JP4413649B2 - 放熱構造体及びその製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、放熱構造体及びその製造方法に関し、特に、電気的な絶縁状態を維持しつつ、半導体装置等の発熱体からの熱を効率的に放散し、且つ、長期間の使用に耐える放熱構造体及びその製造方法に関する。
従来より、半導体素子等の発熱体を冷却するための各種の放熱構造体が提案されている。図7及び図8に従来の半導体装置の放熱構造体の一例を示す。なお、図7及び図8では、通電用のボンディングワイヤ及び封止樹脂は図示を省略している。
図7に示す放熱構造体では、半導体素子11が電極板12と共に半導体装置1の樹脂成型部13に固着されており、図8に示すように半導体素子11の電極板12は樹脂成型部13の表面に露出している。樹脂成型部13には固定用穴14が形成されており、固定用穴14に挿入される固定用ネジ3により樹脂成型部13は金属製ヒートシンク2に固定されている。金属製ヒートシンク2内には冷媒通路5が形成されており、冷媒通路5内には放熱用冷媒が循環している。
樹脂成型部13と金属製ヒートシンク2との間には、絶縁・放熱機能を有するシート4が挿入されており、樹脂成型部13の表面上の電極板12と金属製ヒートシンク2との間は電気的に絶縁されている。そして、シート4は固定用ネジ3により半導体装置1の樹脂成型部13及び金属製ヒートシンク2と一体化されている。したがって、半導体素子11において発生した熱は、電極板12→シート4→金属製ヒートシンク2→冷媒通路5の経路により放熱される。
シート4としては、一般に、シリコーンゴム等の電気的絶縁性を有する基材と熱伝導性フィラーから製造され、電気的絶縁性と熱伝導性との両方の機能を有する絶縁・放熱シートが使用される。
図7及び図8に示す放熱構造体において、シート4の熱抵抗を低減させて冷却効率を改善するには、例えば、シート4中の熱伝導性フィラーの充填率を高めるか、あるいは、シート4の柔軟性を高めて、微細な凹凸を有する半導体装置1(電極板12)及び金属製ヒートシンク2の表面とシート4との接触効率を改善することが考えられる。
しかし、前記の2つの熱抵抗低減策は二律背反の関係にあるため、シート4の柔軟化による熱抵抗の低減には限界がある。そこで、特開平11−135691号公報に記載されるように、シリコーンオイル等の電気絶縁性を有する基材に熱伝導性フィラーを混合して得られた電気絶縁性・熱伝導性のグリース6をシート4の表面に塗布することが提案されている。図9は、シート4の両面にグリース6を塗布した場合の電極板12と金属製ヒートシンク2とのシート4の接触状態を示す拡大図である。図9に示されるように、シート4の柔軟性が不十分で電極板12と金属製ヒートシンク2の表面の微細な凹凸に十分追従することができなくとも、グリース6が電極板12及び金属製ヒートシンク2とシート4の接触面における微細な空隙に充填されるため、熱抵抗を低減することができる。
特開平11−135691号公報
特開平11−135691号公報([0019]段落等参照)によれば、図9に示すようにグリース6を表面に塗布したシート4は半導体素子稼働時の温度条件下において長期間使用可能であるとされているが、実際には、シート4表面にグリース6を塗布した状態で半導体素子稼働時等の高温下で長期間使用するとグリース6が変質して固化し、及び/又は、シート4が弾性を失い、最終的に、シート4の電気絶縁性が失われ、半導体装置1(電極板12)の絶縁不良が発生するという問題がある。
図10を用いて絶縁不良発生のメカニズムを説明する。半導体装置1と金属製ヒートシンク2との間にグリース6が両面塗布されたシート4が介在する図10の放熱構造体において、グリース6はジメチルポリシロキサン系シリコーンオイル基材61及び熱伝導性フィラー62を含み、シート4はジメチルポリシロキサン系シリコーンゴム基材41及び熱伝導性フィラー42を含む。これらシート4及びグリース6はそれぞれ単体では高い耐熱性を備えている。そして、これらを組み合わせて使用することにより、図10に示される放熱構造体は、図10(a)に示す初期状態においては高い絶縁性と放熱性を両立できる。
しかし、図示される放熱構造体では、シート4及びグリース6のそれぞれの基材はどちらもジメチルポリシロキサン系であり化学構造が類似している。したがって、図10(b)に示されるように、長期使用の間に、グリース6中のジメチルポリシロキサン系シリコーンオイル基材61の成分がシート4内に浸透し、これにより、シート4は膨潤して強度及び伸び特性等が劣化する。また、シート4の表面のグリース6中には高い割合で固形分である熱導電性フィラー62が残存することになり、最終的には、グリース6の殆どが熱導電性フィラー62によって占められ、グリース6は固化してしまう。
グリース6の固化により、シート4は半導体装置1と金属製ヒートシンク2に固着した状態となるが、この状態で半導体装置1の半導体素子の稼働を繰り返すと、半導体装置1及び金属製ヒートシンク2の熱膨張係数が異なるために、稼働時の高温状態と稼働停止時の低温状態の温度サイクルにおいて、異なる変位がシート4の両面に加えられ、シート4を引裂く力が発生する。なお、前記温度サイクルは、半導体素子の繰り返し稼働のみならず半導体装置の設置条件(例えば自動車)によっても発生する。そして、この引裂力発生が長期使用の間に繰り返されると、シート4の一部に亀裂が発生し、その結果、半導体装置1と金属製ヒートシンク2との間において絶縁不良が発生する。
なお、図10では、シート4の両面にグリース6が塗布された例を示しているが、前記の絶縁不良の問題はシート4の片面にのみグリース6が塗布されている場合も同様に発生する。
本発明は前記の問題点を解決することをその目的とするものであって、具体的には、長期間に亘って、電気絶縁性を維持しつつ半導体装置等の発熱体からの熱を効率的に放散することのできる放熱構造体を提供することをその目的とする。
本発明の放熱構造体は、電気絶縁性且つ熱伝導性シートを介して発熱体及び放熱体が一体化されている放熱構造体において、前記電気絶縁性且つ熱伝導性シートと前記発熱体との間、及び/又は、前記電気絶縁性且つ熱伝導性シートと前記放熱体との間に、前記電気絶縁性且つ熱伝導性シートと非相溶性である熱伝導性グリースからなる熱伝導性グリース層が存在することを特徴とする。
前記熱伝導性グリースがパーフルオロポリエーテル系組成物、C−C20アルキル変性シリコーン系組成物又はフッ化アルキル変性シリコーン系組成物からなる場合は、前記電気絶縁性且つ熱伝導性シートはメチルビニルシリコーン系ゴムからなることが好ましい。
一方、前記熱伝導性グリースがジメチルシリコーン系組成物、パーフルオロポリエーテル系組成物、C−C20アルキル変性シリコーン系組成物又はメチルフェニルシリコーン系組成物からなる場合は、前記電気絶縁性且つ熱伝導性シートがフロロシリコーン系組成物からなることが好ましい。
前記熱伝導性グリースの熱伝導性は一般に当該グリースに含まれる熱伝導性フィラーによりもたらされるものである。なお、前記熱伝導性フィラーは粒径の異なるフィラーの混合物であってもよい。
本発明の放熱構造体は、
電気絶縁性且つ熱伝導性シートの少なくとも一方の表面、及び/又は、発熱体及び/又は放熱体の表面に熱伝導性グリースが塗布する塗布工程、
前記電気絶縁性且つ熱伝導性シートの表面に発熱体又は放熱体の一方の表面を圧着する第1の圧着工程、及び
前記電気絶縁性且つ熱伝導性シートの前記表面とは異なる他方の表面に発熱体又は放熱体の他方の表面を圧着する第2の圧着工程
を含む方法によって製造されることが可能であり、当該製造方法において使用される前記電気絶縁性且つ熱伝導性シートと前記熱伝導性グリースとは非相溶性である。
前記塗布工程においては、前記電気絶縁性且つ熱伝導性シートの両面、及び/又は、発熱体及び放熱体の表面に前記熱伝導性グリースが塗布されてもよい。また、前記熱伝導性グリースはスポット塗布されてもよい。ここで「スポット塗布」とは塗布物を被塗布面上に点状に塗布することを指し、塗布物は被塗布面の全面には塗布されない。そして、被塗布物は少なくとも1つのスポット(点)として塗布面に載置されることができる。
前記二つの圧着工程は連続的に実施することも可能であるが、好ましくは、同時に行われる。
前記製造方法において使用される熱伝導性グリースがパーフルオロポリエーテル系組成物、C−C20アルキル変性シリコーン系組成物又はフッ化アルキル変性シリコーン系組成物からなる場合は、前記電気絶縁性且つ熱伝導性シートはメチルビニルシリコーン系ゴムからなることが好ましい。
一方、前記製造方法において使用される前記熱伝導性グリースがジメチルシリコーン系組成物、パーフルオロポリエーテル系組成物、C−C20アルキル変性シリコーン系組成物又はメチルフェニルシリコーン系組成物からなる場合は、前記電気絶縁性且つ熱伝導性シートはフロロシリコーン系ゴムからなることが好ましい。
前記製造方法において使用される前記熱伝導性グリースに含まれる熱伝導性フィラーは粒径の異なるフィラーの混合物であってもよい。
本発明の放熱構造体において放熱の対象となる前記発熱体としては、半導体素子を含む半導体装置が好ましい。
本発明の放熱構造体によれば、多数回の温度サイクルが印可されても、電気絶縁性且つ熱導電性シートに亀裂が発生することを防止できる。したがって、長期間に亘って、電気絶縁性を維持しつつ半導体装置等の発熱体からの熱を効率的に放散することができる。また、発熱体と放熱体の表面の微細な凹凸に熱伝導性グリースが充填されるので、熱抵抗を効果的に低減することができ、放熱効率が高い。特に、熱伝導性グリースと電気絶縁性且つ熱伝導性シートとの基材を特定の組み合わせとした場合には、この効果は顕著である。
また、本発明の放熱構造体によれば、熱伝導性グリース及び/又は前記電気絶縁性且つ熱伝導性シートが熱伝導性フィラーを固形分として含む場合であっても、長期間に亘る電気絶縁を維持し、且つ、効果的な放熱を行うことができる。特に、熱伝導性フィラーが粒径の異なるフィラーの混合物である場合は、熱伝導性フィラーの充填率を向上させることができ、更に、熱伝導性グリースに含まれる場合は、当該グリースの稠度をも高く維持しつつ充填率を向上可能であるので、放熱効率を更に改善することができる。
本発明の放熱構造体の製造方法では、当該放熱構造体を効率的に生産することが可能である。特に、熱伝導性グリースを薄く塗り広げることができるので塗布作業が特に効率的であり、また、熱抵抗を更に低減することができる。そして、前記圧着工程において熱伝導性グリースが押し広げられるので、当該グリース内の気泡が除去されて更に放熱効率を高めることができる。
本発明の放熱構造体は、電気絶縁性且つ熱伝導性シートと発熱体との間、及び/又は、電気絶縁性且つ熱伝導性シートと放熱体との間に、電気絶縁性且つ熱伝導性シートと非相溶性である熱伝導性グリースからなる熱伝導性グリース層が存在する層構造を有している。したがって、発熱体からの熱は、発熱体→(熱伝導性グリース)→電気絶縁性且つ熱伝導性シート→(熱伝導性グリース)→放熱体の経路で伝達され、この結果、発熱体は冷却される。
前記発熱体及び放熱体は特に限定されるものではないが、本発明の放熱構造体は、電気的に絶縁されるべき関係にある発熱体及び放熱体の組み合わせに好適であり、特に、自動車内等の大きな温度変化を受ける過酷な環境下で使用される場合に特に好適である。前記発熱体としては、例えば、半導体素子のように、絶縁されるべき電極等の部位を備え、稼働時に発生する熱を除去する必要のある各種の電子デバイスが挙げられる。また、前記放熱体としては、ジャケット、ヒートパイプ、ヒートシンク等の放熱機能を有する公知の物体が挙げられる。
本発明の放熱構造体において、電気絶縁性且つ熱伝導性シートは、電気絶縁性及び熱伝導性の両方の性質を備えるものであれば、任意のシートが使用可能であるが、発熱体及び放熱体との密着性の点で、弾性を有するゴムシートであることが好ましい。
電気絶縁性且つ熱伝導性のゴムシートとしては、電気絶縁性且つ熱伝導性の各種の基材からなるゴムシートが使用可能である。当該ゴムシート用の基材としては、耐熱性の面でシリコーンゴム、クロロスルフォン化ポリエチレンゴム等の合成ゴムが好ましく、特に高い耐熱性、電気絶縁性を有するシリコーンゴムが好ましい。
前記シリコーンゴムの主成分であるシリコーン生ゴムは、重合度5,000〜10,000程度で平均分子量40万〜80万、粘度数百万〜千数百万センチストークスの高分子体である。シリコーン生ゴムの種類としては、ジメチルシリコーン生ゴム(ASTMD-1418による表示でMQ)メチルビニルシリコーン生ゴム(同・VMQ)メチルフェニルビニルシリコーン生ゴム(同・PVMQ)フロロシリコーン生ゴム(同・FVMQ)などが挙げられる。ジメチルシリコーン生ゴムは不飽和基を含まずシリコーンオイルと同一の分子構造を持つ生ゴムである。メチルビニルシリコーン生ゴムはジメチルシリコーン生ゴムのメチル基の一部をビニル基に置き換えた生ゴムである。メチルフェニルビニルシリコーン生ゴムはジメチルシリコーン生ゴムのメチル基の一部をビニル基とメチル基に置き換えた生ゴムである。フロロシリコーン生ゴムはメチルトリフロロプロピルシロキサンに少量のメチルビニルシロキサンを共重合した生ゴムである。成型加工性、強度、圧縮永久歪性などの物理特性上、メチルビニルシリコーン生ゴムやトリフロロプロピル基を導入し耐油性・耐溶剤性を向上したフロロシリコーン生ゴムなどが好ましい。
これらシリコーン生ゴムを主原料として乾式シリカ、湿式シリカなどの補強充填剤、珪藻土、石英粉末などの増量充填剤、添加剤、架橋剤などを加えシリコーンコンパウンドを得ることができ、当該シリコーンコンパウンドを架橋・硬化して成形加工することによりシリコーンゴムシートを得ることができる。なお、前記シリコーンコンパウンドからシリコーンゴムシートへの成型加工方法及び架橋・硬化方法は、使用される触媒により異なるが、当該技術分野において周知の方法により行うことができる。
シリコーン生ゴムを主原料として乾式シリカ、湿式シリカなどの補強充填剤、珪藻土、石英粉末などの増量充填剤を加えたシリコーンコンパウンドは熱伝導性が低いので高い熱伝導性を付与するためには、シリコーンゴムコンパウンドに熱伝導性フィラー、例えば、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化マグネシウム(MgO)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化ニッケル(NiO)、酸化チタン(TiO2)、酸化ケイ素(SiO2)、酸化バナジウム(VO)、酸化銅(CuO)、酸化鉄(FeO)、酸化銀(AgO)等の金属酸化物粉末又は窒化アルミニウム(AlN)、窒化ホウ素(BN)、炭化ケイ素(SiC)、窒化ケイ素(SiN)等の無機化合物粉末を配合させることが好ましい。これにより、高い熱伝導性を有するゴムシートを製造することができる。ゴムシート自体の電気絶縁性が高く全体としての電気絶縁性が維持されるのであれば、アルミニウム、金、銀、銅、ニッケル、鉄等の金属粉末も使用可能である。このような熱伝導性フィラーとしては、市販品をそのまま使用することができる。
前記熱伝導性フィラーは、前記シリコーンゴムコンパウンドへの分散性、又は、前記ゴムシートの物理特性を改善するために表面処理されてもよい。表面処理としては、例えば、シランカップリング剤による処理が挙げられる。シランカップリング剤としては、n−ヘキシルトリメトキシシラン、n−ヘキシルトリエトキシシラン、n−オクチルトリエトキシシラン、n−デシルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン等を挙げることができる。
前記熱伝導性フィラーの粒径は何ら限定されるものではなく、例えば、0.1〜500μmの範囲のものが使用される。なお、粒径の異なる熱伝導性フィラーの混合物を使用することも可能である。
また、熱伝導性フィラーの配合量も何ら制限されるものではないが、一般に、配合量が少な過ぎると熱伝導性が低下し、また、配合量が多過ぎると熱伝導性は向上するもののゴムシートの物理的強度が低下するので、ゴムシートの材質によっても異なるが、シリコーンゴムコンパウンド100質量部あたり50〜2000質量部、好ましくは100〜1500質量部の割合で配合することが好ましい。
本発明の放熱構造体において、熱伝導性グリースとは、熱伝導性を有するグリースを意味し、例えば、液状ポリマー基油(ベースオイル)に増稠剤と熱伝導性フィラーとの組み合わせ、或いは、増稠作用を有する熱伝導性フィラーを配合して得られたグリース状又はコンパウンド状のペーストを意味する。
ベースオイルとしては、例えば、鉱油系のパラフィン系オイル及びナフテン系オイルが挙げられ、また、合成油系のαオレフィンポリマー又はオリゴマー、ポリアルキレングリコール、ジエステル(二塩基酸エステル)、トリメリット酸エステル、ポリオールエステル、パーフルオロポリエーテル、ポリフェニルエーテル及び液状シリコーン等が挙げられる。電気絶縁性及び耐熱性の点で、ベースオイルは液状シリコーン又はパーフルオロポリエーテルが好ましい。
前記液状シリコーンは常温(25℃)で液状であればよく、直鎖状又は分岐状構造を有していてもよい。このような液状シリコーンとしては、例えば、次の化学式:
Figure 0004413649
(式中、Rは炭素数1乃至4のアルキル基であり、メチル基が好ましい。但し、Rの一部はビニル基又は水酸基であってよい;R’は炭素数6乃至20の長鎖アルキル基であり、例えば、ヘキシル基、デシル基、ドデシル基等の非置換アルキル基、2−フェニルエチル基、2−フェニルプロピル基等のアリール置換アルキル基である;R”はアリール基であり、例えば、フェニル基である;R’”はR又はR”と同義である;R””は炭素数1乃至4のフッ化アルキル基を表し、例えば、3、3、3−トリフルオロプロピル基である;a、b、c及びdは、25℃における粘度が10〜500,000csとなるような0又は正数である)を有する、直鎖状ポリジオルガノシロキサンが挙げられる。なお、グリース特性の面では、前記直鎖状ポリジオルガノポリシロキサンの粘度は25℃で20〜30,000csが好ましい。
前記直鎖状ポリジオルガノシロキサンとしては、グリースとしての汎用性から、以下のシリコーン(1)〜(4)が好ましい。
(1) ジメチルシリコーン:
Figure 0004413649
(式中、Meはメチル基であり;lは正の整数である)
(2) メチルフェニルシリコーン:
Figure 0004413649
(式中、Meはメチル基であり;R”はメチル基又はフェニル基であり;R”’はフェニル基であり;mは0又は正の整数であり;nは正の整数である)
その具体例としては、
Figure 0004413649

Figure 0004413649
がある。
(3) C−C20アルキル変性シリコーン:
Figure 0004413649
(式中、Meはメチル基であり;R’は炭素原子数6から20のアルキル基であり、例えば、ヘキシル基、デシル基、ドデシル基等の非置換アルキル基、2−フェニルエチル基、2−フェニルプロピル基等のアリール置換アルキル基である;R”はメチル基又はフェニル基であり;R”’はフェニル基であり;pは正の整数であり;o及びqはそれぞれ独立に0又は正の整数である)
具体的には、
Figure 0004413649

Figure 0004413649
の構造式のもの等各種市販されている。
(4) フッ化アルキル変性シリコーン:
Figure 0004413649
(式中、Meはメチル基であり;R””はフッ化アルキル基であり;rは0又は正の整数であり;sは正の整数である)
具体的には、
Figure 0004413649
がある。
なお、前記シリコーン(1)〜(4)は、側鎖のメチル基が他のシロキサン基で置換されている分岐状のものであってもよく、また、末端基はヒドロキシル基又はビニル基等で置換されていてもよい。
前記パーフルオロポリエーテルとしては、例えば、以下構造式:
Figure 0004413649
(式中、末端基Aは、−F、−CF、−C、−C、−CF(CF)OCF、−OF、−OCF、−OC、−OC、又は、−OCF(CF)OCFであり;末端基Bは、−CF、−C、−C、又は、−CF(CF)OCFであり;x、y及びzは0又は正の整数であり、x+y+z>1であって、25℃における粘度が50〜500,000csであるような数である)を有するものが挙げられる。
前記パーフルオロポリエーテルの具体例としては、例えば、以下のものが挙げられる
Figure 0004413649
(式中、x及びyは前記のとおりである)
Figure 0004413649
(式中、y及びzは前記のとおりである)
Figure 0004413649
(式中、xは前記のとおりである)
Figure 0004413649
(式中、xは前記のとおりである)
ベースオイルに配合される熱伝導性フィラーとしては、前記ゴム組成物に配合される熱伝導性フィラーと同一のものを使用することができる。特に、増稠作用を有する点で既述した金属酸化物粉末及び無機化合物粉末が好ましい。なお、ベースオイルの電気絶縁性が高くグリース全体としての電気絶縁性が維持されるのであればアルミニウム、金、銀、銅、ニッケル、鉄等の金属粉末も使用可能である。このような熱伝導性フィラーとしては、市販品をそのまま使用することができる。
前記熱伝導性フィラーはベースオイルへの分散性を改善するために表面処理されてもよい。また、熱伝導性フィラーの粒径は何ら限定されるものではなく、例えば、0.1〜500μmの範囲のものが使用される。また、粒径の異なる熱伝導性フィラーの混合物を使用することも可能であり、この場合は、熱伝導性グリースの稠度を低下させずに熱伝導性フィラーの配合率を高めることができるため、熱抵抗を大幅に低減することができる。異なる粒径の熱伝導性フィラーの混合物を使用する場合、例えば、一方のフィラーの平均粒径は他方のフィラーの平均粒径の1/2〜1/50とすることができる。
ベースオイルに対する熱伝導性フィラーの配合量は、当該フィラーの種類、並びに、異なる粒径の熱伝導性フィラーの組合せの有無等により多少異なるが、ベースオイル100質量部あたり10〜1000質量部が好ましい。
必要に応じて熱伝導性フィラーと共に配合される前記増稠剤としては公知のものが使用可能であり、例えば、リチウム石鹸、カルシウム石鹸、アルミニウム石鹸、リチウム複合石鹸、アルミニウム複合石鹸等の金属石鹸系増稠剤;ベントナイト、シリカゲル等の無機系増稠剤等;ウレア化合物、銅フタロシアニン等の有機系増稠剤を用いることができる。
熱伝導性グリースの製造方法は公知であり、例えば、加熱条件下において、ベースオイルと熱伝導性フィラーとを攪拌機中で混合し、更に必要に応じて増稠剤を混合した混合物を冷却後、ロールにて均質化することにより熱伝導性グリースを製造することができる。
本発明では、前記電気絶縁性且つ熱伝導性シート及び前記熱伝導性グリースの中から、相互に非相溶性であるシート及びグリースが選択され、組み合わされて使用される。
ここで「相溶性」の概念につき説明すると、例えば図7〜図10に示す放熱構造体において長期使用の間にグリース6中のシリコーンオイル基材61がシリコーンゴム基材41からなるシート4内に浸透するように、二つの物体を接触させた場合に、一方の物体から他方の物体への有意量の物質移行が生じる性質をここでは「相溶性」という。したがって、図7〜図10の放熱構造体においてグリース6とシート4とは相互に「相溶性」である。なお、ここでの「相溶性」とは、二物体がマクロ的な意味で相互に溶解して一体となる性質を指すのではなく、二物体が接触界面を通して有意量の任意の物質を移行させる性質を指す。したがって、前記二物体は独立した形状を維持して接触可能であり、例えば、当該二物体は固体とペースト(グリース等)、固体と液体(オイル等)、固体と固体でありうる。
一方、本発明の放熱構造体では、放熱体と発熱体との間に介在する熱伝導性グリース及び電気絶縁性且つ熱伝導性シートは相互に相溶性ではなく「非相溶性」である。すなわち、熱伝導性グリースと電気絶縁性且つ熱伝導性シートとの間の物質の移行は無いか或いは非常に僅かである。ここで、物質の移行が「僅か」とは、典型的には、物質移行を受けた熱伝導性グリース又は電気絶縁性且つ熱伝導性シートの質量変化が10質量%未満、好ましくは5質量%未満、より好ましくは2質量%未満、特に好ましくは1質量%未満であることを意味する。
このように、本発明では、「非相溶性」である熱伝導性グリースと電気絶縁性且つ熱伝導性シートとの組み合わせを使用するので、両者を接触させても物質の移行が実質的に発生しない。したがって、本発明の放熱構造体では、電気絶縁性且つ熱伝導性シートが膨潤して強度・伸びなどの物理特性等が劣化することがなく、また、熱伝導性グリースはペースト状態を維持して固化することがない。このため、本発明の放熱構造体は、長期間に亘って電気絶縁性を維持しつつ効果的に放熱機能を発揮することができる。
図1及び図2を用いて、本発明の放熱構造体の一実施態様を説明する。なお、図1及び図2では、通電用のボンディングワイヤ及び封止樹脂は図示を省略している。
図1及び図2に示す本発明の放熱構造体では、半導体素子11が電極板12と共に半導体装置1の樹脂成型部13に固着されており、電極板12は樹脂成型部13の表面の一部を構成している。電極板12の材質は特に制限されるものではなく、任意の導電性物質を使用することができるが、電気伝導性及び熱伝導性の面で金属が好ましく、特に銅系金属が好ましい。樹脂成型部13の材質も特に制限されるものではなく、ポリフェニレンスルフィド、ポリブチレンテレフタレート、フェノール樹脂等の任意の熱可塑性又は熱硬化性樹脂を使用することができるが、高絶縁性及び高耐熱性の樹脂材料が好ましい。
樹脂成型部13には複数の固定用穴14が形成されており、固定用穴14に挿入される固定用ネジ3により樹脂成型部13はヒートシンク2に固定されている。ヒートシンク2は熱伝導性の面で金属製が好ましく、特に、アルミニウム系金属又は銅系金属が好ましい。ヒートシンク2内には冷媒通路5が形成されており、冷媒通路5内には放熱用冷媒が循環している。放熱用冷媒は特に限定されるものではなく、水又は各種有機溶媒等の慣用の冷媒が使用される。
図1及び図2に示す本発明の放熱構造体では、樹脂成型部13とヒートシンク2との間に、電気絶縁性且つ熱伝導性シート7(以下、単に「シート7」という)が挿入されており、シート7は樹脂成型部13の表面上の電極板12とヒートシンク2との間を電気的に絶縁している。そして、樹脂成型部13に対向するシート7の表面には熱伝導性グリース8(以下、単に「グリース8」という)が塗布され、また、シート7に対向するヒートシンク2の表面にもグリース8が塗布された状態で、シート7は固定用孔73を貫通する固定用ネジ3により半導体装置1の樹脂成型部13及びヒートシンク2と一体化されている。シート7の厚みは特に制限されるものではないが、0.01〜5mmが好ましく、0.1〜3mmがより好ましい。0.01mm未満では電気絶縁性が低下するおそれがあり、5mmを越えると熱伝導性が低下するおそれがある。
図1及び図2に示す放熱構造体の例では、半導体素子11において発生した熱は、電極板12→グリース8→シート7→グリース8→ヒートシンク2→冷媒通路5の経路により放熱される。図1及び図2の例では、グリース8が電極板12及びヒートシンク2の表面の微細な凹凸に充填され、熱抵抗となる微細な空隙を電極板12及びヒートシンク2とシート7との接触面に形成しないので、グリース8を塗布しない場合に比べて大幅に熱抵抗を低減することができる。なお、グリース8の層の厚みはシート7及びヒートシンク2の表面状態にもよるが、0.01〜2mmが好ましく、0.1〜1mmがより好ましい。0.01mm未満では潤滑特性が失われるおそれがあり、2mmを越えると熱抵抗が増大するおそれがある。
図1及び図2に示す放熱構造体の例では、グリース8の塗布パターンは特に制限されるものではなく、グリース8は、例えば、シート7の両面、及び/又は、樹脂成型部13及びヒートシンク2の表面に塗布されてもよい。しかし、熱抵抗低減の観点からは、図示されるように、シート7の両面にグリース8が塗布されることが好ましい。また、半導体装置1とヒートシンク2の一体化の順序も特に限定されるものではなく、シート7の一方の面を半導体装置1(樹脂成型部13)に圧着した後にシート7の他方の面をヒートシンク2に圧着してもよく、また、その逆でもよい。しかし、工程の簡略化の点では、半導体装置1、シート7及びヒートシンク2の一体化は同時に行うことが好ましい。
前記塗布のための手段も特に限定されるものではなく、ローラー、ブレード、ワイヤー等の任意の塗布手段を使用することができる。また、グリース8は、ディスペンサー等の公知の塗布手段を用いてスポット塗布されてもよい。スポット塗布量は、グリース8の所望の厚みによるが、1点当たり10〜100mgが好ましい。
次に図1及び図2の放熱構造体に低温状態から高温状態への温度サイクルが付与された場合の作用を図3を用いて説明する。半導体装置1とヒートシンク2との間にグリース8が両面塗布されたシート7が介在する図3の放熱構造体において、グリース8はベースオイル81及び熱伝導性フィラー82を含み、シート7はシリコーンコンパウンド71及び熱伝導性フィラー72を含む。
例えば、半導体装置1の樹脂成型部の下面の一部を構成する電極板(図示を省略)が銅からなり、ヒートシンク2がアルミニウムからなる場合、線膨張係数は銅<アルミニウムであるために、図示しないが、図3(a)の低温条件下では放熱構造体は上に凸の反りを有し、図3(b)の高温条件下では下に凸の反りを有する。なお、自動車で使用される半導体装置の場合、半導体装置は半導体素子の稼働の如何に係わらず、天候・エンジン熱等の要因により、−20℃以下から+100℃以上までの温度範囲に曝される。
ここで、低温条件(図3(a))から高温条件(図3(b))への温度サイクル下では、シート7の両面には半導体装置1(の電極板)及びヒートシンク2から異なる変位が加えられることになる。しかし、図3の本発明の放熱構造体ではシート7とグリース8とは非相溶性であり、グリース8からシート7へのベースオイル等の物質の移行が実質的にないのでグリース8はペースト状態に維持される。そして、グリース8の潤滑作用により、シート7及び半導体装置1、並びに、シート7及びヒートシンク2は相互に自由に相対位置を変更することができる。したがって、シート7の両面には半導体装置1(の電極板)及びヒートシンク2からの圧縮力及び/又は引張力が伝達されることがなく、或いは、その大きさは影響のない程度にまで低減される。
このように、本発明の放熱構造体では、グリース8は長期間に亘って変質せず潤滑作用を発揮するので、電極板及びヒートシンク2から作用する圧縮力及び/又は引張力を解消又は軽減することができる。また、非相溶性のグリース8からシート7へのベースオイル等の物質移行が実質的に回避されるので、シート7はその機械的物性(引張強度、伸び特性等)を長期間に亘って維持することができる。したがって、温度サイクルが長期間に亘って繰り返し付与された場合であっても、シート7に亀裂等が発生することがなく、半導体装置1とヒートシンク2との間の絶縁不良の発生が長期に亘って防止される。
ところで、ある二物体が「相溶性」である典型例は、当該二物体が類似の化学構造を有する物質からなる場合である。例えば、図7〜図10に示す放熱構造体では、シート7及びグリース8が共にジメチルポリシロキサン系シリコーンからなるので、グリース8からシート7へ分子レベルでジメチルポリシロキサン成分が移行する。
そこで、図1〜図3に示す本発明の放熱構造体では、シート7及びグリース8の基材の化学構造は非類似であることが好ましい。例えば、シート7がメチルビニルシリコーン系ゴムシートである場合は、グリース8のベースオイルとしては、ジメチルシリコーン以外のポリオルガノシロキサン、例えば、C−C20アルキル変性シリコーンオイル、フッ化アルキル変性シリコーンオイル、又は、パーフルオロポリエーテルオイルが好ましい。また、例えば、シート7がフロロシリコーン系ゴムシートである場合は、グリース8のベースオイルとしては、フロロシリコーン以外のポリオルガノシロキサン、例えば、ジメチルシリコーンオイル、C−C20アルキル変性シリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル、又は、パーフルオロポリエーテルオイルが好ましい。
次に、図4を用いてグリース8に対する熱伝導性フィラーの充填態様について説明する。
図4(a)はベースオイル81中に同一の粒径のフィラー82を低充填率で配合したグリース8の例を示す。一方、図4(b)はベースオイル81中に同一の粒径フィラー82を高充填率で配合したグリース8の例を示す。フィラー81の充填率が低いと熱伝導性の向上が見られないので、放熱性の点では図4(b)のフィラーの充填パターンの方が好ましい。しかし、フィラー82の充填率を高めるとグリース8の稠度が低くなり、固くなるので、薄く塗布することが困難となる。したがって、図4(b)の充填パターンでは、結果的に、グリース8の塗布層が厚く為らざるを得ず、このために、全体的にはグリース8層の熱抵抗が増大してしまう。
そこで、図4(c)に示すように、粒径の異なる熱伝導性フィラー92、93を混合してベースオイル91中に配合してグリース9とすることが好ましい。この場合、熱伝導性ベースオイル91中のフィラー92、93の充填率を高めてもグリース9の稠度が低下することがない。したがって、比較的多量のフィラー92、93を含むグリース9の塗布層の厚みを薄くすることができるので、グリース9自体の熱伝導率向上と相まって、グリース9層の熱抵抗を大幅に低減することができる。
また、金属製の電極板12及び/又は金属製のヒートシンク2の表面にグリースを塗布する場合に比べて、ゴム製のシート7の表面にグリースを薄く塗布することは一般に困難であるが、稠度の高いグリース9であれば、ゴム製のシート7の表面であっても容易に薄く塗布することができるので、グリース層の存在自体による熱抵抗の増大が抑制される。
図5及び図6に、グリース9を使用した本発明の放熱構造体の製造方法の一例を示す。なお、図3と同一の部品には同一の符号を付し、説明を省略する。
まず、公知のディスペンサーを使用して、半導体装置1の樹脂成型部13に面するシート7の一方の表面及びシート7に対向するヒートシンク2の表面にグリース9をスポット塗布する。
次に、固定ネジ3を締め付けることにより、樹脂成型部13、シート7及びヒートシンク2を同時に一体化して放熱構造体とする。この際、図6に示すように、ヒートシンク2とシート7との間でグリース9はスポット状から面状に押し広げられるので、グリース9中の気泡が外部に押し出されて除去される。これにより、グリース9の熱抵抗を更に除去することができ、良好な熱伝導性を保持することができる。特に、稠度の高いグリース9を使用することにより、気泡の除去を良好に行うことができる。
なお、一体化の順序はこれに限られるものではなく、樹脂成型部13又はヒートシンク2の一方とシート7の一体化を先行して実施した後に、ヒートシンク2又は樹脂成型部13の他方との一体化を行ってもよい。ただし、工程数の点では、樹脂成型部13、シート7及びヒートシンク2の固定ネジ3による一体化を同時に行うことが好ましい。
なお、固定ネジ3のトルクを制御することにより、グリース9からの気泡除去の態様を制御することも可能である。
[参考例]
メチルビニルシリコーン生ゴム系シリコーンゴムシート(サーコンTR:富士高分子工業株式会社製:以下、「MSシート」という)及びフロロシリコーン生ゴム系シリコーンゴムシート(以下、「FSシート」という)のそれぞれを各種のベースオイルに70℃で200時間浸漬した後、各シリコーンゴムシートの質量を測定し、浸漬前の質量に対する増加率(膨潤率:wt%)を決定した。結果を表1に示す。
Figure 0004413649
参考例1〜6のゴムシートとベースオイルとの組み合わせは「非相溶性」であり、参考例7〜10のゴムシートとベースオイルの組み合わせは「相溶性」である。なお、発熱体及び放熱体の線膨張係数によっても異なるが、前記膨潤率が10wt%以下であるゴムシートとベースオイルの組み合わせは、本発明の電気絶縁性且つ熱導電性シート及び熱伝導性グリースの基材として使用可能である。したがって、参考例1〜6のゴムシート及びベースオイルの組み合わせは本発明の電気絶縁性且つ熱導電性シート及び熱伝導性グリースとして好適である。なお、参考例1〜10で使用された各ベースオイルは以下のとおりである。
・パーフルオロポリエーテルオイル
製品名 アウジモント社製フォンブリンM15(平均分子量が8000であるジフルオロメチレンオキサイドとテトラフルオロエチレンオキサイドとの共重合体で[0051]記載の[化13]に相当する)。
・ジメチルシリコーンオイル
25℃における粘度が500csであるポリジメチルシロキサン([0042]記載の[化2]に相当する)。
・メチルフェニルシリコーンオイル
25℃での粘度が100csで、フェニル基を5モル%含有するポリジメチルメチルフェニルシロキサン([0043]記載の[化3]に相当する)。
・ドデシル変性メチルシリコーンオイル
25℃での粘度が800csで、ドデシル基を45モル%含有するポリジメチルメチルドデシルシロキサン([0046]記載の[化6]に相当する)。
・フッ化アルキル変性シリコーンオイル
25℃での粘度が300csであるポリメチル3、3、3−トリフルオロプロピルシロキサン([0047]記載の[化9]に相当する)。
[実施例1]
メチルビニルシリコーン生ゴム100質量部に補強充填剤である乾式シリカ(二酸化ケイ素粉末、日本アエロジル社製、商品名エアルジル200)を5質量部混練したベースに、熱伝導性フィラーとして酸化アルミニウム(昭和電工株式会社製、商品名AL−30)を700質量部添加してコンパウンドとした。その後、加硫剤としてビス・2,4ジクロルベンゾイルパーオキサイド50%含有の加硫剤をコンパウンド中のメチルビニルシリコーン生ゴム100質量部に対して5質量部を添加し均一分散混合し配合物を得た。次に熱加硫プレス機を使用し120℃×5分の1次加硫を行なった後、熱風オーブンで200℃×4時間の2次加硫を行い、厚み0.20mmのシリコーンゴムシートを得た。
一方、参考例で使用したパーフルオロポリエーテルオイル27質量部を酸化アルミニウム粉末(粒径2ミクロン)73質量部と混練した後3本ロールにて均質化して稠度220のパーフルオロポリエーテルグリースを得た。
底面の大きさが約200mm×150mmの半導体装置1を採用した図1及び図2に示す放熱構造体において、シート7として前記シリコーンゴムシートを使用し、且つ、グリース8として前記パーフルオロポリエーテルグリースを使用したものについて、−40℃で30分且つ120℃で30分の温度サイクル試験を行った。5サイクル経過後であっても、シリコーンゴムシート及びパーフルオロポリエーテルグリースに異常はなく、継続使用が可能であった。
[比較例1]
実施例1において、前記パーフルオロポリエーテルグリースに代えて、参考例で使用したジメチルシリコーンオイル31質量部に酸化亜鉛(粒径0.5ミクロン)69質量部を混同して得られた稠度250のポリジメチルシロキサングリースを使用したこと以外は同一の条件下で温度サイクル試験を行った。1回目のサイクルでシリコーンゴムシートに亀裂が入り、継続使用不能となった。
本発明の放熱構造体の一実施態様を示す図 図1の断面図 図1及び図2において低温状態(a)から高温状態(b)への温度サイクルが付与された場合の放熱構造体の状態を示す概念図 熱伝導性グリース中における熱伝導性フィラーの充填パターンを示す図 本発明の放熱構造体の他の実施態様を示す図 スポット塗布された熱伝導性グリースの展延を示す図 従来の放熱構造体を示す図 図7の断面図 図7及び図8におけるシート4と電極板12及びヒートシンク2との接触部分の拡大概念図 図7及び図8において低温状態(a)から高温状態(b)への温度サイクルが付与された場合の放熱構造体の状態を示す概念図
符号の説明
1:半導体装置、2:ヒートシンク、3:固定ネジ、4:シート、5:冷媒通路、6:グリース、7:電気絶縁性且つ熱伝導性シート、8:熱伝導性グリース、9:熱伝導性グリース、11:半導体素子、12:電極板、13:樹脂成型部、14:固定用穴、41:シリコーンゴム基材、42:熱伝導性フィラー、61:シリコーンオイル基材、62:熱伝導性フィラー、71:シリコーンコンパウンド、72:熱伝導性フィラー、81:ベースオイル、82:熱伝導性フィラー、91:ベースオイル、92:熱伝導性フィラー

Claims (11)

  1. 電気絶縁性且つ熱伝導性シートを介して発熱体及び放熱体が一体化されている電子デバイスの放熱構造体において、
    前記電気絶縁性且つ熱伝導性シートと前記発熱体との間、及び/又は、前記電気絶縁性且つ熱伝導性シートと前記放熱体との間に、
    前記電気絶縁性且つ熱伝導性シートと非相溶性である熱伝導性グリースからなる熱伝導性グリース層が存在しており、
    前記電気絶縁性且つ熱伝導性シートがメチルビニルシリコーン系ゴム又はフロロシリコーン系ゴムからなり、
    前記電気絶縁性且つ熱伝導性シートがメチルビニルシリコーン系ゴムからなる場合は、前記熱伝導性グリースがパーフルオロポリエーテル系組成物、C−C20アルキル変性シリコーン系組成物又はフッ化アルキル変性シリコーン系組成物からなり、
    前記電気絶縁性且つ熱伝導性シートがフロロシリコーン系ゴムからなる場合は、前記熱伝導性グリースがジメチルシリコーン系組成物、パーフルオロポリエーテル系組成物、C−C20アルキル変性シリコーン系組成物又はメチルフェニルシリコーン系組成物からなる
    ことを特徴とする電子デバイスの放熱構造体。
  2. 前記電気絶縁性且つ熱伝導性シートの両表面上に前記熱伝導性グリース層が存在する、請求項1記載の放熱構造体。
  3. 前記熱伝導性グリースが粒径の異なる熱伝導性フィラーの混合物を含むことを特徴とする、請求項1又は2に記載の放熱構造体。
  4. 前記発熱体が半導体装置であることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれかに記載の放熱構造体。
  5. 電気絶縁性且つ熱伝導性シートの少なくとも一方の表面、及び/又は、発熱体及び/又は放熱体の表面に熱伝導性グリースを塗布する塗布工程、
    前記電気絶縁性且つ熱伝導性シートの表面に発熱体又は放熱体の一方の前記表面を圧着する第1の圧着工程、及び、
    前記電気絶縁性且つ熱伝導性シートの前記表面とは異なる他方の表面に発熱体又は放熱体の他方の前記表面を圧着する第2の圧着工程
    を含む電子デバイスの放熱構造体の製造方法であって、
    前記電気絶縁性且つ熱伝導性シートと前記熱伝導性グリースとは非相溶性であり、
    前記電気絶縁性且つ熱伝導性シートがメチルビニルシリコーン系ゴム又はフロロシリコーン系ゴムからなり、
    前記電気絶縁性且つ熱伝導性シートがメチルビニルシリコーン系ゴムからなる場合は、前記熱伝導性グリースがパーフルオロポリエーテル系組成物、C−C20アルキル変性シリコーン系組成物又はフッ化アルキル変性シリコーン系組成物からなり、
    前記電気絶縁性且つ熱伝導性シートがフロロシリコーン系ゴムからなる場合は、前記熱伝導性グリースがジメチルシリコーン系組成物、パーフルオロポリエーテル系組成物、C−C20アルキル変性シリコーン系組成物又はメチルフェニルシリコーン系組成物からなる
    ことを特徴とする電子デバイスの放熱構造体の製造方法。
  6. 前記塗布工程において、前記電気絶縁性且つ熱伝導性シートの両面に前記熱伝導性グリースが塗布されることを特徴とする、請求項5記載の製造方法。
  7. 前記塗布工程において、前記発熱体及び放熱体の表面に熱伝導性グリースが塗布されることを特徴とする、請求項5又は6記載の製造方法。
  8. 前記塗布工程において、前記熱伝導性グリースがスポット塗布されることを特徴とする、請求項5乃至7のいずれかに記載の製造方法。
  9. 前記二つの圧着工程が同時に行われる、請求項5乃至8のいずれかに記載の製造方法。
  10. 前記熱伝導性グリースが粒径の異なる熱伝導性フィラーの混合物を含むことを特徴とする、請求項5乃至9のいずれかに記載の製造方法。
  11. 前記発熱体が半導体装置であることを特徴とする、請求項5乃至10のいずれかに記載の製造方法。
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Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7328508B2 (en) * 2005-07-05 2008-02-12 International Business Machines Corporation Anisotropic heat spreading apparatus and method for semiconductor devices
JP2007305702A (ja) * 2006-05-10 2007-11-22 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
JP5151150B2 (ja) * 2006-12-28 2013-02-27 株式会社日立製作所 導電性焼結層形成用組成物、これを用いた導電性被膜形成法および接合法
US7462294B2 (en) * 2007-04-25 2008-12-09 International Business Machines Corporation Enhanced thermal conducting formulations
JP4825259B2 (ja) * 2008-11-28 2011-11-30 三菱電機株式会社 電力用半導体モジュール及びその製造方法
TWI401308B (zh) * 2008-12-23 2013-07-11 Kuo Chun Ying 奈米散熱材料
JP5577553B2 (ja) * 2009-05-27 2014-08-27 協同油脂株式会社 放熱コンパウンド組成物
FR2952377B1 (fr) * 2009-11-09 2012-05-04 Amc Holding Dispositif de contact pour ameliorer la dissipation thermique des appareils generateurs de chaleur
JP5593578B2 (ja) * 2010-03-23 2014-09-24 スタンレー電気株式会社 車両用灯具
CN103221520A (zh) * 2010-11-18 2013-07-24 电气化学工业株式会社 高耐久性热传导性组合物和低脱油性脂膏
US9598575B2 (en) * 2011-01-26 2017-03-21 Dow Corning Corporation High temperature stable thermally conductive materials
EP3573096B1 (en) * 2011-06-27 2022-03-16 Rohm Co., Ltd. Semiconductor module
JP6137439B2 (ja) * 2012-04-09 2017-05-31 Nok株式会社 絶縁放熱用ゴム成形品
US9706655B2 (en) * 2013-07-09 2017-07-11 Oleson Convergent Solutions Llc Packaging for high power integrated circuits and infrared emitter arrays
US10051735B2 (en) * 2013-07-09 2018-08-14 Oleson Convergent Solutions Llc Packaging for high power integrated circuits and infrared emitter arrays
JP5854363B2 (ja) * 2013-12-11 2016-02-09 富士高分子工業株式会社 蓄熱性組成物
CN106463485A (zh) * 2015-01-06 2017-02-22 富士高分子工业株式会社 蓄热性导热片材
US20180098462A1 (en) * 2015-04-24 2018-04-05 Nec Corporation Heat dissipation mechanism and device including the same
WO2017044712A1 (en) 2015-09-11 2017-03-16 Laird Technologies, Inc. Devices for absorbing energy from electronic components
JP2017126668A (ja) * 2016-01-14 2017-07-20 株式会社フジクラ 半導体パッケージ
JP2018034587A (ja) * 2016-08-30 2018-03-08 ダイキョーニシカワ株式会社 被接続部品の放熱構造
JP6321891B1 (ja) * 2016-12-26 2018-05-09 新電元工業株式会社 電子装置及び電子装置の製造方法
JP7029972B2 (ja) * 2018-02-07 2022-03-04 Nokクリューバー株式会社 潤滑グリース組成物、クラッチおよびパワーウィンドウモーター
KR20190125843A (ko) * 2018-04-30 2019-11-07 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 열 인터페이스 재료
JP7116653B2 (ja) * 2018-09-20 2022-08-10 信越ポリマー株式会社 放熱構造体およびそれを備えるバッテリー
US11107962B2 (en) * 2018-12-18 2021-08-31 Soulnano Limited UV LED array with power interconnect and heat sink
WO2021060319A1 (ja) * 2019-09-25 2021-04-01 デンカ株式会社 放熱シート、放熱シート積層体、構造体及び発熱素子の放熱処理方法
JP6886543B1 (ja) * 2020-04-16 2021-06-16 信越ポリマー株式会社 放熱構造体およびそれを備えるバッテリー
WO2022087877A1 (en) * 2020-10-28 2022-05-05 Dow Global Technologies Llc Alkylmethylsiloxane liquid immersion cooling media
JP2023111629A (ja) * 2022-01-31 2023-08-10 パナソニックIpマネジメント株式会社 電気機器
CN114953629A (zh) * 2022-04-20 2022-08-30 江西鑫远基电子科技有限公司 一种高散热铝基覆铜板及其生产工艺

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4962416A (en) * 1988-04-18 1990-10-09 International Business Machines Corporation Electronic package with a device positioned above a substrate by suction force between the device and heat sink
US5170930A (en) * 1991-11-14 1992-12-15 Microelectronics And Computer Technology Corporation Liquid metal paste for thermal and electrical connections
JPH11135691A (ja) 1997-10-31 1999-05-21 Hitachi Ltd 電子回路装置
US6653730B2 (en) * 2000-12-14 2003-11-25 Intel Corporation Electronic assembly with high capacity thermal interface
US6787899B2 (en) * 2002-03-12 2004-09-07 Intel Corporation Electronic assemblies with solidified thixotropic thermal interface material

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