JP4417559B2 - 分岐コンデンサを有するsoi型集積回路とこのような回路の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 131
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 47
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 14
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methoxyethoxy)benzohydrazide Chemical compound COCCOC1=CC=CC(C(=O)NN)=C1 GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 11
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 nitrogen ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
- H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
- H01L21/76254—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques with separation/delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut, Unibond
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
- H01L21/76264—SOI together with lateral isolation, e.g. using local oxidation of silicon, or dielectric or polycristalline material refilled trench or air gap isolation regions, e.g. completely isolated semiconductor islands
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
- H01L21/84—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being other than a semiconductor body, e.g. being an insulating body
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1203—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body the substrate comprising an insulating body on a semiconductor body, e.g. SOI
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Element Separation (AREA)
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、回路から電力供給端子を分岐する容量性手段を備えた集積回路構造に関するものである。
本発明は、MOS、MIS、又はバイポーラ構成要素を有する回路を作るためのマイクロエレクトロニクスの分野における応用として、かつ、特に過度電流の需要に起因する回路についての電力供給に生ずる寄生ノイズを低減するために、使用される。
さらに詳細には、本発明は、低消費特性のためにSOI技術を用いた例えばマイクロプロセッサ、コードレス電話回路、又は他の応用のような携帯装置において使用してもよい。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
集積回路において、能動素子、言い換えれば例えばトランジスタに対してグランド及び電源電位の配電は、導電性材料から成る電力供給トラックを用いることによって行われる。回路を作動中、電力供給トラックは比較的大きな過度電流を出力しなければならない。
【0003】
これらの過度電流は、集積度とその配置とに依存して、トラックと電力供給システムとにおいて寄生ノイズを生成することがある。
【0004】
寄生ノイズを低減するために、電力供給システム端子間を接続した電子回路においてフィルタコンデンサが通常用いられ、過度電流源にできるだけ近接して配置させる。
【0005】
集積エレクトロニクスの分野において、フィルタコンデンサの製造が問題を生じうる。しかしながら、固体基板上のCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)のような集積回路のいくつかのタイプの構造は、電力供給電位とグランド電位とを自然に分岐することができる。
【0006】
図1は、集積回路の典型的なCMOSタイプの概略切断断面図である。
【0007】
この図において符号10はp型導電性を有する固体シリコン基板を示している。この基板にN型拡散領域を形成する。符号14及び16は、P型基板及びN型拡散領域のそれぞれに形成した電界効果トランジスタを示している。
【0008】
強くドープした活性領域14a、14b、16a、16b、18及び10は、電界効果トランジスタのソース及びドレイン14,16と、P型及びN型領域のそれぞれに対するコンタクト領域とを形成する。
【0009】
P+型活性領域18はP型基板に接触し、N+型活性領域20はN型拡散領域に接触する。
【0010】
厚い絶縁層22は基板とその上に形成した構成要素14及び16とを被覆する。開口24はこの層を貫通し、導電性材料をその上に積層して、活性領域を絶縁層22上に形成された導電性トラック26,28,30に接続する。導電性材料で充填した開口は“ビア”ともいう。
【0011】
ビアは活性領域を互いに接続する。例えば、これは、活性領域14b及び16aを互いに電気的に接続する中央導電性トラック26に接続したビアの場合である。ビアはまた、活性領域及び/又は基板領域を電力供給端子に接続する。
【0012】
図1においては、電力供給端子は、連続線によって線図的に示した電力供給源31に接続された導電性トラック28及び30から成る。
【0013】
導電性トラック28はグランド端子を形成する。トラックは第1のトランジスタ14の活性領域14aに接続し、また、活性領域18を介して基板10に接続している。導電性トラック30によって形成された第2の電力供給端子は、活性領域20を介して特に拡散領域12に接続されている。
【0014】
拡散領域12は、ある接合容量を有し、かつ、構成要素に平行な電力供給端子28,30との間を接続する基板10を有する半導体接合を形成する。
【0015】
拡散領域−基板接合のキャパシタンスは電力をフィルターし、かつ、電流需要に起因した寄生ノイズを低減する。
【0016】
N型拡散領域、P型拡散領域、及び二重拡散領域を備えた他のタイプのCMOS構造もある。拡散領域と基板との間に形成された接合容量は、グランド端子と他の電力供給端子との間での固有の分岐を得るには通常十分である。
【0017】
しかしながら、現在製造されている多くの集積回路は、上記のような固体基板に形成されていないで、シリコン−オン−絶縁体型構造を有する支持体薄層において形成されている。通常“SOI”と表示されるこのタイプの構造は、支持体の固体部分からシリコンの薄層を分離する、例えば酸化物のような絶縁性材料を備えている。SOIタイプ基板上に集積回路を形成することによって、集積密度を増加し、寄生容量を低減し、作動周波数及び消費量による回路の性能を改善することができる。
【0018】
SOI基板上に形成した回路の場合には、異なる構成要素間又は活性領域間の絶縁は酸化物領域によって形成される。
【0019】
こうして、固体基板上の構造における基板を介してのグランドと他の電力供給端子との間の分岐は、SOI型基板上に形成した回路においてははるかに弱い。
【0020】
従って、より高いノイズはこれらの回路において観察される。例えば、この問題はこの詳細な説明の最後に参考文献として挙げた文献(1)に説明されている。
【0021】
寄生ノイズを低減する一つの可能な解決策は、SOI構造の薄層に形成された集積回路に分岐コンデンサを付加することから成る。これらのコンデンサは、一又は複数のトランジスタの格子(グリッド)容量を用いて作ってもよい。例えば、グリッドが電力供給端子に接続され、かつ、ソースとドレインとがグランドに接続されたNMOSタイプトランジスタを用いることもできる。より優れた品質のキャパシタンスは、このようなトランジスタにおけるチャネルの適当なレイアウトを用いることによって達成することができる。
【0022】
しかしながら、電力供給端子の分岐のために用いられたトランジスタ又は他のコンデンサは、集積回路の機能部を形成するトランジスタに近接したSOI構造上に配置している。これによって、それらは有効なスペースを占有し、電子チップの全領域を増加する。
【0023】
このことについてのさらなる情報は、この詳細な説明の最後に参考文献として挙げた文献(2)及び(3)に説明されている。特に、文献(2)には、分岐コンデンサの使用について記載されている。
【0024】
本発明の技術的な背景は、埋め込まれたコンデンサの製造について記載している文献(4)にも記載されている。
【0025】
【課題を解決するための手段】
本発明の目的は、例えば上述のような制限を有さないSOI基板の薄層のような基板の薄い絶縁層において形成された集積回路を提案することである。
【0026】
一つの特別な目的は、電力供給における寄生ノイズを効率的に低減するために、一つ又は複数の電力供給の端子を分岐する手段を含んだ回路を提案することである。
【0027】
他の目的は小さな表面面積を有するチップを用いたこのような回路を提案することである。
【0028】
これらの目的を達成するため、本発明の目的は、
−少なくとも一つの第1の電力供給端子及び少なくとも一つの第2の電力供給端子と、
−基板の薄層に形成されかつ電力供給端子の少なくとも一つに電気的に接続された少なくとも一つの活性領域とを備えた集積回路を提案することである。
【0029】
本発明では、前記集積回路はさらに、前記第1の電力供給端子と第2の電力供給端子とに接続された少なくとも一つの誘電体コンデンサによって形成され、かつ、基板の薄層から電気的に絶縁された基板の一領域に形成された容量性分岐手段を備えたことを特徴とする。
【0030】
本発明の目的のため、活性領域は所定のドーピング型を有する薄層の領域である。電子回路は、特にトランジスタのソース又はドレインのようなトランジスタの一部を形成する活性領域を非常に多く含むことができる。
【0031】
さらに、電力は一又は複数の電源によって回路に供給されてもよい。電力供給端子は電源に接続された導電性要素であり、その電位は前記電源によって固定されている。グランド端子は一つの電力供給端子である。
【0032】
本発明によって、容量性分岐手段は、集積回路の機能性要素、言い換えると、活性領域のために使用できるスペースを低減しない。というのは、それらは薄層には形成しないからである。
【0033】
一つの特別な有利な側面によれば、容量性分岐手段を備えた領域は、集積回路の活性領域の下の少なくとも一部において拡がっていてもよい。
【0034】
この特徴は、回路において使用されるチップ全領域を低減するのに大きく寄与する。
【0035】
本発明における容量性分岐手段は一又は複数の誘電体コンデンサを備えてもよい。誘電体コンデンサは従来コンデンサと同じように作られたコンデンサ、言い換えると、絶縁材料によって分離された導電性材料から成る2つのホイルである。
【0036】
薄層から絶縁された基板領域は、互いからそれぞれ絶縁された導電性材料の少なくとも一つの第1の層と少なくとも一つの第2の層とを備え、それぞれの層は互いに対面してかつそれぞれ第1及び第2の電力供給端子に接続されている。
【0037】
例えば、ドーピングされたシリコン又は多結晶シリコンから成る導電性材料の第1及び第2の層は、シリコン酸化物層によって分離されてもよい。
【0038】
本発明の一改良型では、容量性分岐手段はコンデンサのホイルを形成する少なくとも一つの導電層を備え、かつ、少なくとも一つの活性領域に接続されて前記活性領域を電力供給端子に接続してもよい。
【0039】
活性領域への電力供給を分配する分岐手段の使用は、寄生ノイズをさらに低減するのに非常に有効であるだけでなく、活性部位及び信号輸送のための内部接続トラックを作るために大きな領域を解放するのにも非常に有効である。
【0040】
本発明はまた、容量性誘電体手段を備えた集積回路を製造する方法に関する。この方法は、
a)第1の導電層を備えた基板上に、表面から順に第1の絶縁層と第2の導電層とを形成する段階と、
b)前記絶縁層によって第1の導電層から分離した第2の導電層の少なくとも一部を残すように第2の導電層を形成する段階と、
c)前記の第2の導電層の一部を囲繞する第2の絶縁層)を形成する段階と、
d)第2の絶縁層上に半導体材料の薄層を形成する段階と、
e)前記薄層の少なくとも一部に少なくとも一つの活性領域を含む少なくとも一つの要素を形成し、薄層のそれらの要素の間を酸化する段階と、
f)前記薄層上に厚い絶縁層を形成する段階と、
g)前記要素を外して、第1及び第2の導電層に達するように、厚い絶縁層と薄層と絶縁材料層とに貫入した開口を形成する段階と、
h)開口に導電性材料を充填し、第1及び第2の導電層をそれぞれ第1及び第2の電力供給端子に接続する電気的内部接続を形成する段階と、を順に備えている。
【0041】
段階g)はさらに、薄層における活性領域に達するように、厚い絶縁層を貫通する開口を形成する段階を備え、これらの開口はさらに、活性領域を選択的に互いに接続するように、又は、活性領域を電力供給端子に接続するように、導電性材料によって充填される請求項6に記載の電力供給端子を電気的に分岐する容量性手段を備えることができる。
【0042】
この発明の他の特徴及び利点は、添付した図面における図を参照して以下の説明からより明瞭になるだろう。この説明は例示の目的だけを有するものであり、かつ、制限的なものではない。
【0043】
【発明の実施の形態】
図2は、第1の強くN+ドープした導電層110を形成したN型基板100を示している。例えば、この層110は3×1015/cm2のドーズ量でヒ素を注入し、次いで、950℃で1時間アニールすることによって得てもよい。
【0044】
第1の酸化物層112と第2の導電層114とは、第1の導電層110上に順に形成される。例えば、酸化物層112は厚さ15nmまで成長させてもよい。
【0045】
第2の導電層114はN+ドープされた多結晶シリコンであり、例えば、600nmオーダーの厚さまで堆積してもよい(層厚は図では比例して描いてはいない)。
【0046】
第1の酸化物層112と第2の導電層114とはエッチングし、第2の導電層114及びその下の酸化物層112の一部を保存するパターンをもとにして第1のシリコン導電層110上で停止する。
【0047】
図3に示したように、エッチング中に残された第2の導電層114の一部を包むために、基板上に第2の酸化物層116を堆積する。例えば、第2の酸化物層の厚さは1.5μmである。
【0048】
この層は化学機械的研磨によって平坦に作られるが、好適には0.2μmのオーダーの厚さを有するこの酸化物層は、第2の導電層114の多結晶シリコンより上にでるように保たれている。
【0049】
図4及び図5で示した連続段階は、酸化物層202と薄いシリコン表面層206とを備えたSOI構造構造を第2の酸化物層116上に移す段階を備えている。これらの層は第2の基板200から移される。
【0050】
第2の基板200はシリコンウェハであり、かつ、シリコン酸化物層202の表面層はこのウェハの表面上に形成する。例えば、基板200への希ガス又は窒素イオンの注入によって規定される脆化領域204は、始めに、シリコン酸化物の表面層に接触する基板にシリコンの薄層206の範囲を定める。脆化領域204は、第2の基板の表面にほぼ平行に延びる。
【0051】
矢印208によって示すように、第2の基板200は、酸化物表面層202を注入が終わった第1のシリコン基板の表面へ回転することによって、第1の基板100上へ移す。この表面は上面と呼ばれる。
【0052】
酸化物層202は、例えば、原子間力によって第1の基板の上面へ結合される。
【0053】
適当な熱処理によって、脆化領域204に沿って第2の基板200を劈開し、かつ、薄層206を第2の基板から分離する。
【0054】
次に、トランジスタの活性領域302,304,306,308を薄層206に形成する。薄層の残留部は酸化され、トランジスタ314,316のグリッドは薄層上に形成される。酸化物層302のような厚い絶縁層を、トランジスタグリッドを囲繞するために薄層上に形成する。そして、図6で示した構造を得る。
【0055】
領域302、304はN+ドープし、第1のNMOSトランジスタ310のソース及びドレインを形成する。領域306、308はP+ドープし、第2のPMOSトランジスタ312のソース及びドレインを形成する。符号314及び316はそれぞれ、グリッド酸化物層318を介して薄い表面層上に形成されたトランジスタ306及び308のグリッドを示している。
【0056】
トランジスタ310と312との間に配置した薄い表面層206の一部は酸化されてこれらの要素を互いに孤立化する。
【0057】
最後に、上述したように、厚い絶縁層320を基板表面上に形成して完全にグリッドを被覆する。
【0058】
トランジスタ、言い換えると活性領域と第1及び第2の基板導電層との相互レイアウトは、活性領域が第1及び第2の導電層110、114を部分的に被覆するようになっていることが観察できる。
【0059】
図7は、厚い酸化物層において、開口402,404,406,408をそれぞれ活性領域302、304,306、308に達するように形成する引き続く段階を示している。
【0060】
これらの開口を反応性エッチングによって形成して、活性領域におけるシリコン上で停止する。例えば、それらの直径は0.5μmであってもよい。
【0061】
開口410及び412は、厚い酸化物層を貫通し、次いで、活性領域の外側の酸化されたシリコン層を貫通し、次いで基板上に移された酸化物層202を貫通して、第2の酸化物層116に侵入して、それぞれ、第1の導電層110、又は第2の導電層に達している。これらの開口の直径は大きめで、例えば、0.8μmであってもよい。全ての開口(符号402から符号412)の作業は同時に行ってもよい。
【0062】
導電層に達する開口410、412はチップの表面上で過度な量のスペースを占めず、活性領域に垂直に一直線状に形成された開口よりこれらの開口は通常十分に少ない程度である。
【0063】
さらに、全開口は絶縁材料を通して形成されることがわかる。
【0064】
開口の底部の化学的清浄化及び例えばTi/TiNから成る拡散バリア層414の形成の後、開口をビアを形成するためにCVDによって堆積したタングステンのような導電性材料で充填する。
【0065】
図8で示したように、厚い絶縁層320の表面上に導電性トラックを形成する。これらの導電性トラック416,418及び420はビアに接触する。これらは堆積によって形成され次いでマスクによって導電性材料の層をエッチングする。
【0066】
例えば、トラック418は第1のトランジスタ310のソース302と第1の導電層110とに接続される。これが、第1の導電層110を有する電力供給端子(実際にはグランド端子)の一つを形成する。
【0067】
第2の電力供給端子を形成するトラック420は、第2のトランジスタ312のソース308と基板における第2の導電層114の残留部とに接続される。
【0068】
第1の酸化物層112によって分離された第1及び第2の導電層110,114は、電力供給端子を分岐する分岐コンデンサのホイルを形成する。
【0069】
さらに、基板上の第1の導電層110は、電力供給トラック例えば共通グランドトラックとして使用してもよい。これは、活性領域302が、ビアを介して第1の導電層110と導電性トラック418とに接続されている場合である。大きめのスペースを、構成要素間の内部接続を形成する厚い酸化物層320の表面上にとっておいてもよい。同様に、第2の導電層114を電力供給トラックとして用いてもよい。
【0070】
上記記載は、少数の構成要素と2つだけの電力供給端子とをを備えて成る例示回路に適用される。しかしながら、本発明は非常に多い構成要素といくつかの分離した電力供給ソースによって電力が供給される活性領域とを備えた回路にも適用可能である。電力供給端子の数と分岐コンデンサの数とは増加する。
【0071】
コンデンサと活性領域とは全く分離して形成されるので、これらの2つの要素の各々に対する製造パラメータは独立して最適化することができることも理解されたい。これは、従来技術による固体基板上に形成された回路にはない他の利点である。
【0072】
参考文献
(1)1995年10月の1995年度IEEE国際SOI会議のプロシーディングの100−101頁に掲載されたL.K.WangとHoward H.Chenによる“On-chip decoupling capacitor designed to reduce switching-noise-induced instability in CMOS/SOI VLSI”のタイトルの文献。
(2)1996年10月の1996年度IEEE国際SOI会議のプロシーディングの112−113頁に掲載されたL.K.WangとHoward H.Chenによる“Simultaneous Switching noise projection for High-Performance SOI chip design”のタイトルの文献
(3)1998年度IEEE国際半導体回路会議のプロシーディングの230−231頁に掲載されたJ.Silbermanらによる文献。
(4)米国特許出願第5,378,919号
【図面の簡単な説明】
【図1】 固体シリコン基板上に形成した周知のタイプのCMOS集積回路の一部を一部の切開断面図である。
【図2】 本発明による集積回路の製造工程の連続段階を示す単純化した概略断面図である。
【図3】 本発明による集積回路の製造工程の連続段階を示す単純化した概略断面図である。
【図4】 本発明による集積回路の製造工程の連続段階を示す単純化した概略断面図である。
【図5】 本発明による集積回路の製造工程の連続段階を示す単純化した概略断面図である。
【図6】 本発明による集積回路の製造工程の連続段階を示す単純化した概略断面図である。
【図7】 本発明による集積回路の製造工程の連続段階を示す単純化した概略断面図である。
【図8】 本発明による集積回路の製造工程の連続段階を示す単純化した概略断面図である。
【符号の説明】
110 第1の導電層
112 第1の絶縁層
114 第2の導電層
116 第2の絶縁層
200 シリコンウェハ
206 薄層
302,304,306,308 活性領域
320 厚い絶縁層
418 第1の電力供給端子
420 第2の電力供給端子
Claims (3)
- 電力供給端子を電気的に分岐する容量性手段を備えた集積回路の製造方法であって、
a)第1の導電層(110)を備えた基板(100)上に、表面から順に第1の絶縁層(112)と第2の導電層(114)とを形成する段階と、
b)前記第1の絶縁層によって第1の導電層から分離した第2の導電層の少なくとも一部を残すように第2の導電層(114)を形成する段階と、
c)前記第2の導電層の一部を囲繞する第2の絶縁層(116)を形成する段階と、
d)第2の絶縁層(116)上に半導体材料の層(206)を形成する段階と、
e)前記半導体材料の層の少なくとも一部に少なくとも一つの活性領域(302,304,306,308)を含む少なくとも一つの能動素子を形成し、半導体材料の層のそれらの能動素子の間を酸化する段階と、
f)前記半導体材料の層上に第3の絶縁層(320)を形成する段階と、
g)前記能動素子を外して、第1及び第2の導電層に達するように、第3の絶縁層と半導体材料の層(206)と絶縁材料層(116)とに貫入した開口を形成する段階と、
h)開口に導電性材料を充填し、第1及び第2の導電層をそれぞれ第1及び第2の電力供給端子に接続する電気的内部接続を形成する段階と、を順に備えた電力供給端子を電気的に分岐する容量性手段を備え、
段階d)がさらに、シリコン酸化物の表面層(202)を有するシリコンウェハ(200)を基板上に移す段階を備え、ここで、そのシリコン酸化物層は第2の絶縁層から分離され、そのシリコンウェハは劈開されて基板表面上に半導体材料の層(206)を残すものである
集積回路の製造方法。 - 段階g)がさらに、半導体材料の層における活性領域に達するように、第3の絶縁層を貫通する開口を形成する段階を備え、これらの開口はさらに段階h)において、活性領域を選択的に互いに接続するように、又は、活性領域を電力供給端子に接続するように、導電性材料によって充填される請求項1に記載の電力供給端子を電気的に分岐する容量性手段を備えた集積回路の製造方法。
- 第2の絶縁層(116)は段階c)の後に研磨される請求項1に記載の電力供給端子を電気的に分岐する容量性手段を備えた集積回路の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR9807495A FR2779869B1 (fr) | 1998-06-15 | 1998-06-15 | Circuit integre de type soi a capacite de decouplage, et procede de realisation d'un tel circuit |
FR98/07495 | 1998-06-15 | ||
PCT/FR1999/001403 WO1999066559A1 (fr) | 1998-06-15 | 1999-06-14 | Circuit integre de type soi a capacite de decouplage, et procede de realisation d'un tel circuit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002518849A JP2002518849A (ja) | 2002-06-25 |
JP4417559B2 true JP4417559B2 (ja) | 2010-02-17 |
Family
ID=9527377
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000555298A Expired - Fee Related JP4417559B2 (ja) | 1998-06-15 | 1999-06-14 | 分岐コンデンサを有するsoi型集積回路とこのような回路の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1095407B1 (ja) |
JP (1) | JP4417559B2 (ja) |
DE (1) | DE69939540D1 (ja) |
FR (1) | FR2779869B1 (ja) |
WO (1) | WO1999066559A1 (ja) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10041748A1 (de) * | 2000-08-27 | 2002-03-14 | Infineon Technologies Ag | SOI-Substrat sowie darin ausgebildete Halbleiterschaltung und dazugehörige Herstellungsverfahren |
US6956268B2 (en) | 2001-05-18 | 2005-10-18 | Reveo, Inc. | MEMS and method of manufacturing MEMS |
US7045878B2 (en) | 2001-05-18 | 2006-05-16 | Reveo, Inc. | Selectively bonded thin film layer and substrate layer for processing of useful devices |
US7163826B2 (en) | 2001-09-12 | 2007-01-16 | Reveo, Inc | Method of fabricating multi layer devices on buried oxide layer substrates |
US6875671B2 (en) | 2001-09-12 | 2005-04-05 | Reveo, Inc. | Method of fabricating vertical integrated circuits |
DE10151132A1 (de) * | 2001-10-17 | 2003-05-08 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterstruktur mit einem von dem Substrat kapazitiv entkoppelten Bauelementen |
DE10151203A1 (de) * | 2001-10-17 | 2003-08-07 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterstruktur mit verringerter kapazitiver Kopplung zwischen Bauelementen |
JP4682645B2 (ja) * | 2005-02-28 | 2011-05-11 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法及び電子機器 |
JP4835082B2 (ja) * | 2005-09-28 | 2011-12-14 | 株式会社デンソー | 半導体装置及びその製造方法 |
FR2957193B1 (fr) | 2010-03-03 | 2012-04-20 | Soitec Silicon On Insulator | Cellule a chemin de donnees sur substrat seoi avec grille de controle arriere enterree sous la couche isolante |
US8508289B2 (en) | 2009-12-08 | 2013-08-13 | Soitec | Data-path cell on an SeOI substrate with a back control gate beneath the insulating layer |
FR2953641B1 (fr) | 2009-12-08 | 2012-02-10 | S O I Tec Silicon On Insulator Tech | Circuit de transistors homogenes sur seoi avec grille de controle arriere enterree sous la couche isolante |
FR2953643B1 (fr) | 2009-12-08 | 2012-07-27 | Soitec Silicon On Insulator | Cellule memoire flash sur seoi disposant d'une seconde grille de controle enterree sous la couche isolante |
FR2955200B1 (fr) | 2010-01-14 | 2012-07-20 | Soitec Silicon On Insulator | Dispositif, et son procede de fabrication, disposant d'un contact entre regions semi-conductrices a travers une couche isolante enterree |
FR2955203B1 (fr) | 2010-01-14 | 2012-03-23 | Soitec Silicon On Insulator | Cellule memoire dont le canal traverse une couche dielectrique enterree |
FR2955195B1 (fr) | 2010-01-14 | 2012-03-09 | Soitec Silicon On Insulator | Dispositif de comparaison de donnees dans une memoire adressable par contenu sur seoi |
FR2955204B1 (fr) | 2010-01-14 | 2012-07-20 | Soitec Silicon On Insulator | Cellule memoire dram disposant d'un injecteur bipolaire vertical |
FR2957186B1 (fr) | 2010-03-08 | 2012-09-28 | Soitec Silicon On Insulator | Cellule memoire de type sram |
FR2957449B1 (fr) | 2010-03-11 | 2022-07-15 | S O I Tec Silicon On Insulator Tech | Micro-amplificateur de lecture pour memoire |
FR2958441B1 (fr) | 2010-04-02 | 2012-07-13 | Soitec Silicon On Insulator | Circuit pseudo-inverseur sur seoi |
EP2378549A1 (en) * | 2010-04-06 | 2011-10-19 | S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies | Method for manufacturing a semiconductor substrate |
EP2381470B1 (en) | 2010-04-22 | 2012-08-22 | Soitec | Semiconductor device comprising a field-effect transistor in a silicon-on-insulator structure |
FR2999018B1 (fr) | 2012-11-30 | 2016-01-22 | Commissariat Energie Atomique | Ecran d'affichage a diodes electroluminescentes organiques |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3019430B2 (ja) * | 1991-01-21 | 2000-03-13 | ソニー株式会社 | 半導体集積回路装置 |
JPH0832040A (ja) * | 1994-07-14 | 1996-02-02 | Nec Corp | 半導体装置 |
JPH0888323A (ja) * | 1994-09-19 | 1996-04-02 | Nippondenso Co Ltd | 半導体集積回路装置 |
DE4441724A1 (de) * | 1994-11-23 | 1996-05-30 | Siemens Ag | SOI-Substrat |
-
1998
- 1998-06-15 FR FR9807495A patent/FR2779869B1/fr not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-06-14 WO PCT/FR1999/001403 patent/WO1999066559A1/fr active IP Right Grant
- 1999-06-14 JP JP2000555298A patent/JP4417559B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1999-06-14 EP EP99925075A patent/EP1095407B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1999-06-14 DE DE69939540T patent/DE69939540D1/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002518849A (ja) | 2002-06-25 |
EP1095407B1 (fr) | 2008-09-10 |
FR2779869A1 (fr) | 1999-12-17 |
FR2779869B1 (fr) | 2003-05-16 |
WO1999066559A1 (fr) | 1999-12-23 |
DE69939540D1 (de) | 2008-10-23 |
EP1095407A1 (fr) | 2001-05-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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|
A977 | Report on retrieval |
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A602 | Written permission of extension of time |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121204 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |