JP4410599B2 - スイッチング電源装置 - Google Patents

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Description

この発明は、スイッチング電源装置、特に一次側で位相シフト制御を行ない、二次側で同期整流を行なうスイッチング電源装置に関する。
電源は電子装置にとって欠かせないものであるが、如何に効率を上げるかが課題となっている。現在は、一次側スイッチング素子のゲート信号を位相シフトさせ、二次側で同期整流させるなどの方法がとられている。
図10に、例えば特許文献1に開示された従来例を示す。
図示のように、一次側は半導体素子131〜134でフルブリッジ回路130が構成され、各半導体素子131〜134と並列にソフトスイッチング用コンデンサ135〜138が接続され、共振インダクタンス112と直流カットコンデンサ113と、トランス140の一次巻線141とが直列接続されている。また、二次側には、トランス140の二次巻線142と、2個の半導体素子231,232と、2個のインダクタンス233,234と、出力コンデンサ211が設けられている。
このような構成において、図11に示すゲート信号Q11〜Q14をフルブリッジ回路に与え、トランス140の一次巻線141に交流電圧を印加することにより、二次巻線142に誘導起電力が発生する。この誘導起電力をブリッジ回路230により整流し、出力コンデンサ211および負荷251に供給する。
すなわち、ゲート信号Q11〜Q14をフルブリッジ回路130に与え、信号S1,S2を二次側の整流回路を形成する半導体素子231,232に与える期間、つまり半導体素子131と133が同時オンする期間と、132と134が同時オンする期間を設ける。この期間において、共振インダクタンス112に蓄積されたエネルギーにより、還流電流が流れる。このとき、対向アームの半導体素子をオンさせる前に、半導体素子と並列接続されるソフトスイッチング用コンデンサに蓄えられた電荷を引き抜き、すなわちゼロ電圧オン動作により、ターンオン時の損失低減を図るようにしている。
特許第3477029号公報(第4−6頁、図1)
しかし、従来方式では、還流期間に流れる還流電流により、トランス140の銅損とフルブリッジ回路の半導体素子131〜134の導通損失が大きくなるだけでなく、還流期間に231,232のどちらかの半導体素子にしか電流が流れないため、効率が悪いという問題がある。
したがって、この発明の課題は、トランスの銅損および半導体素子の導通損失を低減することにある。
このような課題を解決するため、請求項1の発明では、第1の半導体素子と第2の半導体素子とを直列接続した第1のアームと、第3の半導体素子と第4の半導体素子とを直列接続した第2のアームと、直流電源とを並列に接続するとともに、前記第1のアームの接続点と第2のアームの接続点間に直流カット用コンデンサと共振用インダクタンスとトランスの一次巻線との直列回路を接続する一方、
第5の半導体素子と第1のインダクタンスとを直列接続した第3のアームと、第6の半導体素子と第2のインダクタンスとを直列接続した第4のアームと、出力コンデンサと、負荷とを並列接続するとともに、前記トランスの二次巻線を前記第3のアームの接続点と前記第4のアームの接続点間に接続し、第1のダイオードと第1のコンデンサとの直列回路を前記第5の半導体素子と並列に、第2のダイオードと第2のコンデンサとの直列回路を前記第6の半導体素子と並列にそれぞれ接続し、第3のダイオードと第3のインダクタンスとの直列回路を前記第1のダイオードと第1のコンデンサとの接続点と前記トランスの二次巻線の第2端子との間に接続し、かつ、第4のダイオードと第4のインダクタンスとの直列回路を前記第2のダイオードと第2のコンデンサとの接続点と前記トランスの二次巻線の第1端子との間に接続し、前記第5,第6の半導体素子を同時にオンする期間を設けることを特徴とする。
請求項2の発明では、第1の半導体素子と第2の半導体素子とを直列接続した第1のアームと、第3の半導体素子と第4の半導体素子とを直列接続した第2のアームと、直流電源とを並列に接続するとともに、前記第1のアームの接続点と第2のアームの接続点間に直流カット用コンデンサと共振用インダクタンスとトランスの一次巻線との直列回路を接続する一方、
第5の半導体素子と第1のインダクタンスとを直列接続した第3のアームと、第6の半導体素子と第2のインダクタンスとを直列接続した第4のアームと、出力コンデンサと、負荷とを並列接続するとともに、前記トランスの二次巻線を前記第3のアームの接続点と前記第4のアームの接続点間に接続し、第1のダイオードと第1のコンデンサとの直列回路を前記第5の半導体素子と並列に、第2のダイオードと第2のコンデンサとの直列回路を前記第6の半導体素子と並列にそれぞれ接続し、前記第1のインダクタンスと第2のインダクタンスとの接続点と第1のダイオードと第1のコンデンサとの接続点との間に第3のダイオードと第3のインダクタンスとの直列回路を接続し、かつ、前記第2のダイオードと第2のコンデンサとの接続点と前記第3のダイオードと第3のインダクタンスとの接続点間に第4のダイオードを接続し、前記第5,第6の半導体素子を同時にオンする期間を設けることを特徴とする。
請求項3の発明では、第1の半導体素子と第2の半導体素子とを直列接続した第1のアームと、第3の半導体素子と第4の半導体素子とを直列接続した第2のアームと、直流電源とを並列に接続するとともに、前記第1のアームの接続点と第2のアームの接続点間に直流カット用コンデンサと共振用インダクタンスとトランスの一次巻線との直列回路を接続する一方、
前記トランスの二次側の第1,第2出力端子には第5の半導体素子の一端,第6の半導体素子の一端をそれぞれ接続し、第5の半導体素子の他端と第6の半導体素子の他端とトランスのセンタータップとの間には、第1のインダクタンスと出力コンデンサとの直列回路を接続するとともに前記出力コンデンサと並列に負荷を接続し、前記第5の半導体素子と並列に第1のコンデンサと第1のダイオードとの直列回路、また前記第6の半導体素子と並列に第2のコンデンサと第2のダイオードとの直列回路をそれぞれ接続し、かつ、前記第1のコンデンサと第1のダイオードとの接続点と前記トランスのセンタータップとの間には、第3のダイオードと第2のインダクタンスとの直列回路を接続し、前記第2のコンデンサと第2のダイオードとの接続点と前記第3のダイオードと第2のインダクタンスの接続点との間には第4のダイオードを接続し、前記第5,第6の半導体素子を同時にオンする期間を設けることを特徴とする。
この発明によれば、トランス二次側に還流回路を設けるようにしたので、トランスの銅損とフルブリッジを構成する半導体素子の導通損失を低減することが可能になる。また、トランス二次側の整流用半導体素子に同時オン期間を設けるようにしたので、還流期間内に二次側の整流用半導体素子間に電流が分流し、整流用半導体素子が並列接続されたのと同じになり、二次側の整流用半導体素子の導通損失が低減される。
図1はこの発明の第1の実施の形態を示す回路図である。
同図からも明らかなように、この回路は図10に示す従来回路に対し、二次側にコンデンサ221,225と、ダイオード222,224,226,228と、インダクタンス223,227と追加した点が特徴である。
コンデンサ221とダイオード222とを直列接続したアームを半導体素子231に並列に接続し、ダイオード224のアノードをダイオード222のカソードに接続し、ダイオード224のカソードをインダクタンス223の一端に接続し、インダクタンス223の他端を二次巻線142の第2出力端子に接続する。
また、コンデンサ225とダイオード226とを直列接続したアームを半導体素子232に並列に接続し、ダイオード228のアノードをダイオード226のカソードに接続し、ダイオード228カソードをインダクタンス227の一端に接続し、インダクタンス227の他端を二次巻線142の第1出力端子に接続する。
トランス140の二次巻線142に誘起された電圧がゼロになると、追加回路で還流動作を行ない、トランス140の二次巻線142に流れる電流を対向アームの半導体素子に
分流させ、トランス140の銅損および一次側フルブリッジ回路の導通損失を低減させるようにする。
図2は図1の動作説明図である。
図2にQ11,Q12,Q13,Q14で示すようなゲート信号を、一次側フルブリッジ回路を構成する半導体素子131,132,133,134にそれぞれ与える一方、S1,S2で示すゲート信号を二次側の整流回路を構成する半導体素子231,232にそれぞれ与える。従来回路と同様に、半導体素子131と134がオンすることにより、トランス140の二次巻線142に正方向の電圧Vtr2(示矢参照)が誘起され、整流回路の半導体素子232とインダクタンス233により整流,平滑され、直流化された電圧を出力コンデンサ211を通して負荷251に供給する。このとき、一次側フルブリッジ回路の対向アームの半導体素子132,133をオンさせる前にゲート信号により位相シフト動作をさせ、半導体素子131と133が同時オンする期間が設けられている。
トランス二次巻線に正方向の電圧が誘起されるときは、二次巻線142→インダクタンス233→出力コンデンサ211→半導体素子232→二次巻線142の経路で電流が流れる一方(図3(a)の実線経路参照)、追加された回路では二次巻線142→コンデンサ221→ダイオード224→インダクタンス223→二次巻線142の経路にも電流が流れ(図3(a)の点線経路参照)、コンデンサ221が充電される。インダクタンス223は、この充電電流のピーク値を抑え、損失増加を防止する役割を持つ。
トランス140の二次巻線に誘起された電圧がゼロになるとコンデンサ221は放電するが、その経路はコンデンサ221→二次巻線142→半導体素子232→ダイオード222→コンデンサ221となる(図3(a)参照)。この放電動作により、トランス140の二次巻線142に流れ続けようとする電流を打ち消す傾向にある。このため、トランス140の二次巻線142に流れる電流が半導体素子231に分流する(図3(c)参照)。
ここでは、従来例と異なり二次側整流回路の半導体素子231,232が同時に導通する期間、すなわち図2に示す期間Tbを設け、この期間において半導体素子231を既にオンさせている。その結果、図2の期間Tbでは、二次巻線142に流れる電流Itr2(図2参照)が従来より低下する。そのため、一次側回路に流れる還流電流が減少し、フルブリッジ回路130の半導体素子の導通損失と、トランス140の一次巻線141,二次巻線142の銅損が低減される。また、この期間では、半導体素子232に流れる電流Is1が半導体素子231に分流し、この2個の半導体素子231と232とが並列接続されたと同じことになるため、導通損失が低減される。
同じ原理で、トランス140の二次巻線142に負方向に電圧が誘起されるとき、コンデンサ225が充放電され、この還流動作により半導体素子231に流れる電流が半導体素子232に分流され、Tc期間に二次巻線142に流れる電流Itr2が従来例より低減する。その結果、フルブリッジ回路の半導体素子の導通損失と、トランス140の一次巻線141,二次巻線142の銅損が低減される。また、この期間では、半導体素子231に流れる電流Is2が半導体素子232に分流し、この2個の半導体素子231と232とが並列接続されたことと同じであるため、導通損失が低減される。
また、二次回路で還流動作を行なうことにより、半導体素子133,134がターンオンする際に一次側に流れる電流が小さくなるため、ソフトスイッチング用コンデンサ137,138を省略することができる。
図4にこの発明の第2の実施の形態を示す。ここでは、従来例に対し二次側にコンデンサ221,225と、ダイオード222,224,226,228と、インダクタンス227とを追加して構成される。そして、コンデンサ221とダイオード222との直列接続アームを半導体素子231に並列接続し、コンデンサ225とダイオード226との直列接続アームを半導体素子232に並列接続し、ダイオード222のカソードとインダクタンス233,234の接続点との間に、ダイオード224とインダクタンス227との直列接続アームを接続し、ダイオード228のカソードをダイオード224のカソードに接続し、ダイオード228のアノードをダイオード226のカソードに接続する。
図4でも、トランス140の二次巻線142に誘起された電圧がゼロになると、追加回路で還流動作を行ない、トランス140の二次巻線142に流れる電流を対向アームの半導体素子に分流させ、トランス140の銅損および一次側フルブリッジ回路の導通損失を低減させるのは図1と同様で、異なるのはコンデンサ221,225の充電経路だけであるので、以下では主として充放電時の動作について説明する。
トランス二次巻線に正方向の電圧が誘起されるときは、二次巻線142→インダクタンス233→出力コンデンサ211→半導体素子232→二次巻線142の経路で電流が流れる一方(図6(a)の実線経路参照)、追加された回路では、二次巻線142→コンデンサ221→ダイオード224→インダクタンス227→出力コンデンサ211→半導体素子232→二次巻線142の経路にも電流が流れ(図6(a)の点線経路参照)、コンデンサ221が充電される。インダクタンス227は、この充電電流のピーク値を抑え、損失増加を防止する役割を持つ。
トランス140の二次巻線に誘起された電圧がゼロになると、コンデンサ221が放電される。放電経路は、コンデンサ221→二次巻線142→半導体素子232→ダイオード222→コンデンサ221となる(図6(b)参照)。この放電動作により、図1の場合と同様に、トランス140の二次巻線に流れる電流が半導体素子231に分流し、図7に示すように、期間Tbの期間では、二次巻線に流れる電流Itr2が従来例より低下する。その結果、フルブリッジ回路の半導体素子の導通損失と、トランス140の一次巻線141,二次巻線142の銅損を低減できる。また、この期間では、半導体素子232に流れる電流Is1が半導体素子231に分流し((図6(c)参照))、この2個の半導体素子231と232とが並列接続されたことと同じであるため、導通損失が低減される。
同じ原理で、トランス140の二次巻線142に負方向に電圧が誘起されるとき、コンデンサ225が充放電され、この還流動作により半導体素子231に流れる電流が半導体素子232に分流され、Tc期間に二次巻線142に流れる電流Itr2が従来例より低減する。その結果、フルブリッジ回路の半導体素子の導通損失と、トランス140の一次巻線141,二次巻線142の銅損が低減される。また、この期間では、半導体素子231に流れる電流Is2が半導体素子232に分流し、この2個の半導体素子231と232とが並列接続されたことと同じであるため、導通損失が低減される。
また、二次回路で還流動作を行なうことにより、半導体素子133,134がターンオンする際に一次側に流れる電流が小さくなるため、ソフトスイッチング用コンデンサ137,138を省略することができる。
図7にこの発明の第3の実施の形態を示す。この例では、トランス140の二次側にはセンタータップ(中間端子)が設けられるとともに、コンデンサ221,225と、ダイオード222,224,226,228とインダクタンス236とを追加した点が特徴である。そして、コンデンサ225とダイオード226とを直列接続した回路を半導体素子232と並列に、コンデンサ221とダイオード222とを直列接続した回路を半導体素子231と並列に接続し、トランス二次側センタータップとダイオード226のアノードの間に、ダイオード228とインダクタンス236との直列回路を接続し、ダイオード224のアノードをダイオード228のアノードに、ダイオード224のカソードをダイオード222のアノードにそれぞれ接続する。
図7のような構成において、図8にQ11,Q12,Q13,Q14で示すようなゲート信号を、一次側フルブリッジ回路を構成する半導体素子131,132,133,134にそれぞれ与える一方、S1,S2で示すゲート信号を二次側の整流回路を構成する半導体素子231,232にそれぞれ与える。このとき従来回路と同様に、半導体素子131と134がオンすることにより、トランス140の二次巻線142に正方向の電圧Vtr2が誘起され、追加回路のコンデンサ221の充放電動作が以下のように行なわれる。
トランス140の二次巻線142に正方向の電圧Vtr2が誘起されるときは、二次巻線142→半導体素子232→インダクタンス235→出力コンデンサ211→二次巻線142の経路で電流が流れる一方、二次巻線143に電圧Vtr3が誘起されるため、コンデンサ221が充電される。その充電経路は、二次巻線143→インダクタンス236→ダイオード224→コンデンサ221→二次巻線143となる(図9(a)点線経路参照)。二次巻線142の経路にも電流が流れ(図9(a)の実線経路参照)、コンデンサ211が充電される。
二次巻線に誘起された電圧がゼロになると、コンデンサ221が放電される。放電経路は、コンデンサ221→ダイオード222→半導体素子232→二次巻線142→コンデンサ221となる(図9(b)参照)。
このような還流動作を行なうことにより、半導体素子232に流れる電流が半導体素子231に分流される(図9(c)参照)。その結果、図8に示すように、この還流期間において、トランス140の一次141に流れる電流が二次巻線142に流れる電流と143に流れる電流の差分に比例するため、従来例より低下する。こうして、フルブリッジ回路の半導体素子の導通損失と、トランス140の一次巻線141の銅損が低減される。また、この期間では、半導体素子232流れる電流Is1が半導体素子231に分流し、この2個の半導体素子231と232とが並列接続されたことと同じであるため、導通損失が低減される。
同じ原理で、二次巻線142に負方向の電圧が誘起されるときも、同じように損失低減ができる。
また、二次回路で還流動作を行なうことにより、半導体素子133,134がターンオンするときに、一次側に流れる電流が小さくなるため、ソフトスイッチング用コンデンサ137,138を省略することができる。
この発明の第1の実施の形態を示す回路図 図1の制御方法を説明する波形図 図1の動作説明図で、(a)はコンデンサ221の充電経路説明図、(b)はコンデンサ221の放電経路説明図、(c)は二次側整流回路の分流動作説明図 この発明の第2の実施の形態を示す回路図 図4の制御方法を説明する波形図 図4の動作説明図で、(a)はコンデンサ221の充電経路説明図、(b)はコンデンサ221の放電経路説明図、(c)は二次側整流回路の分流動作説明図 この発明の第3の実施の形態を示す回路図 図7の制御方法を説明する波形図 図7の動作説明図で、(a)はコンデンサ221の充電経路説明図、(b)はコンデンサ221の放電経路説明図、(c)は二次側整流回路の分流動作説明図 従来例を示す回路図 図10の制御方法を説明する説明図
符号の説明
111…直流電源、131,132,133,134,231,232…半導体素子、113,135,136,137,138,211,221,225…コンデンサ、122,233,234,235,236…インダクタンス、222,224,226,228…ダイオード、251…負荷、140…トランス、141,142,143…トランス巻線。

Claims (3)

  1. 第1の半導体素子と第2の半導体素子とを直列接続した第1のアームと、第3の半導体素子と第4の半導体素子とを直列接続した第2のアームと、直流電源とを並列に接続するとともに、前記第1のアームの接続点と第2のアームの接続点間に直流カット用コンデンサと共振用インダクタンスとトランスの一次巻線との直列回路を接続する一方、
    第5の半導体素子と第1のインダクタンスとを直列接続した第3のアームと、第6の半導体素子と第2のインダクタンスとを直列接続した第4のアームと、出力コンデンサと、負荷とを並列接続するとともに、前記トランスの二次巻線を前記第3のアームの接続点と前記第4のアームの接続点間に接続し、第1のダイオードと第1のコンデンサとの直列回路を前記第5の半導体素子と並列に、第2のダイオードと第2のコンデンサとの直列回路を前記第6の半導体素子と並列にそれぞれ接続し、第3のダイオードと第3のインダクタンスとの直列回路を前記第1のダイオードと第1のコンデンサとの接続点と前記トランスの二次巻線の第2端子との間に接続し、かつ、第4のダイオードと第4のインダクタンスとの直列回路を前記第2のダイオードと第2のコンデンサとの接続点と前記トランスの二次巻線の第1端子との間に接続し、前記第5,第6の半導体素子を同時にオンする期間を設けることを特徴とするスイッチング電源装置。
  2. 第1の半導体素子と第2の半導体素子とを直列接続した第1のアームと、第3の半導体素子と第4の半導体素子とを直列接続した第2のアームと、直流電源とを並列に接続するとともに、前記第1のアームの接続点と第2のアームの接続点間に直流カット用コンデンサと共振用インダクタンスとトランスの一次巻線との直列回路を接続する一方、
    第5の半導体素子と第1のインダクタンスとを直列接続した第3のアームと、第6の半導体素子と第2のインダクタンスとを直列接続した第4のアームと、出力コンデンサと、負荷とを並列接続するとともに、前記トランスの二次巻線を前記第3のアームの接続点と前記第4のアームの接続点間に接続し、第1のダイオードと第1のコンデンサとの直列回路を前記第5の半導体素子と並列に、第2のダイオードと第2のコンデンサとの直列回路を前記第6の半導体素子と並列にそれぞれ接続し、前記第1のインダクタンスと第2のインダクタンスとの接続点と第1のダイオードと第1のコンデンサとの接続点との間に第3のダイオードと第3のインダクタンスとの直列回路を接続し、かつ、前記第2のダイオードと第2のコンデンサとの接続点と前記第3のダイオードと第3のインダクタンスとの接続点間に第4のダイオードを接続し、前記第5,第6の半導体素子を同時にオンする期間を設けることを特徴とするスイッチング電源装置。
  3. 第1の半導体素子と第2の半導体素子とを直列接続した第1のアームと、第3の半導体素子と第4の半導体素子とを直列接続した第2のアームと、直流電源とを並列に接続するとともに、前記第1のアームの接続点と第2のアームの接続点間に直流カット用コンデンサと共振用インダクタンスとトランスの一次巻線との直列回路を接続する一方、
    前記トランスの二次側の第1,第2出力端子には第5の半導体素子の一端,第6の半導体素子の一端をそれぞれ接続し、第5の半導体素子の他端と第6の半導体素子の他端とトランスのセンタータップとの間には、第1のインダクタンスと出力コンデンサとの直列回路を接続するとともに前記出力コンデンサと並列に負荷を接続し、前記第5の半導体素子と並列に第1のコンデンサと第1のダイオードとの直列回路、また前記第6の半導体素子と並列に第2のコンデンサと第2のダイオードとの直列回路をそれぞれ接続し、かつ、前記第1のコンデンサと第1のダイオードとの接続点と前記トランスのセンタータップとの間には、第3のダイオードと第2のインダクタンスとの直列回路を接続し、前記第2のコンデンサと第2のダイオードとの接続点と前記第3のダイオードと第2のインダクタンスの接続点との間には第4のダイオードを接続し、前記第5,第6の半導体素子を同時にオンする期間を設けることを特徴とするスイッチング電源装置。
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