JP4474770B2 - 電気光学装置および電子機器 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一対の基板によって電気光学物質が保持された電気光学装置、およびこの電気光学装置を用いた電子機器に関するものである。さらに詳しくは、当該電気光学装置において基板に対してシール材の塗布位置等を指示するための技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話機、携帯型コンピュータ、ビデオカメラ等といった電子機器の表示部として、液晶パネルなどといった電気光学装置が広く用いられている。この電気光学装置のうち、液晶装置では、一対の基板がシール材によって貼り合わされたパネルに偏光板が貼り付けられ、シール材で区画された領域内に、電気光学物質としての液晶が封入されている。
【０００３】
ここで、シール材は、ディスペンサーなどを用いて一方の基板に塗布される。また、基板には配向膜が形成され、この配向膜によって、基板間に注入された液晶の配向を規定する。さらに、基板間の短絡を防止するために、一方の基板には配向膜と電極パターンとの間に絶縁性のオーバーコート膜が形成される。
【０００４】
このように、液晶装置では、液晶駆動用の電極の他、複数の薄膜層が基板に形成されるが、このような薄膜層は所定位置に形成する必要がある。すなわち、基板表面には、端子が形成されているので、このような端子の表面に絶縁性の薄膜層が形成されると、端子での電気的接続を行えなくなる。また、配向膜の形成領域が狭すぎると、この部分では、配向膜から液晶が配向規制力を受けないことになって、配向状態に乱れが発生する。
【０００５】
そこで、従来は、例えば、基板上に複数のマークを付し、これらのマークによって、各薄膜層の形成位置を指示していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
電気光学装置を携帯電話機などに搭載するにあたって、例えば、電気光学装置の一方の面側に配置した枠体の窓部分からシール材が見えないよう、シール材の塗布位置や塗布量についてより厳しい要求がなされる。従って、マークを目安に各薄膜層を形成せざるを得ないが、電気光学装置では、同一サイズの画像表示領域であれば、パネルをできるだけ小型化したいという要求が強いことから、画像表示領域の外周領域を狭くしていく傾向にあり、このような場合に、狭い領域に複数のマークを配置することは困難である。
【０００７】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、マークを付す領域として広い領域を確保しなくても、複数の層の形成位置を各々、正確に指示することのできる電気光学装置、およびこの電気光学装置を用いた電子機器を提供することにある。
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明では、一対の基板によって電気光学物質が保持された電気光学装置において、
前記一対の基板の少なくとも一方の基板には、該基板上の異なる位置に設けられるシール材、配向膜、オーバーコート膜の層のうちの少なくとも二つの層が含まれ、複数の層の各形成位置は、同一の矩形マークにより指示されることを特徴とする。
【０００９】
本発明においては、複数の層の各形成位置を各々指示する矩形のマークが基板に形成されているため、この一つのマークで、複数の層の各形成位置を各々指示することができる。従って、シール材、配向膜、あるいはオーバーコート膜などといった層を基板上の所定位置に正確に形成することができる。また、一つのマークで、複数の層の各形成位置を各々指示するため、基板に形成するマークの数を必要最小限まで減らすことができるので、画像表示領域の外周領域を狭くしていった場合でも、シール材、配向膜、あるいはオーバーコート膜などといった層を基板上に正確に塗布することができる。さらに、このマークは、矩形であり、その縁部分などで層の形成位置を指示するので、形成位置を明確に指示できる。
【００１０】
本発明において、前記マークは、例えば、その内側の縁部分、幅、および外側の縁部分のうちの２箇所により２つの層の形成位置を各々指示する。
【００１１】
本発明において、前記マークについては、その内側の縁部分、幅、および外側の縁部分の３箇所により３つの層の形成位置を各々指示するように構成してもよい。
【００１２】
本発明において、前記マークによって形成位置が指示される複数の層には、例えば、前記一対の基板を貼り合わせるためのシール材、前記電気光学物質を配向させるための配向膜、および前記一対の基板間への導電性異物混入に起因する短絡を防止するためのオーバーコート膜の少なくとも二つが含まれている。
【００１３】
本発明において、前記一対の基板は、当該基板同士を貼り合わすシール材に含まれる基板間導通材によって基板間の導通を行う基板間導通用端子が基板辺に沿って形成されていることがあり、このような場合には、前記基板間導通用端子が形成されている領域では、前記マークによって、前記電気光学物質を配向させるための配向膜の形成位置、および前記一対の基板間への導電性異物混入に起因する短絡を防止するためのオーバーコート膜の形成位置が指示され、前記シール材の形成位置については、別のマークによって指示されている構成を採用することが好ましい。
【００１４】
本発明において、前記マークは、該マークが付されている基板に形成される他の層と同一材料から構成されていることが好ましい。すなわち、前記マークは、該マークが付されている基板に形成される他の層と同時形成されてなることが好ましい。このように構成すると、前記マークを形成するといっても、新たな工程を追加する必要がないという利点がある。
【００１５】
このような電気光学装置は、携帯電話機、携帯型コンピュータ、ビデオカメラ等といった電子機器の表示部として用いられる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
添付図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
【００１７】
（全体構成）
図１および図２はそれぞれ、本発明を適用した電気光学装置の斜視図および分解斜視図である。図３および図４はそれぞれ、本発明を適用した電気光学装置を図１のＩ−Ｉ′線で切断したときのＩ側の端部の断面図、およびＩ′側の端部の断面図である。なお、図１および図２には、電極パターンおよび端子などを模式的に示してあるだけなので、それらの詳細については、図５、図６および図７を参照して説明する。図５および図６はそれぞれ、図１および図２に示した電気光学装置の第１の透明基板に形成した第１の電極パターンおよび端子などを拡大して示す平面図、および第２の透明基板に形成した第２の電極パターンおよび端子などを拡大して示す平面図である。図７は、図５に示す第１の透明基板と、図６に示す第２の透明基板とを貼り合わせたときの電極パターンおよび端子などを拡大して示す平面図である。
【００１８】
図１および図２において、本形態の電気光学装置１は、携帯電話などの電子機器に搭載されているパッシブマトリクスタイプの液晶表示装置であり、所定の間隙を介してシール材３０によって貼り合わされた矩形のガラスなどからなる一対の透明基板間にシール材３０によって液晶封入領域３５が区画されているとともに、この液晶封入領域３５内に液晶が封入されている。ここでは、前記一対の透明基板のうち、液晶封入領域３５内で縦方向に延びる複数列の第１の電極パターン４０が形成されている方の基板を第１の透明基板１０とし、液晶封入領域３５内で横方向に延びる複数列の第２の電極パターン５０が形成されている方の基板を第２の透明基板２０とする。
【００１９】
ここに示す電気光学装置１は透過型であり、第２の透明基板２０の外側表面に偏光板６１が貼られ、第１の透明基板１０の外側表面にも偏光板６２が貼られている。また、第２の透明基板２０の外側にはバックライト装置９が配置されている。
【００２０】
第１の透明基板１０には、図３および図４に示すように、第１の電極パターン４０と第２の電極パターン５０との交点に相当する領域に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂが形成され、これらのカラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂの表面側に絶縁性の平坦化膜１３、第１の電極パターン４０および配向膜１２がこの順に形成されている。これに対して、第２の透明基板２０には、第２の電極パターン５０および配向膜２２がこの順に形成されている。
【００２１】
また、第１の透明基板１０および第２の透明基板２０のうち、第２の透明基板２０の表面には、配向膜２２の下層側に絶縁性のオーバーコート膜２９が形成されている。このオーバーコート膜２９は、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、およびＳｂ2Ｏ2を含む金属酸化膜、あるいはＳｉＯ2単独膜から構成され、前記の一対の基板間に導電性異物が混入することに起因する基板間の短絡を防止する機能を有する。また、オーバーコート膜２９は、下地と配向膜２２との密着性を向上する機能も有する。
【００２２】
この電気光学装置１において、第１の電極パターン４０および第２の電極パターン５０はいずれも、ＩＴＯ膜（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ／透明導電膜）によって形成されている。
【００２３】
なお、第２の電極パターン５０を半透過・半反射性の導電膜で形成すれば、半透過・半反射型の電気光学装置１を構成できる。また、第２の電極パターン５０を反射性の導電膜で形成すれば、反射型の電気光学装置１を構成でき、この場合には、第２の透明基板２０の裏面側からバックライト装置９を省略すればよい。
【００２４】
（電極パターンおよび端子の構成）
このように構成した電気光学装置１において、外部からの信号入力および基板間の導通のいずれを行うにも、第１の透明基板１０および第２の透明基板２０の同一方向に位置する各基板辺１０１、２０１付近において第１の透明基板１０および第２の透明基板２０のそれぞれに形成されている第１の端子形成領域１１および第２の端子形成領域２１が用いられる。従って、第２の透明基板２０としては、第１の透明基板１０よりも大きな基板が用いられ、第１の透明基板１０と第２の透明基板２０とを貼り合わせたときに第１の透明基板１０の基板辺１０１から第２の透明基板２０が張り出す部分２５を利用して、駆動用ＩＣ７をＣＯＦ実装したフレキシブル基板９０の接続などが行われる。
【００２５】
このため、第２の透明基板２０において、第２の端子形成領域２１は、基板辺２０１に近い部分が第１の透明基板１０から張り出した部分２５に形成され、この基板辺２０１に近い端子形成領域部分の表面は開放状態にある。これに対して、第２の透明基板２０において、第２の端子形成領域２１の液晶封入領域３５の側に位置する部分は、第１の透明基板１０の側との基板間導通用に用いられるので、この第２の端子形成領域２１のうち、液晶封入領域３５の側に位置する部分は、第１の透明基板１０との重なり部分に形成されている。
【００２６】
また、第１の透明基板１０において、第１の端子形成領域１１は、第２の透明基板２０の側との基板間導通に用いられるので、第２の透明基板２０との重なり部分に形成されている。
【００２７】
このような接続構造を構成するにあたって、本形態では、図２および図５に示すように、第１の透明基板１０において、第１の端子形成領域１１は第１の透明基板１０の基板辺１０１の中央部分に沿って形成され、この第１の端子形成領域１１では、基板辺１０１に沿って複数の第１の基板間導通用端子６０が所定の間隔をもって並んでいる。また、第１の透明基板１０では、第１の基板間導通用端子６０から対向する基板辺１０２に向かって複数列の液晶駆動用の第１の電極パターン４０が両側に斜めに延びた後、液晶封入領域３５内で基板辺１０１、１０２に直交する方向に延びている。
【００２８】
図２および図６に示すように、第２の透明基板２０において、第２の端子形成領域２１も基板辺２０１に沿って形成されているが、この第２の端子形成領域２１は、基板辺２０１の両端を除く比較的広い範囲にわたって形成されている。第２の端子形成領域２１には、その中央領域で基板辺２０１に沿って所定の間隔をもって並ぶ複数の第１の外部入力用端子８１、およびこれらの第１の外部入力用端子８１が形成されている領域の両側２箇所で基板辺２０１に沿って所定の間隔をもって並ぶ複数の第２の外部入力用端子８２が形成されている。
【００２９】
また、第１の外部入力用端子８１からは、第１の透明基板１０と第２の透明基板２０とを貼り合わせたときに第１の基板間導通用端子６０と重なる複数の第２の基板間導通用端子７０が基板辺２０２に向かって直線的に延びている。
【００３０】
さらに、第２の透明基板２０において、第２の外部入力用端子８２からは、第１の透明基板１０と第２の透明基板２０とを貼り合わせたときに第１の電極パターン４０の形成領域の両側に相当する領域を回り込むように複数列の液晶駆動用の第２の電極パターン５０が形成され、これらの第２の電極パターン５０は、液晶封入領域３５内において第１の電極パターン４０と交差するように延びている。
【００３１】
このように構成した第１の透明基板１０および第２の透明基板２０を用いて電気光学装置１を構成するにあたって、本形態では、第１の透明基板１０と第２の透明基板２０とをシール材３０を介して貼り合わせる際に、シール材３０にギャップ材および導通材を配合しておくとともに、シール材３０を第１の基板間導通用端子６０および第２の基板間導通用端子７０が重なる領域に形成する。ここで、シール材３０４に含まれる導電材は、たとえば、弾性変形可能なプラスチックビーズの表面にめっきを施した粒子であり、その粒径は、シール材３０４に含まれるギャップ材の粒径よりもわずかに大きい。それ故、第１の透明基板１０と第２の透明基板２０とを重ねた状態でその間隙を狭めるような力を加えながらシール材３０を溶融、硬化させると、導電材は、第１の透明基板１０と第２の透明基板２０との間で押し潰された状態で第１の基板間導通用端子６０と第２の基板間導通用端子７０とを導通させる。
【００３２】
また、図７に示すように、第１の透明基板１０と第２の透明基板２０とをシール材３０を介して貼り合わせると、第１の電極パターン４０と第２の電極パターン５０との交差部分によって画素５がマトリクス状に形成される。このため、第２の透明基板２０の第２の端子形成領域２１の基板辺２０１側の端部に対してフレキシブル基板９０を異方性導電材などを用いて実装した後、このフレキシブル基板９０を介して第２の透明基板２０の第１の外部入力用端子８１および第２の外部入力用端子８２に信号入力すると、第２の透明基板２０に形成されている第２の電極パターン５０には第２の外部入力用端子８２を介して走査信号を直接、印加することができ、かつ、第１の透明基板１０に形成されている第１の電極パターン４０には、第１の外部入力用端子８１、第２の基板間導通用端子７０、導通材および第１の基板間導通用端子６０を介して画像データを信号入力することができる。よって、これらの画像データおよび走査信号によって、各画素５において第１の電極パターン４０と第２の電極パターン５０との間に位置する液晶の配向状態を制御することができるので、所定の画像を表示することができる。
【００３３】
［電気光学装置の製造方法］
このような構成の電気光学装置１を製造するには、まず、第１の透明基板１０に、カラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂ、絶縁性の平坦化膜１３、第１の電極パターン４０および配向膜１２をこの順に形成していく。但し、第１の端子形成領域１１には配向膜１２を形成しない。
【００３４】
また、第２の透明基板２０には、第２の電極パターン５０、オーバーコート膜２９、および配向膜２２をこの順に形成していく。ここで、第２の透明基板２０には、各種端子が形成されているので、配向膜２２については、後述するマークで指示された領域のみにフレキソ印刷などの方法で塗布し、第２の端子形成領域１２には配向膜２２を形成しない。また、オーバーコート膜２９についても、後述するマークで指示された領域のみにフレキソ印刷などの方法で塗布し、第２の端子形成領域２１にはオーバーコート膜２９を形成しない。
【００３５】
ここで、第１の電極パターン４０および第２の電極パターン５０を形成するには、ＩＴＯ膜などを基板全面に形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングを行う。このとき、各端子も同時形成される。
【００３６】
このようにして各基板を形成した後、本形態では、第２の透明基板２０の方にシール材３０を塗布する。ここで、シール材３０は、液晶封入領域を区画形成し、かつ、第２の基板間導通用端子７０による基板間導通を行うため、後述するマークで指示された領域のみにディズペンサーなどにより塗布する。
【００３７】
しかる後に、シール材３０を挟んで第１の透明基板１０と第２の透明基板２０とを位置合わせしながら重ねた後、紫外線照射あるいは加熱処理によって、シール材３０を硬化させる。
【００３８】
このような方法で電気光学装置１を製造するにあたって、第２の透明基板２０に対して、オーバーコート膜２９、配向膜２２、およびシール材３０を所定位置に精度よく形成することを目的に、本形態では、図６および図８（Ａ）に示すように、第２の透明基板２０における基板辺２０２の側（図１のＩ−Ｉ′線におけるＩ側の端部）では、その角付近に、直交する基板辺に沿って矩形の第１のマーク１００が２つ形成されている。これらの第１のマーク１００は、第２の電極パターン５０と同様に成膜、パターニングされたもので、ＩＴＯ膜からなる。また、半透過・半反射型、あるいは反射型の場合には、第２の電極パターン５０を反射性の金属の導電膜で形成する構成とし、第１のマーク１００が第２の電極パターン５０と同様に成膜、パターニングされた金属膜からなるようにしてもよい。また、半透過・半反射型、あるいは反射型の場合には、第２の電極パターン５０と第２の透明基板２０との間に金属の反射膜を設ける構成とし、第１のマーク１００がこの反射膜と同様に成膜、パターニングされた金属膜からなるようにしてもよい。
【００３９】
第１のマーク１００において、その外側縁部１３０は、図８（Ｂ）に一点鎖線Ｌ１１で示すように、配向膜２２の形成領域を指示している。また、第１のマーク１００において、その内側縁部１２０は、図８（Ｂ）に二点鎖線Ｌ１２で示すように、オーバーコート膜２９の形成領域を指示している。さらに、第１のマーク１００において、その幅１４０に対応する領域（一点鎖線Ｌ１１と二点鎖線Ｌ１２で挟まれた斜線領域）は、シール材３０の塗布領域を指示している。
【００４０】
従って、第１のマーク１００は、それ一つで、配向膜２２の形成領域、オーバーコート膜２９の形成領域、およびシール材３０の塗布領域を指示しており、第１のマーク１００で指示された位置に従って、配向膜２２、オーバーコート膜２９、およびシール材３０を塗布、形成すれば、シール材３０の外側縁部に重なる位置まで配向膜２２を形成することができるなど、配向膜２２、オーバーコート膜２９、およびシール材３０の形成領域を制御よく管理できる。
【００４１】
これに対して、図６および図９（Ａ）に示すように、第２の透明基板２０における第２の端子形成領域２１近く（図１のＩ−Ｉ′線におけるＩ′側の端部近く）では、基板の側辺に沿って矩形の第２のマーク２００が形成されている。また、基板辺２０１から第２の基板間導通用端子７０が形成されている領域までの距離と略等しい距離の位置には、第２のマーク２００とは別の矩形の第３のマーク３００が形成されている。これらの第２のマーク２００および第３のマーク３００も、第２の電極パターン５０と同様に成膜、パターングされたもので、ＩＴＯ膜からなる。また、半透過・半反射型、あるいは反射型の場合には、第２の電極パターン５０を反射性の金属の導電膜で形成する構成とし、第３のマーク３００が第２の電極パターン５０と同様に成膜、パターニングされた金属膜からなるようにしてもよい。また、半透過・半反射型、あるいは反射型の場合には、第２の電極パターン５０と第２の透明基板２０との間に金属の反射膜を設ける構成とし、第３のマーク３００がこの反射膜と同様に成膜、パターニングされた金属膜からなるようにしてもよい。
【００４２】
第２のマーク２００において、その外側縁部２１０は、図９（Ｂ）に一点鎖線Ｌ２１で示すように、配向膜２２の形成領域を指示している。また、第２のマーク２００において、その内側縁部２２０は、図９（Ｂ）に二点鎖線Ｌ２２で示すように、オーバーコート膜２９の形成領域を指示している。
【００４３】
第２のマーク１００において、その幅２４０に対応する領域（一点鎖線Ｌ２１と二点鎖線Ｌ２２で挟まれた領域のうち、基板側辺に沿った斜線領域）は、シール材３０の塗布領域を指示している。
【００４４】
但し、第２のマーク２００の指示だけでシール材３０を塗布すると、第２の基板間導通用端子７０からずれた領域にシール材３０が塗布されてしまい、基板間導通を行えない。
【００４５】
そこで、本形態では、第２の基板間導通用端子７０が形成されている領域近くでは、第３のマーク３００および第２のマーク２００の双方の指示に従ってシール材３０を塗布する。すなわち、基板の側辺に沿う方向については、第２のマーク２００の指示に従ってシール材３０を塗布し、それと直交する方向については、別のマーク３００の幅３４０に対応する領域（点線Ｌ３１、Ｌ３２で挟まれた領域）にシール材３０を塗布する。
【００４６】
このように、第２のマーク１００は、それ一つで、配向膜２２の形成領域、オーバーコート膜２９の形成領域、およびシール材３０の塗布領域の一部を指示しており、第２のマーク２００で指示された位置に従って、配向膜２２、オーバーコート膜２９、およびシール材３０を塗布、形成すれば、シール材３０の外側縁部に重なる位置まで配向膜２２を形成することができるなど、配向膜２２、オーバーコート膜２９、およびシール材３の形成領域を制御よく管理できる。
【００４７】
また、第２の基板間導通用端子７０が形成されている領域近くでは、配向膜２２の形成領域、およびオーバーコート膜２９の形成領域から外れた位置にシール材３０を塗布しなければならないが、このような領域には、別の第３のマーク３００を形成し、この別の第３のマーク３００に従ってシール材３０を塗布するので、第２の基板間導通用端子７０に対して確実に重なるようにシール材３０を塗布することができる。
【００４８】
また、第１のマーク１００、第２のマーク２００および第３のマーク３００は、いずれも、第２の電極パターン５０と同様に成膜、パターニングされたものであるため、これらのマークを形成するといっても、新たな工程を追加する必要がない。
【００４９】
［その他の実施の形態］
なお、上記の実施形態では、基板間導通を行うタイプであったため、基板間導通用端子が形成されている領域近くに別の第３のマーク３００を形成したが、図１０に示すように、電気光学装置１を構成する一対の基板の各々にフレキシブル基板を接続するタイプのものでは、基板間導通を利用する必要がない。従って、このようなタイプの電気光学装置１を製造する場合には、図８（Ａ）、（Ｂ）を参照して説明した第１のマーク１００を４隅に２つずつ形成し、これら８つの第１のマーク１００によって、配向膜２２の形成領域、オーバーコート膜２９の形成領域、およびシール材３０の塗布領域を指示してもよい。
【００５０】
また、上記形態において、マーク１００、２００は、３つの層についてその形成領域を指示していたが、外側縁部、内側縁部および幅のうちの２箇所によって、２つの層についてその形成領域を各々指示する構成であってもよい。
【００５１】
さらに、上記実施形態では、パッシブマトリクスタイプの電気光学装置１を例に説明したが、アクティブマトリクスタイプの電気光学装置に対して本発明を適用してもよい。また、本発明では、マーク１００、２００、３００の材質は、ＩＴＯ（透明導電膜）としたが、これに限定されることなく、配向膜２２、オーバーコート膜２９、およびシール材３０の形成工程において観察可能な物質であれば各種用いることができる。
【００５２】
また、アクティブマトリックスタイプの電気光学装置の場合には、マーク１００、２００、３００がスイッチング素子を構成している薄膜層と同様に成膜、パターニングされたものとしてもよい。この場合にも、これらのマークを形成するといっても新たな工程を追加する必要がない。
【００５３】
要するに、マーク１００、２００、３００の材質は観察可能な物質であればよく、マーク１００、２００、３００が配向膜２２、オーバーコート膜２９、およびシール材３０の形成工程以前の成膜工程において形成されておればよい。さらに、マーク１００、２００、３００の形成工程を、配向膜２２、オーバーコート膜２９、およびシール材３０の形成工程以前の他の成膜工程と兼ねるようにすれば、これらのマークを形成するための新たな工程を追加する必要がない。
【００５４】
［電子機器の具体例］
図１１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ、本発明を適用した電気光学装置１を用いた電子機器の外観図である。
【００５５】
まず、図１１（Ａ）は携帯電話の外観図である。この図において、１０００は携帯電話本体を示し、１００１は、本発明を適用した電気光学装置１を用いた画像表示装置である。
【００５６】
図１１（Ｂ）は、腕時計型電子機器の外観図である。この図において、１１００は時計本体を示し、１１０１は、本発明を適用した電気光学装置１を用いた画像表示装置である。
【００５７】
図１１（Ｃ）は、ワードプロセッサ、パーソナルコンピュータなどの携帯型情報処理装置の外観図である。この図において、１２００は情報処理装置を示し、１２０２はキーボードなどの入力部、１２０６は本発明を適用した電気光学装置１を用いた画像表示装置であり、１２０４は情報処理装置本体を示す。
【００５８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る電気光学装置では、複数の層の各形成位置を各々指示する矩形のマークが基板に形成されているため、この一つのマークで、複数の層の各形成位置を各々指示することができる。従って、シール材、配向膜、あるいはオーバーコート膜などといった層を基板上に正確に塗布することができる。また、一つのマークで、複数の層の各形成位置を各々指示するため、基板に形成するマークの数を必要最小限まで減らすことができるので、画像表示領域の外周領域を狭くしていった場合でも、シール材、配向膜、あるいはオーバーコート膜などといった層を基板上に正確に塗布することができる。さらに、マークは、矩形であり、その縁部分などで層の形成位置を指示するので、形成位置を明確に指示できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用した電気光学装置の斜視図である。
【図２】図１に示す電気光学装置の分解斜視図である。
【図３】図１に示す電気光学装置を図１のＩ−Ｉ′線で切断したときのＩ側の端部の断面図である。
【図４】図１に示す電気光学装置を図１のＩ−Ｉ′線で切断したときのＩ′側の端部の断面図である。
【図５】図１に示す電気光学装置の第１の透明基板に形成した第１の電極パターンおよび端子などを拡大して示す平面図である。
【図６】図１に示す電気光学装置の第２の透明基板に形成した第２の電極パターンおよび端子などを拡大して示す平面図である。
【図７】図５に示す第１の透明基板と、図６に示す第２の透明基板とを貼り合わせたときの電極パターンおよび端子などを拡大して示す平面図である。
【図８】（Ａ）、（Ｂ）はいずれも、本発明を適用した電気光学装置において、配向膜の形成位置、オーバーコート膜の形成位置、およびシール材の形成位置を指示する第１のマークの説明図である。
【図９】（Ａ）、（Ｂ）はいずれも、本発明を適用した電気光学装置において、配向膜の形成位置、オーバーコート膜の形成位置、およびシール材の形成位置を指示する第２のマークおよび別の第３のマークの説明図である。
【図１０】本発明を適用した別の電気光学装置の説明図である。
【図１１】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ、本発明を適用した電気光学装置を用いた電子機器の外観図である。
【符号の説明】
１ 電気光学装置
４ 液晶（電気光学物質）
５ 画素
１０ 第１の透明基板
１１ 第１の端子形成領域
７Ｒ、７Ｇ、７Ｂ カラーフィルタ
２０ 第２の透明基板
２１ 第２の端子形成領域
２５ 第２の透明基板の張り出した部分
２９ オーバーコート膜
３０ シール材
３５ 液晶封入領域（画像表示領域）
４０ 第１の電極パターン
５０ 第２の電極パターン
６０ 第１の基板間導通用端子
６１、６２ 偏光板
７０ 第２の基板間導通用端子
８１ 第１の外部入力用端子
８２ 第２の外部入力用端子
９０ フレキシブル基板
１００ 第１のマーク
１１０ 第１のマークの外側縁部
１２０ 第１のマークの内側縁部
１３０ 第１のマークの幅
２００ 第２のマーク
２１０ 第２のマークの外側縁部
２２０ 第２のマークの内側縁部
２３０ 第２のマークの幅
３００ 別の第３のマーク
【発明の属する技術分野】
本発明は、一対の基板によって電気光学物質が保持された電気光学装置、およびこの電気光学装置を用いた電子機器に関するものである。さらに詳しくは、当該電気光学装置において基板に対してシール材の塗布位置等を指示するための技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話機、携帯型コンピュータ、ビデオカメラ等といった電子機器の表示部として、液晶パネルなどといった電気光学装置が広く用いられている。この電気光学装置のうち、液晶装置では、一対の基板がシール材によって貼り合わされたパネルに偏光板が貼り付けられ、シール材で区画された領域内に、電気光学物質としての液晶が封入されている。
【０００３】
ここで、シール材は、ディスペンサーなどを用いて一方の基板に塗布される。また、基板には配向膜が形成され、この配向膜によって、基板間に注入された液晶の配向を規定する。さらに、基板間の短絡を防止するために、一方の基板には配向膜と電極パターンとの間に絶縁性のオーバーコート膜が形成される。
【０００４】
このように、液晶装置では、液晶駆動用の電極の他、複数の薄膜層が基板に形成されるが、このような薄膜層は所定位置に形成する必要がある。すなわち、基板表面には、端子が形成されているので、このような端子の表面に絶縁性の薄膜層が形成されると、端子での電気的接続を行えなくなる。また、配向膜の形成領域が狭すぎると、この部分では、配向膜から液晶が配向規制力を受けないことになって、配向状態に乱れが発生する。
【０００５】
そこで、従来は、例えば、基板上に複数のマークを付し、これらのマークによって、各薄膜層の形成位置を指示していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
電気光学装置を携帯電話機などに搭載するにあたって、例えば、電気光学装置の一方の面側に配置した枠体の窓部分からシール材が見えないよう、シール材の塗布位置や塗布量についてより厳しい要求がなされる。従って、マークを目安に各薄膜層を形成せざるを得ないが、電気光学装置では、同一サイズの画像表示領域であれば、パネルをできるだけ小型化したいという要求が強いことから、画像表示領域の外周領域を狭くしていく傾向にあり、このような場合に、狭い領域に複数のマークを配置することは困難である。
【０００７】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、マークを付す領域として広い領域を確保しなくても、複数の層の形成位置を各々、正確に指示することのできる電気光学装置、およびこの電気光学装置を用いた電子機器を提供することにある。
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明では、一対の基板によって電気光学物質が保持された電気光学装置において、
前記一対の基板の少なくとも一方の基板には、該基板上の異なる位置に設けられるシール材、配向膜、オーバーコート膜の層のうちの少なくとも二つの層が含まれ、複数の層の各形成位置は、同一の矩形マークにより指示されることを特徴とする。
【０００９】
本発明においては、複数の層の各形成位置を各々指示する矩形のマークが基板に形成されているため、この一つのマークで、複数の層の各形成位置を各々指示することができる。従って、シール材、配向膜、あるいはオーバーコート膜などといった層を基板上の所定位置に正確に形成することができる。また、一つのマークで、複数の層の各形成位置を各々指示するため、基板に形成するマークの数を必要最小限まで減らすことができるので、画像表示領域の外周領域を狭くしていった場合でも、シール材、配向膜、あるいはオーバーコート膜などといった層を基板上に正確に塗布することができる。さらに、このマークは、矩形であり、その縁部分などで層の形成位置を指示するので、形成位置を明確に指示できる。
【００１０】
本発明において、前記マークは、例えば、その内側の縁部分、幅、および外側の縁部分のうちの２箇所により２つの層の形成位置を各々指示する。
【００１１】
本発明において、前記マークについては、その内側の縁部分、幅、および外側の縁部分の３箇所により３つの層の形成位置を各々指示するように構成してもよい。
【００１２】
本発明において、前記マークによって形成位置が指示される複数の層には、例えば、前記一対の基板を貼り合わせるためのシール材、前記電気光学物質を配向させるための配向膜、および前記一対の基板間への導電性異物混入に起因する短絡を防止するためのオーバーコート膜の少なくとも二つが含まれている。
【００１３】
本発明において、前記一対の基板は、当該基板同士を貼り合わすシール材に含まれる基板間導通材によって基板間の導通を行う基板間導通用端子が基板辺に沿って形成されていることがあり、このような場合には、前記基板間導通用端子が形成されている領域では、前記マークによって、前記電気光学物質を配向させるための配向膜の形成位置、および前記一対の基板間への導電性異物混入に起因する短絡を防止するためのオーバーコート膜の形成位置が指示され、前記シール材の形成位置については、別のマークによって指示されている構成を採用することが好ましい。
【００１４】
本発明において、前記マークは、該マークが付されている基板に形成される他の層と同一材料から構成されていることが好ましい。すなわち、前記マークは、該マークが付されている基板に形成される他の層と同時形成されてなることが好ましい。このように構成すると、前記マークを形成するといっても、新たな工程を追加する必要がないという利点がある。
【００１５】
このような電気光学装置は、携帯電話機、携帯型コンピュータ、ビデオカメラ等といった電子機器の表示部として用いられる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
添付図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
【００１７】
（全体構成）
図１および図２はそれぞれ、本発明を適用した電気光学装置の斜視図および分解斜視図である。図３および図４はそれぞれ、本発明を適用した電気光学装置を図１のＩ−Ｉ′線で切断したときのＩ側の端部の断面図、およびＩ′側の端部の断面図である。なお、図１および図２には、電極パターンおよび端子などを模式的に示してあるだけなので、それらの詳細については、図５、図６および図７を参照して説明する。図５および図６はそれぞれ、図１および図２に示した電気光学装置の第１の透明基板に形成した第１の電極パターンおよび端子などを拡大して示す平面図、および第２の透明基板に形成した第２の電極パターンおよび端子などを拡大して示す平面図である。図７は、図５に示す第１の透明基板と、図６に示す第２の透明基板とを貼り合わせたときの電極パターンおよび端子などを拡大して示す平面図である。
【００１８】
図１および図２において、本形態の電気光学装置１は、携帯電話などの電子機器に搭載されているパッシブマトリクスタイプの液晶表示装置であり、所定の間隙を介してシール材３０によって貼り合わされた矩形のガラスなどからなる一対の透明基板間にシール材３０によって液晶封入領域３５が区画されているとともに、この液晶封入領域３５内に液晶が封入されている。ここでは、前記一対の透明基板のうち、液晶封入領域３５内で縦方向に延びる複数列の第１の電極パターン４０が形成されている方の基板を第１の透明基板１０とし、液晶封入領域３５内で横方向に延びる複数列の第２の電極パターン５０が形成されている方の基板を第２の透明基板２０とする。
【００１９】
ここに示す電気光学装置１は透過型であり、第２の透明基板２０の外側表面に偏光板６１が貼られ、第１の透明基板１０の外側表面にも偏光板６２が貼られている。また、第２の透明基板２０の外側にはバックライト装置９が配置されている。
【００２０】
第１の透明基板１０には、図３および図４に示すように、第１の電極パターン４０と第２の電極パターン５０との交点に相当する領域に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂが形成され、これらのカラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂの表面側に絶縁性の平坦化膜１３、第１の電極パターン４０および配向膜１２がこの順に形成されている。これに対して、第２の透明基板２０には、第２の電極パターン５０および配向膜２２がこの順に形成されている。
【００２１】
また、第１の透明基板１０および第２の透明基板２０のうち、第２の透明基板２０の表面には、配向膜２２の下層側に絶縁性のオーバーコート膜２９が形成されている。このオーバーコート膜２９は、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、およびＳｂ2Ｏ2を含む金属酸化膜、あるいはＳｉＯ2単独膜から構成され、前記の一対の基板間に導電性異物が混入することに起因する基板間の短絡を防止する機能を有する。また、オーバーコート膜２９は、下地と配向膜２２との密着性を向上する機能も有する。
【００２２】
この電気光学装置１において、第１の電極パターン４０および第２の電極パターン５０はいずれも、ＩＴＯ膜（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ／透明導電膜）によって形成されている。
【００２３】
なお、第２の電極パターン５０を半透過・半反射性の導電膜で形成すれば、半透過・半反射型の電気光学装置１を構成できる。また、第２の電極パターン５０を反射性の導電膜で形成すれば、反射型の電気光学装置１を構成でき、この場合には、第２の透明基板２０の裏面側からバックライト装置９を省略すればよい。
【００２４】
（電極パターンおよび端子の構成）
このように構成した電気光学装置１において、外部からの信号入力および基板間の導通のいずれを行うにも、第１の透明基板１０および第２の透明基板２０の同一方向に位置する各基板辺１０１、２０１付近において第１の透明基板１０および第２の透明基板２０のそれぞれに形成されている第１の端子形成領域１１および第２の端子形成領域２１が用いられる。従って、第２の透明基板２０としては、第１の透明基板１０よりも大きな基板が用いられ、第１の透明基板１０と第２の透明基板２０とを貼り合わせたときに第１の透明基板１０の基板辺１０１から第２の透明基板２０が張り出す部分２５を利用して、駆動用ＩＣ７をＣＯＦ実装したフレキシブル基板９０の接続などが行われる。
【００２５】
このため、第２の透明基板２０において、第２の端子形成領域２１は、基板辺２０１に近い部分が第１の透明基板１０から張り出した部分２５に形成され、この基板辺２０１に近い端子形成領域部分の表面は開放状態にある。これに対して、第２の透明基板２０において、第２の端子形成領域２１の液晶封入領域３５の側に位置する部分は、第１の透明基板１０の側との基板間導通用に用いられるので、この第２の端子形成領域２１のうち、液晶封入領域３５の側に位置する部分は、第１の透明基板１０との重なり部分に形成されている。
【００２６】
また、第１の透明基板１０において、第１の端子形成領域１１は、第２の透明基板２０の側との基板間導通に用いられるので、第２の透明基板２０との重なり部分に形成されている。
【００２７】
このような接続構造を構成するにあたって、本形態では、図２および図５に示すように、第１の透明基板１０において、第１の端子形成領域１１は第１の透明基板１０の基板辺１０１の中央部分に沿って形成され、この第１の端子形成領域１１では、基板辺１０１に沿って複数の第１の基板間導通用端子６０が所定の間隔をもって並んでいる。また、第１の透明基板１０では、第１の基板間導通用端子６０から対向する基板辺１０２に向かって複数列の液晶駆動用の第１の電極パターン４０が両側に斜めに延びた後、液晶封入領域３５内で基板辺１０１、１０２に直交する方向に延びている。
【００２８】
図２および図６に示すように、第２の透明基板２０において、第２の端子形成領域２１も基板辺２０１に沿って形成されているが、この第２の端子形成領域２１は、基板辺２０１の両端を除く比較的広い範囲にわたって形成されている。第２の端子形成領域２１には、その中央領域で基板辺２０１に沿って所定の間隔をもって並ぶ複数の第１の外部入力用端子８１、およびこれらの第１の外部入力用端子８１が形成されている領域の両側２箇所で基板辺２０１に沿って所定の間隔をもって並ぶ複数の第２の外部入力用端子８２が形成されている。
【００２９】
また、第１の外部入力用端子８１からは、第１の透明基板１０と第２の透明基板２０とを貼り合わせたときに第１の基板間導通用端子６０と重なる複数の第２の基板間導通用端子７０が基板辺２０２に向かって直線的に延びている。
【００３０】
さらに、第２の透明基板２０において、第２の外部入力用端子８２からは、第１の透明基板１０と第２の透明基板２０とを貼り合わせたときに第１の電極パターン４０の形成領域の両側に相当する領域を回り込むように複数列の液晶駆動用の第２の電極パターン５０が形成され、これらの第２の電極パターン５０は、液晶封入領域３５内において第１の電極パターン４０と交差するように延びている。
【００３１】
このように構成した第１の透明基板１０および第２の透明基板２０を用いて電気光学装置１を構成するにあたって、本形態では、第１の透明基板１０と第２の透明基板２０とをシール材３０を介して貼り合わせる際に、シール材３０にギャップ材および導通材を配合しておくとともに、シール材３０を第１の基板間導通用端子６０および第２の基板間導通用端子７０が重なる領域に形成する。ここで、シール材３０４に含まれる導電材は、たとえば、弾性変形可能なプラスチックビーズの表面にめっきを施した粒子であり、その粒径は、シール材３０４に含まれるギャップ材の粒径よりもわずかに大きい。それ故、第１の透明基板１０と第２の透明基板２０とを重ねた状態でその間隙を狭めるような力を加えながらシール材３０を溶融、硬化させると、導電材は、第１の透明基板１０と第２の透明基板２０との間で押し潰された状態で第１の基板間導通用端子６０と第２の基板間導通用端子７０とを導通させる。
【００３２】
また、図７に示すように、第１の透明基板１０と第２の透明基板２０とをシール材３０を介して貼り合わせると、第１の電極パターン４０と第２の電極パターン５０との交差部分によって画素５がマトリクス状に形成される。このため、第２の透明基板２０の第２の端子形成領域２１の基板辺２０１側の端部に対してフレキシブル基板９０を異方性導電材などを用いて実装した後、このフレキシブル基板９０を介して第２の透明基板２０の第１の外部入力用端子８１および第２の外部入力用端子８２に信号入力すると、第２の透明基板２０に形成されている第２の電極パターン５０には第２の外部入力用端子８２を介して走査信号を直接、印加することができ、かつ、第１の透明基板１０に形成されている第１の電極パターン４０には、第１の外部入力用端子８１、第２の基板間導通用端子７０、導通材および第１の基板間導通用端子６０を介して画像データを信号入力することができる。よって、これらの画像データおよび走査信号によって、各画素５において第１の電極パターン４０と第２の電極パターン５０との間に位置する液晶の配向状態を制御することができるので、所定の画像を表示することができる。
【００３３】
［電気光学装置の製造方法］
このような構成の電気光学装置１を製造するには、まず、第１の透明基板１０に、カラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂ、絶縁性の平坦化膜１３、第１の電極パターン４０および配向膜１２をこの順に形成していく。但し、第１の端子形成領域１１には配向膜１２を形成しない。
【００３４】
また、第２の透明基板２０には、第２の電極パターン５０、オーバーコート膜２９、および配向膜２２をこの順に形成していく。ここで、第２の透明基板２０には、各種端子が形成されているので、配向膜２２については、後述するマークで指示された領域のみにフレキソ印刷などの方法で塗布し、第２の端子形成領域１２には配向膜２２を形成しない。また、オーバーコート膜２９についても、後述するマークで指示された領域のみにフレキソ印刷などの方法で塗布し、第２の端子形成領域２１にはオーバーコート膜２９を形成しない。
【００３５】
ここで、第１の電極パターン４０および第２の電極パターン５０を形成するには、ＩＴＯ膜などを基板全面に形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングを行う。このとき、各端子も同時形成される。
【００３６】
このようにして各基板を形成した後、本形態では、第２の透明基板２０の方にシール材３０を塗布する。ここで、シール材３０は、液晶封入領域を区画形成し、かつ、第２の基板間導通用端子７０による基板間導通を行うため、後述するマークで指示された領域のみにディズペンサーなどにより塗布する。
【００３７】
しかる後に、シール材３０を挟んで第１の透明基板１０と第２の透明基板２０とを位置合わせしながら重ねた後、紫外線照射あるいは加熱処理によって、シール材３０を硬化させる。
【００３８】
このような方法で電気光学装置１を製造するにあたって、第２の透明基板２０に対して、オーバーコート膜２９、配向膜２２、およびシール材３０を所定位置に精度よく形成することを目的に、本形態では、図６および図８（Ａ）に示すように、第２の透明基板２０における基板辺２０２の側（図１のＩ−Ｉ′線におけるＩ側の端部）では、その角付近に、直交する基板辺に沿って矩形の第１のマーク１００が２つ形成されている。これらの第１のマーク１００は、第２の電極パターン５０と同様に成膜、パターニングされたもので、ＩＴＯ膜からなる。また、半透過・半反射型、あるいは反射型の場合には、第２の電極パターン５０を反射性の金属の導電膜で形成する構成とし、第１のマーク１００が第２の電極パターン５０と同様に成膜、パターニングされた金属膜からなるようにしてもよい。また、半透過・半反射型、あるいは反射型の場合には、第２の電極パターン５０と第２の透明基板２０との間に金属の反射膜を設ける構成とし、第１のマーク１００がこの反射膜と同様に成膜、パターニングされた金属膜からなるようにしてもよい。
【００３９】
第１のマーク１００において、その外側縁部１３０は、図８（Ｂ）に一点鎖線Ｌ１１で示すように、配向膜２２の形成領域を指示している。また、第１のマーク１００において、その内側縁部１２０は、図８（Ｂ）に二点鎖線Ｌ１２で示すように、オーバーコート膜２９の形成領域を指示している。さらに、第１のマーク１００において、その幅１４０に対応する領域（一点鎖線Ｌ１１と二点鎖線Ｌ１２で挟まれた斜線領域）は、シール材３０の塗布領域を指示している。
【００４０】
従って、第１のマーク１００は、それ一つで、配向膜２２の形成領域、オーバーコート膜２９の形成領域、およびシール材３０の塗布領域を指示しており、第１のマーク１００で指示された位置に従って、配向膜２２、オーバーコート膜２９、およびシール材３０を塗布、形成すれば、シール材３０の外側縁部に重なる位置まで配向膜２２を形成することができるなど、配向膜２２、オーバーコート膜２９、およびシール材３０の形成領域を制御よく管理できる。
【００４１】
これに対して、図６および図９（Ａ）に示すように、第２の透明基板２０における第２の端子形成領域２１近く（図１のＩ−Ｉ′線におけるＩ′側の端部近く）では、基板の側辺に沿って矩形の第２のマーク２００が形成されている。また、基板辺２０１から第２の基板間導通用端子７０が形成されている領域までの距離と略等しい距離の位置には、第２のマーク２００とは別の矩形の第３のマーク３００が形成されている。これらの第２のマーク２００および第３のマーク３００も、第２の電極パターン５０と同様に成膜、パターングされたもので、ＩＴＯ膜からなる。また、半透過・半反射型、あるいは反射型の場合には、第２の電極パターン５０を反射性の金属の導電膜で形成する構成とし、第３のマーク３００が第２の電極パターン５０と同様に成膜、パターニングされた金属膜からなるようにしてもよい。また、半透過・半反射型、あるいは反射型の場合には、第２の電極パターン５０と第２の透明基板２０との間に金属の反射膜を設ける構成とし、第３のマーク３００がこの反射膜と同様に成膜、パターニングされた金属膜からなるようにしてもよい。
【００４２】
第２のマーク２００において、その外側縁部２１０は、図９（Ｂ）に一点鎖線Ｌ２１で示すように、配向膜２２の形成領域を指示している。また、第２のマーク２００において、その内側縁部２２０は、図９（Ｂ）に二点鎖線Ｌ２２で示すように、オーバーコート膜２９の形成領域を指示している。
【００４３】
第２のマーク１００において、その幅２４０に対応する領域（一点鎖線Ｌ２１と二点鎖線Ｌ２２で挟まれた領域のうち、基板側辺に沿った斜線領域）は、シール材３０の塗布領域を指示している。
【００４４】
但し、第２のマーク２００の指示だけでシール材３０を塗布すると、第２の基板間導通用端子７０からずれた領域にシール材３０が塗布されてしまい、基板間導通を行えない。
【００４５】
そこで、本形態では、第２の基板間導通用端子７０が形成されている領域近くでは、第３のマーク３００および第２のマーク２００の双方の指示に従ってシール材３０を塗布する。すなわち、基板の側辺に沿う方向については、第２のマーク２００の指示に従ってシール材３０を塗布し、それと直交する方向については、別のマーク３００の幅３４０に対応する領域（点線Ｌ３１、Ｌ３２で挟まれた領域）にシール材３０を塗布する。
【００４６】
このように、第２のマーク１００は、それ一つで、配向膜２２の形成領域、オーバーコート膜２９の形成領域、およびシール材３０の塗布領域の一部を指示しており、第２のマーク２００で指示された位置に従って、配向膜２２、オーバーコート膜２９、およびシール材３０を塗布、形成すれば、シール材３０の外側縁部に重なる位置まで配向膜２２を形成することができるなど、配向膜２２、オーバーコート膜２９、およびシール材３の形成領域を制御よく管理できる。
【００４７】
また、第２の基板間導通用端子７０が形成されている領域近くでは、配向膜２２の形成領域、およびオーバーコート膜２９の形成領域から外れた位置にシール材３０を塗布しなければならないが、このような領域には、別の第３のマーク３００を形成し、この別の第３のマーク３００に従ってシール材３０を塗布するので、第２の基板間導通用端子７０に対して確実に重なるようにシール材３０を塗布することができる。
【００４８】
また、第１のマーク１００、第２のマーク２００および第３のマーク３００は、いずれも、第２の電極パターン５０と同様に成膜、パターニングされたものであるため、これらのマークを形成するといっても、新たな工程を追加する必要がない。
【００４９】
［その他の実施の形態］
なお、上記の実施形態では、基板間導通を行うタイプであったため、基板間導通用端子が形成されている領域近くに別の第３のマーク３００を形成したが、図１０に示すように、電気光学装置１を構成する一対の基板の各々にフレキシブル基板を接続するタイプのものでは、基板間導通を利用する必要がない。従って、このようなタイプの電気光学装置１を製造する場合には、図８（Ａ）、（Ｂ）を参照して説明した第１のマーク１００を４隅に２つずつ形成し、これら８つの第１のマーク１００によって、配向膜２２の形成領域、オーバーコート膜２９の形成領域、およびシール材３０の塗布領域を指示してもよい。
【００５０】
また、上記形態において、マーク１００、２００は、３つの層についてその形成領域を指示していたが、外側縁部、内側縁部および幅のうちの２箇所によって、２つの層についてその形成領域を各々指示する構成であってもよい。
【００５１】
さらに、上記実施形態では、パッシブマトリクスタイプの電気光学装置１を例に説明したが、アクティブマトリクスタイプの電気光学装置に対して本発明を適用してもよい。また、本発明では、マーク１００、２００、３００の材質は、ＩＴＯ（透明導電膜）としたが、これに限定されることなく、配向膜２２、オーバーコート膜２９、およびシール材３０の形成工程において観察可能な物質であれば各種用いることができる。
【００５２】
また、アクティブマトリックスタイプの電気光学装置の場合には、マーク１００、２００、３００がスイッチング素子を構成している薄膜層と同様に成膜、パターニングされたものとしてもよい。この場合にも、これらのマークを形成するといっても新たな工程を追加する必要がない。
【００５３】
要するに、マーク１００、２００、３００の材質は観察可能な物質であればよく、マーク１００、２００、３００が配向膜２２、オーバーコート膜２９、およびシール材３０の形成工程以前の成膜工程において形成されておればよい。さらに、マーク１００、２００、３００の形成工程を、配向膜２２、オーバーコート膜２９、およびシール材３０の形成工程以前の他の成膜工程と兼ねるようにすれば、これらのマークを形成するための新たな工程を追加する必要がない。
【００５４】
［電子機器の具体例］
図１１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ、本発明を適用した電気光学装置１を用いた電子機器の外観図である。
【００５５】
まず、図１１（Ａ）は携帯電話の外観図である。この図において、１０００は携帯電話本体を示し、１００１は、本発明を適用した電気光学装置１を用いた画像表示装置である。
【００５６】
図１１（Ｂ）は、腕時計型電子機器の外観図である。この図において、１１００は時計本体を示し、１１０１は、本発明を適用した電気光学装置１を用いた画像表示装置である。
【００５７】
図１１（Ｃ）は、ワードプロセッサ、パーソナルコンピュータなどの携帯型情報処理装置の外観図である。この図において、１２００は情報処理装置を示し、１２０２はキーボードなどの入力部、１２０６は本発明を適用した電気光学装置１を用いた画像表示装置であり、１２０４は情報処理装置本体を示す。
【００５８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る電気光学装置では、複数の層の各形成位置を各々指示する矩形のマークが基板に形成されているため、この一つのマークで、複数の層の各形成位置を各々指示することができる。従って、シール材、配向膜、あるいはオーバーコート膜などといった層を基板上に正確に塗布することができる。また、一つのマークで、複数の層の各形成位置を各々指示するため、基板に形成するマークの数を必要最小限まで減らすことができるので、画像表示領域の外周領域を狭くしていった場合でも、シール材、配向膜、あるいはオーバーコート膜などといった層を基板上に正確に塗布することができる。さらに、マークは、矩形であり、その縁部分などで層の形成位置を指示するので、形成位置を明確に指示できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用した電気光学装置の斜視図である。
【図２】図１に示す電気光学装置の分解斜視図である。
【図３】図１に示す電気光学装置を図１のＩ−Ｉ′線で切断したときのＩ側の端部の断面図である。
【図４】図１に示す電気光学装置を図１のＩ−Ｉ′線で切断したときのＩ′側の端部の断面図である。
【図５】図１に示す電気光学装置の第１の透明基板に形成した第１の電極パターンおよび端子などを拡大して示す平面図である。
【図６】図１に示す電気光学装置の第２の透明基板に形成した第２の電極パターンおよび端子などを拡大して示す平面図である。
【図７】図５に示す第１の透明基板と、図６に示す第２の透明基板とを貼り合わせたときの電極パターンおよび端子などを拡大して示す平面図である。
【図８】（Ａ）、（Ｂ）はいずれも、本発明を適用した電気光学装置において、配向膜の形成位置、オーバーコート膜の形成位置、およびシール材の形成位置を指示する第１のマークの説明図である。
【図９】（Ａ）、（Ｂ）はいずれも、本発明を適用した電気光学装置において、配向膜の形成位置、オーバーコート膜の形成位置、およびシール材の形成位置を指示する第２のマークおよび別の第３のマークの説明図である。
【図１０】本発明を適用した別の電気光学装置の説明図である。
【図１１】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ、本発明を適用した電気光学装置を用いた電子機器の外観図である。
【符号の説明】
１ 電気光学装置
４ 液晶（電気光学物質）
５ 画素
１０ 第１の透明基板
１１ 第１の端子形成領域
７Ｒ、７Ｇ、７Ｂ カラーフィルタ
２０ 第２の透明基板
２１ 第２の端子形成領域
２５ 第２の透明基板の張り出した部分
２９ オーバーコート膜
３０ シール材
３５ 液晶封入領域（画像表示領域）
４０ 第１の電極パターン
５０ 第２の電極パターン
６０ 第１の基板間導通用端子
６１、６２ 偏光板
７０ 第２の基板間導通用端子
８１ 第１の外部入力用端子
８２ 第２の外部入力用端子
９０ フレキシブル基板
１００ 第１のマーク
１１０ 第１のマークの外側縁部
１２０ 第１のマークの内側縁部
１３０ 第１のマークの幅
２００ 第２のマーク
２１０ 第２のマークの外側縁部
２２０ 第２のマークの内側縁部
２３０ 第２のマークの幅
３００ 別の第３のマーク
Claims (7)
- 一対の基板によって電気光学物質が保持された電気光学装置において、
前記一対の基板の少なくとも一方の基板には、該基板上の異なる位置に設けられるシール材、配向膜、オーバーコート膜の層のうちの少なくとも二つの層が含まれ、複数の層の各形成位置は、同一の矩形マークにより指示されることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項１において、前記マークは、その内側の縁部分、幅、および外側の縁部分のうちの２箇所により２つの層の形成位置を各々指示することを特徴とする電気光学装置。
- 請求項１において、前記マークは、その内側の縁部分、幅、および外側の縁部分の３箇所により３つの層の形成位置を各々指示することを特徴とする電気光学装置。
- 請求項１において、前記一対の基板は、当該基板同士を貼り合わすシール材に含まれる基板間導通材によって基板間の導通を行う基板間導通用端子が基板辺に沿って形成され、該基板間導通用端子が形成されている領域付近では、前記マークによって、前記電気光学物質を配向させるための配向膜の形成位置、および前記一対の基板間への導電性異物混入に起因する短絡を防止するためのオーバーコート膜の形成位置が指示され、前記シール材の形成位置については、別のマークによって指示されていることを特徴とする電気光学装置。
- 請求項１または４のいずれかにおいて、前記マークは、該マークが付されている基板に形成される他の層と同一材料から構成されていることを特徴とする電気光学装置。
- 請求項１または５のいずれかにおいて、前記マークは、該マークが付されている基板に形成される他の層と同時形成されてなることを特徴とする電気光学装置。
- 請求項１または６のいずれかに規定する電気光学装置を表示部として備えていることを特徴とする電子機器。
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