JP4400350B2 - 内燃機関の排気浄化装置 - Google Patents
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Description
17…第1触媒コンバータ(第1排気浄化触媒)
18…第2触媒コンバータ(第2排気浄化触媒)
22…バイパス通路
23…排気再燃焼用点火プラグ(排気燃焼促進手段)
26…開閉弁(排気経路切替手段)
Claims (15)
- 排気通路に設けられた第1排気浄化触媒と、
第1排気浄化触媒よりも下流側で排気通路に設けられた第2排気浄化触媒と、
第1排気浄化触媒の上流側で排気通路から分岐し、第2排気浄化触媒の上流側で排気通路に合流するバイパス通路と、
バイパス通路に流れる排気量を制御する排気経路切替手段と、
排気の燃焼を促進するべくバイパス通路内の排気上流側端部に設けられた排気燃焼促進手段と、を有することを特徴とする内燃機関の排気浄化装置。 - 排気経路切替手段は、バイパス通路に設けられ、かつバイパス通路を開閉する開閉弁であることを特徴とする請求項1に記載の内燃機関の排気浄化装置。
- 開閉弁はバイパス通路の排気下流側端部近傍に設けられていることを特徴とする請求項2に記載の内燃機関の排気浄化装置。
- 第1排気浄化触媒は、三元触媒であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の内燃機関の排気浄化装置。
- 三元触媒の温度が所定の耐熱上限温度に達するまではバイパス通路を排気が流れず、三元触媒の温度が一旦所定の耐熱上限温度に達した後にはバイパス通路を排気が流れるように、排気経路切替手段は制御されることを特徴とする請求項4に記載の内燃機関の排気浄化装置。
- 第1排気浄化触媒は、排気中のHC成分を吸着するHCトラップ触媒であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の内燃機関の排気浄化装置。
- HCトラップ触媒の温度が所定のHC吸着可能上限温度に達するまではバイパス通路を排気が流れず、HCトラップ触媒の温度が一旦所定の吸着可能上限温度に達した後にはバイパス通路を排気が流れるように、排気経路切替手段は制御されることを特徴とする請求項6に記載の内燃機関の排気浄化装置。
- 排気経路切替手段によりバイパス通路を排気が流れるようになった際には、バイパス通路の温度が予め設定された所定温度に達するまで、排気燃焼促進手段により、バイパス通路内を流れる排気の燃焼を促進させることを特徴とする請求項5または7に記載の内燃機関の排気浄化装置。
- 排気経路切替手段によりバイパス通路を排気が流れるようになった際には、第2排気浄化触媒の温度が所定の触媒活性化温度に達するまで、排気燃焼促進手段により、バイパス通路内を流れる排気の燃焼を促進させることを特徴とする請求項5または7に記載の内燃機関の排気浄化装置。
- 第2排気浄化触媒の温度が所定の触媒活性化温度に達するまではバイパス通路を排気が流れず、第2排気浄化触媒の温度が所定の触媒活性化温度に達している場合にはバイパス通路を排気が流れるように、排気経路切替手段は制御されることを特徴とする請求項4または6に記載の内燃機関の排気浄化装置。
- 排気経路切替手段によりバイパス通路を排気が流れるようになった際には、バイパス通路の温度が予め設定された所定温度に達するまで、排気燃焼促進手段により、バイパス通路内を流れる排気の燃焼を促進させることを特徴とする請求項10に記載の内燃機関の排気浄化装置。
- 排気燃焼促進手段の上流側で、排気に対して2次空気が導入されていることを特徴とする請求項1〜11のいずれかに記載の内燃機関の排気浄化装置。
- 排気燃焼促進手段の近傍から排気に対して2次空気が導入されていることを特徴とする請求項12に記載の内燃機関の排気浄化装置。
- 2次空気は、排気燃焼促進手段によりバイパス通路内で排気の燃焼を促進する際に導入されることを特徴とする請求項12または13に記載の内燃機関の排気浄化装置。
- 排気に対して2次空気を導入する際には、内燃機関はリッチ燃焼を行うことを特徴とする請求項14に記載の内燃機関の排気浄化装置。
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