JP5042605B2

JP5042605B2 - トリス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホラニリデンアミノ］ホスフィンオキシドの製造方法

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Publication number: JP5042605B2
Application number: JP2006324358A
Authority: JP
Inventors: 卓哉佐伯; 将志島本
Original assignee: Mitsui Chemicals Inc
Current assignee: Mitsui Chemicals Inc
Priority date: 2006-11-30
Filing date: 2006-11-30
Publication date: 2012-10-03
Anticipated expiration: 2026-11-30
Also published as: JP2008137927A

Description

本発明は、トリス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホラニリデンアミノ］ホスフィンオキシドを工業的に有利に製造するための、トリス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホラニリデンアミノ］ホスフィンオキシドの製造方法に関する。

トリス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホラニリデンアミノ］ホスフィンオキシドは、アルキレンオキシド化合物の重合触媒やＩＣ封止樹脂の硬化触媒として、極めて有用な化合物である。

トリス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホラニリデンアミノ］ホスフィンオキシドの製造方法としては、下記式１に示すように、イミノトリス（ジメチルアミノ）ホスホランとオキシ塩化りんとを反応させて、目的化合物であるトリス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホラニリデンアミノ］ホスフィンオキシドを得ることが知られている。この方法では、副生塩であるアミノトリス（ジメチルアミノ）ホスホニウムクロリドが生成する。

例えば、非特許文献１には、石油エーテル溶媒中でイミノトリス（ジメチルアミノ）ホスホランとオキシ塩化りんとを反応させて、副生塩であるアミノトリス（ジメチルアミノ）ホスホニウムクロリドの沈殿を分離し、濾液を濃縮し、残渣を再結晶する方法が提案されている。

しかし、特許文献２には、非特許文献１に記載の方法を追試した記載があり、実際には収率が非常に低いことや塩素イオンが多く残留していることが明らかにされている。

特許文献２には、誘電率が２．２以上の非プロトン性有機溶媒中で、式１に示す反応を実施することが提案されている。また、特許文献２には、トリス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホラニリデンアミノ］ホスフィンオキシドの精製方法についても、当該化合物の有機溶媒溶液を水洗浄する方法、さらにその溶液を濃縮乾固して得た当該化合物に、炭化水素溶媒を加えて、その不溶分を除去する方法が開示されている。

また、特許文献３には、脂肪族炭化水素類を溶媒として、式１の反応を実施する方法が提案されており、副生塩であるアミノトリス（ジメチルアミノ）ホスホニウムクロリドと、炭化水素溶媒に不溶な副生成物とを同時に除去することが開示されている。
ジー・エヌ・コイダン他、「ジャーナル・オブ・ジェネラル・ケミストリ・オブ・ユー・エス・エス・アール」、１９８５年、第５５巻、第１４５３頁Ｇ．Ｎ．Ｋｏｉｄａｎｅｔａｌ．，ＪｏｕｒｎａｌｏｆＧｅｎｅｒａｌＣｈｅｍｉｓｔｒｙｏｆＴｈｅＵＳＳＲ，５５，１４５３（１９８５）．特開平２０００−３５５５９５号公報特開平２００１−２３３８８５号公報

しかるに、本発明の目的化合物であるトリス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホラニリデンアミノ］ホスフィンオキシドは、アルキレンオキシドの重合触媒やＩＣ封止樹脂の硬化触媒として使用するため、触媒反応を阻害したり、硬化樹脂の物性を損なうような不純物を低減する必要がある。

特に、塩素原子を含有する不純物は、アルキレンオキシド化合物の重合触媒性能を低下させる原因となることや、電子材料用途において電子材料の特性を著しく低下させる原因となることが判明しており、そのような塩素原子を含有する不純物は、できる限り低減する必要がある。

しかし、非特許文献１に記載の方法では、塩素イオンが多く残留するという不具合がある。また、特許文献３に記載の方法では、溶媒に不溶な副生成物を固液分離で除去するため、反応中間体のような、溶媒に対して部分的に溶解する塩素含有化合物が残留すると、その溶解分を除去できないという不具合がある。

一方、特許文献２に記載の方法では、水洗浄と不溶分濾過により、不純物を低減することができ、これらの操作を適宜調節することにより、所望の精製度のトリス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホラニリデンアミノ］ホスフィンオキシドを得ることができると推定される。

しかし、特許文献２に記載の方法は、水洗浄により有機物含有排水が発生すること、不溶分濾過のため反応溶媒を濃縮乾固する必要があること、また、別の溶媒（不純物に対する貧溶媒）を大量に加える必要があることなどから、工業的に有利な方法とは言い難いという不具合がある。

本発明の目的は、トリス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホラニリデンアミノ］ホスフィンオキシド中の不純物である塩素含有化合物を、簡便な方法で効果的に低減して、高純度のトリス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホラニリデンアミノ］ホスフィンオキシドを工業的に有利に得ることのできる、トリス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホラニリデンアミノ］ホスフィンオキシドの製造方法を提供することにある。

上記目的を達成するため、本発明のトリス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホラニリデンアミノ］ホスフィンオキシドの製造方法は、次の各工程を備えていることを特徴としている。

工程（Ａ）：溶媒としての芳香族炭化水素類の存在下、イミノトリス（ジメチルアミノ）ホスホランとオキシ塩化りんとを反応させて、トリス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホラニリデンアミノ］ホスフィンオキシドと、アミノトリス（ジメチルアミノ）ホスホニウムクロリドとを含む反応液を得る工程、
工程（Ｂ）：前記工程（Ａ）で得られた反応液中の、アミノトリス（ジメチルアミノ）ホスホニウムクロリドを含む固形分を除去する工程、
工程（Ｃ１）：前記工程（Ｂ）で得られた反応液に、アルカリ金属化合物および／またはアルカリ土類金属化合物を添加して、塩素を含有する副生成物と反応させ、塩素を前記溶媒に難溶性の無機塩素化合物に変換する工程、および
工程（Ｄ１）：前記工程（Ｃ１）で得られた反応液中の、無機塩素化合物を含む固形分を除去する工程
また、本発明のトリス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホラニリデンアミノ］ホスフィンオキシドの製造方法は、次の各工程を備えていることも特徴としている。

工程（Ａ）：溶媒としての芳香族炭化水素類の存在下、イミノトリス（ジメチルアミノ）ホスホランとオキシ塩化りんとを反応させて、トリス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホラニリデンアミノ］ホスフィンオキシドと、アミノトリス（ジメチルアミノ）ホスホニウムクロリドとを含む反応液を得る工程、
工程（Ｃ２）：前記工程（Ａ）で得られた反応液に、アルカリ金属化合物および／またはアルカリ土類金属化合物を添加して、塩素を含有する副生成物と反応させ、塩素を前記溶媒に難溶性の無機塩素化合物に変換する工程、および
工程（Ｄ２）：前記工程（Ｃ２）で得られた反応液中の、アミノトリス（ジメチルアミノ）ホスホニウムクロリドおよび無機塩素化合物を含む固形分を除去する工程
また、本発明では、アルカリ金属化合物および／またはアルカリ土類金属化合物が、アルカリ金属の炭酸塩または炭酸水素塩および／またはアルカリ土類金属の炭酸塩または炭酸水素塩であることが好適である。

また、本発明では、アルカリ金属化合物および／またはアルカリ土類金属化合物の添加量が、トリス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホラニリデンアミノ］ホスフィンオキシド１００重量部に対して、０．１〜１０重量部の範囲であることが好適である。

また、本発明では、前記芳香族炭化水素類が、炭素数１〜３のアルキル置換基を１つ以上有するアルキル置換芳香族炭化水素類であることが好適である。

本発明のトリス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホラニリデンアミノ］ホスフィンオキシドの製造方法では、反応後の反応液に、アルカリ金属化合物および／またはアルカリ土類金属化合物を添加して、塩素を含有する副生成物と反応させて、塩素を溶媒に難溶性の無機塩素化合物に変換し、その後、反応液中の固形分を除去している。そのため、目的化合物であるトリス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホラニリデンアミノ］ホスフィンオキシド中の塩素含有量を低減することができる。

本発明の製造方法では、特に、副生成物が溶媒に溶解性を有する場合でも、塩素を溶媒に難溶性の無機塩素化合物に変換するので、効果的に除去することができる。

その結果、本発明の製造方法によれば、高純度のトリス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホラニリデンアミノ］ホスフィンオキシドを、非常に簡便で効果的に、かつ、工業的に有利に製造することができる。

本発明のトリス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホラニリデンアミノ］ホスフィンオキシドの製造方法は、次の工程（Ａ）〜（Ｄ１）を備えている。

まず、工程（Ａ）では、溶媒としての芳香族炭化水素類の存在下、イミノトリス（ジメチルアミノ）ホスホランとオキシ塩化りんとを反応させて、トリス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホラニリデンアミノ］ホスフィンオキシドと、アミノトリス（ジメチルアミノ）ホスホニウムクロリドとを含む反応液を得る。

本発明の製造方法において、トリス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホラニリデンアミノ］ホスフィンオキシドは、上記式１中に示した構造で表される化合物であるが、上記式１中に示した構造は、一つの極限構造式である。すなわち、上記式１では、中心のりん原子と酸素原子との間を二重結合で表現しているが、酸素原子上に電子が偏ってアニオンとなり、りん原子上にカチオンが生じる形態（Ｐ⁺−Ｏ^-）の極限構造式もとり得る。また、りん原子上のカチオンは共役系を通して全体に非局在化することもできる。従って、式１中に示されるトリス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホラニリデンアミノ］ホスフィンオキシドは、これらすべてを含んだ共鳴混成体として理解されるべきである。

また、本発明の製造方法において、出発原料である、オキシ塩化りんおよびイミノトリス（ジメチルアミノ）ホスホランは、ともに市販されており、入手容易である。また、イミノトリス（ジメチルアミノ）ホスホランは、例えば、特開平１１−１５２２９３号公報および特開平１０−２９１９９５号公報に記載の方法に従って、合成することもできる。

本発明の製造方法において、溶媒として用いる芳香族炭化水素類としては、例えば、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ノルマルプロピルベンゼン、イソプロピルベンゼン、トリメチルベンゼン、ブチルベンゼン、ｐ−シメン、テトラリン、シクロヘキシルベンゼン、ジエチルベンゼン、ジイソプロピルベンゼン、トリエチルベンゼンまたはドデシルベンゼンなどのアルキル置換芳香族炭化水素が挙げられる。また、例えば、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、テトラクロロベンゼン、ブロモベンゼン、ジブロモベンゼン、ブロモナフタレンまたはクロロナフタレンなどのハロゲン化芳香族炭化水素が挙げられる。例えば、クロロトルエン、ブロモトルエン、ジクロロトルエン、ブロモエチルベンゼン、クロロエチルベンゼンなどのハロゲン化アルキル置換芳香族炭化水素などが挙げられる。

さらに、これらの他、本発明の製造方法を阻害しなければ、如何なる芳香族炭化水素類も溶媒として用いることができる。これらのうち、沸点、極性、蒸気圧などの物性、経済性、環境負荷などの観点から、溶媒として、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ノルマルプロピルベンゼン、イソプロピルベンゼン、トリメチルベンゼン、ｐ−シメン、ジエチルベンゼン、ジイソプロピルベンゼンまたはトリエチルベンゼンなどの炭素数１〜３のアルキル置換基を１つ以上有するアルキル置換芳香族炭化水素類が好適である。

これら芳香族炭化水素類は、単独使用または複数種類を併用することができる。溶媒の使用量は、特に限定されないが、通常、出発原料のオキシ塩化りん１重量部に対して、５０重量部以下であり、好ましくは、１〜３０重量部の範囲であり、より好ましくは、２〜２０重量部の範囲である。

オキシ塩化りんとイミノトリス（ジメチルアミノ）ホスホランとのモル比は、１：６〜１：１０の範囲であり、好ましくは、１：６〜１：８の範囲である。イミノトリス（ジメチルアミノ）ホスホランのモル比が６より小さいと収率の低下が大きくなり、また、１０より大きいと、過剰分のロスが大きくなり不経済となる。

反応方法は、例えば、溶媒とオキシ塩化りんとを予め装入した反応器に、所要量のイミノトリス（ジメチルアミノ）ホスホランを、純液体または溶媒で希釈した溶液で供給する方法や、逆に、溶媒とイミノトリス（ジメチルアミノ）ホスホランとを予め装入した反応器に、所要量のオキシ塩化りんを、純液体または溶媒で希釈した溶液で供給する方法などが、適宜選択して用いられる。

この反応において、反応温度は０〜２００℃の範囲であり、好ましくは、２０〜１５０℃の範囲である。反応時間は、特に制限されないが、通常、原料の供給時間も含め２０時間以内であり、好ましくは、０．１〜１０時間の範囲である。また、この反応は、好ましくは、不活性ガス雰囲気下に実施される。

この反応によって、目的化合物であるトリス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホラニリデンアミノ］ホスフィンオキシドが良好な収率で生成し、同時に、副生塩であるアミノトリス（ジメチルアミノ）ホスホニウムクロリドが生成する。さらに、各種の副生成物も生成する。副生成物には、りん含有塩素化合物が含まれる。りん含有塩素化合物としては、例えば、反応中間体であるクロロビス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホラニリデンアミノ］ホスフィンオキシドなどが挙げられるが、このような化合物を含めて、多くの副生成物が溶媒に可溶である。そして、反応後に得られる反応液には、これら、目的化合物、副生塩および各種の副生成物が含まれる。

次に、工程（Ｂ）では、工程（Ａ）で得られた反応液中の、アミノトリス（ジメチルアミノ）ホスホニウムクロリドを含む固形分の少なくとも一部、好ましくは、実質的にすべてを除去する。

アミノトリス（ジメチルアミノ）ホスホニウムクロリドは、固形分の主成分であって、溶媒に難溶であり、その除去方法としては、濾過、遠心分離、デカンテーションなど適宜の方法を用いることができる。これらのうち、濾過による方法が好適である。具体的な濾過方法としては、重力式、真空式、加圧式、圧搾式および遠心式等に分類される種々の濾過方法および濾過装置が知られており、これらのうちから適宜選択することができる。また、濾過の際には、濾さいを適当な量の溶媒で洗浄することにより、濾さいに付着した目的化合物を回収することが好適である。

工程（Ｂ）では、このような、アミノトリス（ジメチルアミノ）ホスホニウムクロリドを主成分とする固形分の除去により、アミノトリス（ジメチルアミノ）ホスホニウムクロリドが、好ましくは実質的にすべて除去されて、トリス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホラニリデンアミノ］ホスフィンオキシド、溶媒、および、過剰分のイミノトリス（ジメチルアミノ）ホスホラン、さらに可溶性副生成物を含む溶液が得られる。

次に、工程（Ｃ１）では、工程（Ｂ）で得られた反応液に、アルカリ金属化合物および／またはアルカリ土類金属化合物を添加して、塩素を含有する副生成物と反応させ、塩素を溶媒に難溶性の無機塩素化合物に変換する。

本発明の製造方法において、アルカリ金属化合物としては、例えば、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウムなどのアルカリ金属の炭酸塩、例えば、炭酸水素リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素セシウムなどのアルカリ金属の炭酸水素塩などが挙げられる。また、アルカリ土類金属化合物としては、例えば、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸バリウムなどのアルカリ土類金属の炭酸塩、例えば、炭酸水素マグネシウム、炭酸水素カルシウム、炭酸水素バリウムなどのアルカリ土類金属の炭酸水素塩などが挙げられる。

これらのうち、入手容易性や経済性の観点から、好ましくは、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウムが挙げられ、より好ましくは、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムが挙げられる。

これらアルカリ金属化合物および／またはアルカリ土類金属化合物は、単独使用または複数種類を併用することができる。

本発明の製造方法において、アルカリ金属化合物および／またはアルカリ土類金属化合物は、本発明の製造方法に用いられる溶媒に、難溶性または不溶性であるものが多く、りん含有塩素化合物を含む塩素を含有する副生成物との反応は、固−液反応または固−固反応である場合が多くなる。このため、アルカリ金属化合物および／またはアルカリ土類金属化合物は、表面積を大きくとれる形状が好適であり、具体的には、微細顆粒状、微粉末状または薄片状が好適であり、なかでも、微粉末状が好適である。

アルカリ金属化合物および／またはアルカリ土類金属化合物の使用量は、通常、トリス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホラニリデンアミノ］ホスフィンオキシド１００重量部に対して、０．０１〜１００重量部の範囲であり、好ましくは、０．１〜２０重量部の範囲であり、より好ましくは、１〜１０重量部の範囲である。

アルカリ金属化合物および／またはアルカリ土類金属化合物と、塩素を含有する副生成物との反応において、反応温度は、通常、０〜２００℃の範囲であり、好ましくは、２０〜１５０℃の範囲であり、より好ましくは、３０〜１００℃の範囲である。初期はより低温で末期はより高温にするなど、多段階に温度を設定することもできる。

反応時間は、反応温度や他の因子により一様ではないが、通常は、０．１〜１００時間の範囲であり、好ましくは、０．２〜５０時間の範囲であり、より好ましくは、０．５〜５時間の範囲である。また、この反応は、好ましくは、不活性ガス雰囲気下に実施される。

このような、アルカリ金属化合物および／またはアルカリ土類金属化合物と、塩素を含有する副生成物との反応により、塩素分が溶媒に難溶性の無機塩素化合物に変換されて、その無機塩素化合物が、反応液中に固形分として含まれる。また、反応液中には、添加したアルカリ金属化合物および／またはアルカリ土類金属化合物の少なくとも一部が、そのまま固形分として残留する。

次に、工程（Ｄ１）では、工程（Ｃ１）で得られた反応液中の、無機塩素化合物を含む固形分の少なくとも一部、好ましくは、実質的にすべてを除去する。

固形分の除去方法としては、濾過、遠心分離、デカンテーションなど適宜の方法を用いることができる。これらのうち、濾過による方法が好適である。具体的な濾過方法としては、重力式、真空式、加圧式、圧搾式および遠心式等に分類される種々の濾過方法および濾過装置が知られており、これらのうちから適宜選択することができる。また、濾過の際には、濾さいを適当な量の溶媒で洗浄することにより、濾さいに付着した目的化合物を回収することが好適である。

工程（Ｄ１）では、このような、無機塩素化合物やアルカリ金属化合物および／またはアルカリ土類金属化合物を含む固形分の除去により、トリス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホラニリデンアミノ］ホスフィンオキシド、溶媒、および、過剰分のイミノトリス（ジメチルアミノ）ホスホランを含む溶液が得られる。

このようにして得られたトリス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホラニリデンアミノ］ホスフィンオキシドを含む溶液は、工程（Ｃ１）を実施しない場合に比べて、塩素含有量が大きく低減されており、非常に高純度でトリス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホラニリデンアミノ］ホスフィンオキシドを含んでいる。

この溶液は、そのままでも溶媒の一部を除去した溶液としても用いることができ、また必要に応じて過剰分のイミノトリス（ジメチルアミノ）ホスホランと溶媒とを除去し、濃縮乾固して、トリス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホラニリデンアミノ］ホスフィンオキシドを固体として取り出すこともできる。

さらに高純度のトリス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホラニリデンアミノ］ホスフィンオキシドが必要であれば、特許文献２に記載されたような方法を適宜用いて、さらに精製することもできる。

本発明の製造方法において、上記の説明では、工程（Ｂ）において、まず、反応液中のアミノトリス（ジメチルアミノ）ホスホニウムクロリドを含む固形分を除去し、次いで、工程（Ｄ１）において、反応液中の無機塩素化合物を含む固形分を除去、つまり、固形分を２度に分けて除去したが、本発明の製造方法は、固形分を１度に除去する方法をも含んでいる。

すなわち、後者の方法は、工程（Ａ）において、トリス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホラニリデンアミノ］ホスフィンオキシドと、アミノトリス（ジメチルアミノ）ホスホニウムクロリドとを含む反応液を得た後、工程（Ｂ）を省略し、次いで、工程（Ｃ２）において、上記反応液に、アルカリ金属化合物および／またはアルカリ土類金属化合物を添加して、塩素分を溶媒に難溶性の無機塩素化合物に変換した後、工程（Ｄ２）において、反応液中の、アミノトリス（ジメチルアミノ）ホスホニウムクロリドおよび無機塩素化合物を含む固形分を同時に除去する。

後者の方法で得られたトリス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホラニリデンアミノ］ホスフィンオキシドを含む溶液も、工程（Ｃ２）を実施しない場合に比べて、塩素含有量が大きく低減されており、非常に高純度でトリス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホラニリデンアミノ］ホスフィンオキシドを含んでいる。

その結果、本発明のトリス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホラニリデンアミノ］ホスフィンオキシドの製造方法（前者の方法および後者の方法を含む。）によれば、高純度のトリス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホラニリデンアミノ］ホスフィンオキシドを、非常に簡便で効果的に、かつ、工業的に有利に製造することができる。

以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。なお、実施例は本発明を具体的に説明したものであって、本発明は実施例に何ら限定されるものではない。

実施例１
窒素雰囲気下で、２Ｌのガラス製反応器に、イミノトリス（ジメチルアミノ）ホスホラン３８２．１ｇ（純度９７．０％、２．０７９ｍｏｌ）とイソプロピルベンゼン５０３．４ｇを仕込んだ。この溶液を緩やかに攪拌しながら加熱して７０℃に保ち、これにオキシ塩化りん４６．０ｇ（純度９９．０％、０．２９７ｍｏｌ）をイソプロピルベンゼン１８４．０ｇと混合した溶液を６０分かけて滴下した。反応は、温度を７０℃に保持するように冷却しながら実施した。滴下終了後、同温度でさらに５時間攪拌した。反応液は白色のスラリー状となった（工程（Ａ））。

次に、反応液を５℃まで冷却した後、硬質濾紙を敷いた桐山ロートを用いて，得られたスラリー状反応液を減圧濾過し、濾過ケーキをイソプロピルベンゼン２７８．２ｇを用いて洗浄し、濾洗液１１５９．８ｇを得た。この濾洗液を分析したところ、目的化合物であるトリス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホラニリデンアミノ］ホスフィンオキシドの濃度は１２．４重量％であり、塩素分は３９６重量ｐｐｍであった（工程（Ｂ））。

この濾洗液１８２．４ｇを３００ｍｌのガラス製反応器に入れ、微粉末状の炭酸カリウム１．８３ｇ（目的化合物１００重量部に対して８．１重量部に相当）を添加し、窒素雰囲気下、７０℃で３時間攪拌した（工程（Ｃ１））。

この反応液を２０℃まで冷却した後、硬質濾紙を敷いた桐山ロートを用いて減圧濾過し、濾過ケーキをイソプロピルベンゼン４７．０ｇを用いて洗浄し、濾洗液２２７．０ｇを得た。この濾洗液を分析したところ、塩素分は３２重量ｐｐｍであった。この処理による塩素分の除去率は８９．９％であった（工程（Ｄ１））。

実施例２
実施例１で合成した炭酸カリウム添加前の濾洗液（目的化合物濃度が１２．４重量％であり、塩素分が３９６重量ｐｐｍであるもの）１８２．２ｇを３００ｍｌのガラス製反応器に入れ、微粉末状の炭酸カリウム０．４６ｇ（目的化合物１００重量部に対して２．０重量部に相当）を添加し、窒素雰囲気下、７０℃で３時間攪拌した（工程（Ｃ１））。

この反応液を２０℃まで冷却した後、硬質濾紙を敷いた桐山ロートを用いて減圧濾過し、濾過ケーキをイソプロピルベンゼン５２．０ｇを用いて洗浄し、濾洗液２３３．１ｇを得た。この濾洗液を分析したところ、塩素分は６３重量ｐｐｍであった。この処理による塩素分の除去率は７９．６％であった（工程（Ｄ１））。

実施例３
窒素雰囲気下で、１Ｌのガラス製反応器に、イミノトリス（ジメチルアミノ）ホスホラン１９１．０ｇ（純度９７．０％、１．０４０ｍｏｌ）とイソプロピルベンゼン２５１．７ｇを仕込んだ。この溶液を緩やかに攪拌しながら加熱して７０℃に保ち、これにオキシ塩化りん２３．０ｇ（純度９９．０％、０．１４９ｍｏｌ）をイソプロピルベンゼン９２．０ｇと混合した溶液を６０分かけて滴下した。反応は、温度を７０℃に保持するように冷却しながら実施した。滴下終了後、同温度でさらに５時間攪拌した。反応液は白色のスラリー状となった（工程（Ａ））。

次に、微粉末状の炭酸カリウム５．５８ｇ（目的化合物の理論収量１００重量部に対して６．５重量部に相当）を添加し、７０℃のままさらに３時間攪拌した（工程（Ｃ２））。

この反応液を２０℃まで冷却した後、硬質濾紙を敷いた桐山ロートを用いて減圧濾過し、濾過ケーキをイソプロピルベンゼン１４２．０ｇを用いて洗浄し、濾洗液５８７．３ｇを得た。この濾洗液を分析したところ、目的化合物のトリス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホラニリデンアミノ］ホスフィンオキシドの濃度は１２．２重量％であり、塩素分は１８６重量ｐｐｍであった（工程（Ｄ２））。

比較例１
実施例１で合成した炭酸カリウム添加前の濾洗液（目的化合物濃度が１２．４重量％であり、塩素分が３９６重量ｐｐｍであるもの）１８２．５ｇを３００ｍｌのガラス製反応器に入れ、炭酸カリウムを添加せずに、窒素雰囲気下、７０℃で３時間攪拌した。

この反応液を２０℃まで冷却した後、硬質濾紙を敷いた桐山ロートを用いて減圧濾過し、濾液１８２．１ｇを得た。この濾液を分析したところ、塩素分は３６８重量ｐｐｍであり、塩素分の除去率は７．１％であった。

Claims

次の各工程を備えていることを特徴とする、トリス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホラニリデンアミノ］ホスフィンオキシドの製造方法。
工程（Ａ）：溶媒としての芳香族炭化水素類の存在下、イミノトリス（ジメチルアミノ）ホスホランとオキシ塩化りんとを反応させて、トリス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホラニリデンアミノ］ホスフィンオキシドと、アミノトリス（ジメチルアミノ）ホスホニウムクロリドとを含む反応液を得る工程、
工程（Ｂ）：前記工程（Ａ）で得られた反応液中の、アミノトリス（ジメチルアミノ）ホスホニウムクロリドを含む固形分を除去する工程、
工程（Ｃ１）：前記工程（Ｂ）で得られた反応液に、アルカリ金属化合物および／またはアルカリ土類金属化合物を添加して、塩素を含有する副生成物と反応させ、塩素を前記溶媒に難溶性の無機塩素化合物に変換する工程、および
工程（Ｄ１）：前記工程（Ｃ１）で得られた反応液中の、無機塩素化合物を含む固形分を除去する工程
次の各工程を備えていることを特徴とする、トリス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホラニリデンアミノ］ホスフィンオキシドの製造方法。
工程（Ａ）：溶媒としての芳香族炭化水素類の存在下、イミノトリス（ジメチルアミノ）ホスホランとオキシ塩化りんとを反応させて、トリス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホラニリデンアミノ］ホスフィンオキシドと、アミノトリス（ジメチルアミノ）ホスホニウムクロリドとを含む反応液を得る工程、
工程（Ｃ２）：前記工程（Ａ）で得られた反応液に、アルカリ金属化合物および／またはアルカリ土類金属化合物を添加して、塩素を含有する副生成物と反応させ、塩素を前記溶媒に難溶性の無機塩素化合物に変換する工程、および
工程（Ｄ２）：前記工程（Ｃ２）で得られた反応液中の、アミノトリス（ジメチルアミノ）ホスホニウムクロリドおよび無機塩素化合物を含む固形分を除去する工程
アルカリ金属化合物および／またはアルカリ土類金属化合物が、アルカリ金属の炭酸塩または炭酸水素塩および／またはアルカリ土類金属の炭酸塩または炭酸水素塩であることを特徴とする、請求項１または２に記載のトリス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホラニリデンアミノ］ホスフィンオキシドの製造方法。
アルカリ金属化合物および／またはアルカリ土類金属化合物の添加量が、トリス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホラニリデンアミノ］ホスフィンオキシド１００重量部に対して、０．１〜１０重量部の範囲であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載のトリス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホラニリデンアミノ］ホスフィンオキシドの製造方法。
前記芳香族炭化水素類が、炭素数１〜３のアルキル置換基を１つ以上有するアルキル置換芳香族炭化水素類であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載のトリス［トリス（ジメチルアミノ）ホスホラニリデンアミノ］ホスフィンオキシドの製造方法。