JP4465760B2 - 縦型半導体装置の製造方法 - Google Patents
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【発明の属する技術分野】
本発明は、電力変換装置などに用いられる縦型の電力用半導体装置、特にその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
大電流をコントロールする電力用半導体装置は、半導体基板の利用率を高めるため、半導体基板の両主面に電極を設け、半導体基板の厚さ方向に電流を流すタイプのいわゆる縦型の半導体装置とされることが多い。そして、近年、600〜1200V 耐圧の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(以下IGBTと記す)などの金属−酸化膜−半導体(MOS)からなる制御電極構造(ゲート構造とも称する)を有する電力用半導体装置では、動作時のエネルギー損失の低減、ウェハコストの削減のため、エピタキシャル基板よりも安価なフローティングゾーン(以下FZと記す)基板を用い、更に半導体基板の厚さを薄くする技術が発展してきている。
【0003】
ウェハプロセスの始めから半導体基板の厚さを薄く、例えば150μm 以下にすると、ウェハプロセス中に破損し易い。そのような事態を避けるため、通常、ある程度厚いウェハを用いてMOSゲート構造、およびその側の主電極をすべて形成した後、ウェハプロセスの最後段で半導体基板の他方の主面を機械的に研磨し、時には化学的エッチングを加えて、所望の厚さに加工した後、裏面側の電極を形成する方法が採られている。
【0004】
ノンパンチスルー(以下NPTと記す)型IGBTを例にとり、その一般的な製造方法を以下に説明する。
図3(a)、(b)は従来のIGBTの製造方法による工程順の断面図である。
図3(a)は、半導体基板の一方の主面(エミッタ側、以下表面側と呼ぶ)にMOSゲート構造を形成した後、チャネル形成領域13およびエミッタ領域14を形成し、エミッタ電極となる金属薄膜3を堆積した状態のIGBTの断面図である。
【0005】
半導体基板1に形成されるMOSゲート構造は、ゲート酸化膜5、導電性多結晶シリコン膜からなるゲート電極層6、ゲート電極層6とエミッタ電極となる金属薄膜3とを電気的に絶縁する燐シリケートガラス(以下PSGと記す)などの層間絶縁膜2とからなる。このうち、ゲート酸化膜5は、厚さが通常数十nmで、1μm 程度のゲート電極層6、層間絶縁膜2に比べて十分薄いため、MOS構造部と半導体基板表面との段差は、多結晶シリコン膜6と層間絶縁膜2との厚さの合計にほぼ等しくなる。金属薄膜3は、例えばシリコンを微量含んだアルミニウムをスパッタして形成する。厚さは3〜5μm である。また、図のようにMOSゲート構造上にも延長されることが多い。そうすると、MOSゲート構造と半導体基板表面との段差がそのまま、金属薄膜3表面の凹凸として残る。
【0006】
この後、半導体基板1の他の主面側(コレクタ側、以下裏面側と呼ぶ)を機械的に研磨する。この状態で裏面を研磨すると、MOSゲート構造のある部分は、無い部分に比べ砥石に強く押しつけられることにより、研磨速度に差ができ、結果として表面の構造をいくらか反映して、裏面に段差が転写される〔同図(b)〕。7は裏面研磨後の半導体基板である。この際、MOSゲート構造を含む表面側には保護シール4などを貼ることもある。更に研磨によるダメージ層除去のため、裏面を機械的に研磨した後に化学的にエッチングすることもあるが、裏面に転写された段差は残る。
この後、裏面にアクセプタ型不純物のイオン注入、活性化をおこない、蒸着等により、コレクタ電極を形成する。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
前述のように、MOS制御型デバイスでは、所望の厚さに加工する際、MOSゲート構造を作った後に半導体基板の裏面を機械的に研磨する。その際、表面の構造により応力のかかりかたが部分的に異なるため、研磨速度にむらができ、裏面に段差が転写される。
【0008】
研磨後のウェハ厚さが薄くなるほど、その影響は大きくなり、その結果、作製したデバイスの電気的特性がばらついたり、研磨中にウェハ割れや、欠けが起きたりなどの不具合を生じることがある。
この問題に鑑み本発明の目的は、半導体素基板の厚さが薄く、均一で、デバイスの電気的特性がばらついたりせず、またウェハ割れや、欠けを生じない半導体装置の製造方法を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記の課題解決のため本発明は、半導体基板の第一の主面に第一の電極と制御電極構造とを、第二の主面に第二の電極を有する縦型半導体装置の製造方法において、制御電極と第一の電極を形成した後、一旦第一の主面側の表面を平坦化し、次に半導体基板の第二の主面側を機械的または化学的に研磨して所望の基板厚さにし、第二の電極を形成するものとする。
【0010】
そのようにすれば、先に平滑な半導体基板の第二の主面を基準として、第一の主面側が平坦化され、次にその平坦化された第一の主面側を基準として、第二の主面側が平坦化されるので、第二の主面側に凹凸が残ることは無く、平滑になる。
特に、第一の主面に、制御電極構造と第一主面の半導体基板表面との段差に比べ十分厚い、第一の主電極となる金属薄膜を形成した後に、その金属薄膜の表面を機械的または化学的に研磨して平坦化し、その後に第二主面側を研磨すれば、第一の主電極となる金属薄膜を厚くすることと、その表面層を研磨する工程が増えるだけなので、容易に実行できる。
【0011】
第一の主電極となる金属薄膜を形成した後に、制御電極構造と第一主面の半導体基板表面との段差に比べ十分厚い被覆膜を第一主面上に形成し、その被覆膜の表面を機械的または化学的に研磨して平坦化し、その後に第二主面側を研磨することもできる。
そのようにしても、一旦第一の主面側を平坦化した後、その面を基準として第二の主面を研磨するので、第二の主面に凹凸が残ることは無い。
【0012】
表層膜としては、フォトレジストを用いることができる。
フォトレジストは、半導体プロセスで頻繁に用いられる材料であり、取扱に慣れた材料であり、かつ適当な硬さを有している。
更に、半導体基板の第二の主面側を機械的または化学的に研磨し、その表面層に不純物を導入した後、第二の電極を形成するものとする。
【0013】
半導体基板の第二の主面側を研磨して所定の厚さにした後、第二の主面側の電極形成に適する不純物を導入すれば、安定した接触が得られる。
【0014】
そのような半導体装置は、第二の主面に第一の主面側の影響を受けた凹凸が無いため、研磨時のウェハ割れや、欠けが少なく、また作製したデバイスの電気的特性がばらつきが少なくなる。
【0015】
更に、半導体基板の厚さを150μm 以下とすると、僅かな凹凸の影響を受けやすく、割れやすいが、そのような薄い基板の製造方法としても割れ難くなる。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下に図面を参照しながら本発明の実施の形態を説明する。
〔実施例1〕
図1(a)〜(c)は本発明の製造方法による工程順の断面図である。
図1(a)は、半導体基板の一方の主面(エミッタ側、以下表面側と呼ぶ)にMOSゲート構造を形成し、金属薄膜3を堆積した後のIGBTの断面図である。例えば1200V クラスのIGBTの場合、半導体基板の厚さは250μm である。
【0017】
半導体基板1に不純物を導入し接合構造を形成した後、ゲート酸化膜5、導電性多結晶シリコン膜からなるゲート電極層6、PSGの層間絶縁膜2とからなるMOSゲート構造を設け、その上にエミッタ電極となる金属薄膜8を成膜する。
例えば、ゲート酸化膜5は厚さ80nmであり、ゲート電極層6、層間絶縁膜2はいずれも厚さ約1 μm である。このようにゲート酸化膜5は、ゲート電極層6、層間絶縁膜2に比べて十分薄いため、MOS構造部と半導体基板表面との段差は、多結晶シリコン膜6と層間絶縁膜2との厚さの合計にほぼ等しい。金属薄膜8の厚さは最初10μm とする。
【0018】
図3の従来の方法と異なる点は、金属薄膜8を、MOS構造部の段差に比べて十分厚く堆積していることである。
次に、厚く堆積した金属薄膜8を、約0.05μm のダイヤモンド、またはアルミナ粒子を含む研磨剤を用いて約4μm 研磨し、表面を平坦化する〔図1(b)〕。9は表面を平坦化した金属薄膜である。こうしてMOS構造部を含む表面側を平坦化することができる。初期の金属薄膜8の厚さが、MOS構造部の段差以下であると、当然のことながら完全な平坦化ができない。削り代が大きい程工程上簡便であるため、金属薄膜8の厚さはMOS構造部の段差の二倍以上であることが望ましい。
【0019】
更に、機械的研磨により半導体基板1の裏面を研磨し、厚さ150μm にする〔図1(c)〕。このとき、基準となるのは平坦化された表面側であるため、MOS構造部の段差に影響されずに裏面側を平坦に研磨することができる。10は裏面側を研磨した半導体基板である。
この後、従来と同じく、裏面にアクセプタ型不純物のイオン注入、活性化をおこない、蒸着等により、コレクタ電極を作製する。
【0020】
このような製造方法をとることにより、従来法によるIGBTに見られた厚さの差に基づく特性のばらつき、ウェハの割れ、欠け、が解消されただけでなく、更に100μm程度にまで、薄くすることが可能になった。
〔実施例2〕
図2(a)〜(c)は本発明の別の製造方法による工程順の断面図である。
【0021】
通常の工程と同様にMOS構造部を含む表面側の構造を全て作製した後に、MOS構造部と、半導体基板との段差よりも十分厚く、例えば5μmの厚さのフォトレジスト11を塗布する〔図2(a)〕。フォトレジスト11の厚さは、前述の理由により、MOS構造部の段差と半導体基板表面との段差の二倍以上であることが望ましい。
【0022】
フォトレジスト11の表面側を3〜4μm研磨して平坦化する〔同図(b)〕。12は表面を平坦化したフォトレジストである。
実施例1と同様に、機械的研磨により半導体基板1の裏面を研磨し、厚さ150μm にする〔同図(c)〕。10は裏面側を平坦化した半導体基板である。
裏面側を研磨した後に、表面側のフォトレジストは剥離した後、裏面にアクセプタ型不純物のイオン注入、活性化をおこない、蒸着等により、コレクタ電極を作製する。
【0023】
このような製造方法により、実施例1の方法と同様の効果が得られた。また、表面側の研磨代とする被覆膜は、フォトレジストに限らず、ポリイミド樹脂膜などでも良い。
【0024】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、制御電極と第一の電極を形成した後、一旦第一の主面側の表面を平坦化し、次に半導体基板の第二の主面側を機械的または化学的に研磨して所望の基板厚さにし、第二の電極を形成することにより、裏面側の表面形状を平坦化することができ、電気的特性のばらつきやウェハの割れ、欠けを低減することができる。
【0025】
平滑面を得るために、制御電極構造と第一主面の半導体基板表面との段差に比べ十分厚い、第一の主電極となる金属薄膜、或いはフォトレジストなどの被覆膜を用いることができ、特に低損失のMOS構造の制御電極を有する電力用半導体デバイスを可能にする、極めて有用な発明である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 (a)〜(c)は本発明によるIGBTの製造方法を説明するための主な工程順の断面図
【図2】 (a)〜(c)は本発明による別の製造方法を説明するための主な工程順の断面図
【図3】 (a)〜(c)は従来IGBTの製造方法の工程順の断面図
【符号の説明】
1 半導体基板
2 層間絶縁膜
3 金属薄膜
4 保護シール
5 ゲート酸化膜
6 導電性多結晶シリコン膜
7 裏面研磨後の半導体基板
8 厚く堆積した金属薄膜
9 平坦化した金属薄膜
10 裏面研磨した半導体基板
11 厚く塗布したフォトレジスト
12 平坦化したフォトレジスト
13 チャネル形成領域
14 エミッタ領域
Claims (6)
- 半導体基板の第一の主面に第一の電極と制御電極構造とを、第二の主面に第二の電極を有する縦型半導体装置の製造方法において、制御電極と第一の電極を形成した後、一旦第一の主面側の表面を平坦化し、次に半導体基板の第二の主面側を機械的または化学的に研磨して所望の基板厚さにし、第二の電極を形成することを特徴とする縦型半導体装置の製造方法。
- 第一の主面に、制御電極構造と第一主面の半導体基板表面との段差に比べ十分厚い、第一の主電極となる金属薄膜を形成した後に、その金属薄膜の表面を機械的または化学的に研磨して平坦化し、その後に第二主面側を研磨することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 第一の主電極となる金属薄膜を形成した後に、制御電極構造と第一主面の半導体基板表面との段差に比べ十分厚い被覆膜を第一主面上に形成し、その被覆膜の表面を機械的または化学的に研磨して平坦化し、その後に第二主面側を研磨することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 被覆膜として、フォトレジストを用いることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板の第二の主面側を機械的または化学的に研磨し、その表面層に不純物を導入した後、第二の電極を形成することを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の縦型半導体装置の製造方法。
- 半導体基板の第二の主面側を機械的または化学的に研磨して150μm 以下の基板厚さにすることを特徴とする請求項1に記載の縦型半導体装置の製造方法。
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