JP4448596B2 - ホスフィンオキシド類の製造方法およびその精製方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、式(１)で表わされるイミノホスホラン類とオキシ三塩化りんとを反応させて式(２)で表わされるホスフィンオキシド類を製造する方法および該ホスフィンオキシド類の精製方法に関する。本発明者らは先に該ホスフィンオキシド類が、アルキレンオキシド化合物の重合触媒、エポキシ化合物からオキシアルキレン誘導体を製造する際の触媒またはＩＣ封止材用原料樹脂の硬化触媒として極めて有効であることを見出だし、すでに出願済み(特願平10-106745、特開平11-302371または例えば特開平11-322901等)である。該ホスフィンオキシド類はこのような触媒として有用な化合物である。
【０００２】
【従来の技術】
式(２)で表わされるホスフィンオキシド類に関する公知文献は、本発明者らによる上記のもの以外にジー.エヌ.コイダン(G.N.Koidan)ら、ジャーナル オブ ジェネラル ケミストリー オブ ザ ユーエスエスアール 55巻 1453頁(1985)(Journal of general chemistry of the USSR,55,p1453(1985))があり、他には見あたらない。
【０００３】
この文献では本願における式(１)で表わされるイミノホスホラン類中のＲが、メチル基である化合物[イミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホラン]は、ヘキサメチルトリアミドホスファゾハイドライドと呼ばれ、本願における式(２)で表わされるホスフィンオキシド類中のＲが、メチル基である化合物[トリス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]ホスフィンオキシド]は、トリス[トリス(Ｎ,Ｎ-ジメチルアミド)ホスファゾ]ホスフェイトと呼ばれている。
また本願における式(３)で表わされるアミノホスホニウムクロリド類中のＲが、メチル基である化合物[アミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホニウムクロリド]はヘキサメチルトリアミドホスファゾハイドライドハイドロクロライドと呼ばれ、[HN=P(NMe2)3]・HClの形で表わされているが、同一の化合物である。ここでは上記３種の化合物は本願の表現を用いることとする。
【０００４】
この文献は、トリス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]ホスフィンオキシドとヨウ化メチルとの反応について述べられている。そしてその反応の原料であるトリス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]ホスフィンオキシドの製造法を開示している。
そこではイミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランとオキシ三塩化りんとのモル比を正確に６:１となるように、該ホスホランの石油エーテル溶液に、オキシ三塩化りんの石油エーテル溶液を２０℃で３０分撹拌しながら滴下して加え、その後(時間は明示されていない)、副生したアミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホニウムクロリドの沈澱を分離し、該沈澱を石油エーテルで洗浄し、その濾液を濃縮し残渣を少量の石油エーテルから結晶化させることにより、単離収率８５%でトリス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]ホスフィンオキシドを得たと述べている。
【０００５】
しかしながら、本発明者らが同じ条件でこの方法を実施したところ、後の比較例５で示すように、２０℃、３０分でオキシ三塩化りんを加え終わった後では、目的物はほとんど生成していなかった。その後、反応温度を４０℃に上げて２４時間反応させても目的物の反応収率は６０%程度で、さらに４８時間反応させてもその反応収率は７３%程度でしかなかった。
【０００６】
また該文献には「少量の石油エーテルから結晶化した」とのみの記載があるだけで再結晶の詳細な説明はない。本発明者らは上述のように４０℃で４８時間反応させて得られた反応液から、該文献記載のように、先ず沈澱を濾別し、その濾液を濃縮乾固して固体とし、再結晶を試みた。
【０００７】
後の比較例６で示すように−１０℃まで冷却して初めて少量の結晶の析出が見られ、−２０℃という極く低温でようやく結晶をとることができた。この結晶のトリス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]ホスフィンオキシドの単離収率は２０%と低く、しかもこの結晶中には多量の塩素イオン(約６００ppm)が含まれていた。この塩素イオンの残留は、該ホスフィンオキシドを、電気絶縁特性が要求される前述のＩＣ封止材用原料樹脂組成物の硬化触媒として使用する場合に極めて重大な問題となる。
【０００８】
イミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランとオキシ三塩化りんとを反応させ、トリス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]ホスフィンオキシドを製造する際には、オキシ三塩化りん１分子に対して、イミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホラン１分子が反応すると塩化水素１分子が同時に生成する。この塩化水素は直ちにイミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランと反応して、イオン性のアミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホニウムクロリドを生成する。
従って１モルのオキシ三塩化りんの３個の塩素を全て反応させてしまうには、化学量論的には６モルのイミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランが必要となる。すなわち、
6HN=P(NMe2)3 + O=PCl3 → O=P[N=P(NMe2)3]3 + 3[H2N-P+(NMe2)3]Cl-
で表わされる。
【０００９】
後の比較例７で示すように、該文献記載の精製法では、反応収率を上げようとして化学量論量より過剰のイミノ(ジメチルアミノ)ホスホランを使用した場合に未反応で残る該ホスホランを充分に除くことができず、再結晶後のトリス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]ホスフィンオキシドの純度を低下させる結果となった。
【００１０】
このように開示されているトリス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]ホスフィンオキシドの製造方法では、反応収率および単離収率ともに低く、また精製法には極低温が必要であり、さらには反応で生成するイオン性化合物の除去や反応収率向上のため一方の反応物を過剰に用いようとするとその除去が充分にできないなど、工業的製造方法としては極めて不充分である。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の第一の目的は、式(１)で表わされるイミノホスホラン類とオキシ三塩化りんとを反応させて式(２)で表わされるホスフィンオキシド類を製造する方法において、その反応収率を向上させて高収率で該ホスフィンオキシド類を得ることのできる製造方法を提供することにある。
さらに、本発明の第二の目的は、工業的により現実的な方法により、未反応原料やイオン性不純物等が除去でき、該ホスフィンオキシド類を高収率で且つ高純度で得ることのできる精製方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を続けたところ、式(１)で表わされるイミノホスホラン類とオキシ三塩化りんとを反応させて式(２)で表わされるホスフィンオキシド類を製造するに際し、反応溶媒を石油エーテル(２０℃における誘電率は１.８５〜１.９５である)に代えて２０℃における誘電率が２.２以上である非プロトン性有機溶媒を用いると、著しくその反応速度が増大し、高収率で該ホスフィンオキシド類が得られることを見い出した。
【００１３】
さらには、１質量部の石油エーテルは１.５質量部以上の該ホスフィンオキシド類を溶解する良好な溶媒ではあるが、後の比較例８で示すように、石油エーテル溶媒で反応させた反応液を、少量の水で洗浄しようとすると、該ホスフィンオキシド類のほとんどが水相に移り、石油エーテル相にはほとんど残らないことが判った。
【００１４】
しかしながら驚くべきことに、ある特定の溶媒、例えばo-ジクロロベンゼンを溶媒とした反応液の場合には、水洗浄を行っても、後の実施例８で示すように、該ホスフィンオキシド類のほとんどは有機相に残り、そして反応で生成する式(３)で表わされるアミノホスホニウムクロリド類や、副生する不明の化合物等がほぼ完全に水相に移ることを見い出した。それどころかさらに驚くべきは、実施例８で示すように化学量論量あるいはそれ以上に使用した場合に、反応液中に未反応で残存する式(１)で表わされるイミノホスホラン類も、ほとんど水相に移ることも見出だした。
【００１５】
このように、２０℃における誘電率が２.２以上である非プロトン性有機溶媒を反応溶媒として用いると、反応速度が増大し反応収率が高まり高収率で式(２)で表わされるホスフィンオキシド類を製造することができ、さらに該ホスフィンオキシド類および特定の有機溶媒を含む溶液を水洗浄するだけで、単離収率がほとんど低下することなく純度が高まるという効果を見出し本発明を完成した。
【００１６】
すなわち、本発明の第一は、下記式(１)
【００１７】
【化７】
【００１８】
(式中、Ｒは同種または異種の炭素数１〜１０個の炭化水素基であり、同一窒素原子上の２個のＲが互いに結合して環構造を形成する場合もある)
で表わされるイミノホスホラン類とオキシ三塩化りんとを反応させて、
下記式(２)
【００１９】
【化８】
【００２０】
(式中、Ｒは式(１)中のＲと同一である)
で表わされるホスフィンオキシド類を製造するに際し、反応溶媒として２０℃における誘電率が２.２以上である非プロトン性有機溶媒を用いることを特徴とする該ホスフィンオキシド類の製造方法である。
【００２１】
さらに本発明の第二は、少なくとも下記式（２）で表わされるホスフィンオキシド類および水と混ざらない有機溶媒を含む溶液を、水洗浄して該ホスフィンオキシド類の溶液として得るか、または、少なくとも下記式（２）で表わされるホスフィンオキシド類および水と混ざらない有機溶媒を含む溶液を、水洗浄して該ホスフィンオキシド類の溶液を得て、得られた該ホスフィンオキシド類の溶液を濃縮乾固することにより、該ホスフィンオキシド類を固体として得るホスフィンオキシド類の精製方法であって、前記水と混ざらない有機溶媒が、２０℃における誘電率が２.２以上である非プロトン性有機溶媒であることを特徴とする、ホスフィンオキシド類の精製方法である。
【化９】
【００２２】
【発明の実施の形態】
本発明の製造方法および精製方法においては、ホスフィンオキシド類の化学構造式を式(２)で表しているが、これは一つの極限構造式である。りん原子と酸素原子の間を二重結合で表現してはいるが、酸素原子上に電子が偏ってアニオンとなり、りん原子上にカチオンが生じた形(Ｐ+−Ｏ-)の極限構造式もとり得る。また、りん原子上のこのカチオンは共役系を通して全体に非局在化することもできる。本発明の製造方法および精製方法における式(２)で表わされるホスフィンオキシド類は、これらすべてを含んだ共鳴混成体として理解されるべきである。
【００２３】
本発明の製造方法および精製方法における式(１)で表わされるイミノホスホラン類、式(２)で表わされるホスフィンオキシド類、および下記式(３)
【００２４】
【化１０】
【００２５】
(式中、Ｒは式(１)および式(２)中のＲと同一である)
で表わされるアミノホスホニウムクロリド類中のＲは、同種または異種の、炭素数１〜１０個の炭化水素基であり、具体的にはこのＲは、例えばメチル、エチル、n-プロピル、イソプロピル、アリル、n-ブチル、sec-ブチル、tert-ブチル、２-ブテニル、１-ペンチル、２-ペンチル、３-ペンチル、２-メチル-１-ブチル、イソペンチル、tert-ペンチル、３-メチル-２-ブチル、ネオペンチル、n-ヘキシル、４-メチル-２-ペンチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、１-ヘプチル、３-ヘプチル、１-オクチル、２-オクチル、２-エチル-１-ヘキシル、１,１-ジメチル-３,３-ジメチルブチル(通称、tert-オクチル)、ノニル、デシル、フェニル、４-トルイル、ベンジル、１-フェニルエチル、または２-フェニルエチル等の脂肪族、または芳香族の炭化水素基が挙げられる。
【００２６】
また式(１)で表わされるイミノホスホラン類、式(２)で表わされるホスフィンオキシド類、および式(３)で表わされるアミノホスホニウムクロリド類中の、同一窒素原子上の２個のＲが、互いに結合して窒素原子をも含んで環構造を形成する場合の環状アミノ基は、環に４〜６個の炭素原子を含む環状二級アミノ基であり、-ＮＲ2は窒素原子を含んだ５〜７員環の環状二級アミノ基となる。
それらの環状二級アミノ基としては、例えばピロリジン-１-イル基、ピペリジン-１-イル基、またはモルホリン-４-イル基等であり、さらにはそれらにメチル、またはエチル等のアルキル基が置換したものである。該イミノホスホラン類、該ホスフィンオキシド類、および該アミノホスホニウムクロリド類中の、可能な全ての窒素原子について、このような環構造をとっていても構わないし、一部であってもよい。
【００２７】
これらのうち、メチル、エチル、n-プロピル、イソプロピル、tert-ブチル、tert-ペンチル、または１,１-ジメチル-３,３-ジメチルブチル等の炭素数１〜８個の脂肪族炭化水素基が好ましく、メチル基がより好ましい。
これらの式(１)で表わされるイミノホスホラン類は、EP-0921128またはG.N.Koidan etal.,Zh.Obshch.Khim.,50,pp.679-680(1980)に記載の方法と同様に行って合成することができる。また該イミノホスホラン類中のＲがメチル基である化合物は市販されてもおり容易に入手可能である。
【００２８】
本発明の第一は、式(１)で表わされるイミノホスホラン類と、オキシ三塩化りんとを反応させて、式(２)で表わされるホスフィンオキシド類を製造するに際し、反応溶媒として２０℃における誘電率が２.２以上である非プロトン性有機溶媒を用いる該ホスフィンオキシド類の製造方法である。
【００２９】
本発明の製造方法の特徴は、反応溶媒として２０℃における誘電率が２.２以上である非プロトン性有機溶媒を用いることにある。反応溶媒として２０℃における誘電率が２.２未満の非プロトン性有機溶媒を用いると、温和な同条件下では極端に反応速度が低下し、また反応速度を高めようと反応温度を上昇させると副反応が進行し、その結果目的とする式(２)で表わされるホスフィンオキシド類を高収率で得ることができない。
そのような溶媒としては、例えば石油エーテル(１.８５〜１.９５:この数値は２０℃における誘電率を表す;以下同様)、ヘキサン(１.８９)、デカン(１.９９)、１-ヘキセン(２.０６)、１-オクテン(２.０８)、シクロヘキサン(２.０５)、およびデカリン(２.１９)等が挙げられ、反応溶媒として好ましくない。
【００３０】
本発明の製造方法において、溶媒として使用される、２０℃における誘電率が２.２以上である非プロトン性有機溶媒の具体例としては、「溶剤ハンドブック(1982年)講談社発行:浅原照三ほか編」に記載されるごとく、例えば塩化メチレン、クロロホルム、１,２-ジクロロエタン、１,１-ジクロロエタン、またはヘキサクロロエタン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類が挙げられ、例えばベンゼン、トルエン、o-キシレン、m-キシレン、p-キシレン、混合キシレン、エチルベンゼン、ノルマルプロピルベンゼン、クメン、１,２,３-トリメチルベンゼン、１,２,４-トリメチルベンゼン、メシチレン、テトラリン、ブチルベンゼン、p-シメン、シクロヘキシルベンゼン、１,４-ジエチルベンゼン、１,３-ジイソプロピルベンゼン、またはドデシルベンゼン等の芳香族炭化水素類が挙げられ、例えばクロロベンゼン、o-ジクロロベンゼン、m-ジクロロベンゼン、ブロモベンゼン、o-ジブロモベンゼン、１-ブロモ-２-クロロベンゼン、１-ブロモナフタレン、１-クロロナフタレン、２-クロロトルエン、２-ブロモトルエン、２,４-ジクロロトルエン、１-ブロモ-２-エチルベンゼン、２-クロロ-o-キシレン、または１,２,４-トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類が挙げられ、例えばジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジメトキシエタン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、１,４-ジオキサン、アニソール、またはフェネトール等のエーテル類が挙げられ、例えばギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、ギ酸イソブチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、酪酸メチル、安息香酸メチル、安息香酸イソペンチル、または桂皮酸エチル等のエステル類が挙げられ、ニトロメタン、ニトロエタン、またはニトロベンゼン等のニトロ化合物が挙げられ、例えばアセトニトリル、プロピオニトリル、ベンゾニトリル、Ｎ,Ｎ-ジメチルホルムアミド、Ｎ-メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、またはヘキサメチルりん酸トリアミド等の極性化合物等が挙げられる。
【００３１】
これらの他、２０℃における誘電率が２.２以上であり且つ本発明の製造方法を阻害しなければ、如何なる非プロトン性有機溶媒でも構わないし、これらの非プロトン性有機溶媒は単独で用いても複数個を併用しても構わない。さらにはこれらの非プロトン性有機溶媒と、２０℃における誘電率が２.２未満の非プロトン性有機溶媒とを混合させ、その結果２０℃における誘電率を２.２以上となした該溶媒系も、本発明の製造方法における「２０℃における誘電率が２.２以上である非プロトン性有機溶媒」であるものと理解されるべきである。
【００３２】
これらのうち、後述の式(３)で表わされるアミノホスホニウムクロリド類を溶解させないものが好ましく、例えばベンゼン、トルエン、o-キシレン、m-キシレン、p-キシレン、混合キシレン、エチルベンゼン、ノルマルプロピルベンゼン、クメン、１,２,３-トリメチルベンゼン、１,２,４-トリメチルベンゼン、メシチレン、テトラリン、ブチルベンゼン、p-シメン、シクロヘキシルベンゼン、１,４-ジエチルベンゼン、１,３-ジイソプロピルベンゼン、またはドデシルベンゼン等の芳香族炭化水素類であり、例えばクロロベンゼン、o-ジクロロベンゼン、m-ジクロロベンゼン、ブロモベンゼン、o-ジブロモベンゼン、１-ブロモ-２-クロロベンゼン、１-ブロモナフタレン、１-クロロナフタレン、２-クロロトルエン、２-ブロモトルエン、２,４-ジクロロトルエン、１-ブロモ-２-エチルベンゼン、２-クロロ-o-キシレン、または１,２,４-トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類であり、例えばジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジメトキシエタン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、１,４-ジオキサン、アニソール、またはフェネトール等のエーテル類等である。
【００３３】
さらにこれらのうち、本発明の精製方法において述べるところの、水と混ざらないものがより好ましく、例えばベンゼン、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、混合キシレン、エチルベンゼン、ノルマルプロピルベンゼン、クメン、１，２，３−トリメチルベンゼン、１，２，４−トリメチルベンゼン、メシチレン、テトラリン、ブチルベンゼン、ｐ−シメン、シクロヘキシルベンゼン、１，４−ジエチルベンゼン、１，３−ジイソプロピルベンゼン、またはドデシルベンゼン等の芳香族炭化水素類であり、例えばクロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、ｍ−ジクロロベンゼン、ブロモベンゼン、ｏ−ジブロモベンゼン、１−ブロモ−２−クロロベンゼン、１−ブロモナフタレン、１−クロロナフタレン、２−クロロトルエン、２−ブロモトルエン、２，４−ジクロロトルエン、１−ブロモ−２−エチルベンゼン、２−クロロ−ｏ−キシレン、または１，２，４−トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類である。さらに好ましくはトルエン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、または２，４−ジクロロトルエンである。
【００３４】
これらの使用量は特に限定されないが、通常、原料のオキシ三塩化りん１質量部に対して５００質量部以下であり、好ましくは１〜１００質量部であり、より好ましくは１.５〜５０質量部である。これらに液体であるオキシ三塩化りんの一部が不溶であっても構わない。
【００３５】
本発明の製造方法において、式(１)で表わされるイミノホスホラン類のオキシ三塩化りんに対する使用モル比は特に制限はないが、通常５〜１２であり、好ましくは６〜１０であり、より好ましくは６.１〜８.０である。
反応温度は、溶媒量、原料モル比などにより一様ではないが、通常−１０〜２００℃であり、好ましくは０〜１５０℃であり、より好ましくは１５〜１００℃である。反応では例えば初期はより低温で、また末期はより高温で行うなど、多段階に温度を設定することもできる。
反応圧力は、減圧、常圧および加圧のいずれでも実施しうるが、通常は常圧である。また反応時間は、反応温度や他の因子により一様ではないが、通常は０.１〜１００時間、好ましくは０.５〜５０時間であり、より好ましくは１〜３０時間である。
【００３６】
このようにして得られる反応液中には、使用した溶媒の種類や量、または式(１)で表わされるイミノホスホラン類の種類によって、式(３)で表わされるアミノホスホニウムクロリド類が、固体として析出している場合もあれば、溶解している場合もある。
このような状態の該ホスホニウムクロリド類を除去する方法としては、特に制限はなく如何なる方法でも実施できるが、通常、該ホスホニウムクロリド類が固体として析出している場合には反応液をそのまま固液分離する方法を、また該ホスホニウムクロリド類が溶解している場合には、一旦溶媒を留去した後、該ホスホニウムクロリド類が不溶の有機溶媒を加え固液分離する方法等を実施することができる。
【００３７】
上記の固液分離を行なう方法としてはいかなる方法でも構わないが、通常、濾過、遠心分離またはデカンテーションなどの汎用の方法が用いられ、なかでも濾過が好ましい。必要であれば濾過ケーキを該非プロトン性有機溶媒、あるいは該ホスホニウムクロリド類が不溶の有機溶媒で洗浄し、洗液は濾液と合わせることもできる。
【００３８】
また上記のホスホニウムクロリド類が不溶の有機溶媒としては、例えばノルマルペンタン、ノルマルヘキサン、２,２-ジメチルブタン、２,３-ジメチルブタン、２-メチルペンタン、ノルマルヘプタン、ノルマルオクタン、２,３,３-トリメチルペンタン、イソオクタン、ノルマルノナン、２,２,５-トリメチルヘキサン、またはノルマルデカン等の飽和脂肪族炭化水素類が挙げられ、例えばシクロペンタン、メチルシクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、p-メンタン、ビシクロヘキシル、またはデカリン等の脂環族炭化水素類が挙げられ、例えばベンゼン、トルエン、o-キシレン、m-キシレン、p-キシレン、混合キシレン、エチルベンゼン、ノルマルプロピルベンゼン、クメン、１,２,３-トリメチルベンゼン、１,２,４-トリメチルベンゼン、メシチレン、テトラリン、ブチルベンゼン、p-シメン、シクロヘキシルベンゼン、１,４-ジエチルベンゼン、１,３-ジイソプロピルベンゼン、またはドデシルベンゼン等の芳香族炭化水素類が挙げられ、例えばクロロベンゼン、o-ジクロロベンゼン、m-ジクロロベンゼン、ブロモベンゼン、o-ジブロモベンゼン、１-ブロモ-２-クロロベンゼン、１-ブロモナフタレン、１-クロロナフタレン、２-クロロトルエン、２-ブロモトルエン、２,４-ジクロロトルエン、１-ブロモ-２-エチルベンゼン、２-クロロ-o-キシレン、または１,２,４-トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類が挙げられ、例えばジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジメトキシエタン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、１,４-ジオキサン、アニソール、またはフェネトール等のエーテル類等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００３９】
ここで固体として分離された該ホスホニウムクロリド類は、EP-0921128またはG.N.Koidan etal.,Zh.Obshch.Khim.,50,pp.679-680(1980)に記載の方法によって式(１)で表わされるイミノホスホラン類へ再生することが可能であり、本発明の製造法における式(１)で表わされるイミノホスホラン類の一部または全部としてリサイクル使用することもできる。
【００４０】
このようにして式(３)で表わされるアミノホスホニウムクロリド類を除去した母液中には、さらに未反応で、あるいは過剰に用いた場合に残る式(１)で表わされるイミノホスホラン類が存在している。該ホスホラン類を除去する方法としては、特に制限はなく如何なる方法でも実施できるが、通常、該母液を濃縮乾固した後、該ホスホラン類を常圧もしくは減圧蒸留によって溜出させる方法や後述のように該母液を水洗浄する方法等を実施することができる。
【００４１】
このようにして得られた乾固体や水洗浄後の溶液は、充分高い純度で式(２)で表わされるホスフィンオキシド類を含んでおり、そのまま次の目的に使用できる場合もあるが、少量含有する水を乾燥剤や蒸留で除いたり、さらには該水洗浄後の溶液については溶媒の一部または全部を除いて、濃縮溶液または乾固体として用いることもできる。
【００４２】
本発明の第二は、少なくとも式(２)で表わされるホスフィンオキシド類、および水と混ざらない有機溶媒を含む溶液を、水洗浄して該ホスフィンオキシド類の溶液として得るか、または、少なくとも式(２)で表わされるホスフィンオキシド類および水と混ざらない有機溶媒を含む溶液を、水洗浄して該ホスフィンオキシド類の溶液を得て、得られた該ホスフィンオキシド類の溶液を濃縮乾固することにより、該ホスフィンオキシド類を固体として得るホスフィンオキシド類の精製方法であって、水と混ざらない有機溶媒が、２０℃における誘電率が２.２以上である非プロトン性有機溶媒である該ホスフィンオキシド類の精製方法である。
【００４３】
本発明の精製方法における水と混ざらない有機溶媒とは、通常の抽出等に用いる有機溶媒であり、水には問題となる程度は溶解せず、水相と容易に分離できるものである。また水相に対する有機溶媒相への、式(２)で表わされるホスフィンオキシド類の分配率が高く、且つ該ホスフィンオキシド類と接触しても化学変化を起こさないようなものである。
本発明の精製方法において、水と混ざらない有機溶媒としては、２０℃における誘電率が２.２以上である非プロトン性有機溶媒（２０℃における誘電率が２.２以上且つ水と混ざらない非プロトン性有機溶媒）が用いられる。
【００４４】
そのような水と混ざらない有機溶媒としては、例えば塩化メチレン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン、１，１−ジクロロエタン、またはヘキサクロロエタン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類が挙げられ、例えばベンゼン、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、混合キシレン、エチルベンゼン、ノルマルプロピルベンゼン、クメン、１，２，３−トリメチルベンゼン、１，２，４−トリメチルベンゼン、メシチレン、テトラリン、ブチルベンゼン、ｐ−シメン、シクロヘキシルベンゼン、１，４−ジエチルベンゼン、１，３−ジイソプロピルベンゼン、またはドデシルベンゼン等の芳香族炭化水素類が挙げられ、例えばクロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、ｍ−ジクロロベンゼン、ブロモベンゼン、ｏ−ジブロモベンゼン、１−ブロモ−２−クロロベンゼン、１−ブロモナフタレン、１−クロロナフタレン、２−クロロトルエン、２−ブロモトルエン、２，４−ジクロロトルエン、１−ブロモ−２−エチルベンゼン、２−クロロ−ｏ−キシレン、または１，２，４−トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類が挙げられ、例えばギ酸プロピル、ギ酸イソブチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、酪酸メチル、安息香酸メチル、安息香酸イソペンチル、または桂皮酸エチル等の炭素数４以上のエステル類等が挙げられる。この他本発明の精製方法を阻害しなければ如何なる有機溶媒でも構わない。
【００４５】
これらのうち、式（３）で表わされるアミノホスホニウムクロリド類が不溶である非プロトン性有機溶媒が好ましく、例えばベンゼン、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、混合キシレン、エチルベンゼン、ノルマルプロピルベンゼン、クメン、１，２，３−トリメチルベンゼン、１，２，４−トリメチルベンゼン、メシチレン、テトラリン、ブチルベンゼン、ｐ−シメン、シクロヘキシルベンゼン、１，４−ジエチルベンゼン、１，３−ジイソプロピルベンゼン、またはドデシルベンゼン等の芳香族炭化水素類であり、例えばクロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、ｍ−ジクロロベンゼン、ブロモベンゼン、ｏ−ジブロモベンゼン、１−ブロモ−２−クロロベンゼン、１−ブロモナフタレン、１−クロロナフタレン、２−クロロトルエン、２−ブロモトルエン、２，４−ジクロロトルエン、１−ブロモ−２−エチルベンゼン、２−クロロ−ｏ−キシレン、または１，２，４−トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類である。より好ましくはトルエン、またはクロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼンである。
【００４６】
本発明の精製方法における、少なくとも式（２）で表わされるホスフィンオキシド類、および水と混ざらない有機溶媒を含む溶液とは、少なくとも該２成分を含有する溶液であり、本発明の精製方法を阻害しなければ他の成分が存在していても構わない。またこの溶液が一旦分離された該ホスフィンオキシド類を、水と混ざらない有機溶媒に溶解させて形成した溶液であってもよい。
【００４７】
さらにはこの溶液が、式（１）で表わされるイミノホスホラン類とオキシ三塩化りんとを、２０℃における誘電率が２.２以上で、且つ水と混ざらない非プロトン性有機溶媒であり、さらに式（３）で表わされるアミノホスホニウムクロリド類が不溶の有機溶媒を反応溶媒として用いて反応させて、式（２）で表わされるホスフィンオキシド類と同時に生成する固体の式（３）で表わされるアミノホスホニウムクロリド類とを含む反応液から、該ホスホニウムクロリド類を固液分離で除去した溶液であってもよく、さらには必要であれば上記の反応を、２０℃における誘電率が２.２以上である非プロトン性有機溶媒を反応溶媒として用いて実施した後、本発明の製造方法において記載した固液分離を行って得られる溶液から該溶媒を溜去させる方法等により除いた後に、所望の水と混ざらない有機溶媒と置き換えた溶液であっても構わない。
【００４８】
このような溶液のうち、式（１）で表わされるイミノホスホラン類とオキシ三塩化りんとを、２０℃における誘電率が２.２以上且つ水と混ざらない非プロトン性有機溶媒であり、さらに式（３）で表わされるアミノホスホニウムクロリド類が不溶の有機溶媒を反応溶媒として用いて反応させて、式(２)で表わされるホスフィンオキシド類と同時に生成する固体の式（３）で表わされるアミノホスホニウムクロリド類とを含む反応液から、該ホスホニウムクロリド類を固液分離で除去した溶液が好ましく、該反応においてオキシ三塩化りんに対する該ホスホラン類のモル比を、６〜１０の範囲内として反応させて得られる該ホスフィンオキシド類を含む反応液から、該ホスホニウムクロリド類を固液分離で除去した溶液がより好ましい。
【００４９】
本発明の精製方法における水洗浄の方法としては、少なくとも式(２)で表わされるホスフィンオキシド類、および水と混ざらない有機溶媒を含む溶液と水とを充分に接触させる方法であればいかなる方法でもよい。通常、該溶液に水を加え、充分撹拌し、有機相と水相とを分離した後に水相を取り除くことによって行うことができる。
【００５０】
この水洗浄における水の量は特に限定されないが、通常、少なくとも該溶液１質量部に対して５質量部以下である。またそのような水の量で数回に分けて洗浄することもできる。好ましくは、該溶液１質量部に対して毎回０.０５〜１.０質量部の水で２〜５回洗浄する。水洗浄の温度および時間は特に制限はないが、温度は通常１０〜８０℃、好ましくは１５〜４０℃であり、時間は通常、３時間以内、好ましくは０.０１〜１時間、より好ましくは０.０５〜０.５時間である。このようにして水洗浄された式(２)で表わされるホスフィンオキシド類の溶液は、より純度の高まった該ホスフィンオキシドを含んでおり、そのまま次の目的に使用できる場合もある。また濃縮乾固して固体として取り出すこともできる。
【００５１】
さらに必要であれば、この乾固体を精製することもできる。乾固体は完全に溶媒が除かれていても、少量の溶媒が残っていても構わない。これらの乾固体中には、水洗浄してもなお溶解して残存する不純物が微量に存在している。これらの乾固体をさらに精製する方法としては特に限定されないが、この乾固体に炭化水素類を加えて式(２)で表わされるホスフィンオキシド類を溶解させ、不溶で残る微量の固体(不純物)を固液分離して除く方法が好ましく効果的であり、しかも実用的でもある。
【００５２】
この方法に用いる炭化水素類としては、例えばノルマルペンタン、ノルマルヘキサン、２,２-ジメチルブタン、２,３-ジメチルブタン、２-メチルペンタン、ノルマルヘプタン、ノルマルオクタン、２,３,３-トリメチルペンタン、イソオクタン、ノルマルノナン、２,２,５-トリメチルヘキサン、またはノルマルデカン等の飽和脂肪族炭化水素であり、例えばシクロペンタン、メチルシクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、p-メンタン、ビシクロヘキシル、またはデカリン等の脂環族炭化水素であり、例えばベンゼン、トルエン、o-キシレン、m-キシレン、またはp-キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。
【００５３】
これらの他、この方法を阻害しなければ如何なる炭化水素類を用いても構わない。これらの炭化水素類は単独で用いても混合して用いても構わない。これらのうち好ましくは、例えばノルマルペンタン、ノルマルヘキサン、ノルマルヘプタン、ノルマルオクタン、ノルマルノナン、またはノルマルデカン等の炭素原子数５〜１０個の飽和脂肪族炭化水素である。
【００５４】
これらの炭化水素類の使用量は特に制限されないが、通常、該乾固体に対して０.５〜５０質量倍であり、好ましくは１〜２０質量倍である。該乾固体にこれらの炭化水素類を加え、式(２)で表わされるホスフィンオキシド類を溶解させるが、その温度、時間には特に制限はないが、温度は通常１０〜１００℃、好ましくは２０〜５０℃であり、時間は通常０.１〜３時間、好ましくは０.５〜２時間である。その後、不溶で残る固体を固液分離で除くが、その方法としてはいかなる方法でも構わないが、通常、濾過、遠心分離またはデカンテーションなどの汎用の方法が用いられ、なかでも濾過が好ましい。この不溶物を炭化水素類で洗浄し、洗液を濾液と合わせることもできる。
【００５５】
このようにして、きわめて高純度の式(２)で表わされるホスフィンオキシド類の溶液を得ることができる。必要なら該溶液を濃縮乾固して該ホスフィンオキシド類を固体として取り出すこともできる。
【００５６】
【実施例】
以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。しかしながら、本実施例は本発明を具体的に説明したものであり、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。
【００５７】
[実施例１]
窒素雰囲気下で、３００mlのガラス製反応器に、式(１)で表わされるイミノホスホラン類中のＲがメチル基であるイミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランを５４.３g(３０５ミリモル)、および乾燥したo-ジクロロベンゼン(２０℃における誘電率は６.８０である)１３０gを仕込んだ。撹拌しながら、内部温度を２０℃に制御しつつ、これに７.６７g(５０.０ミリモル)のオキシ三塩化りんと乾燥したo-ジクロロベンゼン１６.３gとの混合液(オキシ三塩化りんの濃度は３２質量%)を３０分かけて滴下した。イミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランのオキシ三塩化りんに対するモル比は６.１である。この時点で反応液の一部を採取した。
【００５８】
重水素化ジメチルスルホキシドを溶媒とし、りん酸トリ-ノルマル-ブチルを内部標準化合物とした31Ｐ-ＮＭＲによる定量分析(以降、収率および純度はこの方法で分析を実施した)の結果から、式(２)で表わされるホスフィンオキシド類中のＲがメチル基であるトリス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]ホスフィンオキシドはほとんど生成していなかった。その後、反応液を４０℃に昇温し２４時間反応させたところ該ホスフィンオキシドのオキシ三塩化りんに対する反応収率は８３.６%であった。
【００５９】
この結果とともに、o-ジクロロベンゼン以外の、２０℃における誘電率が２.２以上の、もしくはそれが２.２未満の非プロトン性有機溶媒を用いて反応させた実施例２〜７、および比較例１〜４の結果を下記の表１に示した。表１は、明らかに両者間に大きな反応速度の差が存在することを示し,また目的物の反応収率を向上させるためには前者が極めて有効であることをも示している。
【００６０】
[実施例２〜７]、[比較例１〜４]
実施例１におけるo-ジクロロベンゼンの代わりに、表１に示す各種非プロトン性有機溶媒を使用した以外は、全て実施例１と同様に行った。
【００６１】
【表１】
【００６２】
[実施例８]
窒素雰囲気下で、５００mlのガラス製反応器に、オキシ三塩化りん１５.４g(１００ミリモル)、および乾燥したo-ジクロロベンゼン１５４gを仕込んだ。撹拌しながら、内部温度が７０℃以下となるよう制御しつつ、これに１１６g(６５１ミリモル)のイミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランを１時間かけて滴下した。イミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランの、オキシ三塩化りんに対するモル比は６.５である。滴下終了後、７０℃で撹拌を１時間継続して白色スラリー液を得た。この反応液の一部を採取し定量分析を行ったところ、トリス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]ホスフィンオキシドの反応収率は８５.４%であった。
【００６３】
反応後、得られた該白色スラリー液を濾過し、固体を少量のo-ジクロロベンゼンで洗浄して濾洗液２６６gを得た。この濾洗液を３００ml分液ロートに移し、これに水３１.９g(濾洗液に対し０.１２質量倍)を加え、強く振とうすることにより両相をよく接触させて洗浄し、静置後o-ジクロロベンゼン相と水相とを分離させそれぞれを分取した。この水洗浄の操作を同様にさらに２回実施した。
【００６４】
得られたo-ジクロロベンゼン相を分析したところ、水洗浄前に未反応で残存していたイミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランは検出限界以下まで減少しており、また副生成物も水洗浄前に比べ大幅に減少していた。その後o-ジクロロベンゼン相を８０℃、１０mmHgで濃縮乾固し、白色固体５０.５gを得た。この固体中のトリス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]ホスフィンオキシドの純度は９５.４質量%であり、単離収率は８３.３%であった。このように、反応液の濾過後、その濾洗液を水洗浄するだけで、該ホスフィンオキシドをほとんどロスすることなく、充分高純度の該ホスフィンオキシドが得られた。
【００６５】
さらに精製する目的で、この固体を、固体に対し１０質量倍のノルマルヘキサンを加えて４０分間撹拌して溶解させ、その後、不溶で残った固体を濾過し、その不溶物を少量のノルマルヘキサンで洗浄した。不溶固体は乾燥後約１.９gであった。得られた濾洗液を６０℃、１０mmHgで濃縮乾固し、その後、窒素流通下、８０℃で５時間乾燥操作を行った。白色の固体が４８.５g得られ、単離収率は８３.１%であり、純度は９９.２質量%まで向上した。またこの固体中の塩素イオン濃度を塩素イオン電極を用いる電位差滴定法により測定した(以下同様)ところ、その濃度は４３ppmであった。
【００６６】
[比較例５]
G.N.Koidanらの文献に記載される方法に準拠した方法で実施した。
窒素雰囲気下で、３００mlのガラス製反応器に、イミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランを５３.５g(３００ミリモル)、および乾燥した石油エーテル２００ml(該ホスホランの濃度は２９質量%)を仕込んだ。撹拌しながら、内部温度を２０℃に制御しつつ、これに７.６７g(５０.０ミリモル)のオキシ三塩化りんと、乾燥した石油エーテル２５mlとの混合液(オキシ三塩化りんの濃度は３２質量%)を３０分かけて滴下した。
【００６７】
イミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランの、オキシ三塩化りんに対するモル比は６.０である。この時点で反応液の一部を採取したところ、目的物はほとんど生成していなかった。このため、その後、反応液を還流する温度まで昇温(約４０℃であった)し反応を続けた。２４および４８時間経過後の収率は５９.８%および７３.０%であった。このように該文献記載の方法では、実施例１〜７と比べると明らかなように反応は遅く、収率は低かった。
【００６８】
[比較例６]
G.N.Koidanらの文献に記載される方法に準拠した方法で得られた反応液(比較例５で得られた反応液)から該文献記載の精製法に準拠した方法で実施した。比較例５の反応で得られた石油エーテルの白色スラリー液を濾過し、固体を５０mlの石油エーテルで２回洗浄後、得られた濾洗液を３０℃、１５０mmHgで濃縮乾固した。微黄白色の固体が２１.５g得られ、この固体に６.０gの石油エーテル(固体に対しわずか２８質量%に当たる)を加えたところ温度２５℃でほぼ溶解した。この溶液を濾過し、その濾液を冷却して結晶を析出させようとしたが、−１０℃まで下げてやっと少量の析出が認められた。
【００６９】
さらに−２０℃まで冷却し、ようやくある程度の量の結晶を析出させることができた。これを素早く−２０℃の保冷濾過器で濾過し、濾過した結晶を−３０℃に冷却した石油エーテル約３gで洗浄し、５.８９gの白色結晶を得た。この結晶は純度９８.２質量%のトリス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]ホスフィンオキシドであったが、収率はわずか２０.０%であり、この結晶中の塩素イオン濃度は６４０ppmと高い値であった。このようにわずかな溶媒量で再結晶を実施したにも関わらず結晶化には極く低温を必要とし、さらに結晶の収率も低かった。
【００７０】
[比較例７]
比較例５の方法で、用いるイミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランの量を５７.９g(３２５ミリモル)とし、反応液が還流する温度(約４０℃であった)での反応時間を３０時間とした以外は、比較例５と全く同様に反応を実施し、精製は比較例６と全く同様に−２０℃で実施した。イミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランの、オキシ三塩化りんに対するモル比は６.５(化学量論量以上)である。反応後の収率は７５.３%で、比較例５の結果と比べ該ホスホランの使用量を増加させただけで明らかに反応速度が向上していた。
【００７１】
再結晶後、６.５７gの白色結晶を得た。この結晶は純度９４.１質量%で、収率は２０.７%であり、再結晶操作を行っても純度は不充分である。この結晶中には不明の不純物と共にイミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランが約２質量%観測された。反応において化学量論量以上に過剰に用いた該ホスホランは、この方法では充分に除くことができず、再結晶操作で析出した目的物の結晶中に残存する結果となった。
【００７２】
[比較例８]
比較例５の方法で、反応液が還流する温度(約４０℃であった)での反応時間を４０時間とした以外は、比較例５と全く同様に反応を実施した。反応後の収率は７０.２%であった。得られた石油エーテルの白色スラリー液を濾過し、固体を５０mlの石油エーテルで２回洗浄した。得られた濾洗液に、該濾洗液に対し０.１２質量倍の水を加え、強く振とうすることにより両相をよく接触させて洗浄し、静置後石油エーテル相と水相とを分離させそれぞれを分取した。この水洗浄の操作を同様にさらに２回実施した。
【００７３】
得られた石油エーテル相を分析したところ、目的物であるトリス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]ホスフィンオキシドはほとんど含有していなかった。そのため水相を分析したところ、水相中には副生成物および未反応で残存したイミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランと共に、水洗浄前に含まれていた目的物の９９質量%が含まれていた。
【００７４】
[実施例９]
実施例８におけるo-ジクロロベンゼンの代わりに、乾燥したトルエンを使用した以外は、実施例８と同様に反応および水洗浄を実施した。水洗浄後得られたトルエン相は６０℃、５０mmHgで濃縮乾固した。得られた固体は純度９３.５質量%の目的物で、収率は８２.９%であった。
【００７５】
[実施例１０]
実施例８におけるo-ジクロロベンゼンの代わりに、乾燥した２,４-ジクロロトルエンを使用した以外は、実施例８と同様に反応および水洗浄を実施した。水洗浄後得られた２,４-ジクロロトルエン相は９０℃、１０mmHgで濃縮乾固した。得られた固体は純度９６.１質量%の目的物で、収率は８２.４%であった。
【００７６】
[実施例１１]
実施例８におけるo-ジクロロベンゼンの代わりに、乾燥したクロロベンゼンを使用し、用いるイミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランの量を１１２g(６２８ミリモル)とし、該ホスホランの滴下時の内部温度を６０℃以下に制御し、滴下終了後の反応温度を６０℃とした以外は、実施例８と同様に反応および水洗浄を実施した。イミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランの、オキシ三塩化りんに対するモル比は６.３である。水洗浄後得られたクロルベンゼン相は８０℃、６０mmHgで濃縮乾固した。得られた固体は純度９４.１質量%の目的物で、収率は６７.３%であった。
【００７７】
[実施例１２]
実施例１１の方法で、用いるイミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランの量を１２０g(６７３ミリモル)とした以外は、実施例１１と全く同様に実施した。イミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランの、オキシ三塩化りんに対するモル比は６.７である。水洗浄後クロロベンゼン相を濃縮乾固して得られた固体は、純度９５.９質量%の目的物で、収率は８０.７%であった。
【００７８】
[実施例１３,１４]
実施例８と全く同様に、反応および水洗浄した後のo-ジクロロベンゼン相を濃縮乾固して得られた固体を、実施例８の方法におけるノルマルヘキサンの代わりに、その固体の１５質量倍のノルマルヘプタン(実施例１３)および２質量倍のノルマルオクタン(実施例１４)を用いて実施例８と同様に精製処理した。得られた目的物の収率は８３%でほぼ一定で、純度はそれぞれ順に９８.９質量%と９７.６質量%であった。
【００７９】
[実施例１５]
実施例８の方法で、１回の水洗浄操作で用いる水の量を濾洗液に対し０.２０質量倍とした以外は、実施例８と全く同様に反応および水洗浄を実施した。水洗浄後o-ジクロロベンゼン相を濃縮乾固して得られた固体は、純度９６.５質量%の目的物で、収率７９.９%であった。
【００８０】
【発明の効果】
本発明の方法によれば、式(１)で表わされるイミノホスホラン類とオキシ三塩化りんとを反応させて、式(２)で表わされるホスフィンオキシド類を製造する方法において、簡便な精製法により実施することができ、化学量論量以上に該ホスホラン類を使用でき、工業的により現実的な方法により、高収率で且つ高純度で該ホスフィンオキシド類を得ることができる。
【発明の属する技術分野】
本発明は、式(１)で表わされるイミノホスホラン類とオキシ三塩化りんとを反応させて式(２)で表わされるホスフィンオキシド類を製造する方法および該ホスフィンオキシド類の精製方法に関する。本発明者らは先に該ホスフィンオキシド類が、アルキレンオキシド化合物の重合触媒、エポキシ化合物からオキシアルキレン誘導体を製造する際の触媒またはＩＣ封止材用原料樹脂の硬化触媒として極めて有効であることを見出だし、すでに出願済み(特願平10-106745、特開平11-302371または例えば特開平11-322901等)である。該ホスフィンオキシド類はこのような触媒として有用な化合物である。
【０００２】
【従来の技術】
式(２)で表わされるホスフィンオキシド類に関する公知文献は、本発明者らによる上記のもの以外にジー.エヌ.コイダン(G.N.Koidan)ら、ジャーナル オブ ジェネラル ケミストリー オブ ザ ユーエスエスアール 55巻 1453頁(1985)(Journal of general chemistry of the USSR,55,p1453(1985))があり、他には見あたらない。
【０００３】
この文献では本願における式(１)で表わされるイミノホスホラン類中のＲが、メチル基である化合物[イミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホラン]は、ヘキサメチルトリアミドホスファゾハイドライドと呼ばれ、本願における式(２)で表わされるホスフィンオキシド類中のＲが、メチル基である化合物[トリス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]ホスフィンオキシド]は、トリス[トリス(Ｎ,Ｎ-ジメチルアミド)ホスファゾ]ホスフェイトと呼ばれている。
また本願における式(３)で表わされるアミノホスホニウムクロリド類中のＲが、メチル基である化合物[アミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホニウムクロリド]はヘキサメチルトリアミドホスファゾハイドライドハイドロクロライドと呼ばれ、[HN=P(NMe2)3]・HClの形で表わされているが、同一の化合物である。ここでは上記３種の化合物は本願の表現を用いることとする。
【０００４】
この文献は、トリス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]ホスフィンオキシドとヨウ化メチルとの反応について述べられている。そしてその反応の原料であるトリス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]ホスフィンオキシドの製造法を開示している。
そこではイミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランとオキシ三塩化りんとのモル比を正確に６:１となるように、該ホスホランの石油エーテル溶液に、オキシ三塩化りんの石油エーテル溶液を２０℃で３０分撹拌しながら滴下して加え、その後(時間は明示されていない)、副生したアミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホニウムクロリドの沈澱を分離し、該沈澱を石油エーテルで洗浄し、その濾液を濃縮し残渣を少量の石油エーテルから結晶化させることにより、単離収率８５%でトリス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]ホスフィンオキシドを得たと述べている。
【０００５】
しかしながら、本発明者らが同じ条件でこの方法を実施したところ、後の比較例５で示すように、２０℃、３０分でオキシ三塩化りんを加え終わった後では、目的物はほとんど生成していなかった。その後、反応温度を４０℃に上げて２４時間反応させても目的物の反応収率は６０%程度で、さらに４８時間反応させてもその反応収率は７３%程度でしかなかった。
【０００６】
また該文献には「少量の石油エーテルから結晶化した」とのみの記載があるだけで再結晶の詳細な説明はない。本発明者らは上述のように４０℃で４８時間反応させて得られた反応液から、該文献記載のように、先ず沈澱を濾別し、その濾液を濃縮乾固して固体とし、再結晶を試みた。
【０００７】
後の比較例６で示すように−１０℃まで冷却して初めて少量の結晶の析出が見られ、−２０℃という極く低温でようやく結晶をとることができた。この結晶のトリス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]ホスフィンオキシドの単離収率は２０%と低く、しかもこの結晶中には多量の塩素イオン(約６００ppm)が含まれていた。この塩素イオンの残留は、該ホスフィンオキシドを、電気絶縁特性が要求される前述のＩＣ封止材用原料樹脂組成物の硬化触媒として使用する場合に極めて重大な問題となる。
【０００８】
イミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランとオキシ三塩化りんとを反応させ、トリス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]ホスフィンオキシドを製造する際には、オキシ三塩化りん１分子に対して、イミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホラン１分子が反応すると塩化水素１分子が同時に生成する。この塩化水素は直ちにイミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランと反応して、イオン性のアミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホニウムクロリドを生成する。
従って１モルのオキシ三塩化りんの３個の塩素を全て反応させてしまうには、化学量論的には６モルのイミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランが必要となる。すなわち、
6HN=P(NMe2)3 + O=PCl3 → O=P[N=P(NMe2)3]3 + 3[H2N-P+(NMe2)3]Cl-
で表わされる。
【０００９】
後の比較例７で示すように、該文献記載の精製法では、反応収率を上げようとして化学量論量より過剰のイミノ(ジメチルアミノ)ホスホランを使用した場合に未反応で残る該ホスホランを充分に除くことができず、再結晶後のトリス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]ホスフィンオキシドの純度を低下させる結果となった。
【００１０】
このように開示されているトリス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]ホスフィンオキシドの製造方法では、反応収率および単離収率ともに低く、また精製法には極低温が必要であり、さらには反応で生成するイオン性化合物の除去や反応収率向上のため一方の反応物を過剰に用いようとするとその除去が充分にできないなど、工業的製造方法としては極めて不充分である。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の第一の目的は、式(１)で表わされるイミノホスホラン類とオキシ三塩化りんとを反応させて式(２)で表わされるホスフィンオキシド類を製造する方法において、その反応収率を向上させて高収率で該ホスフィンオキシド類を得ることのできる製造方法を提供することにある。
さらに、本発明の第二の目的は、工業的により現実的な方法により、未反応原料やイオン性不純物等が除去でき、該ホスフィンオキシド類を高収率で且つ高純度で得ることのできる精製方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を続けたところ、式(１)で表わされるイミノホスホラン類とオキシ三塩化りんとを反応させて式(２)で表わされるホスフィンオキシド類を製造するに際し、反応溶媒を石油エーテル(２０℃における誘電率は１.８５〜１.９５である)に代えて２０℃における誘電率が２.２以上である非プロトン性有機溶媒を用いると、著しくその反応速度が増大し、高収率で該ホスフィンオキシド類が得られることを見い出した。
【００１３】
さらには、１質量部の石油エーテルは１.５質量部以上の該ホスフィンオキシド類を溶解する良好な溶媒ではあるが、後の比較例８で示すように、石油エーテル溶媒で反応させた反応液を、少量の水で洗浄しようとすると、該ホスフィンオキシド類のほとんどが水相に移り、石油エーテル相にはほとんど残らないことが判った。
【００１４】
しかしながら驚くべきことに、ある特定の溶媒、例えばo-ジクロロベンゼンを溶媒とした反応液の場合には、水洗浄を行っても、後の実施例８で示すように、該ホスフィンオキシド類のほとんどは有機相に残り、そして反応で生成する式(３)で表わされるアミノホスホニウムクロリド類や、副生する不明の化合物等がほぼ完全に水相に移ることを見い出した。それどころかさらに驚くべきは、実施例８で示すように化学量論量あるいはそれ以上に使用した場合に、反応液中に未反応で残存する式(１)で表わされるイミノホスホラン類も、ほとんど水相に移ることも見出だした。
【００１５】
このように、２０℃における誘電率が２.２以上である非プロトン性有機溶媒を反応溶媒として用いると、反応速度が増大し反応収率が高まり高収率で式(２)で表わされるホスフィンオキシド類を製造することができ、さらに該ホスフィンオキシド類および特定の有機溶媒を含む溶液を水洗浄するだけで、単離収率がほとんど低下することなく純度が高まるという効果を見出し本発明を完成した。
【００１６】
すなわち、本発明の第一は、下記式(１)
【００１７】
【化７】
(式中、Ｒは同種または異種の炭素数１〜１０個の炭化水素基であり、同一窒素原子上の２個のＲが互いに結合して環構造を形成する場合もある)
で表わされるイミノホスホラン類とオキシ三塩化りんとを反応させて、
下記式(２)
【００１９】
【化８】
(式中、Ｒは式(１)中のＲと同一である)
で表わされるホスフィンオキシド類を製造するに際し、反応溶媒として２０℃における誘電率が２.２以上である非プロトン性有機溶媒を用いることを特徴とする該ホスフィンオキシド類の製造方法である。
【００２１】
さらに本発明の第二は、少なくとも下記式（２）で表わされるホスフィンオキシド類および水と混ざらない有機溶媒を含む溶液を、水洗浄して該ホスフィンオキシド類の溶液として得るか、または、少なくとも下記式（２）で表わされるホスフィンオキシド類および水と混ざらない有機溶媒を含む溶液を、水洗浄して該ホスフィンオキシド類の溶液を得て、得られた該ホスフィンオキシド類の溶液を濃縮乾固することにより、該ホスフィンオキシド類を固体として得るホスフィンオキシド類の精製方法であって、前記水と混ざらない有機溶媒が、２０℃における誘電率が２.２以上である非プロトン性有機溶媒であることを特徴とする、ホスフィンオキシド類の精製方法である。
【化９】
【発明の実施の形態】
本発明の製造方法および精製方法においては、ホスフィンオキシド類の化学構造式を式(２)で表しているが、これは一つの極限構造式である。りん原子と酸素原子の間を二重結合で表現してはいるが、酸素原子上に電子が偏ってアニオンとなり、りん原子上にカチオンが生じた形(Ｐ+−Ｏ-)の極限構造式もとり得る。また、りん原子上のこのカチオンは共役系を通して全体に非局在化することもできる。本発明の製造方法および精製方法における式(２)で表わされるホスフィンオキシド類は、これらすべてを含んだ共鳴混成体として理解されるべきである。
【００２３】
本発明の製造方法および精製方法における式(１)で表わされるイミノホスホラン類、式(２)で表わされるホスフィンオキシド類、および下記式(３)
【００２４】
【化１０】
(式中、Ｒは式(１)および式(２)中のＲと同一である)
で表わされるアミノホスホニウムクロリド類中のＲは、同種または異種の、炭素数１〜１０個の炭化水素基であり、具体的にはこのＲは、例えばメチル、エチル、n-プロピル、イソプロピル、アリル、n-ブチル、sec-ブチル、tert-ブチル、２-ブテニル、１-ペンチル、２-ペンチル、３-ペンチル、２-メチル-１-ブチル、イソペンチル、tert-ペンチル、３-メチル-２-ブチル、ネオペンチル、n-ヘキシル、４-メチル-２-ペンチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、１-ヘプチル、３-ヘプチル、１-オクチル、２-オクチル、２-エチル-１-ヘキシル、１,１-ジメチル-３,３-ジメチルブチル(通称、tert-オクチル)、ノニル、デシル、フェニル、４-トルイル、ベンジル、１-フェニルエチル、または２-フェニルエチル等の脂肪族、または芳香族の炭化水素基が挙げられる。
【００２６】
また式(１)で表わされるイミノホスホラン類、式(２)で表わされるホスフィンオキシド類、および式(３)で表わされるアミノホスホニウムクロリド類中の、同一窒素原子上の２個のＲが、互いに結合して窒素原子をも含んで環構造を形成する場合の環状アミノ基は、環に４〜６個の炭素原子を含む環状二級アミノ基であり、-ＮＲ2は窒素原子を含んだ５〜７員環の環状二級アミノ基となる。
それらの環状二級アミノ基としては、例えばピロリジン-１-イル基、ピペリジン-１-イル基、またはモルホリン-４-イル基等であり、さらにはそれらにメチル、またはエチル等のアルキル基が置換したものである。該イミノホスホラン類、該ホスフィンオキシド類、および該アミノホスホニウムクロリド類中の、可能な全ての窒素原子について、このような環構造をとっていても構わないし、一部であってもよい。
【００２７】
これらのうち、メチル、エチル、n-プロピル、イソプロピル、tert-ブチル、tert-ペンチル、または１,１-ジメチル-３,３-ジメチルブチル等の炭素数１〜８個の脂肪族炭化水素基が好ましく、メチル基がより好ましい。
これらの式(１)で表わされるイミノホスホラン類は、EP-0921128またはG.N.Koidan etal.,Zh.Obshch.Khim.,50,pp.679-680(1980)に記載の方法と同様に行って合成することができる。また該イミノホスホラン類中のＲがメチル基である化合物は市販されてもおり容易に入手可能である。
【００２８】
本発明の第一は、式(１)で表わされるイミノホスホラン類と、オキシ三塩化りんとを反応させて、式(２)で表わされるホスフィンオキシド類を製造するに際し、反応溶媒として２０℃における誘電率が２.２以上である非プロトン性有機溶媒を用いる該ホスフィンオキシド類の製造方法である。
【００２９】
本発明の製造方法の特徴は、反応溶媒として２０℃における誘電率が２.２以上である非プロトン性有機溶媒を用いることにある。反応溶媒として２０℃における誘電率が２.２未満の非プロトン性有機溶媒を用いると、温和な同条件下では極端に反応速度が低下し、また反応速度を高めようと反応温度を上昇させると副反応が進行し、その結果目的とする式(２)で表わされるホスフィンオキシド類を高収率で得ることができない。
そのような溶媒としては、例えば石油エーテル(１.８５〜１.９５:この数値は２０℃における誘電率を表す;以下同様)、ヘキサン(１.８９)、デカン(１.９９)、１-ヘキセン(２.０６)、１-オクテン(２.０８)、シクロヘキサン(２.０５)、およびデカリン(２.１９)等が挙げられ、反応溶媒として好ましくない。
【００３０】
本発明の製造方法において、溶媒として使用される、２０℃における誘電率が２.２以上である非プロトン性有機溶媒の具体例としては、「溶剤ハンドブック(1982年)講談社発行:浅原照三ほか編」に記載されるごとく、例えば塩化メチレン、クロロホルム、１,２-ジクロロエタン、１,１-ジクロロエタン、またはヘキサクロロエタン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類が挙げられ、例えばベンゼン、トルエン、o-キシレン、m-キシレン、p-キシレン、混合キシレン、エチルベンゼン、ノルマルプロピルベンゼン、クメン、１,２,３-トリメチルベンゼン、１,２,４-トリメチルベンゼン、メシチレン、テトラリン、ブチルベンゼン、p-シメン、シクロヘキシルベンゼン、１,４-ジエチルベンゼン、１,３-ジイソプロピルベンゼン、またはドデシルベンゼン等の芳香族炭化水素類が挙げられ、例えばクロロベンゼン、o-ジクロロベンゼン、m-ジクロロベンゼン、ブロモベンゼン、o-ジブロモベンゼン、１-ブロモ-２-クロロベンゼン、１-ブロモナフタレン、１-クロロナフタレン、２-クロロトルエン、２-ブロモトルエン、２,４-ジクロロトルエン、１-ブロモ-２-エチルベンゼン、２-クロロ-o-キシレン、または１,２,４-トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類が挙げられ、例えばジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジメトキシエタン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、１,４-ジオキサン、アニソール、またはフェネトール等のエーテル類が挙げられ、例えばギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、ギ酸イソブチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、酪酸メチル、安息香酸メチル、安息香酸イソペンチル、または桂皮酸エチル等のエステル類が挙げられ、ニトロメタン、ニトロエタン、またはニトロベンゼン等のニトロ化合物が挙げられ、例えばアセトニトリル、プロピオニトリル、ベンゾニトリル、Ｎ,Ｎ-ジメチルホルムアミド、Ｎ-メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、またはヘキサメチルりん酸トリアミド等の極性化合物等が挙げられる。
【００３１】
これらの他、２０℃における誘電率が２.２以上であり且つ本発明の製造方法を阻害しなければ、如何なる非プロトン性有機溶媒でも構わないし、これらの非プロトン性有機溶媒は単独で用いても複数個を併用しても構わない。さらにはこれらの非プロトン性有機溶媒と、２０℃における誘電率が２.２未満の非プロトン性有機溶媒とを混合させ、その結果２０℃における誘電率を２.２以上となした該溶媒系も、本発明の製造方法における「２０℃における誘電率が２.２以上である非プロトン性有機溶媒」であるものと理解されるべきである。
【００３２】
これらのうち、後述の式(３)で表わされるアミノホスホニウムクロリド類を溶解させないものが好ましく、例えばベンゼン、トルエン、o-キシレン、m-キシレン、p-キシレン、混合キシレン、エチルベンゼン、ノルマルプロピルベンゼン、クメン、１,２,３-トリメチルベンゼン、１,２,４-トリメチルベンゼン、メシチレン、テトラリン、ブチルベンゼン、p-シメン、シクロヘキシルベンゼン、１,４-ジエチルベンゼン、１,３-ジイソプロピルベンゼン、またはドデシルベンゼン等の芳香族炭化水素類であり、例えばクロロベンゼン、o-ジクロロベンゼン、m-ジクロロベンゼン、ブロモベンゼン、o-ジブロモベンゼン、１-ブロモ-２-クロロベンゼン、１-ブロモナフタレン、１-クロロナフタレン、２-クロロトルエン、２-ブロモトルエン、２,４-ジクロロトルエン、１-ブロモ-２-エチルベンゼン、２-クロロ-o-キシレン、または１,２,４-トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類であり、例えばジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジメトキシエタン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、１,４-ジオキサン、アニソール、またはフェネトール等のエーテル類等である。
【００３３】
さらにこれらのうち、本発明の精製方法において述べるところの、水と混ざらないものがより好ましく、例えばベンゼン、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、混合キシレン、エチルベンゼン、ノルマルプロピルベンゼン、クメン、１，２，３−トリメチルベンゼン、１，２，４−トリメチルベンゼン、メシチレン、テトラリン、ブチルベンゼン、ｐ−シメン、シクロヘキシルベンゼン、１，４−ジエチルベンゼン、１，３−ジイソプロピルベンゼン、またはドデシルベンゼン等の芳香族炭化水素類であり、例えばクロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、ｍ−ジクロロベンゼン、ブロモベンゼン、ｏ−ジブロモベンゼン、１−ブロモ−２−クロロベンゼン、１−ブロモナフタレン、１−クロロナフタレン、２−クロロトルエン、２−ブロモトルエン、２，４−ジクロロトルエン、１−ブロモ−２−エチルベンゼン、２−クロロ−ｏ−キシレン、または１，２，４−トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類である。さらに好ましくはトルエン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、または２，４−ジクロロトルエンである。
【００３４】
これらの使用量は特に限定されないが、通常、原料のオキシ三塩化りん１質量部に対して５００質量部以下であり、好ましくは１〜１００質量部であり、より好ましくは１.５〜５０質量部である。これらに液体であるオキシ三塩化りんの一部が不溶であっても構わない。
【００３５】
本発明の製造方法において、式(１)で表わされるイミノホスホラン類のオキシ三塩化りんに対する使用モル比は特に制限はないが、通常５〜１２であり、好ましくは６〜１０であり、より好ましくは６.１〜８.０である。
反応温度は、溶媒量、原料モル比などにより一様ではないが、通常−１０〜２００℃であり、好ましくは０〜１５０℃であり、より好ましくは１５〜１００℃である。反応では例えば初期はより低温で、また末期はより高温で行うなど、多段階に温度を設定することもできる。
反応圧力は、減圧、常圧および加圧のいずれでも実施しうるが、通常は常圧である。また反応時間は、反応温度や他の因子により一様ではないが、通常は０.１〜１００時間、好ましくは０.５〜５０時間であり、より好ましくは１〜３０時間である。
【００３６】
このようにして得られる反応液中には、使用した溶媒の種類や量、または式(１)で表わされるイミノホスホラン類の種類によって、式(３)で表わされるアミノホスホニウムクロリド類が、固体として析出している場合もあれば、溶解している場合もある。
このような状態の該ホスホニウムクロリド類を除去する方法としては、特に制限はなく如何なる方法でも実施できるが、通常、該ホスホニウムクロリド類が固体として析出している場合には反応液をそのまま固液分離する方法を、また該ホスホニウムクロリド類が溶解している場合には、一旦溶媒を留去した後、該ホスホニウムクロリド類が不溶の有機溶媒を加え固液分離する方法等を実施することができる。
【００３７】
上記の固液分離を行なう方法としてはいかなる方法でも構わないが、通常、濾過、遠心分離またはデカンテーションなどの汎用の方法が用いられ、なかでも濾過が好ましい。必要であれば濾過ケーキを該非プロトン性有機溶媒、あるいは該ホスホニウムクロリド類が不溶の有機溶媒で洗浄し、洗液は濾液と合わせることもできる。
【００３８】
また上記のホスホニウムクロリド類が不溶の有機溶媒としては、例えばノルマルペンタン、ノルマルヘキサン、２,２-ジメチルブタン、２,３-ジメチルブタン、２-メチルペンタン、ノルマルヘプタン、ノルマルオクタン、２,３,３-トリメチルペンタン、イソオクタン、ノルマルノナン、２,２,５-トリメチルヘキサン、またはノルマルデカン等の飽和脂肪族炭化水素類が挙げられ、例えばシクロペンタン、メチルシクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、p-メンタン、ビシクロヘキシル、またはデカリン等の脂環族炭化水素類が挙げられ、例えばベンゼン、トルエン、o-キシレン、m-キシレン、p-キシレン、混合キシレン、エチルベンゼン、ノルマルプロピルベンゼン、クメン、１,２,３-トリメチルベンゼン、１,２,４-トリメチルベンゼン、メシチレン、テトラリン、ブチルベンゼン、p-シメン、シクロヘキシルベンゼン、１,４-ジエチルベンゼン、１,３-ジイソプロピルベンゼン、またはドデシルベンゼン等の芳香族炭化水素類が挙げられ、例えばクロロベンゼン、o-ジクロロベンゼン、m-ジクロロベンゼン、ブロモベンゼン、o-ジブロモベンゼン、１-ブロモ-２-クロロベンゼン、１-ブロモナフタレン、１-クロロナフタレン、２-クロロトルエン、２-ブロモトルエン、２,４-ジクロロトルエン、１-ブロモ-２-エチルベンゼン、２-クロロ-o-キシレン、または１,２,４-トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類が挙げられ、例えばジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジメトキシエタン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、１,４-ジオキサン、アニソール、またはフェネトール等のエーテル類等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００３９】
ここで固体として分離された該ホスホニウムクロリド類は、EP-0921128またはG.N.Koidan etal.,Zh.Obshch.Khim.,50,pp.679-680(1980)に記載の方法によって式(１)で表わされるイミノホスホラン類へ再生することが可能であり、本発明の製造法における式(１)で表わされるイミノホスホラン類の一部または全部としてリサイクル使用することもできる。
【００４０】
このようにして式(３)で表わされるアミノホスホニウムクロリド類を除去した母液中には、さらに未反応で、あるいは過剰に用いた場合に残る式(１)で表わされるイミノホスホラン類が存在している。該ホスホラン類を除去する方法としては、特に制限はなく如何なる方法でも実施できるが、通常、該母液を濃縮乾固した後、該ホスホラン類を常圧もしくは減圧蒸留によって溜出させる方法や後述のように該母液を水洗浄する方法等を実施することができる。
【００４１】
このようにして得られた乾固体や水洗浄後の溶液は、充分高い純度で式(２)で表わされるホスフィンオキシド類を含んでおり、そのまま次の目的に使用できる場合もあるが、少量含有する水を乾燥剤や蒸留で除いたり、さらには該水洗浄後の溶液については溶媒の一部または全部を除いて、濃縮溶液または乾固体として用いることもできる。
【００４２】
本発明の第二は、少なくとも式(２)で表わされるホスフィンオキシド類、および水と混ざらない有機溶媒を含む溶液を、水洗浄して該ホスフィンオキシド類の溶液として得るか、または、少なくとも式(２)で表わされるホスフィンオキシド類および水と混ざらない有機溶媒を含む溶液を、水洗浄して該ホスフィンオキシド類の溶液を得て、得られた該ホスフィンオキシド類の溶液を濃縮乾固することにより、該ホスフィンオキシド類を固体として得るホスフィンオキシド類の精製方法であって、水と混ざらない有機溶媒が、２０℃における誘電率が２.２以上である非プロトン性有機溶媒である該ホスフィンオキシド類の精製方法である。
【００４３】
本発明の精製方法における水と混ざらない有機溶媒とは、通常の抽出等に用いる有機溶媒であり、水には問題となる程度は溶解せず、水相と容易に分離できるものである。また水相に対する有機溶媒相への、式(２)で表わされるホスフィンオキシド類の分配率が高く、且つ該ホスフィンオキシド類と接触しても化学変化を起こさないようなものである。
本発明の精製方法において、水と混ざらない有機溶媒としては、２０℃における誘電率が２.２以上である非プロトン性有機溶媒（２０℃における誘電率が２.２以上且つ水と混ざらない非プロトン性有機溶媒）が用いられる。
【００４４】
そのような水と混ざらない有機溶媒としては、例えば塩化メチレン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン、１，１−ジクロロエタン、またはヘキサクロロエタン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類が挙げられ、例えばベンゼン、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、混合キシレン、エチルベンゼン、ノルマルプロピルベンゼン、クメン、１，２，３−トリメチルベンゼン、１，２，４−トリメチルベンゼン、メシチレン、テトラリン、ブチルベンゼン、ｐ−シメン、シクロヘキシルベンゼン、１，４−ジエチルベンゼン、１，３−ジイソプロピルベンゼン、またはドデシルベンゼン等の芳香族炭化水素類が挙げられ、例えばクロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、ｍ−ジクロロベンゼン、ブロモベンゼン、ｏ−ジブロモベンゼン、１−ブロモ−２−クロロベンゼン、１−ブロモナフタレン、１−クロロナフタレン、２−クロロトルエン、２−ブロモトルエン、２，４−ジクロロトルエン、１−ブロモ−２−エチルベンゼン、２−クロロ−ｏ−キシレン、または１，２，４−トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類が挙げられ、例えばギ酸プロピル、ギ酸イソブチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、酪酸メチル、安息香酸メチル、安息香酸イソペンチル、または桂皮酸エチル等の炭素数４以上のエステル類等が挙げられる。この他本発明の精製方法を阻害しなければ如何なる有機溶媒でも構わない。
【００４５】
これらのうち、式（３）で表わされるアミノホスホニウムクロリド類が不溶である非プロトン性有機溶媒が好ましく、例えばベンゼン、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、混合キシレン、エチルベンゼン、ノルマルプロピルベンゼン、クメン、１，２，３−トリメチルベンゼン、１，２，４−トリメチルベンゼン、メシチレン、テトラリン、ブチルベンゼン、ｐ−シメン、シクロヘキシルベンゼン、１，４−ジエチルベンゼン、１，３−ジイソプロピルベンゼン、またはドデシルベンゼン等の芳香族炭化水素類であり、例えばクロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、ｍ−ジクロロベンゼン、ブロモベンゼン、ｏ−ジブロモベンゼン、１−ブロモ−２−クロロベンゼン、１−ブロモナフタレン、１−クロロナフタレン、２−クロロトルエン、２−ブロモトルエン、２，４−ジクロロトルエン、１−ブロモ−２−エチルベンゼン、２−クロロ−ｏ−キシレン、または１，２，４−トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類である。より好ましくはトルエン、またはクロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼンである。
【００４６】
本発明の精製方法における、少なくとも式（２）で表わされるホスフィンオキシド類、および水と混ざらない有機溶媒を含む溶液とは、少なくとも該２成分を含有する溶液であり、本発明の精製方法を阻害しなければ他の成分が存在していても構わない。またこの溶液が一旦分離された該ホスフィンオキシド類を、水と混ざらない有機溶媒に溶解させて形成した溶液であってもよい。
【００４７】
さらにはこの溶液が、式（１）で表わされるイミノホスホラン類とオキシ三塩化りんとを、２０℃における誘電率が２.２以上で、且つ水と混ざらない非プロトン性有機溶媒であり、さらに式（３）で表わされるアミノホスホニウムクロリド類が不溶の有機溶媒を反応溶媒として用いて反応させて、式（２）で表わされるホスフィンオキシド類と同時に生成する固体の式（３）で表わされるアミノホスホニウムクロリド類とを含む反応液から、該ホスホニウムクロリド類を固液分離で除去した溶液であってもよく、さらには必要であれば上記の反応を、２０℃における誘電率が２.２以上である非プロトン性有機溶媒を反応溶媒として用いて実施した後、本発明の製造方法において記載した固液分離を行って得られる溶液から該溶媒を溜去させる方法等により除いた後に、所望の水と混ざらない有機溶媒と置き換えた溶液であっても構わない。
【００４８】
このような溶液のうち、式（１）で表わされるイミノホスホラン類とオキシ三塩化りんとを、２０℃における誘電率が２.２以上且つ水と混ざらない非プロトン性有機溶媒であり、さらに式（３）で表わされるアミノホスホニウムクロリド類が不溶の有機溶媒を反応溶媒として用いて反応させて、式(２)で表わされるホスフィンオキシド類と同時に生成する固体の式（３）で表わされるアミノホスホニウムクロリド類とを含む反応液から、該ホスホニウムクロリド類を固液分離で除去した溶液が好ましく、該反応においてオキシ三塩化りんに対する該ホスホラン類のモル比を、６〜１０の範囲内として反応させて得られる該ホスフィンオキシド類を含む反応液から、該ホスホニウムクロリド類を固液分離で除去した溶液がより好ましい。
【００４９】
本発明の精製方法における水洗浄の方法としては、少なくとも式(２)で表わされるホスフィンオキシド類、および水と混ざらない有機溶媒を含む溶液と水とを充分に接触させる方法であればいかなる方法でもよい。通常、該溶液に水を加え、充分撹拌し、有機相と水相とを分離した後に水相を取り除くことによって行うことができる。
【００５０】
この水洗浄における水の量は特に限定されないが、通常、少なくとも該溶液１質量部に対して５質量部以下である。またそのような水の量で数回に分けて洗浄することもできる。好ましくは、該溶液１質量部に対して毎回０.０５〜１.０質量部の水で２〜５回洗浄する。水洗浄の温度および時間は特に制限はないが、温度は通常１０〜８０℃、好ましくは１５〜４０℃であり、時間は通常、３時間以内、好ましくは０.０１〜１時間、より好ましくは０.０５〜０.５時間である。このようにして水洗浄された式(２)で表わされるホスフィンオキシド類の溶液は、より純度の高まった該ホスフィンオキシドを含んでおり、そのまま次の目的に使用できる場合もある。また濃縮乾固して固体として取り出すこともできる。
【００５１】
さらに必要であれば、この乾固体を精製することもできる。乾固体は完全に溶媒が除かれていても、少量の溶媒が残っていても構わない。これらの乾固体中には、水洗浄してもなお溶解して残存する不純物が微量に存在している。これらの乾固体をさらに精製する方法としては特に限定されないが、この乾固体に炭化水素類を加えて式(２)で表わされるホスフィンオキシド類を溶解させ、不溶で残る微量の固体(不純物)を固液分離して除く方法が好ましく効果的であり、しかも実用的でもある。
【００５２】
この方法に用いる炭化水素類としては、例えばノルマルペンタン、ノルマルヘキサン、２,２-ジメチルブタン、２,３-ジメチルブタン、２-メチルペンタン、ノルマルヘプタン、ノルマルオクタン、２,３,３-トリメチルペンタン、イソオクタン、ノルマルノナン、２,２,５-トリメチルヘキサン、またはノルマルデカン等の飽和脂肪族炭化水素であり、例えばシクロペンタン、メチルシクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、p-メンタン、ビシクロヘキシル、またはデカリン等の脂環族炭化水素であり、例えばベンゼン、トルエン、o-キシレン、m-キシレン、またはp-キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。
【００５３】
これらの他、この方法を阻害しなければ如何なる炭化水素類を用いても構わない。これらの炭化水素類は単独で用いても混合して用いても構わない。これらのうち好ましくは、例えばノルマルペンタン、ノルマルヘキサン、ノルマルヘプタン、ノルマルオクタン、ノルマルノナン、またはノルマルデカン等の炭素原子数５〜１０個の飽和脂肪族炭化水素である。
【００５４】
これらの炭化水素類の使用量は特に制限されないが、通常、該乾固体に対して０.５〜５０質量倍であり、好ましくは１〜２０質量倍である。該乾固体にこれらの炭化水素類を加え、式(２)で表わされるホスフィンオキシド類を溶解させるが、その温度、時間には特に制限はないが、温度は通常１０〜１００℃、好ましくは２０〜５０℃であり、時間は通常０.１〜３時間、好ましくは０.５〜２時間である。その後、不溶で残る固体を固液分離で除くが、その方法としてはいかなる方法でも構わないが、通常、濾過、遠心分離またはデカンテーションなどの汎用の方法が用いられ、なかでも濾過が好ましい。この不溶物を炭化水素類で洗浄し、洗液を濾液と合わせることもできる。
【００５５】
このようにして、きわめて高純度の式(２)で表わされるホスフィンオキシド類の溶液を得ることができる。必要なら該溶液を濃縮乾固して該ホスフィンオキシド類を固体として取り出すこともできる。
【００５６】
【実施例】
以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。しかしながら、本実施例は本発明を具体的に説明したものであり、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。
【００５７】
[実施例１]
窒素雰囲気下で、３００mlのガラス製反応器に、式(１)で表わされるイミノホスホラン類中のＲがメチル基であるイミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランを５４.３g(３０５ミリモル)、および乾燥したo-ジクロロベンゼン(２０℃における誘電率は６.８０である)１３０gを仕込んだ。撹拌しながら、内部温度を２０℃に制御しつつ、これに７.６７g(５０.０ミリモル)のオキシ三塩化りんと乾燥したo-ジクロロベンゼン１６.３gとの混合液(オキシ三塩化りんの濃度は３２質量%)を３０分かけて滴下した。イミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランのオキシ三塩化りんに対するモル比は６.１である。この時点で反応液の一部を採取した。
【００５８】
重水素化ジメチルスルホキシドを溶媒とし、りん酸トリ-ノルマル-ブチルを内部標準化合物とした31Ｐ-ＮＭＲによる定量分析(以降、収率および純度はこの方法で分析を実施した)の結果から、式(２)で表わされるホスフィンオキシド類中のＲがメチル基であるトリス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]ホスフィンオキシドはほとんど生成していなかった。その後、反応液を４０℃に昇温し２４時間反応させたところ該ホスフィンオキシドのオキシ三塩化りんに対する反応収率は８３.６%であった。
【００５９】
この結果とともに、o-ジクロロベンゼン以外の、２０℃における誘電率が２.２以上の、もしくはそれが２.２未満の非プロトン性有機溶媒を用いて反応させた実施例２〜７、および比較例１〜４の結果を下記の表１に示した。表１は、明らかに両者間に大きな反応速度の差が存在することを示し,また目的物の反応収率を向上させるためには前者が極めて有効であることをも示している。
【００６０】
[実施例２〜７]、[比較例１〜４]
実施例１におけるo-ジクロロベンゼンの代わりに、表１に示す各種非プロトン性有機溶媒を使用した以外は、全て実施例１と同様に行った。
【００６１】
【表１】
[実施例８]
窒素雰囲気下で、５００mlのガラス製反応器に、オキシ三塩化りん１５.４g(１００ミリモル)、および乾燥したo-ジクロロベンゼン１５４gを仕込んだ。撹拌しながら、内部温度が７０℃以下となるよう制御しつつ、これに１１６g(６５１ミリモル)のイミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランを１時間かけて滴下した。イミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランの、オキシ三塩化りんに対するモル比は６.５である。滴下終了後、７０℃で撹拌を１時間継続して白色スラリー液を得た。この反応液の一部を採取し定量分析を行ったところ、トリス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]ホスフィンオキシドの反応収率は８５.４%であった。
【００６３】
反応後、得られた該白色スラリー液を濾過し、固体を少量のo-ジクロロベンゼンで洗浄して濾洗液２６６gを得た。この濾洗液を３００ml分液ロートに移し、これに水３１.９g(濾洗液に対し０.１２質量倍)を加え、強く振とうすることにより両相をよく接触させて洗浄し、静置後o-ジクロロベンゼン相と水相とを分離させそれぞれを分取した。この水洗浄の操作を同様にさらに２回実施した。
【００６４】
得られたo-ジクロロベンゼン相を分析したところ、水洗浄前に未反応で残存していたイミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランは検出限界以下まで減少しており、また副生成物も水洗浄前に比べ大幅に減少していた。その後o-ジクロロベンゼン相を８０℃、１０mmHgで濃縮乾固し、白色固体５０.５gを得た。この固体中のトリス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]ホスフィンオキシドの純度は９５.４質量%であり、単離収率は８３.３%であった。このように、反応液の濾過後、その濾洗液を水洗浄するだけで、該ホスフィンオキシドをほとんどロスすることなく、充分高純度の該ホスフィンオキシドが得られた。
【００６５】
さらに精製する目的で、この固体を、固体に対し１０質量倍のノルマルヘキサンを加えて４０分間撹拌して溶解させ、その後、不溶で残った固体を濾過し、その不溶物を少量のノルマルヘキサンで洗浄した。不溶固体は乾燥後約１.９gであった。得られた濾洗液を６０℃、１０mmHgで濃縮乾固し、その後、窒素流通下、８０℃で５時間乾燥操作を行った。白色の固体が４８.５g得られ、単離収率は８３.１%であり、純度は９９.２質量%まで向上した。またこの固体中の塩素イオン濃度を塩素イオン電極を用いる電位差滴定法により測定した(以下同様)ところ、その濃度は４３ppmであった。
【００６６】
[比較例５]
G.N.Koidanらの文献に記載される方法に準拠した方法で実施した。
窒素雰囲気下で、３００mlのガラス製反応器に、イミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランを５３.５g(３００ミリモル)、および乾燥した石油エーテル２００ml(該ホスホランの濃度は２９質量%)を仕込んだ。撹拌しながら、内部温度を２０℃に制御しつつ、これに７.６７g(５０.０ミリモル)のオキシ三塩化りんと、乾燥した石油エーテル２５mlとの混合液(オキシ三塩化りんの濃度は３２質量%)を３０分かけて滴下した。
【００６７】
イミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランの、オキシ三塩化りんに対するモル比は６.０である。この時点で反応液の一部を採取したところ、目的物はほとんど生成していなかった。このため、その後、反応液を還流する温度まで昇温(約４０℃であった)し反応を続けた。２４および４８時間経過後の収率は５９.８%および７３.０%であった。このように該文献記載の方法では、実施例１〜７と比べると明らかなように反応は遅く、収率は低かった。
【００６８】
[比較例６]
G.N.Koidanらの文献に記載される方法に準拠した方法で得られた反応液(比較例５で得られた反応液)から該文献記載の精製法に準拠した方法で実施した。比較例５の反応で得られた石油エーテルの白色スラリー液を濾過し、固体を５０mlの石油エーテルで２回洗浄後、得られた濾洗液を３０℃、１５０mmHgで濃縮乾固した。微黄白色の固体が２１.５g得られ、この固体に６.０gの石油エーテル(固体に対しわずか２８質量%に当たる)を加えたところ温度２５℃でほぼ溶解した。この溶液を濾過し、その濾液を冷却して結晶を析出させようとしたが、−１０℃まで下げてやっと少量の析出が認められた。
【００６９】
さらに−２０℃まで冷却し、ようやくある程度の量の結晶を析出させることができた。これを素早く−２０℃の保冷濾過器で濾過し、濾過した結晶を−３０℃に冷却した石油エーテル約３gで洗浄し、５.８９gの白色結晶を得た。この結晶は純度９８.２質量%のトリス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]ホスフィンオキシドであったが、収率はわずか２０.０%であり、この結晶中の塩素イオン濃度は６４０ppmと高い値であった。このようにわずかな溶媒量で再結晶を実施したにも関わらず結晶化には極く低温を必要とし、さらに結晶の収率も低かった。
【００７０】
[比較例７]
比較例５の方法で、用いるイミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランの量を５７.９g(３２５ミリモル)とし、反応液が還流する温度(約４０℃であった)での反応時間を３０時間とした以外は、比較例５と全く同様に反応を実施し、精製は比較例６と全く同様に−２０℃で実施した。イミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランの、オキシ三塩化りんに対するモル比は６.５(化学量論量以上)である。反応後の収率は７５.３%で、比較例５の結果と比べ該ホスホランの使用量を増加させただけで明らかに反応速度が向上していた。
【００７１】
再結晶後、６.５７gの白色結晶を得た。この結晶は純度９４.１質量%で、収率は２０.７%であり、再結晶操作を行っても純度は不充分である。この結晶中には不明の不純物と共にイミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランが約２質量%観測された。反応において化学量論量以上に過剰に用いた該ホスホランは、この方法では充分に除くことができず、再結晶操作で析出した目的物の結晶中に残存する結果となった。
【００７２】
[比較例８]
比較例５の方法で、反応液が還流する温度(約４０℃であった)での反応時間を４０時間とした以外は、比較例５と全く同様に反応を実施した。反応後の収率は７０.２%であった。得られた石油エーテルの白色スラリー液を濾過し、固体を５０mlの石油エーテルで２回洗浄した。得られた濾洗液に、該濾洗液に対し０.１２質量倍の水を加え、強く振とうすることにより両相をよく接触させて洗浄し、静置後石油エーテル相と水相とを分離させそれぞれを分取した。この水洗浄の操作を同様にさらに２回実施した。
【００７３】
得られた石油エーテル相を分析したところ、目的物であるトリス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]ホスフィンオキシドはほとんど含有していなかった。そのため水相を分析したところ、水相中には副生成物および未反応で残存したイミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランと共に、水洗浄前に含まれていた目的物の９９質量%が含まれていた。
【００７４】
[実施例９]
実施例８におけるo-ジクロロベンゼンの代わりに、乾燥したトルエンを使用した以外は、実施例８と同様に反応および水洗浄を実施した。水洗浄後得られたトルエン相は６０℃、５０mmHgで濃縮乾固した。得られた固体は純度９３.５質量%の目的物で、収率は８２.９%であった。
【００７５】
[実施例１０]
実施例８におけるo-ジクロロベンゼンの代わりに、乾燥した２,４-ジクロロトルエンを使用した以外は、実施例８と同様に反応および水洗浄を実施した。水洗浄後得られた２,４-ジクロロトルエン相は９０℃、１０mmHgで濃縮乾固した。得られた固体は純度９６.１質量%の目的物で、収率は８２.４%であった。
【００７６】
[実施例１１]
実施例８におけるo-ジクロロベンゼンの代わりに、乾燥したクロロベンゼンを使用し、用いるイミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランの量を１１２g(６２８ミリモル)とし、該ホスホランの滴下時の内部温度を６０℃以下に制御し、滴下終了後の反応温度を６０℃とした以外は、実施例８と同様に反応および水洗浄を実施した。イミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランの、オキシ三塩化りんに対するモル比は６.３である。水洗浄後得られたクロルベンゼン相は８０℃、６０mmHgで濃縮乾固した。得られた固体は純度９４.１質量%の目的物で、収率は６７.３%であった。
【００７７】
[実施例１２]
実施例１１の方法で、用いるイミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランの量を１２０g(６７３ミリモル)とした以外は、実施例１１と全く同様に実施した。イミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランの、オキシ三塩化りんに対するモル比は６.７である。水洗浄後クロロベンゼン相を濃縮乾固して得られた固体は、純度９５.９質量%の目的物で、収率は８０.７%であった。
【００７８】
[実施例１３,１４]
実施例８と全く同様に、反応および水洗浄した後のo-ジクロロベンゼン相を濃縮乾固して得られた固体を、実施例８の方法におけるノルマルヘキサンの代わりに、その固体の１５質量倍のノルマルヘプタン(実施例１３)および２質量倍のノルマルオクタン(実施例１４)を用いて実施例８と同様に精製処理した。得られた目的物の収率は８３%でほぼ一定で、純度はそれぞれ順に９８.９質量%と９７.６質量%であった。
【００７９】
[実施例１５]
実施例８の方法で、１回の水洗浄操作で用いる水の量を濾洗液に対し０.２０質量倍とした以外は、実施例８と全く同様に反応および水洗浄を実施した。水洗浄後o-ジクロロベンゼン相を濃縮乾固して得られた固体は、純度９６.５質量%の目的物で、収率７９.９%であった。
【００８０】
【発明の効果】
本発明の方法によれば、式(１)で表わされるイミノホスホラン類とオキシ三塩化りんとを反応させて、式(２)で表わされるホスフィンオキシド類を製造する方法において、簡便な精製法により実施することができ、化学量論量以上に該ホスホラン類を使用でき、工業的により現実的な方法により、高収率で且つ高純度で該ホスフィンオキシド類を得ることができる。
Claims (11)
- 下記式(１)
で表わされるイミノホスホラン類とオキシ三塩化りんとを反応させて、下記式(２)
で表わされるホスフィンオキシド類を製造するに際し、反応溶媒として２０℃における誘電率が２.２以上である非プロトン性有機溶媒を用いることを特徴とする、ホスフィンオキシド類の製造方法。 - 前記式(１)で表わされるイミノホスホラン類、および式(２)で表わされるホスフィンオキシド類中のＲがメチル基である、請求項１記載の製造方法。
- 前記非プロトン性有機溶媒が、下記式(３)
で表わされるアミノホスホニウムクロリド類が不溶の有機溶媒である、請求項１または２記載の製造方法。 - 前記非プロトン性有機溶媒が、式(３)で表わされるアミノホスホニウムクロリド類が不溶の有機溶媒であり、且つ水と混ざらない有機溶媒である、請求項１または２記載の製造方法。
- 前記式(１)で表わされるイミノホスホラン類の使用モル数が、オキシ三塩化りん１モルに対して６ないし１０の範囲である、請求項１ないし４のいずれかに記載の製造方法。
- 少なくとも下記式(２)で表わされるホスフィンオキシド類および水と混ざらない有機溶媒を含む溶液を、水洗浄して該ホスフィンオキシド類の溶液として得るか、または、
少なくとも下記式(２)で表わされるホスフィンオキシド類および水と混ざらない有機溶媒を含む溶液を、水洗浄して該ホスフィンオキシド類の溶液を得て、得られた該ホスフィンオキシド類の溶液を濃縮乾固することにより、該ホスフィンオキシド類を固体として得るホスフィンオキシド類の精製方法であって、
前記水と混ざらない有機溶媒が、２０℃における誘電率が２.２以上である非プロトン性有機溶媒であることを特徴とする、ホスフィンオキシド類の精製方法。
- 前記式(２)で表わされるホスフィンオキシド類中のＲがメチル基である、請求項６記載の精製方法。
- 前記水と混ざらない有機溶媒が、下記式(３)で表わされるアミノホスホニウムクロリド類が不溶の有機溶媒である、請求項６または７記載の精製方法。
- 前記少なくとも式(２)で表わされるホスフィンオキシド類、および水と混ざらない有機溶媒を含む溶液が、下記式(１)で表わされるイミノホスホラン類とオキシ三塩化りんとを、２０℃における誘電率が２.２以上で且つ水と混ざらない非プロトン性有機溶媒であり、さらに式(３)で表わされるアミノホスホニウムクロリド類が不溶である有機溶媒を反応溶媒として用いて反応させ、該ホスフィンオキシド類と同時に生成する固体の該ホスホニウムクロリド類とを含む反応液から、該ホスホニウムクロリド類を固液分離で除去した溶液である、請求項６または７記載の精製方法。
- 前記式(１)で表わされるイミノホスホラン類の使用モル数が、オキシ三塩化りん１モルに対して６ないし１０の範囲である請求項９記載の精製方法。
- 前記水洗浄して得られた式(２)で表わされるホスフィンオキシド類の溶液を、濃縮乾固して、得られた乾固体に炭化水素を加えた後、不溶で残る固体を固液分離で除き、該ホスフィンオキシドの溶液として得るか、または、
前記水洗浄して得られた式(２)で表わされるホスフィンオキシド類の溶液を、濃縮乾固して、得られた乾固体に炭化水素を加えた後、不溶で残る固体を固液分離で除き、該ホスフィンオキシドの溶液を得て、得られた該ホスフィンオキシドの溶液を濃縮乾固して該ホスフィンオキシド類を固体として得ることを特徴とする、請求項６ないし１０のいずれかに記載の精製方法。
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