JP4456484B2 - 改良された露光後特性を有する193nmレジスト - Google Patents
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Description
(A)材料層を基板に付与し、
(B)レジスト組成物を該基板に塗布して、該基板上にレジスト層を形成し、該レジスト組成物が、(a)像形成ポリマー成分と、(b)光酸発生剤と、を含み、該像形成ポリマー成分が、その重合部分からのペンダント基をもつモノマー単位を有する酸感応性ポリマーを含み、該ペンダント基が、主鎖から離れた位置に酸解離性部分を含み、
(C)前記基板を光にパターン状に露光し、それにより前記光による前記レジスト層の露光領域内で前記酸発生剤により酸が発生し、
(D)前記基板を水性アルカリ現像液と接触させて、それにより前記レジスト層の前記露光領域が前記現像液によって選択的に溶解されて、パターン形成されたレジスト構造が現れ、
(E)前記レジスト構造パターン内のスペースを通して前記材料層までエッチングすることにより、レジスト構造パターンを前記材料層に転写する、
ことを含む。
上記方法のステップ(B)で用いられる光は、193nm紫外線であることが好ましい。パターン形成される材料は、有機誘電体、半導体、セラミック及び金属からなる群から選択されることが好ましい。
(i)Xは、アルキレン又はアルキレンエーテルであり、
(ii)Mは、環状オレフィン部分とエチレン主鎖部分とからなる群から選択される重合主鎖部分であり、
(iii)qは、0又は1に等しく、
(iv)Qは、酸解離性部分含有基である。
t−ブチル−2−メタクリロイルオキシアセテート(C1−tBE)モノマーの合成
メタクリル酸(8.06g、0.10モル)、t−ブチルブロモアセテート(19.50g、0.10モル)、及び1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ−7−エン(undoc−7−ene)、すなわち「DBU」(15.20g、0.10モル)及びトルエン150mlを、凝縮器、窒素入口、温度計及びマグネチック・スターラー・バーを装備した500mlの3首フラスコ内で混合した。この反応混合物を室温で1時間撹拌した。反応は、一面のN2流の下、90℃で一晩続けられた。この混合物を室温まで冷却し、塩(salt)を濾過によって除去した。MgSO4で一晩乾燥させる前に、このトルエン溶液を、それぞれ飽和NaCl溶液75mlで洗浄し、脱イオン水(DI水)75mlで2回洗浄した。この固形物を濾過して除去し、トルエンを回転蒸発器で除去した。油性残留物を最終的に透明な液体になるまで減圧蒸留した。
C1−tBE:NLMコポリマーの合成
t−ブチル−2−メタクリロイルオキシアセテート、すなわち「C1−tBE」(7.5グラム、0.037モル)、ノルボルネンラクトンメタクリレート、すなわち「NLM」(12.48グラム、0.056モル)、2,2’−アゾビスイソブチロニトリル開始剤(0.90グラム、6.00%の総モル)、テトラヒドロフラン95ml、及び酢酸エチル50mlを、凝縮器、温度計、窒素入口及びマグネチック・スターラー・バーを装備した250mlの3首丸底フラスコ内で混合した。加熱マントルをオンにする前に、この反応溶液を室温で撹拌し、N2流を用いて1時間撹拌した。重合は、一面のN2流を用いて70℃で14時間行われた。この溶液を冷却し、撹拌状態のメタノール1200mlに一滴ずつ添加した。濾過する前に、混合物を一晩撹拌した。65℃の真空オーブンで最終乾燥させる前に、フィルタ上に集められたコポリマーを数時間空気乾燥させた。収率は、89%であった。C13NMRにより、ポリマー組成は37:63(C1−tBE:NLM)であることが確認された。GPCは、17000のMwを示した。TGAによるwt.損失%は、10.25%であった。
C1−tBE:NLM:MAdMAターポリマーの合成
t−ブチル−2−メタクリロイルオキシアセテート、すなわち「C1−tBE」(1.38グラム、0.0074モル)、メチルアダマンチルメタクリレート、すなわち「MAdMA」(1.76グラム、0.0074モル)、ノルボルネンラクトンメタクリレート、すなわち「NLM」(5.88グラム、0.0224モル)、2,2’−アゾビスイソブチロニトリル開始剤(0.40グラム、6.75%の総モル)、テトラヒドロフラン40ml、及び酢酸エチル20mlを、凝縮器、温度計、窒素入口及びマグネチック・スターラー・バーを装備した250mlの3首丸底フラスコ内で混合した。加熱マントルをオンにする前に、この混合物を室温で撹拌し、N2流を用いて45分間撹拌した。反応は、一面のN2流を用いて70℃で14時間行われた。次に、この反応溶液を室温まで冷却し、撹拌状態のメタノール500mlに一滴ずつ添加した。濾過する前に、結果として生じたスラリーを一晩撹拌した。固形物をフィルタから集め、5時間空気乾燥した。65℃の真空オーブンで一晩最終乾燥を行った。収率は、86%であった。このポリマーは、C13NMRを用いて、18:19:63(C1−tBE:MAdMA:NLM)であるとみなされ、10500のGPC分子量を有していた。
C1−tBE:NLM:NB−HFAMAターポリマーの合成
t−ブチル−2−メタクリロイルオキシアセテート、すなわち「C1−tBE」(5.58グラム、0.030モル)、ノルボルネンヘキサフルオロアルコールメタクリレート、すなわち「NB−HFAMA」(5.22グラム、0.015モル)、ノルボルネンラクトンメタクリレート、すなわち「NLM」(6.66グラム、0.030モル)、2,2’−アゾビスイソブチロニトリル開始剤(0.86グラム、0.005モル)、テトラヒドロフラン84ml、及び酢酸エチル46mlを、凝縮器、温度計、窒素入口及びマグネチック・スターラー・バーを装備した250mlの3首丸底フラスコ内で混合した。加熱マントルをオンにする前に、この反応混合物を撹拌し、室温でN2流を用いて1時間撹拌した。重合は、一面のN2流の下、70℃で14時間行われた。この反応溶液を室温まで冷却し、撹拌状態のヘキサン1リットルに一滴ずつ添加した。濾過する前に、結果として生じたスラリーを一晩撹拌した。65℃の真空オーブンで24時間最終乾燥させる前に、このポリマーをフィルタ上で数時間空気乾燥させた。収率は、94%であった。このターポリマーは、C13NMRを用いて、41:40:19(C1−tBE:NLM:NB−HFAMA)であるとみなされた。
20モル%のc1−TBE−MA、20モル%のメチルアダマンチルメタクリレート、及び60モル%のNLMからなるターポリマーを、5wt.%(ターポリマーのwt.に基づく)のジ(t−ブチルフェニル)ヨードニウムペルフルオロオクタンスルホネート及び0.11wt.%(ターポリマーのwt.に基づく)の1−t−ブチルオキシカルボニル2−フェニルベンズイミダゾルを有するプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)中に溶解して、固形分11wt.%の溶液を形成した。結果として生じた溶液を、0.2μmのフィルタを通して濾過した。次に、この結果として生じた溶液を、82nmの厚底の反射防止コーティング(ARC、すなわちShipley Companyからの「AR19」)で予めコーティングされた8インチのシリコンウェハー上にスピンコーティングした。次に、レジストがコーティングされたウェハーを、130℃で60秒加熱し、次いでASMLステッパ(0.75NA)上のArF(193nm波長)像形成光に露光した。次に、この露光されたレジストを130℃で90秒加熱した。この像を、シングル・スプレー・パドルの現像工程を用いて、0.263NのTMAH現像液(Moses LakeのAD−10)で60秒現像した。これらの工程条件下では、245nmピッチの80nmラインが解像された。
40モル%のc1−TBE−MA、15モル%のNBHFA−MA、及び60モル%のNLMからなるターポリマーを、8wt.%のBNBSペルフルオロオクタンスルホネート及び0.26wt.%の2,6−ジイソプロピルアニリンと共にPGMEA中に溶解して、固形分11wt.%の溶液を形成した。結果として生じた溶液を、0.2μmのフィルタを通して濾過した。次に、この結果として生じたレジスト組成物を、82nmの厚底のARC(Shipley Companyからの「AR19」)で予めコーティングされた8インチのシリコンウェハー上にスピンコーティングした。次に、レジストがコーティングされたウェハーを、130℃で60秒加熱し、次いでASMLステッパ(0.75NA)上のArF(193nm波長)像形成光に露光した。次に、この露光されたレジストを130℃で90秒加熱した。この像を、シングル・スプレー・パドルの現像工程を用いて、0.263NのTMAH現像液(Moses LakeのAD−10)で60秒現像した。これらの工程条件下では、1:1ピッチの90nmのネストされたラインが解像された。
0モル%のc1−TBE−MA及び60モル%のNLMからなるコポリマーを、5wt.%の4−n−ブトキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムペルフルオロオクタンスルホネート及び0.2wt.%の1−t−ブチルオキシカルボニル−2−フェニルベンズイミダゾルを有するPGMEA中に溶解して、固形分13wt.%の溶液を形成した。結果として生じた溶液を、0.2μmのフィルタを通して濾過した。次に、この結果として生じたレジスト組成物を、82nmの厚さの底部のARC(Shipley Companyからの「AR19」)で予めコーティングされた8インチのシリコンウェハー上にスピンコーティングした。次に、レジストがコーティングされたウェハーを、130℃で60秒加熱し、次いでASMLステッパ(0.75NA)上でArF(193nm波長)像形成光に露光した。次に、この露光されたレジストを130℃で90秒加熱した。この像を、シングル・スプレー・パドルの現像工程を用いて、0.263NのTMAH現像液(Moses LakeのAD−10)で60秒現像した。これらの工程条件下では、420nmピッチの100nmラインが解像された。
40モル%のメチルアダマンチルメタクリレートと60モル%のNLMとの85wt.%のコポリマーとブレンドされた、40モル%のc1−TBE−MAと60モル%のNLMとの15wt.%のコポリマーを、95%のPGMEAと5%のγ−ブチロラクトンとの混合溶媒中に溶解させ、次いで8wt.%の4−n−ブトキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムペルフルオロオクタンスルホネート、0.26wt.%の2,6−ジイソプロピルアニリン及び5wt.%のカルボ−t−ブトキシメチルデオキシコレートとブレンドして、固形分11wt.%の溶液を形成した。結果として生じた溶液を、0.2μmのフィルタを通して濾過した。次に、この結果として生じた溶液を、82nmの厚さの底部のARC(Shipley Companyからの「AR19」)で予めコーティングされた8インチのシリコンウェハー上にスピンコーティングした。次に、レジストがコーティングされたウェハーを、130℃で60秒加熱し、次いでASMLステッパ(0.75NA)上のArF(193nm波長)像形成光に露光した。次に、この露光されたレジストを130℃で90秒加熱した。この像を、シングル・スプレー・パドルの現像工程を用いて、0.263NのTMAH現像液(Moses LakeのAD−10)で60秒現像した。これらの工程条件下では、245nmピッチの80nmラインが解像された。
Claims (13)
- 193nmのリソグラフィ工程用のポジティブレジスト組成物であって、
(A)像形成ポリマー成分と、(B)光酸発生剤とを含み、
前記像形成ポリマー成分が、酸感応性ポリマーを含み、
前記酸感応性ポリマーが、
(a)下記式(I)で表される酸解離性部分を含むモノマー単位と、
(i)Xはアルキレン又はアルキレンエーテルであり、
(ii)Mは、下記式(II)で表され、
R1は、H、CN、CH3、又はCF3から選択され、
(iii)qは0か又は1に等しく、
(iv)Qは、酸解離性部分を含有し、該酸解離性部分が、t−ブチルエステル、メチルシクロヘキシルエステル、メチルアダマンチルエステル、及びこれらの組み合わせからなる群から別個に選択され、
(b)カルボキシル基、スルホンアミジル基、及び、フルオロアルコール基よりなる群から選択された水性アルカリ溶液中での溶解性を促進する極性部分を有するアクリルモノマー単位と、
(c)ノルボルネンラクトンメタクリル酸エステルモノマー単位と、を有することを特徴とする、
前記レジスト組成物。 - 前記qは1であり、前記アルキレンは1乃至3個の炭素原子を有するアルキレン部分である、請求項1に記載の組成物。
- 前記酸感応性ポリマーがさらに、(a)式(I)で表される酸解離性部分を含むモノマー単位、(b)水性アルカリ溶液中での溶解性を促進する極性部分を有するアクリルモノマー単位、及び、(c)ノルボルネンラクトンメタクリル酸エステルモノマー単位以外に、酸解離性部分を含み、かつ、水性アルカリ溶液中でレジストの溶解性を抑制するアクリルモノマー単位を含む、請求項1又は2に記載の組成物。
- 前記酸感応性ポリマーが、少なくとも10モル%の、式(I)で表される酸解離性部分を含むモノマー単位を含む、請求項1〜3いずれか1つに記載の組成物。
- 前記像形成ポリマー成分がさらに、式(I)で表される酸解離性部分を含むモノマー単位をもたない付加的な酸感応性ポリマーを含む、請求項1〜4いずれか1つに記載の組成物。
- 前記像形成ポリマー成分が、少なくとも10重量%の、式(I)で表される酸解離性部分を含むモノマー単位を有する酸感応性ポリマーを含む、請求項5に記載の組成物。
- 前記レジスト組成物が、前記像形成ポリマーの重量に基づき、少なくとも0.5重量%の、前記光酸発生剤を含む、請求項1に記載の組成物。
- 半導体、セラミック、及び金属からなる群から選択された材料のパターン形成された構造を基板上に形成する方法であって、
(A)基板に前記材料の層を設け、
(B)(a)像形成ポリマー成分と、(b)光酸発生剤と、を含み、前記像形成ポリマー成分が、酸感応性ポリマーを含み、前記酸感応性ポリマーが、
(a)下記式(I)で表される酸解離性部分を含むモノマー単位と、
(i)Xはアルキレン又はアルキレンエーテルであり、
(ii)Mは、下記式で表され、
R1は、H、CN、CH3、又はCF3から選択され、
(iii)qは0か又は1に等しく、
(iv)Qは、酸解離性部分を含有し、該酸解離性部分が、t−ブチルエステル、メチルシクロヘキシルエステル、メチルアダマンチルエステル、及びこれらの組み合わせからなる群から別個に選択され、
(b)カルボキシル基、スルホンアミジル基、及び、フルオロアルコール基よりなる群から選択された水性アルカリ溶液中での溶解性を促進する極性部分を有するアクリルモノマー単位と、
(c)ノルボルネンラクトンメタクリル酸エステルモノマー単位と、を含む、レジスト組成物を、前記基板に適用して前記基板上にレジスト層を形成し、
(C)前記基板に193nm光をパターン状に露光して、前記光によって前記レジスト層の露出領域において前記酸発生剤により酸が発生するようにし、
(D)前記基体に水性アルカリ現像溶液を接触させて、前記レジスト層の前記露出領域が前記現像溶液によって選択的に溶解されて、パターン形成されたレジスト構造体が現れるようにし、
(E)前記レジスト構造パターン内のスペースを通して前記材料層にエッチングすることによって、前記材料層にレジスト構造パターンを転写する、
ことを含む方法。 - 前記エッチングが反応性イオンエッチングからなる、請求項8に記載の方法。
- 少なくとも1つの中間層が前記材料層と前記レジスト層との間に設けられ、前記ステップ(E)が、前記中間層を通してエッチングすることからなる、請求項8又は9に記載の方法。
- 前記基板がステップ(C)及び(D)の間で加熱される、請求項8〜10いずれか1つに記載の方法。
- 前記像形成ポリマー成分がさらに、式(I)で表される酸解離性部分を含むモノマー単位をもたない付加的な酸感応性ポリマーを含む、請求項8〜11いずれか1つに記載の方法。
- 前記像形成ポリマー成分が、少なくとも10重量%の、式(I)で表される酸解離性部分を含むモノマー単位を有する酸感応性ポリマーを含む、請求項8〜12いずれか1つに記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/261,249 US7087356B2 (en) | 2002-09-30 | 2002-09-30 | 193nm resist with improved post-exposure properties |
PCT/EP2003/010688 WO2004029719A1 (en) | 2002-09-30 | 2003-08-28 | 193nm resist |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006501495A JP2006501495A (ja) | 2006-01-12 |
JP2006501495A5 JP2006501495A5 (ja) | 2007-07-05 |
JP4456484B2 true JP4456484B2 (ja) | 2010-04-28 |
Family
ID=32029921
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004539024A Expired - Fee Related JP4456484B2 (ja) | 2002-09-30 | 2003-08-28 | 改良された露光後特性を有する193nmレジスト |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7087356B2 (ja) |
EP (1) | EP1550003A1 (ja) |
JP (1) | JP4456484B2 (ja) |
KR (1) | KR100707525B1 (ja) |
CN (1) | CN1685285B (ja) |
AU (1) | AU2003273924A1 (ja) |
TW (1) | TWI249080B (ja) |
WO (1) | WO2004029719A1 (ja) |
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JP3844057B2 (ja) | 2000-11-21 | 2006-11-08 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
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2002
- 2002-09-30 US US10/261,249 patent/US7087356B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-08-28 WO PCT/EP2003/010688 patent/WO2004029719A1/en active Application Filing
- 2003-08-28 CN CN038233509A patent/CN1685285B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-08-28 EP EP03757891A patent/EP1550003A1/en not_active Withdrawn
- 2003-08-28 AU AU2003273924A patent/AU2003273924A1/en not_active Abandoned
- 2003-08-28 JP JP2004539024A patent/JP4456484B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-08-28 KR KR1020057003616A patent/KR100707525B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-09-05 TW TW092124580A patent/TWI249080B/zh not_active IP Right Cessation
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1550003A1 (en) | 2005-07-06 |
CN1685285A (zh) | 2005-10-19 |
CN1685285B (zh) | 2012-11-21 |
WO2004029719A1 (en) | 2004-04-08 |
TW200405129A (en) | 2004-04-01 |
KR100707525B1 (ko) | 2007-04-12 |
AU2003273924A1 (en) | 2004-04-19 |
US7087356B2 (en) | 2006-08-08 |
TWI249080B (en) | 2006-02-11 |
US20040063024A1 (en) | 2004-04-01 |
JP2006501495A (ja) | 2006-01-12 |
KR20050074442A (ko) | 2005-07-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A529 | Written submission of copy of amendment under section 34 (pct) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A529 Effective date: 20050328 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060825 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060825 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070517 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090113 |
|
RD12 | Notification of acceptance of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7432 Effective date: 20090128 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20090128 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090408 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090529 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090818 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091113 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100202 |
|
RD14 | Notification of resignation of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7434 Effective date: 20100202 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100205 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130212 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313114 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130212 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130212 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140212 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |