JP4505545B1 - 回路基板及び電子デバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板1と、導体3とを含んでおり、導体3は、金属または合金でなり、基板1に設けられ、少なくとも基板1と対面する領域に、等軸晶31の領域を有する。この構造によれば、基板1と対面する領域で、導体3の等軸晶組織による等方性が得られるため、導体3の亀裂、絶縁膜の破壊及び基板1のクラックなどの発生が抑制される。
【選択図】図2
Description
めっき技術に代わるものとして、特許文献1は、微細空間を持つシリコン基板を、真空圧に減圧した真空チャンバー内で溶融金属槽に挿入し、シリコン基板が溶融金属とほぼ同じ温度に達した後、真空チャンバー内を例えば大気圧以上に加圧して、溶融金属を微細空間に充填する技術を開示している。
図1を参照すると、導体3は、金属または合金でなり、基板1の一面からその厚み方向に延びる微細空間30の内部に充填されている。導体3の一端側は、微細空間30の底部を閉じる底部層2の表面と向き合っている。底部層2は、導体であってもよいし、絶縁体であってもよいし、半導体であってもよい。この明細書では、底部層2は、薄膜導体であるとして説明する。
(a)溶融加工条件を制御し、接種剤を用いる。
(b)機械的振動または超音波振動を与えて、動的な結晶微細化を誘発する。
本発明は、更に、多層回路基板にも適用できる。図15及び図16に図示された多層回路基板は、任意数の回路基板A1〜A6を、順次に積層した構造となっている。そのうちの少なくとも1層は、薄膜導体でなる底部層2、導体3及び下地層4を含む構造を採用する。底部層2は、基板1の一面に所定のパターンで設けられた平面状の導体膜であり、導体3は、基板1の厚み方向に設けられた微細空間内に充填されている。
実施形態では、底部層2は、回路基板A1〜A6のそれぞれの一面に形成されている。また、底部層2のいくつかは、隣接する複数の導体3にまたがって配置されている。
本発明に係る電子デバイスには、センサーモジュル、光電気モジュール、ユニポーラトランジスタ、MOS FET、CMOS FET、メモリーセル、FC(Field Complementary)のチップ、もしくは、それらの集積回路部品(IC)、各種スケールのLSI、MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory)、MEMS (Micro Electro Mechanical Systems)、光デバイス、光デバイス、太陽電池、または、ELディスプレイ、液晶ディスプレイもしくはプラズマディスプレイなど、凡そ、電子回路を機能要素とするほとんどのものが含まれ得る。
2 底部層
3 導体
4 下地層
Claims (4)
- 基板と、導体とを含む回路基板であって、
前記導体は、金属または合金の溶融凝固体でなり、前記基板に設けられ、少なくとも前記基板と対面する領域に、等軸晶領域を有し、前記溶融凝固体中に、接種剤たるビスマス(Bi)及びガリウム(Ga)が含まれている、
回路基板。 - 請求項1に記載された回路基板であって、
前記基板は、孔を有しており、
前記導体は、前記孔の内部に充填され、少なくとも前記孔の内面と対面する領域に、等軸晶領域を有する、
回路基板。 - 請求項1又は2に記載された回路基板であって、
前記導体は、Inを含む、
回路基板。 - 回路基板を含む電子デバイスであって、
前記回路基板は、請求項1乃至3の何れかに記載されたものを含む、
電子デバイス。
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