される画像に対し、エッジレベルを下げることで白黒の濃淡レベルを上げて各部材の境界を検出しやすいようにするための処理である。画像に対しこの処理が施されると、ステップ１０９に戻り、再び第４、第５エッジＥ４、Ｅ５の検出が行われる。

ステップ１１１にて第５エッジＥ５が検出されたと判定されると、図６−３に示されるステップ１１５にて、第４ウィンドウが設定される。本ステップにおいて第４ウィンドウが画像中に設定される様子を図９に示す。図９は、図７および図８と同様に、図５（ｃ）に示される照明パターンにて撮影された画像に第４ウィンドウＷ４を設定した様子を示した図である。

図８に示されるように、第４ウィンドウＷ４は、上記ステップ１０４で検出されたボックスＢ１の座標に基づき画像のｙ軸方向において貴金属チップ１４と中心電極１２の先端面１２ａとの間に少なくともチップ接合面１３ｃが含まれるように設定され、画像中に張られる。このような第４ウィンドウＷ４は、接地電極１３のチップ接合面１３ｃと背景８０とのエッジ（境界）を検出するための検出範囲となるものである。

ステップ１１５では、第６エッジＥ６が検出されたか否かが判定される。本ステップでは、図９に示される第４ウィンドウＷ４内において、ｘ軸における原点側の背景８０と接地電極１３のチップ接合面１３ｃとの境界が第６エッジＥ６として検出される。すなわち、第４ウィンドウＷ４内において、ｘ軸方向に画像の色の変化をモニタしていくと、図中の明るい部分（背景８０）が暗い部分（チップ接合面１３ｃ）に変化する境界が検出され、その境界の座標が取得される。

上記のようにして、第６エッジＥ６の座標検出が行われた後、第６エッジＥ６が検出されたか否かが判定される。すなわち、上記のようにして第６エッジＥ６の座標が取得されたか否かが判定される。本ステップにて第６エッジＥ６の座標が取得されていないと判定された場合、ステップ１０５に進む。一方、本ステップにて第６エッジＥ６の座標が取得されたと判定された場合、ステップ１１７に進む。

ステップ１１７では、第７エッジＥ７が検出されたか否かが判定される。本ステップでは、図９に示される第４ウィンドウＷ４内のうち、接地電極１３において第６エッジＥ６とは反対側におけるチップ接合面１３ｃと背景８０との境界が第７エッジＥ７として検出される。すなわち、第４ウィンドウＷ４内において、ｘ軸方向に画像の色の変化をモニタしていくと、図中の暗い部分（チップ接合面１３ｃ）が明るい部分（背景８０）に変化する境界が検出され、その境界の座標が取得される。

上記のようにして、第７エッジＥ７の座標検出が行われた後、第７エッジＥ７が検出されたか否かが判定される。すなわち、上記のようにして第７エッジＥ７の座標が取得されたか否かが判定される。本ステップにて第７エッジＥ７の座標が取得されていないと判定された場合、ステップ１０５に進む。一方、本ステップにて第７エッジＥ７の座標が取得されたと判定された場合、ステップ１１８に進む。

ステップ１１８では、第５ウィンドウが設定される。本ステップにおいて第５ウィンドウが画像中に設定される様子を図１０に示す。図１０は、図７〜９と同様に、図５（ｃ）に示される照明パターンにて撮影された画像に第５ウィンドウＷ５を設定した様子を示した図である。

図１０に示されるように、第５ウィンドウＷ５は、上記ステップ１１６、１１７で検出された第６、第７エッジＥ６、Ｅ７の座標に基づいて少なくとも中心電極１２の先端面１２ａが含まれるように設定され、画像中に張られる。このような第５ウィンドウＷ５は、接地電極１３のチップ接合面１３ｃと中心電極１２とのエッジ（境界）を検出するための検出範囲となるものである。

ステップ１１９では、第８エッジＥ８が検出されたか否かが判定される。本ステップでは、図１０に示される第５ウィンドウＷ５内において、ｘ軸における原点側の接地電極１３のチップ接合面１３ｃと中心電極１２との境界が第８エッジＥ８として検出される。すなわち、第５ウィンドウＷ５内において、ｘ軸方向に画像の色の変化をモニタしていくと、図中の暗い部分（チップ接合面１３ｃ）が明るい部分（中心電極１２）に変化する境界が検出され、その境界の座標が取得される。

上記のようにして、第８エッジＥ８の座標検出が行われた後、第８エッジＥ８が検出されたか否かが判定される。すなわち、上記のようにして第８エッジＥ８の座標が取得されたか否かが判定される。本ステップにて第８エッジＥ８の座標が取得されていないと判定された場合、ステップ１２１に進む。一方、本ステップにて第８エッジＥ８の座標が取得されたと判定された場合、ステップ１２０に進む。

ステップ１２０では、第９エッジＥ９が検出されたか否かが判定される。本ステップでは、図１０に示される第５ウィンドウＷ５内のうち、第８エッジＥ８とは反対側における中心電極１２と接地電極１３のチップ接合面１３ｃとの境界が第９エッジＥ９として検出される。すなわち、第５ウィンドウＷ５内において、ｘ軸方向に画像の色の変化をモニタしていくと、図中の明るい部分（中心電極１２）が暗い部分（チップ接合面１３ｃ）に変化する境界が検出され、その境界の座標が取得される。

上記のようにして、第９エッジＥ９の座標検出が行われた後、第９エッジＥ９が検出されたか否かが判定される。すなわち、上記のようにして第９エッジＥ９の座標が取得されたか否かが判定される。本ステップにて第９エッジＥ９の座標が取得されていないと判定された場合、ステップ１２１に進む。一方、本ステップにて第９エッジＥ９の座標が取得されたと判定された場合、図６−４に示されるステップ１２４に進む。

ステップ１２１では、第５ウィンドウＷ５内におけるエッジ検出が終了したか否かが判定される。本ステップでは、ステップ１１２と同様の処理が第８、第９エッジＥ８、Ｅ９に対して行われる。そして、本ステップにてエッジ検出終了でないと判定されるとステップ１１８に戻り、再びエッジ検出が行われる。一方、本ステップにてエッジ検出終了と判定されると、ステップ１２２に進む。

ステップ１２２では、エッジリトライ回数上限超えか否かが判定される。本ステップでは、ステップ１１３と同様の処理が行われる。そして、本ステップにて、エッジリトライ回数が所定回数を超えた場合、ステップ１０５に進む。一方、本ステップにてエッジリトライ回数が所定回数を超えていないと判定された場合、ステップ１２３に進む。

ステップ１２３では、エッジリトライ処理がなされる。本ステップでは、ステップ１１４と同様の処理が行われる。なお、エッジレベルの変更値は、上記ステップ１１４と同じでも良いし、異なる値でも良い。本ステップにて画像に対しエッジリトライ処理が施されると、ステップ１１８に戻り、再び第８、第９エッジＥ８、Ｅ９の検出が行われる。

続いて、図６−４に示されるステップ１２４では、第６ウィンドウが設定されると共に、その第６ウィンドウ内に複数のエッジ検出ウィンドウが設定される。まず、本ステップでは、図５（ｂ）に示される照明パターンで得られた画像が用いられる。図１１は、図５（ｂ）に示される照明パターンで得られた画像に第６ウィンドウＷ６および第６ウィンドウＷ６内に複数のエッジ検出ウィンドウＷ６１〜Ｗ６５を設定した様子を示したものである。

図１１に示されるように、少なくとも接地電極１３の他端側において画像の原点側の側面１３ｆが含まれるように設定され、画像中に張られる。このような第６ウィンドウＷ６は、接地電極１３の他端側の側面１３ｆと背景８０とのエッジ（境界）を検出するための検出範囲となるものである。また、この第６ウィンドウＷ６は、ｙ軸方向に複数に分割されて複数のエッジ検出ウィンドウＷ６１〜Ｗ６５から構成されている。以上のように、第６ウィンドウＷ６および第６ウィンドウＷ６内に複数のエッジ検出ウィンドウＷ６１〜Ｗ６５が設定される。

ステップ１２５では、第１０エッジＥ１０が検出されたか否かが判定される。本ステップでは、図１１に示される複数のエッジ検出ウィンドウＷ６１〜Ｗ６５内において、ｘ軸における原点側の背景８０と接地電極１３の側面１３ｆとの境界が第１０エッジＥ１０として検出される。具体的には、各エッジ検出ウィンドウＷ６１〜Ｗ６５内において、ｘ軸方向に画像の色の変化をそれぞれモニタしていくと、図中の明るい部分（背景８０）が暗い部分（接地電極１３の側面１３ｆ）に変化する境界がそれぞれ検出され、その境界の座標がそれぞれ取得される。そして、本ステップでは、得られた複数の座標のうち、ｘ軸方向においてもっとも原点側の座標が第１０エッジＥ１０とされる。

上記のようにして、第１０エッジＥ１０の座標検出が行われた後、第１０エッジＥ１０の座標が取得されたか否かが判定される。本ステップにて第１０エッジＥ１０の座標が取得されていないと判定された場合、ステップ１２６に進む。一方、本ステップにて第１０エッジＥ１０の座標が取得されたと判定された場合、ステップ１２８に進む。

ステップ１２６では、エッジリトライ回数上限超えか否かが判定される。本ステップでは、ステップ１１３、１２１と同様の処理が行われる。そして、本ステップにて、エッジリトライ回数が所定回数を超えた場合、ステップ１０５に進む。一方、本ステップにてエッジリトライ回数が所定回数を超えていないと判定された場合、ステップ１２７に進む。

ステップ１２７では、エッジリトライ処理がなされる。本ステップでは、ステップ１１４、１２２と同様の処理が行われる。本ステップにて画像に対しエッジリトライ処理が施されると、ステップ１２４に戻り、再び第１０エッジＥ１０の検出が行われる。

ステップ１２８では、第７ウィンドウが設定されると共に、その第７ウィンドウ内に複数のエッジ検出ウィンドウが設定される。まず、本ステップでは、図５（ａ）に示される照明パターンで得られた画像が用いられる。図１２は、図５（ａ）に示される照明パターンで得られた画像に第７ウィンドウＷ７および第７ウィンドウＷ７内に複数のエッジ検出ウィンドウＷ７１〜Ｗ７５を設定した様子を示したものである。

図１２に示されるように、少なくとも接地電極１３の他端側において第１０エッジＥ１０が検出された側面１３ｆとは反対側の側面１３ｅが含まれるように設定され、画像中に張られる。このような第７ウィンドウＷ７は、接地電極１３の他端側の側面１３ｅと背景８０とのエッジ（境界）を検出するための検出範囲となるものである。また、この第７ウィンドウＷ７は、第６ウィンドウＷ６と同様に、ｙ軸方向に複数に分割されて複数のエッジ検出ウィンドウＷ７１〜Ｗ７５から構成されている。以上のように、第７ウィンドウＷ７および第７ウィンドウＷ７内に複数のエッジ検出ウィンドウＷ７１〜Ｗ７５が設定される。

ステップ１２９では、第１１エッジＥ１１が検出されたか否かが判定される。本ステップでは、図１２に示される複数のエッジ検出ウィンドウＷ７１〜Ｗ７５内において、接地電極１３に対して第１０エッジＥ１０とは反対側おける接地電極１３の側面１３ｅと背景８０との境界が第１１エッジＥ１１として検出される。具体的には、各エッジ検出ウィンドウＷ７１〜Ｗ７５内において、ｘ軸方向に画像の色の変化をそれぞれモニタしていくと、図中の暗い部分（接地電極１３）が明るい部分（背景８０）に変化する境界がそれぞれ検出され、その境界の座標がそれぞれ取得される。そして、本ステップでは、得られた複数の座標のうち、ｘ軸方向においてもっとも原点から遠い位置の座標が第１１エッジＥ１１とされる。

上記のようにして、第１１エッジＥ１１の座標検出が行われた後、第１１エッジＥ１１の座標が取得されたか否かが判定される。本ステップにて第１１エッジＥ１１の座標が取得されていないと判定された場合、ステップ１３０に進む。一方、本ステップにて第１１エッジＥ１１の座標が取得されたと判定された場合、図６−５に示されるステップ１３２に進む。

ステップ１３０では、エッジリトライ回数上限超えか否かが判定される。本ステップでは、ステップ１１３、１２１、１２６と同様の処理が行われる。そして、本ステップにて、エッジリトライ回数が所定回数を超えた場合、ステップ１０５に進む。一方、本ステップにてエッジリトライ回数が所定回数を超えていないと判定された場合、ステップ１３１に進む。

ステップ１３１では、エッジリトライ処理がなされる。本ステップでは、ステップ１１４、１２２、１２７と同様の処理が行われる。本ステップにて画像に対しエッジリトライ処理が施されると、ステップ１２８に戻り、再び第１１エッジＥ１１の検出が行われる。

そして、図６−５に示されるステップ１３２では、修正パンチ７１、７２の移動量が算出される。この修正パンチ７１、７２の移動量の算出のため、先に各軸線Ｚ１、Ｚ２のｘ座標がそれぞれ求められ、各軸線Ｚ１、Ｚ２のずれ量が求められる。

まず、貴金属チップ１４において貴金属チップ軸線Ｚ２は、第４、第５エッジＥ４、Ｅ５のｘ軸方向の座標により得られる。つまり、第４、第５エッジＥ４、Ｅ５の中間点が貴金属チップ軸線Ｚ２のｘ座標となる。一方、中心電極１２において中心電極軸線Ｚ１は、第８、第９エッジＥ８、Ｅ９のｘ軸方向の座標により得られる。つまり、第８、第９エッジＥ８、Ｅ９の中間点が中心電極軸線Ｚ１のｘ座標となる。こうして得られた各軸線Ｚ１、Ｚ２のｘ軸方向の座標から各軸練Ｚ１、Ｚ２のずれ量が得られる。

図１３は、上記各ステップによって得られた各軸線Ｚ１、Ｚ２を示したものである。この図に示されるように、ｙ軸方向に伸びる中心電極軸線Ｚ１に対して貴金属チップ軸線Ｚ２が同軸上にない状態になっている。そして、本ステップにて各軸線Ｚ１、Ｚ２のｘ軸方向におけるずれ量が上記のようにして求められるのである。なお、貴金属チップ軸線Ｚ２が中心電極軸線Ｚ１に対して原点側か否かに応じて、修正パンチ７１、７２のうちいずれかが駆動されるようになっている。

次に、修正パンチ７１、７２の接触座標が求められる。これは、原点から第１０エッジＥ１０までの座標（ステップ１２４、１２５）、もしくは原点から第１１エッジＥ１１までの座標（ステップ１２８、１２９）により得られる。

そして、各軸線Ｚ１、Ｚ２のずれ量、修正パンチ７１、７２の接触座標、そして接地電極１３が修正パンチ７１、７２により押し込まれたことによってスプリングバックする量を足し合わせたものが修正パンチ７１、７２の移動量として得られる。

ステップ１３３では、各軸線Ｚ１、Ｚ２のずれ量が上限以内か否かが判定される。すなわち、各軸線Ｚ１、Ｚ２のずれ量があまりにも大きい場合には、修正パンチ７１、７２による修正は出来ないと判定される。したがって、各軸線Ｚ１、Ｚ２のずれ量があらかじめ設定されたしきい値を超える場合、ステップ１０５に進む。一方、各軸線Ｚ１、Ｚ２のずれ量がしきい値を超えない場合、ステップ１３４に進む。

ステップ１３４では、偏芯修正規格内か否かが判定される。すなわち、各軸線Ｚ１、Ｚ２のずれ量が規格内か否かが判定される。修正パンチ７１、７２の移動量の規格はしきい値としてあらかじめ設定されており、修正パンチ７１、７２の移動量が規格内である場合、ステップ１３５に進む。一方、修正パンチ７１、７２の移動量が規格外である場合、ステップ１３６に進む。

ステップ１３５では、修正パンチ７１、７２の駆動を行わない旨の出力がなされる。すなわち、上記ステップ１３４にて各軸線Ｚ１、Ｚ２のずれ量が規格内であるので、偏芯修正加工工程を行わなくても良い旨が制御手段５０に出力される。そして、フローチャートは終了する。

ステップ１３６では、修正パンチ７１、７２の移動量の出力がなされる。すなわち、上記ステップ１３４にて各軸線Ｚ１、Ｚ２のずれ量が規格外であるので、偏芯修正加工工程を行う旨および修正パンチ７１、７２の移動量のデータが制御手段５０に出力される。そして、フローチャートは終了する。

以上のようにして、フローチャートが終了すると、他のワークが準備加工装置に設置され、接地電極１３の撮影および上記フローチャートが実行されることとなる。

次に、偏芯修正加工装置において、得られた修正パンチ７１、７２の移動量のデータに基づいて修正パンチ７１、７２を駆動し、接地電極１３に対する偏芯修正加工を行う方法について説明する。

まず、制御手段５０に修正パンチ７１、７２を駆動しない旨が入力される場合、そのワークに対して偏芯修正加工を行わない処理がなされる。

一方、修正パンチ７１、７２の移動量が入力される場合、制御手段５０には修正しきい値があらかじめ設定されており、この修正しきい値と上記準備加工装置にて得られた修正パンチ７１、７２の移動量とが比較される。この修正しきい値は、ワークの各軸線Ｚ１、Ｚ２のずれ量に応じて、接地電極１３の偏芯修正加工の方法を選択するためのものである。

本実施形態では、修正パンチ７１、７２の移動量が修正しきい値以下である場合、図１４に示される方法にて接地電極１３の偏芯修正加工がなされる。

具体的には、図１４（ａ）に示される工程では、貴金属チップ軸線Ｚ２が中心電極軸線Ｚ１を越えた位置になるように修正パンチ７１、７２のうち貴金属チップ軸線Ｚ２側に位置するものが駆動され、接地電極１３が加工される。本実施形態では、修正パンチ７１、７２は接地電極１３の他端側の直線部分に押し付けられ、第２直交方向Ｙに平行に駆動されることで接地電極１３が加工される。なお、接地電極１３に対する修正パンチ７１、７２の押し付け力は例えば５００〜２０００Ｎである。

続いて、図１４（ｂ）に示される工程では、修正パンチ７１、７２のうち図１４（ａ）の工程で用いられたものとは反対側に位置するもの、すなわち貴金属チップ軸線Ｚ２側に位置するものが駆動され、図１４（ａ）に示される工程において接地電極１３が加工された方向とは逆方向に接地電極１３が加工される。

そして、図１４（ｃ）に示されるように、中心電極１２から接地電極１３側を見たとき、貴金属チップ軸線Ｚ２が中心電極軸線Ｚ１と同軸上に配置される。こうして、偏芯修正加工は終了する。

一方、修正パンチ７１、７２の移動量が修正しきい値よりも大きい場合、図１５に示される方法にて接地電極１３の偏芯修正加工がなされる。すなわち、この方法では、各軸線Ｚ１、Ｚ２のずれ量が大きいため、１回目の偏芯修正加工にて貴金属チップ軸線Ｚ２が中心電極軸線Ｚ１に近づけられ、その後、微調整が行われる。

具体的には、図１５（ａ）に示される工程では、修正パンチ７１、７２のうち貴金属チップ軸線Ｚ２側に位置するものが駆動され、接地電極１３が加工されて貴金属チップ軸線Ｚ２が中心電極軸線Ｚ１に近づけられる。ここで、接地電極１３は、貴金属チップ軸線Ｚ２が中心電極軸線Ｚ１を越えないように加工される。

図１５（ｂ）に示される工程では、図１５（ａ）の工程と同様に、修正パンチ７１、７２のうち貴金属チップ軸線Ｚ２側のものが図１５（ａ）と同じ方向に駆動され、接地電極１３が加工される。

そして、図１５（ｃ）に示されるように、中心電極１２から接地電極１３側を見たとき、貴金属チップ軸線Ｚ２が中心電極軸線Ｚ１と同軸上に配置される。こうして、偏芯修正加工は終了する。

以上のように、複数回（本実施形態では二段階）に分けて接地電極１３を加工している。これにより、接地電極１３に対する加工精度を向上させている。

以上説明したように、本実施形態では、仮曲げされた接地電極１３の反チップ接合面１３ｄ、および接地電極１３において第２直交方向Ｙを向いた各面１３ｅ、１３ｆを各照明６１〜６３にて照明してカメラにて撮影するようにしている。これにより、反チップ接合面１３ｄのみならず、第２直交方向Ｙからワークが照明されるため、チップ接合面１３ｃや貴金属チップ１４、そして中心電極１２を照明することができる。

より具体的には、第１照明６１によって背景８０を明るく撮影することができる。また、第２、第３照明６２、６３によって貴金属チップ１４や中心電極１２、そして接地電極１３において第２直交方向Ｙを向いた各部分をそれぞれ鮮明に撮影することができる。

したがって、貴金属チップ１４や中心電極１２が接地電極１３の影に隠れずに済むため、各部材の境界を確実に撮影することができる。これにより、各部材の寸法測定を精度良く行うことができるため、各軸線Ｚ１、Ｚ２の正確な位置を得ることができ、偏芯修正工程における加工精度を上げることができる。

また、上記各照明６１〜６３においては、第１、第２照明６１、６２を点灯させ、第３照明６３を第１、第２照明６１、６２よりも暗くさせた場合、撮影された画像において、接地電極１３において第３照明６３に対向する面１３ｅと背景８０との境界をより鮮明にさせることができる。同様に、第１、第３照明６１、６３を点灯させ、第２照明６２を第１、第３照明６１、６３よりも暗くさせた場合、撮影された画像において、接地電極１３において第２照明６２に対向する面１３ｆと背景８０との境界をより鮮明にさせることができる。また、すべての照明６１〜６３を点灯させた場合、中心電極１２および貴金属チップ１４において第２、第３照明６２、６３に対向する側と接地電極１３のチップ接合面１３ｃとの境界を鮮明にさせることができる。

そして、撮影された画像中に複数のウィンドウを設定し、ウィンドウ内において各部材の境界や各部材と背景との境界の座標をそれぞれ取得することができる。

また、各軸線Ｚ１、Ｚ２のずれ量を用いて修正パンチ７１、７２の移動量を求め、この移動量に基づいて修正パンチ７１、７２を駆動して接地電極１３を加工するようにしている。これにより、第１直交方向Ｘにおいて中心電極１２から接地電極１３側を見たとき、中心電極軸線Ｚ１と貴金属チップ軸線Ｚ２とを同軸上に配置するようにすることができる。

修正パンチ７１、７２の具体的な駆動方法としては、各軸線Ｚ１、Ｚ２のずれ量が大きい場合には、１回目の加工で貴金属チップ軸線Ｚ２を中心電極軸線Ｚ１に近づけ、２回目の加工で各軸線Ｚ１、Ｚ２を同軸上に配置させるようにすることができる。一方、各軸線Ｚ１、Ｚ２のずれ量が小さい場合には、１回目の加工で貴金属チップ軸線Ｚ２が中心電極軸線Ｚ１を越えるように接地電極１３を加工し、２回目の加工で各軸線Ｚ１、Ｚ２を同軸上に配置するようにすることができる。このようにして、修正パンチ７１、７２の移動量の大きさによって修正パンチ７１、７２の駆動方法を選択することで、接地電極１３に対する加工精度を向上させることができる。

（他の実施形態）
上記実施形態において示される各装置は一例を示すものであって、構成等がこれに限定されるものではない。また、図６−１〜図６−５に示されるフローチャートは一例を示すものであって、これに限定されるものではない。

上記実施形態では、画像処理手段４０にて修正パンチ７１、７２の移動量を求めるようにしているが、画像処理手段４０では各軸線Ｚ１、Ｚ２や接地電極１３の各部分の座標のみを取得してその情報を制御手段５０に出力するようにし、制御手段５０にて各軸線Ｚ１、Ｚ２のずれ量や修正パンチ７１、７２の移動量を求めるようにしても構わない。

また、修正パンチ７１、７２を接地電極１３に押し付ける場所、および方向は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、修正パンチ７１、７２を接地電極１３の他端側の端面近傍のみを押し付けるようにすることも可能である。

上記実施形態では、修正パンチ７１、７２を二段階に分けて加工しているが、加工回数はこれに限定されるものではない。また、修正しきい値は、装置のユーザによって自由に設定できるようになっている。

また、上記フローチャートにおいて、ステップ１２４、１２８にて第６、第７ウィンドウＷ６、Ｗ７内にそれぞれ複数のウィンドウＷ６１〜Ｗ６５、Ｗ７１〜Ｗ７５を設定しているが、この複数のウィンドウの数は、いくつでも構わない。より多く設定することで、検出精度を向上させることができる。

なお、各図中に示したステップは、各種処理を実行する手段に対応するものである。

本発明の製造方法により製造されるスパークプラグを半断面で示す正面図である。 偏芯修正を行う前の準備段階で用いる準備加工装置を示す模式的な正面図である。 図２に示されるカメラの配置を示す模式的な平面図である。 偏芯修正加工装置の模式図である。 各照明の照明パターンと各照明パターンに応じて撮影される画像において接地電極のコントラストを模式的に示した図である。 中心電極軸線と貴金属チップ軸線とをずれ量を求め、そのずれ量に応じた修正パンチの移動量を求める内容を示したフローチャートである。 図６−１に続くフローチャートである。 図６−２に続くフローチャートである。 図６−３に続くフローチャートである。 図６−４に続くフローチャートである。 図５（ｃ）に示される照明パターンで得られた画像にウィンドウを設定した様子を示した図である。 図５（ｃ）に示される照明パターンにて撮影された画像に第３ウィンドウを設定した様子を示した図である。 図５（ｃ）に示される照明パターンにて撮影された画像に第４ウィンドウを設定した様子を示した図である。 図５（ｃ）に示される照明パターンにて撮影された画像に第５ウィンドウを設定した様子を示した図である。 図５（ｂ）に示される照明パターンで得られた画像に第６ウィンドウおよび第６ウィンドウ内に複数のエッジ検出ウィンドウを設定した様子を示した図である。 図５（ａ）に示される照明パターンで得られた画像に第７ウィンドウおよび第７ウィンドウ内に複数のエッジ検出ウィンドウを設定した様子を示した図である。 中心電極軸線および貴金属チップ軸線をそれぞれ示した図である。 偏芯修正加工方法の一例を示した図である。 偏芯修正加工方法の一例を示した図である。

符号の説明

１０…ハウジング、１０ａ…一端面、１２…中心電極、１２ａ…先端面、
１３…接地電極、１３ｃ…チップ接合面、１３ｄ…反チップ接合面、
１４…貴金属チップ、３０…カメラ、６１〜６３…第１〜第３照明、
７１、７２…修正パンチ、８０…背景、Ｘ…第１直交方向、Ｙ…第２直交方向、
Ｗ１〜Ｗ７…ウィンドウ、Ｚ１…中心電極軸線、Ｚ２…貴金属チップ軸線。

Claims (5)

1. ハウジング（１０）の内部に柱状の中心電極（１２）が絶縁保持され、前記ハウジングの一端面（１０ａ）に接地電極（１３）の一端が接合され、前記接地電極の他端に柱状の貴金属チップ（１４）が接合され、前記接地電極は仮曲げ前の時点では前記中心電極の軸線（Ｚ１）方向に伸びる直線状の板部材であり、前記接地電極の他端側が前記中心電極軸線に対して略直交する角度まで仮曲げされて、前記貴金属チップが前記中心電極の先端面（１２ａ）に対して対向配置されるスパークプラグの製造方法であって、
   前記接地電極において、前記貴金属チップが接合された面をチップ接合面（１３ｃ）とすると共に、前記チップ接合面とは反対側の面を反チップ接合面（１３ｄ）とし、
   前記中心電極軸線に垂直、かつ、前記中心電極および接地電極を貫く方向を第１直交方向（Ｘ）とすると共に、前記中心電極軸線および前記第１直交方向に垂直な方向を第２直交方向（Ｙ）とし、
   前記貴金属チップにおいて前記接地電極に対する接合方向に平行な軸を貴金属チップ軸線（Ｚ２）とすると、
   前記仮曲げされた接地電極の反チップ接合面のうち前記中心電極軸線方向に伸びる面、および前記接地電極のうち前記第２直交方向を向いた二面を少なくとも照明する複数の照明手段（６１〜６３）を用いて、前記第１直交方向上に配置される撮影手段（３０）によって前記中心電極および前記貴金属チップ近傍を撮影する工程と、
   前記撮影手段にて撮影された画像に基づき、前記中心電極から前記接地電極側を見たとき、前記中心電極軸線と前記貴金属チップ軸線との第２直交方向におけるずれ量を求める工程と、
   前記ずれ量に基づいて前記接地電極に対する偏芯修正加工を行う工程と、を含んでおり、
   前記中心電極および前記貴金属チップ近傍を撮影する工程では、前記反チップ接合面に対向する位置に配置される第１照明（６１）と、前記第２直交方向に配置されると共に、ワークに対してそれぞれ対向するように配置される第２照明（６２）および第３照明（６３）と、を備えた照明手段を用いることを特徴とするスパークプラグの製造方法。
2. 前記中心電極および前記貴金属チップ近傍を撮影する工程では、
   前記第１照明および前記第２照明を点灯させ、前記第３照明を前記第１照明および前記第２照明よりも暗くさせた状態で、前記撮影手段にて前記中心電極および前記貴金属チップ近傍を撮影する工程と、
   前記第１照明および前記第３照明を点灯させ、前記第２照明を前記第１照明および前記第３照明よりも暗くさせた状態で、前記撮影手段にて前記中心電極および前記貴金属チップ近傍を撮影する工程と、
   前記第１照明、前記第２照明、および前記第３照明をすべて点灯させた状態で前記撮影手段にて前記中心電極および前記貴金属チップ近傍を撮影する工程と、を含んでいることを特徴とする請求項１に記載のスパークプラグの製造方法。
3. 前記ずれ量を求める工程では、前記画像中に複数のウィンドウ（Ｗ１〜Ｗ７）を設け、これらウィンドウ内において各部材の境界もしくは各部材と背景（８０）との境界の座標をそれぞれ取得することを特徴とする請求項１または２に記載のスパークプラグの製造方法。
4. 前記偏芯修正加工を行う工程では、前記接地電極のうち前記第２直交方向を向いた各面を押し付ける修正パンチ（７１、７２）の移動量を前記ずれ量を用いて求め、この移動量に基づいて前記修正パンチを駆動することにより前記接地電極に対する偏芯修正加工を行うことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載のスパークプラグの製造方法。
5. 前記偏芯修正加工を行う工程では、前記修正パンチの移動量には修正しきい値が設けられており、
   前記修正パンチの移動量が修正しきい値よりも大きい場合、前記修正パンチのうち前記貴金属チップ軸線側に位置するものを駆動して、前記第２直交方向において前記貴金属チップ軸線が前記中心電極軸線を越えないように前記接地電極を加工して前記貴金属チップ軸線を前記中心電極軸線に近づける工程と、前記修正パンチのうち前記貴金属チップ軸線側のものを前回と同じ方向に駆動して、前記貴金属チップ軸線が前記中心電極軸線と同軸上に配置されるように前記接地電極を加工する工程と、を含んでおり、
   前記修正パンチの移動量が修正しきい値以下である場合、前記修正パンチのうち前記貴金属チップ軸線側に位置するものを駆動して、前記第２直交方向において前記貴金属チップ軸線が前記中心電極軸線を越えるように前記接地電極を加工する工程と、前記修正パンチのうち前記貴金属チップ軸線側のものを前回とは逆方向に駆動して、前記貴金属チップ軸線が前記中心電極軸線と同軸上に配置されるように前記接地電極を加工する工程と、を含んでいることを特徴とする請求項４に記載のスパークプラグの製造方法。

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