JP4446720B2 - 半導体記憶装置の読出回路 - Google Patents
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Description
図1は、この発明の実施の形態1によるSRAMの全体構成を示すブロック図である。図1において、このSRAMは、行列状に配列された複数(図面および説明の簡単化のため2行2列の4つとする)のメモリセル(MC)1と、各行に対応して設けられたワード線WLと、各列に対応して設けられたビット線対BL,/BLとを備える。各メモリセル1は、対応のワード線WLと対応のビット線対BL,/BLに接続され、データ信号を記憶する。
この場合、CMOSインバータの出力信号が「H」レベルから「L」レベルに切換わる時の動作特性と、「L」レベルから「H」レベルに切換わる時の動作特性は同じになる。
また、NチャネルMOSトランジスタ25は、ラッチ型センスアンプの活性化/非活性化を切換えるスイッチ素子として機能するため、一般に低抵抗のトランジスタである。このため、NチャネルMOSトランジスタ25のオン抵抗値をRN25とした場合、RN25はRN21,RN22よりも十分に小さくなる。したがって、以下の数式(3)(4)が成立する。
< RN23/(RN23+RP13) ・・・(3)
(2×RN25+RN22)/(2×RN25+RN22+RP12)
< RN24/(RN24+RP14) ・・・(4)
RN25はRN21,RN22よりも十分に小さいため、RN25を0とみなして数式(1)(2)を用いると、数式(3)(4)の左辺はともに1/3になり、右辺はともに1/2になる。これにより、数式(3)(4)で示される大小関係が成立することがわかる。ここで、2×RN25としているのは、NチャネルMOSトランジスタ25には、PチャネルMOSトランジスタ11およびNチャネルMOSトランジスタ21で構成されるCMOSインバータと、PチャネルMOSトランジスタ12およびNチャネルMOSトランジスタ22で構成されるCMOSインバータの両方からほぼ同じ大きさの電流が流れるためである。
図6は、この発明の実施の形態2による読出回路40の要部の構成を示す回路図であって、図2と対比される図である。図6の読出回路40を参照して、図2の読出回路9と異なる点は、PチャネルMOSトランジスタ11〜14がPチャネルMOSトランジスタ41〜44で置換され、NチャネルMOSトランジスタ21〜27がNチャネルMOSトランジスタ51〜57で置換され、NチャネルMOSトランジスタ28,29およびインバータ31,32が削除されている点である。ここで、PチャネルMOSトランジスタ41〜44のオン抵抗値をRP41〜RP44とし、NチャネルMOSトランジスタ51〜55のオン抵抗値をRN51〜RN55とする。
> RN53/(RN53+RP43) ・・・(5)
(2×RN55+RN52)/(2×RN55+RN52+RP42)
> RN54/(RN54+RP44) ・・・(6)
これは、数式(3)(4)に対して、以下の数式(7)〜(10)のうちのいずれか、または複数の数式が成立するように、RP41〜44およびRN51〜54を予め設定すればよい。
RN51>RN21,RN52>RN22 ・・・(8)
RP43>RP13,RP44>RP14 ・・・(9)
RN53<RN23,RN54<RN24 ・・・(10)
なお、各トランジスタのオン抵抗値は、各々のゲート長のゲート幅に対する比によって定められる。すなわち、(オン抵抗値)∝(ゲート長/ゲート幅)の比例関係式が成立する。たとえば、各トランジスタのゲート長が等しい場合、各々のトランジスタのオン抵抗値はゲート幅によって決定される。PチャネルMOSトランジスタ41〜44の各々の(ゲート長/ゲート幅)をRa41〜44とし、NチャネルMOSトランジスタ51〜55の各々の(ゲート長/ゲート幅)をRa51〜55とすると、数式(5)(6)に代わって以下の数式(11)(12)が成立する。
> Ra53/(Ra53+Ra43) ・・・(11)
(2×Ra55+Ra52)/(2×Ra55+Ra52+Ra42)
> Ra54/(Ra54+Ra44) ・・・(12)
図7は、図6に示した読出回路40の動作を説明するためのタイムチャートである。図7において、メモリセルからデータ“0”を読出す際、ラッチ型センスアンプが活性化される時刻t32における入出力データ線対IO,/IOの微小電位差が20mV以下である場合を示す。
Claims (3)
- 複数のメモリセルのうちの選択されたメモリセルの記憶データを第1および第2の入出力データ線を介して読出し、第1および第2の読出データ線へ出力する半導体記憶装置の読出回路であって、
活性化信号に応答して活性化され、前記選択されたメモリセルの記憶データに応じて前記第1および第2の入出力データ線間に生じた電位差を増幅して前記第1および第2の読出データ線へ出力するセンスアンプ、
前記活性化信号を所定の時間だけ遅延させる遅延回路、および
前記遅延回路の出力信号に応答して活性化され、前記第1および第2の入出力データ線間の電位差に応じたデータ信号を前記第1および第2の読出データ線へ出力する出力回路を備え、
前記センスアンプは、
その入力ノードが前記第1の入出力データ線に接続され、その出力ノードが前記第2の入出力データ線に接続された第1のインバータ、および
その入力ノードが前記第2の入出力データ線に接続され、その出力ノードが前記第1の入出力データ線に接続された第2のインバータ、
前記活性化信号に応答して、前記第1および第2のインバータに電源電圧を与える第1のトランジスタを含み、
前記出力回路は、
それらの入力ノードがそれぞれ前記第2および第1の入出力データ線に接続された第3および第4のインバータ、
それらのゲートがそれぞれ前記第3および第4のインバータの出力ノードに接続され、それらの一方導通電極が前記第2の読出データ線および前記第1の読出データ線にそれぞれ接続された第2および第3のトランジスタ、および
前記遅延回路の出力信号に応答して、前記第2のトランジスタの他方導通電極を基準電位のラインと接続するとともに、前記第3のトランジスタの他方導通電極を前記基準電位のラインと接続する切換回路を含む、半導体記憶装置の読出回路。 - 複数のメモリセルのうちの選択されたメモリセルの記憶データを第1および第2の入出力データ線を介して読出し、第1および第2の読出データ線へ出力する半導体記憶装置の読出回路であって、
活性化信号に応答して活性化され、前記選択されたメモリセルの記憶データに応じて前記第1および第2の入出力データ線間に生じた電位差を増幅して前記第1および第2の読出データ線へ出力するセンスアンプ、および
前記第1および第2の入出力データ線間の電位差に応じたデータ信号を前記第1および第2の読出データ線へ出力する出力回路を備え、
前記センスアンプは、
各々のソースがともに電源電位のラインに接続され、それらのゲートがそれぞれ前記第1および第2の入出力データ線に接続され、それらのドレインがそれぞれ前記第2および第1の入出力データ線に接続された第1の導電形式の第1および第2のトランジスタ、
それらのゲートがそれぞれ前記第1および第2の入出力データ線に接続され、それらのドレインがそれぞれ前記第2および第1の入出力データ線に接続され、それらのソースが互いに接続された第2の導電形式の第3および第4のトランジスタ、および
前記第3および第4のトランジスタのソースと基準電位のラインとの間に接続され、前記活性化信号に応答して導通する第2の導電形式の第5のトランジスタを含み、
前記出力回路は、
前記電源電位のラインと前記基準電位のラインとの間に直列接続され、各々のゲートがともに前記第2の入出力データ線に接続された第1の導電形式の第6のトランジスタおよび前記第2の導電形式の第7のトランジスタ、
前記電源電位のラインと前記基準電位のラインとの間に直列接続され、各々のゲートがともに前記第1の入出力データ線に接続された第1の導電形式の第8のトランジスタおよび前記第2の導電形式の第9のトランジスタ、
前記第2の読出データ線と前記基準電位のラインとの間に接続され、そのゲートが前記第6および第7のトランジスタの間の出力ノードに接続された前記第2の導電形式の第10のトランジスタ、および
前記第1の読出データ線と前記基準電位のラインとの間に接続され、そのゲートが前記第8および第9のトランジスタの間の出力ノードに接続された前記第2の導電形式の第11のトランジスタを含み、
前記第1から第9までのトランジスタのオン抵抗値をそれぞれR1〜R9とした場合、
(2×R5+R3)/(2×R5+R3+R1)>R7/(R7+R6)、および
(2×R5+R4)/(2×R5+R4+R2)>R9/(R9+R8)の関係式が成立する、半導体記憶装置の読出回路。 - 複数のメモリセルのうちの選択されたメモリセルの記憶データを第1および第2の入出力データ線を介して読出し、第1および第2の読出データ線へ出力する半導体記憶装置の読出回路であって、
活性化信号に応答して活性化され、前記選択されたメモリセルの記憶データに応じて前記第1および第2の入出力データ線間に生じた電位差を増幅して前記第1および第2の読出データ線へ出力するセンスアンプ、および
前記第1および第2の入出力データ線間の電位差に応じたデータ信号を前記第1および第2の読出データ線へ出力する出力回路を備え、
前記センスアンプは、
各々のソースがともに電源電位のラインに接続され、それらのゲートがそれぞれ前記第1および第2の入出力データ線に接続され、それらのドレインがそれぞれ前記第2および第1の入出力データ線に接続された第1の導電形式の第1および第2のトランジスタ、
それらのゲートがそれぞれ前記第1および第2の入出力データ線に接続され、それらのドレインがそれぞれ前記第2および第1の入出力データ線に接続され、それらのソースが互いに接続された第2の導電形式の第3および第4のトランジスタ、および
前記第3および第4のトランジスタのソースと基準電位のラインとの間に接続され、前記活性化信号に応答して導通する第2の導電形式の第5のトランジスタを含み、
前記出力回路は、
前記電源電位のラインと前記基準電位のラインとの間に直列接続され、各々のゲートがともに前記第2の入出力データ線に接続された第1の導電形式の第6のトランジスタおよび前記第2の導電形式の第7のトランジスタ、
前記電源電位のラインと前記基準電位のラインとの間に直列接続され、各々のゲートがともに前記第1の入出力データ線に接続された第1の導電形式の第8のトランジスタおよび前記第2の導電形式の第9のトランジスタ、
前記第2の読出データ線と前記基準電位のラインとの間に接続され、そのゲートが前記第6および第7のトランジスタの間の出力ノードに接続された前記第2の導電形式の第10のトランジスタ、および
前記第1の読出データ線と前記基準電位のラインとの間に接続され、そのゲートが前記第8および第9のトランジスタの間の出力ノードに接続された前記第2の導電形式の第11のトランジスタを含み、
前記第1から第9までのトランジスタにおけるゲート長は等しく、
前記第1から第9までのトランジスタにおけるゲート長のゲート幅に対する比をそれぞれRa1〜Ra9とした場合、
(2×Ra5+Ra3)/(2×Ra5+Ra3+Ra1)>Ra7/(Ra7+Ra6)、および
(2×Ra5+Ra4)/(2×Ra5+Ra4+Ra2)>Ra9/(Ra9+Ra8)の関係式が成立する、半導体記憶装置の読出回路。
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