CN112802821B - 一种双面多层布线的铝基转接板及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种双面多层布线的铝基转接板，包括铝硅基板、薄膜布线绝缘层、BCB薄膜布线层、第三薄膜金属布线层及LCP基板，BCB薄膜布线层及LCP基板分别设置于铝硅基板的两侧，采用高导热铝硅材料作为转接板衬底，将BCB薄膜布线层与LCP基板进行集成，可同时实现正面高密度布线与反面的射频微波传输功能，并利用垂直互连通柱实现信号的上下传输，并于金属基铝硅高导热衬底上设置基板埋置腔，用于贴装LCP基板，可实现射频微波的散热与自屏蔽功能，适用于各种复杂系统的多功能的多层布线转接板制作。

Description

一种双面多层布线的铝基转接板及其制备方法
技术领域
本发明属于微电子封装领域，尤其涉及一种双面多层布线的铝基转接板及其制备方法。
背景技术
随着电子产品向小型化，高性能、高可靠等方向发展，系统集成度也日益提高。特别是航空航天领域以及民用电子产品对系统集成的需求更加迫切。由于半导体特征尺寸变得越来越小，达到了其物理极限，因此人们将研究的焦点转向了封装设计小型化、功能多样化以及材料的创新的微系统上，即超出摩尔定律之外的后摩尔时代(More than Moore)。以TSV为核心的2.5D/3D集成技术已经被广泛认为是未来高密度封装领域的主导技术，是突破摩尔定律的有效途径。
与传统的2D封装相比，基于TSV转接板的2.5D封装使多个芯片在转接
板上直接实现互连，大大缩短了走线长度，降低了信号延迟与损耗，其相对带宽可达传统封装的8～50倍。此外，转接板还需具备较低热膨胀系数，高电互连密度，高刚度以及低介电常数等。目前，常见的转接板主要有共烧陶瓷转接板、有机材料转接板、带硅通孔(TSV)转接板与玻璃基转接板。
共烧陶瓷转接板在金属布线中受工艺限制，其线宽线距较大，无法满足高密度封装结构的设计要求。而有机材料转接板的热膨胀系数(CTE)与芯片CTE差别大，容易产生热失配并形成翘曲，严重影响封装体的可靠性和电性能。
TSV转接板可以实现微米级线宽和线间距的金属布线，可应用于高密度封装结构中，其制造过程为：首先在硅晶圆正面采用干法刻蚀(DRIE)或者激光加工等方法制作深宽比为5:1至10:1的硅通孔，然后再采用电镀或填充等方法将硅通孔金属化，接着从硅晶圆背面减薄至几十微米，最后根据三维封装设计需求在TSV表面进行薄膜布线和植球。由于TSV转接板制造技术面临着很多技术挑战，而且其工艺复杂，包括硅通孔刻蚀、硅通孔填充、化学机械研磨、晶圆临时键合与减薄等，导致其成本过高，效率低下，还不能大规模生产。
对于玻璃基转接板的制造流程与TSV转接板的类似，包括通孔制作、填充、减薄及金属布线，其主要区别是在玻璃上制作通孔难度很大。目前，主要采用DRIE和激光加工两种方法进行通孔的加工，前者不仅刻蚀速率很低，而且无法实现大高宽比，玻璃脆性大，而且还需要通孔填充，实现难度大。因此，玻璃基转接板同样面临着成本过高、效率低等问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种双面多层布线的铝基转接板及其制备方法，可同时实现正面高密度布线与反面的射频微波传输功能，并利用垂直互连通柱实现信号的上下传输，并且采用金属基AlSi高导热衬底进行基板埋置腔，可实现射频微波的散热与自屏蔽功能，满足微系统等小型化、多功能、高可靠集成需求。
为解决上述问题，本发明的技术方案为：
一种双面多层布线的铝基转接板，包括铝硅基板、薄膜布线绝缘层、BCB薄膜布线层、第三薄膜金属布线层及LCP基板；
所述铝硅基板包括相对的第一表面和第二表面，所述铝硅基板电气互连的位置处加工有若干通柱，所述通柱与所述铝硅基板之间具有将所述通柱与所述铝硅基板隔离的环形通槽，所述环形通槽的两侧壁及所述通柱的上表面沉积有金属附着层，所述环形通槽内填充有绝缘介质，所述铝硅基板的第二表面上开设有基板埋置腔；
所述薄膜布线绝缘层覆于所述铝硅基板的第一表面上；
所述BCB薄膜布线层包括第一薄膜金属布线层、BCB介质层及第二薄膜金属布线层，所述第一薄膜金属布线层设置于所述薄膜布线绝缘层及所述通柱上表面的所述金属附着层上，所述BCB介质层设置于所述第一薄膜金属布线层上，所述第二薄膜金属布线层设置于所述BCB介质层上；
所述第三薄膜金属布线层设置于所述铝硅基板的第二表面上；
所述LCP基板容置于所述基板埋置腔内，所述LCP基板包括LCP粘结片、LCP介质层及铜膜布线层，所述LCP粘结片粘接于所述基板埋置腔的底面，所述LCP介质层贴于所述LCP粘结片上，所述铜膜布线层覆于所述LCP介质层上。
优选地，所述通柱及所述基板埋置腔均采用紫外激光加工而成。
优选地，所述第一薄膜金属布线层及所述第三薄膜金属布线层为Cr/Cu或Ti/Cu或TiW/Cu。
优选地，所述第二薄膜金属布线层为Ti/Pt/Au或TiW/Pt/Au或Cr/Pd/Au或Ti/Pd/Au或TiW/Pd/Au。
优选地，所述LCP基板的厚度较所述基板埋置腔的深度小250μm～500μm。
优选地，所述金属附着层为Ta/Al，所述薄膜布线绝缘层为Ta2O5/Al2O5。
优选地，所述LCP粘结片的尺寸面积较所述LCP基板的尺寸面积小85％～90％。
基于相同的发明构思，本发明还提供了一种双面多层布线的铝基转接板的制备方法，包括如下步骤：
S1：提供一铝硅基板，所述铝硅基板包括相对的第一表面和第二表面，采用激光垂直通孔技术于所述铝硅基板的第一表面开设若干用于电气互连的通柱及环绕所述通柱的环形凹槽，采用激光垂直通孔技术于所述铝硅基板的第二表面开设基板埋置腔；
S2：于所述铝硅基板的第一表面、所述通柱的上表面及所述环形凹槽的侧壁上薄膜沉积金属附着层，于所述环形凹槽内填充绝缘介质，并进行固化；
S3：将所述铝硅基板的第二表面进行减薄抛光，直至所述通柱的下表面露出；
S4：将所述铝硅基板的第一表面上的金属附着层进行阳极氧化，形成薄膜布线绝缘层；
S5：采用剥离工艺于所述薄膜布线绝缘层及所述通柱上表面的金属附着层上制作第一薄膜金属布线层，采用剥离工艺于所述铝硅基板的第二表面上制作第三薄膜金属布线层；
S6：于所述第一薄膜金属布线层上涂覆BCB介质层，光刻形成介质层通孔；
S7：采用剥离工艺于所述BCB介质层上制作第二薄膜金属布线层；
S8：取一单面覆铜LCP基板，采用光刻湿法腐蚀工艺于所述LCP基板的覆铜面制作铜膜布线层；
S9：取一LCP粘结片贴装于所述基板埋置腔的底面上，于所述LCP粘结片上依次贴装LCP介质层及铜膜布线层，并采用键合工装进行热压键合，制得所述双面多层布线的铝基转接板。
本发明由于采用以上技术方案，使其与现有技术相比具有以下的优点和积极效果：
1)本发明提供了一种双面多层布线的铝基转接板，包括铝硅基板、薄膜布线绝缘层、BCB薄膜布线层、第三薄膜金属布线层及LCP基板，采用高导热铝硅材料作为转接板衬底，将BCB薄膜布线层与LCP基板进行集成，可同时实现正面高密度布线与反面的射频微波传输功能，并利用垂直互连通柱实现信号的上下传输，并于金属基铝硅高导热衬底上设置基板埋置腔，用于贴装LCP基板，可实现射频微波的散热与自屏蔽功能，适用于各种复杂系统的多功能的多层布线转接板制作。
附图说明
图1为本发明实施例一提供的一种双面多层布线的铝基转接板的结构示意图；
图2为本发明实施例二提供的一种双面多层布线的铝基转接板的制备方法的步骤图；
图3a至图3h为本发明实施例二提供的一种双面多层布线的铝基转接板的制备方法的流程示意图。
附图标记说明：
1：铝硅基板；11：通柱；12：环形通槽；13：基板埋置腔；2：薄膜布线绝缘层；3：BCB薄膜布线层；31：第一薄膜金属布线层；32：BCB介质层；33：第二薄膜金属布线层；4：第三薄膜金属布线层；5：LCP基板；51：LCP粘结片；52：LCP介质层；53：铜膜布线层；6：金属附着层；7：绝缘介质。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明提出的一种双面多层布线的铝基转接板及其制备方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。
实施例一
参看图1、图3a至图3h所示，本发明提供了一种双面多层布线的铝基转接板，包括铝硅基板1、薄膜布线绝缘层2、BCB薄膜布线层3、第三薄膜金属布线层4及LCP基板5；
铝硅基板1包括相对的第一表面和第二表面，参看图3a所示，铝硅基板1电气互连的位置处加工有若干通柱11，通柱11与铝硅基板1之间具有将通柱11与铝硅基板1隔离的环形通槽12，环形通槽12的两侧壁及通柱11的上表面沉积有金属附着层6，环形通槽12内填充有绝缘介质7，铝硅基板1的第二表面上开设有基板埋置腔13，在本实施例中，通柱11及基板埋置腔13均采用紫外激光加工而成，金属附着层6的材质优选为Ta/Al，绝缘介质7可以为BCB介质膜，也可以是玻璃浆料；
薄膜布线绝缘层2覆于铝硅基板1的第一表面上，在本实施例中，薄膜布线绝缘层2的材质选为为Ta2O5/Al2O5；
BCB薄膜布线层3包括第一薄膜金属布线层31、BCB介质层32及第二薄膜金属布线层33，第一薄膜金属布线层31设置于薄膜布线绝缘层2及通柱11上表面的金属附着层6上，BCB介质层32设置于第一薄膜金属布线层31上，第二薄膜金属布线层33设置于BCB介质层32上，在本实施例中，第一薄膜金属布线层31的材质选为Cr/Cu或Ti/Cu或TiW/Cu；第二薄膜金属布线层33的材质选为Ti/Pt/Au或TiW/Pt/Au或Cr/Pd/Au或Ti/Pd/Au或TiW/Pd/Au；
第三薄膜金属布线层4设置于铝硅基板1的第二表面上，在本实施例中，第三薄膜金属布线层4的材质优选为Cr/Cu或Ti/Cu或TiW/Cu；
LCP基板5容置于基板埋置腔13内，LCP基板5包括LCP粘结片51、LCP介质层52及铜膜布线层53，LCP粘结片51粘接于基板埋置腔13的底面，LCP介质层52贴于LCP粘结片51上，铜膜布线层53覆于LCP介质层52上，在本实施例中，LCP基板5采用单面覆铜板，LCP基板5的厚度较基板埋置腔13的深度小250μm～500μm，LCP粘结片51的尺寸面积较LCP基板5的尺寸面积小85％～90％。
本实施例提出了一种双面多层布线的铝基转接板，包括铝硅基板1、薄膜布线绝缘层2、BCB薄膜布线层3、第三薄膜金属布线层4及LCP基板5，本实施例提供的一种双面多层布线的铝基转接板，将BCB薄膜布线层3与LCP基板5进行集成，可同时实现正面高密度布线与反面的射频微波传输功能，并利用垂直互连通柱实现信号的上下传输，并在金属基AlSi高导热衬底上开设基板埋置腔13，讲LCP基板5贴装于基板埋置腔13内，可实现射频微波的散热与自屏蔽功能，满足微系统等小型化、多功能、高可靠集成需求。
实施例二
基于相同的发明构思，参看图2、图3a至图3h所示，本实施例还提供了一种双面多层布线的铝基转接板的制备方法，包括如下步骤：
S1：提供一铝硅基板1，参看图3a所示，铝硅基板1包括相对的第一表面和第二表面，采用激光垂直通孔技术于铝硅基板1的第一表面开设若干用于电气互连的通柱11及环绕通柱11的环形凹槽12，采用激光垂直通孔技术于铝硅基板1的第二表面开设基板埋置腔13；
S2：参看图3b所示，将铝硅基板1进行正面减薄抛光与清洗处理，于铝硅基板1的第一表面、通柱11的上表面及环形凹槽12的侧壁上薄膜沉积金属附着层6，再于环形凹槽12内填充绝缘介质7，并进行固化，在本实施例中，金属附着层6的材质优选为Ta/Al，绝缘介质7可以为BCB介质膜，也可以是玻璃浆料；
S3：参看图3c所示，将铝硅基板1的第二表面进行减薄抛光与清洗处理，直至通柱11的下表面露出；
S4：然后于铝硅基板1的第一表面上采用选择性阳极氧化工艺将金属附着层6除通柱11以外的位置进行阳极氧化，形成薄膜布线绝缘层2；
S5：参看图3d所示，采用剥离工艺(即lift-off工艺)于薄膜布线绝缘层2及通柱11上表面的金属附着层6上制作第一薄膜金属布线层31，采用lift-off工艺于铝硅基板1的第二表面上制作第三薄膜金属布线层4，在本实施例中，第一薄膜金属布线层31和第三薄膜金属布线层4的材质选为Cr/Cu或Ti/Cu或TiW/Cu；
S6：参看图3e所示，于第一薄膜金属布线层31上涂覆光敏BCB介质层32，光刻形成介质层通孔；
S7：参看图3f所示，采用lift-off工艺于BCB介质层32上制作第二薄膜金属布线层33；
S8：参看图3g所示，取一单面覆铜LCP基板，包括LCP介质层52及覆于LCP介质层52上的覆铜面，采用光刻湿法腐蚀工艺于所述LCP基板的覆铜面制作铜膜布线层53；
S9：参看图3h所示，取一LCP粘结片51贴装于基板埋置腔13的底面上，于LCP粘结片51上依次贴装LCP介质层52及铜膜布线层53，并采用键合工装进行热压键合，制得双面多层布线的铝基转接板。
上面结合附图对本发明的实施方式作了详细说明，但是本发明并不限于上述实施方式。即使对本发明作出各种变化，倘若这些变化属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则仍落入在本发明的保护范围之中。

Claims (8)

1.一种双面多层布线的铝基转接板，其特征在于，包括铝硅基板、薄膜布线绝缘层、BCB薄膜布线层、第三薄膜金属布线层及LCP基板；
所述铝硅基板包括相对的第一表面和第二表面，所述铝硅基板电气互连的位置处加工有若干通柱，所述通柱与所述铝硅基板之间具有将所述通柱与所述铝硅基板隔离的环形通槽，所述环形通槽的两侧壁及所述通柱的上表面沉积有金属附着层，所述环形通槽内填充有绝缘介质，所述铝硅基板的第二表面上开设有基板埋置腔；
所述薄膜布线绝缘层覆于所述铝硅基板的第一表面上；
所述BCB薄膜布线层包括第一薄膜金属布线层、BCB介质层及第二薄膜金属布线层，所述第一薄膜金属布线层设置于所述薄膜布线绝缘层及所述通柱上表面的所述金属附着层上，所述BCB介质层设置于所述第一薄膜金属布线层上，所述第二薄膜金属布线层设置于所述BCB介质层上；
所述第三薄膜金属布线层设置于所述铝硅基板的第二表面上；
所述LCP基板容置于所述基板埋置腔内，所述LCP基板包括LCP粘结片、LCP介质层及铜膜布线层，所述LCP粘结片粘接于所述基板埋置腔的底面，所述LCP介质层贴于所述LCP粘结片上，所述铜膜布线层覆于所述LCP介质层上。
2.根据权利要求1所述的双面多层布线的铝基转接板，其特征在于，所述通柱及所述基板埋置腔均采用紫外激光加工而成。
3.根据权利要求1所述的双面多层布线的铝基转接板，其特征在于，所述第一薄膜金属布线层及所述第三薄膜金属布线层为Cr/Cu或Ti/Cu或TiW/Cu。
4.根据权利要求1所述的双面多层布线的铝基转接板，其特征在于，所述第二薄膜金属布线层为Ti/Pt/Au或TiW/Pt/Au或Cr/Pd/Au或Ti/Pd/Au或TiW/Pd/Au。
5.根据权利要求1所述的双面多层布线的铝基转接板，其特征在于，所述LCP基板的厚度较所述基板埋置腔的深度小250μm～500μm。
6.根据权利要求1所述的双面多层布线的铝基转接板，其特征在于，所述金属附着层为Ta/Al，所述薄膜布线绝缘层为Ta2O5/Al2O5。
7.根据权利要求1所述的双面多层布线的铝基转接板，其特征在于，所述LCP粘结片的尺寸面积较所述LCP基板的尺寸面积小85％～90％。
8.一种双面多层布线的铝基转接板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1：提供一铝硅基板，所述铝硅基板包括相对的第一表面和第二表面，采用激光垂直通孔技术于所述铝硅基板的第一表面开设若干用于电气互连的通柱及环绕所述通柱的环形凹槽，采用激光垂直通孔技术于所述铝硅基板的第二表面开设基板埋置腔；
S2：于所述铝硅基板的第一表面、所述通柱的上表面及所述环形凹槽的侧壁上薄膜沉积金属附着层，于所述环形凹槽内填充绝缘介质，并进行固化；
S3：将所述铝硅基板的第二表面进行减薄抛光，直至所述通柱的下表面露出；
S4：将所述铝硅基板的第一表面上的金属附着层进行阳极氧化，形成薄膜布线绝缘层；
S5：采用剥离工艺于所述薄膜布线绝缘层及所述通柱上表面的金属附着层上制作第一薄膜金属布线层，采用剥离工艺于所述铝硅基板的第二表面上制作第三薄膜金属布线层；
S6：于所述第一薄膜金属布线层上涂覆BCB介质层，光刻形成介质层通孔；
S7：采用剥离工艺于所述BCB介质层上制作第二薄膜金属布线层；
S8：取一单面覆铜LCP基板，采用光刻湿法腐蚀工艺于所述LCP基板的覆铜面制作铜膜布线层；
S9：取一LCP粘结片贴装于所述基板埋置腔的底面上，于所述LCP粘结片上依次贴装LCP介质层及铜膜布线层，并采用键合工装进行热压键合，制得所述双面多层布线的铝基转接板。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN102723306B (zh) * 2012-06-28 2014-10-08 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构及其制作方法
CN105118815B (zh) * 2015-08-13 2017-09-29 上海航天电子通讯设备研究所 一种基于铝基板的三维封装用垂直互连结构及其制备方法
CN111081674B (zh) * 2020-01-02 2022-02-18 上海航天电子通讯设备研究所 一种高硅铝合金转接板及其制备方法

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