JP4468753B2 - 荷電粒子線露光装置及び該装置を用いたデバイス製造方法 - Google Patents
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K:カラムによって決まる定数
I:電子線露光電流量
L:カラム長
V:電子線の入射エネルギー
α:電子線の像面における収束半角
数式1より、クーロン効果によるボケ量を低減するには、カラム長をできるだけ短くする必要があることが分かる。
図1は本発明の実施例に係る対称型磁気ダブレット・レンズ系を示す断面図であり、図2は本発明の実施例に係る対称型磁気ダブレット・レンズ系を用いた電子線露光装置の要部概略図である。
次に、本発明の実施例に係る補助磁極を有する対称型磁気ダブレット・レンズ系を図1
に示す。まず、磁界レンズの特徴を図1を参照しつつ説明する。 本磁界レンズ1−3,1−4は、励磁コイル1−12及び1−13に電流を流すことにより磁極ギャップ1−10及び1−11から磁場が漏れ、光軸上に磁場分布1−5,1−6が形成される。その際、レンズ磁場がレンズ外に拡がらないようにレンズ磁極の内径より小さな径を有する補助磁極1−8,1−9を設けてある。この補助磁極の間隔は、レンズ磁場を形成する磁極ギャップ1−10,1−11より大きな値に設定されている。そのため、レンズ磁極ギャップを含む磁界レンズの磁気回路の磁気抵抗は、補助磁極を含む磁気回路の磁気抵抗よりかなり小さな値となり、レンズ中心部の磁場分布は、磁極ギャップ1−10,1−11がある大きな内径のレンズ磁極で決定され、比較的磁場強度の弱いレンズ外の磁場強度は補助磁極1−8,1−9によって決定される。そのため、収差特性の劣化は小さい。また、レンズ外への磁場の漏れは補助磁極1−8,1−9の内径で決まるため、磁極径を数十mm程度に設定すると、物面1−1、及び像面1−2上の磁場強度はかなり低減できる。また、同様に絞り1−7において、上段磁界レンズ1−3と下段磁界レンズ1−4の磁場の干渉がなくなり、対称型磁気ダブレット条件を作ることができる。
次に、本発明の実施例2として、上記説明した実施例1に係る電子線露光装置を利用したデバイスの製造方法を説明する。
図5は微小デバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造のフローを示す。ステップ1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ2(EBデータ変換)では設計した回路パターンに基づいて露光装置の露光制御データを作成する。一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記用意した露光制御データが入力された露光装置とウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷(ステップ7)される。
プ13(電極形成)ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオン打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ16(露光)では上記説明した電子線露光装置によって回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ17(現像)では露光したウエハを現像する。ステップ18(エッチング)では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
Claims (2)
- 荷電粒子線を用い、縮小投影光学系を介して基板を露光する荷電粒子線露光装置において、
前記縮小投影光学系に含まれている磁界レンズに補助磁極を設け、前記補助磁極は、前記磁界レンズの磁極の中心の位置に対して対称に配置され、前記補助磁極の間隔は、前記磁界レンズの磁極の間隔より大きく、且つ前記補助磁極の内径は、前記磁界レンズの磁極の内径より小さいことを特徴とする荷電粒子線露光装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線露光装置を用いて基板を露光する工程と、露光された前記基板を現像する工程とを備えることを特徴とするデバイス製造方法。
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