JP4409380B2

JP4409380B2 - 電子回路装置

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Publication number: JP4409380B2
Application number: JP2004214093A
Authority: JP
Inventors: 圭輔漆原; 敦史天野
Original assignee: Honda Motor Co Ltd
Current assignee: Honda Motor Co Ltd
Priority date: 2004-07-22
Filing date: 2004-07-22
Publication date: 2010-02-03
Anticipated expiration: 2024-07-22
Also published as: JP2006040926A

Description

本発明は、インバータ制御装置に用いる電子回路装置に関するものである。

従来、図１８に示すように、プラスバスバー１３２とマイナスバスバー１３３との間に平滑コンデンサ１３１を設けるとともに、ＩＧＢＴ等のトランジスタ１２２や転流ダイオード１２３を組み合わせてなるスイッチング回路１２１を設けて、三相の出力バスバー１３４（１３４Ｕ、１３４Ｖ、１３４Ｗ）に接続する構成のものが知られている。

図１９は従来におけるスイッチング回路を構成する電子回路装置の要部断面図である。同図に示すように、従来においては、三相の出力バスバー１３４の両側にダイオード１２３やトランジスタ１２２を配置し、その両側にプラスバスバー１３２またはマイナスバスバー１３３を配置した構成の電子回路装置１２１ａ、１２１ｂが提案されている。なお、プラスバスバー１３２とマイナスバスバー１３３との間には平滑コンデンサ１３１が介装されている。

具体的には、電子回路装置１２１ａは、図１９（ａ）に示すように、トランジスタ１２２のエミッタ１２６と、ダイオード１２３のアノード１２７とを出力バスバー１３４に接続している。また、トランジスタ１２２のコレクタ１２５と、ダイオード１２３のカソード１２８とをプラスバスバー１３２に接続している。
一方、電子回路装置１２１ｂは、図１９（ｂ）に示すように、トランジスタ１２２のコレクタ１２５と、ダイオード１２３のカソード１２８とを出力バスバー１３４に接続している。また、トランジスタ１２２のエミッタ１２６と、ダイオード１２３のアノード１２７とをマイナスバスバー１３３に接続している。また、トランジスタ１２２のゲート１２４は図示しない制御回路に接続している。

このように構成すると、ワイヤボンディングを必要とすることなくトランジスタ１２２とダイオード１２３とを並列接続することで、電子回路装置１２１ａ、１２１ｂの小型化や素子（トランジスタ１２２、ダイオード１２３等）の放熱性の向上を図っている。
この種の技術が、例えば特許文献１に提案されている。
特開２００１−３９４８８３号公報

しかしながら、従来の技術においては、電子回路装置を、プラスバスバーに接続されるものとマイナスバスバーに接続されるものとを別体で製作する必要がある。従って、通常の３相インバータに適用する場合には、電子回路装置が６つ必要となり、作業負担が大きくなるとともに小型化の障害となってしまう。加えて、マイナスバスバーとプラスバスバーの厚さが異なる場合には、各電子回路装置の大きさが異なってしまい、レイアウト性の点で不具合が生じてしまう。

従って、本発明は、プラスバスバーまたはマイナスバスバーに接続されるそれぞれの素子をユニット化して、小型化することができるとともに、レイアウト性やハンドリング性を向上することができる電子回路装置を提供することを目的とする。

請求項１に係る発明は、インバータ制御装置に用いる電子回路装置（例えば、実施の形態における電子回路装置１）において、出力バスバー（例えば、実施の形態における出力バスバー１５）と、該出力バスバーに少なくとも一部が対向するようにそれぞれ配置されるプラスバスバー（例えば、実施の形態におけるプラスバスバー１３）およびマイナスバスバー（例えば、実施の形態におけるマイナスバスバー１４）と、前記出力バスバーと前記プラスバスバーとの間、および、前記マイナスバスバーと前記出力バスバーとの間にそれぞれ介装されるトランジスタとダイオードとからなるスイッチング素子（例えば、実施の形態におけるＩＧＢＴ３、転流ダイオード４）とでユニットを構成し、前記ユニット内の前記プラスバスバーと前記マイナスバスバーとの間には、両者を接続するコンデンサと仕切り部材と温度調整流体を流通可能な流通部（例えば、実施の形態における流通部７２）とが設けられ、該流通部は、前記プラスバスバー、前記マイナスバスバー、前記コンデンサ、および、前記仕切り部材により構成されていることを特徴とする。

この発明によれば、前記プラスバスバーおよびマイナスバスバーを、前記出力バスバーに対向するように配置して、それぞれの素子を介装する構成であるので、プラスバスバーまたはマイナスバスバーに接続されるそれぞれの素子をユニット化することができる。このように、前記出力バスバーの両側にプラスバスバーおよびマイナスバスバーを配置して素子を介装しているので、積層方向に対する面積を維持しつつプラスバスバーおよびマイナスバスバーに接続される素子を設けることができる。従って、電子回路装置を小型化することができ、レイアウト性を向上することができる。

また、プラスバスバーとマイナスバスバーの厚さが異なる場合であっても、各電子回路装置のサイズを略一定に保持することができるので、この点でもレイアウト性を向上することができる。さらに、プラスバスバーおよびマイナスバスバーに接続されるそれぞれの素子を一括して製作することができるので、ハンドリング性を向上することができる。加えて、ワイヤボンディングを行う必要がなくなるため、ワイヤボンディングを行う際の接触箇所の不良等を気にする必要がなく、信頼性を向上できるとともに、部品点数やコストを低減することができる。
また、プラスバスバーおよびマイナスバスバーに接続されるそれぞれの素子を同一ユニット内に収容することができるので、それぞれの素子同士の温度ムラを低減することができ、これにより、温度特性によるバラツキを防止することができる。

さらに、前記素子を構成する前記トランジスタまたは前記ダイオードにより多相インバータに用いられるスイッチング回路を容易に構成することができるとともに、プラスバスバーに接続されるものと前記マイナスバスバーに接続されるものとをユニット化できるので、多相インバータに好適に用いることができる電子回路装置を小型化でき、レイアウト性やハンドリング性を向上することができる。

そして、前記プラスバスバーと前記マイナスバスバーとに接続されるコンデンサもユニットに組み込むことができるため、小型化やレイアウト性、ハンドリングを向上することができる。また、同一ユニット内にコンデンサを組み込むことができるので、前記素子に近接するように前記コンデンサを配置することができるため、前記コンデンサと前記素子間の配線インダクタンスを低減できるとともに、サージ電圧低減が可能となり、素子の電圧に対する耐久性を高めることができる。従って、素子の長寿命化を図ることができる。
また、前記流通部に温度調整流体を流通させることにより、前記素子や前記コンデンサの温度を調整することができるので、温度調整に複雑な構成を用いる必要がなくなり、ハンドリング性を向上することができる。

請求項２に係る発明は、請求項１に記載のものであって、前記コンデンサは、前記プラスバスバーと前記マイナスバスバーとの間に介装される誘電体（例えば、実施の形態における誘電体１１１）であることを特徴とする。
この発明によれば、前記誘電体を前記コンデンサとして機能させることで、コンデンサ自体を介装する場合よりもサージ電圧をさらに低減することができるとともに、コストの低減を図ることができる。

請求項３に係る発明は、請求項１または請求項２に記載のものであって、前記コンデンサ（例えば、実施の形態におけるコンデンサ１１、２１）は、前記素子の両側にそれぞれ配置されることを特徴とする。
この発明によれば、それぞれのコンデンサを前記素子に近接するように配設することで、素子とコンデンサとの間のインピーダンスをさらに低減することができ、サージ電圧を低減することができる。

請求項１に係る発明によれば、電子回路装置を小型化することができ、レイアウト性を向上することができる。
また、多相インバータに好適に用いることができる電子回路装置を小型化でき、レイアウト性やハンドリング性を向上することができる。

さらに、前記コンデンサと前記素子間の配線インダクタンスを低減できるとともに、サージ電圧低減が可能となり、素子の電圧に対する耐久性を高めることができる。従って、素子の長寿命化を図ることができる。
また、温度調整に複雑な構成を用いる必要がなくなり、ハンドリング性を向上することができる。
請求項２に係る発明によれば、コンデンサ自体を介装する場合よりもサージ電圧をさらに低減することができるとともに、コストの低減を図ることができる。

請求項３に係る発明によれば、素子とコンデンサとの間のインピーダンスをさらに低減することができ、サージ電圧を低減することができる。

以下、この発明の実施の形態における電子回路装置を図面と共に説明する。図１は本発明の第１の実施の形態における電子回路装置の要部断面図である。図２は図１に示す電子回路装置の回路図である。これらの図に示すように、電子回路装置１は、プラスバスバー１３とマイナスバスバー１４とにそれぞれ接続されるスイッチング素子２（２ａ、２ｂ）を備えている。各スイッチング素子２は、ＩＧＢＴ３と転流ダイオード（ＦｒｅｅＷｈｅｅｌｉｎｇＤｉｏｄｅ）４とを備え、ＩＧＢＴ３のコレクタ６をダイオード４のカソード９に、ＩＧＢＴ３のエミッタ７をダイオード４のアノード８にそれぞれ接続した構成となっている。

スイッチング素子２ａは、ＩＧＢＴ３のコレクタ６と、ダイオード４のカソード９とをプラスバスバー１３に接続している。
一方、スイッチング素子２ｂは、ＩＧＢＴ３のエミッタ７と、ダイオード４のアノード８とをマイナスバスバー１４に接続している。

そして、スイッチング素子２ａ、２ｂ同士は、出力バスバー１５（１５Ｕ、１５Ｖ、１５Ｗ）を介して互いに接続される。具体的には、スイッチング素子２ａは、ＩＧＢＴ３のエミッタ７と、ダイオード４のアノード８とを出力バスバー１５に接続している。また、スイッチング素子２ｂは、ＩＧＢＴ３のコレクタ６と、ダイオード４のカソード９とを出力バスバー１５に接続している。
なお、ＩＧＢＴ３のゲートには、駆動指令回路（図示せず）が接続され、駆動指令回路からの駆動信号及び制御信号により、各ＩＧＢＴ３のＯＮ・ＯＦＦ制御がなされる。

プラスバスバー１３、マイナスバスバー１４は、電源（図示せず）のプラス端子、マイナス端子にそれぞれ接続されている。一方、出力バスバー１５（１５Ｕ、１５Ｖ、１５Ｗ）は、モータのＵ相、Ｖ相、Ｗ相を構成するコイル（図示せず）にそれぞれ接続されている。
また、プラスバスバー１３と、マイナスバスバー１４との間には、電源電圧を安定させるための平滑コンデンサ１１が配設されている。

本実施の形態における電子回路装置１は、図１に示すように、出力バスバー１５に対向するように、プラスバスバー１３およびマイナスバスバー１４をそれぞれ配置している。そして、前記出力バスバー１５と前記プラスバスバー１３との間、および、前記マイナスバスバー１４と前記出力バスバー１５との間には、スイッチング素子２ａ、２ｂを構成するＩＧＢＴ３や転流ダイオード４がそれぞれ介装されている。さらに、その両外側には、絶縁基板１６、１７が設けられている。

このように、前記プラスバスバー１３およびマイナスバスバー１４を、前記出力バスバー１５に対向するように配置して、それぞれのスイッチング素子２ａ、２ｂを介装する構成であるので、プラスバスバー１３またはマイナスバスバー１４に接続されるそれぞれのスイッチング素子２ａ、２ｂをユニット化することができる。その結果、前記出力バスバー１５の両側にプラスバスバー１３およびマイナスバスバー１４を配置してスイッチング素子２ａ、２ｂを介装しているので、積層方向に対する面積を維持しつつ（出力バスバー１５の積層方向の面積を増大させることなく）、それぞれのスイッチング素子２ａ、２ｂを設けることができる。従って、電子回路装置１を小型化することができ、レイアウト性を向上することができる。

また、プラスバスバー１３とマイナスバスバー１４の厚さが異なる場合であっても、各電子回路装置１のサイズを略一定に保持することができるので、この点でもレイアウト性を向上することができる。さらに、プラスバスバー１３およびマイナスバスバー１４に接続されるそれぞれのスイッチング素子２ａ、２ｂを一括して製作することができるので、ハンドリング性を向上することができる。加えて、ワイヤボンディングを行う必要がなくなるため、ワイヤボンディングを行う際の接触箇所の不良等を気にする必要がなく、信頼性を向上できるとともに、部品点数やコストを低減することができる。

また、プラスバスバー１３およびマイナスバスバー１４に接続されるそれぞれのスイッチング素子２ａ、２ｂを同一ユニット内に収容することができるので、それぞれのスイッチング素子２ａ、２ｂ同士の温度ムラを低減することができ、これにより、それぞれのスイッチング素子２ａ、２ｂの温度特性によるバラツキを防止することができる。

また、本実施の形態における電子回路装置１は、前記プラスバスバー１３と前記マイナスバスバー１４とに接続される平滑コンデンサ１１もユニットに組み込むことができるため、小型化やレイアウト性、ハンドリングを向上することができる。また、スイッチング素子２ａ、２ｂに近接するように前記コンデンサ１１を配置することができるため、前記コンデンサ１１と前記素子２ａ、２ｂ間の配線インダクタンスを低減できる。加えて、サージ電圧低減が可能となり、素子の電圧に対する耐久性を高めることができる。従って、素子２ａ、２ｂの長寿命化を図ることができる。

以下、本発明の他の実施の形態について説明する。以下の実施の形態において、前述の実施の形態と同様の構成部材については、同一の番号を付してその説明を適宜省略する。
図３は本発明の第２の実施の形態における電子回路装置の要部断面図である。図４は図３に示す電子回路装置の回路図である。これらの図に示す電子回路装置２０は、プラスバスバー１３とマイナスバスバー１４との間であって、スイッチング素子２ａ、２ｂの両側に平滑コンデンサ１１、２１をそれぞれ配置している。この点が上述の実施の形態と異なっている。

このようにすると、それぞれのコンデンサ１１、２１を前記スイッチング素子２ａ、２ｂに近接するように配設することができる。よって、スイッチング素子２ａ、２ｂとコンデンサ１１との間のインピーダンスを前述の実施の形態よりもさらに低減することができるため、サージ電圧をさらに低減することができる。

図５は本発明の第３の実施の形態における電子回路装置の要部断面図である。この図に示す電子回路装置３０は、前記プラスバスバー１３と前記マイナスバスバー１４との間であって、平滑コンデンサ１１の外側に、仕切り部材３１が配設されている。そして、仕切り部材３１と平滑コンデンサ１１との間には、エア等の温度調整流体を流通可能な流通部３２が形成されている。これらの点が上述の実施の形態と異なっている。

このようにすると、前記流通部３２に温度調整流体を流通させることにより、前記スイッチング素子２ａ、２ｂや前記コンデンサ１１の温度を調整することができるので、温度調整に複雑な構成を用いる必要がなくなり、ハンドリング性を向上することができる。

図６は本発明の第４の実施の形態における電子回路装置の要部断面図である。図７は図６に示す電子回路装置の回路図である。これらの図に示す電子回路装置２０は、出力バスバー１５Ｕ、１５Ｖ、１５Ｗの表面側にそれぞれ接続されたスイッチング素子２ａ、２ａ、２ａをシート状に形成したプラスバスバー４１で覆うとともに、出力バスバー１５Ｕ、１５Ｖ、１５Ｗの裏面側にそれぞれ接続されたスイッチング素子２ｂ、２ｂ、２ｂをシート状に形成したマイナスバスバー４２で覆う構成を有している。さらに、その両外側に、シート状に形成した絶縁基板４３、４４が設けられている。これらの点が上述の実施の形態と異なっている。
このように、三相インバータ１０を構成する各スイッチング素子２を１ユニットで構成することができるので、さらなる小型化を図ることができ、レイアウト性やハンドリング性を向上することができる。また、それぞれのプラスバスバー４１、マイナスバスバー４２をシート状に形成することで、上下からの圧接化が可能となる。これにより、はんだを用いずに各スイッチング素子２同士の接続を行うことができるので、信頼性を向上できるとともにコストを低減することができる。

図８は本発明の第５の実施の形態における電子回路装置の要部断面図である。図９は図８に示す電子回路装置の回路図である。これらの図に示す電子回路装置５０は、素子として、ＭＯＳＦＥＴ（絶縁ゲート電界効果トランジスタ）５１（５１ａ、５１ｂ）を用いている。そして、ＭＯＳＦＥＴ５１ａのソース５３は出力バスバー１５に接続され、ドレイン５４はプラスバスバー１３に接続される。一方、ＭＯＳＦＥＴ５１ｂのドレイン５４は出力バスバー１５に接続され、ソース５３はマイナスバスバー１４に接続される。また、ＭＯＳＦＥＴ５１（５１ａ、５１ｂ）のゲート５２は、駆動指令回路（図示せず）に接続されている。これらの点が上述の実施の形態と異なっている。
このようにすると、ＭＯＳＦＥＴ５１に寄生する寄生ダイオード（図示せず）を転流ダイオードとして機能させることができるので、転流ダイオードを設ける必要がなくなり、部品点数を低減することができる。

図１０は本発明の第６の実施の形態における電子回路装置の要部断面図である。図１１は図１０に示す電子回路装置の回路図である。これらの図に示す電子回路装置６０は、プラスバスバー１３とマイナスバスバー１４との間であって、ＭＯＳＦＥＴ５１ａ、５１ｂの両側に平滑コンデンサ１１、６１をそれぞれ配置している。この点が上述の実施の形態と異なっている。
このようにすると、それぞれのコンデンサ１１、６１を前記ＭＯＳＦＥＴ５１ａ、５１ｂに近接するように配設することができる。よって、ＭＯＳＦＥＴ５１ａ、５１ｂとコンデンサ１１、６１との間のインピーダンスを前述の実施の形態よりもさらに低減することができるため、サージ電圧をさらに低減することができる。

図１２は本発明の第７の実施の形態における電子回路装置の要部断面図である。この図に示す電子回路装置７０は、前記プラスバスバー１３と前記マイナスバスバー１４との間であって、平滑コンデンサ１１の外側に、仕切り部材７１が配設されている。そして、仕切り部材７１と平滑コンデンサ１１との間には、エア等の温度調整流体を流通可能な流通部７２が形成されている。これらの点が上述の実施の形態と異なっている。

このようにすると、前記流通部７２に温度調整流体を流通させることにより、前記ＭＯＳＦＥＴ５１ａ、５１ｂや前記コンデンサ１１の温度を調整することができるので、温度調整に複雑な構成を用いる必要がなくなり、ハンドリング性を向上することができる。

図１３は本発明の第８の実施の形態における電子回路装置の要部断面図である。図１４は図１３に示す電子回路装置の回路図である。これらの図に示す電子回路装置８０は、出力バスバー１５Ｕ、１５Ｖ、１５Ｗの表面側にそれぞれ接続されたＭＯＳＦＥＴ５１ａ、５１ａ、５１ａをシート状に形成したプラスバスバー８１で覆うとともに、出力バスバー１５Ｕ、１５Ｖ、１５Ｗの裏面側にそれぞれ接続されたＭＯＳＦＥＴ５１ｂ、５１ｂ、５１ｂをシート状に形成したマイナスバスバー８２で覆う構成を有している。さらに、その両外側に、シート状に形成した絶縁基板８３、８４が設けられている。これらの点が上述の実施の形態と異なっている。
このように、三相インバータ１０を構成する各ＭＯＳＦＥＴ５１を１ユニットで構成することができるので、さらなる小型化を図ることができ、レイアウト性やハンドリング性を向上することができる。また、それぞれのプラスバスバー８１、マイナスバスバー８２をシート状に形成することで、上下からの圧接化が可能となる。これにより、はんだを用いずに各スイッチング素子２同士の接続を行うことができるので、信頼性を向上できるとともにコストを低減することができる。

図１５は本発明の第９の実施の形態における電子回路装置の要部断面図である。同図に示す電子回路装置９０は、絶縁基板１６、１７の両外側にグラファイト等の高熱伝導シート（放熱シート）９１、９２を配設している。この点が上述の実施の形態と異なっている。このように、放熱シート９１、９２を設けることによって、電子回路装置９０の熱を外部に放出することができるので、電子回路装置９０を構成する素子（この場合はスイッチング素子２ａ、２ｂ）の耐熱性を向上することができ、素子の長寿命化を図ることができる。なお、素子として、ＭＯＳＦＥＴ５１を用いても良い。

図１６は本発明の第１０の実施の形態における電子回路装置の要部断面図である。この図に示す電子回路装置１１０は、プラスバスバー１３とマイナスバスバーとの間に、誘電体１１１を介装して、この誘電体１１１をコンデンサとして機能させている。これにより、コンデンサ自体を介装する場合よりもサージ電圧をさらに低減することができるとともに、コストの低減を図ることができる。

図１８は本発明の電子回路装置の適用可能な例を示す回路図である。
同図（ａ）のように、ＩＧＢＴ３同士を対称に接続することができる。すなわち、出力バスバー１５とプラスバスバー１３、出力バスバー１５とマイナスバスバー１４との間に、コレクタ同士、エミッタ同士を接続したユニットをそれぞれ介装する構成としてもよい。

同図（ｂ）のように、ＩＧＢＴ３同士を非対称に接続することができる。すなわち、出力バスバー１５とプラスバスバー１３、出力バスバー１５とマイナスバスバー１４との間に、コレクタとエミッタ、エミッタとコレクタを接続したユニットをそれぞれ介装してもよい。

同図（ｃ）のように、ダイオード４同士を対称に接続することができる。すなわち、出力バスバー１５とプラスバスバー１３、出力バスバー１５とマイナスバスバー１４との間に、アノード同士、カソード同士を接続したユニットをそれぞれ介装してもよい。
同図（ｄ）のように、ダイオード４同士を非対称に接続することができる。すなわち、出力バスバー１５とプラスバスバー１３、出力バスバー１５とマイナスバスバー１４との間に、アノードとカソード、カソードとアノードを接続したユニットをそれぞれ介装してもよい。

なお、本発明の内容は上述の実施の形態のみに限られるものでないことはもちろんである。例えば、スイッチング素子として用いる素子は、ＩＧＢＴ、ＭＯＳＦＥＴに限らず、逆阻止サイリスタ、ＧＴＯ（ＧａｔｅＴｕｒｎＯｆｆｔｈｙｒｉｓｔｏｒ）等を用いても良い。

本発明の第１の実施の形態における電子回路装置の要部断面図である。図１に示す電子回路装置の回路図である。本発明の第２の実施の形態における電子回路装置の要部断面図である。図３に示す電子回路装置の回路図である。本発明の第３の実施の形態における電子回路装置の要部断面図である。本発明の第４の実施の形態における電子回路装置の要部断面図である。図６に示す電子回路装置の回路図である。本発明の第５の実施の形態における電子回路装置の要部断面図である。図８に示す電子回路装置の回路図である。本発明の第６の実施の形態における電子回路装置の要部断面図である。図１０に示す電子回路装置の回路図である。本発明の第７の実施の形態における電子回路装置の要部断面図である。本発明の第８の実施の形態における電子回路装置の要部断面図である。図１３に示す電子回路装置の回路図である。本発明の第９の実施の形態における電子回路装置の要部断面図である。本発明の第１０の実施の形態における電子回路装置の要部断面図である。本発明の電子回路装置の適用可能な例を示す回路図である。従来における電子回路装置の回路図である。図１８に示す電子回路装置の要部断面図である。

符号の説明

１、２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０、９０、１１０…電子回路装置
３…ＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ、素子）
４…転流ダイオード（素子）
１０…インバータ
１１、２１、６１…平滑コンデンサ
１３、４１、８１…プラスバスバー
１４、４２、８２…マイナスバスバー
１５（１５Ｕ、１５Ｖ、１５Ｗ）…出力バスバー
５１…ＭＯＳＦＥＴ（絶縁ゲート電界効果トランジスタ）
７２…流通部
１１１…誘電体

Claims

インバータ制御装置に用いる電子回路装置において、
出力バスバーと、
該出力バスバーに少なくとも一部が対向するようにそれぞれ配置されるプラスバスバーおよびマイナスバスバーと、
前記出力バスバーと前記プラスバスバーとの間、および、前記マイナスバスバーと前記出力バスバーとの間にそれぞれ介装されるトランジスタとダイオードとからなるスイッチング素子とでユニットを構成し、
前記ユニット内の前記プラスバスバーと前記マイナスバスバーとの間には、両者を接続するコンデンサと仕切り部材と温度調整流体を流通可能な流通部とが設けられ、
該流通部は、前記プラスバスバー、前記マイナスバスバー、前記コンデンサ、および、前記仕切り部材により構成されていることを特徴とする電子回路装置。
前記コンデンサは、前記プラスバスバーと前記マイナスバスバーとの間に介装される誘電体であることを特徴とする請求項１に記載の電子回路装置。
前記コンデンサは、前記素子の両側にそれぞれ配置されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電子回路装置。