JP4398786B2 - Coating method and coating apparatus - Google Patents

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Description

本発明は、被処理基板上に液体を塗布して塗布膜を形成する塗布方法および塗布装置に関する。   The present invention relates to a coating method and a coating apparatus for forming a coating film by coating a liquid on a substrate to be processed.

従来より、LCDや半導体デバイス等の製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では、被処理基板(ガラス基板、半導体ウエハ等)上にレジスト液を塗布するために用いるレジストノズルの一形式として、たとえば特許文献1に開示されるようなスリット状の吐出口を有する長尺型またはスリット型のノズルが知られている。   Conventionally, in a photolithography process in a manufacturing process of an LCD, a semiconductor device or the like, as a type of a resist nozzle used for applying a resist solution on a substrate to be processed (glass substrate, semiconductor wafer, etc.), for example, in Patent Document 1 A long or slit type nozzle having a slit-like discharge port as disclosed is known.

このようなスリット型のレジストノズルを用いる塗布装置では、載置台または保持板上に水平に載置される基板の上面(被処理面)とノズル下端部の吐出口との間に数百μm以下の微小ギャップを設定し、基板上方で該レジストノズルを基板に対して相対的に水平移動させながら基板の上面に向けてレジスト液を吐出させる。その際、吐出口から基板上に溢れたレジスト液を水平移動するノズルの下端部で平坦に延ばして、基板上に一定の膜厚でレジスト液の塗布膜を形成するようにしている。このように、ノズル下端と基板上面との間のギャップは塗布膜の膜厚やレジスト消費量を左右する重要なパラメータであり、このギャップを一定値に維持ないし管理する必要がある。   In a coating apparatus using such a slit type resist nozzle, several hundred μm or less is provided between the upper surface (surface to be processed) of the substrate placed horizontally on the mounting table or holding plate and the discharge port at the lower end of the nozzle. And a resist solution is discharged toward the upper surface of the substrate while moving the resist nozzle horizontally relative to the substrate above the substrate. At this time, the resist solution overflowing from the discharge port is flattened at the lower end of the nozzle that moves horizontally to form a resist solution coating film on the substrate with a constant film thickness. As described above, the gap between the lower end of the nozzle and the upper surface of the substrate is an important parameter that affects the film thickness of the coating film and the resist consumption, and it is necessary to maintain or manage the gap at a constant value.

そこで、従来の塗布装置では、各々独立して作動する多数の真空吸着口を載置台上に設け、基板上に離散的に設定した複数の代表点においてノズル下端と基板上面との間のギャップをギャップセンサによって検出し、ギャップが設定値からずれている箇所についてはその付近の真空吸着口による真空吸着力を加減調整して基板の反りや歪みを補正するようにしている。この種のギャップセンサは、光学式距離センサとして構成され、たとえば半導体レーザまたは発光ダイオードからなる投光素子より基板の上面に向けて垂直下方に光線を出射し、基板上面からの反射光を集光レンズを介して位置検出素子に結像させ、その結像位置から距離間隔つまりギャップの大きさを求めるようにしている。
特開平8−138991
Therefore, in the conventional coating apparatus, a large number of vacuum suction ports that operate independently are provided on the mounting table, and gaps between the lower end of the nozzle and the upper surface of the substrate are formed at a plurality of representative points set discretely on the substrate. For a portion where the gap is detected from the gap sensor and the gap is deviated from the set value, the substrate is warped or distorted by adjusting the vacuum suction force by the vacuum suction port in the vicinity thereof. This type of gap sensor is configured as an optical distance sensor, and emits a light beam vertically downward from a light projecting element made of, for example, a semiconductor laser or a light emitting diode toward the upper surface of the substrate, and collects reflected light from the upper surface of the substrate. An image is formed on a position detection element through a lens, and a distance interval, that is, a gap size is obtained from the image formation position.
JP-A-8-138991

上記のような従来の塗布装置は、基板自体の反りや歪みに対してはこれを真空吸着力で矯正して対応できるが、基板の上面に付着している異物(パーティクル、ゴミ、破片等)や基板と載置台との間に挟まっている異物に対しては安全に対応するのが難しい。すなわち、上記のように基板上面から数百μm以内のギャップを空けてレジストノズルが基板に対して相対的に水平移動する際に、基板上面にギャップのサイズに近いかそれよりも大きな異物が付着していると、レジストノズルの下端部または吐出部が異物を介して基板上面を擦ってしまう。あるいは、基板と載置台との間に異物が挟まっていると、その付近で基板が盛り上がるため、レジストノズルの吐出部が基板上面に当って擦ってしまうといった問題がある。このようにレジストノズルの吐出部が基板を擦ると、基板が製品価値を失うだけでなく、非常に高価なレジストノズルの方も損傷ないし破損して使えなくなる。   The conventional coating apparatus as described above can cope with warping and distortion of the substrate itself by correcting it with a vacuum adsorption force, but foreign matter (particles, dust, debris, etc.) adhering to the upper surface of the substrate. In addition, it is difficult to safely deal with foreign matters sandwiched between the substrate and the mounting table. That is, as described above, when the resist nozzle moves horizontally relative to the substrate with a gap within several hundred μm from the upper surface of the substrate, foreign matter close to or larger than the size of the gap adheres to the upper surface of the substrate. If it does, the lower end part or discharge part of a resist nozzle will rub the upper surface of a board | substrate through a foreign material. Alternatively, if a foreign object is sandwiched between the substrate and the mounting table, the substrate swells in the vicinity thereof, and there is a problem that the discharge portion of the resist nozzle hits the upper surface of the substrate and rubs. When the discharge portion of the resist nozzle rubs the substrate in this way, not only the substrate loses its product value, but also the very expensive resist nozzle is damaged or broken and cannot be used.

なお、従来の塗布装置におけるギャップセンサは、一度に1地点のギャップを検出するものであり、基板上の不定な箇所に存在し得る異物を確実に検出することは難しい。また、基板自体が反っている場合とは異なり、基板と載置台との間に挟まっている異物によって基板が反っている場合は、載置台側でその付近の真空吸着力を如何様に調節しても基板上面を平坦化できるものではなく、レジストノズルと基板との間の当接ないし摺接を回避することは難しい。   In addition, the gap sensor in the conventional coating apparatus detects a gap at one point at a time, and it is difficult to reliably detect a foreign substance that may exist at an indefinite position on the substrate. In addition, unlike the case where the substrate itself is warped, if the substrate is warped by a foreign object sandwiched between the substrate and the mounting table, the vacuum suction force in the vicinity of the mounting table is adjusted in any way. However, the upper surface of the substrate cannot be flattened, and it is difficult to avoid contact or sliding contact between the resist nozzle and the substrate.

本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、被処理基板の上面または被処理面に近接する高さ位置でノズルを走査させる塗布動作を安全に行うようにした塗布方法および塗布装置を提供することを主たる目的とする。   The present invention has been made in view of the problems of the prior art, and a coating method for safely performing a coating operation in which a nozzle is scanned at an upper surface of a substrate to be processed or at a height position close to the surface to be processed. The main purpose is to provide a coating apparatus.

上記の目的を達成するために、本発明の塗布方法は、被処理基板を下から気体の圧力を加えて第1の高さ位置で水平に浮上させ前記基板に向けて上方の近接した位置から塗布液を吐出するノズルと前記基板との間で水平方向の相対的な移動による塗布走査を行って、前記基板の上面に前記塗布液を塗布する塗布方法であって、前記塗布走査に先立って前記第1の高さ位置で浮上している前記基板の上面近傍を前記ノズルと前記基板との間に形成されるギャップの高さ位置に応じた第2の高さ位置で水平に横断するように前記ギャップのサイズに応じたビーム径を有する指向性の高い光ビームを光ビーム出射部より出射し、前記基板を挟んで前記光ビーム出射部と対向する位置に配置される受光部で前記光ビームを受光してその光強度に応じたレベルの電圧信号に変換し、前記光ビーム出射部および前記受光部を前記塗布走査の方向において前記ノズルの前方で前記基板に対して相対的に前記ノズルと一緒に移動させ、前記受光部より出力される前記電圧信号のレベルを所定の基準値と比較して、その比較結果に基いて、前記第2の高さ位置における実質的な障害物の有無を判定し、前記判定の結果にしたがって前記基板に対する前記塗布走査の実行、中止または中断を選択する。
In order to achieve the above object, the coating method of the present invention is such that a substrate to be processed is floated horizontally at a first height position by applying a gas pressure from below , and the substrate is positioned close to the top toward the substrate. A coating method in which a coating scan is performed by relative movement in a horizontal direction between a nozzle that discharges a coating solution from the substrate and the substrate, and the coating solution is applied to the upper surface of the substrate , and the coating scan is performed before the coating scan. And horizontally traverses the vicinity of the upper surface of the substrate floating at the first height position at a second height position corresponding to the height position of the gap formed between the nozzle and the substrate. As described above, a light beam having a beam diameter corresponding to the size of the gap is emitted from a light beam emitting unit, and the light receiving unit is disposed at a position facing the light beam emitting unit across the substrate. receiving light beams corresponding to the light intensity Converting the level of the voltage signal, moving said light beam emitting unit and the light receiving portion with relatively the nozzle relative to the substrate in front of the nozzle in the direction of the coating scanning, output from the light receiving portion The level of the voltage signal is compared with a predetermined reference value, and based on the comparison result, the presence or absence of a substantial obstacle at the second height position is determined, and according to the determination result, Execution, stop or interruption of the application scan on the substrate is selected.

本発明の第1の塗布装置は、被処理基板を下から気体の圧力を加えて第1の高さ位置で水平に浮上させる浮上支持部と、前記浮上支持部により前記第1の高さ位置で支持されている前記基板に向けて上方の近接した位置から塗布液を吐出するためのノズルと、前記基板の上方で前記ノズルと前記基板との間で水平方向の相対的な移動を行わせるための塗布走査部と、前記浮上支持部により前記第1の高さ位置で支持されている前記基板の上面近傍を前記ノズルと前記基板との間に形成されるギャップの高さ位置に応じた第2の高さ位置で水平に横断するように前記ギャップのサイズに応じたビーム径を有する指向性の高い光ビームを出射する光ビーム出射部と、前記基板を挟んで前記光ビーム出射部と対向する位置に配置され、前記光ビームを受光してその光強度に応じたレベルの電圧信号に変換する受光部と、前記光ビーム出射部および前記受光部を前記塗布走査の方向において前記ノズルの前方で前記基板に対して相対的に前記ノズルと一緒に移動させるためのモニタ走査部と、前記受光部より出力される前記電圧信号のレベルを所定の基準値と比較して、その比較結果に基いて、前記第2の高さ位置における実質的な障害物の有無を判定する第1の判定部と、前記第1の判定部における判定結果にしたがって前記基板に対する前記ノズルの走査の実行、中止または中断を選択する走査制御部とを有する。
また、本発明の第2の塗布装置は、被処理基板の下面に対して高圧気体を噴きつけて垂直上向きの圧力を加える数の気体噴出孔と、前記気体噴出孔と一定密度で混在する配置パターンで配置され、前記基板の下面に対して吸引による下向きの圧力を加える多数の気体吸入孔と、前記基板の高さ位置を第1の高さ位置に維持するために、前記気体噴出孔より前記基板に加えられる垂直上向きの圧力と前記気体吸引孔より前記基板に与えられる下向きの圧力とのバランスをとる浮揚制御部と、前記支持部に支持されている前記基板に向けて上方の近接した位置から塗布液を吐出するためのノズルと、前記基板の上方で前記ノズルと前記基板との間で水平方向の相対的な移動を行わせるための塗布走査部と、前記支持部に支持されている前記基板の上面近傍を前記ノズルと前記基板との間に形成されるギャップの高さ位置に応じた第2の高さ位置で水平に横断するように前記ギャップのサイズに応じたビーム径を有する指向性の高い光ビームを出射する光ビーム出射部と、前記基板を挟んで前記光ビーム出射部と対向する位置に配置され、前記光ビームを受光してその光強度に応じたレベルの電圧信号に変換する受光部と、前記光ビーム出射部および前記受光部を前記塗布走査の方向において前記ノズルの前方で前記基板に対して相対的に前記ノズルと一緒に移動させるためのモニタ走査部と、前記受光部より出力される前記電圧信号のレベルを所定の基準値と比較して、その比較結果に基いて、前記第2の高さ位置における実質的な障害物の有無を判定する第1の判定部と、前記第1の判定部における判定結果にしたがって前記基板に対する前記ノズルの走査の実行、中止または中断を選択する走査制御部とを有する。
First coating apparatus of the present invention includes a floating support portion for floating horizontally in the first height position by applying a pressure of the gas to be treated substrate from below, the first height position by the floating support portion in the nozzle from the supported upward proximity toward the substrate is positioned for discharging a coating solution, to perform relative movement in the horizontal direction between the upper in the substrate and the nozzle of the substrate And a coating scanning section for supporting the vicinity of the upper surface of the substrate supported at the first height position by the floating support section according to the height position of the gap formed between the nozzle and the substrate A light beam emitting unit that emits a highly directional light beam having a beam diameter corresponding to the size of the gap so as to cross horizontally at the second height position, and the light beam emitting unit across the substrate, The light beam is disposed at the opposite position A light receiving section for converting the level of the voltage signal corresponding to the light intensity received, relative the to the substrate the light beam emitting unit and the light receiving portion in front of the nozzle in the direction of the applied scanning The monitor scanning unit for moving together with the nozzle, and the level of the voltage signal output from the light receiving unit is compared with a predetermined reference value, and based on the comparison result, the second scanning position at the second height position. A first determination unit that determines the presence or absence of a substantial obstacle, and a scan control unit that selects execution, suspension, or interruption of scanning of the nozzle with respect to the substrate according to a determination result in the first determination unit. .
The second coating apparatus of the present invention, mixed with large number of gas ejection holes for applying pressure vertically upward blown a high pressure gas to the lower surface of the substrate, and the gas ejection holes at a constant density A plurality of gas suction holes which are arranged in an arrangement pattern and apply downward pressure by suction to the lower surface of the substrate; and the gas ejection holes for maintaining the height position of the substrate at the first height position. A levitation control unit that balances the vertical upward pressure applied to the substrate and the downward pressure applied to the substrate from the gas suction hole, and an upper proximity toward the substrate supported by the support unit Supported by the support unit, a nozzle for discharging the coating liquid from the position, a coating scanning unit for causing a relative movement in the horizontal direction between the nozzle and the substrate above the substrate, and The substrate Directivity having a beam diameter corresponding to the size of the gap so as to horizontally traverse the vicinity of the upper surface horizontally at a second height position corresponding to the height position of the gap formed between the nozzle and the substrate. A light beam emitting part that emits a high light beam and a position that faces the light beam emitting part across the substrate, receives the light beam, and converts it to a voltage signal of a level according to the light intensity. A light receiving section, a monitor scanning section for moving the light beam emitting section and the light receiving section together with the nozzle relative to the substrate in front of the nozzle in the coating scanning direction; and the light receiving section A first determination unit that compares the level of the voltage signal output from a predetermined reference value and determines the presence or absence of a substantial obstacle at the second height position based on the comparison result; The first Execution of scanning of the nozzle relative to the substrate according to the determination result by the determination unit, and a scanning control unit for selecting a stop or interruption.

本発明では、被処理基板を浮かした状態で、塗布走査による塗布処理が行われる。浮上状態の基板を第1の高さ位置で水平に支持するために、基板の下面に対して、気体噴出孔より高圧気体を噴きつけると同時に、吸引孔より吸引力を作用させて、上向きの圧力と下向きの圧力とのバランスをとるのが好ましい。この点に関して、本発明の第2の塗布装置は、被処理基板の下面に対して高圧気体を噴きつけて垂直上向きの圧力を加える数の気体噴出孔と、気体噴出孔と一定密度で混在する配置パターンで配置され、基板の下面に対して吸引による下向きの圧力を加える多数の気体吸入孔と、基板の高さ位置を第1の高さ位置に維持するために、気体噴出孔より基板に加えられる垂直上向きの圧力と気体吸引孔より前記基板に与えられる下向きの圧力とのバランスをとる浮揚制御部とにより、浮上支持部を構成している。
In the present invention, coating processing by coating scanning is performed in a state where the substrate to be processed is floated. In order to horizontally support the floating substrate at the first height position, a high-pressure gas is sprayed from the gas ejection hole to the lower surface of the substrate, and at the same time, a suction force is applied from the suction hole to It is preferable to balance the pressure and the downward pressure. In this regard, a second coating apparatus of the present invention is mixed with a constant density and large number of gas ejection holes for applying pressure vertically upward blown a high pressure gas to the lower surface of the substrate to be processed, a gas ejection hole A plurality of gas suction holes that are arranged in an arrangement pattern that applies downward pressure by suction to the lower surface of the substrate, and the substrate from the gas ejection holes to maintain the height position of the substrate at the first height position. The levitation support unit is configured by a levitation control unit that balances the vertical upward pressure applied to the substrate and the downward pressure applied to the substrate from the gas suction hole.

塗布走査が行われるときは、それに先立って、つまり塗布走査の方向においてノズルの前方で、基板を挟んで相対向する光ビーム出射部と受光部とが基板の上面近傍を第2の高さ位置で水平に横断すべき光ビームをやりとりする。その中で、基板上の何処かに異物が付着している場合は、モニタ走査の過程で光ビームが該異物によって遮られ、受光部より出力される電圧信号のレベルが光ビームの遮られる度合いに応じて低下する。When coating scanning is performed, prior to that, that is, in front of the nozzles in the coating scanning direction, the light beam emitting unit and the light receiving unit facing each other across the substrate are positioned near the upper surface of the substrate at the second height position. The beam of light that should be traversed horizontally is exchanged. In this case, if a foreign object adheres somewhere on the substrate, the light beam is blocked by the foreign object during the monitor scanning process, and the level of the voltage signal output from the light receiving unit is blocked by the light beam. Decreases depending on

ここで、光ビームの遮られる度合いは、異物のサイズと、光ビームのビーム径および高さ位置とに依存する。本発明においては、第2の高さ位置が、基板とノズルとの間に形成されるギャップの高さ位置に応じて(好ましくはギャップの中心高さ位置に一致または近似するように)設定される。また、光ビームのビーム径は、該ギャップのサイズに応じて(好ましくはギャップのサイズに一致または近似するように)設定される。Here, the degree to which the light beam is blocked depends on the size of the foreign matter and the beam diameter and height position of the light beam. In the present invention, the second height position is set according to the height position of the gap formed between the substrate and the nozzle (preferably so as to match or approximate the center height position of the gap). The The beam diameter of the light beam is set according to the size of the gap (preferably so as to match or approximate the size of the gap).

本発明では、受光部より出力される電圧信号のレベルが所定の基準値と比較される。この比較において、電圧信号のレベルが基準値に対して所定の比率(たとえば50%)よりも下がらない間は正常であるとの判定がなされ、塗布走査が実行または継続される。しかし、電圧信号のレベルが基準値に対して上記所定の比率よりも下がったときは、その時点で、光ビームの遮られる度合いが一定の上限を超えたものとの判定がなされる。つまり、塗布走査に支障を来すおそれのある異物(実質的な障害物)が在るとの判定がなされる。この判定結果が出たときは、塗布走査をは中止または中断する。こうして、基板の上方近傍において塗布走査の前方に障害物が存在するときは、ノズルが行く着く前に塗布走査を止めてノズルと該障害物との接触を回避することができる。In the present invention, the level of the voltage signal output from the light receiving unit is compared with a predetermined reference value. In this comparison, it is determined that the voltage signal level is normal while the level of the voltage signal does not fall below a predetermined ratio (for example, 50%) with respect to the reference value, and the application scanning is executed or continued. However, when the level of the voltage signal falls below the predetermined ratio with respect to the reference value, it is determined at that time that the degree of light beam blocking exceeds a certain upper limit. That is, it is determined that there is a foreign object (substantial obstacle) that may interfere with the application scanning. When this determination result is obtained, the application scanning is stopped or interrupted. Thus, when there is an obstacle in front of the application scan near the upper part of the substrate, the application scan can be stopped before the nozzle arrives to avoid contact between the nozzle and the obstacle.

また、発明においては、ノズルが万が一異物を介して基板に接触するようなことがあっても、ノズル側からの押圧力で浮上状態の基板が下方に変位できるため、接触による両者の損傷を軽微なものに済ますことができる。 In addition, in the invention, even if the nozzle contacts the substrate through a foreign object , the floating substrate can be displaced downward by the pressing force from the nozzle side , so that damage to both due to contact is minimal. You can do everything.

本発明の塗布装置の一態様によれば、塗布液が塗布された後の基板の上面を撮像する撮像部と、この撮像部により得られる画像信号に基づいて画像認識により基板上の塗布膜に実質的な斑(ムラ)が存在する否かを判定する判定部とが設けられる。一般に、塗布膜に斑が発生するときはノズルの目詰まりが原因となっている場合が殆どであることから、塗布処理の後に塗布膜に斑が在るか否かを検査することで、膜質検査と同時にノズルの塗布液吐出機能を検査することができる。したがって、好ましくは、ノズルの塗布液吐出機能を正常状態に回復させるための処理をノズルに施すためのノズルリフレッシュ部と、判定部において基板上面に実質的な斑が存在するとの判定結果が出されたときにノズルリフレッシュ部に回復処理を行わせるリフレッシュ制御部とを併設するのが好ましい。   According to one aspect of the coating apparatus of the present invention, the imaging unit that images the upper surface of the substrate after the coating liquid is applied, and the coating film on the substrate by image recognition based on the image signal obtained by the imaging unit. And a determination unit that determines whether or not substantial spots (unevenness) exist. In general, when spots occur in the coating film, it is almost always caused by clogging of the nozzle. Therefore, by checking whether the coating film has spots after the coating process, Simultaneously with the inspection, the coating liquid discharge function of the nozzle can be inspected. Therefore, it is preferable that a determination result that a substantial spot exists on the upper surface of the substrate in the nozzle refresh unit for performing processing for recovering the coating liquid discharge function of the nozzle to a normal state and the determination unit is output. It is preferable to provide a refresh control unit that causes the nozzle refresh unit to perform a recovery process at the same time.

本発明の塗布方法または塗布装置によれば、上記のような構成および作用により、被処理基板の上面または被処理面に近接する高さ位置でノズルを走査させる塗布動作を安全に行い、基板およびノズルの安全性を保証することができる。   According to the coating method or the coating apparatus of the present invention, by the configuration and operation as described above, the coating operation for scanning the nozzle at the upper surface of the substrate to be processed or the height position close to the surface to be processed is safely performed. The safety of the nozzle can be guaranteed.

以下、添付図を参照して本発明の好適な実施の形態を説明する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

図1に、本発明の塗布方法および塗布装置を適用できる一構成例としての塗布現像処理システムを示す。この塗布現像処理システム10は、クリーンルーム内に設置され、たとえばLCD基板を被処理基板とし、LCD製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベーク等の一連の処理を行うものである。露光処理は、この処理システムに隣接して設置される外部の露光装置12で行われる。   FIG. 1 shows a coating and developing treatment system as one configuration example to which the coating method and the coating apparatus of the present invention can be applied. This coating / development processing system 10 is installed in a clean room. For example, an LCD substrate is a substrate to be processed, and a series of processes such as cleaning, resist coating, pre-baking, developing, and post-baking in a photolithography process are performed in the LCD manufacturing process. Is what you do. The exposure process is performed by an external exposure apparatus 12 installed adjacent to the processing system.

この塗布現像処理システム10は、中心部に横長のプロセスステーション(P/S)16を配置し、その長手方向(X方向)両端部にカセットステーション(C/S)14とインタフェースステーション(I/F)18とを配置している。   In the coating and developing system 10, a horizontally long process station (P / S) 16 is disposed at the center, and a cassette station (C / S) 14 and an interface station (I / F) are disposed at both ends in the longitudinal direction (X direction). ) 18.

カセットステーション(C/S)14は、システム10のカセット搬入出ポートであり、角型のガラス基板Gを多段に積み重ねるようにして複数枚収容可能なカセットCを水平方向たとえばY方向に4個まで並べて載置可能なカセットステージ20と、このステージ20上のカセットCに対して基板Gの出し入れを行う搬送機構22とを備えている。搬送機構22は、基板Gを保持できる手段たとえば搬送アーム22aを有し、X,Y,Z,θの4軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション(P/S)16側と基板Gの受け渡しを行えるようになっている。   The cassette station (C / S) 14 is a cassette loading / unloading port of the system 10, and up to four cassettes C can be accommodated in a horizontal direction, for example, in the Y direction by stacking square glass substrates G in multiple stages. A cassette stage 20 that can be placed side by side and a transport mechanism 22 that puts and removes the substrate G to and from the cassette C on the stage 20 are provided. The transport mechanism 22 has a means for holding the substrate G, for example, a transport arm 22a, and can be operated with four axes of X, Y, Z, and θ. Delivery is now possible.

プロセスステーション(P/S)16は、システム長手方向(X方向)に延在する平行かつ逆向きの一対のラインA,Bに各処理部をプロセスフローまたは工程の順に配置している。より詳細には、カセットステーション(C/S)14側からインタフェースステーション(I/F)18側へ向う上流部のプロセスラインAには、洗浄プロセス部24と、第1の熱的処理部26と、塗布プロセス部28と、第2の熱的処理部30とを横一列に配置している。一方、インタフェースステーション(I/F)18側からカセットステーション(C/S)14側へ向う下流部のプロセスラインBには、第2の熱的処理部30と、現像プロセス部32と、脱色プロセス部34と、第3の熱的処理部36とを横一列に配置している。このライン形態では、第2の熱的処理部30が、上流側のプロセスラインAの最後尾に位置するとともに下流側のプロセスラインBの先頭に位置しており、両ラインA,B間に跨っている。   In the process station (P / S) 16, the processing units are arranged in the order of the process flow or process on a pair of parallel and opposite lines A and B extending in the system longitudinal direction (X direction). More specifically, the upstream process line A from the cassette station (C / S) 14 side to the interface station (I / F) 18 side includes a cleaning process unit 24, a first thermal processing unit 26, and The coating process section 28 and the second thermal processing section 30 are arranged in a horizontal row. On the other hand, in the downstream process line B from the interface station (I / F) 18 side to the cassette station (C / S) 14 side, a second thermal processing unit 30, a development processing unit 32, and a decolorization process are provided. The unit 34 and the third thermal processing unit 36 are arranged in a horizontal row. In this line configuration, the second thermal processing unit 30 is located at the end of the upstream process line A and at the beginning of the downstream process line B, and straddles between both lines A and B. ing.

両プロセスラインA,Bの間には補助搬送空間38が設けられており、基板Gを1枚単位で水平に載置可能なシャトル40が図示しない駆動機構によってライン方向(X方向)で双方向に移動できるようになっている。   An auxiliary transfer space 38 is provided between the process lines A and B, and a shuttle 40 that can horizontally place the substrate G in units of one sheet is bidirectional in the line direction (X direction) by a drive mechanism (not shown). Can be moved to.

上流部のプロセスラインAにおいて、洗浄プロセス部24は、スクラバ洗浄ユニット(SCR)42を含んでおり、このスクラバ洗浄ユニット(SCR)42内のカセットステーション(C/S)10と隣接する場所にエキシマUV照射ユニット(e−UV)41を配置している。スクラバ洗浄ユニット(SCR)42内の洗浄部は、基板Gをコロ搬送またはベルト搬送により水平姿勢でラインA方向に搬送しながら基板Gの上面(被処理面)にブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すようになっている。   In the upstream process line A, the cleaning process unit 24 includes a scrubber cleaning unit (SCR) 42, and an excimer is disposed at a location adjacent to the cassette station (C / S) 10 in the scrubber cleaning unit (SCR) 42. A UV irradiation unit (e-UV) 41 is arranged. The cleaning unit in the scrubber cleaning unit (SCR) 42 performs brushing cleaning and blow cleaning on the upper surface (surface to be processed) of the substrate G while transporting the substrate G in the horizontal direction A by roller transport or belt transport. It has become.

洗浄プロセス部24の下流側に隣接する第1の熱的処理部26は、プロセスラインAに沿って中心部に縦型の搬送機構46を設け、その前後両側に複数の枚葉式オーブンユニットを基板受け渡し用のパスユニットと一緒に多段に積層配置してなる多段ユニット部またはオーブンタワー(TB)44,48を設けている。   The first thermal processing unit 26 adjacent to the downstream side of the cleaning process unit 24 is provided with a vertical transfer mechanism 46 in the center along the process line A, and a plurality of single-wafer oven units are provided on both front and rear sides thereof. A multi-stage unit section or oven towers (TB) 44 and 48 are provided which are stacked in multiple stages together with a substrate transfer pass unit.

たとえば、図2に示すように、上流側のオーブンタワー(TB)44には、基板搬入用のパスユニット(PASSL)50、脱水ベーク用の加熱ユニット(DHP)52,54およびアドヒージョンユニット(AD)56が下から順に積み重ねられる。ここで、パスユニット(PASSL)50は、スクラバ洗浄ユニット(SCR)42からの洗浄処理の済んだ基板Gを第1の熱的処理部26内に搬入するためのスペースを提供する。下流側のオーブンタワー(TB)48には、基板搬出用のパスユニット(PASSR)60、基板温度調整用の冷却ユニット(COL)62,64およびアドヒージョンユニット(AD)66が下から順に積み重ねられる。ここで、パスユニット(PASSR)60は、第1の熱的処理部26で所要の熱処理の済んだ基板Gを下流側の塗布プロセス部28へ搬出するためのスペースを提供する。 For example, as shown in FIG. 2, an upstream oven tower (TB) 44 includes a substrate carrying pass unit (PASS L ) 50, dehydrating baking heating units (DHP) 52 and 54, and an adhesion unit. (AD) 56 are stacked in order from the bottom. Here, the pass unit (PASS L ) 50 provides a space for carrying the substrate G after the cleaning process from the scrubber cleaning unit (SCR) 42 into the first thermal processing unit 26. In the oven tower (TB) 48 on the downstream side, a pass unit (PASS R ) 60 for carrying out the substrate, cooling units (COL) 62 and 64 for adjusting the substrate temperature, and an adhesion unit (AD) 66 are arranged in order from the bottom. Stacked. Here, pass unit (PASS R) 60 provides a space for unloading the substrate G having undergone the required heat treatment at a first thermal processing unit 26 to the downstream side of the coating process portion 28.

図2において、搬送機構46は、鉛直方向に延在するガイドレール68に沿って昇降移動可能な昇降搬送体70と、この昇降搬送体70上でθ方向に回転または旋回可能な旋回搬送体72と、この旋回搬送体72上で基板Gを支持しながら前後方向に進退または伸縮可能な搬送アームまたはピンセット74とを有している。昇降搬送体70を昇降駆動するための駆動部76が垂直ガイドレール68の基端側に設けられ、旋回搬送体72を旋回駆動するための駆動部78が昇降搬送体70に取り付けられ、搬送アーム74を進退駆動するための駆動部80が回転搬送体72に取り付けられている。各駆動部76,78,80はたとえば電気モータ等で構成されてよい。   In FIG. 2, the transport mechanism 46 includes a lift transport body 70 that can be moved up and down along a guide rail 68 that extends in the vertical direction, and a swivel transport body 72 that can rotate or turn in the θ direction on the lift transport body 70. And a transport arm or tweezers 74 that can move back and forth or extend and retract in the front-rear direction while supporting the substrate G on the revolving transport body 72. A drive unit 76 for driving the lifting and lowering conveyance body 70 up and down is provided on the base end side of the vertical guide rail 68, and a driving unit 78 for driving the swiveling conveyance body 72 to rotate is attached to the lifting and lowering conveyance body 70. A drive unit 80 for advancing and retracting 74 is attached to the rotary transport body 72. Each drive part 76,78,80 may be comprised by the electric motor etc., for example.

上記のように構成された搬送機構46は、高速に昇降ないし旋回運動して両隣のオーブンタワー(TB)44,48の中の任意のユニットにアクセス可能であり、補助搬送空間38側のシャトル40とも基板Gを受け渡しできるようになっている。   The transport mechanism 46 configured as described above can access any unit in the oven towers (TB) 44 and 48 adjacent to each other by moving up and down at high speed, and the shuttle 40 on the auxiliary transport space 38 side. In both cases, the substrate G can be delivered.

第1の熱的処理部26の下流側に隣接する塗布プロセス部28は、図1に示すように、搬入ユニット(IN)81、レジスト塗布ユニット(CT)82、減圧乾燥ユニット(VD)84、エッジリムーバ・ユニット(ER)86および搬出ユニット(OUT)87をプロセスラインAに沿って一列に配置している。塗布プロセス部28内の構成は後に詳細に説明する。   As shown in FIG. 1, the coating process unit 28 adjacent to the downstream side of the first thermal processing unit 26 includes a carry-in unit (IN) 81, a resist coating unit (CT) 82, a vacuum drying unit (VD) 84, The edge remover unit (ER) 86 and the carry-out unit (OUT) 87 are arranged in a line along the process line A. The configuration in the coating process unit 28 will be described in detail later.

塗布プロセス部28の下流側に隣接する第2の熱的処理部30は、上記第1の熱的処理部26と同様の構成を有しており、両プロセスラインA,Bの間に縦型の搬送機構90を設け、プロセスラインA側(最後尾)に一方のオーブンタワー(TB)88を設け、プロセスラインB側(先頭)に他方のオーブンタワー(TB)92を設けている。   The second thermal processing unit 30 adjacent to the downstream side of the coating process unit 28 has the same configuration as that of the first thermal processing unit 26, and a vertical type between the process lines A and B. The transfer mechanism 90 is provided, one oven tower (TB) 88 is provided on the process line A side (last), and the other oven tower (TB) 92 is provided on the process line B side (lead).

図示省略するが、たとえば、プロセスラインA側のオーブンタワー(TB)88には、最下段に基板搬入用のパスユニット(PASSL)が配置され、その上にプリベーク用の加熱ユニット(PREBAKE)がたとえば3段積みに重ねられてよい。また、プロセスラインB側のオーブンタワー(TB)92には、最下段に基板搬出用のパスユニット(PASSR)が配置され、その上に基板温度調整用の冷却ユニット(COL)がたとえば1段重ねられ、その上にプリベーク用の加熱ユニット(PREBAKE)がたとえば2段積みに重ねられてよい。 Although not shown, for example, in the oven tower (TB) 88 on the process line A side, a substrate loading pass unit (PASS L ) is disposed at the bottom, and a pre-baking heating unit (PREBAKE) is disposed thereon. For example, they may be stacked in three stages. Further, in the oven tower (TB) 92 on the process line B side, a pass unit (PASS R ) for carrying out the substrate is disposed at the lowest stage, and a cooling unit (COL) for adjusting the substrate temperature is provided thereon, for example, one stage. The heating unit (PREBAKE) for pre-baking may be stacked thereon, for example, in a two-stage stack.

第2の熱的処理部30における搬送機構90は、両オーブンタワー(TB)88,92のそれぞれのパスユニット(PASSL),(PASSR)を介して塗布プロセス部28および現像プロセス部32と基板Gを1枚単位で受け渡しできるだけでなく、補助搬送空間38内のシャトル40や後述するインタフェースステーション(I/F)18とも基板Gを1枚単位で受け渡しできるようになっている。 The transport mechanism 90 in the second thermal processing unit 30 includes the coating process unit 28 and the development process unit 32 via the pass units (PASS L ) and (PASS R ) of both oven towers (TB) 88 and 92. Not only can the substrates G be transferred in units of one sheet, but also the substrates G can be transferred in units of sheets to the shuttle 40 in the auxiliary transport space 38 and the interface station (I / F) 18 described later.

下流部のプロセスラインBにおいて、現像プロセス部32は、基板Gを水平姿勢で搬送しながら一連の現像処理工程を行う、いわゆる平流し方式の現像ユニット(DEV)94を含んでいる。   In the downstream process line B, the development process unit 32 includes a so-called flat-flow development unit (DEV) 94 that performs a series of development processing steps while transporting the substrate G in a horizontal posture.

現像プロセス部32の下流側には脱色プロセス部34を挟んで第3の熱的処理部36が配置される。脱色プロセス部34は、基板Gの被処理面にi線(波長365nm)を照射して脱色処理を行うためのi線UV照射ユニット(i−UV)96を備えている。   A third thermal processing unit 36 is disposed downstream of the development process unit 32 with the decolorization process unit 34 interposed therebetween. The decoloring process unit 34 includes an i-ray UV irradiation unit (i-UV) 96 for performing a decoloring process by irradiating the surface to be processed of the substrate G with i-line (wavelength 365 nm).

第3の熱的処理部36は、上記第1の熱的処理部26や第2の熱的処理部30と同様の構成を有しており、プロセスラインBに沿って縦型の搬送機構100とその前後両側に一対のオーブンタワー(TB)98,102を設けている。   The third thermal processing unit 36 has the same configuration as that of the first thermal processing unit 26 and the second thermal processing unit 30, and the vertical transport mechanism 100 along the process line B. A pair of oven towers (TB) 98 and 102 are provided on both the front and rear sides.

図示省略するが、たとえば、上流側のオーブンタワー(TB)98には、最下段に基板搬入用のパスユニット(PASSL)が置かれ、その上にポストベーキング用の加熱ユニット(POBAKE)がたとえば3段積みに重ねられてよい。また、下流側のオーブンタワー(TB)102には、最下段にポストベーキング・ユニット(POBAKE)が置かれ、その上に基板搬出および冷却用のパス・クーリングユニット(PASSR・COL)が1段重ねられ、その上にポストベーキング用の加熱ユニット(POBAKE)が2段積みに重ねられてよい。 Although not shown, for example, in the upstream oven tower (TB) 98, a pass unit (PASS L ) for carrying a substrate is placed at the lowest stage, and a heating unit (POBAKE) for post-baking is placed thereon, for example. May be stacked in three stacks. Further, in the oven tower (TB) 102 on the downstream side, a post baking unit (POBAKE) is placed at the lowermost stage, and a pass cooling unit (PASS R · COL) for carrying out and cooling the substrate is placed on the post baking unit (POSBAKE). The heating unit (POBAKE) for post-baking may be stacked in two layers.

第3の熱的処理部36における搬送機構100は、両多段ユニット部(TB)98,102のパスユニット(PASSL)およびパス・クーリングユニット(PASSR・COL)を介してそれぞれi線UV照射ユニット(i−UV)96およびカセットステーション(C/S)14と基板Gを1枚単位で受け渡しできるだけでなく、補助搬送空間38内のシャトル40とも基板Gを1枚単位で受け渡しできるようになっている。 The transport mechanism 100 in the third thermal processing unit 36 irradiates with i-line UV via the pass units (PASS L ) and pass cooling units (PASS R · COL) of both multi-stage unit parts (TB) 98 and 102. Not only can the unit (i-UV) 96 and cassette station (C / S) 14 and the substrate G be transferred in units of one sheet, but also the substrate G can be transferred in units of one unit to the shuttle 40 in the auxiliary transport space 38. ing.

インタフェースステーション(I/F)18は、隣接する露光装置12と基板Gのやりとりを行うための搬送装置104を有し、その周囲にバッファ・ステージ(BUF)106、エクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)108および周辺装置110を配置している。バッファ・ステージ(BUF)106には定置型のバッファカセット(図示せず)が置かれる。エクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)108は、冷却機能を備えた基板受け渡し用のステージであり、プロセスステーション(P/S)16側と基板Gをやりとりする際に用いられる。周辺装置110は、たとえばタイトラー(TITLER)と周辺露光装置(EE)とを上下に積み重ねた構成であってよい。搬送装置104は、基板Gを保持できる手段たとえば搬送アーム104aを有し、隣接する露光装置12や各ユニット(BUF)106、(EXT・COL)108、(TITLER/EE)110と基板Gの受け渡しを行えるようになっている。   The interface station (I / F) 18 includes a transfer device 104 for exchanging the substrate G with the adjacent exposure device 12, and a buffer stage (BUF) 106 and an extension / cooling stage (EXT / COL) around the transfer device 104. ) 108 and peripheral device 110 are arranged. A stationary buffer cassette (not shown) is placed on the buffer stage (BUF) 106. The extension / cooling stage (EXT / COL) 108 is a stage for transferring a substrate having a cooling function, and is used when the substrate G is exchanged with the process station (P / S) 16 side. For example, the peripheral device 110 may have a configuration in which a titler (TITLER) and a peripheral exposure device (EE) are stacked vertically. The transfer device 104 has a means for holding the substrate G, for example, a transfer arm 104a, and transfers the substrate G to and from the adjacent exposure device 12, each unit (BUF) 106, (EXT / COL) 108, (TITLER / EE) 110. Can be done.

図3に、この塗布現像処理システムにおける処理の手順を示す。先ず、カセットステーション(C/S)14において、搬送機構22が、ステージ20上のいずれかのカセットCの中から1つの基板Gを取り出し、プロセスステーション(P/S)16の洗浄プロセス部24のエキシマUV照射ユニット(e−UV)41に搬入する(ステップS1)。 FIG. 3 shows a processing procedure in this coating and developing processing system. First, in the cassette station (C / S) 14, the transport mechanism 22 takes out one substrate G from any of the cassettes C on the stage 20, and the cleaning process unit 24 of the process station (P / S) 16. It is carried into the excimer UV irradiation unit (e-UV) 41 (step S 1 ).

エキシマUV照射ユニット(e−UV)41内で基板Gは紫外線照射による乾式洗浄を施される(ステップS2)。この紫外線洗浄では主として基板表面の有機物が除去される。紫外線洗浄の終了後に、基板Gは、カセットステーション(C/S)14の搬送機構22によって洗浄プロセス部24のスクラバ洗浄ユニット(SCR)42へ移される。 Excimer UV irradiation unit (e-UV) substrate G in the 41 is subjected to dry cleaning by UV irradiation (step S 2). This UV cleaning mainly removes organic substances on the substrate surface. After completion of the ultraviolet cleaning, the substrate G is moved to the scrubber cleaning unit (SCR) 42 of the cleaning process unit 24 by the transport mechanism 22 of the cassette station (C / S) 14.

スクラバ洗浄ユニット(SCR)42では、上記したように基板Gをコロ搬送またはベルト搬送により水平姿勢でプロセスラインA方向に平流しで搬送しながら基板Gの上面(被処理面)にブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すことにより、基板表面から粒子状の汚れを除去する(ステップS3)。そして、洗浄後も基板Gを平流しで搬送しながらリンス処理を施し、最後にエアーナイフ等を用いて基板Gを乾燥させる。 In the scrubber cleaning unit (SCR) 42, as described above, the substrate G is brushed or blown onto the upper surface (surface to be processed) of the substrate G while being transported in a horizontal position in the horizontal direction by roller transport or belt transport. By performing cleaning, particulate dirt is removed from the substrate surface (step S 3 ). After the cleaning, the substrate G is rinsed while being conveyed in a flat flow, and finally the substrate G is dried using an air knife or the like.

スクラバ洗浄ユニット(SCR)42内で洗浄処理の済んだ基板Gは、第1の熱的処理部26の上流側オーブンタワー(TB)44内のパスユニット(PASSL)50に平流しで搬入される。 The substrate G that has been cleaned in the scrubber cleaning unit (SCR) 42 is carried into the pass unit (PASS L ) 50 in the upstream oven tower (TB) 44 of the first thermal processing section 26 in a flat flow. The

第1の熱的処理部26において、基板Gは搬送機構46により所定のシーケンスで所定のオーブンユニットに順次移送される。たとえば、基板Gは、最初にパスユニット(PASSL)50から加熱ユニット(DHP)52,54の1つに移され、そこで脱水処理を受ける(ステップS4)。次に、基板Gは、冷却ユニット(COL)62,64の1つに移され、そこで一定の基板温度まで冷却される(ステップS5)。しかる後、基板Gはアドヒージョンユニット(AD)56に移され、そこで疎水化処理を受ける(ステップS6)。この疎水化処理の終了後に、基板Gは冷却ユニット(COL)62,64の1つで一定の基板温度まで冷却される(ステップS7)。最後に、基板Gは下流側オーブンタワー(TB)48内のパスユニット(PASSR)60に移される。 In the first thermal processing unit 26, the substrate G is sequentially transferred to a predetermined oven unit in a predetermined sequence by the transport mechanism 46. For example, the substrate G is first transferred from the pass unit (PASS L ) 50 to one of the heating units (DHP) 52 and 54, where it is subjected to dehydration (step S 4 ). Next, the substrate G is transferred to one of the cooling units (COL) 62 and 64 where it is cooled to a constant substrate temperature (step S 5 ). Thereafter, the substrate G is transferred to an adhesion unit (AD) 56 where it is subjected to a hydrophobic treatment (step S 6 ). After completion of the hydrophobic treatment, the substrate G is cooled to a constant substrate temperature by one of the cooling units (COL) 62 and 64 (step S 7 ). Finally, the substrate G is transferred to the pass unit (PASS R ) 60 in the downstream oven tower (TB) 48.

このように、第1の熱的処理部26内では、基板Gが、搬送機構46を介して上流側の多段オーブンタワー(TB)44と下流側のオーブンタワー(TB)48との間で任意に行き来できるようになっている。なお、第2および第3の熱的処理部30,36でも同様の基板搬送動作が行なわれる。   As described above, in the first thermal processing unit 26, the substrate G is arbitrarily transferred between the upstream multi-stage oven tower (TB) 44 and the downstream oven tower (TB) 48 via the transport mechanism 46. You can come and go. The second and third thermal processing units 30 and 36 perform the same substrate transfer operation.

第1の熱的処理部26で上記のような一連の熱的または熱系の処理を受けた基板Gは、下流側オーブンタワー(TB)48内のパスユニット(PASSR)60から下流側隣の塗布プロセス部28の搬入ユニット(IN)81へ移され、搬入ユニット(IN)81からレジスト塗布ユニット(CT)82へ移される。 The substrate G that has undergone the series of thermal or thermal processing as described above in the first thermal processing unit 26 is adjacent to the downstream side from the pass unit (PASS R ) 60 in the downstream oven tower (TB) 48. The application process unit 28 is moved to the carry-in unit (IN) 81, and is moved from the carry-in unit (IN) 81 to the resist coating unit (CT) 82.

レジスト塗布ユニット(CT)82において、基板Gは、後述するようにスリット型のレジストノズルを用いるスピンレス法により基板上面(被処理面)にレジスト液を塗布される。次いで、基板Gは、下流側隣の減圧乾燥ユニット(VD)84で減圧による乾燥処理を受け、さらに下流側隣のエッジリムーバ・ユニット(ER)86で基板周縁部の余分(不要)なレジストを取り除かれる(ステップS8)。 In the resist coating unit (CT) 82, the substrate G is coated with a resist solution on the upper surface (surface to be processed) by a spinless method using a slit type resist nozzle as will be described later. Next, the substrate G is subjected to a drying process by a decompression drying unit (VD) 84 adjacent to the downstream side, and an unnecessary (unnecessary) resist on the peripheral edge of the substrate is further removed by the edge remover unit (ER) 86 adjacent to the downstream side. It is removed (step S 8 ).

上記のようなレジスト塗布処理を受けた基板Gは、エッジリムーバ・ユニット(ER)86から隣の第2の熱的処理部30の上流側オーブンタワー(TB)88内のパスユニット(PASSL)に搬入される。 The substrate G that has undergone the resist coating process as described above is transferred from the edge remover unit (ER) 86 to the pass unit (PASS L ) in the upstream oven tower (TB) 88 of the adjacent second thermal processing unit 30. It is carried in.

第2の熱的処理部30内で、基板Gは、搬送機構90により所定のシーケンスで所定のユニットに順次移送される。たとえば、基板Gは、最初にパスユニット(PASSL)から加熱ユニット(PREBAKE)の1つに移され、そこでプリベーキングの加熱処理を受ける(ステップS9)。次に、基板Gは、冷却ユニット(COL)の1つに移され、そこで一定の基板温度まで冷却される(ステップS10)。しかる後、基板Gは下流側オーブンタワー(TB)92側のパスユニット(PASSR)を経由して、あるいは経由せずにインタフェースステーション(I/F)18側のエクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)108へ受け渡される。 Within the second thermal processing unit 30, the substrate G is sequentially transferred to a predetermined unit by the transport mechanism 90 in a predetermined sequence. For example, the substrate G is first transferred from the pass unit (PASS L) to one of the heating units (PREBAKE), where it undergoes a heat treatment of pre-baking (Step S 9). Next, the substrate G is transferred to one of the cooling units (COL), where it is cooled to a constant substrate temperature (step S 10 ). Thereafter, the substrate G passes through the pass unit (PASS R ) on the downstream oven tower (TB) 92 side or without the extension cooling stage (EXT COL) on the interface station (I / F) 18 side. ) 108.

インタフェースステーション(I/F)18において、基板Gは、エクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)108から周辺装置110の周辺露光装置(EE)に搬入され、そこで基板Gの周辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光を受けた後に、隣の露光装置12へ送られる(ステップS11)。 In the interface station (I / F) 18, the substrate G is transferred from the extension / cooling stage (EXT / COL) 108 to the peripheral exposure device (EE) of the peripheral device 110, where the resist adhering to the peripheral portion of the substrate G is removed. After receiving an exposure for removal during development, the image is sent to the adjacent exposure apparatus 12 (step S 11 ).

露光装置12では基板G上のレジストに所定の回路パターンが露光される。そして、パターン露光を終えた基板Gは、露光装置12からインタフェースステーション(I/F)18に戻されると(ステップS11)、先ず周辺装置110のタイトラー(TITLER)に搬入され、そこで基板上の所定の部位に所定の情報が記される(ステップS12)。しかる後、基板Gはエクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)108に戻される。インタフェースステーション(I/F)18における基板Gの搬送および露光装置12との基板Gのやりとりは搬送装置104によって行われる。 In the exposure device 12, a predetermined circuit pattern is exposed to the resist on the substrate G. Then, when the substrate G that has undergone pattern exposure is returned from the exposure apparatus 12 to the interface station (I / F) 18 (step S 11 ), it is first carried into a titler (TITLER) of the peripheral device 110, where it is placed on the substrate. Predetermined information is written in a predetermined part (step S 12 ). Thereafter, the substrate G is returned to the extension / cooling stage (EXT / COL) 108. Transfer of the substrate G in the interface station (I / F) 18 and exchange of the substrate G with the exposure apparatus 12 is performed by the transfer device 104.

プロセスステーション(P/S)16では、第2の熱的処理部30において搬送機構90がエクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)108より露光済の基板Gを受け取り、プロセスラインB側のオーブンタワー(TB)92内のパスユニット(PASSR)を介して現像プロセス部32へ受け渡す。 In the process station (P / S) 16, the transport mechanism 90 receives the exposed substrate G from the extension / cooling stage (EXT / COL) 108 in the second thermal processing unit 30, and the oven tower ( TB) is transferred to the developing process section 32 via the pass unit (PASS R ) in the 92.

現像プロセス部32では、該オーブンタワー(TB)92内のパスユニット(PASSR)から受け取った基板Gを現像ユニット(DEV)94に搬入する。現像ユニット(DEV)94において基板GはプロセスラインBの下流に向って平流し方式で搬送され、その搬送中に現像、リンス、乾燥の一連の現像処理工程が行われる(ステップS13)。 In the development process unit 32, the substrate G received from the pass unit (PASS R ) in the oven tower (TB) 92 is carried into the development unit (DEV) 94. Substrate G in the developing unit (DEV) 94 is conveyed by the flat flow manner toward the downstream process line B, developing during the transport, rinse, a series of development processing step drying is performed (step S 13).

現像プロセス部32で現像処理を受けた基板Gは下流側隣の脱色プロセス部34へ平流しで搬入され、そこでi線照射による脱色処理を受ける(ステップS14)。脱色処理の済んだ基板Gは、第3の熱的処理部36の上流側オーブンタワー(TB)98内のパスユニット(PASSL)に搬入される。 The substrate G subjected to the development process in the development process unit 32 is carried into the decolorization process unit 34 adjacent to the downstream side in a flat flow, where it is subjected to a decolorization process by i-line irradiation (step S 14 ). The substrate G that has been subjected to the decoloring process is carried into the pass unit (PASS L ) in the upstream oven tower (TB) 98 of the third thermal processing unit 36.

第3の熱的処理部36において、基板Gは、最初に該パスユニット(PASSL)から加熱ユニット(POBAKE)の1つに移され、そこでポストベーキングの加熱処理を受ける(ステップS15)。次に、基板Gは、下流側オーブンタワー(TB)102内のパスクーリング・ユニット(PASSR・COL)に移され、そこで所定の基板温度に冷却される(ステップS16)。第3の熱的処理部36における基板Gの搬送は搬送機構100によって行われる。 In the third thermal processing unit 36, the substrate G is transferred to the first one of the heating units (POBAKE) from the pass unit (PASS L), where it undergoes a heat treatment of the post-baking (Step S 15). Next, the substrate G is transferred to a path cooling unit (PASS R · COL) in the downstream oven tower (TB) 102, where it is cooled to a predetermined substrate temperature (step S 16 ). The transport mechanism 100 transports the substrate G in the third thermal processing unit 36.

カセットステーション(C/S)14側では、搬送機構22が、第3の熱的処理部36のパスクーリング・ユニット(PASSR・COL)から塗布現像処理の全工程を終えた基板Gを受け取り、受け取った基板Gをステージ20上のいずれかのカセットCに収容する(ステップS1)。 On the cassette station (C / S) 14 side, the transport mechanism 22 receives the substrate G that has completed all the steps of the coating and developing process from the pass cooling unit (PASS R COL) of the third thermal processing unit 36, The received substrate G is accommodated in one of the cassettes C on the stage 20 (step S 1 ).

この塗布現像処理システム10においては、塗布プロセス部28、特にレジスト塗布ユニット(CT)82に本発明を適用することができる。以下、図4〜図13を参照して本発明を塗布プロセス部28に適用した一実施形態を説明する。   In the coating and developing treatment system 10, the present invention can be applied to the coating process unit 28, particularly the resist coating unit (CT) 82. Hereinafter, an embodiment in which the present invention is applied to the coating process section 28 will be described with reference to FIGS.

図4に示すように、塗布プロセス部28は、支持台112の上に搬入ユニット(IN)81、レジスト塗布ユニット(CT)82、減圧乾燥ユニット(VD)84、エッジリムーバ・ユニット(ER)86および搬出ユニット(OUT)87をX方向に(プロセスラインAに沿って)一列に配置している。X方向に延びる一対のガイドレール114,114が支持台112の両端部に平行に敷設され、両ガイドレール114,114に案内されて移動する一組または複数組の搬送アーム116,116により、ユニット間で基板Gをやりとりできるようになっている。   As shown in FIG. 4, the coating process unit 28 has a carry-in unit (IN) 81, a resist coating unit (CT) 82, a vacuum drying unit (VD) 84, and an edge remover unit (ER) 86 on the support table 112. The carry-out units (OUT) 87 are arranged in a row in the X direction (along the process line A). A pair of guide rails 114, 114 extending in the X direction are laid in parallel on both ends of the support base 112, and a unit is formed by one or a plurality of pairs of transport arms 116, 116 that are guided by both guide rails 114, 114 and move. The substrate G can be exchanged between them.

搬入ユニット(IN)81には、基板Gをほぼ水平に載置できるコロ118をX方向に一定間隔で敷設してなる平流し方式のコロ搬送路120が設けられている。このコロ搬送路120は、隣のオーブンタワー(TB)48内のパスユニット(PASSR)60から引き込まれており、たとえば駆動モータや伝動機構を有する搬送駆動部122によって駆動される。コロ搬送路120の下には、パスユニット(PASSR)60より搬送されてきた基板Gを水平姿勢で持ち上げて搬送アーム116,116に手渡すための昇降可能な複数本のリフトピン124が設けられている。また、コロ搬送路120の上には基板Gの上面をクリーニングするための基板上面クリーナ126が設けられるとともに、コロ搬送路120の下にはリフトピン124と干渉しない位置で基板Gの下面をクリーニングするための基板下面クリーナ128(図6)が設けられている。両クリーナ126,128の詳細な構成および作用は図6を参照して後に説明する。なお、パスユニット(PASSR)60内には、第1の熱的処理部26で所要の熱処理の済んだ基板Gを搬送機構46(図2)から受け取ってコロ搬送路120上に移載するための昇降可能なリフトピン130が設けられている。 The carry-in unit (IN) 81 is provided with a flat-flow type roller conveyance path 120 formed by laying rollers 118 on which the substrate G can be placed almost horizontally in the X direction at regular intervals. The roller conveyance path 120 is drawn from a pass unit (PASS R ) 60 in the adjacent oven tower (TB) 48 and is driven by, for example, a conveyance driving unit 122 having a drive motor and a transmission mechanism. Below the roller conveyor line 120, and a plurality of lift pins 124 lift possible to hand them over to the carrier arm 116, 116 of the substrate G which is conveyed from the path unit (PASS R) 60 lifted in a horizontal position is provided Yes. A substrate upper surface cleaner 126 for cleaning the upper surface of the substrate G is provided on the roller conveyance path 120, and the lower surface of the substrate G is cleaned at a position not interfering with the lift pins 124 under the roller conveyance path 120. A substrate bottom surface cleaner 128 (FIG. 6) is provided. The detailed configuration and operation of both cleaners 126 and 128 will be described later with reference to FIG. Note that the pass unit (PASS R) 60, is transferred onto the roller conveyor line 120 receives the substrate G having undergone the required heat treatment at a first thermal processing unit 26 from the transport mechanism 46 (FIG. 2) Lift pins 130 that can be raised and lowered are provided.

レジスト塗布ユニット(CT)82は、基板Gを水平に載置して保持するためのステージ132と、このステージ132上に載置される基板Gの上面(被処理面)にスリット型のレジストノズル134を用いてスピンレス法でレジスト液を塗布するための塗布処理部136と、ステージ132の上面をクリーニングするためのステージクリーナ138と、基板G上に形成されたレジスト液の塗布膜について斑が存在するか否かを検査するための塗布膜検査部140と、レジストノズル134のレジスト液吐出機能を正常状態に維持またはリフレッシュするためのノズルリフレッシュ部142等を有する。レジスト塗布ユニット(CT)82内の各部の構成および作用は図6〜図13を参照して後に詳述する。   The resist coating unit (CT) 82 includes a stage 132 for horizontally placing and holding the substrate G, and a slit-type resist nozzle on the upper surface (surface to be processed) of the substrate G placed on the stage 132. There are spots on the coating processing unit 136 for applying a resist solution by a spinless method using 134, a stage cleaner 138 for cleaning the upper surface of the stage 132, and a coating film of the resist solution formed on the substrate G. A coating film inspection unit 140 for inspecting whether or not to perform, a nozzle refresh unit 142 for maintaining or refreshing the resist solution discharge function of the resist nozzle 134 in a normal state, and the like. The configuration and operation of each part in the resist coating unit (CT) 82 will be described in detail later with reference to FIGS.

減圧乾燥ユニット(VD)84は、上面が開口しているトレーまたは底浅容器型の下部チャンバ144と、この下部チャンバ144の上面に気密に密着または嵌合可能に構成された蓋状の上部チャンバ(図示せず)とを有している。下部チャンバ144はほぼ四角形で、中心部には基板Gを水平に載置して支持するためのステージ146が配設され、底面の四隅には排気口148が設けられている。各排気口148は排気管(図示せず)を介して真空ポンプ(図示せず)に通じている。下部チャンバ144に上部チャンバを被せた状態で、両チャンバ内の密閉された処理空間を該真空ポンプにより所定の真空度まで減圧できるようになっている。   The vacuum drying unit (VD) 84 includes a tray or shallow container type lower chamber 144 having an open upper surface, and a lid-shaped upper chamber configured to be tightly fitted or fitted to the upper surface of the lower chamber 144. (Not shown). The lower chamber 144 is substantially rectangular, and a stage 146 for placing and supporting the substrate G horizontally is disposed at the center, and exhaust ports 148 are provided at the four corners of the bottom surface. Each exhaust port 148 communicates with a vacuum pump (not shown) through an exhaust pipe (not shown). With the lower chamber 144 covered with the upper chamber, the sealed processing space in both chambers can be depressurized to a predetermined degree of vacuum by the vacuum pump.

エッジリムーバ・ユニット(ER)86には、基板Gを水平に載置して支持するステージ150と、基板Gを相対向する一対の角隅部にて位置決めするアライメント手段152と、基板Gの四辺の周縁部(エッジ)から余分なレジストを除去する4個のリムーバヘッド154等が設けられている。アライメント手段152がステージ150上の基板Gを位置決めした状態で、各リムーバヘッド154が基板Gの各辺に沿って移動しながら、基板各辺の周縁部に付着している余分なレジストをシンナーで溶解して除去するようになっている。   The edge remover unit (ER) 86 includes a stage 150 for horizontally mounting and supporting the substrate G, alignment means 152 for positioning the substrate G at a pair of opposite corners, and four sides of the substrate G. There are provided four remover heads 154 and the like for removing excess resist from the peripheral edge (edge). With the alignment means 152 positioning the substrate G on the stage 150, each remover head 154 moves along each side of the substrate G, and removes excess resist adhering to the peripheral portion of each side of the substrate with a thinner. It dissolves and is removed.

搬出ユニット(OUT)87は、上記した搬入ユニット(IN)81におけるものと同様のコロ搬送路およびリフトピン(図示せず)を有している。エッジリムーバ・ユニット(ER)86でレジスト除去処理を終えた基板Gを搬送アーム116,116が搬出ユニット(OUT)87に搬送し、リフトピンが搬送アーム116,116より基板Gを受け取ってコロ搬送路上に移載する。しかる後、基板Gを後述する隣のオーブンタワー(TB)88内のパスユニット(PASSL)まで平流しのコロ搬送で搬送するようになっている。 The carry-out unit (OUT) 87 has a roller conveyance path and lift pins (not shown) similar to those in the carry-in unit (IN) 81 described above. The transfer arms 116 and 116 transfer the substrate G, which has been subjected to the resist removal processing by the edge remover unit (ER) 86, to the carry-out unit (OUT) 87, and the lift pins receive the substrate G from the transfer arms 116 and 116 and are on the roller transfer path. To be transferred to. Thereafter, the substrate G is transported to the pass unit (PASS L ) in the adjacent oven tower (TB) 88, which will be described later, by a plain flow.

図5に、レジスト塗布ユニット(CT)82内およびその周辺の主要な各部の制御系の構成を示す。制御部160は、CPUやメモリ等を含むマイクロコンピュータからなり、所定のソフトウェアまたはプログラムにしたがって各部を制御する。この制御部160に、上記の基板上面クリーナ126、基板下面クリーナ128、塗布処理部136、ステージクリーナ138、塗布膜検査部140およびノズルリフレッシュ部142が制御系のインタフェースで接続されるとともに、ステージ機構166およびノズル障害モニタ168等も制御系のインタフェースで接続される。また、制御部160は、操作パネルのキーボードや表示装置(図示せず)あるいは外部のホストコンピュータまたはコントローラ(図示せず)等とも接続されている。   FIG. 5 shows the configuration of the control system of each major part in and around the resist coating unit (CT) 82. The control unit 160 includes a microcomputer including a CPU, a memory, and the like, and controls each unit according to predetermined software or a program. The control unit 160 is connected to the substrate upper surface cleaner 126, the substrate lower surface cleaner 128, the coating processing unit 136, the stage cleaner 138, the coating film inspection unit 140, and the nozzle refresh unit 142 through a control system interface and a stage mechanism. 166, the nozzle failure monitor 168, and the like are also connected through a control system interface. The control unit 160 is also connected to a keyboard of an operation panel, a display device (not shown), an external host computer or a controller (not shown), and the like.

図6に、一実施例による基板上面クリーナ126および基板下面クリーナ128の構成を示す。基板上面クリーナ126は、コロ搬送路120上の基板Gを一端から他端までカバーできる長さでY方向(搬送方向と直交する水平方向)に延びる長尺状のクリーナ本体170を有し、このクリーナ本体170の下面に長手方向(Y方向)に延びるスリット状の吸引口172とこの吸引口172の両側から気体(たとえば清浄なエア)を噴出する気体噴出口174とを設けている。クリーナ本体170の上面および側面には吸気管176および気体供給管178がそれぞれ接続されている。クリーナ本体170の内側には、吸引口172と吸気管176とを接続する通気路または吸気路180が中心部に設けられるとともに、該吸気路180の両側に気体供給管178と気体噴出口174とを接続する通気路または給気路182が設けられている。給気路182の途中には気体噴出口174における噴出圧力を均一化するための多孔板184が設けられている。吸気路180にも、吸引口172における吸引力を均一化するための多孔板(図示せず)が設けられてよい。吸気管176は集塵フィルタ(図示せず)を介して真空装置たとえば真空ポンプまたはエジェクタ(図示せず)に通じており、気体供給管178は気体供給源たとえばコンプレッサ(図示せず)に接続されている。   FIG. 6 shows the configuration of the substrate upper surface cleaner 126 and the substrate lower surface cleaner 128 according to one embodiment. The substrate upper surface cleaner 126 has a long cleaner body 170 that extends in the Y direction (horizontal direction orthogonal to the conveyance direction) with a length that can cover the substrate G on the roller conveyance path 120 from one end to the other end. A slit-like suction port 172 extending in the longitudinal direction (Y direction) and a gas ejection port 174 for ejecting gas (for example, clean air) from both sides of the suction port 172 are provided on the lower surface of the cleaner body 170. An intake pipe 176 and a gas supply pipe 178 are connected to the upper and side surfaces of the cleaner body 170, respectively. Inside the cleaner body 170, an air passage or intake passage 180 that connects the suction port 172 and the intake pipe 176 is provided in the center, and a gas supply pipe 178 and a gas outlet 174 are provided on both sides of the intake passage 180. A ventilation path or an air supply path 182 is provided. In the middle of the air supply path 182, a perforated plate 184 is provided for equalizing the jet pressure at the gas jet port 174. The intake passage 180 may also be provided with a perforated plate (not shown) for making the suction force at the suction port 172 uniform. The intake pipe 176 is connected to a vacuum device such as a vacuum pump or an ejector (not shown) through a dust collecting filter (not shown), and the gas supply pipe 178 is connected to a gas supply source such as a compressor (not shown). ing.

第1の熱的処理部26で所要の熱処理の済んだ基板Gがオーブンタワー(TB)48内のパスユニット(PASSR)60からレジスト塗布ユニット(CT)82の搬入ユニット(IN)81に搬入される際に、基板Gはコロ搬送路120上で基板上面クリーナ126の真下をたとえば数mm以下の接近距離で通過する。このとき、基板Gの上面にパーティクル、ゴミ、破片等の異物Pが付着していると、それらの異物Pはクリーナ本体170の吸引口172より基板上面に与えられるバキューム吸引力によって吸引口172の中に吸い込まれ、吸気路180および吸気管176を通って集塵フィルタに捕捉される。吸引口172の周りで気体噴出口174より噴出される気体が基板上面に当たってから吸引口172に吸い込まれるので、エアカーテンが形成される。このため、周囲の空気を巻き込んで大気中のゴミを引き寄せるおそれはない。こうして、基板Gがコロ搬送路120上を平流しで搬入ユニット(IN)81に搬入される際に、基板上面クリーナ126におけるバキューム吸引式のクリーニングによって基板Gの上面から大抵の異物Pが除去される。 The substrate G that has undergone the required heat treatment in the first thermal processing section 26 is carried from the pass unit (PASS R ) 60 in the oven tower (TB) 48 to the carry-in unit (IN) 81 of the resist coating unit (CT) 82. In doing so, the substrate G passes on the roller transport path 120 just below the substrate upper surface cleaner 126 with an approach distance of, for example, several mm or less. At this time, if foreign matter P such as particles, dust, and debris adheres to the upper surface of the substrate G, the foreign matter P is attracted to the suction port 172 by the vacuum suction force applied to the upper surface of the substrate from the suction port 172 of the cleaner body 170. The air is sucked in and passed through the intake passage 180 and the intake pipe 176 and is captured by the dust collecting filter. Since the gas ejected from the gas ejection port 174 around the suction port 172 hits the upper surface of the substrate and is sucked into the suction port 172, an air curtain is formed. For this reason, there is no possibility of entraining ambient air and attracting dust in the atmosphere. Thus, when the substrate G is carried into the carry-in unit (IN) 81 in a flat flow on the roller conveyance path 120, most of the foreign matter P is removed from the upper surface of the substrate G by vacuum suction cleaning in the substrate upper surface cleaner 126. The

基板下面クリーナ128は、基板上面クリーナ126と同じ構成を有し、図6に示すように逆向き(上向き)でコロ搬送路120の下に配置される。したがって、基板Gがコロ搬送路120上を平流しで搬入ユニット(IN)81に搬入される際に、基板下面クリーナ128が基板Gの下面に対して基板上面クリーナ126と同様のバキューム吸引式のクリーニングを施すことにより、基板Gの下面から大抵の異物Pが除去される。なお、コロ搬送路120を構成する各コロ118はシャフト118aの両端部に一対の搬送ローラ118bを固着してなり、基板Gはそれら左右一対の搬送ローラ118に載って搬送される。したがって、基板Gの下面とシャフト118aの間には一定の隙間があり、基板Gの下面に付着している異物Pは該隙間を通り抜けるものの、基板下面クリーナ128で捕捉されることになる。また、この実施例のように基板上面クリーナ126と基板下面クリーナ128とを上下に対向させて配置する構成においては、両クリーナより基板Gにそれぞれ与えられる圧力を相殺させて基板Gの水平姿勢を安定に維持することができる。   The substrate lower surface cleaner 128 has the same configuration as the substrate upper surface cleaner 126, and is disposed below the roller conveyance path 120 in the reverse direction (upward) as shown in FIG. Therefore, when the substrate G is carried into the carry-in unit (IN) 81 in a flat flow on the roller conveyance path 120, the substrate lower surface cleaner 128 is the same vacuum suction type as the substrate upper surface cleaner 126 with respect to the lower surface of the substrate G. By performing the cleaning, most of the foreign matter P is removed from the lower surface of the substrate G. Each roller 118 constituting the roller conveyance path 120 is formed by fixing a pair of conveyance rollers 118b to both ends of the shaft 118a, and the substrate G is conveyed on the pair of left and right conveyance rollers 118. Therefore, there is a certain gap between the lower surface of the substrate G and the shaft 118a, and the foreign matter P adhering to the lower surface of the substrate G passes through the gap but is captured by the substrate lower surface cleaner 128. Further, in the configuration in which the substrate upper surface cleaner 126 and the substrate lower surface cleaner 128 are arranged vertically opposite to each other as in this embodiment, the horizontal posture of the substrate G is made by canceling the pressure applied to the substrate G from both cleaners. It can be kept stable.

図7に、一実施例によるステージ132およびステージクリーナ138の構成を示す。ステージ132は、基板Gの形状およびサイズに応じた直方体の載置台として構成されている。ステージ132の上面には、垂直方向に出没可能なリフトピン(図示せず)を収容する複数の穴190と、ステージ上の基板Gを固定するための多数の真空吸着口192とがそれぞれ適当な配置パターンで設けられている。   FIG. 7 shows the configuration of the stage 132 and the stage cleaner 138 according to one embodiment. The stage 132 is configured as a rectangular parallelepiped mounting table corresponding to the shape and size of the substrate G. On the upper surface of the stage 132, a plurality of holes 190 for accommodating lift pins (not shown) that can be projected and retracted in the vertical direction and a number of vacuum suction ports 192 for fixing the substrate G on the stage are arranged appropriately. It is provided in a pattern.

基板Gをステージ132上にローディングするときは、各穴190からリフトピンが垂直上方に突出して所定の高さ位置で搬送アーム116,116(図4)より基板Gを受け取り、次いでピン先端が穴190の中に入る高さ位置まで下降して基板Gをステージ132上に移載または載置する。各真空吸着口192は真空ポンプ等の真空源(図示せず)に接続されており、一定の高さ位置でステージ132上に載置されている基板Gを真空吸着力によって保持する。基板Gをステージ132からアンローディングするときは、真空吸着力を解除したうえで、各穴190からリフトピンが垂直上方に突出して基板Gを所定の高さ位置まで持ち上げて搬送アーム116,116に渡す。このようなリフトピンを用いるローディング/アンローディング機構や真空吸着口192を用いる基板保持機構は、ステージ機構166(図5)の一部として制御部160による制御の下で動作する。   When loading the substrate G onto the stage 132, the lift pins protrude vertically upward from the holes 190 to receive the substrate G from the transfer arms 116 and 116 (FIG. 4) at a predetermined height, and then the tip of the pin is the hole 190. The substrate G is lowered to a height position that enters the substrate, and the substrate G is transferred or placed on the stage 132. Each vacuum suction port 192 is connected to a vacuum source (not shown) such as a vacuum pump, and holds the substrate G placed on the stage 132 at a certain height position by a vacuum suction force. When unloading the substrate G from the stage 132, after releasing the vacuum suction force, lift pins project vertically upward from the holes 190 to lift the substrate G to a predetermined height position and pass it to the transfer arms 116 and 116. . Such a loading / unloading mechanism using lift pins and a substrate holding mechanism using a vacuum suction port 192 operate under the control of the control unit 160 as a part of the stage mechanism 166 (FIG. 5).

図7において、ステージクリーナ138は、ステージ132を一端から他端までカバーできる長さでY方向に延びる長尺状のクリーナ本体194と、このクリーナ本体194をステージ132の上方でX方向に水平移動つまり走査させる走査部196とを有する。クリーナ本体194は、たとえば上記基板上面クリーナ126と同じ構造のものでよく、吸気管198を介して真空源(図示せず)に接続されるとともに、気体供給管200を介して気体供給源(図示せず)に接続されており、ステージ132と対向するスリット状の吸気口と気体噴出口とを有している。走査部196は、クリーナ本体194を水平に支持する逆さコ字状の支持体202と、この支持体202をX方向で双方向に直進移動させる走査駆動部204とを有する。この走査駆動部204は、たとえばガイド付きのボールねじ機構またはリニアモータ機構で構成されてよい。支持体202とクリーナ本体194とを接続するジョイント部には、クリーナ本体194の高さ位置を変更または調整するためのガイド付きの昇降機構206を設けるのが好ましい。   In FIG. 7, the stage cleaner 138 is a long cleaner body 194 extending in the Y direction with a length capable of covering the stage 132 from one end to the other end, and horizontally moving the cleaner body 194 in the X direction above the stage 132. That is, it has a scanning unit 196 for scanning. The cleaner body 194 may have the same structure as the substrate upper surface cleaner 126, for example. The cleaner body 194 is connected to a vacuum source (not shown) via the intake pipe 198 and is connected to a gas supply source (see FIG. (Not shown), and has a slit-like air inlet and a gas outlet facing the stage 132. The scanning unit 196 includes an inverted U-shaped support body 202 that horizontally supports the cleaner body 194, and a scanning drive unit 204 that linearly moves the support body 202 in both directions in the X direction. The scanning drive unit 204 may be configured by a ball screw mechanism with a guide or a linear motor mechanism, for example. It is preferable to provide a lifting mechanism 206 with a guide for changing or adjusting the height position of the cleaner body 194 at the joint portion connecting the support body 202 and the cleaner body 194.

ステージクリーナ138は、ステージ132上に基板Gが載置されていない合間に制御部160による制御の下で動作する。より詳細には、ステージ132の上方をX方向で縦断するようにクリーナ本体194を走査部196により一定の速度で走査させながら、クリーナ本体194によりステージ132の上面の各部に対してバキューム吸引力を与えることにより、ステージ132の上面を一端から他端まで掃くようにクリーニングする。これによって、ステージ132上に付着または残存している異物はクリーナ本体194に捕捉されて除去される。   The stage cleaner 138 operates under the control of the control unit 160 while the substrate G is not placed on the stage 132. More specifically, while the cleaner body 194 is scanned at a constant speed by the scanning unit 196 so as to cut vertically above the stage 132 in the X direction, the cleaner body 194 applies a vacuum suction force to each part on the upper surface of the stage 132. By applying, the upper surface of the stage 132 is cleaned so as to sweep from one end to the other end. As a result, the foreign matter adhering or remaining on the stage 132 is captured by the cleaner body 194 and removed.

図8に、一実施例による塗布処理部136およびノズル障害モニタ168の構成を示す。塗布処理部136は、レジストノズル134を含むレジスト液供給部210と、このレジストノズル134をステージ132の上方でX方向に水平移動つまり走査させる走査部212と、レジストノズル134の高さ位置を変更または調節するためのノズル昇降機構220とを有している。   FIG. 8 shows the configuration of the coating processing unit 136 and the nozzle failure monitor 168 according to an embodiment. The coating processing unit 136 includes a resist solution supply unit 210 including a resist nozzle 134, a scanning unit 212 that horizontally moves or scans the resist nozzle 134 in the X direction above the stage 132, and changes the height position of the resist nozzle 134. Or it has the nozzle raising / lowering mechanism 220 for adjusting.

レジスト液供給部210において、レジストノズル134はステージ132上の基板Gを一端から他端までカバーできる長さでY方向に延びるスリット状の吐出口134aを有しており、レジスト液供給源(図示せず)からのレジスト液供給管214に接続されている。走査部212は、レジストノズル134を水平に支持する逆さコ字状の支持体216と、この支持体216をX方向で双方向に直進移動させる走査駆動部218とを有する。この走査駆動部218は、ボールねじ機構も使用可能であるが、塗布膜の均一性の観点からすれば機械振動の少ないリニアサーボモータ機構で構成されるのが好ましい。ノズル昇降機構220は、ボールねじ機構で構成されてよく、レジストノズル134の高さ位置を調節してノズル下端部の吐出口134aとステージ132上の基板Gの上面(被処理面)との間の距離間隔つまりギャップg(図9)の大きさを任意に設定または調整できるだけでなく、レジストノズル134を瞬時に上昇移動させることもできるようになっている。   In the resist solution supply unit 210, the resist nozzle 134 has a slit-like discharge port 134a extending in the Y direction with a length that can cover the substrate G on the stage 132 from one end to the other end. (Not shown) is connected to a resist solution supply pipe 214. The scanning unit 212 includes an inverted U-shaped support body 216 that horizontally supports the resist nozzle 134, and a scan drive unit 218 that moves the support body 216 straight in both directions in the X direction. The scanning drive unit 218 can use a ball screw mechanism, but is preferably composed of a linear servo motor mechanism with little mechanical vibration from the viewpoint of the uniformity of the coating film. The nozzle raising / lowering mechanism 220 may be configured by a ball screw mechanism, and adjusts the height position of the resist nozzle 134 between the discharge port 134a at the lower end of the nozzle and the upper surface (surface to be processed) of the substrate G on the stage 132. In addition to arbitrarily setting or adjusting the distance interval, that is, the size of the gap g (FIG. 9), the resist nozzle 134 can be instantaneously moved up and down.

塗布処理部136は、ステージ132上に基板Gが載置されている間に制御部160による制御の下で動作する。より詳細には、ステージ132の上方をX方向で縦断するようにレジストノズル134を走査部212により一定の速度で走査させながら、レジスト液供給部210においてレジストノズル134のスリット状吐出口134aよりステージ132上の基板Gの上面に対してY方向に延びるライン状の吐出流でレジスト液を供給する。その際、吐出口から基板G上に溢れたレジスト液をX方向に所定の向きで前進または水平移動するレジストノズル134の下端部で平坦に延ばして、基板G上にギャップgに応じた一定の膜厚でレジスト液の塗布膜CRを形成する(図9)。   The coating processing unit 136 operates under the control of the control unit 160 while the substrate G is placed on the stage 132. More specifically, the resist nozzle 134 is scanned at a constant speed by the scanning unit 212 so that the upper part of the stage 132 is vertically cut in the X direction, while the resist solution supply unit 210 performs the stage from the slit-like discharge port 134a of the resist nozzle 134. The resist solution is supplied in a line-like discharge flow extending in the Y direction with respect to the upper surface of the substrate G on 132. At that time, the resist solution overflowing from the discharge port on the substrate G is extended flat at the lower end portion of the resist nozzle 134 that moves forward or horizontally in a predetermined direction in the X direction, and is fixed on the substrate G according to the gap g. A resist solution coating film CR is formed with a film thickness (FIG. 9).

ノズル障害モニタ168は、塗布処理部136において上記のようなレジスト塗布処理が行なわれる際にレジストノズル134の前方に障害があるか否かを検査するものである。上記のように基板Gを平流しのコロ搬送で搬入ユニット(IN)81に搬入する際に基板上面クリーナ126および基板下面クリーナ128により基板Gの上面および下面をそれぞれバキューム吸引法でクリーニングしており、さらにはステージ132の上面もステージクリーナ138により定期的にバキューム吸引法でクリーニングするので、ステージ132上に載置されている基板Gの上面に異物が付着している場合や、基板Gとステージ132との間に異物が挟まっている場合の発生頻度は従来装置におけるよりも格段に低い。しかしながら、搬入ユニット(IN)81からステージ132までの移送の間に基板Gの上面または下面に異物が付着する可能性や、ステージ132上に新たな異物が付着する可能性がある。また、クリーナ126,128,138によっても異物を完全に除去しきれない可能性もある。この実施形態では、リスクヘッジとしてノズル障害モニタ168を設けており、ステージ132上に載置されている基板Gの上面または下面に実質的な(塗布処理上支障のある)異物が付着していたり挟まっている場合には、以下に述べるようなノズル障害モニタ168の働きによってレジストノズル134と基板Gとの当接または摺接を未然に防止するようにしている。   The nozzle failure monitor 168 inspects whether or not there is a failure in front of the resist nozzle 134 when the above-described resist coating process is performed in the coating processing unit 136. As described above, when the substrate G is carried into the carry-in unit (IN) 81 by the flat-rolling roller conveyance, the upper surface and the lower surface of the substrate G are cleaned by the vacuum suction method by the substrate upper surface cleaner 126 and the substrate lower surface cleaner 128, respectively. In addition, since the upper surface of the stage 132 is also periodically cleaned by the vacuum cleaner by the stage cleaner 138, foreign matter may adhere to the upper surface of the substrate G placed on the stage 132, or the substrate G and the stage The occurrence frequency when a foreign object is sandwiched between the first and second devices is much lower than that in the conventional apparatus. However, there is a possibility that foreign matter may adhere to the upper surface or the lower surface of the substrate G during the transfer from the carry-in unit (IN) 81 to the stage 132, or new foreign matter may adhere to the stage 132. Further, there is a possibility that the foreign substances cannot be completely removed even by the cleaners 126, 128, and 138. In this embodiment, the nozzle failure monitor 168 is provided as a risk hedge, and a substantial foreign matter (which hinders the coating process) adheres to the upper or lower surface of the substrate G placed on the stage 132. In the case of pinching, the contact or sliding contact between the resist nozzle 134 and the substrate G is prevented beforehand by the action of the nozzle failure monitor 168 as described below.

図8において、ノズル障害モニタ168は、ステージ132上に載置されている基板Gの上面近傍を所定の高さ位置でY方向にほぼ水平に横断するように指向性の高い光ビームたとえばレーザビームLBを出射するレーザ出射部222と、ステージ132上の基板Gを挟んでY方向でレーザ出射部222と対向する位置に配置される受光部224とを有する。図示のように、レーザ出射部222および受光部224は支持体216の左右両側面から走査方向の前方に突き出ている一対の水平支持アーム226,226にそれぞれ取り付けられ、走査方向においてレジストノズル134よりも一定の距離(たとえば100mm〜200mm)だけ前方の位置でレーザビームLBを送受信するようになっている。受光部224は、レーザ出射部222からのレーザビームLBを受光すると、その受光したレーザビームLBの光量または光強度に応じたレベルの電圧信号を出力する。ノズル障害モニタ168は、信号処理回路を有しており、受光部224からの電圧信号を入力し、その電圧信号のレベルを所定の基準値と比較してモニタ判定を行う。ここで、基準値は、レーザ出射部222より出射されたレーザビームLBが何の障害に合うこともなく空中を伝搬して受光部224に到達した場合に受光部224より出力される電圧信号のレベルとしてよい。   In FIG. 8, a nozzle failure monitor 168 is a light beam having a high directivity such as a laser beam so as to cross the vicinity of the upper surface of the substrate G placed on the stage 132 substantially horizontally in the Y direction at a predetermined height position. It has a laser emitting part 222 that emits LB, and a light receiving part 224 that is arranged at a position facing the laser emitting part 222 in the Y direction across the substrate G on the stage 132. As shown in the figure, the laser emitting unit 222 and the light receiving unit 224 are respectively attached to a pair of horizontal support arms 226 and 226 protruding forward from the left and right side surfaces of the support 216 in the scanning direction, and from the resist nozzle 134 in the scanning direction. In addition, the laser beam LB is transmitted and received at a position ahead by a certain distance (for example, 100 mm to 200 mm). When the light receiving unit 224 receives the laser beam LB from the laser emitting unit 222, the light receiving unit 224 outputs a voltage signal of a level corresponding to the light amount or light intensity of the received laser beam LB. The nozzle failure monitor 168 has a signal processing circuit, receives the voltage signal from the light receiving unit 224, compares the voltage signal level with a predetermined reference value, and performs monitor determination. Here, the reference value is a voltage signal output from the light receiving unit 224 when the laser beam LB emitted from the laser emitting unit 222 propagates through the air without reaching any obstacle and reaches the light receiving unit 224. It may be a level.

塗布処理部136においてレジスト塗布処理が行なわれるとき、走査部212の走査駆動によってレジストノズル134と一緒に、かつその前方でノズル障害モニタ168の障害物検出用レーザビームLBも基板Gの上方をX方向に走査する。このレーザビームLBの走査において、基板Gの上面が設定の高さ位置に保持され、かつそこに何の異物も付着していない走査箇所では、図9の(A)に示すように、レーザ出射部222からのレーザビームLBは基板上面の近傍を何の障害にも合わずに伝搬して受光部224に到達し、受光部224より基準値に近似するレベルの電圧信号が得られる。したがって、ノズル障害モニタ168の信号処理回路はこの走査位置では「正常」である、つまりレジストノズル134に対する障害物は無いとのモニタ判定結果を出力する。こうしてノズル障害モニタ168より「正常」のモニタ判定結果が出されている限り、制御部160は塗布処理部136にレジスト塗布処理を続行または継続させる。   When the resist coating process is performed in the coating processing unit 136, the obstacle detection laser beam LB of the nozzle fault monitor 168 is also moved above the substrate G along with the resist nozzle 134 by the scanning drive of the scanning unit 212. Scan in the direction. In the scanning with the laser beam LB, at the scanning position where the upper surface of the substrate G is held at the set height position and no foreign matter is attached thereto, as shown in FIG. The laser beam LB from the unit 222 propagates in the vicinity of the upper surface of the substrate without any obstacle and reaches the light receiving unit 224, and a voltage signal having a level approximate to the reference value is obtained from the light receiving unit 224. Therefore, the signal processing circuit of the nozzle failure monitor 168 outputs a monitor determination result indicating that the scanning position is “normal”, that is, there is no obstacle to the resist nozzle 134. As long as the “normal” monitor determination result is output from the nozzle failure monitor 168 in this way, the control unit 160 causes the coating processing unit 136 to continue or continue the resist coating process.

しかしながら、たとえば図9の(B)に示すように、基板Gとステージ132との間に異物Pが挟まっていてその付近で基板Gが盛り上がっている場合は、走査の過程でレーザビームLBが基板Gの盛り上がっている箇所に差し掛かると、レーザビームLBがレーザ出射部222と対向する側の基板Gの側面によって部分的に遮られるようになり、このビーム遮光の度合いは基板Gの盛り上がりの度合いに応じて次第に大きくなる。そうすると、受光部224では、レーザビームLBの受光量が次第に減少し、出力信号のレベルが次第に低下する。ノズル障害モニタ168の信号処理回路では、受光部224からの電圧信号のレベルが基準値に対して所定の比率(たとえば50%)よりも下がった時点で「異常」である、つまり当該走査位置にレジストノズル134に対する何らかの障害物が存在しているとのモニタ判定結果を出力する。   However, for example, as shown in FIG. 9B, when the foreign substance P is sandwiched between the substrate G and the stage 132 and the substrate G is raised in the vicinity thereof, the laser beam LB is emitted from the substrate during the scanning process. When it reaches the position where G is raised, the laser beam LB is partially blocked by the side surface of the substrate G facing the laser emitting portion 222, and the degree of this light shielding is the degree of the rising of the substrate G. It becomes gradually larger depending on Then, in the light receiving unit 224, the amount of light received by the laser beam LB gradually decreases, and the level of the output signal gradually decreases. The signal processing circuit of the nozzle failure monitor 168 is “abnormal” when the level of the voltage signal from the light receiving unit 224 falls below a predetermined ratio (for example, 50%) with respect to the reference value, that is, at the scanning position. A monitor determination result indicating that some obstacle to the resist nozzle 134 exists is output.

あるいは、図9の(C)に示すように、基板Gの上面の何処かに相当なサイズの異物Pが付着している場合でも、走査の過程でレーザビームLBが該異物Pによって遮られるので、この時点でノズル障害モニタ168の信号処理回路より上記と同様に「異常」のモニタ判定結果が出力される。   Alternatively, as shown in FIG. 9C, even when a foreign matter P having a considerable size adheres somewhere on the upper surface of the substrate G, the laser beam LB is blocked by the foreign matter P in the scanning process. At this time, the “abnormal” monitor determination result is output from the signal processing circuit of the nozzle failure monitor 168 in the same manner as described above.

なお、図9に示すように、レーザビームLBの高さ位置およびサイズ(ビーム径d)は、レジストノズル134の下端つまり吐出口134aとステージ132上に正常に載置されている基板Gの上面との間に形成されるギャップgの高さ位置およびサイズ(距離間隔)に応じて設定されてよく、好ましくは両者(LB,g)の高さ位置およびサイズを一致または近似させてよい。たとえば、ギャップgを100μmに設定した場合は、レーザビームLBのビーム径dを100μmに設定し、レーザビームLBの中心高さ位置をギャップgの中心高さ位置に合わせてよい。   As shown in FIG. 9, the height position and size (beam diameter d) of the laser beam LB are the lower end of the resist nozzle 134, that is, the upper surface of the substrate G that is normally placed on the ejection port 134a and the stage 132. May be set according to the height position and size (distance interval) of the gap g formed between them, and preferably the height position and size of both (LB, g) may be matched or approximated. For example, when the gap g is set to 100 μm, the beam diameter d of the laser beam LB may be set to 100 μm, and the center height position of the laser beam LB may be matched with the center height position of the gap g.

上記のようにしてノズル障害モニタ168より「異常」のモニタ判定結果が出力されると、制御部160は塗布処理部136にレジスト塗布処理の中断を指示する。   When the “abnormal” monitor determination result is output from the nozzle failure monitor 168 as described above, the control unit 160 instructs the coating processing unit 136 to interrupt the resist coating processing.

その際、第1の塗布処理中断方法として、制御部160は塗布処理部136に走査の中断も指示する。そうすると、塗布処理部136は、レジスト液供給部210においてレジスト液供給源からレジストノズル134へのレジスト液の給液を止めてノズル134のレジスト液吐出動作を中断するとともに、走査部212において走査駆動部218の前進駆動運転を止めてレジストノズル134の走査を中断し、次いで走査駆動部218に後退駆動運転を行わせてレジストノズル134をステージ132の上方からホームポジションへ後退または退避させる。   At that time, as a first application processing interruption method, the control unit 160 instructs the application processing unit 136 to interrupt scanning. Then, the coating processing unit 136 stops supplying the resist solution from the resist solution supply source to the resist nozzle 134 in the resist solution supply unit 210 and interrupts the resist solution discharge operation of the nozzle 134, and scan driving in the scanning unit 212. The forward drive operation of the part 218 is stopped and the scanning of the registration nozzle 134 is interrupted, and then the backward drive operation is performed by the scanning drive part 218 so that the registration nozzle 134 is retracted or retracted from the upper side of the stage 132 to the home position.

あるいは、第2の塗布処理中断方法として、制御部160は塗布処理部136にレジストノズル134の上方への退避移動を指示する。そうすると、塗布処理部136は、瞬時にノズル昇降機構220においてレジストノズル134を上昇移動させる。この場合、レジスト液供給部210においては、レジスト液吐出動作を中断するのがもちろん好ましい。また、走査駆動部218においては、前進駆動運転を止めてもよいが、止めなくても構わない。前進駆動運転を止めなくても、レジストノズル134が瞬時に上昇移動するので、図10および図11に示すように障害物(異物Pまたはそれによる基板の盛り上がり部分)を難なく避けて上方を移動する(飛び越える)ことができる。上記のようにノズル吐出口と基板上面との間のギャップgは100μm程度であり、障害物の高さも数百μm程度以下が普通である。ノズル障害モニタ168がレジストノズル134の前方に障害物を発見してからレジストノズル134が該障害物の位置に着くまでの水平移動距離(たとえば100mm〜200mm)の間にレジストノズル134が数mmも上昇すれば十分余裕をもって上方への退避を果たすことができる。   Alternatively, as a second application processing interruption method, the control unit 160 instructs the application processing unit 136 to move the resist nozzle 134 upward. Then, the coating processing unit 136 instantaneously moves the resist nozzle 134 up in the nozzle lifting mechanism 220. In this case, it is of course preferable that the resist solution supply unit 210 interrupts the resist solution discharge operation. Further, in the scanning drive unit 218, the forward drive operation may be stopped, but may not be stopped. Even if the forward drive operation is not stopped, the resist nozzle 134 moves up instantaneously, and therefore, as shown in FIG. 10 and FIG. (Jump over). As described above, the gap g between the nozzle discharge port and the upper surface of the substrate is about 100 μm, and the height of the obstacle is usually about several hundred μm or less. During the horizontal movement distance (for example, 100 mm to 200 mm) from when the nozzle failure monitor 168 finds an obstacle in front of the resist nozzle 134 until the resist nozzle 134 reaches the position of the obstacle, the resist nozzle 134 is several millimeters. If it rises, it can evacuate upward with a sufficient margin.

この第2の塗布処理中断方法は、走査駆動部218にリニアサーボモータを使用する場合に特に有利である。すなわち、リニアサーボモータは、機械振動が少ない反面、減速機構を持たないため、緊急の制動ないし停止を行う際に完全に止まるまでの移動距離が長いという一面がある。しかし、この第2の方法のように、レジストノズル134を数mm上昇させるだけの緊急動作であれば、昇降機構の駆動部(電気モータ)からみた負荷慣性モーメントは低く、レジストノズル134は迅速に上方へ退避することが可能であり、障害物の上方を移動することができる。   This second coating process interruption method is particularly advantageous when a linear servo motor is used for the scanning drive unit 218. That is, the linear servo motor has little mechanical vibration, but does not have a speed reduction mechanism, and therefore has a long movement distance until it stops completely when emergency braking or stopping is performed. However, in the case of an emergency operation that only raises the registration nozzle 134 by several mm as in this second method, the load inertia moment viewed from the drive unit (electric motor) of the lifting mechanism is low, and the registration nozzle 134 is quickly It is possible to retreat upward and move over the obstacle.

上記のようにして塗布処理部136でレジスト塗布処理を中断した場合は、当該基板Gを不良品と認定したうえで、後続の処理工程に流してもよく、あるいはシステム内の適所に設けたバッファ室または保管室に一時的に保管してもよい。また、この場面でステージクリーナ138を臨時的に作動させてステージ132の上面をクリーニングしてもよい。   When the resist coating process is interrupted by the coating processing unit 136 as described above, the substrate G may be recognized as a defective product and then flowed to a subsequent processing step, or a buffer provided at an appropriate place in the system. You may store temporarily in a room or a storage room. In this scene, the stage cleaner 138 may be temporarily operated to clean the upper surface of the stage 132.

このように、この実施形態では、レジスト塗布処理において、レジストノズル134の走査方向の前方に障害物が存在するとき、典型的には上記のように基板Gとステージ132との間に異物Pが挟まってその付近で基板Gが盛り上がっている場合や、基板Gの上面に異物Pが付着している場合には、ノズル障害モニタ168がそのような障害物(基板の盛り上がり部分、異物等)を事前に発見し、その時点でノズル走査を中断するようにしたので、レジストノズル134が基板Gの盛り上がり部分に接触ないし摺接したり、異物を介して基板Gの上面を擦ったりするような事態を未然に防ぐことができる。   As described above, in this embodiment, in the resist coating process, when there is an obstacle ahead of the resist nozzle 134 in the scanning direction, the foreign matter P is typically present between the substrate G and the stage 132 as described above. When the substrate G is swelled in the vicinity, or when foreign matter P is attached to the upper surface of the substrate G, the nozzle failure monitor 168 detects such an obstacle (swelled portion of the substrate, foreign matter, etc.). Since the nozzle scanning was interrupted at that point in time, the resist nozzle 134 may come into contact with or slide on the raised portion of the substrate G, or the upper surface of the substrate G may be rubbed through foreign matter. It can be prevented in advance.

しかも、この実施形態のノズル障害モニタ168では、基板Gの上方近傍で一方向(Y方向)に伝搬または横断する障害物検出用レーザビームLBを伝搬方向と直交する方向(X方向)に水平移動させるので、基板上面の全面を万遍無く走査することが可能であり、基板G上のどの箇所に異常箇所(障害物)があってもそれを確実に検出することができる。また、塗布処理部136における走査部212を利用してレジストノズル134と一緒に障害物検出用レーザビームLBを走査させるので、モニタ機構の簡素化と低コスト化も図れる。   Moreover, in the nozzle failure monitor 168 of this embodiment, the obstacle detection laser beam LB propagating or traversing in one direction (Y direction) near the upper side of the substrate G is horizontally moved in the direction (X direction) perpendicular to the propagation direction. Therefore, it is possible to scan the entire upper surface of the substrate uniformly, and it is possible to reliably detect an abnormal location (obstacle) at any location on the substrate G. Further, since the scanning unit 212 in the coating processing unit 136 is used to scan the obstacle detection laser beam LB together with the resist nozzle 134, the monitor mechanism can be simplified and the cost can be reduced.

図12および図13に一実施例による塗布膜検査部140の構成を示す。この塗布膜検査部140は、上記のような塗布処理部136でレジスト塗布処理を受けた後の基板Gの上面を撮像する撮像部230と、この撮像部230により得られる画像信号に基づいて画像認識技術により基板G上の塗布膜CRに斑(ムラ)が存在する否かを判定するモニタ処理部232とを有している。   12 and 13 show the configuration of the coating film inspection unit 140 according to one embodiment. The coating film inspection unit 140 has an imaging unit 230 that images the upper surface of the substrate G after being subjected to the resist coating process by the coating processing unit 136 as described above, and an image based on an image signal obtained by the imaging unit 230. And a monitor processing unit 232 that determines whether or not the coating film CR on the substrate G has spots (unevenness) by the recognition technique.

撮像部230は、走査駆動部234(図4)の走査駆動によりランプ236、集光レンズ238およびCCDカメラ240をステージ132(図4)の上方でX方向に走査できるようになっており、図13に示すようにY方向に延びる管状のランプ236がステージ132上の基板Gの上面を照明し、CCDカメラ240が集光レンズ238を介して基板上面の被照射部分を撮像するようになっている。   The imaging unit 230 can scan the lamp 236, the condenser lens 238, and the CCD camera 240 in the X direction above the stage 132 (FIG. 4) by the scanning drive of the scanning drive unit 234 (FIG. 4). As shown in FIG. 13, a tubular lamp 236 extending in the Y direction illuminates the upper surface of the substrate G on the stage 132, and the CCD camera 240 images the irradiated portion on the upper surface of the substrate via the condenser lens 238. Yes.

図12において、モニタ処理部232は、CCDカメラ240より出力されるアナログの画像信号をA/D変換器242によりディジタルの画像信号に変換し、そのディジタル画像信号に基づいて画像認識部244、画像メモリ246、モニタ判定部248、設定部250およびモニタ出力部252等により後述するような塗布膜モニタリングのための画像処理ないし判定処理を行うようになっている。   In FIG. 12, a monitor processing unit 232 converts an analog image signal output from the CCD camera 240 into a digital image signal by an A / D converter 242, and based on the digital image signal, an image recognition unit 244, an image Image processing or determination processing for coating film monitoring, which will be described later, is performed by the memory 246, the monitor determination unit 248, the setting unit 250, the monitor output unit 252, and the like.

画像認識部244は、A/D変換器242よりディジタルの画像信号を入力し、画像メモリ246を用いて、撮像部230で撮られた画像を合成して1コマの全体画像、つまり基板Gの上面の大部分が映っている画像を組み立てる。そして、たとえば2値化、ノイズ除去、ラベリング、連結図形解析等の公知の画像認識処理により、撮影画像の中に実質的な斑が存在していればその斑をパターン認識する。ここで、実質的にレジスト塗布膜の品質を落とさないような微小な斑は認識対象から除外してよい。次いで、パターン認識された斑については、その形状、サイズ、位置等を割り出し属性データとして数値化する。一般に、この種の斑は、レジストノズル134側の原因で、つまりレジストノズル134のスリット状吐出口の或る部位でゴミ等が付着したりレジストが固形化して目詰まりした場合に発生し、そのような目詰まりした部位に対応する基板上の位置に図13に示すように走査方向に線状に延びる筋斑(スジムラ)Mとして現れる。   The image recognition unit 244 receives a digital image signal from the A / D converter 242, and uses the image memory 246 to synthesize the images taken by the imaging unit 230, that is, the entire image of one frame, that is, the substrate G. Assemble an image that shows most of the top surface. Then, for example, if a substantial spot is present in the photographed image by known image recognition processing such as binarization, noise removal, labeling, and connected figure analysis, the spot is recognized as a pattern. Here, minute spots that do not substantially degrade the quality of the resist coating film may be excluded from recognition targets. Next, for the pattern-recognized plaque, its shape, size, position, etc. are digitized as indexing attribute data. In general, this type of spot occurs due to the resist nozzle 134 side, that is, when dust or the like adheres to a part of the slit-like discharge port of the resist nozzle 134 or the resist is solidified and clogged. As shown in FIG. 13, streaks (straight lines) M extending linearly in the scanning direction appear at positions on the substrate corresponding to such clogged portions.

モニタ判定部248は、画像認識部244からの認識結果として斑の属性データを受け取ったときは、設定部250で設定されている監視値と比較し、形状、サイズ、個数、位置等の点で監視値を超えるような斑があれば、当該基板G上のレジスト塗布膜は「斑有り」であると判定する。モニタ判定部248における判定結果はモニタ出力部252から制御部160へ送られる。   When the monitor determination unit 248 receives the spot attribute data as the recognition result from the image recognition unit 244, the monitor determination unit 248 compares it with the monitoring value set by the setting unit 250 and compares it in terms of shape, size, number, position, and the like. If there are spots that exceed the monitored value, it is determined that the resist coating film on the substrate G is “spotted”. The determination result in the monitor determination unit 248 is sent from the monitor output unit 252 to the control unit 160.

制御部160は、塗布膜検査部140より「斑有り」の判定結果を受け取ったときは、当該基板Gを不良品と認定したうえで、後続の処理工程に流してもよく、あるいはシステム内の適所に設けたバッファ室または保管室に一時的に保管してもよい。さらに、このようなレジスト塗布膜の不良(斑)が発生した場合は、上記のようにレジストノズル134の目詰まりが原因となっている場合が殆どであることから、制御部160はレジストノズル134のレジスト液吐出機能を回復させるべくノズルリフレッシュ部142を起動させる。   When the control unit 160 receives the determination result “existence of spots” from the coating film inspection unit 140, the control unit 160 may recognize the substrate G as a defective product and flow it to a subsequent processing step, or You may store temporarily in the buffer room or storage room provided in the right place. Further, when such a defect (spots) in the resist coating film occurs, the resist nozzle 134 is almost always clogged as described above. The nozzle refresh unit 142 is activated to restore the resist solution discharge function.

図14に、一実施例によるノズルリフレッシュ部142の構成を示す。このノズルリフレッシュ部142は、たとえばレジストノズル134のホームポジションに設置されてよく、レジストノズル134を出し入れするための開口を上面に設けた長尺状の桶型処理室254を有している。この処理室254の中には、室内の所定位置に収容されたレジストノズル134の吐出口付近に向けて洗浄液(たとえばシンナー)を噴き付けるための洗浄ノズル256が配置されている。この洗浄ノズル256は、垂直支持部材258および水平支持部材260を介して洗浄ノズル走査機構262の走査駆動によってノズル長手方向(Y方向)に水平移動し、同方向においてレジストノズル134の吐出部全体(一端から他端まで)に洗浄液を当てて吐出口付近を洗浄する。使用済みの洗浄液は処理室254の底に設けられたドレイン口255より廃液部(図示せず)へ送られる。かかるノズル洗浄により、レジストノズル134の吐出部に付着していたゴミや固形レジスト等は洗い落とされる。なお、洗浄液供給ラインは洗浄液供給源(図示せず)からの洗浄液供給管264で構成され、たとえば垂直支持部材258を筒状体で構成してその中に洗浄液供給管264を通して洗浄ノズル256に接続してよい。また、洗浄液供給管264の途中にノズル洗浄のオン・オフを制御するための開閉弁266を設けてよい。洗浄ノズル走査機構262は、たとえばガイド付きのボールねじ機構で構成することができる。   FIG. 14 shows the configuration of the nozzle refresh unit 142 according to one embodiment. This nozzle refresh unit 142 may be installed at the home position of the resist nozzle 134, for example, and has a long vertical processing chamber 254 provided with an opening for taking in and out the resist nozzle 134 on the upper surface. In the processing chamber 254, a cleaning nozzle 256 for spraying a cleaning liquid (for example, thinner) toward the vicinity of the discharge port of the resist nozzle 134 housed at a predetermined position in the chamber is disposed. The cleaning nozzle 256 moves horizontally in the longitudinal direction of the nozzle (Y direction) by the scanning drive of the cleaning nozzle scanning mechanism 262 via the vertical support member 258 and the horizontal support member 260, and in the same direction, the entire discharge portion ( Wash the vicinity of the discharge port by applying a cleaning liquid to the other end. The used cleaning liquid is sent to a waste liquid part (not shown) from a drain port 255 provided at the bottom of the processing chamber 254. By this nozzle cleaning, dust, solid resist, and the like attached to the discharge portion of the resist nozzle 134 are washed away. The cleaning liquid supply line includes a cleaning liquid supply pipe 264 from a cleaning liquid supply source (not shown). For example, the vertical support member 258 is formed of a cylindrical body and is connected to the cleaning nozzle 256 through the cleaning liquid supply pipe 264 therein. You can do it. An on-off valve 266 for controlling on / off of the nozzle cleaning may be provided in the middle of the cleaning liquid supply pipe 264. The cleaning nozzle scanning mechanism 262 can be constituted by, for example, a ball screw mechanism with a guide.

さらに、このノズルリフレッシュ部142では、レジストノズル134にレジスト液を吐き出させるダミーディスペンスを行うこともできる。この場合、レジスト液供給管214に設けられた切換弁268をレジスト液供給源側に切り換えておいて開閉弁270を一定時間オン(開)にする。このダミーディスペンスによって、レジストノズル134内部の詰まりをある程度の確率で除くことができる。   Further, the nozzle refresh unit 142 can perform a dummy dispense that causes the resist nozzle 134 to discharge the resist solution. In this case, the switching valve 268 provided in the resist solution supply pipe 214 is switched to the resist solution supply source side, and the on-off valve 270 is turned on (opened) for a predetermined time. By this dummy dispensing, clogging in the resist nozzle 134 can be removed with a certain probability.

この実施例では、レジストノズル134内の詰まりをより効果的または十全に除くために、ノズル134内のレジスト流路を溶剤(たとえばシンナー)で置換してノズル134の内部をクリーニングすることもできる。すなわち、切換弁268を溶剤供給源側に切り換えて開閉弁270を一定時間オン(開)にすることにより、溶剤供給源からの溶剤をレジスト液供給管214を介してレジストノズル134に導入し、目詰まりの原因となっているノズル134内のレジスト固形分を溶かして吐出口より排出することができる。   In this embodiment, in order to more effectively or completely eliminate clogging in the resist nozzle 134, the resist flow path in the nozzle 134 can be replaced with a solvent (for example, thinner) to clean the inside of the nozzle 134. . That is, by switching the switching valve 268 to the solvent supply source side and turning on / off the on-off valve 270 for a certain period of time, the solvent from the solvent supply source is introduced into the resist nozzle 134 via the resist solution supply pipe 214, The solid resist content in the nozzle 134 that causes clogging can be melted and discharged from the discharge port.

図15に、上記した実施形態のレジスト塗布ユニット(CT)82に適用可能なステージ機構166の別の実施例を示す。この実施例では、基板Gを載置するためのステージ132に基板Gを一定の高さ位置で水平に浮かせる基板浮揚機構を設けている。より詳細には、ステージ132の上面に多数の気体噴出孔254と多数の吸引孔256とを一定密度で混在させる配置パターンで設ける。各気体噴出孔254は、ステージ132の内部に形成されている通気路258とステージ132の外部で引かれるガス管260とを介して高圧気体供給源262に通じている。一方、各吸引孔256は、ステージ132の内部に形成される通気路264とステージ132の外部で引かれるガス管266とを介して真空源268に通じている。高圧気体供給源262および真空源268は浮揚制御部270の制御の下で動作する。   FIG. 15 shows another example of the stage mechanism 166 applicable to the resist coating unit (CT) 82 of the above-described embodiment. In this embodiment, a substrate floating mechanism for horizontally floating the substrate G at a certain height position is provided on a stage 132 for placing the substrate G thereon. More specifically, an arrangement pattern in which a large number of gas ejection holes 254 and a large number of suction holes 256 are mixed at a constant density is provided on the upper surface of the stage 132. Each gas ejection hole 254 communicates with a high-pressure gas supply source 262 through a ventilation path 258 formed inside the stage 132 and a gas pipe 260 drawn outside the stage 132. On the other hand, each suction hole 256 communicates with the vacuum source 268 via a ventilation path 264 formed inside the stage 132 and a gas pipe 266 drawn outside the stage 132. The high pressure gas supply source 262 and the vacuum source 268 operate under the control of the levitation control unit 270.

この基板浮揚機構では、ステージ上面の各気体噴出孔254より高圧気体を垂直上方に噴出して基板Gの重力に勝る高圧気体の圧力を基板Gの下面全体に均一に加え、基板Gをステージ132の上面から水平に浮かす。さらに、基板Gの浮上位置をステージ上面から一定のギャップSだけ離れた一定の高さ位置に維持するように、気体噴出孔より噴出する気体の圧力とバランスをとってステージ上面の各吸引孔256より基板Gに下向きの吸引力を作用させる。ギャップSの大きさを検出するギャップセンサ(図示せず)あるいは基板Gの高さ位置を検出する高さ検出センサ(図示せず)等を用いてフィードバック制御を行うことも可能である。なお、基板Gをステージ132上に載置するときは、高圧気体供給源262および真空源268の運転を止める。   In this substrate levitation mechanism, a high-pressure gas is ejected vertically upward from each gas ejection hole 254 on the upper surface of the stage, and the pressure of the high-pressure gas that overcomes the gravity of the substrate G is uniformly applied to the entire lower surface of the substrate G. Float horizontally from the top. Further, each suction hole 256 on the upper surface of the stage is balanced with the pressure of the gas ejected from the gas ejection hole so that the floating position of the substrate G is maintained at a certain height position separated by a certain gap S from the upper surface of the stage. Further, a downward suction force is applied to the substrate G. It is also possible to perform feedback control using a gap sensor (not shown) for detecting the size of the gap S or a height detection sensor (not shown) for detecting the height position of the substrate G. Note that when the substrate G is placed on the stage 132, the operation of the high-pressure gas supply source 262 and the vacuum source 268 is stopped.

この実施例によれば、基板Gをステージ132から浮かした状態でレジスト塗布処理を行うので、基板Gの下面やステージ132の上面に異物が付いていてもその異物によって基板Gが盛り上がるようなことはなく、基板下の異物に起因するレジストノズル134と基板Gとの接触を回避することができる。また、基板Gの上面に異物が付着し、その異物を介してレジストノズル134が基板Gに接触するようなことがあっても、レジストノズル134側からの押圧力で浮上状態の基板Gが下方に変位できるため、接触による両者の損傷を軽微なものに済ますことができる。   According to this embodiment, since the resist coating process is performed with the substrate G floating from the stage 132, even if foreign matter is attached to the lower surface of the substrate G or the upper surface of the stage 132, the substrate G is raised by the foreign matter. In other words, the contact between the resist nozzle 134 and the substrate G due to the foreign matter under the substrate can be avoided. Even if foreign matter adheres to the upper surface of the substrate G and the resist nozzle 134 contacts the substrate G through the foreign matter, the substrate G in a floating state is lowered by the pressing force from the resist nozzle 134 side. Therefore, the damage caused by contact can be minimized.

上記した実施形態では、1つの塗布プロセス部28において、基板上面クリーナ126、基板下面クリーナ128、塗布処理部136、ステージクリーナ138、塗布膜検査部140、ノズルリフレッシュ部142、ステージ機構166、ノズル障害モニタ168等の各部の要素技術を集約または組み合わせて適用しており、それらの重畳的または相乗的な作用効果を得ることができる。もっとも、各部の要素技術を単独または個別に塗布プロセス部28に適用して各単独の作用効果を得ることも可能である。   In the above-described embodiment, in one coating process unit 28, the substrate upper surface cleaner 126, the substrate lower surface cleaner 128, the coating processing unit 136, the stage cleaner 138, the coating film inspection unit 140, the nozzle refresh unit 142, the stage mechanism 166, and nozzle failure The elemental technologies of the respective parts such as the monitor 168 are applied in combination or in combination, and their superposed or synergistic effects can be obtained. However, it is also possible to obtain individual functions and effects by applying the elemental technology of each part individually or individually to the coating process section 28.

上記実施形態では基板上面クリーナ126をコロ搬送路120の上方に配置したが、塗布処理部136における走査部212の支持体216に取り付けてレジストノズル134の前方で基板Gの上面をクリーニングさせるように構成することも可能である。あるいは、ステージクリーナ138に基板上面クリーナ126を兼用させることも可能である。   In the above embodiment, the substrate upper surface cleaner 126 is disposed above the roller transport path 120, but the upper surface of the substrate G is cleaned in front of the resist nozzle 134 by being attached to the support 216 of the scanning unit 212 in the coating processing unit 136. It is also possible to configure. Alternatively, the stage cleaner 138 can also be used as the substrate upper surface cleaner 126.

上記実施形態では、ノズル障害モニタ168におけるレーザ出射部222と受光部224とを塗布処理部136における走査部212の支持体216に取り付けてレジストノズル134と同時に基板上の走査を行うように構成した。しかしながら、ノズル障害モニタ168を塗布処理部136から独立させて構成し、レジスト塗布処理を開始させる前にノズル障害モニタ168を作動させて個別の走査部により上記のような障害物検出用レーザビームLBの走査を行うようにしてもよい。この場合、ノズル障害モニタ168より「異常」とのモニタ判定結果が出されたときは、塗布処理部136において当該基板Gに対するレジスト塗布処理を中止すればよい。   In the above embodiment, the laser emitting unit 222 and the light receiving unit 224 in the nozzle failure monitor 168 are attached to the support 216 of the scanning unit 212 in the coating processing unit 136 so as to scan the substrate simultaneously with the resist nozzle 134. . However, the nozzle failure monitor 168 is configured independently from the coating processing unit 136, and the nozzle failure monitor 168 is operated before starting the resist coating processing, and the obstacle scanning laser beam LB as described above is performed by an individual scanning unit. You may make it perform the scanning of. In this case, when a monitor determination result of “abnormal” is issued from the nozzle failure monitor 168, the coating processing unit 136 may stop the resist coating process on the substrate G.

上記実施形態では、基板Gを載置するステージ132を固定配置し、ステージ132上の基板Gに対して所要の相対移動または走査を行うべき部品たとえばレジストノズル134、ノズル障害モニタ168のレーザ出射部222および受光部224、あるいはステージクリーナ138を走査駆動部によって所定の方向に移動させるように構成した。しかしながら、逆の関係で、それらの走査部品を固定配置し、ステージ132側を走査駆動部によって所定の方向に移動させる構成としてもよい。   In the above-described embodiment, the stage 132 on which the substrate G is placed is fixedly arranged, and the components to be moved or scanned with respect to the substrate G on the stage 132, for example, the resist nozzle 134, the laser emission unit of the nozzle failure monitor 168 222 and the light receiving unit 224 or the stage cleaner 138 are configured to move in a predetermined direction by the scanning drive unit. However, in a reverse relationship, these scanning components may be fixedly arranged and the stage 132 side may be moved in a predetermined direction by the scanning drive unit.

上記実施形態では塗布膜検査部140をレジスト塗布ユニット(CT)82に設けたが、後段たとえば減圧乾燥ユニット(VD)84に設けることも可能である。減圧乾燥後の塗布膜検査は、斑の付いた不良の塗布膜に対する減圧乾燥処理が無駄になってしまうが、塗布膜上の斑は乾燥前よりも乾燥後の方が鮮明になるので画像認識で検出しやすいという利点がある。   In the above-described embodiment, the coating film inspection unit 140 is provided in the resist coating unit (CT) 82, but it can also be provided in a subsequent stage, for example, a reduced-pressure drying unit (VD) 84. In the coating film inspection after drying under reduced pressure, the reduced-pressure drying treatment for the defective coating film with spots is wasted, but the image on the coating film becomes clearer after drying than before drying. It has the advantage of being easy to detect.

本発明におけるレジストノズルとしては、上記した実施形態ではスリット状の吐出口を有するスリット型ノズルを用いたが、1個または複数個の微細径の吐出孔を有する微細径型のノズルも使用可能である。   As the resist nozzle in the present invention, a slit type nozzle having a slit-like discharge port is used in the above-described embodiment, but a fine diameter type nozzle having one or a plurality of fine diameter discharge holes can also be used. is there.

上記した実施形態はLCD製造の塗布現像処理システムにおけるレジスト塗布装置に係るものであったが、本発明は被処理基板上に塗布液を供給する任意のアプリケーションに適用可能である。本発明における塗布液としては、レジスト液以外にも、たとえば層間絶縁材料、誘電体材料、配線材料等の液体も可能である。本発明における被処理基板はLCD基板に限らず、他のフラットパネルディスプレイ用基板、半導体ウエハ、CD基板、ガラス基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。   The above-described embodiment relates to a resist coating apparatus in a coating / development processing system for LCD manufacturing. However, the present invention is applicable to any application that supplies a coating liquid onto a substrate to be processed. As the coating solution in the present invention, in addition to the resist solution, liquids such as an interlayer insulating material, a dielectric material, and a wiring material can be used. The substrate to be processed in the present invention is not limited to an LCD substrate, and other flat panel display substrates, semiconductor wafers, CD substrates, glass substrates, photomasks, printed substrates, and the like are also possible.

本発明の適用可能な塗布現像処理システムの構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the application | coating development processing system which can apply this invention. 実施形態の塗布現像処理システムにおける熱的処理部の構成を示す側面図である。It is a side view which shows the structure of the thermal process part in the application | coating development processing system of embodiment. 実施形態の塗布現像処理システムにおける処理の手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the procedure of the process in the coating and developing treatment system of embodiment. 実施形態の塗布現像処理システムにおける塗布プロセス部の構成を示す上面図である。It is a top view which shows the structure of the application | coating process part in the application | coating development processing system of embodiment. 実施形態の塗布プロセス部における各部の制御系の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the control system of each part in the application | coating process part of embodiment. 一実施例による基板上面クリーナおよび下面基板クリーナの構成を示す一部断面側面図である。It is a partial cross section side view which shows the structure of the board | substrate upper surface cleaner and lower surface board | substrate cleaner by one Example. 一実施例によるステージ機構およびステージクリーナの構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the stage mechanism by one Example, and a stage cleaner. 一実施例による塗布処理部およびノズル障害モニタの構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the application | coating process part and nozzle failure monitor by one Example. 実施例によるノズル障害モニタの作用を示す一部断面側面図である。It is a partial cross section side view which shows the effect | action of the nozzle failure monitor by an Example. 実施例による障害物飛び越し動作(ノズル退避動作)の一例を示す一部断面側面図である。It is a partial cross section side view which shows an example of the obstacle jump operation | movement (nozzle retraction operation | movement) by an Example. 実施例による障害物飛び越し動作(ノズル退避動作)の一例を示す一部断面側面図である。It is a partial cross section side view which shows an example of the obstacle jump operation | movement (nozzle retraction operation | movement) by an Example. 一実施例による塗布膜検査部の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the coating film test | inspection part by one Example. 実施例の塗布膜検査部における撮像部の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the imaging part in the coating film test | inspection part of an Example. 一実施例によるノズルリフレッシュ部の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the nozzle refresh part by one Example. 別の実施例によるステージ機構の構成を示す一部断面側面図である。It is a partial cross section side view which shows the structure of the stage mechanism by another Example.

符号の説明Explanation of symbols

10 プロセスステーション
28 塗布プロセス部
81 搬入ユニット(IN)
82 レジスト塗布ユニット(CT)
120 コロ搬送路
126 基板上面クリーナ
128 基板上面クリーナ
132 ステージ
134 レジストノズル
136 塗布処理部
138 ステージクリーナ
140 塗布膜検査部
142 ノズルリフレッシュ部
166 ステージ機構
168 ノズル障害モニタ
210 レジスト液供給部
212 走査部
220 ノズル昇降機構
222 レーザ出射部
224 受光部
254 高圧気体噴出孔
256 吸気孔
262 高圧気体供給源
268 真空源
270 浮揚制御部
10 Process Station 28 Application Process Department 81 Carry-in Unit (IN)
82 resist coating unit (CT)
120 Roller transfer path 126 Substrate upper surface cleaner 128 Substrate upper surface cleaner
132 stage 134 resist nozzle 136 coating processing unit 138 stage cleaner 140 coating film inspection unit 142 nozzle refresh unit 166 stage mechanism 168 nozzle failure monitor 210 resist solution supply unit 212 scanning unit 220 nozzle elevating mechanism 222 laser emitting unit 224 light receiving unit 254 high pressure gas Ejection hole 256 Air intake hole
262 High pressure gas supply source 268 Vacuum source 270 Levitation control unit

Claims (16)

被処理基板を下から気体の圧力を加えて第1の高さ位置で水平に浮上させ、前記基板に向けて上方の近接した位置から塗布液を吐出するノズルと前記基板との間で水平方向の相対的な移動による塗布走査を行って、前記基板の上面に前記塗布液を塗布する塗布方法であって、
前記塗布走査に先立って前記第1の高さ位置で浮上している前記基板の上面近傍を前記ノズルと前記基板との間に形成されるギャップの高さ位置に応じた第2の高さ位置で水平に横断するように前記ギャップのサイズに応じたビーム径を有する指向性の高い光ビームを光ビーム出射部より出射し、
前記基板を挟んで前記光ビーム出射部と対向する位置に配置される受光部で前記光ビームを受光してその光強度に応じたレベルの電圧信号に変換し、
前記光ビーム出射部および前記受光部を前記塗布走査の方向において前記ノズルの前方で前記基板に対して相対的に前記ノズルと一緒に移動させ、
前記受光部より出力される前記電圧信号のレベルを所定の基準値と比較して、その比較結果に基いて、前記第2の高さ位置における実質的な障害物の有無を判定し、
前記判定の結果にしたがって前記基板に対する前記塗布走査の実行、中止または中断を選択する塗布方法。
A substrate to be processed is floated horizontally at a first height position by applying a gas pressure from below , and the substrate is discharged in a horizontal direction between the nozzle for discharging the coating liquid from a position close to the substrate and the substrate. A coating method for applying the coating liquid on the upper surface of the substrate by performing a coating scan by relative movement of the substrate,
Prior to the application scanning, a second height position corresponding to a height position of a gap formed between the nozzle and the substrate near the upper surface of the substrate floating at the first height position. A light beam with a high directivity having a beam diameter corresponding to the size of the gap so as to cross horizontally at
The light beam is received by a light receiving unit disposed at a position facing the light beam emitting unit across the substrate, and converted into a voltage signal of a level according to the light intensity ,
Moving the light beam emitting part and the light receiving part together with the nozzle relative to the substrate in front of the nozzle in the direction of the application scanning;
The level of the voltage signal output from the light receiving unit is compared with a predetermined reference value, and based on the comparison result, the presence or absence of a substantial obstacle at the second height position is determined,
An application method that selects execution, suspension, or interruption of the application scan for the substrate according to the determination result.
前記第2の高さ位置を、前記ギャップの中心高さ位置に一致または近似させる、請求項1に記載の塗布方法。 The coating method according to claim 1, wherein the second height position matches or approximates a center height position of the gap . 前記光ビームのビーム径を、前記ギャップのサイズに一致または近似させる、請求項1または請求項2に記載の塗布方法。 The coating method according to claim 1, wherein a beam diameter of the light beam matches or approximates a size of the gap . 前記電圧信号のレベルが前記基準値に対して所定の比率よりも下がった時は、前記塗布走査において前記ノズルの前方に実質的な障害物が有るとの判定結果を出し、前記塗布走査を中断する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の塗布方法。 When the level of the voltage signal falls below a predetermined ratio with respect to the reference value, a determination result that there is a substantial obstacle ahead of the nozzle in the application scan is issued , and the application scan is interrupted. The coating method according to any one of claims 1 to 3 . 前記電圧信号のレベルが前記基準値に対して所定の比率よりも下がった時は、前記塗布走査において前記ノズルの前方に実質的な障害物が有るとの判定結果を出し、直ちに前記ノズルを所定の高さ位置まで上昇移動させる、請求項1〜3のいずれか一項に記載の塗布方法。 When the level of the voltage signal falls below a predetermined ratio with respect to the reference value, a determination result is obtained that there is a substantial obstacle ahead of the nozzle in the coating scan, and the nozzle is immediately set to the predetermined value. The coating method according to any one of claims 1 to 3, wherein the coating is moved up to a height position. 前記基板の下面に対して、気体噴出孔より垂直上向きに高圧気体を噴きつけると同時に、吸引孔より下向きの吸引力を作用させて、前記基板を第1の高さ位置に保持する、請求項1〜5のいずれか一項に記載の塗布方法。The high pressure gas is sprayed vertically upward from the gas ejection hole to the lower surface of the substrate, and at the same time, a suction force downward from the suction hole is applied to hold the substrate at the first height position. The coating method as described in any one of 1-5. 前記塗布液が塗布された後の前記基板の上面を撮像して画像認識により前記基板上の塗布膜に実質的な斑が存在するか否かを判定する、請求項1〜のいずれか一項に記載の塗布方法。 Determining whether the application liquid exists substantial plaques coating film on the substrate by image recognition by imaging the upper surface of the substrate after being applied, one of the claims 1 to 6 one The coating method according to item. 前記基板上の塗布膜に乾燥処理を施した後に前記基板の上面を撮像して画像認識により前記基板上の塗布膜に実質的な斑が存在するか否かを判定する、請求項に記載の塗布方法。 8. The method according to claim 7 , wherein after the drying process is performed on the coating film on the substrate, the upper surface of the substrate is imaged and whether or not substantial spots are present on the coating film on the substrate is determined by image recognition. Application method. 前記基板上の塗布膜に実質的な斑が存在するとの判定結果が出されたときは前記塗布走査の終了後に前記ノズルの塗布液吐出機能を正常状態に回復させるための処理を行う、請求項または請求項に記載の塗布方法。 The processing for recovering the coating liquid discharge function of the nozzle to a normal state is performed after the coating scan is completed when a determination result that substantial spots are present in the coating film on the substrate is output. The coating method according to claim 7 or 8 . 被処理基板を下から気体の圧力を加えて第1の高さ位置で水平に浮上させる浮上支持部と、
前記浮上支持部により前記第1の高さ位置で支持されている前記基板に向けて上方の近接した位置から塗布液を吐出するためのノズルと、
前記基板の上方で前記ノズルと前記基板との間で水平方向の相対的な移動を行わせるための塗布走査部と、
前記浮上支持部により前記第1の高さ位置で支持されている前記基板の上面近傍を前記ノズルと前記基板との間に形成されるギャップの高さ位置に応じた第2の高さ位置で水平に横断するように前記ギャップのサイズに応じたビーム径を有する指向性の高い光ビームを出射する光ビーム出射部と、
前記基板を挟んで前記光ビーム出射部と対向する位置に配置され、前記光ビームを受光してその光強度に応じたレベルの電圧信号に変換する受光部と、
前記光ビーム出射部および前記受光部を前記塗布走査の方向において前記ノズルの前方で前記基板に対して相対的に前記ノズルと一緒に移動させるためのモニタ走査部と、
前記受光部より出力される前記電圧信号のレベルを所定の基準値と比較して、その比較結果に基いて、前記第2の高さ位置における実質的な障害物の有無を判定する第1の判定部と、
前記第1の判定部における判定結果にしたがって前記基板に対する前記ノズルの走査の実行、中止または中断を選択する走査制御部と
を有する塗布装置。
A levitation support unit that levitates a substrate to be processed from the bottom and horizontally floats at a first height position;
A nozzle for discharging a coating liquid from a position close to an upper side toward the substrate supported at the first height position by the floating support portion;
A coating scanning unit for causing a relative movement in the horizontal direction between the nozzle and the substrate above the substrate ;
In the second height position corresponding to the height position of the gap formed between the nozzle and the substrate near the upper surface of the substrate supported by the floating support portion at the first height position. A light beam emitting unit that emits a highly directional light beam having a beam diameter according to the size of the gap so as to traverse horizontally ;
A light receiving portion that is disposed at a position facing the light beam emitting portion across the substrate, receives the light beam and converts it into a voltage signal of a level according to the light intensity ;
A monitor scanning unit for moving the light beam emitting unit and the light receiving unit together with the nozzle relative to the substrate in front of the nozzle in the coating scanning direction;
A level of the voltage signal output from the light receiving unit is compared with a predetermined reference value, and based on the comparison result, the presence or absence of a substantial obstacle at the second height position is determined . A determination unit;
And a scanning control unit that selects execution, cancellation, or interruption of scanning of the nozzle with respect to the substrate according to a determination result in the first determination unit.
前記光ビーム出射部が、前記第2の高さ位置を前記ギャップの中心高さ位置に一致または近似させる、請求項10に記載の塗布装置。11. The coating apparatus according to claim 10, wherein the light beam emitting unit causes the second height position to coincide with or approximate to a center height position of the gap. 前記光ビーム出射部が、前記光ビームのビーム径を前記ギャップのサイズに一致または近似させる、請求項10または請求項11に記載の塗布装置。The coating apparatus according to claim 10, wherein the light beam emitting unit causes the beam diameter of the light beam to match or approximate the size of the gap. 被処理基板の下面に対して高圧気体を噴きつけて垂直上向きの圧力を加える数の気体噴出孔と、
前記気体噴出孔と一定密度で混在する配置パターンで配置され、前記基板の下面に対して吸引による下向きの圧力を加える多数の気体吸入孔と、
前記基板の高さ位置を第1の高さ位置に維持するために、前記気体噴出孔より前記基板に加えられる垂直上向きの圧力と前記気体吸引孔より前記基板に与えられる下向きの圧力とのバランスをとる浮揚制御部と、
前記第1の高さ位置で浮上している前記基板に向けて上方の近接した位置から塗布液を吐出するためのノズルと、
前記基板の上方で前記ノズルと前記基板との間で水平方向の相対的な移動を行わせるための塗布走査部と、
前記第1の高さ位置で浮上している前記基板の上面近傍を前記ノズルと前記基板との間に形成されるギャップの高さ位置に応じた第2の高さ位置で水平に横断するように前記ギャップのサイズに応じたビーム径を有する指向性の高い光ビームを出射する光ビーム出射部と、
前記基板を挟んで前記光ビーム出射部と対向する位置に配置され、前記光ビームを受光してその光強度に応じたレベルの電圧信号に変換する受光部と、
前記光ビーム出射部および前記受光部を前記塗布走査の方向において前記ノズルの前方で前記基板に対して相対的に前記ノズルと一緒に移動させるためのモニタ走査部と、
前記受光部より出力される前記電圧信号のレベルを所定の基準値と比較して、その比較結果に基いて、前記第2の高さ位置における実質的な障害物の有無を判定する第1の判定部と、
前記第1の判定部における判定結果にしたがって前記基板に対する前記ノズルの走査の実行、中止または中断を選択する走査制御部と
を有する塗布装置。
And large number of gas ejection holes for applying pressure vertically upward blown a high pressure gas to the lower surface of the substrate to be processed,
A plurality of gas suction holes that are arranged in an arrangement pattern mixed with the gas ejection holes at a constant density and apply downward pressure by suction to the lower surface of the substrate;
In order to maintain the height position of the substrate at the first height position, the balance between the vertically upward pressure applied to the substrate from the gas ejection holes and the downward pressure applied to the substrate from the gas suction holes A levitation control unit that takes
A nozzle for discharging a coating liquid from a position close to the upper side toward the substrate floating at the first height position;
A coating scanning unit for causing a relative movement in the horizontal direction between the nozzle and the substrate above the substrate;
The upper surface of the substrate floating at the first height position is horizontally traversed at a second height position corresponding to the height position of a gap formed between the nozzle and the substrate. A light beam emitting part for emitting a highly directional light beam having a beam diameter according to the size of the gap;
A light receiving portion that is disposed at a position facing the light beam emitting portion across the substrate, receives the light beam and converts it into a voltage signal of a level according to the light intensity;
A monitor scanning unit for moving the light beam emitting unit and the light receiving unit together with the nozzle relative to the substrate in front of the nozzle in the coating scanning direction;
A level of the voltage signal output from the light receiving unit is compared with a predetermined reference value, and based on the comparison result, the presence or absence of a substantial obstacle at the second height position is determined. A determination unit;
A scanning control unit that selects execution, cancellation, or interruption of scanning of the nozzle with respect to the substrate according to a determination result in the first determination unit;
A coating apparatus.
前記ノズルを昇降移動させるための昇降機構を有し、前記走査中に前記ノズルの前方に実質的な障害物が有るとの判定結果が前記判定部より出されたときは直ちに前記昇降機構により前記ノズルを所定の高さ位置まで上昇移動させる請求項10〜13のいずれか一項に記載の塗布装置。 An elevating mechanism for moving the nozzle up and down, and when the determination result that there is a substantial obstacle ahead of the nozzle during the scanning is issued from the determination unit, the elevating mechanism immediately The coating device according to any one of claims 10 to 13 , wherein the nozzle is moved up to a predetermined height position. 前記塗布液が塗布された後の前記基板の上面を撮像する撮像部と、
前記撮像部により得られる画像信号に基づいて画像認識により前記基板上の塗布膜に実質的な斑が存在するか否かを判定する第2の判定部と
を有する請求項10〜14のいずれか一項に記載の塗布装置。
An imaging unit that images the upper surface of the substrate after the coating liquid is applied;
Claim 10 to 14 and a second determining unit that determines whether a substantial plaque is present in the coating film on the substrate by image recognition based on the image signal obtained by the imaging unit The coating apparatus according to one item.
前記ノズルの塗布液吐出機能を正常状態に回復させるための処理を前記ノズルに施すためのノズルリフレッシュ部と、
前記判定部において前記基板上面に実質的な斑が存在するとの判定結果が出されたときに前記ノズルリフレッシュ部に前記回復処理を行わせるリフレッシュ制御部と
を有する請求項15に記載の塗布装置。
A nozzle refresh unit for applying processing to the nozzle to recover the coating liquid discharge function of the nozzle to a normal state;
The coating apparatus according to claim 15 , further comprising: a refresh control unit that causes the nozzle refresh unit to perform the recovery process when a determination result indicating that substantial unevenness exists on the upper surface of the substrate is issued in the determination unit.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT201900017288A1 (en) * 2019-09-26 2021-03-26 Cefla Deutschland Gmbh PROCESS FOR PREPARING WATER-PROOF, REINFORCED AND / OR FLAME RETARDED PANEL EDGES

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101146437B1 (en) 2005-06-30 2012-05-21 엘지디스플레이 주식회사 Coater and operating method thereof
JP4553376B2 (en) 2005-07-19 2010-09-29 東京エレクトロン株式会社 Floating substrate transfer processing apparatus and floating substrate transfer processing method
JP4523516B2 (en) * 2005-08-08 2010-08-11 東京エレクトロン株式会社 Coating film unevenness detection method, coating film unevenness detection program, substrate processing method, and substrate processing apparatus
JP4657855B2 (en) * 2005-08-23 2011-03-23 東京応化工業株式会社 Coating device
JP2007176150A (en) * 2005-11-29 2007-07-12 Seiko Epson Corp Liquid droplet discharging device
KR100838431B1 (en) * 2005-12-20 2008-06-16 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 Substrate processing apparatus
JP4587950B2 (en) * 2005-12-22 2010-11-24 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing equipment
JP4564454B2 (en) * 2006-01-19 2010-10-20 東京エレクトロン株式会社 Coating method, coating apparatus, and coating program
JP4832142B2 (en) * 2006-03-31 2011-12-07 株式会社Sokudo Substrate processing equipment
KR100822279B1 (en) * 2006-06-21 2008-04-15 주식회사 에스에프에이 Silicone Dispenser
KR100752237B1 (en) * 2006-09-20 2007-08-28 주식회사 탑 엔지니어링 Method for measuring distance between nozzle and gap sensor of paste dispenser
JP2008086909A (en) * 2006-10-02 2008-04-17 Ulvac Japan Ltd Coating apparatus and coating method
JP4520975B2 (en) * 2006-12-06 2010-08-11 東京エレクトロン株式会社 Coating method and coating apparatus
JP5186161B2 (en) * 2007-09-06 2013-04-17 東京応化工業株式会社 Coating device and cleaning method for coating device
KR101000944B1 (en) * 2008-10-09 2010-12-13 세메스 주식회사 Unit for providing chemical liquid, apparatus and method for treating substrate using the same
KR101007682B1 (en) * 2008-11-18 2011-01-13 세메스 주식회사 Method and apparatus of forming a coating layer in a Flat Panel Display manufacturing
JP2010232326A (en) * 2009-03-26 2010-10-14 Toray Eng Co Ltd Coating applicator
KR102096956B1 (en) * 2011-12-22 2020-04-06 세메스 주식회사 Apparatus and Method for treating substrate
CN104475303B (en) * 2014-12-30 2016-08-17 合肥京东方光电科技有限公司 A kind of apparatus for coating
CN104815785B (en) * 2015-04-29 2017-04-19 深圳市智立方自动化设备有限公司 Automatic pin head position calibration device and automatic pin head position calibration method
JP6737693B2 (en) * 2016-01-13 2020-08-12 Ntn株式会社 Method for measuring volume of minute projections and method for applying liquid material
KR102571644B1 (en) * 2016-03-28 2023-08-28 삼성디스플레이 주식회사 Apparatus for manufacturing diplay device
CN106681105A (en) * 2017-02-09 2017-05-17 深圳市华星光电技术有限公司 Photoresist coating device detection mechanism and photoresist coating machine
JP6658617B2 (en) * 2017-02-28 2020-03-04 Jfeスチール株式会社 Slurry coating method and coating device
IT201700065691A1 (en) 2017-06-14 2018-12-14 Gd Spa Device and method for applying an adhesive on a wrapping tape for a smoking article
CN109701960B (en) * 2018-12-28 2021-07-27 惠科股份有限公司 Substrate cleaning apparatus and cleaning method
CN115350877A (en) * 2022-09-19 2022-11-18 无锡极电光能科技有限公司 Coating machine and method for coating substrate by using same

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4804556A (en) * 1984-08-30 1989-02-14 E. I. Du Pont De Nemours And Company Edge thickness control system
JPH0724387A (en) * 1993-07-08 1995-01-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd Adhesive applicator
JPH08138991A (en) * 1994-11-04 1996-05-31 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate holding device
JP3254574B2 (en) * 1996-08-30 2002-02-12 東京エレクトロン株式会社 Method and apparatus for forming coating film
JP2003053237A (en) * 2001-08-21 2003-02-25 Hitachi Industries Co Ltd Paste coating method and paste coating machine

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT201900017288A1 (en) * 2019-09-26 2021-03-26 Cefla Deutschland Gmbh PROCESS FOR PREPARING WATER-PROOF, REINFORCED AND / OR FLAME RETARDED PANEL EDGES

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