JP4405767B2 - Composition for removing photoresist on substrate containing silver and / or silver alloy, method for producing pattern using the same, and display device including the same - Google Patents
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Description
本発明は、銀及び/又は銀合金を含む基板のフォトレジスト剥離液組成物、それを用いたパターンの製造方法ならびにそれを含む表示装置に関する。 The present invention relates to a photoresist stripping composition for a substrate containing silver and / or a silver alloy, a method for producing a pattern using the same, and a display device including the same.
有機ELディスプレイは、自己発光性を有し、液晶ディスプレイと比較して低消費電力化、高輝度化、高コントラスト化が可能となる次世代のフラットパネルディスプレイとして期待されている。
有機発光素子としては、例えば、基板の上に、TFT(Thin Film Transistor;薄膜トランジスタ)および平坦化層などを介して、第1電極、発光層を含む有機層および第2電極が順に積層されたものが知られている。発光層で発生した光は、基板の側から取り出される場合もあるが、第2電極の側から取り出される場合もある。
The organic EL display has a self-luminous property and is expected as a next-generation flat panel display that can achieve lower power consumption, higher brightness, and higher contrast than a liquid crystal display.
As an organic light emitting element, for example, a first electrode, an organic layer including a light emitting layer, and a second electrode are sequentially laminated on a substrate via a TFT (Thin Film Transistor) and a planarizing layer. It has been known. The light generated in the light emitting layer may be extracted from the substrate side, but may be extracted from the second electrode side.
半導体基板では従来より配線材としてアルミニウムやアルミニウム合金が使用されており、フラットパネルにおいてはTFTの配線や、近年では反射型液晶ディスプレイの反射膜としても用いられている(例えば、特許文献1参照)。また、有機ELの反射電極としてはアルミニウムやアルミニウム合金やクロムなどの材料を使用していた(例えば、特許文献2参照)。
通常、金属反射膜または反射電極は、基板上に金属膜をCVD、スパッタリング、電解めっき等により堆積して形成した後、該金属膜上にフォトレジストを塗布、露光、現像してマスクを形成し、該金属膜の非マスク領域を、ウェットエッチング液によるウェットエッチングまたはドライエッチングすることによってパターンを形成した後、マスクとして用いたフォトレジストを、フォトレジスト剥離液によって該金属膜より剥離して形成する。
Conventionally, aluminum or aluminum alloy is used as a wiring material in a semiconductor substrate, and in a flat panel, it is also used as a TFT wiring or in recent years as a reflective film of a reflective liquid crystal display (for example, see Patent Document 1). . In addition, materials such as aluminum, aluminum alloys, and chromium have been used as the reflective electrodes of organic EL (see, for example, Patent Document 2).
Usually, a metal reflective film or a reflective electrode is formed by depositing a metal film on a substrate by CVD, sputtering, electrolytic plating, etc., and then applying a photoresist on the metal film, exposing and developing to form a mask. A pattern is formed by wet etching or dry etching with a wet etching solution on the non-mask region of the metal film, and then a photoresist used as a mask is peeled off from the metal film with a photoresist stripping solution. .
従来フォトレジスト剥離液は、ポストベーク等の加熱により基板に固着したフォトレジストを剥離するためにフェノール及び塩素化された炭化水素を含有する液が使用されているが環境上の問題から、イミダゾリジノンを主成分とする組成物(例えば、特許文献3参照)や、各種アルカノールアミンと1、3−ジメチル−2−イミダゾリジノンの混合溶液(例えば、特許文献4参照)が開発されている。
その後、ドライエッチングの採用により従来とは異なる変質したフォトレジスト層を剥離する必要から、各種アルカノールアミンと1、3−ジメチル−2−イミダゾリジノンとジメチルスルホキシドの組成物(例えば、特許文献5参照)や、各種アルカノールアミンと、極性有機溶剤と、各種防食剤を含む組成物が開発された。
これらの組成物は、ドライエッチング後のレジスト変質層と、基板に固着したフォトレジストとを剥離することができ、ドライエッチング後とウェットエッチング後の両方の基板に対してフォトレジスト剥離液として使用することができる。
Conventional photoresist stripping solutions use phenol and chlorinated hydrocarbon-containing fluids to strip photoresist that has been fixed to the substrate by heating such as post-baking. Compositions containing non as the main component (for example, see Patent Document 3) and mixed solutions of various alkanolamines and 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone (for example, see Patent Document 4) have been developed.
Then, since it is necessary to peel off a modified photoresist layer different from the conventional one by adopting dry etching, compositions of various alkanolamines, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone and dimethyl sulfoxide (for example, see Patent Document 5) ), Various alkanolamines, polar organic solvents, and various anticorrosive compositions have been developed.
These compositions can remove the resist-altered layer after dry etching and the photoresist adhered to the substrate, and are used as a photoresist remover for both the dry-etched and wet-etched substrates. be able to.
防食剤としては、カテコール(例えば、特許文献6参照)、フェノールや酢酸等の弱酸(例えば、特許文献7参照)、糖類(例えば、特許文献8参照)、カテコール、没食子酸エステルまたは没食子酸のいずれか(例えば、特許文献9参照)、アミノ酸(例えば、特許文献10参照)等が報告されている。
この他、剥離能力を強めるためにヒドロキシルアミンをさらに添加する例や、非水剥離液では(1)イソプロピルアルコールによるリンスが必要である、(2)水洗の際に金属表面にアミノ化合物が残存していると金属が腐食される等の欠点があるため、有機アミノ化合物と極性溶媒と水と防食剤からなる水溶性剥離液の例が知られている(例えば、特許文献11、特許文献12参照)。
Examples of the anticorrosive include catechol (for example, see Patent Document 6), weak acids such as phenol and acetic acid (for example, see Patent Document 7), saccharides (for example, see Patent Document 8), catechol, gallic acid ester, and gallic acid. (For example, see Patent Document 9), amino acids (for example, see Patent Document 10), and the like have been reported.
In addition, examples in which hydroxylamine is further added to enhance the stripping ability, and (1) rinsing with isopropyl alcohol is necessary for non-water stripping solutions, (2) amino compounds remain on the metal surface during washing with water. However, there are known disadvantages such as corrosion of the metal, and therefore, examples of water-soluble stripping solutions comprising an organic amino compound, a polar solvent, water, and an anticorrosive agent are known (see, for example,
最近アルミニウム及びアルミニウム合金より高反射率である銀及び銀合金が注目され、反射膜や反射電極等に銀の単層膜や銀層を含む多層膜が使用されるようになった。反射膜が空気中に暴露される場合に湿気等の影響を避けるため、また短波長の光に対する銀の反射率の低さを補うために銀表面に安定な酸化膜を形成した多層膜が使用され(例えば、特許文献13、特許文献14参照)、銀表面が空気中に暴露されない場合には銀の単層膜が使用されている(例えば、特許文献13、特許文献15参照)。しかし、これらの文献は、ウェットエッチングの場合についても、また、レジストが変質して剥離し難くなるドライエッチングについても、銀膜のパターン形成に用いるレジスト剥離液について全く開示しておらず、現存するフォトレジスト剥離液としては、従来のアルミニウム及びアルミニウム合金に対して腐食性のないフォトレジスト剥離液があるのみで、銀及び/又は銀合金のパターン形成に、銀及び/又は銀合金を腐食することなく好適に用いることのできるフォトレジスト剥離液はこれまで開発されていない。
Recently, silver and silver alloys having higher reflectivity than aluminum and aluminum alloys have attracted attention, and a single layer film of silver or a multilayer film including a silver layer has come to be used for a reflection film or a reflection electrode. A multilayer film with a stable oxide film on the silver surface is used to avoid the effects of moisture when the reflective film is exposed to the air and to compensate for the low reflectivity of silver for short-wavelength light. (For example, refer to
以上のように銀及び/又は銀合金に対して腐食性がなく、且つフォトレジスト及びフォトレジスト変質層に対して高い剥離性を有するフォトレジスト剥離液組成物が求められている。 As described above, there is a need for a photoresist stripping composition that is not corrosive to silver and / or a silver alloy and has high stripping properties to the photoresist and the altered photoresist layer.
従って、本発明は、前記の問題点を解消し、銀及び/又は銀合金を含む基板に好適に適用できるフォトレジスト剥離液組成物を提供することにある。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a photoresist stripping solution composition which can be applied to a substrate containing silver and / or a silver alloy, which solves the above problems.
従来のフォトレジスト剥離液に使用されているアミノ化合物は水酸基を有するアミノ化合物(アルカノールアミノ)類と、水酸基を持たないアミノ化合物類に分類される。
水酸基を有するアミノ化合物類としては、モノエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、N−メチルエタノールアミン、N−エチルエタノールアミン、N−ブチルエタノールアミン、2−(2−アミノエチルアミノ)エタノール、2−(2−アミノエチルアミノ)−2−プロパノール、2−(2−アミノエトキシ)エタノール、ジエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、N,N―ジメチルエタノールアミン、N,N−ジエチルエタノールアミン、N,N−ジブチルエタノールアミン、N−メチルジエタノールアミン、N−(3−アミノプロピル)−N−(2−ヒドロキシエチル)−2−アミノエタノール、トリエタールアミン、トリイソプロパノールアミンが挙げられる。
Amino compounds used in conventional photoresist stripping solutions are classified into amino compounds having a hydroxyl group (alkanolamino) and amino compounds having no hydroxyl group.
Examples of amino compounds having a hydroxyl group include monoethanolamine, monoisopropanolamine, N-methylethanolamine, N-ethylethanolamine, N-butylethanolamine, 2- (2-aminoethylamino) ethanol, 2- (2 -Aminoethylamino) -2-propanol, 2- (2-aminoethoxy) ethanol, diethanolamine, diisopropanolamine, N, N-dimethylethanolamine, N, N-diethylethanolamine, N, N-dibutylethanolamine, Examples include N-methyldiethanolamine, N- (3-aminopropyl) -N- (2-hydroxyethyl) -2-aminoethanol, trietalamine, and triisopropanolamine.
水酸基を持たないアミノ化合物類としては、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、ジプロピレントリアミン、モルホリン誘導体等が挙げられる。
しかしながら、銀及び/又は銀合金を含む基板に好適に適用できるフォトレジスト剥離液組成物を再考する中で、アルミニウム及びアルミニウム合金の際に使用している従来のアミノ化合物、例えば、モノエタノールアミンを主成分とするフォトレジスト剥離液を使用すると、高い剥離性を有するが、そのまま用いたのでは、銀及び銀合金を腐食してしまうとの知見を得た。
Examples of amino compounds having no hydroxyl group include diethylenetriamine, triethylenetetramine, dipropylenetriamine, and morpholine derivatives.
However, in reconsidering a photoresist stripping composition that can be suitably applied to a substrate containing silver and / or a silver alloy, conventional amino compounds, such as monoethanolamine, used in aluminum and aluminum alloys are reconsidered. The use of the photoresist stripping solution as the main component has high stripping properties, but it has been found that if it is used as it is, it will corrode silver and silver alloys.
さらにまた、モノエタノールアミンのアミノ基にさらに置換基を有するジエタノールアミン、トリエタールアミン、N,N―ジメチルエタノールアミン等は、後述するように、銀及び銀合金に対する腐食は少ないが、フォトレジストの剥離性、とくにフォトレジスト変質層の剥離が困難であることも明かになった。
そこで、本発明者らは、上記課題を総合的に解決すべく鋭意、検討を重ねたところ、有機アミノ化合物のアルキレン鎖の炭素鎖長が長すぎた場合、剥離性が低下し、短いと銀および銀合金に対し腐食性が増加すること、またアルキレン鎖の間に異原子を導入することにより、アルキレン基の炭素鎖長がある程度の長さを有していても、剥離性の低下を防止できるとの知見を得たことから、ある特定の有機アミノ化合物、ならびにモノエタノールアミンについてはある特定の防食剤を添加することによって、フォトレジスト剥離液として使用できることを見出し、さらに研究を進めた結果、本発明を完成させるに至った。
Furthermore, diethanolamine, trietalamine, N, N-dimethylethanolamine, etc., which further has a substituent on the amino group of monoethanolamine, have little corrosion on silver and silver alloys, as will be described later. It became clear that it was difficult to peel off the property, especially the altered photoresist layer.
Therefore, the present inventors diligently and intensively studied to solve the above problems comprehensively. When the carbon chain length of the alkylene chain of the organic amino compound is too long, the peelability is lowered. In addition, it increases the corrosiveness to silver alloys and introduces heteroatoms between the alkylene chains, preventing deterioration of peelability even if the carbon chain length of the alkylene group has a certain length. As a result of further research, we found that certain organic amino compounds and monoethanolamine can be used as photoresist stripping solutions by adding certain anticorrosives. The present invention has been completed.
すなわち、本発明は、銀および/または銀合金を含む基板のフォトレジスト剥離液組成物であって、
−式(I)
NH2−A−Y−B−Z
式中、A、Bは、それぞれ相互に独立して、直鎖状または分枝鎖状の炭素数1〜5のアルキレン基であり、Yは、NHまたはOのいずれかであり、Zは、NH2、OH、NH−D−NH2(ここでDは直鎖状または分枝鎖状の、炭素数1〜5のアルキレン基である、)である、
で表される化合物、
−式(II)
NH2−A−N(−B−OH)2
式中、A,Bは式(I)と同じである、
で表される化合物、
−式(III)
で表される化合物、
−ピロカテコール、
−ハイドロキノン、
−ピロガロール、
−没食子酸、及び
−没食子酸エステル
からなる群から選択される1種または2種以上と、1種または2種以上の極性有機溶剤とを含有する、前記フォトレジスト剥離液組成物に関する。
さらに、本発明は、非水系である、前記フォトレジスト剥離液組成物に関する。
That is, the present invention is a photoresist stripping composition for a substrate containing silver and / or a silver alloy,
-Formula (I)
NH 2 -A-Y-B- Z
In the formula, A and B are each independently a linear or branched alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, Y is either NH or O, and Z is NH 2 , OH, NH—D—NH 2 (wherein D is a linear or branched alkylene group having 1 to 5 carbon atoms),
A compound represented by
-Formula (II)
NH 2 -A-N (-B- OH) 2
In the formula, A and B are the same as in formula (I).
A compound represented by
-Formula (III)
A compound represented by
-Pyrocatechol,
-Hydroquinone,
-Pyrogallol,
The present invention relates to the photoresist stripping composition comprising one or more selected from the group consisting of gallic acid and gallic acid ester and one or more polar organic solvents.
Furthermore, the present invention relates to the photoresist stripping composition that is non-aqueous.
また本発明は、 式(I)、式(II)又は式(III)で表される化合物が、ジエチレントリアミン、2−(2−アミノエチルアミノ)エタノール、2−(2−アミノエチルアミノ)−2−プロパノール、N−(3−アミノプロピル)−N−(2−ヒドロキシエチル)−2−アミノエタノール、2−(2−アミノエトキシ)エタノール、ジプロピレントリアミン、トリエチレンテトラミン、モルホリンである、前記フォトレジスト剥離液組成物に関する。 In the present invention, the compound represented by formula (I), formula (II) or formula (III) is diethylenetriamine, 2- (2-aminoethylamino) ethanol, 2- (2-aminoethylamino) -2. The photo, which is -propanol, N- (3-aminopropyl) -N- (2-hydroxyethyl) -2-aminoethanol, 2- (2-aminoethoxy) ethanol, dipropylenetriamine, triethylenetetramine, morpholine. The present invention relates to a resist stripping composition.
さらに、本発明は、式(I)、式(II)又は式(III)で表される化合物の総含有量が、20質量%以上50質量%以下である、前記フォトレジスト剥離液組成物に関する。
また、本発明は、式(I)、式(II)又は式(III)で表される化合物を含み、極性有機溶剤が、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコール、ジメチルスルホキシドである、前記フォトレジスト剥離液組成物に関する。
また、本発明は、さらに防食剤を含有する、前記フォトレジスト剥離液に関する。
Furthermore, this invention relates to the said photoresist stripping liquid composition whose total content of the compound represented by Formula (I), Formula (II) or Formula (III) is 20 mass% or more and 50 mass% or less. .
The present invention also includes a compound represented by formula (I), formula (II) or formula (III), wherein the polar organic solvent is 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, diethylene glycol monobutyl ether, propylene The present invention relates to the photoresist stripping composition, which is glycol or dimethyl sulfoxide.
The present invention also relates to the photoresist stripping solution further containing an anticorrosive agent.
また、本発明は、モノエタノールアミンと、ピロカテコール、ハイドロキノン、ピロガロール、没食子酸及び没食子酸エステルからなる群から選択される1種または2種以上とを含有する、前記フォトレジスト剥離液組成物に関する。
さらに、本発明は、モノエタノールアミンと、ピロカテコール、ハイドロキノン、ピロガロール、没食子酸及び没食子酸エステルからなる群から選択される1種または2種以上とを含有するフォトレジスト剥離液組成物であって、極性有機溶剤が、N−メチル−2−ピロリジノン及び/又は1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノンである、前記フォトレジスト剥離液組成物に関する。
The present invention also relates to the photoresist stripping composition comprising monoethanolamine and one or more selected from the group consisting of pyrocatechol, hydroquinone, pyrogallol, gallic acid and gallic acid ester. .
Furthermore, the present invention is a photoresist stripping composition comprising monoethanolamine and one or more selected from the group consisting of pyrocatechol, hydroquinone, pyrogallol, gallic acid and gallic acid ester. In addition, the present invention relates to the photoresist stripping composition, wherein the polar organic solvent is N-methyl-2-pyrrolidinone and / or 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone.
また、本発明は、基板上の所定領域に銀及び/又は銀合金からなる金属反射膜または反射電極を形成する工程と、該金属反射膜または反射電極上にフォトレジストを用いてマスク形成を行い、非マスク領域の該金属反射膜または反射電極をエッチングする工程と、前記フォトレジストを前記フォトレジスト剥離液組成物を用いて該金属反射膜または反射電極上から剥離する工程を含む、銀及び/又は銀合金のパターン形成方法に関する。
さらに、本発明は、エッチング工程がドライエッチングである、前記銀及び/又は銀合金のパターン形成方法に関する。
The present invention also includes a step of forming a metal reflective film or reflective electrode made of silver and / or a silver alloy in a predetermined region on a substrate, and a mask is formed on the metal reflective film or reflective electrode using a photoresist. Etching the metal reflective film or reflective electrode in a non-mask region, and peeling the photoresist from the metal reflective film or reflective electrode using the photoresist stripping solution composition. Alternatively, the present invention relates to a silver alloy pattern forming method.
Furthermore, this invention relates to the pattern formation method of the said silver and / or silver alloy whose etching process is dry etching.
また、本発明は、基板に複数の表示素子を備えた表示装置であって、前記表示素子は基板上に銀及び/又は銀合金を含む層を形成した後、該積層した膜上にフォトレジストを用いてマスクを形成し、このマスクを用いて前記積層した膜をエッチングし、前記マスクを形成したフォトレジストを、前記フォトレジスト剥離液で剥離することにより形成された、銀及び/又は銀合金からなる反射膜または反射電極を備えた表示装置に関する。
さらに、本発明は、表示素子が、銀及び/又は銀合金からなる反射膜または反射電極の上に、発光層を含む有機層及び電極が順に積層され、該発光層で発生した光を電極側から取り出す有機発光素子である、前記表示装置に関する。
また、本発明は、表示素子が、基板に、画素電極と、この画素電極に電気的に接続された駆動素子及び配線とが設けられ、銀及び/又は銀合金からなる反射膜または反射電極が、該基板と該駆動素子および配線との間に設けられてなる液晶表示素子である、前記表示装置に関する。
The present invention is also a display device comprising a plurality of display elements on a substrate, wherein the display elements are formed on a layer containing silver and / or a silver alloy on the substrate, and then a photoresist is formed on the laminated film. A silver and / or silver alloy formed by forming a mask using the mask, etching the laminated film using the mask, and peeling the photoresist on which the mask is formed with the photoresist stripping solution The present invention relates to a display device including a reflective film or a reflective electrode.
Furthermore, in the present invention, an organic layer including a light emitting layer and an electrode are sequentially laminated on a reflective film or a reflective electrode made of silver and / or a silver alloy, and the display element transmits light generated in the light emitting layer to the electrode side It is related with the said display apparatus which is an organic light emitting element taken out from.
Further, according to the present invention, a display element includes a substrate, a pixel electrode, a driving element and a wiring electrically connected to the pixel electrode, and a reflective film or a reflective electrode made of silver and / or a silver alloy. The present invention relates to the display device, which is a liquid crystal display element provided between the substrate and the driving element and wiring.
本発明のフォトレジスト剥離液組成物は、式(I)、式(II)、式(III)で表されるある特定の有機アミノ化合物またはある特定の防食剤を用いる構成を採用することで、銀及び/又は銀合金を含む基板のエッチング後のフォトレジストを銀および銀合金を腐食することなく、剥離することができる。
本発明に用いられる有機アミノ化合物は、そのメカニズムは明確ではないが、化合物の構造中にある特定の炭素数のアルキレン基を複数有するものであり、アルキレン基の炭素鎖長が長すぎた場合、剥離性が低下し、短いと銀および銀合金に対し腐食性が増加するため、本発明の構成のある特定の長さを採用することで、銀及び/又は銀合金を含む基板に適用することができる。
また、ドライエッチング後のフォトレジスト変質層であっても、銀及び/又は銀合金を腐食することなく、良好に剥離することができ、従来困難であるとされてきたドライエッチングを可能とする。
The photoresist stripping composition of the present invention employs a configuration using a specific organic amino compound represented by formula (I), formula (II), or formula (III) or a specific anticorrosive agent. The photoresist after etching of the substrate containing silver and / or silver alloy can be stripped without corroding the silver and silver alloy.
The mechanism of the organic amino compound used in the present invention is not clear, but has a plurality of alkylene groups having a specific number of carbon atoms in the structure of the compound, and when the carbon chain length of the alkylene group is too long, The peelability decreases, and if it is short, the corrosivity increases with respect to silver and silver alloys. Therefore, by applying a specific length of the constitution of the present invention, it is applied to a substrate containing silver and / or silver alloy. Can do.
In addition, even a photoresist deteriorated layer after dry etching can be peeled off satisfactorily without corroding silver and / or a silver alloy, enabling dry etching which has been considered difficult in the past.
以下に本発明の実施の形態について詳述する。
本発明のフォトレジスト剥離液組成物は、式(I)
NH2−A−Y−B−Z
式中、A、Bは、それぞれ相互に独立して、直鎖状または分枝鎖状の、炭素数1〜5のアルキレン基であり、YはNHまたはOのいずれかであり、ZはNH2、OH,NH−D−NH2(ここでDは直鎖状または分枝鎖状の、炭素数1〜5のアルキレン基である、)である、
で表される化合物、式(II)
NH2−A−N(−B−OH)2
式中、A、Bは式(I)と同じである、
で表される化合物、式(III)
で表される化合物、ピロカテコール、ハイドロキノン、ピロガロール、没食子酸及び没食子酸エステルとからなる群から選択される1種または2種以上と、1種または2種以上の極性有機溶剤とを含有するフォトレジスト剥離液組成物である。
本発明に用いられるフォトレジスト剥離液組成物は、水を含有しない、非水系であることが好ましい。水を含有する場合、剥離液に含有される成分が水と反応してアルカリ性を示し、銀側面を腐食したり粒界に入り込み画素内の腐食を進行させ、欠陥が増加することがあるからである。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.
The photoresist stripping composition of the present invention has the formula (I)
NH 2 -A-Y-B- Z
In the formula, A and B are each independently a linear or branched alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, Y is either NH or O, and Z is NH 2 , OH, NH—D—NH 2 (wherein D is a linear or branched alkylene group having 1 to 5 carbon atoms),
A compound represented by formula (II):
NH 2 -A-N (-B- OH) 2
In the formula, A and B are the same as those in formula (I).
A compound represented by formula (III)
A photo containing one or more selected from the group consisting of a compound represented by the formula: pyrocatechol, hydroquinone, pyrogallol, gallic acid and gallic acid ester, and one or more polar organic solvents It is a resist stripping solution composition.
The photoresist stripping composition used in the present invention preferably contains no water and is non-aqueous. When water is contained, the component contained in the stripper reacts with water to show alkalinity, corroding the silver side surface or entering the grain boundary, causing the corrosion in the pixel to progress, and increasing defects. is there.
すなわち、式(I)
NH2−A−Y−B−Z
式中、A、Bは直鎖状または分枝鎖状の、炭素数1〜5のアルキレン基であり、YはNHまたはOのいずれかであり、ZはNH2、OH、NH−D−NH2(ここでDは直鎖状または分枝鎖状の、炭素数1〜5のアルキレン基である、)である、
で表される化合物、式(II)
NH2−A−N(−B−OH)2
式中、A、Bは式(I)と同じである、
で表される化合物、および式(III)
で表される化合物とからなる群から選択される有機アミノ化合物は、銀及び/又は銀合金を含む基板のフォトレジスト剥離液組成物の成分として使用できることが判明した。
That is, the formula (I)
NH 2 -A-Y-B- Z
Wherein, A, B is a linear or branched, an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, Y is either NH or O, Z is NH 2, OH, NH-D- NH 2 (wherein D is a linear or branched alkylene group having 1 to 5 carbon atoms),
A compound represented by formula (II):
NH 2 -A-N (-B- OH) 2
Wherein, A, and B is same as the formula (I),
And a compound of formula (III)
It was found that an organic amino compound selected from the group consisting of the compounds represented by the above can be used as a component of a photoresist stripping composition for a substrate containing silver and / or a silver alloy.
ここで、上記式(I)および式(II)中のAおよびBは、アルキレン鎖の炭素鎖長が長すぎた場合、剥離性が低下し、短いと銀および銀合金に対し腐食するため、直鎖状または分枝鎖状の、炭素数1〜5のアルキレン基であり、フォトレジスト剥離性および銀に対する腐食性を考慮すると、AおよびBの炭素数が合計して2〜10が好ましく、さらに好ましくは、2〜6個である。 Here, since A and B in the above formula ( I ) and formula ( II ) are deteriorated in peelability when the carbon chain length of the alkylene chain is too long, and corroded with respect to silver and the silver alloy when short, A linear or branched alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, and considering the photoresist peelability and the corrosiveness to silver, the total number of carbon atoms of A and B is preferably 2 to 10, More preferably, it is 2-6.
これらの化合物のうち、ジエチレントリアミン、2−(2−アミノエチルアミノ)エタノール、2−(2−アミノエチルアミノ)−2−プロパノール、N−(3−アミノプロピル)−N−(2−ヒドロキシエチル)−2−アミノエタノール、2−(2−アミノエトキシ)エタノール、ジプロピレントリアミン、トリエチレンテトラミン、モルホリンが好ましい。
また、有機アミノ化合物の含有量は、フォトレジスト及びフォトレジスト変質層の剥離性能および銀及び銀合金に対する腐食性を考慮すると、20質量%以上50質量%以下が好ましい。
Among these compounds, diethylenetriamine, 2- (2-aminoethylamino) ethanol, 2- (2-aminoethylamino) -2-propanol, N- (3-aminopropyl) -N- (2-hydroxyethyl) -2-Aminoethanol, 2- (2-aminoethoxy) ethanol, dipropylenetriamine, triethylenetetramine, and morpholine are preferred.
Further, the content of the organic amino compound is preferably 20% by mass or more and 50% by mass or less in consideration of the peeling performance of the photoresist and the altered photoresist layer and the corrosiveness to silver and the silver alloy.
また、式(I)、式(II)、式(III)で表される有機アミノ化合物と混合する極性有機溶剤は、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル等のエーテル系溶剤、ホルムアミド、モノメチルホルムアミド、ジメチルホルムアミド、モノエチルホルムアミド、ジエチルホルムアミド、アセトアミド、モノメチルアセトアミド、ジメチルアセトアミド、モノエチルアセトアミド、ジエチルアセトアミド等のアミド系溶剤、N−メチル−2−ピロリジノン、N−エチル−2−ピロリジノン等のピロリジノン系溶剤、メチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、エチレングリコール、プロピレングリコール等のアルコール系溶剤、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド溶剤、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、1,3−ジエチル−2−イミダゾリジノン、1,3−ジイソプロピル−2−イミダゾリジノン等のイミダゾリジノン系溶剤、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン等のラクトン系溶剤が挙げられる。 The polar organic solvent mixed with the organic amino compound represented by the formula (I), formula (II), or formula (III) is ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether, ethylene glycol. Monobutyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monopropyl ether, di Propylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, dipropylene Ether solvents such as glycol dimethyl ether, formamide, monomethylformamide, dimethylformamide, monoethylformamide, diethylformamide, acetamide, monomethylacetamide, dimethylacetamide, monoethylacetamide, diethylacetamide and other amide solvents, N-methyl-2-pyrrolidinone Pyrrolidinone solvents such as N-ethyl-2-pyrrolidinone, alcohol solvents such as methyl alcohol, ethyl alcohol, propyl alcohol, isopropyl alcohol, ethylene glycol and propylene glycol, sulfoxide solvents such as dimethyl sulfoxide, 1,3-dimethyl- 2-Imidazolidinone, 1,3-Diethyl-2-imidazolidinone, 1,3-Diisopropyl-2-imidazolidinone Imidazolidinone solvents, .gamma.-butyrolactone, and a lactone-based solvents such as .gamma.-valerolactone.
これらの中で好ましくは、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、1,3−ジエチル−2−イミダゾリジノン、1,3−ジイソプロピル−2−イミダゾリジノン、N−メチル−2−ピロリジノン、N−エチル−2−ピロリジノン、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコール、ジメチルスルホキシドが好ましく、フォトレジスト変質層の除去性の観点より、更に好ましくは、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコール、ジメチルスルホキシドである。 Of these, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, 1,3-diethyl-2-imidazolidinone, 1,3-diisopropyl-2-imidazolidinone, N-methyl-2-pyrrolidinone , N-ethyl-2-pyrrolidinone, diethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol, and dimethyl sulfoxide are preferable, and from the viewpoint of the removal property of the altered photoresist layer, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, diethylene glycol mono Butyl ether, propylene glycol, dimethyl sulfoxide.
また、式(I)、式(II)、式(III)で表される有機アミノ化合物と極性有機溶媒を含有する本願組成物は、アミノ酢酸、酢酸等の有機酸、フロログルシノール、レゾルシノール、フェノール、ベンゾトリアゾール、ピロカテコール、ハイドロキノン、没食子酸、没食子酸エステル、ピロガロール等を防食剤としてさらに添加することができる。 In addition, the present composition containing the organic amino compound represented by the formula (I), the formula (II), and the formula (III) and a polar organic solvent is an organic acid such as aminoacetic acid or acetic acid, phloroglucinol, resorcinol, Phenol, benzotriazole, pyrocatechol, hydroquinone, gallic acid, gallic acid ester, pyrogallol and the like can be further added as an anticorrosive.
また本発明は、モノエタノールアミンと、1種または2種以上の極性有機溶剤と、ピロカテコール、ハイドロキノン、ピロガロール、没食子酸、没食子酸エステルからなる群から選択される1種または2種以上からなる防食剤とを含有するフォトレジスト剥離液組成物である。
しかし、ピロカテコール、ハイドロキノン、ピロガロール、没食子酸、没食子酸エステルに類似しており、従来のフォトレジスト剥離液組成物の防食剤と使用されているフロログルシノール(1、3、5−トリヒドロキシベンゼン)、レゾルシノール(1、3−ジヒドロキシベンゼン)、フェノールや、酢酸やアミノ酢酸は、モノエタノールアミンとともに添加しても銀及び銀合金に対する腐食性は改善されない。
Moreover, this invention consists of 1 type (s) or 2 or more types selected from the group which consists of monoethanolamine, 1 type, or 2 or more types of polar organic solvents, and pyrocatechol, hydroquinone, pyrogallol, gallic acid, gallic acid ester. A photoresist stripping composition containing an anticorrosive.
However, it is similar to pyrocatechol, hydroquinone, pyrogallol, gallic acid, gallic acid ester, and phloroglucinol (1,3,5-trihydroxybenzene) used as an anticorrosive for conventional photoresist stripping liquid compositions. ), Resorcinol (1,3-dihydroxybenzene), phenol, acetic acid and aminoacetic acid are not improved in corrosiveness to silver and silver alloys even when added together with monoethanolamine.
また、モノエタノールアミンと混合する極性有機溶剤は、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル等のエーテル系溶剤、ホルムアミド、モノメチルホルムアミド、ジメチルホルムアミド、モノエチルホルムアミド、ジエチルホルムアミド、アセトアミド、モノメチルアセトアミド、ジメチルアセトアミド、モノエチルアセトアミド、ジエチルアセトアミド等のアミド系溶剤、N−メチル−2−ピロリジノン、N−エチル−2−ピロリジノン等のピロリジノン系溶剤、メチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、エチレングリコール、プロピレングリコール等のアルコール系溶剤、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド溶剤、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、1,3−ジエチル−2−イミダゾリジノン、1,3−ジイソプロピル−2−イミダゾリジノン等のイミダゾリジノン系溶剤、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン等のラクトン系溶剤が挙げられる。好ましくは、N−メチル−2−ピロリジノン及び/又は1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノンである。 The polar organic solvent mixed with monoethanolamine is ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, Ethers such as propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monopropyl ether, dipropylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, dipropylene glycol dimethyl ether Solvent, formamide, monomethylformamide, dimethylformamide, monoethylformamide, diethylformamide, acetamide, monomethylacetamide, dimethylacetamide, monoethylacetamide, diethylacetamide and other amide solvents, N-methyl-2-pyrrolidinone, N-ethyl-2 -Pyrrolidinone solvents such as pyrrolidinone, alcohol solvents such as methyl alcohol, ethyl alcohol, propyl alcohol, isopropyl alcohol, ethylene glycol, propylene glycol, sulfoxide solvents such as dimethyl sulfoxide, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, Imidazolidinone solvents such as 1,3-diethyl-2-imidazolidinone, 1,3-diisopropyl-2-imidazolidinone, and γ-butyrolac And lactone solvents such as γ-valerolactone. N-methyl-2-pyrrolidinone and / or 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone are preferred.
このフォトレジスト剥離液を用いて製造する表示装置について以下に示す。
〔第1の実施の形態〕
図1にこの表示装置の一断面概略図を示す。
ガラス基板11の上に、TFT12、層間絶縁膜12Aおよび配線12Bを形成する。
次に、基板11の全面に、例えばスピンコート法により平坦化層13を形成し、露光および現像により平坦化層13を所定の形状にパターニングすると共に接続孔13Aを形成する。そののち、ポリイミドをイミド化させるため、クリーンベーク炉で例えば320℃の温度で焼成する。
続いて平坦化層13上に例えばスパッタ法により、Agを含む電極層14として銀もしくは銀合金を例えば100nmの膜厚で積層する。
Agを含む電極層14を形成したのち、例えばリソグラフィ技術を用いて、レジストマスクを作製し、これを用いてAgを含む電極層14をエッチングする。このエッチングはウェットエッチングまたはドライエッチングで行なうことが可能である。
次にフォトレジスト剥離液でレジストを除去する。
A display device manufactured using this photoresist stripping solution will be described below.
[First Embodiment]
FIG. 1 shows a schematic cross-sectional view of this display device.
On the
Next, the
Subsequently, silver or a silver alloy is laminated to a thickness of, for example, 100 nm as the
After the
Next, the resist is removed with a photoresist stripping solution.
次に基板11の全面にわたり、例えばCVD(Chemical Vapor Deposition ;化学的気相成長)法により絶縁膜15を成膜し、例えばリソグラフィ技術を用いて絶縁膜15のうち発光領域に対応する部分を選択的に除去し開口部15Aを形成する。
次に、絶縁膜15の上に、基板11の全面にわたり補助電極17Aを形成し、例えばリソグラフィ技術を用いて選択的にエッチングし、所定の形状にパターニングする。
続いて、例えば蒸着法により、有機層16を形成する。その際、絶縁膜15の開口部に対して成膜するように、開口を有する金属製の蒸着マスクを用いる。
有機層16を形成した後、基板全面にわたり、例えば蒸着法によりなる共通電極17を形成する。これにより、共通電極17は既に形成されている補助電極17Aおよび図示しない母線となる幹状補助電極に電気的に接続される。
Next, an insulating
Next, the
Subsequently, the
After the
その後、封止用基板21を基板11の有機層16を形成した側に熱硬化性樹脂よりなる接着層30を塗布形成し、張り合わせて表示装置が完成する。
この表示装置では、例えば、Agを含む電極層14と共通電極17との間に所定の電圧が印加されると、有機層16で発光が起こる。
本発明によるフォトレジスト剥離液を用いることで、Agが腐食されることなくレジストが剥離できる。その為、Agの腐食に起因する画素欠陥が従来の剥離液と比較して1/10に低減でき、表示素子の信頼性が向上した。
Thereafter, an
In this display device, for example, when a predetermined voltage is applied between the
By using the photoresist stripping solution according to the present invention, the resist can be stripped without corrosion of Ag. For this reason, pixel defects caused by Ag corrosion can be reduced to 1/10 compared with conventional stripping solutions, and the reliability of the display element is improved.
〔第2の実施の形態〕
図2は、本発明の第2の実施の形態に係る表示装置の断面構造を表すものである。
この表示装置は、透過型・反射型併用(半透過型)の液晶ディスプレイとして用いられるものであり、駆動パネル60と対向パネル70とが対向配置され、その間に液晶80が設けられている。駆動パネル60は、例えばガラスよりなる基板61に、画素電極62がマトリクス状に設けられている。基板61には、画素電極62に電気的に接続された駆動素子としてのTFT63および配線63Aなどを含むアクティブ型の駆動回路が形成されている。
基板61の液晶80に対向する側には、配向膜64が全面に設けられ、反対側には偏光板65が設けられている。
[Second Embodiment]
FIG. 2 shows a cross-sectional structure of a display device according to the second embodiment of the present invention.
This display device is used as a transmissive / reflective (semi-transmissive) liquid crystal display, in which a
An
画素は画素電極62とAgを含む電極層14とを有している。画素電極62は例えばITOにより構成され、Agを含む電極層14は銀もしくは銀合金を含む層で構成されている。Agを含む電極層14は、画素電極62の一部領域に重ねるように形成されている。Agを含む電極層14が形成された領域は、反射型表示領域となり、画素電極62のAgを含む電極層14が重ねられていない領域が、透過型表示領域となる。
The pixel has a
TFT63のゲート電極(図示せず)は、図示しない走査回路に接続され、ソース(図示せず)は信号線としての配線63Aに接続され、ドレイン(図示せず)は、画素電極62に接続されている。配線63Aの材料は、第1の実施の形態の配線13Bと同様である。また、TFT63の構成は、第1の実施の形態のTFT12と同様、特に限定されない。TFT63および配線63Aは、例えば酸化シリコン(SiO2)あるいは窒化シリコン(SiN)よりなる保護膜63Bにより被覆されている。
配向膜64は、例えば、ポリイミドなどの有機化合物をラビング(配向)処理した膜を用いる。この場合、ラビング条件を変更することによりプレティルト角が制御される。
偏光板65は、図示しないバックライトからの光を一定方向の直線偏光に変える光学素子であり、例えばポリビニルアルコール(PVA)フィルムなどを含んで構成されている。
A gate electrode (not shown) of the
As the
The
対向パネル70は、駆動パネル60の画素電極62の側に位置しており、ガラスなどよりなる対向基板71を有している。
対向基板71には、例えば、画素電極62に対向して、透明電極72およびカラーフィルタ73が対向基板71側から順に積層されて設けられている。
また、対向基板71には、カラーフィルタ73の境界に沿って、ブラックマトリクスとしての光吸収膜74が設けられている。対向基板71の液晶80に対向する側には、配向膜75が全面に設けられ、反対側には偏光板76が設けられている。
The
On the counter substrate 71, for example, a
The counter substrate 71 is provided with a
透明電極72は、例えばITOにより構成されている。
光吸収膜74は、対向基板71に入射した外光あるいは配線64により反射された外光の反射光などを吸収してコントラストを向上させるものであり、例えば黒色の着色剤を混入した光学濃度が1以上の黒色の樹脂膜、または薄膜の干渉を利用した薄膜フィルターにより構成されている。薄膜フィルタは、例えば、金属,金属窒化物あるいは金属酸化物よりなる薄膜を1層以上積層し、薄膜の干渉を利用して光を減衰させるものである。
The
The
薄膜フィルタとしては、具体的には、クロムと酸化クロム(III)(Cr2O3 )とを交互に積層したものが挙げられる。配向膜75および偏光板76は、駆動パネル60の配向膜64および偏光板65と同様に構成されている。
液晶80は、電圧を印加することにより配向状態が変化して透過率を変化させるものである。駆動時に液晶分子の傾斜する方向が一様でないと明暗のむらが生じるため、これを避けるために、あらかじめ液晶80にはわずかなプレティルト角が一定方向に与えられている。
Specific examples of the thin film filter include those in which chromium and chromium oxide (III) (Cr 2 O 3 ) are alternately laminated. The
The
この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。
まず、基板61に画素電極62及びAgを含む電極層14を例えばスパッタ法で成膜する。その後、フォトリソ工程を用いてレジストのパターンを形成する。
その後、フォトレジストにより形成されたパターンをマスクとしてAgを含む電極層14のエッチングを行なう。エッチングは薬液を用いたウェットエッチングやドライエッチングを用いることが出来る。その後、第一の実施例記載のフォトレジスト剥離液でレジストを除去する。
更に画素電極62のパターンを形成する為にレジストパターンを同様に形成し、エッチング後上記フォトレジスト剥離液でレジストを除去する。
This display device can be manufactured, for example, as follows.
First, the
Thereafter, the
Further, in order to form a pattern of the
続いて、TFT63および配線63Aを形成し、保護膜63Bで被覆する。そののち、基板61の全面に配向膜64を形成し、ラビング処理を行う。これにより、駆動パネル60が形成される。
また、対向基板71の表面に透明電極72、光吸収膜74およびカラーフィルタ73を形成する。次に、対向基板71の全面に配向膜75を形成し、ラビング処理を行う。これにより、対向パネル70が形成される。
Subsequently, a
In addition, a
次に、駆動パネル60または対向パネル70の周辺部分に例えばエポキシ樹脂などよりなるシール材(図示せず)を設け、球状あるいは柱状のスペーサ(図示せず)を設ける。続いて、駆動パネル60および対向パネル70を、画素電極62と透明電極72とが対向するように位置合わせし、シール材を硬化させることにより貼り合わせ、液晶80を内部に注入して密封する。そののち、駆動パネル60に偏光板65を、対向パネル70に偏光板76をそれぞれ貼付する。以上により、図2に示した表示装置が完成する。
本発明のフォトレジスト剥離液を用いることで、反射膜であるAgを含む電極層14の表面に対する腐食が無くなり、腐食などによる反射率低下に起因する表示装置の信頼性が向上する。
Next, a sealing material (not shown) made of, for example, an epoxy resin is provided around the
By using the photoresist stripping solution of the present invention, the surface of the
以下に、実施例と比較例を挙げて本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものでない。
1.式(I)、式(II)、式(III)で表される化合物と極性有機溶剤とを含有し、非水系のフォトレジスト剥離液
(1)フォトレジスト及びフォトレジスト変質層剥離性評価
ガラス基板上に銀合金を成膜し、銀合金上に塗布、露光、現像したフォトレジストをマスクとして、ドライエッチングを行い、パターンを形成し、フォトレジスト及びフォトレジスト変質層剥離性評価基板を得た。続いてその基板をフォトレジスト剥離液中に70℃、10分間浸漬後、超純水による流水リンス処理後、窒素ブローによる乾燥を行った後、光学顕微鏡及び電子顕微鏡によってフォトレジスト及びフォトレジスト剥離性評価を行った。その結果を表1に示す。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited to these Examples.
1. Non-aqueous photoresist stripping solution containing compound represented by formula (I), formula (II), formula (III) and polar organic solvent (1) Photoresist and photoresist altered layer peelability evaluation Glass substrate A silver alloy film was formed thereon, dry etching was performed using a photoresist coated, exposed, and developed on the silver alloy as a mask to form a pattern, thereby obtaining a photoresist and an altered photoresist layer evaluation substrate. Subsequently, the substrate was immersed in a photoresist stripping solution at 70 ° C. for 10 minutes, rinsed with running water with ultrapure water, dried by nitrogen blowing, and then stripped of photoresist and photoresist with an optical microscope and an electron microscope. Evaluation was performed. The results are shown in Table 1.
(2)銀及び銀合金に対する腐食性評価
ガラス基板上に銀合金を成膜し、銀合金に対する腐食性評価基板を得た。続いてその基板をフォトレジスト剥離液中に70℃、10分間浸漬後、超純水による流水リンス処理後、窒素ブローによる乾燥を行った後、光学顕微鏡及び電子顕微鏡によって銀合金に対する腐食性評価を行った。その結果を表1に示す。
(2) Corrosion Evaluation for Silver and Silver Alloy A silver alloy film was formed on a glass substrate to obtain a corrosion evaluation substrate for silver alloy. Subsequently, the substrate was immersed in a photoresist stripping solution at 70 ° C. for 10 minutes, rinsed with running water with ultrapure water, dried with nitrogen blow, and then evaluated for corrosiveness to the silver alloy with an optical microscope and an electron microscope. went. The results are shown in Table 1.
2.モノエタノールアミンと、極性有機溶剤と、ピロカテコール、ハイドロキノン、ピロガロール、没食子酸、没食子酸エステルからなる群から選択される1種または2種以上からなる防食剤とを含有し、非水系のフォトレジスト剥離液組成物
本組成物について、フォトレジスト除去性と、銀合金に対する腐食性について、1と同様に実験評価し、その結果を表2に示した。
2. A nonaqueous photoresist containing monoethanolamine, a polar organic solvent, and one or more anticorrosive agents selected from the group consisting of pyrocatechol, hydroquinone, pyrogallol, gallic acid, and gallic acid ester Stripping liquid composition The composition was subjected to an experimental evaluation in the same manner as 1 with respect to the photoresist removability and the corrosiveness to the silver alloy, and the results are shown in Table 2.
本発明のフォトレジスト剥離液を使用することにより、銀及び銀合金に対して腐食することなく、銀及び銀合金をエッチングした後のフォトレジスト、更にドライエッチングした後のフォトレジスト変質層を剥離することが可能となり、よって銀及び銀合金を金属反射膜として使用した有機ELディスプレイの製造が可能となる。 By using the photoresist stripping solution of the present invention, the photoresist after etching silver and the silver alloy and the altered photoresist layer after dry etching are stripped without corroding the silver and the silver alloy. Therefore, it becomes possible to manufacture an organic EL display using silver and a silver alloy as a metal reflection film.
11・・・・・ガラス基板
12・・・・・TFT
12A・・・・層間絶縁膜
12B・・・・配線
13・・・・・平坦化層
13A・・・・接続孔
14・・・・・電極層
15・・・・・絶縁膜
15A・・・・開口部
16・・・・・有機層
17・・・・・共通電極
17A・・・・補助電極
21・・・・・封止用基板
30・・・・・接着層
60・・・・・駆動パネル
61・・・・・基板
62・・・・・画素電極
63・・・・・TFT
63A・・・・配線
63B・・・・保護膜
64・・・・・配向膜
65・・・・・偏光板
70・・・・・対向パネル
71・・・・・対向基板
72・・・・・透明電極
73・・・・・カラーフィルタ
74・・・・・光吸収膜
75・・・・・配向膜
76・・・・・偏光板
80・・・・・液晶
11 ...
12A ...
17A ...
63A ... Wiring 63B ...
Claims (11)
−式(I)
NH2−A−Y−B−Z
式中、A、Bは、それぞれ相互に独立して、直鎖状または分枝鎖状の炭素数1〜5のアルキレン基であり、Yは、NHまたはOのいずれかであり、Zは、NH2、OH、NH−D−NH2(ここでDは直鎖状または分枝鎖状の、炭素数1〜5のアルキレン基である、)である、
で表される化合物、
−式(II)
NH2−A−N(−B−OH)2
式中、A,Bは式(I)と同じである、
で表される化合物、及び
−式(III)
で表される化合物、
からなる群から選択される1種または2種以上と、
エーテル系溶剤、アミド系溶剤、ピロリジノン系溶剤、アルコール系溶剤、スルホキシド系溶剤、イミダゾリジノン系溶剤およびラクトン系溶剤からなる群から選択される2種以上の極性有機溶剤とからなり、非水系である、前記フォトレジスト剥離液組成物。 A photoresist stripping liquid composition for use in a substrate containing silver and / or a silver alloy, for preventing corrosion of silver and / or a silver alloy and stripping the photoresist and the altered photoresist layer,
-Formula (I)
NH 2 -A-Y-B- Z
In the formula, A and B are each independently a linear or branched alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, Y is either NH or O, and Z is NH 2 , OH, NH—D—NH 2 (wherein D is a linear or branched alkylene group having 1 to 5 carbon atoms),
A compound represented by
-Formula (II)
NH 2 -A-N (-B- OH) 2
In the formula, A and B are the same as in formula (I).
A compound represented by, and - formula (III)
A compound represented by
One or more selected from the group consisting of:
Ether solvents, amide solvents, pyrrolidinone solvents, alcohol solvents, sulfoxide solvents, consists of a two or more polar organic solvents that will be selected from the group consisting of imidazolidinone solvents and lactone solvent, a non-aqueous The photoresist stripping composition.
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