JP4413157B2 - イオン注入と熱処理による発色したダイアモンドの製造方法 - Google Patents

イオン注入と熱処理による発色したダイアモンドの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4413157B2
JP4413157B2 JP2005059566A JP2005059566A JP4413157B2 JP 4413157 B2 JP4413157 B2 JP 4413157B2 JP 2005059566 A JP2005059566 A JP 2005059566A JP 2005059566 A JP2005059566 A JP 2005059566A JP 4413157 B2 JP4413157 B2 JP 4413157B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
diamond
heat treatment
ion implantation
ions
implanted
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2005059566A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005247686A (ja
Inventor
ジェウォン パク
ジェヒョン リー
チャンウォン ソン
ビョンホ チェー
Original Assignee
韓國原子力研究所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 韓國原子力研究所 filed Critical 韓國原子力研究所
Publication of JP2005247686A publication Critical patent/JP2005247686A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4413157B2 publication Critical patent/JP4413157B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/25Diamond
    • C01B32/28After-treatment, e.g. purification, irradiation, separation or recovery
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/0015Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterized by the colour of the layer
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/48Ion implantation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58After-treatment

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Geology (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Adornments (AREA)

Description

本発明は、発色したダイアモンドの製造方法に関し、詳細には、イオン注入と熱処理による発色したダイアモンドの製造方法に関する。
一般的に、天然状態でのダイアモンドは、透明な無色から黒色までほとんど全ての色のものが産出される。この中で、不純物の混入がない無色のダイアモンドが最も高い価値を持ち珍しい色を発するものになるほど高い価値がある。しかし、工業用に使用するために人工的に合成されたダイアモンドは、触媒に使用した物質等が残留して不純物を含んでいるため、ある特定の色を帯びている。この場合、強度や耐酸性面では優れているが宝石としての価値は、大きく落ちる。したがって、当該技術分野では天然及び合成ダイアモンドに人為的に色を付加して前記の問題点を克服する方法が開発されている。
従来のダイアモンド発色方法としては、放射能照射法、表面拡散法、イオン注入法等がある。
(1)放射能照射法は、α線やγ線等の高エネルギー粒子を宝石表面部に露出させて点欠陥を誘発させることによって色を出させる原理で、放射能が宝石から継続放出されるため半減期を考慮した安全な数値まで下がるのに10年以上の長い時間が所要され商用化が難しい短所がある。
詳細には、ダイアモンドの場合、高エネルギー粒子衝突により淡い黄色からファンシーブルー、グリーン、ブラウン、オレンジ、ベリーダークグリーンそしてイエローに変化できるという報告があり、このような高エネルギー粒子は、電子、中性子、陽性子、ガンマー線、アルファ粒子等を含む。ガンマー線(普通60Co使用)に露出時、青や黄色い中心を生成して茶色や茶色がかった緑色の外観を示し、中心の黄色は、熱処理により容易に除去される。また、ライナック処理(Linac treatment)といい、電子ビームに露出させる場合があるが、この場合深い青色(スカイブルーとも言われる)を生成し、後熱処理(冷却または加熱)により好ましくない残余黄色が除去される。原子炉で高速中性子に露出して青色を出す場合があり、詳細には中程度から暗い灰色がかった青の色相を出し、スチーリー(steely)またはインキー(inky)と命名されたりし、後熱処理なしでも色相がそのまま維持されるという報告がある。原子炉で発色処理をした場合、電子ビーム加速機(Linac)処理と共に、商業的取引時に放射性活性(radioactivity)関係でNRCの規制及び許可が必要である。また、原子炉(Nuclear reactor)、及び電子ビーム加速機及び熱処理(Linac&Heat treating)からなる複合処理を通じて濃い青色を出したものは、エレクトラブルー、スーパーブルー、ニューブルー、スイスブルー、マックスブルー、アメリカンブルー、スーパースカイブルー等の商業的名称で呼ばれたりする。
しかし、ガンマー線と中性子照射を除くたいていの場合、近接表面の色相だけを変化させ、雨傘状カラーゾーン(umbrella like color zonation)または不均一彩色を誘発する。
(2)表面拡散法は、ダイアモンド周辺に粉末または液状形態の金属成分を位置させて特定温度に温度を上昇させ、熱拡散により表面部分から金属成分を拡散させる方法であり、金属拡散源の酸化を防止できる高温炉さえあれば可能であり、経済的な長所がある。面方向による拡散程度の差異により不均一な色相変化が可能であるが、ダイアモンドのような小型宝石には、肉眼判別が不可能な程度に簡単な方法である。詳細には、このような方法は、コーティングやべーキングで色相変化を誘発する方法で、コーティングが非常にうまくできればコーティングの痕迹もなしに色相を本物そっくりに変化させられるが、コーティング膜が剥がれると醜くなり色相が原状復帰する欠点がある。
茶色(brownまたはpale brown)ダイアモンドを高圧で加熱して、カラーセンター(color center)を除去したり減らしたりして無色またはパールピンクまたはパールブルーになるようにして販売する場合がある。この方法は、GEで開発されペガサスオーバーシーズリミテッド社から販売され「GE POL」宝石と命名された。
最後に、イオン注入法は、金属イオンを高真空下で加速させてダイアモンド表面に注入する方法で、イオンの種類により多様な発色が可能な特徴を持っている。しかし、高価なイオン注入設備が必要で、イオン注入の深さが表面から1μm以内であるため最終色相の質感が天然石より劣り、表面損傷が進行する欠点がある。
本発明の目的は、従来のイオン注入法による発色したダイアモンドの製造方法の問題点を解決するためのものであり、より簡単に少ない費用で発色したダイアモンドを製造でき、ダイアモンドに均一な色相を付与できる発色したダイアモンドの製造方法を提供することである。
前記目的を達成するために、本発明は、イオン注入法による発色したダイアモンドの製造方法において、
Nイオンを真空下で50〜100keVのイオンエネルギーで加速させて5×1015〜5×1018ions/cmでダイアモンド表面に注入する工程(工程1)及び前記Nイオンが注入されたダイアモンドを真空又は不活性気体雰囲気下で500℃以上の温度で熱処理する工程(工程2)からなる発色したダイアモンドの製造方法を提供する。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の発色したダイアモンドの製造方法は、ダイアモンドに光学的バンドギャップ変化を誘発できるイオンを注入することにより、発色変化が発生する現象を利用したものである。ダイアモンドは、置換型不純物を添加したり空孔を発生させることにより色相が変化するが、詳細には炭素で構成されたダイアモンド結晶の炭素格子点に特定イオンが誘入されると、各々電子ドナーと電子アセプターとして作用し、バンドギャップが可視光線波長領域内の電子エネルギー転移水準になるようにすることにより発色変化を誘発する。
本発明は、前記原理を利用して、2工程からなる発色したダイアモンドの製造方法を提供する。
まず、工程1では、イオンを真空下で加速させてダイアモンド表面に注入する。前記イオンは、ダイアモンドに光学的バンドギャップ変化を誘発できるイオンであり、ダイアモンド結晶内炭素格子点に前記イオンを誘入したり格子欠陥を生成したりして発色変化を誘発させる役割を担う。格子欠陥を生成するには、Nイオンの使用が好ましい。Nイオンの注入量発色する色の濃さにより調節でき、イオンエネルギー50〜100keV範囲で5×1015〜5×1018 ions/cm2で注入するのが好ましい。
工程2では、前記イオンが注入されたダイアモンドを熱処理して発色したダイアモンドを製造する。
前記熱処理は、イオン注入直後のダイアモンドの幾何学的形状により不均一に発色したダイアモンドに均一な色相を付与するためにもので、熱処理によりダイアモンドに注入されたイオンを拡散させて表面に均一に分布させる役割をする。前記熱処理は、真空または不活性気体雰囲気下で行なう。ここで、不活性気体には、窒素、ヘリウムまたはアルゴンを使用できる。また、熱処理温度は、500℃以上で行ない、前記範囲未満の場合は注入されたイオンの充分な拡散が得られず、均一な色相を付与することができない。
本工程では、イオン注入機を利用してダイアモンド表面にイオンを注入するが、100keV以下の商業的イオン注入機を利用出来る。これにより、従来は金属イオンを注入するために高価なイオン注入機を使用しなければならなかったが、本発明では、このような問題点を解決することができる。
熱処理によりダイアモンドに注入されたイオンを拡散させて表面に均一に分布させることができる。また、前記イオン注入及び熱処理条件を調節してダイアモンドに永久的な発色効果を付与することもできる。また、均一で永久的に発色するブラックダイヤモンドを提供することができる。
以下、本発明を実施例により詳細に説明する。
但し、下記の実施例は、本発明を例示するだけのものであって、本発明の内容が下記の実施例に限定されるものではない。
(発色したダイアモンドの製造)
00.1カラットの人造及び天然ダイアモンドをイオン注入機の真空容器照射ジグ(jig)に位置させた後、イオン源から引き出されたイオンを質量分析機で分離して1価窒素イオンを選択後、加速させてエネルギーを70keVにして1017/cm2のイオン量で注入した。窒素イオンが注入されたダイアモンドをアルゴン雰囲気で650℃で2時間熱処理した。
得られたダイアモンドを、図1に示した。詳細には、左側写真は窒素イオン注入後、熱処理前のダイアモンドで、右側写真は窒素イオン注入及び熱処理後に得られたダイアモンドである。
図1の熱処理前のダイアモンドと熱処理後のダイアモンドを比較すると、イオン注入直後のダイアモンドは、不均一に発色しているが、これは、ダイアモンドの幾何形状によるもので、これを不活性気体雰囲気で熱処理することにより均一な黒色に変わったことが分かる。これは、熱処理により注入された窒素元素が拡散によって表面に均一に分布されたことを示している。イオン注入直後、薄い黄色が見られるが、これはダイアモンド製作時にホウ素等の不純物が含有されているためである。
(実験例1:X線光電子分光器を使用した注入窒素の化学状態分析)
窒素イオン注入後、熱処理により発色変化が起きる機構を明らかにするため、X線光電子分光器を使用して注入窒素のN1s化学状態を分析した。ここで、X線光電子分光器は、フィジカルエレクトロニクス(Physical Electronics)社のPhi 5800モデルを使用した。前記X線光電子分光器を使用してX線を試片に照射して、Nの1s電子の結合エネルギーを測定することによりNの化学結合状態を確認できる。分析の結果、窒素がダイアモンドを構成する炭素と結合をしているなら使用環境に影響を受けずに発色効果が安定的であることを推定できる。
結果は、図2乃至図4に示した。詳細には、図2はイオン注入直後のもので、図3はイオン注入後、アルゴン雰囲気下、650℃で2時間熱処理したもので、図4はイオン注入後、空気中、650℃で2時間熱処理したものである。
図2から分かるように、イオン注入直後のダイアモンドは窒素元素の存在が顕著であり非化学量論比的(non-stoichiometric)C-N化合物を形成している。このような理由でイオン注入直後のダイアモンドは、不均一な黒色をしている(図1左側参照)。
図3から分かるように、イオン注入後、アルゴン雰囲気下で熱処理したダイアモンドは、密度が下がったけれど化学量論比的(Stoichiometric)C-N(C3N4)化合物を形成する傾向を示している。このような理由で熱処理後、ダイアモンドは均一な黒色をしていて、またこのような発色効果が一時的ではなく永久的彩色であることを示している。
これに比べて、図4から分かるように、イオン注入後、空気中で熱処理したダイアモンドは窒素が検出されなかった。
(実験例2:熱処理時の熱処理雰囲気による発色効果測定)
熱処理雰囲気による発色効果を確認するために、実施例1で製造した黒色ダイアモンドと実施例1と同じ方法を実施してアルゴン雰囲気ではなく大気中で製造したダイアモンドの色を視覚で比較した。
結果は、図5に示した。詳細には、上側写真は実施例1で製造したダイアモンドで、下側の写真は大気中で熱処理したダイアモンドを示したものである。
図5から分かるように、ダイアモンドに窒素イオンを注入後、大気中熱処理をした時、発色効果が無くなることが分かる。これは、熱処理条件の重要性を示す例で、窒素イオン注入量1017/cm2でイオン注入した後、大気中650℃で2時間熱処理した結果、イオン注入後に変化した発色効果が再び元に戻ることを示している。これは、注入した窒素イオンがダイアモンドの構成元素である炭素と反応して安定した化合物を形成する前に空気に接触して熱処理をすると注入された元素が再び還元され発色効果が消えてしまうものと考えられる(黒色ダイアの中央が他の色に見えるのは顕微鏡光の反射のためである。肉眼とは無関係)。
上述したように、本発明の発色したダイアモンドの製造方法は、ダイアモンドに光学的バンドギャップ変化を誘発できるイオンを注入することにより、従来の金属イオンを注入するイオン注入法に比べて簡単で少ない費用で発色したダイアモンドを製造でき、熱処理を行なうことにより、ダイアモンドに均一な色相を付与できる。それだけではなく、本発明の製造方法は、一種以上のイオンを混合注入することができ、多様な発色を現わすダイアモンドを製造でき、イオン注入と熱処理条件により永久的な発色効果を得ることができる。
本発明で窒素イオンをイオン量1017/cmで注入した直後及び注入後、アルゴン雰囲気下650℃で2時間熱処理したダイアモンドの発色変化を示した写真である。 本発明でイオン注入直後の発色したダイアモンドのX−線光電子分光器による窒素の化学状態を分析したグラフである。 本発明でイオン注入後、アルゴン雰囲気下、650℃で2時間熱処理した発色したダイアモンドのX−線光電子分光器による窒素の化学状態を分析したグラフである。 イオン注入後空気中、650℃で2時間熱処理した発色したダイアモンドのX−線光電子分光器による窒素の化学状態を分析したグラフである。 本発明でダイアモンドに窒素イオンを注入後、アルゴン雰囲気及び大気中で熱処理したダイアモンドを比較した写真である。

Claims (2)

  1. イオン注入法による発色したダイアモンドの製造方法において、
    Nイオンを真空下で50〜100keVのイオンエネルギーで加速させて5×1015〜5×1018ions/cmでダイアモンド表面に注入する工程(工程1)及び前記Nイオンが注入されたダイアモンドを真空又は不活性気体雰囲気下で500℃以上の温度で熱処理する工程(工程2)からなる発色したダイアモンドの製造方法。
  2. 前記不活性気体が、窒素、ヘリウムまたはアルゴンであることを特徴とする請求項1に記載の発色したダイアモンドの製造方法。
JP2005059566A 2004-03-04 2005-03-03 イオン注入と熱処理による発色したダイアモンドの製造方法 Expired - Fee Related JP4413157B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040014557A KR100644929B1 (ko) 2004-03-04 2004-03-04 이온주입과 열처리에 의한 발색된 다이아몬드의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005247686A JP2005247686A (ja) 2005-09-15
JP4413157B2 true JP4413157B2 (ja) 2010-02-10

Family

ID=34910015

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005059566A Expired - Fee Related JP4413157B2 (ja) 2004-03-04 2005-03-03 イオン注入と熱処理による発色したダイアモンドの製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7604846B2 (ja)
JP (1) JP4413157B2 (ja)
KR (1) KR100644929B1 (ja)
CN (1) CN100424225C (ja)
IT (1) ITTO20050139A1 (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5177472B2 (ja) * 2006-10-05 2013-04-03 地方独立行政法人 東京都立産業技術研究センター カット面を着色したダイヤモンド粒子の製造方法、およびカット面に文様を描画したダイヤモンド粒子の製造方法
JP5463352B2 (ja) * 2008-06-12 2014-04-09 コリア アトミック エナジー リサーチ インスティチュート 発色調節されたサファイアの製造方法
CN102021525B (zh) * 2010-12-02 2013-01-16 武汉科技大学 一种基于离子注入的彩色不锈钢及其制备方法
US8961920B1 (en) 2011-04-26 2015-02-24 Us Synthetic Corporation Methods of altering the color of a diamond by irradiation and high-pressure/high-temperature processing
CN102208321B (zh) * 2011-05-11 2013-06-19 江苏大学 一种激光诱导等离子体注入基材的方法及装置
CN107840331B (zh) * 2017-11-02 2021-04-06 长沙新材料产业研究院有限公司 一种金刚石改性的方法及改性金刚石
DE112020003569A5 (de) 2019-07-25 2022-04-28 Quantum Technologies UG (haftungsbeschränkt) NV-Zentrum basierender mikrowellenfreier Quantensensor und dessen Anwendungen und Ausprägungen
WO2021030557A1 (en) * 2019-08-13 2021-02-18 Pt Creations Synthetic diamond jewelry and fabrication method thereof
CN110625123B (zh) * 2019-08-26 2021-09-03 中南钻石有限公司 一种高性能聚晶金刚石复合片及其制备方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1287A (en) * 1839-08-14 galpin
JPS5576060A (en) * 1978-12-04 1980-06-07 Agency Of Ind Science & Technol Metal surface coloring method
JPS56127775A (en) * 1980-03-06 1981-10-06 Agency Of Ind Science & Technol Protection of metallic copper from corrosion
JPS62214173A (ja) * 1986-03-17 1987-09-19 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 透光性基板の着色方法
US5075764A (en) * 1989-06-22 1991-12-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Diamond electric device and manufacturing method for the same
JPH03115582A (ja) * 1989-09-29 1991-05-16 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk ダイヤモンド上への貴金属コーティング方法
JP2836790B2 (ja) * 1991-01-08 1998-12-14 株式会社神戸製鋼所 ダイヤモンド薄膜へのオーミック電極形成方法
ZA933939B (en) * 1992-06-05 1993-12-30 De Beers Ind Diamond Diamond doping
USH1287H (en) * 1992-06-16 1994-02-01 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Ion implanted diamond metal-insulator-semiconductor field effect transistor
JP3339137B2 (ja) * 1993-10-27 2002-10-28 住友電気工業株式会社 合成ダイヤモンド単結晶およびその製造方法
US5702586A (en) * 1994-06-28 1997-12-30 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Polishing diamond surface
JP3584450B2 (ja) * 1995-03-17 2004-11-04 住友電気工業株式会社 レーザー発振素子及びレーザー発振装置
JPH09106958A (ja) * 1995-06-23 1997-04-22 De Beers Ind Diamond Div Ltd 結晶基体のドーピング
JP2001035804A (ja) * 1999-07-21 2001-02-09 Agency Of Ind Science & Technol ダイヤモンド半導体およびその作製方法
JP3138705B1 (ja) * 1999-08-31 2001-02-26 工業技術院長 ダイヤモンドpn接合ダイオードおよびその作製方法
IL154390A0 (en) * 2000-08-11 2003-09-17 Gen Electric High pressure and high temperature production of diamonds
CN1340331A (zh) * 2000-08-30 2002-03-20 顾汉卿 钛表面修饰人工晶体的方法及其产品
US7402835B2 (en) * 2002-07-18 2008-07-22 Chevron U.S.A. Inc. Heteroatom-containing diamondoid transistors
KR20040012090A (ko) * 2002-07-31 2004-02-11 송오성 다이아몬드의 발색방법
KR20040023447A (ko) * 2002-09-11 2004-03-18 송오성 이온주입과 열처리 공정을 이용한 보석발색방법
US8168413B2 (en) * 2006-11-22 2012-05-01 Academia Sinica Luminescent diamond particles

Also Published As

Publication number Publication date
CN1664162A (zh) 2005-09-07
KR20050089239A (ko) 2005-09-08
US7604846B2 (en) 2009-10-20
ITTO20050139A1 (it) 2005-09-05
US20050196547A1 (en) 2005-09-08
CN100424225C (zh) 2008-10-08
KR100644929B1 (ko) 2006-11-13
JP2005247686A (ja) 2005-09-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4413157B2 (ja) イオン注入と熱処理による発色したダイアモンドの製造方法
US8778463B2 (en) Method for manufacturing the color controlled sapphire
Crossfield et al. The role of defect interactions in reducing the decay time of H3 luminescence in diamond
Ausin et al. Thermoluminescence and F-centre thermal annealing in heavily irradiated KCl and NaCl crystals
US5084909A (en) Method of processing gemstones to enhance their color
Crawford Jr A review of neutron radiation damage on corundum crystals
JPS62278200A (ja) トパーズの照射法
KR100856109B1 (ko) 발색조절된 사파이어 제조방법
Nassau Altering the color of topaz
US3616357A (en) Method of modification of the color of gems
Parajuli et al. Evaluation of radio-photoluminescence spectra of copper-doped phosphate glass dosimeter irradiated with ionized particles
EP1097107B1 (en) A method of altering the colour of a material
KR20040023447A (ko) 이온주입과 열처리 공정을 이용한 보석발색방법
JP2008256404A (ja) 熱蛍光線量測定素子
JP5177472B2 (ja) カット面を着色したダイヤモンド粒子の製造方法、およびカット面に文様を描画したダイヤモンド粒子の製造方法
KR101010929B1 (ko) 전자빔을 이용한 옐로우 사파이어의 제조방법
JPH02184600A (ja) ダイアモンドの着色法
RU2434977C1 (ru) Способ получения алмазов фантазийного желтого и черного цвета
KR20080089734A (ko) 청색 다이아몬드의 제조방법
KR20080096940A (ko) 황색 다이아몬드의 제조방법
CN218089375U (zh) 一种电子加速器静态辐照水冷型支架
Ardalkar et al. JOURNAL OF MINING INSTITUTE
Lin et al. Evolution of hardness and transmittance in irradiated LiF single crystals at elevated temperatures
Matzke et al. Damage recovery in the U-sublattice of ion implanted UO2 between 5 K and 2000 K
RU2178814C1 (ru) Способ окрашивания некондиционных алмазов в черный цвет

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070711

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070724

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090310

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090703

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20090723

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090811

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091001

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20091027

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20091117

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121127

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4413157

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121127

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131127

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees