JP4462860B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 9
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45557—Pulsed pressure or control pressure
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はプラズマ処理装置に関するものであり、さらに詳しく説明すると、処理チェンバー内部の真空圧を調節する真空圧調節装置が改善されたプラズマ処理装置(PLASMA PROCESSING EQUIPMENT HAVING IMPROVED VACUUM PRESSURE CONTROL APPARATUS)に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
一般的に、プラズマ処理装置(例えば、エッチング装置、化学気相蒸着装置、アッシング装置など)は、真空環境を組成できる処理チェンバーを持つ。前記処理チェンバーの内部には未処理のウエハー(W)を上面に安着させるウエハーチャックが用意され、前記処理チェンバーの上側には蓋部材が設置される。前記蓋部材には、リアクションガス供給装置により供給されるリアクションガスを流入させて前記処理チェンバーの内部に噴射させるシャワーヘッドが設置される。前記チェンバーの底には排気管が用意され、その排気管を通じてスロットル‐バルブ及び真空ポンプが接続される。
従って、前記真空ポンプの動作により前記処理チェンバーの内部を所定の真空状態にすることになる。この時、前記スロットル‐バルブの開閉程度により前記処理チェンバーの内部の真空圧を調節することになる。
【0003】
また最近では、前記真空圧調節をスロットル‐バルブに頼らず、ウエハーチャックの上部に上下に昇降可能な圧力調節板を設置して、その圧力調節板の昇降程度によりウエハーチャックとの距離調節を行って圧力調節ができるように構成されたものが使用されている。
前記圧力調節板は、所定の方向に回転可能に設置されると同時に、その底面に突起が形成されたカムリングにより昇降するよう構成され、前記カムリングの上面及び下面に前記カムリングの回転動作を干渉せず接触する複数のベアリングを設置する。
【0004】
前記カムリングの上面に設置されたベアリングは、所定の位置で固定された状態を維持する。前記カムリングの下部に設置されたベアリングは、前記カムリングの下面現象に対応して昇降動作を実施できるよう設置される。
そして前記圧力調節板は、その支持軸が、前記カムリングの下面に設置されたベアリングの昇降動作と連動して昇降するように設置する。
【0005】
前述したように構成された従来のプラズマ処理装置の真空圧調節装置は、真空圧コントロールのために前記カムリングの位置設定が大変重要な要素として作用する。
このため従来には、前記カムリングと前記カムリングの上部に設置されたベアリングとの間の間隔を見計らうツールを前記カムリング及びベアリングの間に挿入する作業と取り出す作業を繰り返し行い、作業者の感覚で位置調整を実施した。 しかし、前述したような方法は、カムリングの位置を調整する作業が非常に煩わしいだけでなく、単純に作業者の感覚に頼ることにより、人によって測定する程度が違い、正確な位置調整が不可能という問題点がある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明は前述した問題点を解決するために案出されたものであり、本発明の目的は、真空圧調節板を上下に駆動させるカムリングの位置調整時、その位置調整の値を数値化させて人の目で直接確認できるように構成して、より精密な位置調整が行われるようにすると共に、その調整作業をより簡単に行えるようにするプラズマ処理装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
前述した目的を達成するために本発明のプラズマ処理装置は、所定の真空処理空間を形成する処理チェンバーと、前記処理チェンバーの上側をカバーする蓋部材と、前記処理チェンバーの下部に設置され、その上面にウエハーを安着させるウエハーチャックとを備えるプラズマ処理装置において、前記蓋部材の底面側には昇降駆動手段により上下に昇降ができるように圧力調節板が設置されている。前記昇降駆動手段は、前記蓋部材の上側に設置された固定ブロックと、前記固定ブロックの所定位置に設置されて第1ベアリングを固定する第1ブラケットと、前記固定ブロックの下側に上下に移動できるように設置されるとともに、前記第1ベアリングと所定の間隔を持ち第2ベアリングを設置する第2ブラケットと、前記第1ベアリングと第2ベアリングの間にその上面及び下面が前記第1ベアリング及び第2ベアリングと接触するように設置されるとともに、所定の方向に回転できるように設置され、その下面には突起が設置されているカムリングと、前記第2ブラケットに連結され前記圧力調節板を支持する支持軸とで構成されている。
【0008】
前記固定ブロックの上下方向に延びる側面であって、前記第1ブラケットと反対側の側面には、前記カムリングの上面との間隔調整のために前記第1ベアリングの固定位置を移動する場合その移動程度を数値化して測定できるようにする測量表示手段が設けられている。
前記測量表示手段は、前記第1ベアリングと連結されて移動する移動手段と、前記移動手段の移動程度を表示する移動量表示手段とで構成される。
【0009】
前記移動手段は、前記第1ベアリングに締結部材を媒介として固定される移動部材と、前記移動部材をスライディングできるように支持するガイドレールとで構成される。
前記移動量表示手段は、アナログ表示手段である。そのアナログ表示手段は前記移動部材に連結された指針と、前記指針の移動線上付近に用意された目盛り表示部とで構成される。
【0010】
前記移動量表示手段はデジタル表示手段である。前記デジタル表示手段は、前記移動手段の移動量をアナログ電気信号として感知する移動量感知手段と、その移動量感知手段のアナログ電気信号をデジタル信号に変換するA/D変換機と、前記A/D変換機を通じて変換されたデジタル信号の入力を受けてデジタル表示部に信号を出力する制御部とで構成される。前記デジタル表示部は、液晶表示素子、LEDなどを使用する。
前記処理チェンバーでは、食刻工程、薄膜形成工程、アッシング工程などが実施される。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下添付された図1から図7を参照して本発明の一つの実施例による構成及び作用について詳しく説明する。
本発明の一つの実施例によるプラズマ処理装置は、図1に示すように所定の真空処理空間を形成する処理チェンバー1と、前記処理チェンバー1の内部に設置されると共に、その上面に処理基板(例えば、ウエハー:W)を安着させるウエハーチャック3と、処理チェンバー1の上側をカバーする蓋部材5と、前記蓋部材5の底面側に昇降駆動手段100を媒介に上下に昇降可能に設置された圧力調節板7と、前記処理チェンバー1の下側に用意された排気管9に接続された真空ポンプ11とで構成される。
【0012】
前記蓋部材5にはガス供給源から所定のリアクションガスが供給されるガス供給管13が連結され、底面にはその内部に前記リアクションガスが収容される所定のガス空間15aをつくると共に、多数のガス噴射ホール15bを持つシャワーヘッド15が設置される。
前記圧力調節板7は、リング形態にできており、上下に昇降して前記ウエハーチャック3と成す距離(H)の調節によりウエハー(W)に加わる真空圧を調節する機能を遂行する。
【0013】
前記昇降駆動手段100は、複数個設置されるものであって、図2から図4に示すように、前記蓋部材5の上側に設置された固定ブロック110と、前記固定ブロック110の所定位置に設置されて第1ベアリング120を固定する第1ブラケット130と、前記固定ブロック110の下側に上下に移動可能に設置されるとともに、前記第1ベアリング120と所定の間隔を置き第2ベアリング140を設置する第2ブラケット150と、前記第1ベアリング120と第2ベアリング140の間にその上面及び下面が前記第1ベアリング120及び前記第2ベアリング140と接触するよう設置されるとともに、所定の方向に回転可能なように設置され、その下面には複数の突起161が形成されているカムリング160と、前記第2ブラケット150の下側に連結され前記圧力調節板7を支持する支持軸180とで構成される。
【0014】
前記第2ブラケット150の下側に連結された支持軸180の外側には弾性部材190が外巻きされて、前記第2ブラケット150を弾力的に支持するように構成される。
図2及び図4に示すように、前記固定ブロック110の一側には、前記カムリング160の上面との接触のために前記第1ベアリング120の固定位置を移動する場合、その移動程度を数値化して測定できるようにする測量表示手段200が追加して構成される。
【0015】
前記測量表示手段200は、前記第1ベアリング120と連結されて前記第1ベアリング120を調節のために上下に移動させる場合に一緒に移動する移動手段210と、前記移動手段210の移動程度を表示する移動量表示手段230とで構成される。
前記移動手段210は、前記第1ベアリング120に連結部材211を媒介として固定される移動部材213と、前記移動部材213をスライディング可能に支持するガイドレール215とで構成される。この時、前記固定ブロック110には前記連結部材211が上下に移動できるように縦に長く長孔ホール111が形成され、前記固定ブロック110の上側には前記第1ブラケット130を挿入させてスライディングさせるスライディングホーム113が形成される。
【0016】
前記第1ブラケット130の上下移送は、前記固定ブロック110の上部側で貫通して前記第1ブラケット130と連結されたコントロールバー260で行う。前記コントロールバー260は握り手部261と移送軸263で構成される。
前記第1ブラケット130と連結される移送軸263の外部には、ねじ部263aが用意されてその回転により前記第1ブラケット130が昇降するよう構成される。
【0017】
前記第1ブラケット130の昇降構成は、前述したようなコントロールバー260の形態に限定されずさまざまな形態に具現可能である。
前記移動量表示手段230は、図4に示すようにアナログ表示手段231とデジタル表示手段235で構成され、そのアナログ表示手段231は移動部材213に連結された指針231aと、前記指針231aの移動線上付近に用意された目盛り表示部231cとで構成される。
【0018】
前記デジタル表示手段235は、図7に示すように移動部材213の移動量をアナログ電気信号で感知する移動量感知手段235aと、その移動量感知手段235aのアナログ電気信号をデジタル信号に変換するA/D変換機235bと、前記A/D変換機235bを通じて変換されたデジタル信号の入力を受けてデジタル表示部235dに信号を出力する制御部235cとで構成される。
前記デジタル表示部235dには、いろいろなディスプレイ素子を使用することができ、一例として液晶表示手段(LCD:Liquid Crystal Display)、LED(Light Emitted Diode)などが使用される。
【0019】
次に、前記カムリング160は、図5及び図6に示すように環形を成すものである。前記第1ベアリング120と接触する上面は平らな平面を成し、第2ベアリング140と接触する底面には複数の突起161が形成される。
前記カムリング160は、図示されていない駆動手段により所定の方向に回転可能に設置される。前記突起161が第2ベアリング140と接触する場合、前記第2ベアリング140が上下に移動可能な第2ブラケット150により下降移動し、前記第2ブラケット150に連結された支持軸180が下降して圧力調節板7が下降するよう構成される。
【0020】
次は前述したように構成された真空圧調節装置により前記カムリング160の基本位置を設定するために第1ベアリング120のセッティング位置を調節する動作原理について詳しく説明する。
前記で、セッティング位置とは、前記第1ベアリング120が所定の位置に移動し前記カムリング160と接触する位置を意味するものである。それと同じように、第1ベアリング120を所定の位置に配置してカムリング160の上面に接触させることにより、前記カムリング160のホームポジションを設定することになる。
【0021】
まず作業者は、真空圧コントロールのために一番重要な要素として作用するカムリング160の基本位置付け作業を実施することになる。
つまり、前記カムリング160と第1ベアリング120との接触位置をチェックする。
前記接触位置は、前記カムリング160を押す力の程度と関連するものである。前記第1ベアリング120が下降する程度が大きくなると、前記第1ベアリング120がカムリング160を押す力が大きくなり、相対的に圧力調節板7が下降する程度が大きくなる。前記第1ベアリングの下降程度が小さいと、相対的に圧力調節板7が下降する程度が小さくなる。
【0022】
この時、前述したような昇降駆動手段100により圧力調節板7が支持される部分が複数個所、例えば3箇所(図5参照)で成り立つことにより、第1ベアリング120が下降する程度が違う場合、ウエハー(W)に加わる真空圧が各部分によって違うようになり、工程に影響を及ぼすことになるのである。
従って、前述したように複数個所に設置された第1ベアリング120を下降させる程度を均一にして真空圧を正しく測るための作業の一環である調整作業は、次のような過程により成り立つことになる。
【0023】
まず、第1ベアリング120が所定の位置にあることになると、前記第1ベアリング120を支持する第1ブラケット130に連結部材211を媒介に固定された指針231aが図4に示すように目盛り表示部231cの目盛りを支持して、その位置を知らせる。
この時、デジタル表示部235dでは、前記目盛り表示部231cに表示された数値を数字でディスプレイし、作業者が簡単に第1ベアリング120の下降程度を確認できるようにしてくれる。
【0024】
そのように指針231a及びデジタル表示部235dに表示された測定値を作業者は簡単に目で確認して誤差範囲を認識する。また、発生した誤差補正のために第1ブラケット130を上下に移送させると、それと連動して指針231aの位置が変わり目盛り表示部231cの数値を表示する。
【0025】
一方、前記指針231aと連結された移動部材213の移動量を移動量感知手段235aがアナログ電気信号として感知すると、そのアナログ電気信号をA/D変換機235がデジタル信号に変換して制御部235cに信号を伝達する。前記制御部235cでは、その信号値をデジタル表示部235dに出力し、数字として表示させる。
従って、作業者は第1ベアリング120の移動を正確な数値に即して目で直接確認しながら調整できるようになり、単純に感覚により位置調整を実施していた従来とは違い、より正確な位置調整が可能になる。
【0026】
このように、上述の説明では、具体的な実施例に関して詳細に説明したが、本発明の範疇からはみ出さない限度内でさまざまな変形が可能なのはもちろんである。従って、本発明の範囲は説明された実施例に局限されて決められてはならないうえに、特許請求の範囲のみでなくこの特許請求の範囲と均等なものにより決められなければならない。
【0027】
【発明の効果】
前述したように本発明は、カムリングの上面を押してあげる第1ベアリングの位置調整において、その調整量を可視化する表示手段を用意して、作業者が直接目で確認しながら調整を行うようにし、より正確な位置調整を可能にし工程不良が発生するのを解消させる。
また、その移動量を正確に数値化して表示することにより、熟練した作業者でなくてもその調整作業を実施できるようにするというメリットがある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例によるプラズマ処理装置の構成を概略的に示す模式図である。
【図2】図1のA表示部を拡大して示す拡大図である。
【図3】図2の矢印Bから見た側面図である。
【図4】図2の矢印Cから見た側面図である。
【図5】本発明の一実施例によるプラズマ処理装置のカムリングの底面構成を示す斜視図である。
【図6】図5のE−E’線断面図である。
【図7】本発明の一実施例によるプラズマ処理装置のデジタル表示手段の構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
1 処理チェンバー
3 ウエハーチャック
5 蓋部材
7 圧力調節板
9 排気管
11 真空ポンプ
100 昇降駆動手段
110 固定ブロック
120 第1ベアリング
130 第1ブラケット
140 第2ベアリング
150 第2ブラケット
160 カムリング
161 突起
180 支持軸
200 測量表示手段
210 移動手段
213 移動部材
215 ガイドレール
230 移動量表示手段
231 アナログ表示手段
231a 指針
231b 目盛り表示部
235 デジタル表示手段
235a 移動量感知手段
235b A/D変換機
235c 制御部
235d デジタル表示部
W ウエハー
Claims (9)
- 所定の真空処理空間を形成する処理チェンバーと、前記処理チェンバーの上側をカバーする蓋部材と、前記処理チェンバーの下部に設置され、その上面にウエハーを安着させるウエハーチャックとを備えるプラズマ処理装置において、
前記蓋部材の底面側には、少なくとも一つの昇降駆動手段により上下に昇降が可能なように圧力調節板が設置され、
前記昇降駆動手段は、前記蓋部材の上側に設置された固定ブロックと、前記固定ブロックの所定位置に設置されて第1ベアリングを固定する第1ブラケットと、前記固定ブロックの下側に上下に移動可能に設置され、前記第1ベアリングと所定の間隔を置き第2ベアリングを設置する第2ブラケットと、前記第1ベアリングと前記第2ベアリングとの間に上面及び下面が前記第1ベアリング及び前記第2ベアリングと接触するよう設置されるとともに、所定の方向に回転可能なように設置され、下面には突起が形成されているカムリングと、前記第2ブラケットに連結されて前記圧力調節板を支持する支持軸とで構成され、
前記固定ブロックの上下方向に延びる側面であって、前記第1ブラケットと反対側の側面には、前記カムリングの上面との間隔調節のために前記第1ベアリングの固定位置を移動する場合、その移動程度を数値化して測定できるようにする測量表示手段が設けられていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記測量表示手段は、前記第1ベアリングと連結されて移動する移動手段と、前記移動手段の移動程度を表示する移動量表示手段とで構成されていることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記移動手段は、前記第1ベアリングに締結部材を媒介として固定される移動部材と、前記移動部材をスライディング可能に支持するガイドレールとで構成されていることを特徴とする請求項2記載のプラズマ処理装置。
- 前記移動量表示手段は、アナログ表示手段であることを特徴とする請求項2記載のプラズマ処理装置。
- 前記アナログ表示手段は、前記第1ベアリングに締結部材を媒介として固定される移動部材に連結された指針と、前記指針の移動線上の付近に用意された目盛り表示部とで構成されていることを特徴とする請求項4記載のプラズマ処理装置。
- 前記移動表示手段は、デジタル表示手段であること特徴とする請求項2記載のプラズマ処理装置。
- 前記デジタル表示手段は、前記移動手段の移動量をアナログ電気信号で感知する移動量感知手段と、前記移動量感知手段のアナログ電気信号をデジタル信号に変換するA/D変換機と、前記A/D変換機を通じて変換されたデジタル信号が入力されデジタル表示部に信号を出力する制御部とで構成されていることを特徴とする請求項6記載のプラズマ処理装置。
- 前記デジタル表示部は、液晶表示素子またはLEDで構成されることを特徴とする請求項7記載のプラズマ処理装置。
- 前記処理チェンバーでは、食刻工程、薄膜形成工程またはアッシング工程のいずれかが実施されることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2002-0045427A KR100426816B1 (ko) | 2002-07-31 | 2002-07-31 | 진공압조절장치가 개선된 플라즈마 처리장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004072097A JP2004072097A (ja) | 2004-03-04 |
JP4462860B2 true JP4462860B2 (ja) | 2010-05-12 |
Family
ID=31185779
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003204044A Expired - Fee Related JP4462860B2 (ja) | 2002-07-31 | 2003-07-30 | プラズマ処理装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6910441B2 (ja) |
JP (1) | JP4462860B2 (ja) |
KR (1) | KR100426816B1 (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10239083B4 (de) * | 2002-08-26 | 2009-09-03 | Schott Ag | Vorrichtung zum Versorgen einer Prozesskammer mit fluiden Medien und deren Verwendung |
US7296534B2 (en) * | 2003-04-30 | 2007-11-20 | Tokyo Electron Limited | Hybrid ball-lock attachment apparatus |
US20050220568A1 (en) * | 2004-03-31 | 2005-10-06 | Tokyo Electron Limited | Method and system for fastening components used in plasma processing |
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-
2002
- 2002-07-31 KR KR10-2002-0045427A patent/KR100426816B1/ko active IP Right Grant
-
2003
- 2003-05-28 US US10/445,855 patent/US6910441B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-07-30 JP JP2003204044A patent/JP4462860B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004072097A (ja) | 2004-03-04 |
US6910441B2 (en) | 2005-06-28 |
US20040020429A1 (en) | 2004-02-05 |
KR100426816B1 (ko) | 2004-04-14 |
KR20040012070A (ko) | 2004-02-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050614 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080611 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080616 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080916 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090928 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100121 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100216 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130226 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4462860 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140226 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |