JP4445841B2 - 光学素子の成形装置 - Google Patents

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本発明は、加熱軟化させた光学素子素材を一対の成形型によってプレス成形する光学素子の成形装置に関し、特に、成形型に接触する不活性ガスの温度分布を是正することにより熱効率の向上を図り、成形型の温度を迅速に均一化することができるとともに、プレス成形の省エネルギー化を図ることができる光学素子の成形装置に関する。
近年、レンズ等の光学素子を高精度かつ安価に製造する成形装置として、例えば、特開平8−259240号(特許文献1)で開示されているようなものが提案されている。該光学素子の成形装置は、上下金型とスリーブ及び光学素子素材からなる型セット(成形型)を、複数個同時に加熱炉である成形室内に投入し、該型セットを、前記光学素子素材が変形可能な温度まで加熱する加熱ステージ、加圧変形させて上下金型の光学有効面を転写するプレスステージ、転写を保ちながらガラス転移点以下まで冷却させる冷却ステージへと順次搬送させて、光学素子を成形する構成となっていた。
また、このような従来の光学素子の成形装置では、各ステージを構成する上下ヒータブロックの表面に、WCを主成分とする超硬合金からなる均熱手段を設けるとともに、各型セットの大きさ(熱容量)を変えることにより、複数個の型セットに必要な成形温度制御を短時間で遂行し、異なる光学面形状の光学素子を複数個同時に成形可能としている。
特開平8−259240号公報
ところが、上述した従来の光学素子の成形装置では、各型セットの上下ヒータブロックと接触しない外周面から熱が不均一に奪われてしまい、実際に各型セットを短時間で均熱化することが困難であるという問題があった。
すなわち、一般に、型セットの酸化防止等を図るために、加熱炉である成形室内に窒素ガス等不活性ガスを循環させて、該成形室内に元々存在していた酸素と置換しているが、該不活性ガスに温度分布があるために、これに曝された型セットの温度も不均一となってしまう。また、上下ヒータブロックにより加熱した型セットの温度が、不活性ガスにより奪われてしまうので熱効率が悪いという問題もあった。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、成形型に接触する不活性ガスの温度分布を是正することにより熱効率の向上を図り、成形型の温度を迅速に均一化することができるとともに、プレス成形の省エネルギー化を図ることができる光学素子の成形装置の提供を目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の光学素子の成形装置は、成形室内で加熱軟化させた光学素子素材を一対の成形型によってプレス成形する光学素子の成形装置において、前記成形型を加熱又は冷却するための昇降自在な上プレス板に、前記成形型の外周面を覆う略筒状の保護ブロックを取り付け、該保護ブロック内面と前記成形型外周面との隙間に前記成形室内の不活性ガスを流入させ、前記保護ブロックの上部に不活性ガス置換用孔を設ける構成としてある。
好ましくは、前記不活性ガス置換用孔と、前記保護ブロック下端と前記成形型が載置された下プレス板上面との隙間とをほぼ同じ開口面積となるように設定した構成、又は、前記保護ブロック内面と前記成形型の外周面との隙間量と、前記保護ブロック下端と前記成形型が載置された下プレス板上面との隙間量とをほぼ同じに設定した構成とする。
好ましくは、前記保護ブロックを、加熱ステージ、プレスステージ、冷却ステージの少なくともいずれか一つを形成する前記上プレス板に取り付けた構成とする。より好ましくは、前記保護ブロックを上プレス板と一体化するとともに、該保護ブロックに温度センサを設け、前記上プレス板の温度制御を行う構成とする。
本発明の光学素子の成形装置によれば、保護ブロック内の酸素を不活性ガスに置換して上プレス板により均一に加熱することにより、成形型に接触する不活性ガスの温度分布を是正することができ、これにより保護ブロック内の熱効率の向上を図り、成形型の温度を迅速に均一化することができるとともに、プレス成形の省エネルギー化を図ることができる。
以下、本発明の実施形態に係る光学素子の成形装置について、図面を参照しつつ説明する。図1は本発明の第1実施形態に係る光学素子の成形装置を示す概略図である。図2は上記光学素子の成形装置の主要部を示す部分拡大図である。
図1において、1は、本発明の第1実施形態に係る光学素子の成形装置であり、筐体10によって閉鎖された成形室11内に型セット20を搬送し、加熱ステージS1,プレスステージS2,冷却ステージS3を経て、図示しないレンズ等の光学素子のプレス成形を行う構成としてある。また、型セット20は、略円柱状の上型21及び下型22と、略円筒状のスリーブ23と、略球状の光学素子素材(例えば、ボール研磨硝材)2とからなっている。
筐体10の搬入口と搬出口は、それぞれ搬入用シャッター12と搬出用シャッター13により閉鎖してあり、成形室11内の酸素濃度が50ppm以下となるように窒素ガス等の不活性ガスで置換している。また、筐体10の搬入側と搬出側には、それぞれ搬送台14,14が固定してあり、これら搬送台14,14は、成形室11内の各ステージS1〜S3と面一になっている。なお、図示しないが、筐体10の搬出側の搬送台14の内部には冷却水を循環させている。
加熱ステージS1,プレスステージS2,冷却ステージS3には、それぞれ上下一対の上ヒータブロック31,32,33と下ヒータブロック41,42,43が配設してあり、各上ヒータブロック31,32,33には上プレス板31a,32a,33aが取り付けてあり、各下ヒータブロック41,42,43には下プレス板41a,42a,43aが取り付けてある。
各上ヒータブロック31,32,33には、筐体10の天壁を貫通する各プレス軸51a,52a,53aに連結してあり、これらプレス軸51a,52a,53aは、駆動源である各エアーシリンダ51,52,53の図示しないピストンにより進退させられる。なお、各プレス軸51a,52a,53aは図示しない直進ガイドに固定してある。
ここで、図2に示すように、加熱ステージS1を形成する上ヒータブロック31の上プレス板31aには、型セット20の外周面を覆う略筒状の保護ブロック60が取り付けてある。該保護ブロック60は、円筒状のブロック本体61の上端に円環状のフランジ部62を一体成形した構成としてある。
保護ブロック60内の酸素を、成形室11(図1参照)内を循環する窒素ガス等の不活性ガスと置換するために、保護ブロック60下端と型セット20が載置された下プレス板41a上面との隙間A(以下、単に隙間A又は隙間量Aという)を形成するとともに、保護ブロック60内面と型セット20の外周面との隙間B(以下、単に隙間B又は隙間量Bという)を形成してある。
このような保護ブロック60は、耐熱性を有する素材によって形成してあり、好ましくは、熱容量、熱伝導率の低いステンレス、ニッケルアルミ合金又はセラミック等により形成する。
また、保護ブロック60のブロック本体61には、放射状に複数の不活性ガス置換用孔61aが穿設してある。該不活性ガス置換用孔61aは、型セット20を構成する上型21と上プレス板31aとの間における気体の淀みを防止して、酸素を流出しやすくするために、ブロック本体61の上部に位置させてある。
さらに、隙間量A及び隙間量Bを、保護ブロック60内の酸素濃度が50ppm以下となるように設定してある。このように保護ブロック60内の酸素濃度を50ppm以下にするのは、型セット20を構成する上型21,下型22及びスリーブ23にコーティングした成形膜を酸化させないためである。
保護ブロック60内の酸素濃度を50ppm以下にする具体的手段として、保護ブロック60の不活性ガス置換用孔61aと隙間Aとをほぼ同じ開口面積となるように設定してある。これにより、隙間Aから保護ブロック60内に不活性ガスが流入しやすくなるとともに、不活性ガス置換用孔61aから保護ブロック60内の酸素が流出しやすくなり、置換効率が向上する。
また、隙間量Aと隙間量Bとをほぼ同じに設定してある。これら隙間量Aと隙間量Bとが異なると、保護ブロック60内を流れる不活性ガスの流速、圧力が部分的に異なってしまうため、不活性ガスの置換効率と熱効率が低下してしまう。
さらに、隙間量Aを1mm以上としてある。隙間量Aを1mm未満とすると、不活性ガスの保護ブロック60内への流入速度が下がってしまい、置換効率及び熱効率が低下してしまう。また、上述した型セット20を構成する上型21と上プレス板31aとの間における気体の淀みが生じやすくなってしまう。
これに加え、隙間量A及び隙間量Bを10mm未満としてある。隙間量Aを10mm以上とすると、保護ブロック60内に流入する不活性ガスの体積が増大して熱効率が低下してしまう。一方、隙間量Bを10mm以上とすると、保護ブロック60からの輻射熱が減少してしまい、熱効率が低下してしまう。
なお、各上プレス板31a,32a,33a、及び各下プレス板41a,42a,43aにはそれぞれ図示しない温度センサが設けてあり、同じく図示しない制御回路によって独立に温度制御している。
次に、上記構成からなる成型装置1を用いた本実施形態に係る光学素子の成形方法について説明する。
[加熱工程]
図1において、酸素濃度が50ppm以下となるように成形室11内を不活性ガスで置換し、該成形室11内の加熱ステージS1を構成する下ヒータブロック41の下プレス板41a上に、型セット20を図示しない搬送アームにより搬送する。そして、エアーシリンダ51で上ヒータブロック31を下降させ、図2に示すように、上プレス板31aに取り付けた保護ブロック60により型セット20の外周面を覆う。
すると、成形室11内の不活性ガスが隙間Aから隙間Bを通って保護ブロック60内に流入するとともに、該保護ブロック60内の酸素が不活性ガス置換用孔61aから流出して置換が行われる。その後、上プレス板31a及び保護ブロック60の輻射熱により、保護ブロック60内の不活性ガス及び型セット20が加熱されるとともに、下プレス板42aの熱伝導により、型セット20がさらに加熱される。
ここで、本実施形態では、光学素子素材2として、低融点光学ガラス(ガラス転移点Tg:510℃)からなるφ4.64mmのボール研磨硝材を使用しており、加熱ステージS1では、上下プレス板31a,41aの加熱温度を光学素子素材2のガラス転移点Tg:510℃以上に設定してある。このような加熱温度で型セット20を100秒間加熱して温度を安定させる。
[プレス工程]
上記加熱ステージS1で型セット20の温度が安定した後、該型セット20をプレスステージS2に搬送する。なお、成形室11内での型セット20の搬送は、図示しない櫛歯状の搬送装置によって行っている。該プレスステージS2で型セット20の温度が安定した後(40秒)、光学素子素材2のプレス成形を行う。該プレスステージS2では、上下プレス板32a,42aを光学素子素材2の屈伏点At:540℃以上に設定してあり、エアーシリンダ52で上ヒータブロック32を下降させ、上下プレス板32a,42aによって型セット20を加熱しながら、成形圧力120Kgfで60秒間プレスする。
[冷却工程]
上記プレスステージS2におけるプレス成形後、冷却ステージS3に型セット20を搬送する。冷却ステージS3では、上下プレス板33a,43aを光学素子材料2のガラス転移点Tg:510℃以下に設定してあり、エアーシリンダ53で上ヒータブロック33を下降させ、上下プレス板33a,43aによって型セット20を100秒間、50Kgfの力で加圧し、該型セット20の温度を安定させる。
次いで、型セット20を成形室11内における搬送台14上に搬送して100秒間放置して150℃以下に冷却する。その後、該型セット20を成形室11外における搬送台14に搬出する。
上述した本発明の第1実施形態に係る光学素子の成形装置によれば、保護ブロック60内の酸素を不活性ガスに置換して上プレス板31aにより均一に加熱することにより、型セット20に接触する不活性ガスの温度分布を是正することができ、これにより保護ブロック60内の熱効率の向上を図り、型セット20の温度を迅速に均一化することができるとともに、プレス成形の省エネルギー化を図ることができる。
加熱ステージS1において、ヒータ出力を一定にして保護ブロック60の有無で設定温度まで加熱するのに要する時間を20秒短縮することができ、型セット20の熱容積が大きい場合でも、サイクルタイムを延ばしたり、加熱ステージS1を増やしたりする必要がなく、コスト削減の効果がある。
次に本発明の第2実施実施に係る光学素子の成形装置について、図3を参照しつつ説明する。図3は本発明の第2実施実施に係る光学素子の成形装置の主要部を示す部分拡大図である。なお、上述した第1実施形態に係る光学素子の成形装置と同一箇所については、同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
同図において、本実施形態に係る光学素子の成形装置では、保護ブロック71を上プレス板72と一体化し、該保護ブロック71に温度センサ73を埋設し、上プレス板72の温度制御を行う構成としてある。
このような構成によれば、保護ブロック71と上プレス板72とを一体化したことにより、上プレス板72から保護ブロック71への熱伝導が良好となる。したがって、該保護ブロック71の温度を上プレス板72の温度とみなすことができる。そして、型セット20により近接した該保護ブロック71の温度を温度センサ73により検出し、該検出結果に基づいて、上プレス板72をより精度良く温度制御することができる。
次に、本発明の第3実施形態に係る光学素子の成形装置について、図4を参照しつつ説明する。図4は本発明の第3実施形態に係る光学素子の成形装置の主要部を示す斜視図である。
同図において、本実施形態に係る光学素子の成形装置では、二つの円筒状の保護ブロック81A,81Bを、上プレス板82と一体化した構成としてある。このような構成によれば、二つの型セット20を同時に加熱ステージS1の下プレス板41a(図1参照)上に搬送し、同時に均一温度に加熱することができ、生産効率の向上を図ることができる。
なお、本発明の光学素子の成形装置は、上述した第1〜第3実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、保護ブロック60,71,81A及び81Bを加熱ステージS1に設けた構成としたが、これに限定されるものではなく、間隔A(図2参照)を確保すれば、保護ブロック60,71,81A及び81BをプレスステージS2、冷却ステージS3に設けることもできる。また、光学素子素材2は、ガラス素材に限定されるものではなく、光学プラスチック等の樹脂素材を用いることも可能である。
本発明の第1実施形態に係る光学素子の成形装置を示す概略図である。 上記光学素子の成形装置の主要部を示す部分拡大図である。 本発明の第2実施実施に係る光学素子の成形装置の主要部を示す部分拡大図である。 本発明の第3実施形態に係る光学素子の成形装置の主要部を示す斜視図である。
符号の説明
1 成形装置
2 光学素子素材
10 筐体
11 成形室
12 搬入シャッター
13 搬出シャッター
14 搬送台
20 型セット
21 上型
22 下型
23 スリーブ
31,32,33 上ヒータブロック
31a,32a,33a 上プレス板
41,42,43 下ヒータブロック
41a,42a,43a 下プレス板
51,52,53 エアーシリンダ
51a,52b,53c プレス軸
60 保護ブロック
61 ブロック本体
61a 不活性ガス置換用孔
62 フランジ部
71 保護ブロック
71a 不活性ガス置換用孔
72 上プレス板
73 温度センサ
81A,81B 保護ブロック
82 上プレス板
S1 加熱ステージ
S2 プレスステージ
S3 冷却ステージ


Claims (5)

  1. 成形室内で加熱軟化させた光学素子素材を一対の成形型によってプレス成形する光学素子の成形装置において、
    前記成形型を加熱又は冷却するための昇降自在な上プレス板に、前記成形型の外周面を覆う略筒状の保護ブロックを取り付け、該保護ブロック内面と前記成形型外周面との隙間に前記成形室内の不活性ガスを流入させ
    前記保護ブロックの上部に不活性ガス置換用孔を設けることを特徴とする、光学素子の成形装置。
  2. 請求項1記載の光学素子の成形装置において、
    前記不活性ガス置換用孔と、前記保護ブロック下端と前記成形型が載置された下プレス板上面との隙間とをほぼ同じ開口面積となるように設定したことを特徴とする、光学素子の成形装置。
  3. 請求項1又は2記載の光学素子の成形装置において、
    前記保護ブロック内面と前記成形型の外周面との隙間量と、前記保護ブロック下端と前記成形型が載置された下プレス板上面との隙間量とをほぼ同じに設定したことを特徴とする、光学素子の成形装置。
  4. 請求項1〜3いずれか記載の光学素子の成形装置において、
    前記保護ブロックを、加熱ステージ、プレスステージ、冷却ステージの少なくともいずれか一つを形成する前記上プレス板に取り付けたことを特徴とする、光学素子の成形装置。
  5. 請求項1〜4いずれか記載の光学素子の成形装置において、
    前記保護ブロックを上プレス板と一体化するとともに、該保護ブロックに温度センサを設け、前記上プレス板の温度制御を行うことを特徴とする、光学素子の成形装置。
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