JP2000008184A - Etching of multilayer electrically conductive film - Google Patents
Etching of multilayer electrically conductive filmInfo
- Publication number
- JP2000008184A JP2000008184A JP10177747A JP17774798A JP2000008184A JP 2000008184 A JP2000008184 A JP 2000008184A JP 10177747 A JP10177747 A JP 10177747A JP 17774798 A JP17774798 A JP 17774798A JP 2000008184 A JP2000008184 A JP 2000008184A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- conductive film
- etchant
- thin film
- acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、銀系薄膜と、酸化
インジウムを主成分とする透明酸化物薄膜を積層して構
成される多層導電膜のエッチング方法に係わり、特に、
この多層導電膜を高精度にバターニングできるエッチン
グ方法の改良に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for etching a multilayer conductive film formed by laminating a silver-based thin film and a transparent oxide thin film containing indium oxide as a main component.
The present invention relates to an improvement in an etching method capable of patterning the multilayer conductive film with high accuracy.
【０００２】[0002]
【従来の技術】酸化インジウムを主成分とする透明酸化
物膜は、その高い透明性と導電性に着目して液晶表示装
置の透明電極、入出力装置、太陽電池の透明電極等に広
く利用されており、この透明酸化物薄膜は塩酸を主成分
とするエッチャントを用いてエッチングされ電極等のパ
ターン形状に加工されている。また、更に高い透過率及
び導電性を有する多層導電膜として、例えば、銀系薄膜
とその表面にＩＴＯ薄膜等の透明酸化物を設けて形成さ
れる多層導電膜が、様々な分野に応用できるような試み
がなされている。2. Description of the Related Art Transparent oxide films containing indium oxide as a main component are widely used for transparent electrodes of liquid crystal display devices, input / output devices, transparent electrodes of solar cells, etc., paying attention to their high transparency and conductivity. This transparent oxide thin film is etched using an etchant containing hydrochloric acid as a main component and processed into a pattern shape such as an electrode. As a multilayer conductive film having higher transmittance and conductivity, for example, a multilayer conductive film formed by providing a silver-based thin film and a transparent oxide such as an ITO thin film on the surface thereof can be applied to various fields. Attempts have been made.
【０００３】一方、光反射薄膜として、アルミニウムや
銀の単層膜が使用されている。銀の方がアルミニウムに
比べ反射率が高いが、銀は基板との密着性が低く、ま
た、アルミニウムは酸アルカリに対する耐性が低いなど
各々の問題があるが、これらの光反射薄膜は液晶表示装
置の反射電極、太陽電池の反射電極等に応用する試みが
なされている。そして、上記薄膜の中で銀系多層電膜を
所定のパターン形状に加工する必要が有る場合、そのエ
ッチャントとしては、従来、硝酸、或いは、塩酸と硝酸
との混酸が利用されていた。On the other hand, a single-layer film of aluminum or silver is used as a light reflecting thin film. Silver has a higher reflectance than aluminum, but silver has low adhesion to the substrate, and aluminum has low resistance to acid and alkali. Attempts have been made to apply it to a reflective electrode of a solar cell, a reflective electrode of a solar cell, and the like. In the case where it is necessary to process the silver-based multilayer electric film in a predetermined pattern shape from among the above thin films, nitric acid or a mixed acid of hydrochloric acid and nitric acid has been conventionally used as an etchant.
【０００４】前記高い透過率及び導電性を有する、銀系
薄膜にＩＴＯ薄膜等の透明酸化物を積層して構成される
多層導電膜においては、このＩＴＯと銀の固溶性が高い
ため、多層導電膜内に進入した空気中の水分によりＩＴ
Ｏと銀とが互いに溶解し、シミ状となりこれが欠陥とな
ることがあった。そこで、この問題点を解決するため、
本発明者らは、ＩＴＯ薄膜の代わりに酸化インジウムを
基材とし銀との固溶域を実質的に持たない元素の酸化物
（具体的には酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ハフ
ニウム、酸化タンクル及び酸化セリウム）を含有する透
明酸化物薄膜を使用し、これを銀系薄膜に積層して構成
される多層導電膜を既に提案している。（特願平７−８
８７９７）In a multilayer conductive film having a high transmittance and conductivity, which is formed by laminating a transparent oxide such as an ITO thin film on a silver-based thin film, since the solid solubility of ITO and silver is high, the multilayer conductive film The water in the air that has entered the membrane
O and silver dissolved each other to form a spot, which sometimes became a defect. So, to solve this problem,
The present inventors have proposed an oxide of an element having indium oxide as a base material instead of an ITO thin film and having substantially no solid solution region with silver (specifically, titanium oxide, zirconium oxide, hafnium oxide, tank oxide, There has already been proposed a multilayer conductive film formed by using a transparent oxide thin film containing (cerium oxide) and laminating it on a silver-based thin film. (Japanese Patent Application Hei 7-8
8797)
【０００５】そして、この多層導電膜は、上記透明酸化
物薄膜の耐湿性が極めて高く、たとえ空気中の水分が侵
入した場合でも上記元素と銀元素との相互溶解がなく、
長期間に亘ってシミ状の欠陥を生じる事が無く、極めて
優れた保存安定性を備えているものである。また、上記
多層構成はアルミニウム反射板より高い光反射率を有し
ている。[0005] In this multilayer conductive film, the transparent oxide thin film has extremely high moisture resistance, and even if moisture in the air enters, there is no mutual dissolution between the element and the silver element.
It does not cause spot-like defects for a long period of time and has extremely excellent storage stability. Further, the multilayer structure has a higher light reflectance than the aluminum reflector.
【０００６】しかし、酸化インジウムを基材として銀と
の固溶域を実質的に持たない元素の酸化物を含有する上
記透明酸化物薄膜は、塩酸や硝酸に対する耐性が高いこ
とから塩酸や硝酸を主成分とするエッチャントを用いて
エッチング処理された場合、エッチング残渣が生じてパ
ターン精度が低下してしまう事があった。また、ハロゲ
ン系の酸を用いたエッチングではハロゲン化銀を形成
し、膜の耐性を低下させる事が分かった。However, the transparent oxide thin film containing indium oxide as a base material and containing an oxide of an element having substantially no solid solution region with silver has a high resistance to hydrochloric acid and nitric acid. When etching is performed using an etchant as a main component, an etching residue may be generated and pattern accuracy may be reduced. Further, it was found that silver halide was formed by etching using a halogen-based acid, and the film resistance was reduced.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、上記酸
化インジウムを基材として銀との固溶域を実質的に持た
ない元素の酸化物を含有する透明酸化物薄膜を、銀系薄
膜に積層した多層導電膜に対応したエッチャントとし
て、硫酸と硝酸の混酸系を既に提案しており（特開平９
−５９７８７）、このエッチャントを用いたパターニン
グではエッチング残渣が生じない、パターン精度の低下
しないものが得られている。SUMMARY OF THE INVENTION The present inventors have developed a transparent oxide thin film containing an oxide of an element having substantially no solid solution region with silver using the above-described indium oxide as a base material. A mixed acid system of sulfuric acid and nitric acid has already been proposed as an etchant corresponding to a multilayer conductive film laminated in Japanese Unexamined Patent Publication No.
In the patterning using this etchant, an etching residue is not generated, and the pattern accuracy is not reduced.
【０００８】しかし、この混酸系では加熱処理、経過時
間により硝酸が揮発しやすくエッチャント組成が不安定
となり、エッチングレートが変化し、銀系薄膜のパター
ン形状と透明酸化物薄膜のパターン形状とが異なったも
のになり易く、両薄膜のパターンの大きさにズレをもた
らす問題があった。本発明はこのような問題点に着目し
てなされたもので、その課題とするところは、上記多層
導電膜を安定して高精度にバターニングできる多層導電
膜のエッチング方法を提供することにある。However, in this mixed acid system, nitric acid is liable to volatilize due to heat treatment and elapsed time, the etchant composition becomes unstable, the etching rate changes, and the pattern shape of the silver-based thin film differs from that of the transparent oxide thin film. There is a problem that the sizes of the patterns of the two thin films are shifted. The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide a method for etching a multilayer conductive film capable of stably and highly accurately patterning the multilayer conductive film. .
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明は、銀系薄膜と、
酸化インジウムを主成分とする透明酸化物薄膜とを積層
して構成される多層導電膜を、硫酸と硝酸を主成分とす
るエッチャントによりエッチングするエッチング方法に
おいて、上記エッチャントに硝酸の揮発を抑える為のバ
ッファーが含有しているエッチャントを用いてエッチン
グする事を特徴とする多層導電膜のエッチング方法であ
る。また、本発明は、上記発明の多層導電膜のエッチン
グ方法において、上記エッチャントの硫酸濃度が硝酸濃
度より高く設定されているエッチャントを用いる事を特
徴とする多層導電膜のエッチング方法である。The present invention provides a silver-based thin film,
In an etching method for etching a multilayer conductive film formed by laminating a transparent oxide thin film containing indium oxide as a main component with an etchant containing sulfuric acid and nitric acid as a main component, the etchant is used to suppress volatilization of nitric acid. This is a method for etching a multilayer conductive film, wherein etching is performed using an etchant contained in a buffer. Further, the present invention is the method for etching a multilayer conductive film according to the above-mentioned invention, wherein an etchant in which the sulfuric acid concentration of the etchant is set higher than the nitric acid concentration is used.
【００１０】また、本発明は、上記発明の多層導電膜の
エッチング方法において、上記エッチャントにおける硫
酸と硝酸とバッファ−が、モル比（１００〜２００）：
1 ：（７０〜２８５）の範囲に設定されているエッチャ
ントを用いる事を特徴とする多層導電膜のエッチング方
法である。また、本発明は、上記発明の多層導電膜のエ
ッチング方法において、上記エッチャントのバッファ−
が、酢酸、リン酸、シュウ酸、蟻酸、及びクエン酸など
の有機酸から選ばれる１種、或いは、２種類を混合した
酸であるエッチャントを用いる事を特徴とする多層導電
膜のエッチング方法である。Further, the present invention provides the method for etching a multilayer conductive film according to the above invention, wherein the sulfuric acid, nitric acid and buffer in the etchant are in a molar ratio (100 to 200):
1: An etching method for a multilayer conductive film, characterized by using an etchant set in the range of (70 to 285). Further, the present invention provides the method for etching a multilayer conductive film according to the above invention, wherein the etchant buffer is provided.
Is a method for etching a multi-layered conductive film, characterized by using an etchant that is an acid selected from organic acids such as acetic acid, phosphoric acid, oxalic acid, formic acid, and citric acid, or a mixture of two types. is there.
【００１１】また、本発明は、上記発明の多層導電膜の
エッチング方法において、上記酸化インジウムが、高屈
折率の酸化物を添加した酸化インジウムであることを特
徴とする多層導電膜のエッチング方法である。The present invention also relates to the method for etching a multilayer conductive film according to the invention, wherein the indium oxide is indium oxide to which an oxide having a high refractive index is added. is there.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】以下に本発明による多層導電膜の
エッチング方法を一実施の形態に基づいて説明する。図
１は、本発明における多層導電膜の一実施例を拡大して
示す断面図である。図１において、多層導電膜（５）は
基板（１）上に、先ず透明酸化物薄膜（２）が形成さ
れ、続いて銀系薄膜（３）、透明酸化物薄膜（４）が形
成された構成のものである。本発明は、銀系薄膜（３）
と、酸化インジウムを基材とし銀の固溶域を実質持たな
い元素の酸化物を含有する透明酸化物薄膜（２、４）と
を積層して構成される多層導電膜（５）を安定して高精
度にバターニングできるエッチング方法を提供するもの
である。また、この多層導電膜のエッチャントは、硫酸
と硝酸を主成分とするエッチャントに硝酸の揮発を抑え
る為のバッファーが含有している事を特徴とするもので
ある。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a method for etching a multilayer conductive film according to the present invention will be described based on one embodiment. FIG. 1 is an enlarged sectional view showing an embodiment of the multilayer conductive film according to the present invention. In FIG. 1, a multilayer conductive film (5) has a transparent oxide thin film (2) formed on a substrate (1), followed by a silver-based thin film (3) and a transparent oxide thin film (4). It is of a configuration. The present invention provides a silver-based thin film (3)
And a multilayer conductive film (5) formed by laminating a transparent oxide thin film (2, 4) containing an oxide of an element having indium oxide as a base material and having substantially no solid solution region of silver. It is intended to provide an etching method capable of performing high-precision buttering. The etchant of the multilayer conductive film is characterized in that an etchant containing sulfuric acid and nitric acid as main components contains a buffer for suppressing volatilization of nitric acid.
【００１３】本発明において、銀系薄膜としては、銀単
体の薄膜の他に、分光特性と導電性とを損なわない範囲
で、銀に他の元素を添加して構成される銀系合金が利用
できる。そして、エッチャントに含まれる上記硝酸がこ
の銀系薄膜を好適に溶解しエッチング処理をするもので
ある。そして、上記添加する元素としては、鋼、金、イ
ンジウム、亜 鉛、カドミウム、錫、アルミニウム等の
単純金属元素が利用でき、その添加量は５％以下である
ことが望ましい。In the present invention, as the silver-based thin film, besides a thin film of silver alone, a silver-based alloy constituted by adding other elements to silver is used as long as the spectral characteristics and conductivity are not impaired. it can. The nitric acid contained in the etchant suitably dissolves the silver-based thin film and performs an etching process. As the element to be added, a simple metal element such as steel, gold, indium, zinc, cadmium, tin, and aluminum can be used, and the added amount is desirably 5% or less.
【００１４】また、本発明において、酸化インジウムを
主成分とする透明酸化物薄膜とは、銀との固溶限度が１
０ａｔ％以下の元素、例えば、チタン、ジルコニウム、
ハフニウム、タンタル等の高融点金属元素、シリコン、
ビスマス、アンチモン等の半金属元素、セリウム等のラ
ンクン系の金属元素等を、インジウム元素に比較して５
ａｔ％以上で構成された透明酸化物薄膜のことである。
そして、エッチャント内の上記硫酸が、酸化インジウム
を基材とし銀との固溶域を実質的にもたない元素を含有
する上記透明酸化物薄膜を好適に溶解エッチングするも
のである。Further, in the present invention, the transparent oxide thin film containing indium oxide as a main component has a solid solubility limit with silver of 1 or less.
0 at% or less element, for example, titanium, zirconium,
Refractory metal elements such as hafnium and tantalum, silicon,
Metalloid elements such as bismuth and antimony, and rankon-type metal elements such as cerium are compared with indium elements by 5%.
It is a transparent oxide thin film composed of at% or more.
Then, the sulfuric acid in the etchant suitably dissolves and etches the transparent oxide thin film containing indium oxide as a base material and containing an element having substantially no solid solution region with silver.
【００１５】また、本発明において、酢酸、リン酸等の
バッファ剤は、それ自体には銀層及び透明酸化物薄膜に
対するエッチング性は無いが、エッチャント内に含有す
ることにより硝酸の揮発を抑制し、エッチャント組成が
経時的に安定化し、エッチングレートの変化を抑えるこ
とができる。そして、硝酸が銀系薄膜を好適に溶解しエ
ッチングするとともに、硫酸が透明酸化物薄膜を好適に
溶解しエッチングするため、銀系薄膜と透明酸化物薄膜
とで構成される多層導電膜の全体を均等にエッチングで
き、残渣とサイドエツチが抑制され、そのパターン精度
を向上させることが可能となるものである。In the present invention, the buffering agent such as acetic acid and phosphoric acid has no etching property for the silver layer and the transparent oxide thin film itself, but suppresses the volatilization of nitric acid by being contained in the etchant. In addition, the etchant composition is stabilized with time, and the change in the etching rate can be suppressed. And, while nitric acid suitably dissolves and etches the silver-based thin film, and sulfuric acid suitably dissolves and etches the transparent oxide thin film, the entire multilayer conductive film composed of the silver-based thin film and the transparent oxide thin film is removed. Etching can be performed uniformly, residue and side etching can be suppressed, and the pattern accuracy can be improved.
【００１６】ここで、硫酸による透明酸化物薄膜のエッ
チング速度は硝酸による銀系薄膜のエッチング速度より
遅いことから、両薄膜のエッチング速度とそのサイドエ
ッチング量のバランスを図って両薄膜のパターンの大き
さを一致させる為にはエッチャント内の硫酸濃度は硝酸
濃度より高く設定されている事が望ましい。また、両薄
膜のサイドエッチング量を最小限に抑制してパターン３
層の断面形状の精度を向上させるためには、エッチャン
ト内における硫酸と硝酸とバッファーのモル比が（１０
０〜２００）：1 ：（７０〜２８５）の範囲に設定され
ていることが好ましい。Since the etching rate of the transparent oxide thin film with sulfuric acid is lower than the etching rate of the silver-based thin film with nitric acid, the etching rate of both thin films and the side etching amount are balanced to make the pattern size of both thin films. It is desirable that the sulfuric acid concentration in the etchant be set higher than the nitric acid concentration in order to make the same. In addition, the amount of side etching of both thin films is minimized, and
In order to improve the accuracy of the cross-sectional shape of the layer, the molar ratio of sulfuric acid, nitric acid and buffer in the etchant should be (10
(0-200): 1: (70-285).
【００１７】そして、エッチャントにバッファーを含有
させることにより硝酸の揮発が抑制され、エッチャント
組成の経時的安定が図れ、エッチングレートの変化を抑
えることができる。更に、銀系薄膜のサイドエッチング
量と透明酸化物薄膜のサイドエッチング量とをともに３
μｍ以下の最小限に抑制することが可能となり、これに
より両薄膜のパターンの大きさの精度とともに、そのパ
ターンの断面形状の精度の向上が図れ、多層導電膜全体
のパターン精度を向上させることが可能となる。[0017] By adding a buffer to the etchant, volatilization of nitric acid is suppressed, the composition of the etchant can be stabilized with time, and a change in the etching rate can be suppressed. Further, both the side etching amount of the silver-based thin film and the side etching amount of the transparent oxide thin film are 3
μm or less, thereby improving the accuracy of the pattern size of both thin films and the accuracy of the cross-sectional shape of the pattern, and improving the pattern accuracy of the entire multilayer conductive film. It becomes possible.
【００１８】使用するバッファーとしては、硫酸アンモ
ニウム、パーオキシ硫酸アンモニウム、硫酸カリウム等
の硫酸塩、硝酸鉄、硝酸アンモニウム、硝酸セリウムア
ンモニウム、硝酸ナトリウム等の硝酸塩、酸化クロム、
過酸化水素等の酸化剤、酢酸、蟻酸、シュウ酸等の有機
酸、燐酸、アルコール類、界面活性剤等を含有するもの
であってもよい。The buffers used include sulfates such as ammonium sulfate, ammonium peroxysulfate and potassium sulfate, nitrates such as iron nitrate, ammonium nitrate, cerium ammonium nitrate and sodium nitrate, chromium oxide, and the like.
It may contain an oxidizing agent such as hydrogen peroxide, an organic acid such as acetic acid, formic acid, and oxalic acid, phosphoric acid, alcohols, and a surfactant.
【００１９】また、本発明における多層導電膜は、単層
の透明酸化物薄膜と単層の銀系薄膜とを積層して構成さ
れる２層構造が基本であるが、透明酸化物薄膜で銀系薄
膜を狭持させた場合、多層導電膜の保存安定性が飛躍的
に向上する。従って、銀系薄膜の表裏に透明酸化物薄膜
を設けこの透明酸化物薄膜で銀系薄膜を狭持させた３層
構造をとってもよい。このような層構成を有する多層導
電膜は、基板上に、銀系薄膜と透明酸化物薄膜とを、所
定の順序で成膜することによって形成することが可能で
ある。The multilayer conductive film according to the present invention has a two-layer structure formed by laminating a single-layer transparent oxide thin film and a single-layer silver-based thin film. When the system thin film is sandwiched, the storage stability of the multilayer conductive film is dramatically improved. Therefore, a three-layer structure in which a transparent oxide thin film is provided on the front and back of the silver-based thin film and the silver-based thin film is sandwiched between the transparent oxide thin films may be adopted. The multilayer conductive film having such a layer structure can be formed by forming a silver-based thin film and a transparent oxide thin film on a substrate in a predetermined order.
【００２０】基板の材料としては、ガラス、プラスチッ
クボード、プラスチックフィルム、シリコンウェハー等
が使用できる。また、その用途上、多層導電膜をカラー
液晶表示の透明電極等に用いる場合には基板として透過
光を着色するカラーフィルター層が設けられた透明基板
を用いることが出来る。また、多層導電膜を反射電極と
して使用する場合、反射型液晶表示装置の対向電極が設
けられた、或いは、太陽電池の反射電極が設けられたガ
ラス、シリコンウェハー等を用いることが出来る。ま
た、予め耐酸性、耐アルカリ性、或いは、ガスバリヤー
性のアンダーコート層が設けられた基板を使用すること
が出来る。As the material of the substrate, glass, plastic board, plastic film, silicon wafer and the like can be used. In addition, when the multilayer conductive film is used for a transparent electrode of a color liquid crystal display or the like, a transparent substrate provided with a color filter layer for coloring transmitted light can be used as the substrate. When a multilayer conductive film is used as a reflective electrode, glass, a silicon wafer, or the like provided with a counter electrode of a reflective liquid crystal display device or a reflective electrode of a solar cell can be used. Further, a substrate provided with an undercoat layer having acid resistance, alkali resistance, or gas barrier property in advance can be used.
【００２１】また、透明酸化物薄膜は、ＤＣスパッタリ
ングやＲＦ−ＤＣスパッタリング等の直流スパックリン
グ法、ＲＦ（高周波）スパッタリング法等を適用して成
膜する事が可能である。尚、ＲＦ（高周波）スパッタリ
ング法による成膜の場合には成膜厳につれて透明酸化物
を狭持する基板が加熱されるため、加熱やスパッタリン
グ時に生じる酸素プラズマにより銀系薄膜が凝集しその
導電率が低下することがある。このような弊害を避ける
ため、透明酸化物薄膜は、ＤＣスパッタリングやＲＦ−
ＤＣスパッタリング等の直流スパッタリング法で成膜す
ることが望ましい。また、銀系薄膜は、直流スパッタリ
ング法又はＲＦ（高周波）スパッタリング法によって成
膜することが可能である。The transparent oxide thin film can be formed by applying a DC sputtering method such as DC sputtering or RF-DC sputtering, an RF (high frequency) sputtering method, or the like. In the case of film formation by RF (high frequency) sputtering, since the substrate holding the transparent oxide is heated as the film formation becomes more severe, the silver-based thin film aggregates due to oxygen plasma generated at the time of heating or sputtering, and the conductivity thereof is increased. May decrease. In order to avoid such adverse effects, the transparent oxide thin film is formed by DC sputtering or RF-
It is desirable to form a film by a DC sputtering method such as DC sputtering. The silver-based thin film can be formed by a direct current sputtering method or an RF (high frequency) sputtering method.
【００２２】次に、こうして成膜された多層導電膜上に
部分的にエッチングレジストを適用し、このエッチング
レジストから露出した部位の多層導電膜をエッチング除
去してパターニングすることが可能である。エッチング
レジストとしては常用の感光性レジストが利用でき、こ
の感光性レジストを多層導電膜上に塗布し、部分的に露
光し現像することによりエッチングレジストを形成する
ことができる。Next, it is possible to apply an etching resist partially on the multilayer conductive film formed in this way, and to etch away the multilayer conductive film at a portion exposed from the etching resist to perform patterning. A common photosensitive resist can be used as the etching resist, and the photosensitive resist can be formed by coating the photosensitive resist on a multilayer conductive film, partially exposing and developing the resist.
【００２３】また、本発明における多層導電膜は、銀系
薄膜の膜厚を１００〜２００ｎｍとすることにより、反
射性と導電性の優れた反射導電膜として利用することが
出来、例えば，反射型液晶表示装置、太陽電池の光反射
電極などに利用することが可能である。また、銀系薄膜
の膜厚を５〜２５ｎｍとすることにより、透明性と導電
性に優れた透明電極として利用することが可能である。
例えば、液晶表示装置や太陽電池の透明電極、各種入力
装置、或いは、透明電磁波シールド膜や反射防止膜など
に利用することが可能である。The multilayer conductive film of the present invention can be used as a reflective conductive film having excellent reflectivity and conductivity by setting the thickness of the silver-based thin film to 100 to 200 nm. It can be used for a liquid crystal display device, a light reflection electrode of a solar cell, and the like. Further, by setting the thickness of the silver-based thin film to 5 to 25 nm, it can be used as a transparent electrode having excellent transparency and conductivity.
For example, it can be used for a transparent electrode of a liquid crystal display device or a solar cell, various input devices, or a transparent electromagnetic wave shielding film or an antireflection film.
【００２４】[0024]
【実施例】＜実施例１＞図２（イ）〜（ハ）は、本発明
による多層導電膜のエッチング方法を説明する工程図で
ある。図２（イ）に示すように、厚さ０．７ｍｍのガラ
ス板を基板（１）とし、この基板表面にグロー放電を施
して洗浄した後、順次、透明酸化物薄膜（２）（膜厚１
０ｎｍ）、銀系薄膜（３）（膜厚１５０ｎｍ）、透明酸
化物薄膜（４）（膜厚８ｎｍ）をスパッタリングして成
膜し多層導電膜（５）を形成した。尚、透明酸化物薄膜
は酸化インジウムと酸化セリウムと酸化チタンとから成
り、その配合比は、インジウム元素８９．５ａｔｍ％に
対しセリウム元素１０ａｔｍ％、チタン０．５ａｔｍ％
である。また、銀系薄膜は、銀９８．５ａｔｍ％と銅
０．５ａｔｍ％、金１．０O ａｔｍ％とで構成されてい
る。<Embodiment 1> FIGS. 2A to 2C are process diagrams illustrating a method of etching a multilayer conductive film according to the present invention. As shown in FIG. 2A, a glass plate having a thickness of 0.7 mm was used as a substrate (1), and the surface of the substrate was washed by performing glow discharge. 1
0 nm), a silver-based thin film (3) (thickness: 150 nm), and a transparent oxide thin film (4) (thickness: 8 nm) were formed by sputtering to form a multilayer conductive film (5). The transparent oxide thin film was composed of indium oxide, cerium oxide, and titanium oxide, and the compounding ratio thereof was 89.5 atm% for indium element, 10 atm% for cerium element, and 0.5 atm% for titanium.
It is. The silver-based thin film is composed of 98.5 atm% of silver, 0.5 atm% of copper, and 1.0 atm% of gold.
【００２５】次に、図２（ロ）に示すように、多層導電
膜上にポジ型感光性レジストを塗布し、部分的に露光・
現像してエッチングレジスト（６）を設けた。そして、
濃度７０重量％希硫酸１５０容量部に濃度９９重量％の
酢酸を５０容量部を加え、これに濃度約７０重量％の希
硝酸を１容量部を加えエッチャントを作製し、エッチン
グ温度４０℃、エッチング時間２５秒の条件で、上記エ
ッチングレジストから露出した部位の多層導電膜をエッ
チングした。Next, as shown in FIG. 2B, a positive photosensitive resist is applied on the multilayer conductive film and partially exposed and exposed.
Developed to provide an etching resist (6). And
To 150 parts by volume of 70% by weight dilute sulfuric acid, 50 parts by volume of acetic acid at a concentration of 99% by weight are added, and 1 part by volume of dilute nitric acid at a concentration of about 70% by weight is added thereto to produce an etchant. Under the condition of a time of 25 seconds, the multilayer conductive film in a portion exposed from the etching resist was etched.
【００２６】図２（ハ）に示すように、得られた多層導
電膜（５）は、基板（１）までエッチングされたもので
あり、エッチング残渣は生じていない。また、多層導電
膜（５）パターンの３層の断面形状（７）の３層間で差
異はなく良好なものであった。As shown in FIG. 2 (c), the obtained multilayer conductive film (5) has been etched to the substrate (1), and no etching residue is generated. Also, there was no difference between the three layers of the cross-sectional shape (7) of the three layers of the multilayer conductive film (5) pattern, and the pattern was good.
【００２７】[0027]
【発明の効果】本発明は、銀系薄膜と、酸化インジウム
を主成分とする透明酸化物薄膜とを積層して構成される
多層導電膜を、硫酸と硝酸を主成分とするエッチャント
によりエッチングする際に、エッチャントに硝酸の揮発
を抑える為のバッファーが含有しているエッチャントを
用いてエッチングするので、銀系薄膜と酸化インジウム
を主成分とする透明酸化物薄膜とで構成される多層導電
膜の全体を均等にエッチングでき、残渣とサイドエツチ
が抑制され、そのパターン精度を向上させる多層導電膜
のエッチング方法となる。According to the present invention, a multilayer conductive film formed by laminating a silver-based thin film and a transparent oxide thin film mainly containing indium oxide is etched by an etchant mainly containing sulfuric acid and nitric acid. At this time, since etching is performed using an etchant containing a buffer for suppressing volatilization of nitric acid in the etchant, a multilayer conductive film composed of a silver-based thin film and a transparent oxide thin film containing indium oxide as a main component is used. An etching method of a multilayer conductive film can uniformly etch the whole, suppress residue and side etching, and improve the pattern accuracy.
【図１】本発明における多層導電膜の一実施例を拡大し
て示す断面図である。FIG. 1 is an enlarged cross-sectional view illustrating an embodiment of a multilayer conductive film according to the present invention.
【図２】（イ）〜（ハ）は、本発明による多層導電膜の
エッチング方法を説明する工程図である。FIGS. 2A to 2C are process diagrams illustrating a method for etching a multilayer conductive film according to the present invention.
１…基板 ２、４…透明酸化物薄膜 ３…銀系薄膜 ４、２４…遮光層 ５…多層導電膜 ６…エッチングレジスト ７…多層導電膜パターンの３層の断面形状 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate 2, 4 ... Transparent oxide thin film 3 ... Silver-based thin film 4, 24 ... Light-shielding layer 5 ... Multilayer conductive film 6 ... Etching resist 7 ... Cross-sectional shape of three layers of a multilayer conductive film pattern
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K057 WA11 WB01 WB15 WC08 WE02 WE03 WF01 WN02 5F043 AA20 AA26 BB18 BB30 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 4K057 WA11 WB01 WB15 WC08 WE02 WE03 WF01 WN02 5F043 AA20 AA26 BB18 BB30
Claims (5)
る透明酸化物薄膜とを積層して構成される多層導電膜
を、硫酸と硝酸を主成分とするエッチャントによりエッ
チングするエッチング方法において、上記エッチャント
に硝酸の揮発を抑える為のバッファーが含有しているエ
ッチャントを用いてエッチングする事を特徴とする多層
導電膜のエッチング方法。An etching method for etching a multilayer conductive film formed by laminating a silver-based thin film and a transparent oxide thin film mainly containing indium oxide with an etchant mainly containing sulfuric acid and nitric acid. A method of etching a multilayer conductive film, characterized in that etching is performed using an etchant containing a buffer for suppressing volatilization of nitric acid in the etchant.
り高く設定されているエッチャントを用いる事を特徴と
する請求項１記載の多層導電膜のエッチング方法。2. The method for etching a multilayer conductive film according to claim 1, wherein an etchant in which the sulfuric acid concentration of said etchant is set higher than the nitric acid concentration is used.
ッファ−が、モル比（１００〜２００）：1 ：（７０〜
２８５）の範囲に設定されているエッチャントを用いる
事を特徴とする請求項２記載の多層導電膜のエッチング
方法。3. A method according to claim 1, wherein said sulfuric acid, nitric acid and buffer in said etchant are in a molar ratio of (100-200): 1: (70-70).
The method for etching a multilayer conductive film according to claim 2, wherein an etchant set in the range of (285) is used.
リン酸、シュウ酸、蟻酸、及びクエン酸などの有機酸か
ら選ばれる１種、或いは、２種類を混合した酸であるエ
ッチャントを用いる事を特徴とする請求項１、２、又は
３記載の多層導電膜のエッチング方法。4. The method of claim 1, wherein the buffer of the etchant is acetic acid,
4. The multilayer according to claim 1, 2 or 3, wherein an etchant which is an acid selected from organic acids such as phosphoric acid, oxalic acid, formic acid and citric acid or a mixture of two types is used. A method for etching a conductive film.
を添加した酸化インジウムであることを特徴とする請求
項１乃至４記載の多層導電膜のエッチング方法。5. The method according to claim 1, wherein the indium oxide is indium oxide to which an oxide having a high refractive index is added.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10177747A JP2000008184A (en) | 1998-06-24 | 1998-06-24 | Etching of multilayer electrically conductive film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10177747A JP2000008184A (en) | 1998-06-24 | 1998-06-24 | Etching of multilayer electrically conductive film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000008184A true JP2000008184A (en) | 2000-01-11 |
Family
ID=16036430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10177747A Pending JP2000008184A (en) | 1998-06-24 | 1998-06-24 | Etching of multilayer electrically conductive film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000008184A (en) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002045144A1 (en) * | 2000-11-29 | 2002-06-06 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Wet-etching agent composition |
| JP2003073860A (en) * | 2001-08-30 | 2003-03-12 | Ulvac Japan Ltd | Multilayer-type transparent electroconductive film, and method for patterning the film |
| WO2004070812A1 (en) * | 2003-02-05 | 2004-08-19 | Idemitsu Kosan Co.,Ltd. | Method for manufacturing semi-transparent semi-reflective electrode substrate, reflective element substrate, method for manufacturing same, etching composition used for the method for manufacturing the reflective electrode substrate |
| WO2005022268A1 (en) * | 2003-08-28 | 2005-03-10 | Sony Corporation | Liquid photoresist remover composition for substrate comprising silver and/or silver alloy, process for producing pattern with the same, and display employing the same |
| JP2006077241A (en) * | 2004-08-25 | 2006-03-23 | Samsung Electronics Co Ltd | Etching liquid composition for indium oxide-based transparent conductive film and etching method using the composition |
| JP2006163367A (en) * | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Samsung Electronics Co Ltd | Wiring line for display device, thin film transistor display panel having the wiring line, and method for manufacturing same |
| JP2006344939A (en) * | 2005-06-09 | 2006-12-21 | Samsung Electronics Co Ltd | Etchant, and method for manufacturing thin film transistor substrate including conductive wiring using etchant and resultant structure thereof |
| JP2009177189A (en) * | 2008-01-28 | 2009-08-06 | Dongjin Semichem Co Ltd | Etchant composition for ito film, and method of etching ito film using the same |
| US7608547B2 (en) | 2005-07-13 | 2009-10-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Etchant and method for fabricating liquid crystal display using the same |
| CN103820784A (en) * | 2012-11-16 | 2014-05-28 | 东友Fine-Chem股份有限公司 | Etchant composition, method for fabricating metal pattern, and method for manufacturing array substrate |
| KR20140082246A (en) * | 2012-12-24 | 2014-07-02 | 동우 화인켐 주식회사 | Etchant composition for Ag thin layer and method for fabricating metal pattern using the same |
| KR20140086826A (en) | 2012-12-28 | 2014-07-08 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | Etchant and etching process for oxides containing at least indium and gallium |
| US9868902B2 (en) | 2014-07-17 | 2018-01-16 | Soulbrain Co., Ltd. | Composition for etching |
| KR20190096121A (en) * | 2018-02-08 | 2019-08-19 | 순천향대학교 산학협력단 | Etching agent composition for ceramic and method for treating surface of ceramic using the same |
| CN110241423A (en) * | 2018-03-09 | 2019-09-17 | 东友精细化工有限公司 | Ag films etchant and the engraving method and metal pattern forming method for utilizing it |
| CN110453221A (en) * | 2018-05-08 | 2019-11-15 | 住友重机械工业株式会社 | Plate processing unit and board processing method |
| RU2753616C1 (en) * | 2018-02-09 | 2021-08-18 | АйЭйчАй КОРПОРЕЙШН | Obstacle detection system |
-
1998
- 1998-06-24 JP JP10177747A patent/JP2000008184A/en active Pending
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002045144A1 (en) * | 2000-11-29 | 2002-06-06 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Wet-etching agent composition |
| JP2003073860A (en) * | 2001-08-30 | 2003-03-12 | Ulvac Japan Ltd | Multilayer-type transparent electroconductive film, and method for patterning the film |
| WO2004070812A1 (en) * | 2003-02-05 | 2004-08-19 | Idemitsu Kosan Co.,Ltd. | Method for manufacturing semi-transparent semi-reflective electrode substrate, reflective element substrate, method for manufacturing same, etching composition used for the method for manufacturing the reflective electrode substrate |
| WO2005022268A1 (en) * | 2003-08-28 | 2005-03-10 | Sony Corporation | Liquid photoresist remover composition for substrate comprising silver and/or silver alloy, process for producing pattern with the same, and display employing the same |
| JP2006077241A (en) * | 2004-08-25 | 2006-03-23 | Samsung Electronics Co Ltd | Etching liquid composition for indium oxide-based transparent conductive film and etching method using the composition |
| JP2006163367A (en) * | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Samsung Electronics Co Ltd | Wiring line for display device, thin film transistor display panel having the wiring line, and method for manufacturing same |
| US8507303B2 (en) | 2004-12-07 | 2013-08-13 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and method for manufacturing the same |
| JP2006344939A (en) * | 2005-06-09 | 2006-12-21 | Samsung Electronics Co Ltd | Etchant, and method for manufacturing thin film transistor substrate including conductive wiring using etchant and resultant structure thereof |
| US7608547B2 (en) | 2005-07-13 | 2009-10-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Etchant and method for fabricating liquid crystal display using the same |
| JP2009177189A (en) * | 2008-01-28 | 2009-08-06 | Dongjin Semichem Co Ltd | Etchant composition for ito film, and method of etching ito film using the same |
| CN103820784A (en) * | 2012-11-16 | 2014-05-28 | 东友Fine-Chem股份有限公司 | Etchant composition, method for fabricating metal pattern, and method for manufacturing array substrate |
| KR20140082246A (en) * | 2012-12-24 | 2014-07-02 | 동우 화인켐 주식회사 | Etchant composition for Ag thin layer and method for fabricating metal pattern using the same |
| CN103898509A (en) * | 2012-12-24 | 2014-07-02 | 东友Fine-Chem股份有限公司 | Etching agent composition, metal pattern forming method and array substrate manufacturing method |
| KR101905195B1 (en) | 2012-12-24 | 2018-10-05 | 동우 화인켐 주식회사 | Etchant composition for Ag thin layer and method for fabricating metal pattern using the same |
| KR20140086826A (en) | 2012-12-28 | 2014-07-08 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | Etchant and etching process for oxides containing at least indium and gallium |
| US9217106B2 (en) | 2012-12-28 | 2015-12-22 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Etchant and etching process for oxides containing at least indium and gallium |
| US9868902B2 (en) | 2014-07-17 | 2018-01-16 | Soulbrain Co., Ltd. | Composition for etching |
| KR20190096121A (en) * | 2018-02-08 | 2019-08-19 | 순천향대학교 산학협력단 | Etching agent composition for ceramic and method for treating surface of ceramic using the same |
| KR102066050B1 (en) | 2018-02-08 | 2020-01-14 | 순천향대학교 산학협력단 | Etching agent composition for ceramic and method for treating surface of ceramic using the same |
| RU2753616C1 (en) * | 2018-02-09 | 2021-08-18 | АйЭйчАй КОРПОРЕЙШН | Obstacle detection system |
| CN110241423A (en) * | 2018-03-09 | 2019-09-17 | 东友精细化工有限公司 | Ag films etchant and the engraving method and metal pattern forming method for utilizing it |
| CN110453221A (en) * | 2018-05-08 | 2019-11-15 | 住友重机械工业株式会社 | Plate processing unit and board processing method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000008184A (en) | Etching of multilayer electrically conductive film | |
| US6014196A (en) | Transparent electrically conductive film-attached substrate | |
| US6723281B1 (en) | Metal material for electronic parts, electronic parts, electronic apparatuses, and method of processing metal materials | |
| JP5115476B2 (en) | Glass substrate with transparent electrode and manufacturing method thereof | |
| JP3031224B2 (en) | Transparent conductive film | |
| JPH07114841A (en) | Transparent conductive film and its forming and working method | |
| US5091792A (en) | Liquid crystal display having reduced ito shading material and method of manufacturing same | |
| JP4465740B2 (en) | Electrode substrate manufacturing method | |
| JP5298491B2 (en) | Transparent conductive film | |
| JPH0959787A (en) | Method for etching multilayer conductive film | |
| JP4571741B2 (en) | Metal materials for electronic components, electronic components, electronic equipment, processing methods for metal materials, and electro-optical components | |
| TWI285757B (en) | Reflective and semi-transmission type liquid crystal display device and producing method thereof | |
| JP5159558B2 (en) | Manufacturing method of display device | |
| US4411757A (en) | Formation of electrodes for magnetoresistive sensor | |
| JPH1144887A (en) | Reflection electrode substrate for display device | |
| JP4782803B2 (en) | Reflective liquid crystal display device and transflective liquid crystal display device | |
| JPH08262207A (en) | Light reflecting plate, light reflecting plate for reflection type liquid crystal display device, and light-reflecting electrode plate for reflection type liquid crystal display device | |
| JPH10270165A (en) | Reflection preventing film, its manufacture and el element | |
| JPH09208267A (en) | Method for working transparent conductive film into electrode | |
| JPH10282906A (en) | Electrode substrate for display device | |
| JPS6280655A (en) | Photomask blank and photomask | |
| JPS6325356B2 (en) | ||
| JP2002075101A (en) | Wiring, electrode, and contact point | |
| JP3454913B2 (en) | Liquid crystal display panel manufacturing method | |
| JP2002299326A (en) | Transparent conductive film etching liquid |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050324 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050729 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061219 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070417 |