JP4422395B2 - 半導体加速度センサの製造方法 - Google Patents

半導体加速度センサの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4422395B2
JP4422395B2 JP2002292782A JP2002292782A JP4422395B2 JP 4422395 B2 JP4422395 B2 JP 4422395B2 JP 2002292782 A JP2002292782 A JP 2002292782A JP 2002292782 A JP2002292782 A JP 2002292782A JP 4422395 B2 JP4422395 B2 JP 4422395B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
weight
acceleration sensor
contact
semiconductor
fixing portion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2002292782A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2004125704A5 (ja
JP2004125704A (ja
Inventor
佳幸 中溝
努 澤井
正人 安藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hokuriku Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Hokuriku Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP2002292782A priority Critical patent/JP4422395B2/ja
Application filed by Hokuriku Electric Industry Co Ltd filed Critical Hokuriku Electric Industry Co Ltd
Priority to US10/530,341 priority patent/US7122396B2/en
Priority to DE60332952T priority patent/DE60332952D1/de
Priority to EP03751333A priority patent/EP1560029B1/en
Priority to AU2003271094A priority patent/AU2003271094A1/en
Priority to PCT/JP2003/012733 priority patent/WO2004031781A1/ja
Publication of JP2004125704A publication Critical patent/JP2004125704A/ja
Publication of JP2004125704A5 publication Critical patent/JP2004125704A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4422395B2 publication Critical patent/JP4422395B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/0802Details
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/12Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by alteration of electrical resistance
    • G01P15/123Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by alteration of electrical resistance by piezo-resistive elements, e.g. semiconductor strain gauges
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/18Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration in two or more dimensions
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P2015/0805Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
    • G01P2015/0822Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
    • G01P2015/084Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass the mass being suspended at more than one of its sides, e.g. membrane-type suspension, so as to permit multi-axis movement of the mass

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体加速度センサ及びその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
特許第3290047号公報(特許文献1)の第6頁第1図には、加速度センサ本体の内部空間内に重錘の一部を配置した構成の半導体加速度センサが開示されている。この半導体加速度センサでは、内部空間を囲む支持部の内周面と重錘の外周面とを平行に並ぶ傾斜面としてそれぞれ形成して、重錘の質量を増大させている。
【0003】
【特許文献1】
特許第3290047号公報(第6頁、第1図)
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような半導体加速度センサでは、重量の増した重錘に半導体センサ素子本体側に向かう方向の加速度(垂直軸方向の加速度)が加わった際に、重錘の動きを規制して半導体センサ素子の可撓部が損傷を受けるのを阻止する工夫はなされていない。そのため重量の増した重錘に大きな加速度が加わると、半導体センサ素子が破損してしまう問題があった。またこの従来の加速度センサでは、半導体センサ素子の内周面と重錘の外周面との間の平行度を出すためと半導体センサ素子と重錘の中心とを合わせるために、複雑な製造工程を必要としていた。
【0005】
本発明の目的は、半導体センサ素子の内部空間内に重錘の少なくとも一部を配置して重錘の重量を増大させても、半導体センサ素子が破損することのない半導体加速度センサを提供することにある。
【0006】
本発明の他の目的は、複雑な製造工程を用いて加速度センサ本体の支持部に対する重錘の位置合わせを行う必要がない半導体加速度センサを提供することにある。
【0007】
本発明の他の目的は、支持部または重錘の製造上の寸法誤差が生じても、重錘が可撓部側に変位する変位量のずれを小さくして、性能のばらつきを少なくできる半導体加速度センサを提供することにある。
【0008】
本発明の他の目的は、加速度センサ本体に対する重錘の中心合わせを容易且つ正確に行うことができる半導体加速度センサ及びその製造方法を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明が改良の対象とする半導体加速度センサは、半導体結晶基板にエッチングが施されて形成され、中心部に重錘固定部が位置し、外周部に筒状の支持部が位置し、重錘固定部と支持部との間に可撓性を有する可撓部を有する半導体センサ本体と、可撓部に拡散抵抗が形成されて構成された加速度センサ素子と、重錘固定部の中心を通り可撓部が延びる方向と直交する方向に延びる中心線上に中心が位置するように固定された重錘とを具備している。本発明では、支持部の内周面は、切頭角錐形の内部空間の外周面に倣うように、実質的に同形状の4つの台形状の傾斜面が環状に組み合わされて構成されている。そして重錘は、重錘が可撓部側に最大限変位したときに支持部の内周面と当接する線状の当接部を有している。そして、当接部は重錘固定部が位置する側から見た輪郭形状が円形になる形状を有しており、支持部の内周面と当接部とにより重錘が可撓部側に変位する変位量の範囲を規制するストッパ構造が構成されている。本発明のように、支持部の内周面と重錘の当接部とによりストッパ構造を構成すれば、重錘が可撓部側に大きく変位したときに、重錘に形成されたほぼ円形の線状の当接部が支持部の4つの台形状の傾斜面と当接することになる。そのため加速度センサに、垂直方向の加速度が印加されたときには、重錘の当接部が支持部の内周面と当接することにより、可撓部を破壊するほどに大きな変位が可撓部に加わるのを防ぐことができる。特に、本発明では、当接部の輪郭形状が線状なので、支持部の内周面と当接部とが接触する内周面の位置がほぼ一定の位置となる。そのため大量生産をした場合でも、各センサの性能のバラツキが大きくならないという利点が得られる。
【0010】
またこのような構成にすると、重錘の当接部を4つの傾斜面と接触する位置まで、重錘を半導体センサ本体側に近づける作業をするだけで、4つの傾斜面に添って重錘が変位し、結果として重錘の中心が重錘が重錘固定部の中心を通る中心線と一致するようになるセルフアライメント効果を得ることができる。したがって本発明によれば、特別な装置を用いて加速度センサ本体の支持部に対する重錘の位置合わせを行う必要がない。
【0011】
当接部と傾斜面との接触位置は、理論的には任意である。しかしながら当接部と傾斜面との接触位置が、傾斜面の支持部の厚み方向の中央位置よりも支持部の底面側に位置するようにすると、可撓部と支持部との境界部に接触部から伝わる衝撃力を小さくすることができる。
【0012】
重錘の重量を重くするためには、重錘を金属により形成するのが好ましい。その場合でも、比重が高く安価なタングステンによって重錘を形成すると、センサの厚みが薄く、感度の高い半導体加速度センサを安価に提供することができる。
【0013】
本発明では、加速度センサ本体を支持するための台座を設けても設けなくてもよい。そしてこの場合に、重錘を支持部内の内部空間と台座内の内部空間とに跨って2つの内部空間内に配置される形状にすると、センサ全体の厚みは増すものの、重錘の体積を大きくすることができるので、重錘の重量を増大させることができて、感度を上げることができる。
【0014】
線状の当接部を形成するための構造は任意である。例えば、支持部の内部空間内に位置する重錘の部分を、可撓部に沿う方向に延びる第1の面と、支持部の内周面と交差する方向に延びる第2の面との交差によって当接部を構成する形状にする。このようにすると単純な形状で線状の当接部を形成することができる。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。図1は、本発明の実施の形態の半導体加速度センサの断面図であり、図2は、図1のII−II線断面図である。両図に示すように、本発明の実施の形態の半導体加速度センサは、加速度センサ本体1と、加速度センサ本体1に固定された重錘3と、加速度センサ本体1を支持するガラス製の台座5とを有している。
【0016】
図3及び図4は、加速度センサ本体1の平面図及び裏面図である。図1〜図4に示すように、加速度センサ本体1は、中心部に重錘固定部7が位置し、外周部に筒状の支持部9が位置し、重錘固定部7と支持部9との間に可撓性を有する可撓部11を有するように単結晶シリコンからなる半導体結晶基板に異方性エッチングが施されて形成されている。加速度センサ本体1の表面の可撓部11上には、加速度検出用拡散抵抗からなる複数のセンサ素子が形成されており、支持部9上には、複数の電極8…が形成されている(図3)。本例の半導体加速度センサは、外部から加えられた力による加速度、または傾斜させた静止状態で加わる重力加速度に基づく力により重錘3が動いて可撓部11が撓むことにより、センサ素子を構成する各拡散抵抗の抵抗値が変化して歪み量に応じた2軸方向の加速度を検出する。
【0017】
重錘固定部7は、支持部9の内部空間10内に可撓部11から重錘3に向かって突出した形状を有している。重錘固定部7の中心を通り可撓部11が延びる方向と直交する方向に延びる中心線C上に中心が位置するように、重錘固定部7の先端に重錘3が固定されている。この重錘固定部7は、多角形の横断面を有しており、その外周面は、可撓部11が位置する側から離れるに従って中心線Cに近づくように傾斜する傾斜面として形成されている。
【0018】
支持部9は、矩形の環状を有しており、内周面は、切頭角錐形の空間の外周面に倣うように、実質的に同形状の4つの台形状の傾斜面13…が環状に組み合わされて構成されている。傾斜面13…は、可撓部11が位置する側に向かうに従って中心線Cに近づくように傾斜しており、後述するストッパ構造の一部を構成している。本例では、傾斜面13の中心線Cに対する傾斜角度θは35.3°を有している。このような支持部9の内周面の構造により、重錘固定部7を含む支持部9の内部空間10は、可撓部11に向かって横断面形状が小さくなる切頭角錐形状を有することになる。
【0019】
重錘3は、円板状に近い輪郭を有するタングステンにより形成されている。この重錘は、一端が重錘固定部7に接着剤により固定された状態で、支持部9内の内部空間10と台座5内の内部空間12とに跨って2つの内部空間内に配置されている。支持部9内の内部空間10には、環状の部分3aが入り込んでいる。本例では、環状の部分3aは、可撓部11に沿う方向に延びる第1の面3bと、支持部9の内周面と交差する方向に延びる第2の面3cと、第1の面3bと第2の面3cとの交差(角部)からなる当接部3dと、可撓部11との反対側に位置する底面3eとを有している。当接部3dは、重錘固定部7が位置する側から見た輪郭形状が円形を有するようにほぼ円形の線状に延びている。そのため、図2に示すように、当接部3dは支持部9の4つの傾斜面13…のそれぞれのほぼ中央に対向することになる。本例では、当接部3dと傾斜面13…との接触位置は、傾斜面13…の支持部9の厚み方向の中央位置よりも支持部9の底面側に位置している。また、当接部3dと前述した支持部9の4つの傾斜面13…とにより重錘のストッパ構造が構成されている。そのため、重錘3の変位量が所定の範囲を超えると、当接部3dが傾斜面13…に当接して重錘3の変位量が規制される。
【0020】
次に本例の半導体加速度センサにおいて重錘3を加速度センサ本体1に接合する方法について説明する。まず、図5(A)に示すように、台座5が固定された加速度センサ本体1の重錘固定部7に嫌気性接着剤17を塗布し、真空吸着機Vに重錘3を吸着させて、重錘3を重錘固定部7の接着剤17を塗布した上に載置する。次に、図5(B)に示すように、真空吸着機Vによる吸引を解除してから、真空吸着機Vを用いて重錘3を加速度センサ本体1側に押し付ける。このようにすると、可撓部11が撓んで、重錘3の当接部3dが支持部9の傾斜面13…と接触して、重錘3の中心線Cと加速度センサ本体の中心線とが合わせられる。なお、図5(B)では、図面上では確認し難いが、可撓部11は、僅かに撓んでいる。次に、真空吸着機Vを重錘3から離して、重錘3が支持部9から離れるように戻して、重錘3を加速度センサ本体1に接合する。本例のように、重錘3の当接部3dと支持部9の傾斜面13…とによりストッパ構造を構成すれば、重錘3が可撓部11側に大きく変位すると、重錘3に形成されたほぼ円形の線状の当接部3dが支持部の4つの台形状の傾斜面13…のほぼ中心と当接することになる。そのため、可撓部11を破壊するほどに大きな変位が可撓部11に加わるのを防ぐことができる。特に当接部3dの輪郭形状は線状を有しているので、支持部9の内周面と当接部3dとが接触する内周面の位置がほぼ一定の位置となる。そのため大量生産をした場合でも、各センサの性能のバラツキが大きくならないという利点が得られる。
【0021】
また、重錘3の当接部3dを傾斜面13…と接触する位置まで、重錘3を半導体センサ本体1側に近づける作業をするだけで、傾斜面13…に添って重錘3が変位し、重錘3の中心が重錘固定部7の中心線Cと一致するようになるセルフアライメント効果を得ることができる。
【0022】
なお、本例では、第1の面3bと第2の面3cとの交差(角部)により当接部3dを形成したが、本発明は、このようなものに限定されるものではなく、突起状または曲面の一部により当接部を形成できるのは勿論である。
【0023】
【発明の効果】
本発明によれば、加速度センサに、垂直方向の加速度が印加されたときには、重錘の当接部が支持部の内周面と当接するため、可撓部を破壊するほどに大きな変位が可撓部に加わるのを防ぐことができる。また、当接部の輪郭形状が線状を有しているので、支持部の内周面と当接部とが接触する内周面の位置がほぼ一定の位置となる。そのため大量生産をした場合でも、各センサの性能のバラツキが大きくならないという利点が得られる。また、重錘の当接部を4つの傾斜面と接触する位置まで、重錘を半導体センサ本体側に近づける作業をするだけで、4つの傾斜面に添って重錘が変位し、結果として重錘の中心が重錘が重錘固定部の中心を通る中心線と一致するようになるセルフアライメント効果を得ることができる。したがって本発明によれば、特別な装置を用いて加速度センサ本体の支持部に対する重錘の位置合わせを行う必要がない。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の形態の半導体加速度センサの断面図である。
【図2】 図1のII−II線断面図である。
【図3】 図1に示す半導体加速度センサの加速度センサ本体の平面図である。
【図4】 図1に示す半導体加速度センサの加速度センサ本体の裏面図である。
【図5】 (A)及び(B)は、図1に示す半導体加速度センサにおいて、重錘を加速度センサ本体に固定する方法を説明するために用いる図である。
【符号の説明】
1 加速度センサ本体
3 重錘
3d 当接部
5 台座
7 重錘固定部
9 支持部
11 可撓部
13 傾斜面

Claims (2)

  1. 中心部に重錘固定部を有し、外周部に筒状の支持部を有し、前記重錘固定部と前記支持部との間に可撓性を有する可撓部を備えた半導体センサ本体と、
    前記可撓部に拡散抵抗が形成されて構成された加速度センサ素子と、
    前記重錘固定部の中心を通り前記可撓部が延びる方向と直交する方向に延びる中心線上に中心が位置するように前記重錘固定部に接合された重錘とを具備し、
    前記支持部の内周面が、切頭角錐形の内部空間の外周面に倣うように、同形状の4つの台形状の傾斜面が環状に組み合わされて構成されており、
    前記重錘は、前記内部空間内に位置する部分に、前記重錘が前記可撓部側に最大限変位したときに前記内周面を構成する4つの前記傾斜面と当接する線状の当接部を有し、しかも前記当接部の輪郭形状が前記重錘を前記重錘固定部が位置する側から見た輪郭形状が円形になる形状を有している半導体加速度センサの製造方法であって、
    前記重錘の前記当接部が4つの前記傾斜面と接触する位置まで、前記重錘を前記半導体センサ本体側に近づけた状態で、前記重錘固定部と前記重錘とを接合することを特徴とする半導体加速度センサの製造方法。
  2. 前記重錘固定部と前記重錘とを嫌気性接着剤を用いて接合することを特徴とする請求項に記載の半導体加速度センサの製造方法。
JP2002292782A 2002-10-04 2002-10-04 半導体加速度センサの製造方法 Expired - Fee Related JP4422395B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002292782A JP4422395B2 (ja) 2002-10-04 2002-10-04 半導体加速度センサの製造方法
DE60332952T DE60332952D1 (de) 2002-10-04 2003-10-03 Halbleiterbeschleunigungssensor und prozess zu seiner herstellung
EP03751333A EP1560029B1 (en) 2002-10-04 2003-10-03 Semiconductor acceleration sensor and process for manufacturing the same
AU2003271094A AU2003271094A1 (en) 2002-10-04 2003-10-03 Semiconductor acceleration sensor and process for manufacturing the same
US10/530,341 US7122396B2 (en) 2002-10-04 2003-10-03 Semiconductor acceleration sensor and process for manufacturing the same
PCT/JP2003/012733 WO2004031781A1 (ja) 2002-10-04 2003-10-03 半導体加速度センサ及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002292782A JP4422395B2 (ja) 2002-10-04 2002-10-04 半導体加速度センサの製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009240798A Division JP5065356B2 (ja) 2009-10-19 2009-10-19 半導体加速度センサ

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2004125704A JP2004125704A (ja) 2004-04-22
JP2004125704A5 JP2004125704A5 (ja) 2007-03-22
JP4422395B2 true JP4422395B2 (ja) 2010-02-24

Family

ID=32063927

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002292782A Expired - Fee Related JP4422395B2 (ja) 2002-10-04 2002-10-04 半導体加速度センサの製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7122396B2 (ja)
EP (1) EP1560029B1 (ja)
JP (1) JP4422395B2 (ja)
AU (1) AU2003271094A1 (ja)
DE (1) DE60332952D1 (ja)
WO (1) WO2004031781A1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2447386B (en) * 2005-12-20 2010-08-04 Hokuriku Elect Ind Semiconductor sensor and manufacturing method of sensor body for semiconductor sensor
US8258799B2 (en) 2008-11-07 2012-09-04 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. MEMS dosimeter
US20100162823A1 (en) * 2008-12-26 2010-07-01 Yamaha Corporation Mems sensor and mems sensor manufacture method

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4891985A (en) * 1985-07-22 1990-01-09 Honeywell Inc. Force sensor with attached mass
JPH0677052B2 (ja) * 1988-04-14 1994-09-28 株式会社ワコー 磁気検出装置
US5295386A (en) * 1989-12-28 1994-03-22 Kazuhiro Okada Apparatus for detecting acceleration and method for testing this apparatus
JPH05256869A (ja) * 1992-03-12 1993-10-08 Murata Mfg Co Ltd 半導体式加速度センサおよびその製造方法
JPH05322919A (ja) * 1992-05-25 1993-12-07 Fujikura Ltd 多次元半導体加速度センサの構造
JP3290047B2 (ja) * 1995-03-15 2002-06-10 松下電工株式会社 加速度センサ及びその製造方法
US6332359B1 (en) * 1997-04-24 2001-12-25 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor sensor chip and method for producing the chip, and semiconductor sensor and package for assembling the sensor
JP3282570B2 (ja) * 1997-11-28 2002-05-13 松下電工株式会社 半導体加速度センサ
JP2001326367A (ja) * 2000-05-12 2001-11-22 Denso Corp センサおよびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP1560029B1 (en) 2010-06-09
US7122396B2 (en) 2006-10-17
US20060094148A1 (en) 2006-05-04
AU2003271094A1 (en) 2004-04-23
WO2004031781A1 (ja) 2004-04-15
EP1560029A4 (en) 2008-05-07
JP2004125704A (ja) 2004-04-22
DE60332952D1 (de) 2010-07-22
EP1560029A1 (en) 2005-08-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3602746B2 (ja) ディスク締付機構
EP2439542A1 (en) Physical quantity sensor
JP2003329444A (ja) 静電容量式センサ
JP4422395B2 (ja) 半導体加速度センサの製造方法
JP2574923Y2 (ja) 傾斜付勢式自動調心軸受
JP5065356B2 (ja) 半導体加速度センサ
JP2000338124A (ja) 半導体加速度センサ
JP4913408B2 (ja) 半導体センサ
JP2006200980A (ja) 静電容量型圧力センサおよび静電容量型アクチュエータ
JP2006208272A (ja) 半導体多軸加速度センサ
EP1876485A1 (en) Combination lens and method for manufacturing same
US6965498B2 (en) Air-bearing sliders having leading read/write head and flying with negative pitch
JP4224466B2 (ja) 半導体センサ及びその製造方法
JP4579003B2 (ja) 物理量センサの製造方法
JP4015014B2 (ja) 半導体加速度センサ及びその製造方法
JPH08320340A (ja) 半導体加速度センサ
JPH06242139A (ja) 半導体加速度センサ
JP2007064929A (ja) 傾斜測定センサ
JP4014888B2 (ja) 半導体加速度センサ及びその製造方法
US20110117689A1 (en) Semiconductor sensor and manufacturing method of sensor body for semiconductor sensor
JP4464597B2 (ja) 半導体加速度センサ
JP2547972Y2 (ja) 圧入装置用治具
JP2009167067A (ja) 半導体センサの陽極接合方法、陽極接合装置および半導体センサ
JP2007163362A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP3001997B2 (ja) 被測定物の支持装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050927

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070202

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090421

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090622

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090721

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091019

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20091028

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20091124

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20091204

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121211

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4422395

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121211

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131211

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees